KR101887473B1 - Liquid Crystal Element, Liquid Crystal Display - Google Patents
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Abstract
두 가지 배향상태 사이의 천이를 이용하는 신규 반사형 액정소자를 제공하는 것을 과제로 한다.
액정소자는, 각각의 일면에 배향처리가 실시된 제 1 기판 및 제 2 기판과, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 설치된 액정층과, 적어도 제 1 기판의 바깥쪽에 배치된 편광수단과, 제 2 기판의 일면측 또는 제 2 기판의 바깥쪽 중 어느 한 곳에 배치된 반사판과, 편광수단과 제 1 기판 사이 또는 제 2 기판과 반사판 사이 중 어느 한 곳에 배치된 광확산수단과, 액정층에 전압을 인가하기 위한 전압인가수단을 구비한다. 제 1 기판과 제 2 기판은, 액정층의 액정분자를 제 1 방향으로 비틀도록 배향처리방향을 배치하고 있고, 액정층은 액정분자를 제 1 방향과 반대되는 제 2 방향으로 비트는 성질의 키랄제를 함유하고 있다. 전압인가수단은, 제 1 기판에 설치된 제 1 전극, 제 2 기판에 설치되고 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극, 및 제 2 기판의 제 2 전극의 위쪽에 절연층을 통해서 설치된 빗살형상의 제 3 전극을 가진다.It is an object of the present invention to provide a novel reflective liquid crystal device that utilizes a transition between two alignment states.
A liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate; a polarizing means arranged on the outside of at least the first substrate; and a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates, 2 light diffusing means disposed at either one of the one surface side of the substrate or the outside of the second substrate, the light diffusing means disposed at any place between the polarizing means and the first substrate or between the second substrate and the reflector, And a voltage applying means for applying a voltage to the gate electrode. The first substrate and the second substrate are arranged so that the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are twisted in the first direction, and the liquid crystal layer is a key having a property of biting the liquid crystal molecules in the second direction opposite to the first direction It contains lard. The voltage applying means includes a first electrode provided on the first substrate, a second electrode provided on the second substrate and opposed to the first electrode, and a comb-shaped member provided on the second electrode of the second substrate via the insulating layer Three electrodes.
Description
본 발명은 액정소자 및 액정표시장치에서의 전기광학특성의 개량기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일본특허등록 제2510150호 공보에는, 대향배치된 한쌍의 기판에 각각 실시된 배향처리방향의 조합으로 규제되는 선회방향과 반대되는 선회방향으로 액정분자를 비틀어서 배향시킴으로써 전기광학특성을 향상시킨 액정표시장치가 개시되어 있다(선행예 1).Japanese Patent Registration No. 2510150 discloses a liquid crystal display device in which liquid crystal molecules are twisted and aligned in a turning direction opposite to the turning direction restricted by a combination of alignment treatment directions respectively performed on a pair of substrates arranged opposite to each other, (Prior Art 1).
또한, 일본특허공개공보 2007-293278호에는, 대향배치된 한쌍의 기판에 각각 실시된 배향처리방향의 조합으로 규제되는 선회방향(제 1 선회방향)과 반대되는 선회방향(제 2 선회방향)으로 비틀어지는 키랄(chiral)제를 첨가하면서도, 액정분자를 상술한 제 1 선회방향으로 비틀어서 배향시킴으로써 액정층 내의 왜곡을 증가시키고, 그에 의해 임계값(threshold value) 전압을 저하시켜서 저전압 구동을 가능하게 하는 액정소자가 개시되어 있다(선행예 2).Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-293278 discloses a method of manufacturing a semiconductor device in which a pair of substrates arranged opposite to each other is arranged in a turning direction (second turning direction) opposite to the turning direction (first turning direction) It is possible to increase the distortion in the liquid crystal layer by twisting the liquid crystal molecules in the above-described first pivot direction while adding a twisted chiral agent, thereby lowering the threshold value voltage, thereby enabling the low voltage driving (Prior Art 2).
그리고, 일본특허공개공보 2010-186045호에는, 초기상태에서는 스프레이 트위스트 배향이지만, 세로전계를 1회 인가하면 리버스 트위스트 배향으로 안정되는 리버스 TN(Reverse Twisted Nematic)형 액정소자에 관한 기술이 개시되어 있다(선행예 3).Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-186045 discloses a technology relating to a reverse twisted nematic (TN) type liquid crystal device which is spray-twisted in the initial state but is stabilized in a reverse twist orientation by applying a vertical electric field once (Prior Example 3).
그런데, 상기 일본특허공보 제2510150호의 액정표시장치는, 역비틀림의 배향상태가 불안정하고, 액정층에 대하여 비교적 높은 전압을 인가함으로써 역비틀림의 배향상태를 얻을 수는 있지만, 시간의 경과와 함께 순비틀림의 배향상태로 천이해 버리는 문제가 있다. 또한, 일본특허공개공보 2007-293278호의 액정소자는, 상기한 바와 같이 임계값 전압을 저하시키는 이점이 있지만, 전압을 끄면 바로(예를 들어, 수초 정도) 순비틀림의 배향상태로 천이해 버려서, 역으로 임계값 전압을 높여 버리는 문제가 있다. 또한, 모든 선행기술에서도 순비틀림과 역비틀림의 두 가지 배향상태를 표시 등의 용도로서 적극적으로 이용하는 것에 대해서는 상정하고 있지 않았다. 즉, 쌍안정성을 적극적으로 이용하기 위해 필요한 구성, 구동방법 등의 기술사상에 대한 개시 및 시사가 전혀 존재하지 않았다. 특히, 통상적으로 가장 많은 전력을 소비하는 백라이트 또는 프론트 라이트를 사용하지 않는 반사형 액정소자에 있어서, 상기 쌍안정성을 활용하는 것을 생각하지 않았다. 이에 대해서, 본 출원의 발명자들이 검토한 바, 단순히 액정셀의 뒤쪽에 반사판을 배치하는 것만으로는 반사율이나 콘트라스트(contrast)가 높은 표시를 얻을 수 없다는 문제가 발견되었다. However, in the liquid crystal display device of Japanese Patent Publication No. 2510150, an orientation state of reverse twist is unstable and an orientation state of reverse twist can be obtained by applying a relatively high voltage to the liquid crystal layer. However, There arises a problem of transition to a state of twist alignment. The liquid crystal device of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-293278 has an advantage of lowering the threshold voltage as described above. However, when the voltage is turned off, the liquid crystal device transitions to the net twist alignment state immediately (for example, several seconds) Conversely, there is a problem that the threshold voltage is increased. Also, in all the prior arts, it is not assumed that two orientation states of net torsion and reverse torsion are actively used as display or the like. That is, there is no disclosure or suggestion on the technical ideas such as the configuration, the driving method and the like necessary for positively utilizing the bistability. Particularly, in a reflection type liquid crystal device which does not normally use a backlight or a front light which consumes the most power, it is not considered to utilize the above-mentioned bistability. On the contrary, the inventors of the present application have found that a display having a high reflectance or contrast can not be obtained simply by placing a reflector on the rear side of the liquid crystal cell.
본 발명에 따른 구체적인 형태는, 두 가지 배향상태 사이의 천이를 이용하는 신규 반사형 액정소자를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.A specific form according to the present invention aims at providing a novel reflective liquid crystal device that utilizes a transition between two alignment states.
또한, 본 발명에 따른 구체적인 형태는, 신규 반사형 액정소자를 이용해서, 저소비 전력 구동이 가능한 액정표시장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of driving with low power consumption using a novel reflective liquid crystal device.
본 발명에 따른 일형태의 액정소자는. (a) 각각의 일면에 배향처리가 실시된 제 1 기판 및 제 2 기판과, (b) 상기 제 1 기판의 일면과 상기 제 2 기판의 일면 사이에 설치된 액정층과, (c) 적어도 상기 제 1 기판의 바깥쪽에 배치된 편광수단과, (d) 상기 제 2 기판의 일면측 또는 상기 제 2 기판의 바깥쪽 중 어느 한 곳에 배치된 반사판과, (e) 상기 편광수단과 상기 제 1 기판 사이 또는 상기 제 2 기판과 상기 반사판 사이 중 어느 한 곳에 배치된 광확산수단과, (g) 상기 액정층에 전압을 인가하기 위한 전압인가수단을 포함하고, (h) 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은, 상기 액정층의 액정분자를 제 1 방향으로 비틀도록 상기 배향처리방향을 배치하고 있으며, (i) 상기 액정층은 상기 액정분자를 상기 제 1 방향과 반대되는 제 2 방향으로 비트는 성질의 키랄(chiral)제를 함유하고 있고, (j) 상기 전압인가수단은 상기 제 1 기판에 설치된 제 1 전극, 상기 제 2 기판에 설치되며 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극, 및 상기 제 2 기판의 상기 제 2 전극의 위쪽에 절연층을 통해서 설치된 빗살형상의 제 3 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 액정소자이다.One aspect of the liquid crystal device according to the present invention includes: (b) a liquid crystal layer provided between one surface of the first substrate and one surface of the second substrate; (c) a liquid crystal layer provided between at least one of the first substrate and the second substrate, (D) a reflection plate disposed on one side of the second substrate or on the outside of the second substrate; (e) a reflection plate disposed between the polarization means and the first substrate; (H) a voltage applying unit for applying a voltage to the liquid crystal layer; and (h) a first substrate and a second substrate, Wherein the substrate has the alignment treatment direction so as to twist the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer in the first direction, and (i) the liquid crystal layer has a property of biting the liquid crystal molecules in a second direction opposite to the first direction (J) a voltage, which is the voltage, A first electrode provided on the first substrate, a second electrode provided on the second substrate and opposed to the first electrode, and a comb-shaped electrode provided above the second electrode of the second substrate through an insulating layer And a third electrode.
