[go: up one dir, main page]

KR102004037B1 - 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102004037B1
KR102004037B1 KR1020170072276A KR20170072276A KR102004037B1 KR 102004037 B1 KR102004037 B1 KR 102004037B1 KR 1020170072276 A KR1020170072276 A KR 1020170072276A KR 20170072276 A KR20170072276 A KR 20170072276A KR 102004037 B1 KR102004037 B1 KR 102004037B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microwave
gas
chamber
slot
circumferential direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170072276A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170140096A (ko
Inventor
도시오 나카니시
고우지 다나카
미치타카 아이타
다카후미 노가미
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170140096A publication Critical patent/KR20170140096A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102004037B1 publication Critical patent/KR102004037B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/004—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by electrons, protons or alpha-particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
    • G02B6/12011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the arrayed waveguides, e.g. comprising a filled groove in the array section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/082—Transitions between hollow waveguides of different shape, e.g. between a rectangular and a circular waveguide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/06—Cavity resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0006—Particular feeding systems
    • H01Q21/0031—Parallel-plate fed arrays; Lens-fed arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
    • H10P50/00—
    • H10P50/242—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/04—Fixed joints
    • H01P1/045—Coaxial joints

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 TM11과 같은 저차 모드의 발생을 억제하여, 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있는 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
플라즈마 처리 장치는, 챔버(1)와, 마이크로파 발생원(39)과, 도파관(37)과, 복수의 슬롯(32)을 갖는 평면 안테나(31)와, 마이크로파 투과판(28)과, 가스 공급 기구(16)와, 배기 기구(24)를 갖는다. 평면 안테나(31)는, 1개 또는 복수개의 슬롯(32)으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군(60)을 복수개 가지고, 그 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 슬롯(32)이 형성되어 있다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법{MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING METHOD}
본 발명은 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
플라즈마 처리는, 반도체 디바이스의 제조에 불가결한 기술이지만, 최근, LSI의 고집적화, 고속화의 요청으로부터 LSI를 구성하는 반도체 소자의 디자인 룰이 점점 미세화되고, 또한, 반도체 웨이퍼가 대형화되고 있으며, 그에 따라, 플라즈마 처리 장치에 있어서도 이러한 미세화 및 대형화에 대응하는 것이 요구되고 있다.
플라즈마 처리 장치로서는, 종래부터 평행 평판형이나 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있지만, 대형의 반도체 웨이퍼를 균일하게 또한 고속으로 플라즈마 처리하는 것은 곤란하다.
