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KR102007046B1 - 도전성 페이스트 및 그 제조 방법 - Google Patents

도전성 페이스트 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR102007046B1
KR102007046B1 KR1020137022331A KR20137022331A KR102007046B1 KR 102007046 B1 KR102007046 B1 KR 102007046B1 KR 1020137022331 A KR1020137022331 A KR 1020137022331A KR 20137022331 A KR20137022331 A KR 20137022331A KR 102007046 B1 KR102007046 B1 KR 102007046B1
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나믹스 가부시끼가이샤
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Abstract

200℃ 이하의 저온에서의 열 처리가 가능하며, 충분히 낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공한다. 본 발명의 도전성 페이스트는, (A) 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함한다. 또는, 본 발명의 도전성 페이스트는, (A) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함한다. 본 발명의 도전성 페이스트는, (A') 고형의 지방산에 의해서만 표면 처리된 은분을 더 포함할 수도 있다.

Description

도전성 페이스트 및 그 제조 방법 {ELECTROCONDUCTIVE PASTE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 액상의 지방산으로 표면 처리된 은분을 포함하는 도전성 페이스트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에, 은 미립자는 전자 부품의 전극이나 회로 패턴을 형성하기 위한 도전성 페이스트의 원료로서 사용되고 있다. 도전성 페이스트는, 그 취급이 용이하기 때문에 실험 용도나 전자 산업 용도 등 여러가지 용도에 사용되고 있다.
회로 패턴을 형성하기 위해서는, 우선, 은 미립자를 함유하는 도전성 페이스트를 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 기판에 도포한다. 다음에, 기판에 도포한 도전성 페이스트를 가열하여 소성한다. 이에 의해, 예를 들면 배선 폭 50㎛ 정도의 회로 패턴을 형성할 수 있다.
도전성 페이스트는 「고온 소성 타입」 및 「가열 경화 타입」의 2가지 타입으로 대별할 수 있다. 고온 소성 타입의 도전성 페이스트는 550 내지 900℃ 정도의 고온에서 처리할 수 있다. 한편, 가열 경화 타입의 도전성 페이스트는 실온(약 20℃) 내지 200℃ 정도의 비교적 저온에서 처리할 수 있다. 가열 경화 타입의 도전성 페이스트는 저온에서 도체를 형성할 수 있기 때문에, 에너지 절약의 관점에서 최근 주목받고 있다.
가열 경화 타입의 도전성 페이스트는 저온에서 경화시킬 수 있기 때문에, 내열성이 떨어지는 재료에의 적용이 가능하다.
예를 들면, 휴대 전화의 분야에서는 폴리이미드제 플렉시블 회로 기판이 사용된다. 또는, 보다 저렴한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름 등이 사용되는 경우도 있다. 이들 기판은 내열성이 떨어지기 때문에, 200℃ 이하의 저온에서 경화시킬 수 있는 가열 경화 타입의 도전성 페이스트를 적용하는 것이 바람직하다.
또한, 터치 패널이나 박막계 태양 전지의 분야에서는, 기판 상에 금속 산화막이 형성된다. 금속 산화막이 형성된 기판은 내열성이 떨어지기 때문에, 200℃ 이하의 저온에서 경화시킬 수 있는 가열 경화 타입의 도전성 페이스트를 적용하는 것이 바람직하다.
그러나, 일반적으로 가열 경화 타입의 도전성 페이스트를 이용하여 얻어진 도전막은, 고온 소성 타입의 도전성 페이스트를 이용하여 얻어진 도전막보다도 전기 저항률이 크다(즉, 도전성이 낮다)고 하는 문제가 있다.
즉, 고온 소성 타입의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 가열에 의해 금속분끼리 결합하고 있기 때문에, 벌크의 금속과 동일 정도의 낮은 전기 저항률을 갖는다. 이에 반하여, 가열 경화 타입의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 금속분끼리의 접촉에 의해 도전로가 형성되어 있기 때문에, 비교적 높은 전기 저항률을 갖는다.
이와 같이 2가지 타입의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은 전기를 도통시키는 기구가 상이하다.
또한, 고온 소성 타입의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 비저항치가 1×10-4Ωㆍm 이하인데 반하여, 가열 경화 타입의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 비저항치가 10×10-4Ωㆍm 정도로서 비저항치가 충분히 낮다고는 할 수 없다.
이러한 사정에 의해 200℃ 이하의 저온에서 열 처리가 가능하며, 낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻을 수 있는 도전성 페이스트가 요망되고 있다.
낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻기 위한 방법으로서, 도전성 페이스트에 포함되는 금속분끼리의 접촉 면적을 크게 하는 것을 생각할 수 있다.
도전성 페이스트에 포함되는 금속분끼리의 효율적인 접촉을 저해하는 요인으로서, 예를 들면 이하의 요인을 생각할 수 있다.
(1) 도전성 페이스트 중의 수지 비율이 높다.
(2) 도전성 페이스트에 포함되는 금속분의 표면에 산화 피막이 형성되어 있고, 이 산화 피막이 전기의 도통을 저해한다.