상기 구성에 따르면, 배향처리방향의 설정에 의해 정해지는 배향상태와 키랄제의 작용에 의해 발생하는 배향상태의 천이를 이용해서, 반사율이나 콘트라스트 등의 특성이 뛰어나며, 소비전력이 매우 낮은 반사형 액정소자를 실현할 수 있다.According to the above-described configuration, by using the transition between the alignment state determined by the setting of the alignment treatment direction and the alignment state generated by the action of the chiral agent, the reflection characteristic, Device can be realized.
상기 액정소자에 있어서는, 배향처리에 의해 발생하는 프리틸트각(pretilt angle)이 20°이상인 것이 바람직하다.In the liquid crystal device, it is preferable that the pretilt angle generated by the alignment treatment is 20 degrees or more.
상기 액정소자에 있어서는, 배향처리에 의해 결정되는 상기 액정층에서의 액정분자의 트위스트각이 45°이상 110°이하인 것이 바람직하며, 70°±5°인 것이 더욱 바람직하다.In the liquid crystal device, it is preferable that the twist angle of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer determined by the alignment treatment is 45 deg. Or more and 110 deg. Or less, more preferably 70 deg. 5 deg..
상기 액정소자에 있어서, 키랄제는 액정층의 층두께와 키랄 피치의 비가 0.1 이상 0.25 미만이 되는 양을 첨가하는 것이 바람직하다.In the liquid crystal device, it is preferable that the chiral agent is added in such an amount that the ratio of the thickness of the liquid crystal layer to the chiral pitch is 0.1 or more and less than 0.25.
상기 액정소자에서의 광확산수단은, 예를 들어 겹쳐서 배치된 복수의 확산판을 가지는 것도 바람직하다. 또한, 이러한 광확산수단은 편광수단과 제 1 기판 사이에 배치되는 것이 보다 바람직하다.It is also preferable that the light diffusion means in the liquid crystal element has, for example, a plurality of overlapping diffusion plates. Further, it is more preferable that such light diffusing means is disposed between the polarizing means and the first substrate.
상기 액정소자에 있어서, 평관수단은, 예를 들어 평광판 또는 원편광판이다.In the above-mentioned liquid crystal device, the flat pipe means is, for example, a flat plate or a circular polarizer.
상기 액정소자에 있어서는, 예를 들어 반사판이 제 2 기판의 일면측에 배치되며, 제 2 전극을 겸해도 좋다.In the liquid crystal element, for example, a reflector may be disposed on one surface of the second substrate and may also serve as a second electrode.
본 발명에 따른 일형태의 액정표시장치는, 복수의 화소부를 구비하고, 그 복수의 화소부가 각각 상기한 본 발명에 따른 액정소자를 사용해서 구성된 액정표시장치이다.One aspect of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device comprising a plurality of pixel portions, each of which is configured by using the liquid crystal device according to the present invention.
상기 구성에 따르면, 액정소자의 쌍안정성(메모리성)을 이용함으로써, 표시를 변환할 때 이외에는 기본적으로 전력을 필요로 하지 않으며, 백라이트나 프론트 라이트도 기본적으로는 필요로 하지 않으므로, 저소비 전력구동이 가능한 액정표시장치를 얻을 수 있다. According to the above configuration, by using the bistability (memory property) of the liquid crystal element, basically no power is required except for the display conversion, and neither a backlight nor a front light is basically required, A possible liquid crystal display device can be obtained.
도 1은 리버스 TN형 액정소자의 동작을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2는 리버스 TN형 액정소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 액정층에 대해서 각 전극을 사용해서 부여할 수 있는 전계에 대해 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 4는 러빙 방향과 가로전계 방향의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 액정표시장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 러빙시의 조건과 프리틸트각의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 1의 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 1의 액정소자의 광학특성(반사특성)을 측정하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시예 1의 액정소자의 광학특성(반사특성)을 측정할 때의 편광판 등의 배치상태를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시예 1의 액정소자의 반사특성을 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예 2의 액정소자의 반사특성을 측정한 결과를 정리한 도면이다.
도 12는 실시예 3의 액정소자의 반사율 및 콘트라스트비와 트위스트각의 관계를 나타내는 도면이다.
도 13은 실시예 3의 액정소자의 반사율 및 콘트라스트비와 트위스트각의 관계를 나타내는 도면이다.
도 14는 실시예 3의 액정소자의 반사율 및 콘트라스트비와 트위스트각의 관계를 나타내는 도면이다. 1 is a schematic diagram schematically showing the operation of a reverse TN type liquid crystal device.
2 is a cross-sectional view showing a configuration example of a reverse-TN liquid crystal device.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating an electric field that can be applied to each liquid crystal layer using each electrode.
4 is a schematic diagram for explaining the relationship between the rubbing direction and the horizontal electric field direction.
5 is a diagram schematically showing a configuration example of a liquid crystal display device.
Fig. 6 is a diagram showing the relationship between the conditions at the time of rubbing and the pretilt angle. Fig.
7 is a view showing an observation image of the liquid crystal device of Example 1. Fig.
8 is a diagram showing a method of measuring the optical characteristics (reflection characteristics) of the liquid crystal device of Example 1. Fig.
9 is a diagram showing the arrangement state of a polarizing plate or the like when measuring the optical characteristics (reflection characteristics) of the liquid crystal device of Example 1. Fig.
10 is a diagram showing the measurement results of the reflection characteristics of the liquid crystal device of Example 1. Fig.
11 is a diagram summarizing the measurement results of the reflection characteristics of the liquid crystal device of Example 2. Fig.
12 is a diagram showing the relationship between the reflectance, the contrast ratio, and the twist angle of the liquid crystal device of Example 3. Fig.
13 is a diagram showing the relationship between the reflectance, the contrast ratio, and the twist angle of the liquid crystal device according to the third embodiment.
14 is a diagram showing the relationship between the reflectance, the contrast ratio, and the twist angle of the liquid crystal device of Example 3. Fig.
다음에 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 리버스 TN형 액정소자의 동작을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 리버스 TN형 액정소자는, 대향배치된 상측기판(1) 및 하측기판(2)과, 그들 사이에 설치된 액정층(3)을 기본적인 구성으로서 구비한다. 상측기판(1)과 하측기판(2)의 각각의 표면에는 러빙처리 등의 배향처리가 실시된다. 이들의 배향처리방향(도면 속에서 화살표로 나타낸다)이 90°전후의 각도로 서로 교차하도록 해서, 상측기판(1)과 하측기판(2)이 상대적으로 배치된다. 액정층(3)은, 네마틱 액정재료를 상측기판(1)과 하측기판(2) 사이에 주입함으로써 형성된다. 이러한 액정층(3)에는, 액정분자를 그 방위각 방향에 있어서 특정한 방향(도 1의 예에서는 우측 선회방향)으로 비트는 작용을 발생시키는 키랄제가 첨가된 액정재료가 사용된다. 상측기판(1)과 하측기판(2)의 상호 간격(셀 두께)을 d, 키랄제의 키랄 피치를 p로 하면, 이들의 비(d/p)는 예를 들어 0.4 정도로 설정된다. 이러한 리버스 TN형 액정소자는, 키랄제의 작용에 의해, 초기상태에는 액정층(3)이 스프레이 배향하면서 비틀어지는 스프레이 트위스트 상태가 된다. 이러한 스프레이 트위스트 상태의 액정층(3)에 포화전압을 초과하는 전압을 인가하면, 액정분자가 좌측 선회방향으로 비틀어지는 리버스 트위스트 상태(유니폼 트위스트 상태)로 천이한다. 이러한 리버스 트위스트 상태의 액정층(3)에서는 벌크 안의 액정분자가 기울어져 있으므로, 액정소자의 구동전압을 저감시키는 효과가 나타난다. 1 is a schematic diagram schematically showing the operation of a reverse TN type liquid crystal device. The reverse-type TN liquid crystal device has a basic configuration of an
도 2는 리버스 TN형 액정소자의 구성예를 나타내는 단면도이다. 도 2의 (A)에 나타내는 액정소자는, 제 1 기판(상측기판)(51)과 제 2 기판(하측기판)(54) 사이에 액정층(60)을 개재한 기본 구성을 가진다. 제 1 기판(51)의 바깥쪽에는 제 1 편광판(61), 1/4 파장판(63) 및 산란판(64)이 배치되고, 그 제 2 기판(54)의 바깥쪽에는 제 2 편광판(62) 및 반사판(65)이 배치되어 있다. 다음에 더욱 상세하게 액정소자의 구조를 설명한다. 한편, 액정층(60)의 주위를 밀봉하는 밀봉재 등의 부재에 대해서는 도시 및 설명을 생략한다.2 is a cross-sectional view showing a configuration example of a reverse-TN liquid crystal device. The liquid crystal device shown in Fig. 2A has a basic structure in which a
제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)은 각각, 예를 들어 글라스 기판, 플라스틱 기판 등의 투명기판이다. 도시한 바와 같이, 제 1 기판(51)과 제 2 기판(54)은 서로의 일면을 마주보게 하고, 소정의 틈(예를 들어, 수㎛)을 설치해서 서로 붙어져 있다. 한편, 도시를 생략하였지만, 모든 기판 위에 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자가 형성되어 있어도 좋다.Each of the
제 1 전극(52)은 제 1 기판(51)의 일면측에 설치되어 있다. 또한, 제 2 전극(55)은 제 2 기판(54)의 일면측에 설치되어 있다. 제 1 전극(52) 및 제 2 전극(55)은 각각, 예를 들어 인듐주석산화물(ITO) 등의 투명도전막을 적절히 패터닝함으로써 구성되어 있다.The first electrode (52) is provided on one side of the first substrate (51). The
절연막(절연층)(56)은, 제 2 기판(54) 위에 제 2 전극(55)을 덮도록 설치되어 있다. 이러한 절연막(56)은, 예를 들어 산화규소막, 질화규소막, 산화질화규소막 또는 이들의 적층막 등의 무기절연막, 혹은 유기절연막(예를 들어, 아크릴계 유기절연막)이다. The insulating film (insulating layer) 56 is provided so as to cover the
제 3 전극(58), 제 4 전극(59)은 각각 제 2 기판(54) 위의 상술한 절연막(56) 위에 설치되어 있다. 본 실시형태에서의 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59)은, 각각 복수의 전극가지를 가지는 빗살형상의 전극이고, 서로의 전극가지가 번갈아가며 늘어서도록 배치되어 있다(후술하는 도 4를 참조). 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59)은 각각, 예를 들어 인듐주석산화물(ITO) 등의 투명도전막을 적절히 패터닝함으로써 구성되어 있다. 제 3 전극(58), 제 4 전극(59)의 각각의 전극가지는, 예를 들어 폭을 20㎛로, 전극간격을 20㎛로 설정해서 배치된다.The
배향막(53)은 제 1 기판(51)의 일면측에 제 1 전극(52)을 덮도록 설치되어 있다. 또한, 배향막(57)은 제 2 기판(54)의 일면측에 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59)을 덮도록 설치되어 있다. 각 배향막(53, 57)에는 소정의 배향처리(예를 들어, 러빙처리)가 실시되어 있고, 각각의 배향처리방향이 이루는 각도가 예를 들어 90°전후로 설정된다. The alignment film 53 is provided so as to cover the
액정층(60)은 제 1 기판(51)과 제 2 기판(54)의 상호 사이에 설치되어 있다. 액정층(60)을 구성하는 액정재료의 유전율 이방성(Δε)은 양(Δε>0)이다. 액정층(60)에 도시된 굵은 선은, 액정층(60)에 전압이 인가되어 있지 않은 초기상태에서의 액정분자의 배향방위를 모식적으로 나타낸 것이다. The
제 1 편광판(61)은 제 1 기판(51)의 바깥쪽에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는 이러한 제 1 편광판(61)측에서 이용자에 의해 시인된다. 제 2 편광판(62)은 제 2 기판(54)의 바깥쪽에 배치되어 있다. 이러한 제 1 편광판(61)과 제 2 편광판(62)은, 예를 들어 서로의 투과축을 대략 직교하도록 배치된다(크로스니콜 배치). 한편, 제 2 편광판(62)은 생략되는 경우도 있다.The first
1/4 파장판(위상차판)(63)은 제 1 편광판(61)과 제 1 기판(51) 사이에 배치되어 있다. 이러한 1/4 파장판(63)과 제 1 편광판(61)을 조합함으로써 전체가 원편광판으로서 기능한다. 한편, 1/4 파장판(63)은 생략되는 경우도 있다.A 1/4 wavelength plate (phase difference plate) 63 is disposed between the first
산란판(확산판)(64)은, 액정소자에 입사하는 빛을 균일하게 하기 위한 것이다. 도 2의 (A)에 나타내는 구성의 액정소자에 있어서는, 산란판(64)은 제 1 편광판(61)과 제 1 기판(51) 사이에 배치되며, 1/4 파장판(63)보다 제 1 기판(51)에 가까운 쪽에 배치되어 있다. 또한, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 산란판(64)은 제 2 기판(54)의 바깥쪽에 배치되어 있어도 좋다. 도시한 예에서는, 산란판(64)은 제 2 편광판(62)을 사이에 끼우고 제 2 기판(54)의 바깥쪽에 배치되어 있다, 한편, 산란판(64)은 복수개의 산란판을 겹쳐서 구성되어 있어도 좋다.The scattering plate (diffusing plate) 64 is for making the light incident on the liquid crystal element uniform. 2 (A), the
반사판(65)은 제 2 편광판(62)을 사이에 끼우고 제 2 기판(54)의 바깥쪽에 배치되어 있다. 산란판(64)이 제 2 기판(54)측에 설치되는 경우에는, 반사판(65)은 이러한 산란판(64)과 제 2 편광판(62)을 사이에 끼우고 제 2 기판(54)의 바깥쪽에 배치된다.The
도 3은 액정층에 대해서 각 전극을 사용해서 부여할 수 있는 전계에 대해서 설명하는 모식적인 단면도이다. 도 3의 (A)는 제 1 내지 제 4 전극의 배치를 평면에서 볼 때 나타나는 모식도이다. 도 3의 (B) 내지 도 3의 (D)는 제 1 내지 제 4 전극의 배치를 단면으로 나타내는 모식도이다. 도시한 바와 같이, 제 1 전극(52)과 제 2 전극(55)은 서로 대향배치되어 있고, 양자가 겹치는 영역 안에 제 3 전극(58)과 제 4 전극(59)이 배치되어 있다. 또한, 제 3 전극(58)의 복수의 전극가지와 제 4 전극(59)의 전극가지는, 하나씩 번갈아가면 반복되도록 배치되어 있다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating an electric field that can be applied to each liquid crystal layer using each electrode. Fig. 3 (A) is a schematic diagram showing the arrangement of the first to fourth electrodes seen from a plane. Figs. 3 (B) to 3 (D) are schematic views showing the arrangement of the first to fourth electrodes in cross section. Fig. As shown in the drawing, the
도 3의 (B)에 도시한 바와 같이, 제 1 전극(52)과 제 2 전극(55) 사이에 전압을 인가함으로써, 양 전극 사이에 전계를 발생시킬 수 있다. 이러한 경우의 전계는, 도시한 바와 같이 제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)의 두께방향(셀 두께방향)을 따르는 전계가 된다. 이러한 전계를 이후에는 '세로전계'라고 부르는 경우도 있다.As shown in Fig. 3 (B), by applying a voltage between the
또한, 도 3의 (C)에 나타내는 바와 같이, 제 3 전극(58)과 제 4 전극(59) 사이에 전압을 인가함으로써, 양 전극 사이에 전계를 발생시킬 수 있다. 이러한 경우의 전계는, 도시한 바와 같이, 제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)의 각 일면에 거의 평행한 방향의 전계가 된다. 이러한 전계를 이후에는 '가로전계'라고 부르는 경우도 있으며, 이러한 전계를 사용하는 모드를 'IPS 모드'라고 부르는 경우도 있다.As shown in Fig. 3C, by applying a voltage between the
그리고, 도 3의 (D)에 나타내는 바와 같이, 절연막(56)을 사이에 끼우고 대향배치된 제 2 전극(55)과 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59) 사이에 전압을 인가함으로써, 양 전극 사이에 전계를 발생시킬 수 있다. 이러한 경우의 전계는, 도시한 바와 같이, 제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)의 각 일면에 거의 평행한 방향을 따르는 전계가 된다. 이러한 전계를 이후에는 '가로전계'라고 부르는 경우도 있으며, 이러한 전계를 사용하는 모드를 'FFS 모드'라고 부르는 경우도 있다.3 (D), a voltage is applied between the
액정소자는 초기상태에서 액정층(60)의 액정분자가 스프레이 트위스트 상태로 배향한다. 이에 대해서, 상기한 바와 같이, 제 1 전극(52)과 제 2 전극(55)을 이용해서 세로전계를 발생시키면, 액정층(60)의 배향상태가 리버스 트위스트 상태로 천이한다. 그 후, 제 3 전극(58)과 제 4 전극(59)을 이용해서 가로전계를 발생시키면(IPS 모드), 액정층(60)의 배향상태가 스프레이 트위스트 상태로 천이한다. 또한, 제 2 전극(55), 제 3 전극(58), 제 4 전극(59)을 이용해서 가로전계를 발생시킨 경우(FFS 모드)에도 마찬가지로, 액정층(60)의 배향상태가 리버스 트위스트 상태에서 스프레이 트위스트 상태로 천이한다. IPS 모드와 비교할 때, FFS 모드 쪽이 액정층(60)의 배향상태를 보다 균일하게 천이시킬 수 있다. 이것은 제 3 전극(58), 제 4 전극(59)의 각 전극 위에도 가로전계가 인가되기 때문이다. 따라서, 개구율(투과율, 콘트라스트비)의 면에서는 FFS 모드가 적합하다고 할 수 있다.In the liquid crystal element, the liquid crystal molecules of the
배향상태의 스위칭이 가능하게 된 이유는 다음과 같이 생각된다. 스프레이 트위스트 상태에서는 액정층(60)의 층 두께방향의 대략 중앙에서의 액정분자가 가로로 누워 있지만, 세로전계에 의해 리버스 트위스트 상태가 되어, 그 대략 중앙에서의 액정분자가 수직방향으로 기울어진다. 그 후, IPS 모드 또는 FFS 모드의 가로전계에 의해, 리버스 트위스트 상태에서의 액정층(60)의 층 두께방향의 대략 중앙에서의 액정분자에 가로전계가 걸리고, 스프레이 트위스트 상태에서의 액정층(60)의 그 대략 중앙에서의 액정분자가 있어야할 다이렉터 방향을 향하기 때문에, 다시 초기상태인 스프레이 트위스트 상태로 천이한다. 이상에 의해, 세로전계와 가로전계를 활용해서 스프레이 트위스트 상태와 리버스 트위스트 상태를 전환하게 된 것으로 생각된다.The reason why the switching of the alignment state is possible is considered as follows. In the spray twist state, the liquid crystal molecules in the
도 4는 러빙 방향과 가로전계 방향의 관계를 설명하기 위한 모식도이다. 각 도면 속에는, 액정소자의 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59) 또는 이들과 제 2 전극(55)을 조합하여 발생시키는 전계방향과, 제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)의 각각에서의 러빙방향과의 대응관계가 나타나 있다. 도 4의 (A), (B)는 전계방향과 러빙방향이 대략 45°로 교차하는 경우를 나타내고 있다. 도 4의 (C), (D)는, 전계방향에 대해서 한쪽의 러빙방향이 대략 직교, 다른쪽의 러빙방향이 대략 평행한 경우를 나타내고 있다. 4 is a schematic diagram for explaining the relationship between the rubbing direction and the horizontal electric field direction. In each drawing, the direction of the electric field generated by the combination of the
다음으로, 액정소자의 제조방법의 일례에 대해서 상세하게 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing a liquid crystal element will be described in detail.