그래서, 고밀도로 저전자 온도의 표면파 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있는 RLSA(등록 상표) 마이크로파 플라즈마 처리 장치가 주목받고 있다(예컨대 특허문헌 1).
RLSA(등록 상표) 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 챔버의 상부에 미리 정해진 패턴으로 복수의 슬롯이 형성된 평면 안테나를 마련하고, 마이크로파 발생원으로부터 유도된 마이크로파를, 안테나의 슬롯으로부터 방사시키며, 유전체로 이루어지는 챔버의 천장벽을 통해 진공으로 유지된 챔버 내에 투과시켜, 챔버 내에 표면파 플라즈마를 생성하고, 이에 의해 챔버 내에 도입된 가스를 플라즈마화하여, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 처리하는 것이다.
한편, 마이크로파 플라즈마는 플라즈마 밀도에 의해 결정되는 플라즈마 모드를 가지고 있고, 플라즈마 모드는 베셀 함수의 해로 나타내는 것이 알려져 있다(예컨대 비특허문헌 1). 이 때문에, RLSA(등록 상표) 마이크로파 플라즈마 처리 장치에서는, 평면 안테나로서 베셀 함수의 해에 대응하는 짝수의 슬롯군이 원주 방향에 형성된 것을 이용하여 플라즈마를 생성하는 것이 일반적이다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-294550호 공보
비특허문헌 1: H Sugai et al. Plasma Sources Sci. Technol. 7(1998) pp192-205
그런데, 마이크로파 플라즈마는, 몇 개의 플라즈마 모드의 중합으로 이루어지며, 플라즈마 모드는 베셀 함수의 해의 중합이기 때문에, 원주 방향에 짝수개의 슬롯군을 갖는 평면 안테나를 이용하여 플라즈마를 생성하는 경우, 플라즈마 모드의 중합에 의해 저차 모드인 TM11이 발생하는 경우가 있다.
TM11 모드의 플라즈마는 원주 방향의 균일성에 악영향을 끼쳐, TM11 모드가 발생하면, 플라즈마의 균일성 나아가서는 프로세스의 균일성에 악영향을 끼친다.
최근, 프로세스 인테그레이션의 친화성의 관점에서, 반도체 웨이퍼의 원주 방향에 지금까지 이상으로 균일한 플라즈마 처리를 행하는 것이 요구되고 있어, TM11 모드와 같은 불균일한 저차 모드를 극력 억제하는 것이 요구된다.
따라서, 본 발명은 TM11과 같은 저차 모드의 발생을 억제하고, 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있는 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 관점은, 피처리체가 수용되는 챔버와, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향하여 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단에 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향하여 방사하는 복수의 슬롯을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천장벽을 구성하며, 상기 평면 안테나의 상기 복수의 슬롯으로부터 방사된 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 챔버 내를 배기하는 배기 기구를 가지고, 상기 평면 안테나는, 1개 또는 복수개의 상기 슬롯으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군을 복수개 가지며, 그 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제2 관점은, 챔버 내에 피처리체를 수용하며, 마이크로파 발생원으로부터 발생된 마이크로파를 도파 수단에 의해 유도하고, 상기 도파 수단에 의해 유도된 마이크로파를, 도체로 이루어지는 평면 안테나에 형성된 복수의 슬롯으로부터 방사시키며, 또한, 상기 챔버의 천장벽을 구성하는 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판을 투과시키고, 가스 공급 기구에 의해 상기 챔버 내에 가스를 공급함으로써, 상기 마이크로파 투과판의 하방 부분에 상기 마이크로파에 의한 플라즈마를 생성시키고, 그 플라즈마에 의해 피처리 기판에 미리 정해진 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법으로서, 상기 평면 안테나는, 1개 또는 복수개의 상기 슬롯으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군을 복수개 가지며, 그 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 평면 안테나는, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 소수(素數)가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수는 7개가 예시된다.
상기 도파 수단은, 상기 마이크로파 발생원으로부터 발생한 마이크로파를 TE 모드로 전파하는 직사각형 도파관과, TE 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기와, TEM 모드로 변환된 마이크로파를 상기 평면 안테나를 향하여 전파하는 동축 도파관을 갖는 것이 바람직하다.