(3) 도전성 페이스트에 포함되는 금속분의 분산성이 양호하지 않다.
특허문헌 1에는 금속분의 표면에 유기물의 코팅 및 무기물의 코팅을 형성함으로써, 금속분의 표면의 내산화성을 향상시키는 기술이 기재되어 있다. 유기물의 코팅은 올레산 등의 유기 지방산을 포함하고 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술은, 중심 금속의 재결정화를 촉진하기 위하여 350℃ 이상의 고온에서 금속분을 가열할 필요가 있다. 이로 인해, 특허문헌 1에 기재된 기술을, 내열성이 떨어지는 PET 필름 등의 재료에 적용하는 것은 불가능하다.
특허문헌 2에는 시트 저항이 낮고, 막 두께가 2.5마이크로미터 이하인 은 박막을 얻을 수 있는 은 페이스트가 기재되어 있다. 이 은 페이스트는 올레산 은 등의 유기산 은을 포함하고 있다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 은 페이스트는, 페이스트 중에 포함되는 유기물을 분해하기 위하여 500℃ 정도의 고온에서 소성할 필요가 있다. 이로 인해, 특허문헌 2에 개시된 은 페이스트를, 내열성이 떨어지는 PET 필름 등의 재료에 적용하는 것은 불가능하다.
일본 특허 공개 제2005-133119호 공보 WO2006-035908호
본 발명은 200℃ 이하의 저온에서의 열 처리가 가능하며, 충분히 낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 충분히 낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻기 위하여, 올레산 등의 액상의 지방산으로 표면 처리한 은분을 포함하는 은 페이스트를 이용하는 것이 유효하다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 신규의 발견에 기초하여 완성된 것이다.
본 발명은 이하와 같다.
[1] (A) 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함하는 도전성 페이스트.
[2] (A) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함하는 도전성 페이스트.
[3] (A') 고형의 지방산에 의해서만 표면 처리된 은분을 더 포함하는, [1] 또는 [2]에 기재된 도전성 페이스트.
[4] 상기 액상의 지방산은 융점이 -20℃ 내지 +20℃의 지방산인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[5] 상기 고형의 지방산은 융점이 +20℃보다 큰 지방산인, [2] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[6] 상기 지방산의 양이, 상기 은분과 상기 지방산의 합계량에 대하여 0.1 내지 5질량％인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[7] 상기 액상의 지방산이 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵탄산, 카프릴산, 펠라르곤산, 미리스트올레산, 팔미톨레산, 리시놀레산, 올레산, 리놀레산 및 리놀렌산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[8] 상기 액상의 지방산이 올레산 및/또는 리놀렌산인, [7]에 기재된 도전성 페이스트.
[9] 상기 열경화성 수지가 에폭시 수지 및 페놀 수지인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[10] 상기 열가소성 수지가 페녹시 수지, 부티랄 수지, 셀룰로오스 수지, 아크릴 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[11] 상기 희석제가 반응성 희석제인, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트.
[12] 상기 반응성 희석제가 1,2-에폭시-4-(2-메틸옥시라닐)-1-메틸시클로헥산 또는 4-tert-부틸페닐글리시딜에테르인, [11]에 기재된 도전성 페이스트.
[13] [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 도전성 페이스트를 가열하여 얻어지는 도전막.
[14] [13]에 기재된 도전막을 포함하는 전자 부품.
[15] 액상의 지방산에 의해 은분을 표면 처리하는 공정과,
상기 은분, 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지, 및 희석제를 혼합하는 공정을 포함하는, 도전성 페이스트의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 200℃ 이하의 저온에서의 열 처리가 가능하며, 충분히 낮은 전기 저항률(예를 들면, 0.50×10-4Ωㆍm 이하)을 갖는 도전막을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막의 전자현미경 사진이다.
도 2는 비교예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막의 전자현미경 사진이다.
본 발명의 도전성 페이스트는, (A) 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함한다.
또는, 본 발명의 도전성 페이스트는, (A) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함한다.
본 발명의 도전성 페이스트에 포함되는 은분의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 은분은, 예를 들면 구상, 플레이크상, 비늘조각상, 침상 등 어떠한 형상이어도 된다. 복수의 상이한 형상의 은분을 혼합하여 이용할 수도 있다.
은분의 평균 입경은 0.015 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 은분이 구상인 경우, 은분의 평균 입경은 0.2 내지 5㎛인 것이 보다 바람직하다. 은분이 플레이크상인 경우, 은분의 평균 입경은 5 내지 30㎛인 것이 보다 바람직하다.
은분의 평균 입경이 상기의 범위에 있는 경우, 도전성 페이스트를 인쇄 또는 도포한 후의 막의 표면 상태가 양호해진다. 또한, 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막의 도전성이 향상된다.
본 명세서에 있어서, 은분의 「평균 입경」의 정의는 이하와 같다.
은분이 구상인 경우, 평균 입경이란 입자 직경의 평균치를 의미한다.