ITO막을 부착한 글라스 기판의 ITO막을 패터닝함으로써, 제 1 전극(52)을 가지는 제 1 기판(51)을 제작한다. 여기에서는, 일반적인 포토리소그래피 기술에 의해 ITO막을 패터닝하였다. ITO 식각방법으로는 습식식각(염화제이철)을 이용한다. 여기에서의 제 1 전극(52)의 형상패턴은, 취출전극 부분과 표시의 화소에 상당하는 부분에 ITO막이 남아 있도록 한다. 마찬가지로, ITO막을 부착한 글라스 기판의 ITO막을 패터닝함으로써, 제 2 전극(55)을 가지는 제 2 기판(54)을 제작한다.The
이어서, 제 2 기판(54)의 제 2 전극(55) 위에 절연막(56)을 형성한다. 그때, 취출전극부분에는 절연막(56)이 형성되지 않도록 연구할 필요가 있다. 그러한 방법으로는, 미리 취출전극부분에 레지스트를 형성해 두고 절연막(56)을 형성한 후에 리프트 오프하는 방법이나, 메탈 마스크 등에 의해 취출전극부분을 숨긴 상태로 스퍼터법 등을 통해 절연막(56)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 절연막(56)으로는, 유기절연막, 또는 산화규소막이나 질화규소막 등의 무기절연막 및 그들의 조합 등을 들 수 있다. 여기에서는, 아크릴계 유기절연막과 산화규소막(SiO2막)의 적층막을 절연막(56)으로서 이용한다.Then, an insulating
취출전극부분(단자부분)에는 내열성 필름(폴리이미드 테이프)을 붙이고, 그 상태로 유기절연막의 재료액을 스핀코팅한다. 예를 들어, 2000rpm으로 30초간 회전시키는 조건으로 막두께 1㎛을 얻는다. 이것을 클린오븐에서 소성한다(예를 들어, 220℃, 1시간). 내열성 필름을 붙인 채로 SiO2막을 스퍼터법(교류방전)에 의해 생성한다. 예를 들어, 80℃로 기판을 가열하여, 1000Å 형성한다. 여기에서 내열성 필름을 벗기면, 유기절연막, SiO2막 모두 깨끗하게 벗길 수 있다. 그 후, 클린오븐에서 소성한다(예를 들어, 220℃, 1시간). 이것은 SiO2막의 절연성과 투명성을 높이기 위한 것이다. 반드시 SiO2막을 형성할 필요는 없지만, 형성함으로써 그 위에 형성하는 ITO막의 밀착성 및 패터닝성이 향상되므로, 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 절연성도 향상된다. 한편, 유기절연막을 형성하지 않고, SiO2막만으로 절연성을 얻는 방법을 생각할 수 있는데, 그러한 경우에는 SiO2막은 다공질이 되기 쉬우므로 막두께를 4000~8000Å 정도로 확보하는 것이 바람직하다. 그리고, SiNx와의 적층막으로 하여도 좋다. 한편, 무기절연막의 형성방법으로서 스퍼터법을 서술하였지만, 진공증착법, 이온빔법, CVD법(화학기상퇴적법) 등의 형성방법을 이용하여도 좋다. A heat resistant film (polyimide tape) is attached to the extraction electrode portion (terminal portion), and the material solution of the organic insulation film is spin-coated in this state. For example, a film thickness of 1 mu m is obtained under the condition of rotating at 2000 rpm for 30 seconds. This is baked in a clean oven (for example, 220 DEG C, 1 hour). A SiO 2 film is formed by a sputtering method (alternating current discharge) while a heat resistant film is attached. For example, the substrate is heated at 80 占 폚 to form a film of 1000 占 퐉. When the heat-resistant film is peeled off, the organic insulating film and the SiO 2 film can be peeled off cleanly. Thereafter, it is baked in a clean oven (for example, 220 DEG C for 1 hour). This is to improve the insulating property and transparency of the SiO 2 film. It is not always necessary to form the SiO 2 film, but it is preferable to form the SiO 2 film because the adhesion and the patterning property of the ITO film formed thereon are improved. Also, the insulating property is improved. On the other hand, a method of obtaining an insulating property with only the SiO 2 film without forming an organic insulating film can be considered. In such a case, the SiO 2 film tends to become porous, and therefore it is preferable to secure the film thickness to about 4000 to 8000 Å. A laminated film of SiNx may also be used. On the other hand, although the sputtering method is described as a method of forming the inorganic insulating film, a forming method such as a vacuum deposition method, an ion beam method, or a CVD (chemical vapor deposition) method may be used.
다음으로, 절연막(56) 위에 제 3 전극(58) 및 제 4 전극(59)을 형성한다. 구체적으로는, 우선 절연막(56) 위에 ITO막을 스퍼터법(교류방전)으로 형성한다. 이것을 예를 들어 100℃로 기판 가열하고, 약 1200Å 정도의 ITO막을 전면(全面)에 형성한다. 이러한 ITO막을 일반적인 포토리소그래피 기술에 의해 패터닝한다. 이때의 포토마스크로서는, 상기한 도 4에 나타낸 바와 같은 빗살형상 전극에 대응하는 차광부분을 가지는 것을 이용한다. 빗살형상의 전극은, 전극가지의 폭을 20㎛ 또는 30㎛로 하는 2종류, 전극간격을 20㎛, 30㎛, 50㎛, 100㎛, 200㎛로 하는 5종류를 이용한다. 한편, 상기의 취출전극부분에도 패턴이 없으면 식각에 의해 아래쪽 ITO막도 제거되므로, 취출전극부분에도 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 이용한다.Next, a
상기와 같이 제작한 제 1 기판(51) 및 제 2 기판(54)을 세정한다. 구체적으로는, 우선 물세정(브러쉬 세정 혹은 스프레이 세정, 순수한 물세정)을 하고, 물을 뺀 후에 UV 세정을 한 뒤, 마지막으로 IR 건조를 한다.The
이어서, 제 1 기판(51), 제 2 기판(54)에 각각 배향막(53, 57)을 형성한다. 배향막(53, 57)으로서, 통상은 수직배향막으로서 이용되는 재료의 측쇄밀도를 낮게 한 폴리이미드막을 이용한다. 배향막의 재료액(배향재)을 제 1 기판(51), 제 2 기판(54)의 각각의 일면에 도포하고, 이들을 클린오븐에서 소성한다(예를 들어, 180℃에서 1시간). 배향막의 재료액의 도포방법으로는, 플렉소 인쇄(flexography), 잉크젯 인쇄 혹은 스핀코팅이 이용된다. 여기에서는, 스핀코팅을 이용하였지만, 다른 방식을 이용하여도 결과는 마찬가지이다. 배향막(53, 57)의 막두께는, 예를 들어 500~800Å이 되도록 한다. 다음으로, 각 배향막(53, 57)에 대해서 배향처리로서의 러빙처리를 한다. 러빙시의 제거량은 예를 들어 0.4~0.8mm로 설정한다.Then,
그리고, 제 1 기판(51)과 제 2 기판(54)을 서로 붙인다. 제 1 기판(51) 위에는 미리 스페이서재를 산포하고, 다시 밀봉재를 인쇄한다. 스페이서재로서는, 예를 들어 입자직경이 4㎛인 것을 사용한다. 제 1 기판(51)과 제 2 기판(54)을 접합할 때에는, 각 기판에 대한 러빙처리 방향이 서로 45~110°정도의 범위의 각도로 교차하도록 한다. 또한, 액정재료로서는, 예를 들어 가부시키가이샤 메르크 제품 ZLI-2293을 사용한다. 이러한 액정재료에는 키랄제로서 CB15가 첨가된다. 키랄제의 첨가량은 셀 두께(d)와 키랄 피치(p)의 비(d/p)가 0.1 이상 0.25 미만이 되도록 설정한다.Then, the
그 후, 제 1 편광판(61), 제 2 편광판(62), 1/4 파장판(63), 산란판(64), 반사판(65)을 각각 설치한다. 제 1 편광판(61)과 제 2 편광판(62)은 각각의 투과축을 러빙방향과 평행 혹은 직교하도록 배치하며, 양자가 크로스니콜 배치가 되도록 한다. 이상에 의해, 본 실시형태의 액정소자가 완성된다.Thereafter, the first
다음으로, 상기 액정소자가 가지는 메모리성을 이용한 저소비 전력구동이 가능한 액정표시장치의 구성예에 대해서 설명한다.Next, a configuration example of a liquid crystal display device capable of driving with low power consumption using the memory property of the liquid crystal device will be described.
도 5는 액정표시장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5에 나타내는 액정표시장치는, 복수의 화소부(74)를 매트릭스 형상으로 배열하여 구성되는 단순 매트릭스형 액정표시장치이고, 각 화소부(74)로서 상기 액정소자가 사용되고 있다. 구체적으로는, 액정표시장치는, X방향으로 연장되는 m개의 제어선(B1~Bm)과, 이들 제어선(B1~Bm)에 대해서 제어신호를 부여하는 드라이버(71)와, 각각이 제어선(B1~Bm)과 교차하여 Y방향으로 연장되는 n개의 제어선(A1~An)과, 이들 제어선(A1~An)에 대해서 제어신호를 부여하는 드라이버(72)와, 각각이 제어선(B1~Bm)과 교차하여 Y방향으로 연장되는 n개의 제어선(C1~Cn, D1~Dn)과, 이들 제어선(C1~Cn, D1~Dn)에 대해서 제어신호를 부여하는 드라이버(73)와, 제어선(B1~Bm)과 제어선(A1~An)의 각 교차점에 설치된 화소부(74)를 포함하여 구성되어 있다.5 is a diagram schematically showing a configuration example of a liquid crystal display device. The liquid crystal display device shown in Fig. 5 is a simple matrix type liquid crystal display device in which a plurality of
각 제어선(B1~Bm, A1~An, C1~Cn, D1~Dn)은, 예를 들어, 스트라이프 형상으로 형성된 ITO 등의 투명도전막으로 이루어진다. 제어선(B1~Bm)과 제어선(A1~An)이 교차하는 부분이 상기 제 1 전극(52) 및 제 2 전극(55)으로서 기능한다(도 3을 참조). 또한, 제어선(C1~Cn)에 대해서는, 각 화소부(74)에 상당하는 영역에 설치되어 제 3 전극(58)으로서의 빗살형상의 전극가지(도 5에서는 도시를 생략)와 접속되어 있다. 마찬가지로, 제어선(D1~Dn)에 대해서는, 각 화소부(74)에 상당하는 영역에 설치되어 제 4 전극(59)으로서의 빗살형상의 전극가지(도 5에서는 도시를 생략)와 접속되어 있다.Each of the control lines B1 to Bm, A1 to An, C1 to Cn and D1 to Dn is formed of, for example, a transparent conductive film of ITO or the like formed in a stripe shape. A portion where the control lines B1 to Bm intersect with the control lines A1 to An functions as the
도 5에 나타내는 구성의 액정표시장치의 구동법으로는 다양한 방법을 생각할 수 있다. 예를 들어, 제어선 B1, B2, B3…의 식으로 라인마다 표시를 바꾸는 방법(선순차 구동법)에 대해서 설명한다. 이러한 방법에는, 상대적으로 밝게 표시하고 싶은 화소부(74)에는 세로전계를 인가하고, 상대적으로 어둡게 표시하고 싶은 화소부(74)에는 가로전계를 인가하면 좋다.Various methods are conceivable as the driving method of the liquid crystal display device having the structure shown in Fig. For example, the control lines B1, B2, B3 ... (Line-sequential driving method) in which the display is changed line by line in the following manner. In this method, a vertical electric field may be applied to the
예를 들어, 제어선(B1)에는 배향상태의 천이가 발생하지 않을 정도의 단형파전압(예를 들어, 5V 정도로 150Hz)을 인가하고, 제어선(A1~An, C1~Cn, D1~Dn)에는 그것과 동기하거나, 반주기 지연된 임계값 전압 정도의 단형파전압(예를 들어, 5V 정도로 150Hz)을 인가한다.For example, a short-circuit voltage (for example, about 5 V at 150 Hz) is applied to the control line B1 to such an extent that no transition of the alignment state occurs and the control lines A1 to An, C1 to Cn, D1 to Dn ) Applies a short-wave voltage (for example, about 150 V at about 5 V) in synchronism therewith or about half of a threshold voltage delayed by half a period.
상세하게는, 제어선(A1~An) 중 밝게 표시하고 싶은 화소부(74)에 대응하는 제어선에는, 제어선(B1)에 인가한 단형파전압과 반주기 지연된 단형파전압을 인가한다. 이때, 제어선(C1~Cn, D1~Dn)에는 전압을 인가하지 않는다. 그에 따라, 화소부(74)의 액정소자에는 실효적으로 10V 정도의 전압(세로전계)이 인가되는 상태가 된다. 이러한 전압이 포화전압 이상이면, 액정층(60)에 배향상태의 천이를 발생시켜서, 그 화소부(74)의 광투과율을 변하게 할 수 있다. 한편, 제어선(A1~An) 중 표시를 변화시킬 필요가 없는 화소부(74)에 대응하는 제어선에는, 제어선(B1)에 인가되는 단형파전압과 동기한 단형파전압을 인가한다. 이때에도 제어선(C1~Cn, D1~Dn)에는 전압을 인가하지 않는다. 그에 따라, 그 화소부(74)에서는 실효적으로 전압이 인가되어 있지 않은 상태가 된다. 따라서, 액정층(60)에는 배향상태의 천이가 발생하지 않아, 광투과율이 변하지 않는다.Specifically, a short-wave voltage applied to the control line B1 and a short-wave voltage delayed by half a period are applied to the control line corresponding to the
또한, 제어선(C1~Cn, D1~Dn) 중 밝게 표시하고 싶은 화소부(74)에 대응하는 제어선에는, 제어선(B1)에 인가한 단형파전압과 반주기 지연된 단형파전압을 인가한다. 이때, 제어선(A1~An)에는 전압을 인가하지 않는다. 그에 따라, 화소부(74)의 액정소자에는 실효적으로 10V 정도의 전압(가로전계)이 인가되는 상태가 된다. 이러한 전압이 포화전압 이상이면, 액정층(60)에 배향상태의 천이를 발생시켜서, 그 화소부(74)의 광투과율을 변하게 할 수 있다. 한편, 제어선(C1~Cn, D1~Dn) 중 표시를 변화시킬 필요가 없는 화소부(74)에 대응하는 제어선에는, 제어선(B1)에 인가되는 단형파전압과 동기한 단형파전압을 인가한다. 이때에도 제어선(A1~An)에는 전압을 인가하지 않는다. 그에 따라, 그 화소부(74)에서는 실효적으로 전압이 인가되어 있지 않은 상태가 된다. 따라서, 액정층(60)에는 배향상태의 천이가 발생하지 않아, 광투과율이 변하지 않는다.A short wave voltage applied to the control line B1 and a short wave voltage delayed by half a period are applied to the control line corresponding to the
이상과 같은 구동을 제어선 B2, B3…의 식으로 순차적으로 실행함으로써, 도트 매트릭스 표시를 할 수 있게 된다. 이러한 구동에 의해 바뀐 표시상태는 반영구적으로 유지할 수가 있다. 이러한 표시를 바꾸기 위해서는 다시 제어선(B1)에서부터 상기한 제어를 실행하면 된다. 한편, 여기에서는 이른바 단순 매트릭스형 액정표시장치에 대해 본 발명을 적용한 예를 나타냈지만, 박막 트랜지스터 등을 이용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치에 대해 본 발명을 적용할 수도 있다. 액티브 매트릭스형 액정표시장치의 경우에는 제어선(B1) 등의 라인마다 바꿀 필요가 없어지므로, 변환 시간을 단축할 수 있다. 또한, 임계값에 대해서 2배 이상의 전압을 인가하는 것도 가능해지므로, 더욱 고속으로 바꿀 수 있다. 단, 한쪽 기판에 가로전계용과 세로전계용의 전극이 있으므로, 1화소당 2개의 박막 트랜지스터 등이 필요하게 된다.The driving as described above is performed by the control lines B2, B3 ... , The dot matrix display can be performed. The display state changed by such driving can be maintained semi-permanently. In order to change such a display, the control described above may be executed again from the control line B1. On the other hand, an example in which the present invention is applied to a so-called simple matrix type liquid crystal display device has been described. However, the present invention can also be applied to an active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor or the like. In the case of the active matrix type liquid crystal display device, it is not necessary to change every line of the control line B1 or the like, so that the conversion time can be shortened. In addition, since it is possible to apply a voltage twice or more higher than the threshold value, the voltage can be changed at a higher speed. However, since one substrate has electrodes for a horizontal electric field and a vertical electric field, two thin film transistors or the like are required per pixel.
다음에 몇 가지 실시예를 설명한다.Next, some embodiments will be described.