상기 마이크로파 플라즈마 처리로서는, 상기 가스 공급 기구로부터 성막 가스를 상기 챔버 내에 공급하여 플라즈마 CVD에 의해 피처리체에 미리 정해진 막을 성막하는 처리가 적합한 것으로서 예를 들 수 있다. 구체예로서는, 상기 가스 공급 기구로부터 공급되는 성막 가스는 규소 원료 가스 및 질소 함유 가스이며, 피처리체에 질화 규소막이 성막되는 것을 들 수 있다. 이때, 상기 성막된 질화 규소막의 원주 방향의 막 두께 분포의 지표인 오벌 스큐가 1.7％ 이하라고 하는 낮은 값을 실현할 수 있다.
본 발명에 따르면, 평면 안테나는, 1개 또는 복수개의 슬롯으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군을 복수개 가지며, 그 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 슬롯이 형성되어 있기 때문에, 원주 방향의 플라즈마의 균일성에 악영향을 부여하는 TM11과 같은 저차 모드가 발생하지 않는다. 이 때문에, 원주 방향의 플라즈마의 균일성, 나아가서는 플라즈마 처리의 균일성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 이용되는 평면 안테나의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 TM11 모드에 의해 출현하는 플라즈마 모드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 원주 방향의 슬롯군의 수가 7개인 도 2의 평면 안테나의 경우의 플라즈마 모드를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 종래예의 평면 안테나를 나타내는 평면도이다.
도 6은 오벌 스큐의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 2의 슬롯군의 수가 7개인 평면 안테나를 이용한 본 발명예와, 도 5의 슬롯군의 수가 8개인 평면 안테나를 이용한 종래예에 대해서, 얻어진 SiN막의 막질[굴절률(RI)의 값]과, 오벌 스큐의 값의 관계를 구한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
<마이크로파 플라즈마 처리 장치의 구성>
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1의 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, RLSA(등록 상표) 마이크로파 플라즈마 처리 장치로서 구성되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되며, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 가지고 있다. 챔버(1)의 바닥벽(1a)의 대략 중앙부에는 원형의 개구부(10)가 형성되어 있고, 바닥벽(1a)에는 이 개구부(10)와 연통하며, 하방을 향하여 돌출하는 배기실(11)이 마련되어 있다.
챔버(1) 내에는 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 기재함)(W)를 수평으로 지지하기 위한 AlN 등의 세라믹스로 이루어지는 서셉터(2)가 마련되어 있다. 이 서셉터(2)는, 배기실(11)의 바닥부 중앙으로부터 상방으로 연장되는 원통형의 AlN 등의 세라믹스로 이루어지는 지지 부재(3)에 의해 지지되어 있다. 서셉터(2)의 외연부에는 웨이퍼(W)를 가이드하기 위한 가이드 링(4)이 마련되어 있다. 또한, 서셉터(2)에는 저항 가열형의 히터(5)가 매립되어 있고, 이 히터(5)는 히터 전원(6)으로부터 급전됨으로써 서셉터(2)를 가열하여 웨이퍼(W)를 가열한다. 또한, 서셉터(2)는 전극(7)이 매립되어 있고, 전극(7)에는 정합기(8)를 통해 바이어스 인가용의 고주파 전원(9)이 접속되어 있다.
서셉터(2)에는, 웨이퍼(W)를 지지하여 승강시키기 위한 웨이퍼 지지핀(도시하지 않음)이 서셉터(2)의 표면에 대하여 돌출 잠김 가능하게 마련되어 있다.
챔버(1)의 측벽에는 환형을 이루는 가스 도입부(15)가 마련되어 있고, 이 가스 도입부(15)에는 균등하게 가스 방사 구멍(15a)이 형성되어 있다. 이 가스 도입부(15)에는 가스 공급 기구(16)가 접속되어 있다.
가스 공급 기구(16)는, 플라즈마 처리용의 가스를 공급하는 것이며, 플라즈마 처리에 따라 적절한 가스가 공급되도록 되어 있다. 플라즈마 처리는 특별히 한정되지 않지만, 일례로서 플라즈마 CVD를 들 수 있다. 플라즈마 CVD에 의해, 예컨대 질화 규소막(SiN막)을 성막하는 경우에는, 가스 공급 기구(16)로부터 공급되는 가스로서는, 플라즈마 생성 가스, Si 원료 가스 및 질소 함유 가스가 이용된다. 플라즈마 생성 가스로서는 Ar 가스 등의 희가스, Si 원료 가스로서는 모노실란(SiH4)이나 디실란(Si2H6), 질소 함유 가스로서는 N2 가스나 암모니아(NH3)가 예시된다. 이들 가스는, 각각의 가스 공급원으로부터, 별개의 배관에 의해 매스플로우 컨트롤러 등의 유량 제어기에 의해 독립적으로 유량 제어되어, 가스 도입부(15)에 공급된다. 또한, 플라즈마 생성 가스는 필수적이지 않다.
또한, 가스 도입부(15)보다 하방에, 예컨대 샤워 플레이트 등의 별도의 가스 도입부를 마련하고, 실리콘 원료 가스 등의 플라즈마에 의해 완전히 해리되지 않는 편이 바람직한 가스를 별도의 가스 도입부로부터, 보다 웨이퍼(W)에 가까운 전자 온도가 보다 낮은 영역에 공급하여도 좋다.
상기 배기실(11)의 측면에는 배기관(23)이 접속되어 있고, 이 배기관(23)에는 진공 펌프나 자동 압력 제어 밸브 등을 포함하는 배기 기구(24)가 접속되어 있다. 배기 기구(24)의 진공 펌프를 작동시킴으로써 챔버(1) 내의 가스가, 배기실(11)의 공간(11a) 내에 균일하게 배출되고, 배기관(23)을 통해 배기되어, 자동 압력 제어 밸브에 의해 챔버(1) 내를 미리 정해진 진공도로 제어 가능하게 되어 있다.
챔버(1)의 측벽에는, 플라즈마 처리 장치(100)에 인접하는 반송실(도시하지 않음)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하기 위한 반입출구(25)와, 이 반입출구(25)를 개폐하는 게이트 밸브(26)가 마련되어 있다.
챔버(1)의 상부는 개구부로 되어 있고, 그 개구부의 주연부가 링형의 지지부(27)로 되어 있다. 이 지지부(27)에 유전체, 예컨대 석영이나 Al2O3 등의 세라믹스로 이루어지는 원판형의 마이크로파 투과판(28)이 시일 부재(29)를 통해 기밀하게 마련되어 있다. 따라서, 챔버(1) 내는 기밀하게 유지된다.
마이크로파 투과판(28)의 상방에는, 마이크로파 투과판(28)에 대응하는 원판형을 이루는 평면 안테나(31)가 마이크로파 투과판(28)에 밀착하도록 마련되어 있다. 이 평면 안테나(31)는 챔버(1)의 측벽 상단에 걸려 있다. 평면 안테나(31)는 도전성 재료로 이루어지는 원판으로 구성되어 있다.
평면 안테나(31)는, 예컨대 표면이 은 또는 금 도금된 구리판 또는 알루미늄판으로 이루어지고, 마이크로파를 방사하기 위한 복수의 슬롯(32)이 관통하도록 형성된 구성으로 되어 있다. 또한, 평면 안테나(31)의 상세에 대해서는 후술한다.
이 평면 안테나(31)의 상면에는, 진공보다 큰 유전율을 갖는 유전체, 예컨대 석영, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리이미드 등의 수지로 이루어지는 지파재(33)가 밀착하여 마련되어 있다. 지파재(33)는 마이크로파의 파장을 진공 중 보다 짧게 하여 평면 안테나(31)를 작게 하는 기능을 가지고 있다.
평면 안테나(31)와 마이크로파 투과판(28) 사이가 밀착한 상태로 되어 있고, 또한, 지파재(33)와 평면 안테나(31) 사이도 밀착되어 있다. 또한, 지파재(33), 평면 안테나(31), 마이크로파 투과판(28) 및 플라즈마로 형성되는 등가 회로가 공진 조건을 만족시키도록 마이크로파 투과판(28), 지파재(33)의 두께가 조정되어 있다. 지파재(33)의 두께를 조정함으로써, 마이크로파의 위상을 조정할 수 있어, 평면 안테나(31)의 접합부가 정재파의 「배(antinode)」가 되도록 두께를 조정함으로써, 마이크로파의 반사가 극소화되어, 마이크로파의 방사 에너지가 최대가 된다. 또한, 지파재(33)와 마이크로파 투과판(28)을 동일한 재질로 함으로써, 마이크로파의 계면 반사를 방지할 수 있다.
또한, 평면 안테나(31)와 마이크로파 투과판(28) 사이, 또한, 지파재(33)와 평면 안테나(31) 사이는, 이격되어 배치되어 있어도 좋다.
챔버(1)의 상면에는, 이들 평면 안테나(31) 및 지파재(33)를 덮도록, 예컨대 알루미늄이나 스테인리스강, 구리 등의 금속 재로 이루어지는 실드 덮개(34)가 마련되어 있다. 챔버(1)의 상면과 실드 덮개(34)는 시일 부재(35)에 의해 시일되어 있다. 실드 덮개(34)에는, 냉각수 유로(34a)가 형성되어 있고, 그곳에 냉각수를 통류시킴으로써, 실드 덮개(34), 지파재(33), 평면 안테나(31), 마이크로파 투과판(28)을 냉각하도록 되어 있다. 또한, 실드 덮개(34)는 접지되어 있다.
실드 덮개(34)의 상부벽의 중앙에는 개구부(36)가 형성되어 있고, 이 개구부에는 도파관(37)이 접속되어 있다. 이 도파관(37)의 단부에는, 매칭 회로(38)를 통해 마이크로파 발생 장치(39)가 접속되어 있다. 이에 의해, 마이크로파 발생 장치(39)에서 발생한 예컨대 주파수 2.45 ㎓의 마이크로파가 도파관(37)을 통해 상기 평면 안테나(31)에 전파되도록 되어 있다. 또한, 마이크로파의 주파수로서는, 8.35 ㎓, 1.98 ㎓, 860 ㎒, 915 ㎒ 등, 여러 가지의 주파수를 이용할 수 있다.
도파관(37)은, 상기 실드 덮개(34)의 개구부(36)로부터 상방으로 연장되는 단면 원형상의 동축 도파관(37a)과, 이 동축 도파관(37a)의 상단부에 모드 변환기(40)를 통해 접속된 수평 방향으로 연장되는 직사각형 도파관(37b)을 가지고 있다. 직사각형 도파관(37b)과 동축 도파관(37a) 사이의 모드 변환기(40)는, 직사각형 도파관(37b) 내를 TE 모드로 전파하는 마이크로파를 TEM 모드로 변환하는 기능을 가지고 있다. 동축 도파관(37a)의 중심에는 내부 도체(41)가 연장되어 있고, 이 내부 도체(41)의 하단부는, 평면 안테나(31)의 중심에 접속 고정되어 있다. 이에 의해, 마이크로파는, 동축 도파관(37a)의 내부 도체(41)를 통해 평면 안테나(31)에 균일하게 효율적으로 전파된다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 제어부(50)를 가지고 있다. 제어부(50)는, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)의 각 구성부, 예컨대 마이크로파 발생 장치(39), 히터 전원(6), 고주파 전원(9), 배기 기구(24), 가스 공급 기구(16)의 밸브나 유량 제어기 등을 제어하는 CPU(컴퓨터)를 갖는 주제어부와, 입력 장치(키보드, 마우스 등), 출력 장치(프린터 등), 표시 장치(디스플레이 등), 기억 장치(기억 매체)를 가지고 있다. 제어부(50)의 주제어부는, 예컨대, 기억 장치에 내장된 기억 매체, 또는 기억 장치에 셋트된 기억 매체에 기억된 처리 레시피에 기초하여, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)에, 미리 정해진 동작을 실행시킨다.
<평면 안테나>
다음에, 평면 안테나(31)에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 이용되는 평면 안테나의 일례를 나타내는 평면도이다.
본 실시형태에서는, 평면 안테나(31)는, 원주 방향의 슬롯군의 수가 3 이상의 홀수가 되도록 슬롯(32)이 마련되어 있다. 슬롯군이란, 1개 또는 복수개의 슬롯으로 이루어지며, 하나의 결속을 이루는 것이다. 본 예에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 평면 안테나(31)는, 둘레 방향에 7개의 슬롯군(60)을 가지고 있다. 구체적으로는, 하나의 슬롯(32)과 다른 슬롯(32)이 팔(八)자형으로 배치되어 슬롯쌍(61)을 구성하고, 이 슬롯쌍(61)이 3개로 하나의 슬롯군(60)을 구성하고 있다.
원주 방향으로 3 이상의 슬롯군을 갖는 경우, 그 슬롯군에 대응하는 고차 모드의 플라즈마를 유도하는 경향이 있다. 그러나, 슬롯군의 수가 짝수인 경우, 플라즈마 모드의 중합에 의해, 고차 모드 외에, 플라즈마의 균일성에 악영향을 끼치는 저차 모드인 TM11도 발생해 버린다.
이에 대하여, 원주 방향의 슬롯군의 수가 홀수인 경우는, 기본적으로는 그 슬롯군의 수보다 저차의 모드는 발생하지 않기 때문에, TM11 모드는 발생하지 않는다. 특히, 원주 방향의 슬롯군의 수가 소수인 경우는, 슬롯군의 수보다 저차의 모드는 발생할 수 없기 때문에, 슬롯군의 수는 홀수 또한 소수인 것이 바람직하다. 도 2의 예에서는, 슬롯군(60)의 수가 7개이며 홀수 또한 소수이기 때문에, 슬롯군의 수보다 저차의 모드는 발생하지 않고, 따라서 TM11 모드도 발생하지 않는다.
또한, 슬롯(32)이 흩어져 존재하는 경우에는, 개개의 슬롯이 각각 슬롯군을 구성하는 것으로 하여, 슬롯(32)의 수를 슬롯군의 수로 한다. 또한, 원주 방향에 복수의 슬롯이 배열되어 이루어지는 원주형 부분이 직경 방향에 복수 존재하는 경우, 즉 원주형 부분이 다중으로 형성되는 경우, 슬롯군의 수가 가장 적은 원주형 부분의 슬롯군의 수를 평면 안테나(31)의 원주 방향의 슬롯군의 수로 한다.
<마이크로파 플라즈마 처리 장치의 동작>
다음에, 이와 같이 구성되는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)의 동작에 대해서 설명한다.
먼저, 게이트 밸브(26)를 개방으로 하여 반입출구(25)로부터 피처리체인 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내에 반입하여, 서셉터(2) 상에 배치한다.
그리고, 가스 공급 기구(16)로부터 가스 도입부(15)를 통해 챔버(1) 내에 미리 정해진 가스를 도입하고, 마이크로파 발생 장치(39)로부터의 미리 정해진 파워의 마이크로파를, 매칭 회로(38)를 거쳐 도파관(37)에 유도한다. 도파관(37)에 유도된 마이크로파는, 직사각형 도파관(37b)을 TE 모드로 전파된다. TE 모드의 마이크로파는 모드 변환기(40)로 TEM 모드로 모드 변환되어, TEM 모드의 마이크로파가 동축 도파관(37a)을 TEM 모드로 전파된다. 그리고, TEM 모드의 마이크로파는, 지파재(33), 평면 안테나(31)의 슬롯(32) 및 마이크로파 투과판(28)을 투과하여, 챔버(1) 내에 방사된다.
마이크로파는 표면파로서 마이크로파 투과판(28)의 직하 영역에만 퍼져, 표면파 플라즈마가 생성된다. 그리고, 플라즈마는 하방으로 확산되어, 웨이퍼(W)의 배치 영역에서는, 고전자 밀도 또한 저전자 온도의 플라즈마가 된다.
이때, 챔버(1) 내에 방사된 마이크로파에 의해 생성되는 표면파 플라즈마는, 평면 안테나(31)가 3 이상의 슬롯군을 갖는 경우, 전계 강도가 높은 슬롯군에 대응하는 위치가 다수 존재하기 때문에, 고차 모드의 플라즈마를 유도하는 경향이 있다. 그러나, 슬롯군의 수가 짝수인 경우, 플라즈마 모드의 중합에 의해, 저차 모드인 TM11도 발생해 버린다. TM11은, 직경 방향에 하나, 둘레 방향에 반주에서 하나의 플라즈마 모드가 발생하는 모드이며, 도 3에 나타내는 바와 같은 2개의 플라즈마 모드가 출현하기 때문에, TM11이 발생하면 플라즈마가 불균일해져 버린다.
이에 대하여, 원주 방향의 슬롯군의 수가 3 이상의 홀수인 경우에는, 슬롯군의 수에 대응하여 발생한 복수의 플라즈마 모드의 중합에 의해서도 TM11은 발생하지 않는다. 본 예의 평면 안테나(31)는, 원주 방향의 슬롯군(60)의 수가 7개이며, 도 4에 나타내는 바와 같이 슬롯군에 대응하는 복수의 플라즈마 모드가 발생하지만, 슬롯군의 수가 홀수 또한 소수이기 때문에, 슬롯군의 수보다 저차 모드의 플라즈마는 발생하지 않아, TM11은 발생하지 않는다. 이 때문에, 원주 방향에 균일성이 높은 플라즈마를 생성할 수 있어, 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
플라즈마 처리로서 플라즈마 CVD에 의해 막 형성을 행하는 경우에는, 성막용의 가스를 플라즈마에 의해 여기하여 피처리체인 웨이퍼(W)의 표면에서 반응시키고, 필요에 따라 고주파 전원(9)으로부터 이온 인입용의 고주파 바이어스를 소정 파워로 인가하여, 미리 정해진 막을 성막한다. 예컨대 SiN막을 성막하는 경우에는, 가스 공급 기구(16)로부터 가스 도입부(15)를 통해, 플라즈마 생성 가스, 예컨대 Ar 가스 등의 희가스를 공급하여 마이크로파 플라즈마를 생성하며, 모노실란(SiH4), 디실란(Si2H6) 등의 실리콘 원료 가스 및 N2나 NH3 등의 질소 함유 가스를 공급하고, 이들을 플라즈마에 의해 여기하여, 이들을 웨이퍼(W)의 표면에서 반응시킨다.
이 경우에, 전술한 바와 같이, 평면 안테나(31)는, 원주 방향의 슬롯군의 수가 3 이상의 홀수가 되도록 슬롯(32)이 마련되어 있어, 저차 모드인 TM11 모드가 발생하지 않기 때문에, 원주 방향의 플라즈마의 균일성이 높아, 원주 방향의 막 두께 균일성이 높은 성막 처리를 행할 수 있다.
원주 방향의 막 두께 균일성은, 웨이퍼(W)의 소정 반경 위치에 있어서의 원주 방향의 두께 분포로 구할 수 있고, 그 지표로서 오벌 스큐(Oval skew; 타원도)로 구할 수 있다. 오벌 스큐는 원주 방향의 두께 분포가 진원으로부터 어느 정도 떨어져 있는지를 ％로 나타낸 것이며, 본 실시형태와 같이, 평면 안테나에 있어서의 원주 방향의 슬롯군의 수를 홀수로 함으로써, 오벌 스큐의 값을 낮게 할 수 있다. 플라즈마 CVD에 의해 SiN막을 성막하는 경우에는, 원주 방향의 오벌 스큐의 값을 1.7％ 이하라고 하는 작은 값으로 할 수 있다.
<실험 결과>
다음에, 실험 결과에 대해서 설명한다.
도 1에 나타내는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 평면 안테나로서 도 2에 나타내는 본 발명예의 슬롯 패턴을 갖는 것과, 도 5에 나타내는 종래의 것을 이용하여 플라즈마 CVD에 의해 SiN막을 성막하였다. 플라즈마 생성 가스로서 Ar가스, Si 원료 가스로서 SiH4, 질소 함유 가스로서 N2 가스를 이용하여, 마이크로파 파워: 2000 W∼5000 W, 처리 온도: 200℃∼600℃, 처리 압력: 5 ㎩∼100 ㎩로 SiN막을 성막하였다.
또한, 도 5의 종래의 평면 안테나는, 팔자형으로 쌍을 이루는 슬롯쌍이 원주 방향에 형성된 원주부 부분을 직경 방향에 3개 가지고 있고, 원주 방향의 슬롯군의 수는, 그 수가 가장 적은 가장 내측 부분의 8개이다.
각각의 평면 안테나를 이용하여 복수의 웨이퍼에 대하여 SiN막을 성막하고, 막 두께의 원주 방향의 균일성을 구하였다. 막 두께의 원주 방향 균일성의 지표로서는 오벌 스큐를 이용하였다.
오벌 스큐는, 이하와 같이 하여 구하였다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼의 원주형에 등간격으로 24점 취하여, 중심으로부터 반경 147 ㎜의 위치의 막 두께(옹스트롬)를 구하고, 대향하는 2개의 위치의 막 두께의 평균값을 순차 구한다.
즉
(포지션 1의 막 두께+포지션 13의 막 두께)/2=1127.1
(포지션 2의 막 두께+포지션 14의 막 두께)/2=1134.8
(포지션 3의 막 두께+포지션 15의 막 두께)/2=1140.0
(포지션 4의 막 두께+포지션 16의 막 두께)/2=1140.5
…
와 같이
(포지션 12의 막 두께+포지션 24의 막 두께)/2까지 순차 구하고, 얻어진 12개의 데이터의 최대값, 최소값 및 평균값을 구하여, 이하의 식으로 산출하였다.
오벌 스큐=(최대값-최소값)/평균값×100(％)
오벌 스큐의 값이 작을수록 막 두께 분포가 진원에 근접하여, 원주 방향의 막 두께의 균일성이 높아진다.
오벌 스큐의 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7은 얻어진 SiN막의 막질[굴절률(RI)의 값]을 횡축에 취하고, 종축에 오벌 스큐의 값을 취하여, 도 2의 슬롯군의 수가 7개인 평면 안테나를 이용한 본 발명예와, 도 5의 슬롯군의 수가 8개인 평면 안테나를 이용한 종래예에 대해서, 이것들의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, TM11 모드가 발생하는 종래예의 경우에는, 대부분이 오벌 스큐가 1.7％를 넘었는 데 대하여, TM11 모드가 발생하지 않는 본 발명예의 경우에는, 오벌 스큐의 값이 1.7％보다 낮은 값이 되었다.
이상으로부터, 원주 방향의 슬롯군의 수를 홀수로 함으로써, 짝수의 경우보다 프로세스의 균일성이 높아지는 것이 확인되었다.
<다른 적용>
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 일없이, 본 발명의 사상의 범위 내에 있어서 여러 가지 변형 가능하다.
예컨대, 상기 실시형태에서는, 마이크로파 플라즈마 처리로서, 플라즈마 CVD를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되지 않고, 플라즈마 에칭이나, 플라즈마 산화 처리, 플라즈마 질화 처리 등의 다른 플라즈마 처리에도 적용 가능하다.
또한, 피처리체로서는, 원주 방향의 프로세스 균일성이 요구되는 것이면, 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니며, 유리 기판이나 세라믹스 기판 등의 다른 피처리체여도 좋다.
1; 챔버 2; 서셉터
5; 히터 15; 가스 도입부
16; 가스 공급 기구 24; 배기 기구
28; 마이크로파 투과판 31; 평면 안테나
32; 슬롯 33; 지파재
37; 도파관 38; 매칭 회로
39; 마이크로파 발생 장치 40; 모드 변환기
50; 제어부 60; 슬롯군
61; 슬롯쌍 100; 마이크로파 플라즈마 처리 장치
W; 반도체 웨이퍼(피처리체)

Claims (14)

  1. 피처리체가 수용되는 챔버와,
    마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과,
    마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향하여 유도하는 도파 수단과,
    상기 도파 수단에 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향하여 방사하는 복수의 슬롯을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와,
    상기 챔버의 천장벽을 구성하며, 상기 평면 안테나의 상기 복수의 슬롯으로부터 방사된 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과,
    상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
    상기 챔버 내를 배기하는 배기 기구를 포함하고,
    상기 평면 안테나는, 복수개의 상기 슬롯으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군을 복수개 가지며, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있고,
    2개의 슬롯이 슬롯쌍을 구성하고, 하나의 슬롯군이 3개의 슬롯쌍으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 평면 안테나는, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 소수(素數)가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평면 안테나는, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 7개가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도파 수단은, 상기 마이크로파 발생원으로부터 발생한 마이크로파를 TE 모드로 전파하는 직사각형 도파관과, TE 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기와, TEM 모드로 변환된 마이크로파를 상기 평면 안테나를 향하여 전파하는 동축 도파관을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 플라즈마 처리는, 상기 가스 공급 기구로부터 성막 가스를 상기 챔버 내에 공급하여 플라즈마 CVD에 의해 피처리체에 미리 정해진 막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구로부터 공급되는 성막 가스는 규소 원료 가스 및 질소 함유 가스이고,
    피처리체에 질화 규소막이 성막되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 성막된 질화 규소막의 원주 방향의 막 두께 분포의 지표인 오벌 스큐가 1.7％ 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  8. 챔버 내에 피처리체를 수용하며,
    마이크로파 발생원으로부터 발생된 마이크로파를 도파 수단에 의해 유도하고,
    상기 도파 수단에 의해 유도된 마이크로파를, 도체로 이루어지는 평면 안테나에 형성된 복수의 슬롯으로부터 방사시키며, 또한, 상기 챔버의 천장벽을 구성하는 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판을 투과시키고,
    가스 공급 기구에 의해 상기 챔버 내에 가스를 공급함으로써, 상기 마이크로파 투과판의 하방 부분에 상기 마이크로파에 의한 플라즈마를 생성시키고,
    상기 플라즈마에 의해 피처리 기판에 미리 정해진 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 평면 안테나는, 복수개의 상기 슬롯으로 이루어지는 하나의 결속을 이루는 슬롯군을 복수개 가지며, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 3 이상의 홀수가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있고,
    2개의 슬롯이 슬롯쌍을 구성하고, 하나의 슬롯군이 3개의 슬롯쌍으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 평면 안테나는, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 소수가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 평면 안테나는, 상기 슬롯군의 원주 방향의 수가 7개가 되도록, 상기 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도파 수단은, 상기 마이크로파 발생원으로부터 발생한 마이크로파를 TE 모드로 전파하는 직사각형 도파관과, TE 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기와, TEM 모드로 변환된 마이크로파를 상기 평면 안테나를 향하여 전파하는 동축 도파관을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 플라즈마 처리는, 상기 가스 공급 기구로부터 성막 가스를 상기 챔버 내에 공급하여 플라즈마 CVD에 의해 피처리체에 미리 정해진 막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구로부터 공급되는 성막 가스는 규소 원료 가스 및 질소 함유 가스이며, 피처리체에 질화 규소막이 성막되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 성막된 질화 규소막의 원주 방향의 막 두께 분포의 지표인 오벌 스큐가 1.7％ 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 방법.
KR1020170072276A 2016-06-10 2017-06-09 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법 Active KR102004037B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016115931A JP6883953B2 (ja) 2016-06-10 2016-06-10 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法
JPJP-P-2016-115931 2016-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170140096A KR20170140096A (ko) 2017-12-20
KR102004037B1 true KR102004037B1 (ko) 2019-07-25

Family

ID=60574114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170072276A Active KR102004037B1 (ko) 2016-06-10 2017-06-09 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170358835A1 (ko)
JP (1) JP6883953B2 (ko)
KR (1) KR102004037B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7109230B2 (ja) * 2018-03-30 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 グラフェン構造体を形成する方法および装置
CN117457467B (zh) * 2023-12-19 2024-04-19 哈尔滨工业大学 等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法
KR102909817B1 (ko) 2024-09-23 2026-01-07 세메스 주식회사 마이크로파 안테나, 마이크로파 생성 장치, 및 가열 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4255563B2 (ja) 1999-04-05 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 半導体製造方法及び半導体製造装置
JP4062928B2 (ja) * 2002-02-06 2008-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7305935B1 (en) * 2004-08-25 2007-12-11 The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa Slotted antenna waveguide plasma source
JP2006244891A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP4606508B2 (ja) * 2007-08-28 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 天板及びプラズマ処理装置
US8988012B2 (en) * 2010-03-31 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Dielectric window for plasma processing apparatus, plasma processing apparatus and method for mounting dielectric window for plasma processing apparatus
JP5377587B2 (ja) * 2011-07-06 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5568608B2 (ja) * 2012-08-20 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2014075234A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Tokyo Electron Ltd アンテナ及びプラズマ処理装置
JP2015130325A (ja) * 2013-12-03 2015-07-16 東京エレクトロン株式会社 誘電体窓、アンテナ、及びプラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6883953B2 (ja) 2021-06-09
KR20170140096A (ko) 2017-12-20
US20170358835A1 (en) 2017-12-14
JP2017220408A (ja) 2017-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102009923B1 (ko) 질화 규소막의 처리 방법 및 질화 규소막의 형성 방법
JP6752117B2 (ja) マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
US20180218883A1 (en) Microwave Plasma Source, Microwave Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method
US10968513B2 (en) Plasma film-forming apparatus and substrate pedestal
CN101803472B (zh) 等离子体处理装置
US20080134974A1 (en) Plasma processing apparatus and gas through plate
CN101322225B (zh) 等离子体处理装置
KR100960424B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
KR20100019469A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법, 및 마이크로파 투과판
JP5422396B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
KR102004037B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법
TW201316845A (zh) 電漿處理裝置，微波導入裝置及電漿處理方法
JP5374853B2 (ja) プラズマ処理装置
US10190217B2 (en) Plasma film-forming method and plasma film-forming apparatus
JP2022191960A (ja) クリーニング方法及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20170609

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20181010

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20190422

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20190719

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20190719

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220620

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230619

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240620

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250619

Start annual number: 7

End annual number: 7