은분이 플레이크상 또는 비늘조각상인 경우, 평균 입경이란 입자의 최장부의 길이의 평균치를 의미한다.
은분이 침상인 경우, 평균 입경이란 입자의 최장부의 길이의 평균치를 의미한다.
평균 입경은, 소정의 수(예를 들면 100개)의 입자 입경을 측정한 결과의 산출 평균치로서 구할 수 있다.
은분의 평균 입경은, 예를 들면 은분의 입자를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰함으로써 측정할 수 있다. 또는, 은분의 평균 입경은 화상 해석에 의해 측정할 수도 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분을 포함한다.
또는, 본 발명의 도전성 페이스트는 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분을 포함한다.
액상의 지방산이란, 실온(20℃)에 있어서 액상인 지방산을 말한다.
액상의 지방산은, 융점이 -20℃ 이상 +20℃ 이하인 지방산인 것이 바람직하다.
고형의 지방산이란, 실온(20℃)에 있어서 고형인 지방산을 말한다.
고형의 지방산은, 융점이 +20℃보다도 큰 지방산인 것이 바람직하다.
은분의 표면 처리에 이용되는 지방산은 희석제에 대하여 가용인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 종래의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막보다도 작은 전기 저항률을 갖고 있다. 그 이유는, 이하와 같다고 생각된다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분 및 희석제를 포함한다. 액상의 지방산은 희석제에 용이하게 용해된다. 이로 인해, 도전성 페이스트를 가열하였을 때, 은분의 표면에 존재하는 지방산은 희석제와 함께 용이하게 증발된다. 이 결과, 본 발명의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 은분의 표면이 노출되어 있는 부분의 면적이 커지고, 은분끼리의 접촉 면적이 커진다. 또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 은분끼리의 접촉 상태가 양호하고, 은분의 적어도 일부가 융착되어 일체로 되어 있는 경우도 있다.
또한, 도전성 페이스트에 포함되는 은분으로서, 지방산에 의해 표면 처리하지 않은 은분을 이용하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 이러한 은분은 수지와의 습윤성이 나쁘기 때문에, 도전성 페이스트의 원료로서 부적당하다.
액상의 지방산의 예로서는 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵탄산, 카프릴산, 펠라르곤산 등의 포화 지방산, 미리스트올레산, 팔미톨레산, 리시놀레산, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산 등의 불포화 지방산을 들 수 있다. 이들 지방산은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이 중에서는 올레산, 리놀레산 또는 이들의 혼합물을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분을 포함할 수도 있다.
고형의 지방산의 예로서는 카프르산, 팔미트산, 스테아르산 등의 탄소 원자수 10 이상의 포화 지방산, 크로톤산, 소르브산 등의 불포화 지방산을 들 수 있다.
고형의 지방산은 비점이 200℃ 이하인 것이 바람직하다. 비점이 200℃ 이하인 지방산을 이용한 경우, 도전성 페이스트를 가열하였을 때, 은분 표면의 지방산이 증발하기 때문에, 은분의 표면이 노출되어 있는 부분의 면적이 보다 커지기 때문이다. 이러한 지방산의 예로서 크로톤산을 들 수 있다.
액상의 지방산 및 고형의 지방산을 병용하는 경우에는, 지방산의 전량에 대한 액상의 지방산의 비율을 20질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 상기 (A), (B) 및 (C) 성분 외에, (A') 고형의 지방산에 의해서만 표면 처리된 은분을 포함할 수도 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 포함되는 은분은, 예를 들면 이하의 (1) 내지 (3)의 방법에 의해 제조할 수 있다.
(1) 액상의 지방산에 의해 은분을 처리한다.
(2) 액상의 지방산과 고형의 지방산을 혼합한 후, 이 혼합물에 의해 은분을 처리한다.
(3) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 은분을 따라따로 처리한다. 다음에, 액상의 지방산에 의해 처리된 은분과, 고형의 지방산에 의해 처리된 은분을 혼합한다.
상기 (3)의 경우, 은분의 전량에 대한 액상의 지방산에 의해 처리된 은분의 비율은 20질량％ 이상인 것이 바람직하다.
은분을 지방산에 의해 처리하기 위해서는, 예를 들면 이하의 (1) 내지 (3)의 방법을 이용할 수 있다.
(1) 액상의 지방산에 은분을 침지시킨다.
(2) 액상의 지방산과 고형의 지방산과 은분을 혼합한 후에, 이 혼합물을 용매 중에서 교반한다.
(3) 고형의 지방산과 용매를 혼합한 후에, 은분을 이 혼합물 중에서 교반한다.
상기 용매로서는, 예를 들면 물, 알코올 등의 유기 용매를 이용할 수 있다. 알코올로서는, 예를 들면 에탄올을 이용할 수 있다.
은분은 포트밀에 의해 플레이크화한 것을 이용할 수도 있다.