(실시예 1)(Example 1)
액정소자의 광학특성의 프리틸트각에 대한 의존성을 검증하였다. 도 6에 러빙시의 조건과 프리틸트각의 관계를 나타낸다. 액정소자의 제작방법은 기본적으로 상기한 바와 같고, 배향막 형성시의 소성온도(Annealing temp)와 러빙시의 제거량(Clearance in rubbing treatment)을 가변 파라미터로 하였다. 소성온도는 180℃ 또는 200℃로 하고, 러빙시의 제거량은 0.4㎜ 또는 0.8㎜로 하였다(도면 속에서는 제거량 0.4㎜를 '-0.4'로 표기하고, 제거량 0.8㎜를 '-0.8'로 표기하고 있다). 소성온도를 200℃, 제거량을 0.8㎜로 한 경우에는 10°의 프리틸트각이 얻어졌다. 또한, 소성온도를 180℃, 제거량을 0.8㎜로 한 경우에는 35°의 프리틸트각이 얻어졌고, 소성온도를 180℃, 제거량을 0.4㎜로 한 경우에는 62°의 프리틸트각이 얻어졌다. 제 1 기판(51)과 제 2 기판(54)의 각각에 대한 러빙처리방향이 이루는 각도(트위스트각(Ø))는 70°또는 90°로 설정하였다. 여기에서 말하는 '트위스트각'이란, 스프레이 트위스트 상태의 비틀림각을 말하고, 리버스 트위스트 상태의 실질적인 트위스트각은 '180°-Ø'가 된다(이하의 실시예에서도 마찬가지이다). 키랄제의 첨가량은, d/p=0.182가 되는 양(Ø=90°인 경우), 또는 d/p=0.143이 되는 양(Ø=70°인 경우)으로 하였다. 트위스트각(Ø)이 90°인 경우, 제 1 편광판(61)과 제 2 편광판(62)은, 각각의 투과축이 러빙방향과 대략 평행하게 되도록 배치하며, 양자가 크로스니콜 배치가 되도록 하였다. 트위스트각(Ø)이 70°인 경우, 제 1 편광판(61)과 제 2 편광판(62)은, 각각의 투과축이 러빙방향에서 10°벗어난 위치가 되도록 하며, 양자가 크로스니콜 배치가 되도록 하였다.The dependency of the optical characteristics of the liquid crystal device on the pretilt angle was verified. Fig. 6 shows the relationship between the rubbing condition and the pre-tilt angle. The manufacturing method of the liquid crystal device is basically the same as described above, and the annealing temp at the time of forming the alignment film and the clearance in rubbing treatment at the rubbing are used as the variable parameters. The firing temperature was set at 180 캜 or 200 캜, and the amount of removal at the time of rubbing was set to 0.4 mm or 0.8 mm (in the drawings, the removal amount of 0.4 mm is indicated as "-0.4" and the removal amount of 0.8 mm is indicated as "-0.8" ). When the firing temperature was 200 ° C and the removal amount was 0.8 mm, a pretilt angle of 10 ° was obtained. When the firing temperature was 180 ° C and the removal amount was 0.8 mm, a pretilt angle of 35 ° was obtained. When the firing temperature was 180 ° C and the removal amount was 0.4 mm, a pretilt angle of 62 ° was obtained. The angle formed by the rubbing direction of each of the
도 7은 실시예 1의 액정소자의 관찰상을 나타내는 도면이다. 도 7의 (A)는 도 6의 높은 프리틸트(62°)의 조건으로 제작된 액정소자의 관찰상이다. 이러한 액정소자는, 초기상태(스프레이 트위스트 상태)에서도 보기에 어두운 상태였다. 러빙시의 제거량이 작아, 높은 프리틸트각이 되었기 때문에, 액정층(60)의 배향상태가 수직배향에 가까운 상태가 된 것으로 생각된다. 도 7의 (B)는 도 6에 나타내는 중간 프리틸트(35°) 조건으로 제작된 액정소자의 관찰상이다. 이러한 액정소자는, 리버스 트위스트 상태에서 매우 어두운 검정 표시를 보였다. 도 7의 (C)는 도 6에 나타내는 낮은 프리틸트(10°) 조건으로 제작된 액정소자의 관찰상이다. 스프레이 트위스트 상태와 리버스 트위스트 상태 사이에서 큰 투과율의 차이는 보이지 않았다.7 is a view showing an observation image of the liquid crystal device of Example 1. Fig. FIG. 7A is an observation view of a liquid crystal device manufactured under the condition of high pretilt (62 DEG) in FIG. Such a liquid crystal device was dark in appearance even in the initial state (spray twist state). It is considered that the alignment state of the
도 7의 (B)에 나타낸 중간 프리틸트의 액정소자에 대해서 더욱 검토한 결과, 배향막의 형성조건으로서, 소성조건이 150~180℃이고 제거량이 0.4~0.8㎜인 경우에 이러한 검은 표시를 보이는 것을 알 수 있었다. 이때, 프리틸트각을 측정해보면, 23~35°정도를 나타내는 것을 알 수 있었다. 한편, 비교적 어두운 검은 표시를 나타내지 않고, 엷은 푸른빛을 나타내는 조건(낮은 프리틸트 조건)의 액정소자에 대해서 더욱 검토한 결과, 프리틸트각은 8~15°정도인 것을 알 수 있었다. 따라서, 리버스 트위스트 배향에서의 오프 상태에서 비교적 어두운 검은 표시를 나타내기 위해서는, 프리틸트각을 20°이상으로 하는 것이 바람직하다고 할 수 있다. 한편, 높은 프리틸트의 액정소자에서는 배향결함이 나오기 쉬운 경향이 있다. 이 때문에, 프리틸트각을 너무 높게 하는 것은 바람직하지 않다고 할 수 있다.As a result of further study on the intermediate pre-tilt liquid crystal device shown in Fig. 7 (B), it was found that when the firing conditions were 150 to 180 캜 and the removal amount was 0.4 to 0.8 mm, Could know. At this time, when the pretilt angle was measured, it was found that the pretilt angle was about 23 to 35 degrees. On the other hand, it was found that the pretilt angle was about 8 to 15 degrees as a result of further examination of a liquid crystal device showing a light dark blue display condition (low pretilt condition) without showing a comparatively dark black display. Therefore, in order to display a relatively dark black display in the off state in the reverse twist orientation, it may be said that the pretilt angle is preferably 20 degrees or more. On the other hand, in high-tilt liquid crystal devices, alignment defects tend to occur easily. Therefore, it can be said that it is not preferable to make the pre-tilt angle too high.
상기와 같은 특성을 나타내는 이유에 대해서는 완전히 해명할 수 없지만, 리버스 TN형 액정소자에서는, 하강시(리버스 트위스트 상태)의 임계값이 상승시(스프레이 트위스트 배향)보다 낮아지는 성질을 가지고 있고, 특수한 조건에 의해 임계값이 0V보다 낮아진 데에서 기인하는 것으로 생각된다. 일반적으로, 리버스 트위스트 상태에서는 액정층 내부에 경계면의 프리틸트각의 관계와 키랄제에 의한 비트는 힘에 의해 큰 왜곡이 발생하고 있다고 생각된다. 이러한 왜곡에 의해 전압 오프 상태에서도 액정층의 층 두께방향의 대략 중앙 부근의 액정분자는 기판평면에 대해서 기울어진 상태가 된다. 일반적으로, 리버스 트위스트 상태에서는 경계면의 프리틸트각보다 벌크에서의 경사각 쪽이 높아진다. 이러한 것은 연속쌍이론에 근거한 액정분자배향 시뮬레이션에서도 확인되고 있다. 본 실시예의 액정소자에서는, 프리틸트각을 매우 높게 함으로써, 액정층의 중앙 부근의 액정분자의 기울기각을 비교적 높게 한 것에 의해, 수직배향에 가까운 상태까지 액정분자가 상승하고 있는 것으로 추측된다. 이에 따라, 전압 오프 상태에서도 비교적 어두운 검은 표시를 얻을 수 있다고 생각된다.The reasons for the above characteristics can not be completely clarified. However, in the case of the reverse TN type liquid crystal device, the threshold value at the time of falling (reverse twist state) is lower than that at the time of rising (spray twist orientation) And the threshold value is lower than 0 V by the threshold voltage. Generally, it is considered that, in the reverse twist state, a large distortion occurs due to the relationship between the pre-tilt angle of the interface and the bit force of the chiral agent in the liquid crystal layer. This distortion causes the liquid crystal molecules near the center of the liquid crystal layer in the layer thickness direction to be inclined with respect to the substrate plane even in the voltage off state. Generally, in the reverse twist state, the inclination angle at the bulk becomes higher than the pretilt angle at the interface. This is confirmed in the liquid crystal molecule orientation simulation based on the continuous pair theory. In the liquid crystal device of this embodiment, by making the pretilt angle extremely high, it is presumed that the liquid crystal molecules are elevated to a state close to the vertical alignment by making the inclination angle of the liquid crystal molecules near the center of the liquid crystal layer relatively high. Thus, it is considered that a relatively dark black display can be obtained even in the voltage off state.
도 8은 액정소자의 광학특성(반사특성)의 측정방법을 나타내는 도면이다. 도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, 반사특성의 시각(視角)의존성을 측정할 때에는, 액정소자의 정면(관측하는 쪽)에서 볼 때 12시 방향을 기준(0°)으로 하고, 반시계 방향으로 회전각을 정했다. 또한, 도 8의 (B)에 나타내는 바와 같이, 액정소자의 기판면의 법선방향을 기준(0°)으로 하고, 30°기울어진 방향에서 광원에 의한 광조사를 하여, 법선방향(또는 법선에서 기울어진 방향)으로 반사광을 받았다.8 is a diagram showing a method of measuring the optical characteristics (reflection characteristics) of the liquid crystal element. As shown in Fig. 8A, when measuring the dependence of the reflection characteristic on the viewing angle, it is preferable that the 12 o'clock direction is the reference (0 deg.) When viewed from the front (viewing side) of the liquid crystal element, Direction. 8B, the normal direction of the substrate surface of the liquid crystal element is set as a reference (0 DEG), light irradiation is performed by a light source in a direction tilted by 30 DEG, The direction of tilting).
도 9는 실시예 1의 액정소자의 광학특성(반사특성) 측정시의 편광판 등의 배치상태를 나타내는 도면이다. 광학특성의 측정시에는, 제 1 기판(51), 제 2 기판(54) 및 액정층(60)으로 이루어지는 액정셀(LC Cell)의 앞쪽에 1/4 파장판(λ/4 Plate), 산란판 및 편광판을 배치하고, 액정셀의 뒤쪽에 반사판을 배치하였다. 여기에서의 반사판은 은필름, 산란판은 헤이즈값이 43~45%인 것, 위상차판은 위상차가 약 137㎚인 것을 각각 사용하였다. 광원은 기판면 법선으로부터 30°위치에 배치하고, 수광소자(Photo detector)는 기판면 법선방향으로 배치하였다. 한편, 1/4파장판이나 산란판의 배치는 일례이며, 이것으로 한정되지 않는다.9 is a diagram showing the arrangement state of a polarizing plate and the like in measuring the optical characteristics (reflection characteristics) of the liquid crystal device of Example 1. Fig. A 1/4 wavelength plate (? / 4 plate), a light source (not shown), a liquid crystal layer Plate and a polarizing plate were disposed, and a reflection plate was disposed on the rear side of the liquid crystal cell. The reflection plate used here was a silver film, the scattering plate had a haze value of 43 to 45%, and the retardation plate had a retardation of about 137 nm. The light source was arranged at a
도 10은 실시예 1의 액정소자의 반사특성의 측정결과를 나타내는 도면이다. 도시한 바와 같이, 프리틸트각이 올라감에 따라서 콘트라스트비도 향상되는 경향이 보였다. 한편, 반사율 그 자체(절대값)의 비교에서는 중간 프리틸트 조건의 액정소자가 좋은 값을 나타낸다. 높은 프리틸트 조건의 액정소자는 상기와 같이 배향 결함(러빙라인)이 관찰되므로, 바람직하지 않다고 판단하였다.10 is a diagram showing the measurement results of the reflection characteristics of the liquid crystal device of Example 1. Fig. As shown in the figure, the contrast ratio tends to increase as the pretilt angle increases. On the other hand, in the comparison of the reflectance itself (absolute value), the liquid crystal device of the intermediate pre-tilt condition shows a good value. The liquid crystal device under the high pre-tilt condition is not preferable because the alignment defect (rubbing line) is observed as described above.
