KR101819278B1 - 증류 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 비교예 1 및 3에서 사용한 증류 장치를 모식적으로 나타낸 도면이다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| 생성물 흐름 내의 물의 함량(ppm) | 1 ppm | 1 ppm | 1 ppm | 1 ppm |
| 에너지 절감율(%) | 16 | 20 | - | 1 |
| 제품(스트리퍼)의 회수율(%) | 96.5 | 96.5 | 96.5 | 96.5 |
| 실시예 3 | 실시예 4 | 비교예 3 | 비교예 4 | |
| 생성물 흐름 내의 저비점 불순물의 함량(ppm) | 5 ppm | 5 ppm | 5 ppm | 5 ppm |
| 에너지 절감율(%) | 30 | 34 | - | 11 |
| 제품(스트리퍼)의 회수율(%) | 96.5 | 96.5 | 92.4 | 96.5 |
F1-2: 탑정 흐름
F1-3: 탑저 흐름
F1-4: 생성물 흐름
100: 분리벽형 증류탑
101: 분리벽
102: 응축기
103: 재비기
110: 탑정 영역
120: 분리벽 영역
121: 원료 공급 영역
122: 생성물 유출 영역
130: 탑저 영역
Claims (21)
- 응축기, 재비기 및 내부에 분리벽이 구비된 증류탑을 포함하고,
상기 증류탑의 상기 내부가, 탑정 영역; 탑저 영역; 및 상기 탑정 영역과 탑저 영역 사이에서 상기 탑정 영역 및 탑저 영역과 접해있는 분리벽 영역으로 구분되고, 상기 분리벽은 상기 분리벽 영역에 위치하며, 상기 분리벽 영역은 상기 분리벽에 의하여 나뉘어지는 원료 공급 영역 및 생성물 유출 영역으로 구분되고,
스트리퍼 및 박리된 포토레지스트 수지를 포함하는 폐스트리퍼 용액의 원료가 상기 원료 공급 영역으로 유입되며, 유입된 상기 원료는 생성물 흐름, 탑저 흐름 및 탑정 흐름으로 각각 분리되어 유출되고,
상기 탑저 흐름은 상기 탑저 영역에서 유출되며, 상기 탑저 흐름 중 일부는 상기 재비기를 통과하여 상기 탑저 영역으로 환류되고,
상기 탑정 흐름은 상기 탑정 영역에서 유출되며, 탑정 흐름 중 일부는 상기 응축기를 통과하여 상기 탑정 영역으로 환류되고,
상기 생성물 흐름은 상기 생성물 유출 영역에서 유출되며,
상기 스트리퍼는 비수계 스트리퍼이고, 탑정 영역의 온도가 하기 일반식 1 및 일반식 2에 의하여 계산되는 하한온도 및 상한온도 범위 이내인 증류 장치:
[일반식 1]
P = 0.00126 × Ttop.lower 3 - 0.07051 × Ttop.lower 2 + 3.17767 × Ttop.lower - 15.01040
[일반식 2]
P = 0.00150 × Ttop.upper 3 - 0.18493 × Ttop.upper 2 + 9.56742 × Ttop.upper - 176.07273
상기 일반식 1 및 일반식 2에서,
Ttop.lower는 상기 탑정 영역의 하한온도를 나타내고,
Ttop.upper는 상기 탑정 영역의 상한온도를 나타내며,
P는 상기 탑정 영역의 압력을 나타낸다. - 제 1 항에 있어서, 탑저 흐름은 박리된 포토레지스트 수지를 포함하는 증류 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 탑정 흐름은 물 및 대기압에서의 비점이 100℃ 미만인 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 증류 장치.
- 제 1 항에 있어서, 생성물 흐름은 양자성 유기용매, 비양자성 극성 용매 및 유기 아민 화합물을 포함하는 증류 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 탑저 영역의 온도는 100℃ 내지 250℃인 증류 장치.
- 제 1 항에 있어서, 탑정 영역의 온도는 14℃ 내지 92℃인 증류 장치.
- 제 1 항에 있어서, 탑저 영역의 압력은 50 내지 400 mmHg인 증류 장치.
- 제 1 항에 있어서, 탑정 영역의 압력은 20 내지 300 mmHg인 증류 장치.