포트밀에 의해 은분을 플레이크화할 때, 포트밀에 지방산을 투입할 수도 있다. 이에 의해, 은분을 플레이크화함과 동시에 은분의 표면을 지방산에 의해 처리할 수 있다. 지방산의 적어도 일부는, 은 입자의 표면에 물리적으로 흡착되어 있다고 생각된다.
은분의 표면 처리 공정에 이용되는 지방산의 양은, 은분 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 100질량부이고, 보다 바람직하게는 1 내지 20질량부이다.
본 발명의 도전성 페이스트는 지방산에 의해 표면 처리된 은분을 포함한다. 도전성 페이스트에 포함되는 지방산의 양은, 은분과 지방산의 합계량에 대하여 0.1 내지 5질량％인 것이 바람직하고, 0.2 내지 2질량％인 것이 보다 바람직하다. 지방산의 양을 이 범위로 조정함으로써, 보다 작은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻을 수 있다.
도전성 페이스트에 포함되는 은분의 양은, 바람직하게는 75 내지 98질량％이고, 보다 바람직하게는 80 내지 97질량％이다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 결합제로서 (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명에 이용되는 열경화성 수지는 200℃ 이하의 온도에서 경화하는 열경화성 수지인 것이 바람직하다.
열경화성 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 페놀 수지, 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있다.
열경화성 수지의 예로서, 요소 수지, 멜라민 수지, 구아나민 수지와 같은 아미노 수지; 고분자량의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 디글리시딜비페닐과 같은 비페닐형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 테트라브로모 비스페놀 A형 에폭시 수지, 트리스(히드록실페닐)메탄형 에폭시 수지와 같은 에폭시 수지; 옥세탄 수지; 레졸형 페놀 수지, 알킬레졸형 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 알킬노볼락형 페놀 수지, 아르알킬노볼락형 페놀 수지와 같은 페놀 수지; 실리콘에폭시, 실리콘폴리에스테르와 같은 실리콘 변성 수지; 비스말레이미드, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 비스말레이미드트리아진 수지(BT 레진)도 사용할 수 있다. 이들 수지는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
본 발명에 이용되는 열경화성 수지는 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 「상온」이란 +5℃ 내지 +35℃의 온도를 의미한다. 액상의 열경화성 수지를 이용함으로써, 희석제의 사용량을 줄일 수 있다.
본 발명에 이용되는 열경화성 수지는, 액상의 에폭시 수지 및/또는 액상의 페놀 수지인 것이 바람직하다.
열경화성 수지에, 상온에서 고체인 수지, 또는 상온에서 초고점성의 수지를 첨가할 수도 있다. 첨가하는 수지는 열경화성 수지에 대하여 상용성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 혼합 후의 수지가 유동성을 갖는 범위 내에서 열경화성 수지에 수지를 첨가하는 것이 바람직하다. 그러한 수지의 예로서, 고분자량의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 디글리시딜비페닐과 같은 비페닐형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 테트라브로모 비스페놀 A형 에폭시 수지, 레졸형 페놀 수지, 아르알킬노볼락형 페놀 수지를 들 수 있다.
열가소성 수지의 예로서 노볼락형 페놀 수지, 페녹시 수지, 부티랄 수지, 셀룰로오스 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아미드 수지, 열가소성 크실렌 수지, 히드록시스티렌계 중합체, 셀룰로오스 유도체, 또는 이들 중에서 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 이들 중에서는 페녹시 수지 또는 부티랄 수지가 바람직하다.
도전성 페이스트에 포함되는 열경화성 수지 및 열가소성 수지의 양은, 바람직하게는 1 내지 12질량％이고, 보다 바람직하게는 1.5 내지 8질량％이다.
도전성 페이스트에 열경화성 수지 및 열가소성 수지의 양쪽이 포함되는 경우, 열경화성 수지와 열가소성 수지의 질량의 비율은 1:0.02 내지 1:0.42인 것이 바람직하고, 1:0.05 내지 1:0.25인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트는 (C) 희석제를 포함한다.
희석제는 도전성 페이스트의 점도를 조정함과 함께, 은분의 표면에 존재하는 지방산을 용해시키기 위하여 이용된다.
희석제는 도전성 페이스트를 가열할 때 증발하는 것임이 바람직하다. 즉, 희석제는 가열에 의해 도전성 페이스트로부터 제거되는 것임이 바람직하다.
또한, 희석제로서 용제를 이용할 수도 있다.
희석제는 도전성 페이스트를 가열하였을 때, 다른 성분과 반응하지 않고 증발한다. 이것은 도전성 페이스트를 가열하기 전후에서의 질량의 감소량을 측정함으로써 확인할 수 있다.
용제의 예로서 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 테트랄린 등의 방향족 탄화수소; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등의 케톤류; 2-피롤리돈, 1-메틸-2-피롤리돈 등의 락탐류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카르비톨), 및 이들에 대응하는 프로필렌글리콜 유도체 등의 에테르알코올류; 이들에 대응하는 아세트산 에스테르 등의 에스테르류; 말론산, 숙신산 등의 디카르복실산의 메틸에스테르 또는 에틸에스테르 등의 디에스테르류를 들 수 있다. 이 중에서는 부틸카르비톨이 바람직하다.