(실시예 2)(Example 2)
다음으로, 액정소자의 광학특성과 산란판 위치의 관계를 검증하였다. 액정소자의 제작방법은 기본적으로 상기한 바와 같고, 배향막 형성시의 소성온도와 러빙시의 제거량에 대해서는 상기한 실시예 1에서의 중간 프리틸트각의 조건으로 하였다. 트위스트각(Ø)은 90°와 70°의 2종류로 설정하였다. 키랄제의 첨가량은 트위스트각에 따라서 변했다. 구체적으로는, 트위스트각을 Ø=90°로 하는 경우에는 d/p가 0.15가 되도록 하고, 트위스트각을 Ø=70°로 하는 경우에는 d/p가 0.125가 되도록 하였다.Next, the relationship between the optical characteristics of the liquid crystal device and the scattering plate position was verified. The manufacturing method of the liquid crystal device was basically the same as described above, and the firing temperature at the time of forming the alignment film and the removal amount at the time of rubbing were set to the conditions of the intermediate pretilt angle in Example 1 described above. The twist angle (Ø) was set to 90 ° and 70 °. The amount of chiral agent added was changed according to the twist angle. More specifically, when the twist angle is Ø = 90 °, d / p is 0.15, and when the twist angle is Ø = 70 °, d / p is 0.125.
도 11은 실시예 2의 액정소자의 반사특성을 측정한 결과를 정리한 도면이다. 도 11의 (A)는 산란판의 장수(2~4장)와 반사율 및 콘트라스트비의 관계를 나타낸다. 도시한 바와 같이 산란판의 장수에 의해 반사율 및 콘트라스트비에 차이가 발생한다. 반사율의 관점에서는 산란판의 장수가 많을수록 반사율이 상승하는 경향이 보였다. 또한, 도시한 바와 같이 콘트라스트비에 대해서는, 이번 조건에서는 산란판을 3장으로 했을 때가 가장 좋은 값을 나타냈다. 도 11의 (B)는 산란판의 위치와 반사특성의 관계를 나타낸다. 이번 조건에서는, 산란판을 위(제 1 기판측에 배치: 도 2의 (A)를 참조)에 배치한 경우에는 시각의존성이 작지만 콘트라스트가 낮아졌고, 반대로 산란판을 아래(제 2 기판측에 배치: 도 2의 (B)를 참조)에 배치한 경우에는 시각의존성이 크지만 콘트라스트비가 높아지는 경향을 보였다. 따라서, 액정소자에 요구되는 제품특성 등을 고려해서 적절히 산란판의 장수나 위치를 정하면 좋다.11 is a diagram summarizing the measurement results of the reflection characteristics of the liquid crystal device of Example 2. Fig. 11 (A) shows the relationship between the number of sheets (2 to 4 sheets) of the scattering plate and the reflectance and the contrast ratio. As shown in the figure, the reflectance and the contrast ratio differ due to the number of scattered plates. From the viewpoint of the reflectance, the reflectance tends to increase as the number of scattering plates increases. As shown in the figure, the contrast ratio was the best when the scattering plates were three in this condition. 11 (B) shows the relationship between the position of the scattering plate and the reflection characteristic. In this condition, when the scattering plate is disposed on the upper side (disposed on the side of the first substrate: see FIG. 2A), the visual dependency is small but the contrast is lowered. Conversely, Arrangement: see Fig. 2 (B)), the viewing angle dependency is large, but the contrast ratio tends to be high. Therefore, the number and position of the scattering plate may be appropriately determined in consideration of the product characteristics and the like required for the liquid crystal device.
(실시예 3)(Example 3)
상기 실시예 1, 2에 근거해서, 이번에 검증한 조건 중에서 양호한 광학특성이 얻어지는 조건으로 액정소자를 제작하였다. 구체적으로는, 프리틸트각에 대해서는 중간 프리틸트 조건을 채용하고(실시예 1을 참조), 산란판에 대해서는 3장을 사용해서 위쪽에 배치하였다(실시예 2를 참조). 한편, 트위스트각(Ø)은 45~110°로 하였다.On the basis of Examples 1 and 2, a liquid crystal device was produced under the condition that satisfactory optical characteristics were obtained in the conditions thus verified. Specifically, an intermediate pre-tilt condition was adopted for the pre-tilt angle (refer to Example 1), and three sheets for the scattering plate were used to arrange the upper portion (see Example 2). On the other hand, the twist angle? Is set to 45 to 110 °.
도 12는 반사율 및 콘트라스트비의 트위스트각 의존성을 나타내는 도면이다. 한편, 여기에서의 액정소자는, Δn=0.13의 액정재료를 사용했고, 산란판을 위쪽에 3장 배치했으며, 1/4 파장판을 이용하지 않고, 편광판은 상하에 각각 배치했다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 리버스 트위스트 상태에서의 반사율(도면 속에서 'R-t'라고 표기)은 트위스트각에 의한 의존성이 강하고, 도 12에서의 트위스트각이 70°를 초과한 부근부터(실질적인 리버스 트위스트 상태의 트위스트각으로 말하면 110°를 밑도는 부근부터) 반사율이 높아지는 경향이 보였다. 이에 대해서, 스프레이 트위스트 상태의 반사율(도면 속에서 'S-t'로 표기)은 트위스트각에 대한 의존성이 약하다. 이 때문에, 콘트라스트비도 트위스트각에 대한 의존성을 보이며, 트위스트각이 70°±5°부근에서 콘트라스트비가 가장 좋은 값을 나타내고 있다. 12 is a diagram showing the twist angle dependency of reflectance and contrast ratio. On the other hand, the liquid crystal element here used? N = 0.13 liquid crystal material, and three scattering plates were arranged on the upper side, and the polarizing plates were arranged on the upper and lower sides, respectively, without using the quarter wave plate. As shown in FIG. 12, the reflectance (denoted by "R-t" in the drawing) in the reverse twisted state is highly dependent on the twist angle, and the twist angle in FIG. The reflectance tends to increase from the vicinity of 110 DEG in terms of the twist angle in the reverse twist state). On the other hand, the reflectance in the spray twist state (denoted by 'S-t' in the drawing) has a weak dependence on the twist angle. Therefore, the contrast ratio shows dependence on the twist angle, and the contrast ratio shows the best value when the twist angle is in the vicinity of 70 ° ± 5 °.
도 13은 반사율 및 콘트라스트비의 트위스트각 의존성을 나타내는 도면이다. 한편, 여기에서의 액정소자는, Δn=0.066의 액정재료를 사용했고, 산란판 3장을 위쪽에 배치했으며, 편광판은 위에만 배치했고, 그 편광판에 인접하여서 1/4 파장판을 배치했다(즉, 원편광판으로서 기능하도록 했다). 도 13에 나타내는 바와 같이, 리버스 트위스트 상태의 반사율(도면 속에서 'R-t'라고 표기)과 스프레이 트위스트 상태의 반사율(도면 속에서 'S-t'라고 표기) 사이에는 반사율 값에 충분한 차이가 있다. 트위스트각 의존성 결과로부터, 도 13의 트위스트각이 70°일 때에 콘트라스트비가 가장 높고, 스프레이 트위스트 상태(흰색 표시)의 반사율도 높아서, 밝고 선명한 반사표시를 실현할 수 있다는 것을 알 수 있다. Δn이 0.066일 때에도 구성의 최적화(산란판, 편광판 조건)에 의해 뛰어난 반사표시가 가능해진다.13 is a diagram showing the twist angle dependency of reflectance and contrast ratio. On the other hand, the liquid crystal device used here was made of a liquid crystal material of? N = 0.066, and three scattering plates were arranged on the upper side, and the polarizing plate was disposed only on the upper side and the 1/4 wave plate was disposed adjacent to the polarizing plate That is, it functions as a circularly polarizing plate). 13, there is a sufficient difference in reflectance value between the reflectance in the reverse twist state (denoted by 'R-t' in the drawing) and the reflectance in the spray twist state (denoted by 'S-t' have. From the results of the twist angle dependency, it can be seen that when the twist angle of Fig. 13 is 70 °, the contrast ratio is the highest and the reflectance of the spray twist state (white display) is also high, so that bright and clear reflection display can be realized. Even when Δn is 0.066, excellent reflection display can be achieved by optimizing the configuration (scattering plate, polarizing plate condition).
도 14는 반사율 및 콘트라스트비의 트위스트각 의존성을 나타내는 도면이다. 한편, 여기에서의 액정소자는, Δn=0.080의 액정재료를 사용했고, 산란판 3장을 위쪽에 배치했으며, 편광판은 위에만 배치했고, 그 편광판에 인접하여 1/4 파장판을 배치했다(즉, 원편광판으로서 기능하도록 했다). 도 14에 나타내는 바와 같이, 리버스 트위스트 상태의 반사율(도면 속에서 'R-t'라고 표기)은 트위스트각에 대한 의존성이 강하고, 도 14의 트위스트각의 상승(실질적인 리버스 트위스트 상태의 트위스트각은 작아진다)과 함께 반사율이 높아지는 경향을 보였다. 이에 대해서, 스프레이 트위스트 상태의 반사율(도면 속에서 'S-t'라고 표기)은 트위스트각에 대한 의존성이 약하다. 이 때문에, 콘트라스트비는 트위스트각에 대한 의존성을 보였고, 트위스트각이 60~65°부근에서 콘트라스트비가 가장 좋은 값을 나타내고 있다.14 is a diagram showing the twist angle dependency of reflectance and contrast ratio. On the other hand, the liquid crystal device here used? N = 0.080 liquid crystal material, and three scattering plates were arranged on the upper side, and the polarizing plate was disposed only on the upper side and the 1/4 wave plate was disposed adjacent to the polarizing plate That is, it functions as a circularly polarizing plate). As shown in Fig. 14, the reflectance (denoted by "R-t" in the drawing) in the reverse twisted state has a strong dependency on the twist angle, and the rise of the twist angle (the twist angle in the substantial reverse twist state is small And reflectance increased with the increase of reflectivity. On the other hand, the reflectance in the spray twist state (denoted by "S-t" in the drawings) is weak in dependence on the twist angle. Therefore, the contrast ratio showed a dependence on the twist angle, and the contrast ratio showed the best value when the twist angle was in the vicinity of 60 to 65 degrees.