- 응축기, 재비기 및 내부에 분리벽이 구비된 증류탑을 포함하고,
상기 증류탑의 상기 내부가, 탑정 영역; 탑저 영역; 및 상기 탑정 영역과 탑저 영역 사이에서 상기 탑정 영역 및 탑저 영역과 접해있는 분리벽 영역으로 구분되고, 상기 분리벽은 상기 분리벽 영역에 위치하며, 상기 분리벽 영역은 상기 분리벽에 의하여 나뉘어지는 원료 공급 영역 및 생성물 유출 영역으로 구분되고,
스트리퍼 및 박리된 포토레지스트 수지를 포함하는 폐스트리퍼 용액의 원료가 상기 원료 공급 영역으로 유입되며, 유입된 상기 원료는 생성물 흐름, 탑저 흐름 및 탑정 흐름으로 각각 분리되어 유출되고,
상기 탑저 흐름은 상기 탑저 영역에서 유출되며, 상기 탑저 흐름 중 일부는 상기 재비기를 통과하여 상기 탑저 영역으로 환류되고,
상기 탑정 흐름은 상기 탑정 영역에서 유출되며, 탑정 흐름 중 일부는 상기 응축기를 통과하여 상기 탑정 영역으로 환류되고,
상기 생성물 흐름은 상기 생성물 유출 영역에서 유출되며,
상기 스트리퍼는 수계 스트리퍼이고, 탑정 영역의 온도가 하기 일반식 3 및 일반식 4에 의하여 계산되는 하한온도 및 상한온도 범위 이내인 증류 장치:
[일반식 3]
P = 0.00177 × Ttop.lower 3 - 0.01645 × Ttop.lower 2 + 2.13532 × Ttop.lower + 12.36272
[일반식 4]
P = 0.00144 × Ttop.upper 3 - 0.10028 × Ttop.upper 2 + 4.27752 × Ttop.upper - 44.49051
상기 일반식 3 및 일반식 4에서,
Ttop.lower는 상기 탑정 영역의 하한온도를 나타내고,
Ttop.upper는 상기 탑정 영역의 상한온도를 나타내며,
P는 상기 탑정 영역의 압력을 나타낸다. - 제 11 항에 있어서, 생성물 흐름은, 물, 양자성 유기용매, 비양자성 극성 용매 및 유기 아민 화합물을 포함하는 증류 장치.
- 제 11 항에 있어서, 탑정 흐름은 대기압에서의 비점이 100℃ 미만인 물질을 포함하는 증류 장치.
- 제 11 항에 있어서, 탑저 영역의 온도는 150℃ 내지 300℃인 증류 장치.
- 제 11 항에 있어서, 탑정 영역의 온도는 4℃ 내지 74℃인 증류 장치.
- 제 11 항에 있어서, 탑저 영역의 압력은 50 내지 400 mmHg인 증류 장치.
- 제 11 항에 있어서, 탑정 영역의 압력은 20 내지 300 mmHg인 증류 장치.
- 내부에 분리벽이 구비되며, 상기 내부가 탑정 영역; 및 탑저 영역; 및 상기 탑정 영역과 탑저 영역 사이에서 상기 탑정 영역 및 탑저 영역과 접해있는 분리벽 영역으로 구분되고, 상기 분리벽은 상기 분리벽 영역에 위치하며, 상기 분리벽 영역은 상기 분리벽에 의해 나뉘어지는 원료 공급 영역 및 생성물 유출 영역으로 구분되는 분리벽형 증류탑의 상기 원료 공급 영역으로 스트리퍼 및 박리된 포토레지스트 수지를 포함하는 폐스트리퍼 용액의 원료를 유입하여 분리하는 것을 포함하고,
상기 스트리퍼가 비수계 스트리퍼이고, 탑정 영역의 온도를 하기 일반식 1 및 일반식 2에 의하여 계산되는 하한온도 및 상한온도 범위 이내로 조절하는 것을 포함하는 증류 방법:
[일반식 1]
P = 0.00126 × Ttop.lower 3 - 0.07051 × Ttop.lower 2 + 3.17767 × Ttop.lower - 15.01040
[일반식 2]
P = 0.00150 × Ttop.upper 3 - 0.18493 × Ttop.upper 2 + 9.56742 × Ttop.upper - 176.07273
상기 일반식 1 및 일반식 2에서,
Ttop.lower는 상기 탑정 영역의 하한온도를 나타내고,
Ttop.upper는 상기 탑정 영역의 상한온도를 나타내며,
P는 상기 탑정 영역의 압력을 나타내고, 20 mmHg 내지 300 mmHg이다. - 삭제
- 삭제
- 내부에 분리벽이 구비되며, 상기 내부가 탑정 영역; 및 탑저 영역; 및 상기 탑정 영역과 탑저 영역 사이에서 상기 탑정 영역 및 탑저 영역과 접해있는 분리벽 영역으로 구분되고, 상기 분리벽은 상기 분리벽 영역에 위치하며, 상기 분리벽 영역은 상기 분리벽에 의해 나뉘어지는 원료 공급 영역 및 생성물 유출 영역으로 구분되는 분리벽형 증류탑의 상기 원료 공급 영역으로 스트리퍼 및 박리된 포토레지스트 수지를 포함하는 폐스트리퍼 용액의 원료를 유입하여 분리하는 것을 포함하고,
상기 스트리퍼가 수계 스트리퍼이고, 탑정 영역의 온도를 하기 일반식 3 및 일반식 4에 의하여 계산되는 하한온도 및 상한온도 범위 이내로 조절하는 것을 포함하는 증류 방법:
[일반식 3]
P = 0.00177 × Ttop.lower 3 - 0.01645 × Ttop.lower 2 + 2.13532 × Ttop.lower + 12.36272
[일반식 4]
P = 0.00144 × Ttop.upper 3 - 0.10028 × Ttop.upper 2 + 4.27752 × Ttop.upper - 44.49051