도전성 페이스트에 포함되는 (C) 희석제로서 반응성 희석제를 이용할 수도 있다. 반응성 희석제란, 분자 중에 예를 들면 글리시딜기 등의 관능기를 갖는 희석제이다.
반응성 희석제의 예로서 1,2-에폭시-4-(2-메틸옥시라닐)-1-메틸시클로헥산, 4-tert-부틸페닐글리시딜에테르, 1,3-비스(3-글리시독시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 네오데칸산 글리시딜에스테르 등을 들 수 있다. 이 중에서는 1,2-에폭시-4-(2-메틸옥시라닐)-1-메틸시클로헥산 또는 4-tert-부틸페닐글리시딜에테르가 바람직하다.
도전성 페이스트에 포함되는 희석제의 양은 바람직하게는 1 내지 25질량％이고, 보다 바람직하게는 1 내지 15질량％이다. 도전성 페이스트에 포함되는 희석제의 양이 1질량％ 미만인 경우, 충분히 낮은 전기 저항률을 갖는 도전막을 얻지 못하는 경우가 있다. 도전성 페이스트에 포함되는 희석제의 양이 25질량％보다도 큰 경우, 도전성 페이스트의 안정성이 악화되는 경우가 있다.
반응성 희석제는, 그 밖의 희석제(예를 들면 부틸카르비톨이나 부틸카르비톨아세테이트)보다도 높은 점도를 갖고 있다. 이로 인해, 도전성 페이스트에 반응성 희석제를 첨가함으로써, 도전성 페이스트를 인쇄에 적합한 점도로 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 도전성 페이스트에 반응성 희석제를 첨가함으로써, 도전성 페이스트를 가열하여 얻어지는 도전막의 비저항을 작게 할 수 있다.
도전성 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 기판에 도포하는 경우, 희석제에 의해 도전성 페이스트의 상온에서의 외관 점도를 10 내지 500Paㆍs로 조정하는 것이 바람직하다. 도전성 페이스트의 보다 바람직한 외관 점도는 15 내지 300Paㆍs이다.
본 발명의 도전성 페이스트는 공지된 첨가제를 포함할 수도 있다.
예를 들면, 도전성 페이스트는 분산 보조제를 포함할 수도 있다.
분산 보조제의 예로서, 디이소프로폭시(에틸아세토아세타토)알루미늄 등의 알루미늄킬레이트 화합물; 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트 등의 티탄산 에스테르; 지방족 다가 카르복실산 에스테르; 불포화 지방산 아민염; 소르비탄 모노올레에이트 등의 계면활성제; 폴리에스테르아민염, 폴리아미드 등의 고분자 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 무기 안료, 유기 안료, 실란 커플링제, 레벨링제, 틱소트로픽제 및 소포제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함할 수도 있다.
본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은,
(1) 액상의 지방산에 의해 은분을 표면 처리하는 공정과,
(2) 상기 은분, 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지, 및 희석제를 혼합하는 공정을 포함한다.
본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은,
(1) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 은분을 표면 처리하는 공정과,
(2) 상기 은분, 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지, 및 희석제를 혼합하는 공정을 포함한다.
상기 (2)의 공정에 있어서, (A') 고형의 지방산에 의해서만 표면 처리된 은분을 더 혼합할 수도 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 은분, 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지, 및 희석제를 포함한다. 이들 성분은 분쇄기, 프로펠라 교반기, 혼련기, 롤, 포트밀 등의 장치에 의해 균일하게 혼합할 수 있다. 이들 성분을 혼합할 때의 온도는 10 내지 40℃인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트는 스크린 인쇄 등의 공지된 수법에 의해 기판에 도포할 수 있다. 도전성 페이스트를 기판에 도포한 후, 도전 페이스트를 가열하여 도전막을 형성할 수 있다.
도전성 페이스트가 결합제로서 열경화성 수지를 포함하는 경우, 도전성 페이스트의 가열 온도는 바람직하게는 60 내지 200℃이고, 보다 바람직하게는 60 내지 150℃이다. 이 경우, 도전성 페이스트의 가열 시간은, 작업성의 관점에서 1 내지 60분이 바람직하다.
도전성 페이스트가 결합제로서 열경화성 수지를 포함하는 경우, 도전성 페이스트를 가열하기 전에 건조시킬 수도 있다.
기판에 도포된 도전성 페이스트의 두께는 바람직하게는 10 내지 200㎛이고, 보다 바람직하게는 20 내지 100㎛이다.
도전성 페이스트가 결합제로서 열가소성 수지를 포함하는 경우, 도전성 페이스트를 예를 들면 80 내지 160℃에서 가열하여 도전막을 형성할 수 있다. 또는, 도전성 페이스트를 상온에서 건조시켜 도전막을 형성할 수도 있다.
본 발명의 도전성 페이스트를 가열하거나, 또는 건조시킴으로써 도전막을 형성할 수 있다. 이 도전막에 의해 전자 부품의 전극이나 회로 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 세라믹 기판뿐만 아니라, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 등의 내열성이 낮은 재료를 포함하는 기판에 적용하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명의 도전성 페이스트는 내열성이 낮은 금속 산화막이 형성된 태양 전지의 기판에 적용하는 것도 가능하다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예에 대하여 설명한다.
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 4에서는, 이하의 표 1 내지 표 3에 나타내는 배합비에 의해 도전성 페이스트를 제조하였다.
그를 위해, 도전성 페이스트의 원료로서 은분 a, 은분 b, 은분 c, 은분 d, 은분 e, 은분 f의 6종류의 은분을 준비하였다.
(은분 a)
표면 처리의 방법: 올레산에 의해 표면 처리
입자의 형상: 플레이크상
평균 입경: 7㎛
BET 비표면적: 0.662m2/g
탭 밀도: 5.33g/cm3
이그 로스(ig.loss)값(강열감량): 0.56％
(은분 b)
표면 처리의 방법: 은분 1000g과 올레산 20g을 포트밀로 혼합
입자의 형상: 플레이크상
평균 입경: 10㎛
BET 비표면적: 0.776m2/g
탭 밀도: 5.13g/cm3
이그 로스값(강열감량): 0.53％
(은분 c)
표면 처리의 방법: 올레산 및 팔미트산의 1:1(질량비)의 혼합물에 의해 표면 처리
입자의 형상: 플레이크상
평균 입경: 3㎛
BET 비표면적: 0.708m2/g
탭 밀도: 4.88g/cm3
이그 로스값(강열감량): 0.59％
(은분 d)
표면 처리의 방법: 은분 1000g과 스테아르산 20g과 에탄올 100g의 혼합물을 포트밀로 교반하여 은분의 표면 처리를 행하였다.
입자의 형상: 플레이크상
평균 입경: 3㎛
BET 비표면적: 1.007m2/g
탭 밀도: 4.76g/cm3
이그 로스값(강열감량): 0.48％
(은분 e)
표면 처리의 방법: 은분 1000g을, 올레산 20g을 에탄올 100g에 용해시킨 용액에 침지시켜 은분의 표면 처리를 행하였다.
입자의 형상: 구상
평균 입경: 0.3㎛
BET 비표면적: 0.635m2/g
탭 밀도: 1.32g/cm3
이그 로스값(강열감량): 1.98％
(은분 f)
표면 처리의 방법: 은분 1000g을, 스테아르산 20g과 에탄올 100g의 혼합물에 침지하고, 디졸버로 교반하여 은분의 표면 처리를 행하였다.
입자의 형상: 구상
평균 입경: 0.3㎛
BET 비표면적: 1.095m2/g
탭 밀도: 1.13g/cm3
이그 로스값(강열감량): 1.98％
상기에 나타낸 은분 a 내지 f의 물성치는, 이하의 절차로 측정하였다.
BET 비표면적은 시판 중인 측정기(시마즈 세이사꾸쇼사 제조 프로소브 II)를 이용하여 측정하였다.
탭 밀도는 탭핑 머신(구라모찌 가가꾸 기까이 세이샤꾸쇼사 제조)을 이용하여 측정하였다.
이그 로스값(강열감량)은 은분을 800℃에서 30분간 소성한 후의 잔분의 질량으로부터 산출하였다.
이그 로스값은 은분의 표면에 존재하는 지방산의 양(질량％)을 나타낸다. 예를 들면, 은분 a에서는, 은분의 표면에 존재하는 올레산의 질량이 은분 및 올레산의 합계량에 대하여 0.56％이다. 은분 c에서는, 은분의 표면에 존재하는 올레산 및 팔미트산의 질량이 은분, 올레산 및 팔미트산의 합계량에 대하여 0.59％이다.
이어서, 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 4에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 1)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨 4.97질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 1에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 2)
은분 a 대신에 은분 b를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 절차에 의해 실시예 2에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 3)
반응 용기에 은분 a를 98질량부, 페놀 수지를 0.63질량부, 에폭시 수지를 1.07질량부, 부티랄 수지를 0.10질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.16질량부, 경화 촉진제를 0.04질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨 1.99질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 3에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 4)
은분 a 대신에 은분 b를 이용한 것 이외에는, 실시예 3과 마찬가지의 절차에 의해 실시예 4에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 5)
반응 용기에 은분 a를 24.25질량부, 은분 f를 72.75질량부, 페놀 수지를 0.95질량부, 에폭시 수지를 1.61질량부, 부티랄 수지를 0.15질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.23질량부, 경화 촉진제를 0.06질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨 2.99질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 5에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 6)
은분 f 대신에 은분 e를 이용한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지의 절차에 의해 실시예 6에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 7)
반응 용기에 은분 a를 94.00질량부, 페녹시 수지(수 평균 분자량 1,180)를 6.00질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨 14.00질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 7에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 8)
반응 용기에 은분 c를 95.00질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨 4.97질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 8에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 9)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 1,2-에폭시-4-(2-메틸옥시라닐)-1-메틸시클로헥산 5.33질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 9에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 10)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 4-tert-부틸페닐글리시딜에테르 5.33질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 10에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 11)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 1,3-비스(3-글리시독시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 5.33질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 11에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 12)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 네오데칸산 글리시딜에스테르 5.33질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 12에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(실시예 13)
반응 용기에 은분 a를 95질량부, 페놀 수지를 1.58질량부, 에폭시 수지를 2.68질량부, 부티랄 수지를 0.24질량부, 카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체를 0.40질량부, 경화 촉진제를 0.10질량부 및 희석제로서 부틸카르비톨아세테이트 4.97질량부를 투입하였다. 이어서, 이들 혼합물을 25℃에서 하이브리드 믹서로 15초간 교반하였다. 이에 의해, 실시예 13에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(비교예 1)
은분 a 대신에 은분 d를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 절차에 의해 비교예 1에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(비교예 2)
은분 a 대신에 은분 d를 이용한 것 이외에는, 실시예 3과 마찬가지의 절차에 의해 비교예 2에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(비교예 3)
은분 a 대신에 은분 d를 이용한 것 이외에는, 실시예 7과 마찬가지의 절차에 의해 비교예 3에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
(비교예 4)
비교예 1에 관한 도전성 페이스트에 올레산 0.50질량부를 나중에 첨가함으로써, 비교예 4에 관한 도전성 페이스트를 제조하였다.
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 4에서 이용한 원료의 구체적인 명칭 및 물성치는, 이하와 같다.
ㆍ페놀 수지:
연화점 98 내지 102℃, 수산기(OH) 당량 104 내지 106g/eq
ㆍ에폭시 수지:
트리스(히드록실페닐)메탄형 고형 에폭시 수지, 에폭시 당량 169 내지 179g/eq
ㆍ부티랄 수지:
폴리비닐알코올:폴리비닐부티랄:폴리비닐아세테이트=83:16:1(질량비), 평균 중합도 2,400
ㆍ카르복시 말단 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체:
수 평균 분자량 10,000
ㆍ경화 촉진제:
2-에틸-4-메틸이미다졸
Figure 112013076758742-pct00001
Figure 112013076758742-pct00002
Figure 112013076758742-pct00003
(비저항의 측정)
이어서, 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 도전성 페이스트를 이용하여 제조된 도전막의 비저항(전기 저항률)을 측정하였다.
비저항은, 이하의 절차로 측정하였다.
폭 20mm, 길이 20mm, 두께 1mm의 알루미나 기판 상에, 250메쉬의 스테인리스제 스크린을 이용하여 길이 71mm, 폭 1mm, 두께 20㎛의 도전성 페이스트를 포함하는 지그재그 패턴을 인쇄하였다.
실시예 1 내지 4, 7 내지 13과, 비교예 1 내지 4에 관한 도전성 페이스트를 150℃에서 30분간 가열하였다.
실시예 5 및 6에 관한 도전성 페이스트를 200℃에서 30분간 가열하였다.
패턴의 두께는 도쿄 세미쯔사 제조의 표면 거칠기 형상 측정기(제품명ㆍ서프콤 1400)를 이용하여 패턴과 교차하는 6점의 측정치의 평균에 의해 구하였다.
도전성 페이스트를 가열 또는 건조시켜 얻어진 도전막에 대하여, LCR 미터를 이용하여 4단자법으로 비저항을 측정하였다. 비저항의 측정 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.
또한, 표 1 내지 표 3에 나타내어져 있는 숫자는, 특별히 언급이 없는 한 질량부로 나타낸다.
표 1 내지 표 3에 있어서,
「수지량(％)」은, 은분, 수지(경화제, 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체) 및 경화 촉진제의 합계량에 대한 수지의 합계량의 비율이다.
「계 전체에서 차지하는 수지량(％)」은, 은분, 수지(경화제, 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체), 경화 촉진제 및 희석제의 합계량에 대한 수지의 합계량의 비율이다.
「계 전체에서 차지하는 은분량(％)」은, 은분, 수지(경화제, 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체), 경화 촉진제 및 희석제의 합계량에 대한 은분의 합계량의 비율이다.
「열경화성 수지의 비율(％)」은, 수지(경화제, 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 아크릴로니트릴ㆍ부타디엔 공중합체)의 합계량에 대한 경화제 및 열경화성 수지의 합계량의 비율이다.
표 1에 나타내는 결과로부터 실시예 1 내지 13에 관한 도전성 페이스트는 우수한 특성을 갖는 것을 알 수 있었다.
실시예 1 내지 13에 관한 도전성 페이스트는, 실온(약 20℃)에서 액상의 지방산인 올레산으로 표면 처리된 은분을 포함하고 있다.
이에 반하여, 비교예 1 내지 4에 관한 도전성 페이스트는 우수한 특성을 갖고 있지 않은 것을 알 수 있었다.
비교예 1 내지 4에 관한 도전성 페이스트는, 실온(약 20℃)에서 고형의 지방산인 스테아르산으로 표면 처리된 은분을 포함하고 있다.
실시예 1 내지 13에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 비교예 1 내지 4에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막보다도 비저항이 훨씬 작은 것을 알 수 있었다.
플레이크상의 은분에 구상의 은분을 혼합함으로써, 도전막의 비저항이 더 작아지는 것을 알 수 있었다(실시예 5, 6).
올레산으로 표면 처리한 은분과, 스테아르산으로 표면 처리한 은분을 포함하는 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 충분히 작은 비저항을 갖는 것을 알 수 있었다(실시예 5).
올레산은 액상의 지방산이고, 스테아르산은 고형의 지방산이다.
올레산과 팔미트산의 혼합물로 표면 처리한 은분을 포함하는 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 충분히 작은 비저항을 갖는 것을 알 수 있었다(실시예 8).
올레산은 액상의 지방산이고, 팔미트산은 고형의 지방산이다.
스테아르산으로 표면 처리된 은분을 포함하는 도전성 페이스트에, 올레산을 나중에 첨가하여 얻어진 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 비저항이 작아지지 않았다(비교예 4).
이것은 비저항이 작은 도전막을 얻기 위해서는, 액상의 지방산(올레산)으로 표면 처리된 은분을 이용하지 않으면 안된다는 것을 나타낸다. 즉, 도전성 페이스트에 액상의 지방산(올레산)을 나중에 첨가하여도 도전막의 비저항은 작아지지 않는다는 것을 나타낸다.
도 1은 실시예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막의 전자현미경 사진이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 실시예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은 은분끼리의 접촉 상태가 양호하고, 은분끼리 융착되어 있는 것 같이 보이는 부분도 있다. 이에 의해, 도전막의 비저항이 매우 낮아지게 된다고 생각된다.
도 2는 비교예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막의 전자현미경 사진이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 비교예 1에 관한 도전성 페이스트를 가열하여 얻어진 도전막은, 은분끼리의 접촉 상태가 그다지 양호하지 않다. 이에 의해, 도전막의 비저항이 높아지게 된다고 생각된다.
<산업상 이용가능성>
본 발명에 따르면, 200℃ 이하의 저온에서의 열 처리가 가능하며, 충분히 낮은 전기 저항률(예를 들면, 0.50×10-4Ωㆍm 이하)을 갖는 도전막을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 내열성이 낮은 재료에 대해서도 전극이나 회로 패턴을 형성할 수 있으므로, 산업상 이용 가능성을 갖는다.

Claims (15)

  1. (A) 액상의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함하고,
    도전성 페이스트에 포함되는 상기 열경화성 수지 및/또는 상기 열가소성 수지의 양이 1.5 내지 8질량％인 도전성 페이스트.
  2. (A) 액상의 지방산 및 고형의 지방산에 의해 표면 처리된 은분과, (B) 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지와, (C) 희석제를 포함하고,
    도전성 페이스트에 포함되는 상기 열경화성 수지 및/또는 상기 열가소성 수지의 양이 1.5 내지 8질량％인 도전성 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A') 고형의 지방산에 의해서만 표면 처리된 은분을 더 포함하는 도전성 페이스트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액상의 지방산은 융점이 -20℃ 내지 +20℃의 지방산인 도전성 페이스트.
  5. 제2항에 있어서, 상기 고형의 지방산은 20℃에 있어서 고형인 지방산인 도전성 페이스트.
  6. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지방산의 양이, 상기 은분과 상기 지방산의 합계량에 대하여 0.1 내지 5질량％인 도전성 페이스트.
  7. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액상의 지방산이 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵탄산, 카프릴산, 펠라르곤산, 미리스트올레산, 팔미톨레산, 리시놀레산, 올레산, 리놀레산 및 리놀렌산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 도전성 페이스트.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액상의 지방산이 올레산 및/또는 리놀렌산인 도전성 페이스트.
  9. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 수지가 에폭시 수지 및 페놀 수지인 도전성 페이스트.
  10. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 수지가 페녹시 수지, 부티랄 수지, 셀룰로오스 수지, 아크릴 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 도전성 페이스트.
  11. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희석제가 반응성 희석제인 도전성 페이스트.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반응성 희석제가 1,2-에폭시-4-(2-메틸옥시라닐)-1-메틸시클로헥산 또는 4-tert-부틸페닐글리시딜에테르인 도전성 페이스트.
  13. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 가열하여 얻어지는 도전막.
  14. 제13항에 기재된 도전막을 포함하는 전자 부품.
  15. 액상의 지방산에 의해 은분을 표면 처리하는 공정과,
    상기 은분, 열경화성 수지 및/또는 열가소성 수지, 및 희석제를 혼합하는 공정을 포함하는 도전성 페이스트의 제조 방법이며,
    도전성 페이스트에 포함되는 상기 열경화성 수지 및/또는 상기 열가소성 수지의 양이 1.5 내지 8질량％인, 도전성 페이스트의 제조 방법.
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