이상과 같이, 본 실시형태 및 각 실시예에 따르면, 밝은 표시의 반사율이 높고 콘트라스트도 높은 반사형의 쌍안정성 리버스 TN형 액정소자를 실현할 수 있다. 특히, 어두운 표시가 어둡고 선명하게 표시하기 쉽다는 이점이 있다. 또한, 밝은 표시와 어두운 표시를 전환할 때 이외에는 전력을 필요로 하지 않으므로, 매우 낮은 소비전력으로 구동할 수 있다. As described above, according to the present embodiment and the embodiments, it is possible to realize a reflective type bistable reverse TN type liquid crystal device having a high reflectance of bright display and a high contrast. In particular, there is an advantage that a dark display is dark and easy to display clearly. In addition, since power is not required except for switching between bright display and dark display, it is possible to drive with very low power consumption.
또한, 메모리성을 이용한 구동방법(선순차 전환법 등)을 적용할 수 있게 되므로, TFT 등의 스위칭 소자를 이용하지 않고 단순 매트릭스 표시에 의해 대용량의 도트 매트릭스 표시를 할 수 있다. 따라서, 낮은 비용으로 대용량의 표시가 가능해진다.In addition, since the driving method using the memory property (line sequential switching method or the like) can be applied, a large-capacity dot matrix display can be performed by a simple matrix display without using a switching element such as a TFT. Therefore, it is possible to display a large capacity at low cost.
그리고, 이러한 쌍안정성 리버스 TN형 액정소자의 제조공정은, 기본적으로는 일반적인 TN형 액정소자의 제조공정과 공통되므로, 제조비 상승의 요인이 적어, 일반적인 TN형 액정소자와 마찬가지로 저렴하게 제조할 수 있다.Since the manufacturing process of such a bistable reverse-TN liquid crystal device is basically the same as the manufacturing process of a general TN liquid crystal device, the manufacturing cost of the bistable reverse-TN liquid crystal device is low, .
한편, 본 발명은 상술한 내용으로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지의 범위 안에서 다양하게 변형해서 실시할 수 있다. 예를 들어, 반사판은 제 2 전극과 겸용하여도 좋다. 이러한 경우에는, 알루미늄막 등의 금속막에 의해 제 2 전극을 구성하면 좋다. 이러한 경우, 편광판은 제 1 기판측의 제 1 편광판만으로 하고 제 2 편광판을 생략하며, 산란판도 제 1 기판측에 배치하면 좋다. 이러한 구성이라면, 반사표시의 시차가 적어지는 이점도 있다. 또한, 상기 실시형태 등에서는 특별히 언급하지 않았지만, 야간 표시용에는 프론트 라이트를 조합하여도 좋다. 혹은, 반사판을 반투과형 반사판으로 해서 백라이트를 배치하여도 좋다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made within the scope of the present invention. For example, the reflection plate may be used also as the second electrode. In such a case, the second electrode may be constituted by a metal film such as an aluminum film. In this case, the polarizing plate may be formed by only the first polarizing plate on the first substrate side, and the second polarizing plate may be omitted, and the scattering plate may be disposed on the first substrate side. With such a configuration, there is an advantage that the parallax of the reflective display is reduced. Further, although not particularly mentioned in the above-described embodiment, a front light may be combined for night display. Alternatively, the backlight may be disposed by using the reflector as a transflective reflector.
1: 상측기판 2: 하측기판
3: 액정층 51: 제 1 기판
52: 제 1 전극 53, 57: 배향막
54: 제 2 기판 55: 제 2 전극
56: 절연막 60: 액정층
61: 제 1 편광판 62: 제 2 편광판
63: 1/4 파장판 64: 산란판
65: 반사판 71, 72, 73: 드라이버
74: 화소부 A1~An, B1~Bm, C1~Cn, D1~Dn: 제어선1: upper substrate 2: lower substrate
3: liquid crystal layer 51: first substrate
52: first electrode 53, 57: alignment film
54: second substrate 55: second electrode
56: insulating film 60: liquid crystal layer
61: first polarizing plate 62: second polarizing plate
63: quarter wave plate 64: scatter plate
65:
74: pixel portions A1 to An, B1 to Bm, C1 to Cn, D1 to Dn:
Claims (9)
상기 제 1 기판의 일면과 상기 제 2 기판의 일면 사이에 설치된 액정층과,
적어도 상기 제 1 기판의 바깥쪽에 배치된 편광수단과,
상기 제 2 기판의 일면측 또는 상기 제 2 기판의 바깥쪽 중 어느 한 곳에 배치된 반사판과,
상기 편광수단과 상기 제 1 기판 사이 또는 상기 제 2 기판과 상기 반사판 사이 중 어느 한 곳에 배치된 광확산수단과,
상기 액정층에 전압을 인가하기 위한 전압인가수단을 포함하고,
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은, 상기 액정층의 액정분자를 제 1 방향으로 비틀도록 상기 배향처리방향을 배치하고 있고, 상기 배향처리에 의해 결정되는 상기 액정층에서의 액정분자의 상기 제 1 방향으로의 트위스트각 Ø이 45°이상 110°이하이고,
상기 액정층은, 상기 액정분자를 상기 제 1 방향과 반대되는 제 2 방향으로 비트는 성질의 키랄제를 함유하고 있으며, 상기 제 2 방향으로의 트위스트각이 (180°-Ø)이고,
상기 전압인가수단은, 상기 제 1 기판에 설치된 제 1 전극, 상기 제 2 기판에 설치되고 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극, 및 상기 제 2 기판의 상기 제 2 전극 위쪽에 절연층을 통해서 설치된 빗살형상의 제 3 전극을 가지는 액정소자.A first substrate and a second substrate on which respective orientations are formed,
A liquid crystal layer provided between one surface of the first substrate and one surface of the second substrate;
A polarizing means disposed at least outside the first substrate,
A reflection plate disposed on one side of the second substrate or on the outside of the second substrate,
Light diffusing means disposed between the polarizing means and the first substrate or between the second substrate and the reflector,
And voltage applying means for applying a voltage to the liquid crystal layer,
Wherein the first substrate and the second substrate are arranged such that the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are twisted in a first direction, and the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer, which is determined by the alignment treatment, The twist angle ϕ in one direction is not less than 45 DEG and not more than 110 DEG,
Wherein the liquid crystal layer contains a chiral agent which has a property of biting the liquid crystal molecules in a second direction opposite to the first direction and has a twist angle in the second direction of 180 DEG-
The voltage applying means may include a first electrode provided on the first substrate, a second electrode provided on the second substrate and facing the first electrode, and a second electrode on the second substrate through an insulating layer And a third electrode having a comb-like shape.
상기 배향처리에 의해 발생되는 프리틸트각이 20°이상인 액정소자.The method according to claim 1,
Wherein the pretilt angle generated by the alignment treatment is 20 DEG or more.
상기 키랄제는 상기 액정층의 층두께와 키랄 피치의 비가 0.1 이상 0.25 미만이 되는 양이 첨가된 액정소자.The method according to claim 1,
Wherein the chiral agent is added in such an amount that the ratio of the thickness of the liquid crystal layer to the chiral pitch is 0.1 or more and less than 0.25.
상기 광확산수단이 겹쳐서 배치된 복수의 확산판을 가지는 액정소자.The method according to claim 1,
And a plurality of diffusion plates in which the light diffusion means are stacked.
상기 광확산수단이 상기 편광수단과 상기 제 1 기판 사이에 배치된 액정소자.The method according to claim 1,
And the light diffusion means is disposed between the polarizing means and the first substrate.
상기 편광수단이 편광판 또는 원편광판인 액정소자.The method according to claim 1,
Wherein the polarizing means is a polarizing plate or a circular polarizing plate.
상기 반사판이 상기 제 2 기판의 일면측에 배치되며, 상기 제 2 전극을 겸하는 액정소자.The method according to claim 1,
Wherein the reflection plate is disposed on one side of the second substrate and also serves as the second electrode.
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| US20160225347A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Innolux Corporation | Liquid crystal display panel |
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| EP4176308A1 (en) * | 2020-07-01 | 2023-05-10 | Corning Incorporated | Liquid crystal devices comprising interdigitated electrodes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070729A (en) | 2003-08-23 | 2005-03-17 | Changu Kim Jae | Bistable chiral-splay nematic liquid crystal display |
| JP2007293278A (en) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Tokyo Univ Of Science | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and method of using liquid crystal device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194231A (en) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal driving device |
| JPH0792504A (en) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | Liquid crystal display |
| JP3641907B2 (en) * | 1997-07-08 | 2005-04-27 | カシオ計算機株式会社 | Liquid crystal display |
| JP3339334B2 (en) * | 1996-12-05 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | Reflective liquid crystal display |
| JP3209718B2 (en) * | 1998-05-18 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | Reflective liquid crystal display |
| CN1181359C (en) * | 1999-03-31 | 2004-12-22 | 大赛璐化学工业株式会社 | Light scattering sheet, light scattering composite sheet, and liquid crystal display element |
| JP3493321B2 (en) * | 1999-07-21 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display |
| JP3900859B2 (en) * | 2001-06-07 | 2007-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device, projection display device, and electronic device |
| JP3915490B2 (en) * | 2001-11-29 | 2007-05-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Liquid crystal display |
| JP2003270621A (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Kyocera Corp | Liquid crystal display |
| CN101441365B (en) * | 2005-04-18 | 2010-11-03 | 胜华科技股份有限公司 | Bistable liquid crystal display device |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070729A (en) | 2003-08-23 | 2005-03-17 | Changu Kim Jae | Bistable chiral-splay nematic liquid crystal display |
| JP2007293278A (en) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Tokyo Univ Of Science | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and method of using liquid crystal device |
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