상기 일반식 3 및 일반식 4에서,
Ttop.lower는 상기 탑정 영역의 하한온도를 나타내고,
Ttop.upper는 상기 탑정 영역의 상한온도를 나타내며,
P는 상기 탑정 영역의 압력을 나타내고, 20 mmHg 내지 300 mmHg이다.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150047681A KR101819278B1 (ko) | 2015-04-03 | 2015-04-03 | 증류 장치 |
| JP2017550808A JP6450470B2 (ja) | 2015-04-03 | 2016-04-01 | 蒸留装置 |
| PCT/KR2016/003387 WO2016159707A1 (ko) | 2015-04-03 | 2016-04-01 | 증류 장치 |
| CN201680020924.5A CN107438470A (zh) | 2015-04-03 | 2016-04-01 | 蒸馏装置 |
| US15/563,772 US10556191B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-04-01 | Distillation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150047681A KR101819278B1 (ko) | 2015-04-03 | 2015-04-03 | 증류 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160118856A KR20160118856A (ko) | 2016-10-12 |
| KR101819278B1 true KR101819278B1 (ko) | 2018-01-17 |
Family
ID=57006242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150047681A Active KR101819278B1 (ko) | 2015-04-03 | 2015-04-03 | 증류 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10556191B2 (ko) |
| JP (1) | JP6450470B2 (ko) |
| KR (1) | KR101819278B1 (ko) |
| CN (1) | CN107438470A (ko) |
| WO (1) | WO2016159707A1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102294876B1 (ko) | 2018-09-28 | 2021-08-27 | 주식회사 엘지화학 | 아미드계 화합물의 회수 방법 및 장치 |
| CN113614646A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
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- 2015-04-03 KR KR1020150047681A patent/KR101819278B1/ko active Active
-
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- 2016-04-01 CN CN201680020924.5A patent/CN107438470A/zh active Pending
- 2016-04-01 WO PCT/KR2016/003387 patent/WO2016159707A1/ko not_active Ceased
- 2016-04-01 US US15/563,772 patent/US10556191B2/en active Active
- 2016-04-01 JP JP2017550808A patent/JP6450470B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101330653B1 (ko) * | 2013-02-25 | 2013-11-19 | 주식회사 코렉스 | 포토레지스트 고비점 박리 폐액 재생 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10556191B2 (en) | 2020-02-11 |
| WO2016159707A1 (ko) | 2016-10-06 |
| JP2018512735A (ja) | 2018-05-17 |
| KR20160118856A (ko) | 2016-10-12 |
| CN107438470A (zh) | 2017-12-05 |
| US20180178141A1 (en) | 2018-06-28 |
| JP6450470B2 (ja) | 2019-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) Year of fee payment: 9 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |