KR101818918B1 - 레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조된 기판구조체 - Google Patents
레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조된 기판구조체 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법의 기판을 준비하는 단계의 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법에 있어서, 기판가접체의 종단면을 나타낸 단면예시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법의 기판을 조사 위치로 이송 하는 단계의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법에 있어서, 기판을 조사 위치로 이송하는 상태를 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법의 기판에 반도체 패키지를 고정시키는 단계의 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법에 있어서, 기판에 반도체 패키지를 고정시키는 상태를 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법의 광섬유를 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법의 제1 원기둥렌즈 및 제2 원기둥렌즈를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 리플로우 방법에 따른 제조 방법으로 제조된 기판구조체를 나타낸 종단면도이다.
212: 안착홈 213: 메탈층
214: 반도체 패키지 220: 이송부
221: 이송체 222: 이송모듈
223: 진공모듈 224: 히터모듈
225: 냉각모듈 230: 가압밀착부
231: 가압로드 232: 가압제어모듈
240: 광학부 241: 볼록렌즈
242: 원주렌즈 243: 제1 원기둥렌즈
244: 제2 원기둥렌즈 245: 포커싱렌즈
246: 승강모듈 250: 광섬유
251: 코어 252: 클래딩
260: 온도측정부 300: 기판구조체
310: 기판 311: 안착홈
312: 메탈층 320: 반도체 패키지
Claims (13)
- a) 다수의 솔더볼이 안착된 기판을 준비하는 단계;
b) 상기 솔더볼의 상부에 반도체 패키지를 안착시키는 단계;
c) 상기 기판을 조사 위치로 이송하는 단계; 및
d) 상기 조사 위치에 위치한 상기 솔더볼에 레이저빔을 면 조사하여 상기 기판에 상기 반도체 패키지를 고정시키는 단계를 포함하며,
상기 d) 단계에서, 상기 레이저빔의 에너지를 균질화하고, 균질화된 레이저빔의 조사영역을 상기 반도체 패키지의 형상에 대응되도록 조절하여, 상기 솔더볼에 면 조사하며,
상기 c) 단계는,
c1) 상기 기판을 이송체에 안착시키는 단계; 및
c2) 각각의 기판이 기설정된 시간 동안 상기 조사 위치에 머무르도록 상기 이송체를 이동 또는 정지시키는 단계를 포함하고,
상기 c1) 단계에서, 가압 밀착부를 이용하여 상기 기판의 하면이 상기 이송체에 밀착되도록 상기 기판의 상면에 상기 솔더볼이 위치하지 않는 부분에 압력을 가하며,
상기 가압 밀착부는,
상기 기판의 상면에 압력을 가하는 하나 이상의 가압로드; 및
상기 가압로드의 위치를 제어하는 가압제어모듈을 포함하고,
상기 가압제어모듈은 상기 가압로드가 상기 기판의 상면에 상기 솔더볼이 위치하지 않는 부분에 압력을 가하도록 제어하는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계는,
a1) 상기 기판의 상면에 안착홈을 가공하는 단계;
a2) 상기 안착홈의 표면에 메탈층을 형성하는 단계; 및
a3) 상기 안착홈에 상기 솔더볼을 안착시키는 단계를 포함하는 것인 레이저 리플로우 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 c1) 단계에서, 상기 이송체는 상면에 상기 기판이 밀착되도록 상기 기판을 진공흡착하는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 이송체는 다공성 진공척(porous vaccum chuck)으로 마련되는 것인 레이저 리플로우 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 d) 단계는,
d1) 상기 레이저빔의 에너지가 균질화되는 단계;
d2) 상기 레이저빔의 조사 영역이 조절되는 단계; 및
d3) 상기 레이저빔에 의해 상기 조사 영역 내에 위치한 솔더볼이 리플로우되어 상기 기판에 상기 반도체 패키지가 고정되는 단계를 포함하는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 d3) 단계에서, 상기 조사 영역 내에는 하나 이상의 측정 로케이션이 지정되며, 상기 측정 로케이션에 위치한 솔더볼은 실시간으로 온도가 측정되는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 d3) 단계에서, 상기 레이저빔의 에너지 조사 세기는 상기 측정 로케이션에 위치한 솔더볼이 기설정된 정상 온도 범위를 유지하도록 제어되는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 d3) 단계에서, 상기 측정 로케이션에 위치한 솔더볼의 온도가 기설정된 정상 온도 범위를 벗어난 경우, 사용자에게 알리는 것인 레이저 리플로우 방법. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 레이저 리플로우 방법에 의해 제조되는 기판구조체에 있어서,
솔더볼이 안착되는 다수의 안착홈이 마련되며, 상기 안착홈의 표면에는 메탈층이 형성된 기판; 및
상기 기판의 상부에 고정된 반도체 패키지를 포함하는 것인 기판구조체. - 제 11 항에 있어서,
상기 안착홈의 직경은 0.5 ~ 1.0 mm인 것인 기판구조체. - 제 11 항에 있어서,
상기 메탈층은 도전성을 갖는 금속 소재로 마련되는 것인 기판구조체.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160072639A KR101818918B1 (ko) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조된 기판구조체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160072639A KR101818918B1 (ko) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조된 기판구조체 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170140476A KR20170140476A (ko) | 2017-12-21 |
| KR101818918B1 true KR101818918B1 (ko) | 2018-01-18 |
Family
ID=60936215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160072639A Active KR101818918B1 (ko) | 2016-06-10 | 2016-06-10 | 레이저 리플로우 방법 및 이의 방법으로 제조된 기판구조체 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101818918B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200050725A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 모스탑주식회사 | 균일한 세기 분포를 가지며 종횡비 조정이 용이한 레이저 어셈블리 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102079165B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2020-02-19 | 이노6 주식회사 | 전자소자 본딩 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014045828A1 (ja) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 |
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2016
- 2016-06-10 KR KR1020160072639A patent/KR101818918B1/ko active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014045828A1 (ja) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 |
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| KR20200050725A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 모스탑주식회사 | 균일한 세기 분포를 가지며 종횡비 조정이 용이한 레이저 어셈블리 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170140476A (ko) | 2017-12-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
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| D14-X000 | Search report completed |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| AMND | Amendment | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T13-X000 | Administrative time limit extension granted |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T13-oth-X000 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PX0901 | Re-examination |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901 |
|
| PX0701 | Decision of registration after re-examination |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701 |
|
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
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| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |