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KR101814851B1 - 실리케이트계 형광체 - Google Patents

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KR101814851B1
KR101814851B1 KR1020137007505A KR20137007505A KR101814851B1 KR 101814851 B1 KR101814851 B1 KR 101814851B1 KR 1020137007505 A KR1020137007505 A KR 1020137007505A KR 20137007505 A KR20137007505 A KR 20137007505A KR 101814851 B1 KR101814851 B1 KR 101814851B1
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고우토쿠 오미
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 공활성화된 실리케이트계 형광체에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 이들 형광체들의 제조 방법에 관한 것이고, 전자 및 전기광학 디바이스에서, 특히 발광 다이오드 (LED) 및 태양 전지에서의 이들 형광체들의 용도에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 형광체들을 포함하는 조명 유닛들에 관한 것이다.

Description

실리케이트계 형광체 {SILICATE-BASED PHOSPHOR}
본 발명은 공활성화된 실리케이트계 형광체에 관한 것이고 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 전자 및 전기광학 디바이스에서, 특히 발광 다이오드 (LED) 및 태양 전지에서의 이들 형광체들의 용도에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 실리케이트계 형광체들을 포함하는 조명 유닛에 관한 것이고 또한 LCD 백라이팅 시스템에 관한 것이다.
백색 발광 다이오드 (LED) 는 효율이 높고, 수명이 길며, 환경에 미치는 영향이 약하고, 수은이 없으며, 응답 시간이 짧고, 다양한 사이즈의 최종 제품들에서 적용가능성 그리고 많은 더 유리한 특성들 때문에 차세대 광원으로 여겨진다. 라이팅, 컴퓨터 노트북 및 휴대폰과 같은 도구들의 액정 디스플레이를 위한 백라이트 소스로서 주목을 받고 있는 백색 LED들은 청색 LED에 황색광 (560 nm) 방출 YAG:Ce 형광체를 첨가하는 것에 의해 제조된다. 청색 LED들로부터 제조되는 백색 (LED) 들은 파장 범위가 450 내지 470 nm인 광에 의해 여기되기 때문에, 제한된 수의 형광체들만이 사용될 수 있다. 즉, 파장 범위가 450 내지 470 nm인 청색 LED들을 사용하여 YAG:Ce 기반 백색 LED 들만이 획득될 수 있다. 그러므로, YAG:Ce 이외의 형광체의 개발이 시급히 필요하다.
UV LED들이 여기 광원으로서 개발됨에 따라, 단일 칩들로 백색 LED들을 제조하는 새로운 시대가 열렸다. 즉, 에너지 원으로서 파장 범위가 380 내지 410 nm인 광을 갖는 칩으로 적색, 녹색 및 청색 형광체들을 사용하는 것에 의해, 루미넌스 세기가 더 양호하고 우수한 백색 컬러를 제공하는 3원색 (tri-color) 백색 LED를 획득하는 것이 가능해졌다. 결과적으로, 380 내지 410 nm 파장 범위에서 여기될 수 있는 형광체가 요구된다. 특히, 양호한 효율 및 높은 CRI (color rendering index) 로 백색광을 획득하기 위해 적색 범위의 광을 방출하는 새로운 형광체가 필요하다.
WO 2006/104860 (Sarnoff Corp.) 는 식 [(BvSiO3)x(Mv2SiO3)y(Tv2(SiO3)3)z]m (SiO2)n:Eu, Mn, X (여기서 X는 할로겐화물이다) 에 따른 실리케이트-실리카계 다형 형광체 (polymorphous phosphor) 를 설명한다. 이들 할로겐화물 함유 형광체들의 단점은 화학 안정성의 결여이다.
WO 2008/047965 는 식 (Ca,Sr,Ba)αSiβOγ:Eu, Mn, M, N (식중에서 M은 Ce, Pr, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 양이온이고 N은 Li, Na, K, Al, Ga, In 및 Y로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 양이온이다) 의 발광성 재료를 설명한다.
본 발명은 식 I의 적어도 하나의 실리케이트 형광체를 포함하는 식의 화합물에 관한 것이다
(Ax, By, M1-x-y) SiO3·(SiO2)n (I)
[식중에서
M은 Ca, Sr, Ba로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 양이온이다, A 및 B는 서로 독립적으로, Sc3+, Y3+, La3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Pm3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+, Bi3+, Pb2+, Mn2+, Yb2+, Sm2+, Eu2+, Dy2+, 및 Ho2+으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이다,
0 < n ≤ 10, 바람직하게는 0.5 < n ≤ 7,
0 < x ≤ 0.3 및 0 < y ≤ 0.3, 바람직하게는 0.02 < x ≤ 0.2 및 0.02 < y ≤ 0.2이다].
바람직하게는 M은 Ca이다.
바람직하게는 A 및 B는 Eu2+ 및 Mn2+이다.
식 I 에 따른 Ca 함유 형광체들의 주 방출 피크 파장은 580 nm 과 670 nm 사이 이고, 컬러 코오디네이트 (color coordinate) 는 x = 0.48-0.62 및 y = 0.32-0.45 인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, Ca 함유 형광체들의 형광체 형상은 플레이트 구조이지만, 컬럼 구조도 가능하다.
공활성화된 실리케이트 형광체를 제조하는 방법은 다음 2개의 일반적인 범주로 그룹화될 수 있다 : (고상 또는 혼합 및 소성 방법으로도 불리는) 고상 확산 방법 및 (용액 합성으로도 불리는) 습식 화학 방법. 본 발명에 따르면, 형광체들을 제조하는 습식 화학 방법은, 증가된 결정 품질, 증가된 형광체 순도 및 균질성 때문에 바람직하다. 가장 바람직하게는 (탄산수소염 침전으로도 불리는) 공침 방법을 통한 습식 화학 방법을 사용한다.
본 발명은 또한,
a) 규소 함유제 및 원소 M, A 및 B를 함유하는 염을 미리결정된 몰비로 용매중에서 혼합하는 단계,
b) 침전제를 첨가하는 단계,
c) 산화성 분위기 하에서 900 내지 1300℃, 바람직하게는 950 내지 1050℃의 온도 범위에서 혼합물에 대해 1차 열처리를 수행하는 단계,
d) 환원성 분위기 하에서 900 내지 1300℃, 바람직하게는 950 내지 1050℃의 온도 범위에서 혼합물에 대해 2차 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 식 I의 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
바람직하게는 규소 함유제는 SiO2이다. 하지만, 또한, 테트라에톡시실란 또는 테트라메톡시실란과 같은 유기 규소 함유제를 사용하는 것이 가능하다.
바람직하게는 (단계 a에서 사용되는) 염은 질산염, 할로겐화물, 하이드로설페이트 (hydrosulfate) 또는 탄산염, 아주 바람직하게는 질산염 또는 할로겐화물이다.
(단계 b에서 사용되는) 침전제로서 바람직하게는 탄산수소나트륨, 염화암모늄 또는 탄산수소암모늄을 사용한다.
또한 바람직하게는 본 발명에 따른 형광체들을 제조하기 위해 마이크로 반응 시스템 (micro-reaction system) 을 사용한다. 구체적으로, 마이크로 반응 방법은 1 mm 내지 10mm의 내부 직경을 갖는 흐름 채널을 통해 2 이상의 용액들과 혼합되는 제한된 소 영역에서 형광체 전구체를 생산하는 좋은 방법이다. 용이한 온도 제어, 수율 향상, 형상 조정 (shape regulation) 및 안전성으로 고도로 효과적인 혼합물들 및 반응 레이트 증대를 이루는 것이 가능하다. 그러한 마이크로 반응기 시스템은 전구체들의 사이즈 및 활성화제 분포의 균일성을 (다른 기법들과 비교하여) 용이하게 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 방출 최대치 범위가 250nm 내지 530nm, 바람직하게는 350nm 과 460nm 사이인 적어도 하나의 광원을 갖는 조명 유닛이고, 여기에서 이의 방사선의 전부 또는 일부가 더 장파장의 방사선으로 식 (I) 에 따른 화합물 (형광체) 에 의해 변환된다.
바람직하게는, 조명 유닛의 광원은, 특히 식 lniGajAlkN (식중에서, 0 ≤ i, 0 ≤ j, 0 ≤ k, 및 i + j + k = 1) 의 발광성 청색 방출 인듐 알루미늄 갈륨 질화물을 포함하고, 이는 대응하는 변환 형광체들과 조합하여, 바람직하게는 백색 또는 사실상 백색 광을 방출한다.
바람직하게는 조명 유닛은 또한 식 I에 따른 적어도 하나의 화합물 (실리케이트 형광체) 및 선택적으로 추가 형광체들을 포함한다. 바람직하게는 본 발명에 따른 실리케이트 형광체들은 적색 방출 형광체들이다. 바람직하게는 다른 형광체들은 Ce-도핑 루테튬 함유 가넷, Eu-도핑 술포셀레나이드, 티오갈레이트, BaMgAl10O17:Eu,Mn (BAM :Eu, Mn), SrGa2S4:Eu 및/또는 Ce- 및/또는 Eu-도핑 질화물 함유 형광체들과 같은 녹색 광을 방출하거나 또는 BAM: Eu 또는 Sr10(PO4)6Cl2:Eu과 같은 청색광을 방출하거나 또는 가넷 형광체 (예를 들면 (Y,Tb,Gd)3Al5O12:Ce), 오르토 실리케이트 형광체 예를 들면 (Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu 또는 Sialon-형광체 예를 들면 α-SiAlON:Eu와 같은 황색 광을 방출한다.
바람직하게는 형광체 층 (형광체 블렌드) 은 칩의 표면 상에 바로 배치될 수도 있거나, 또는 칩의 바로 위 및/또는 주위에 특정 볼륨에 분포될 수도 있거나 또는 칩의 특정 거리의 층 또는 볼륨에 배치될 수도 있다 (원격 형광체).
본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 조명 유닛을 적어도 하나 갖는 백라이팅 시스템이다.
본 발명에 따른 백라이팅 시스템은, 예를 들면, "직접 조명 (direct-lit)" 백라이팅 시스템 또는 "측 조명 (side-lit)" 백라이팅 시스템일 수 있고 이는 광 도파로 및 아웃커플링 (outcoupling) 구조를 갖는다.
백라이팅 시스템은 백색 광원을 갖고, 백색 광원은 보통 하우징내에 위치되고, 하우징은 바람직하게는 내부 상에 반사체를 갖는다. 백라이팅 시스템은 또한 적어도 하나의 확산 플레이트를 가질 수도 있다.
컬러 이미지들을 생성 및 디스플레이 하기 위하여, 액정 유닛에는 컬러 필터가 구비된다. 컬러 필터는 적색, 녹색 또는 청색 광을 투과하는 모자이크형 패턴의 픽셀들을 함유한다. 컬러 필터는 바람직하게는 제 1 편광자 (polariser) 와 액정 셀 사이에 배열된다.
본 발명은 또한, 바람직하게는 청색 방출의 적어도 하나의 반도체 다이오드 및 위에서 정의된 바처럼 형광체 블렌드를 포함하는 적어도 하나의 형광체 층을 포함하는, 적어도 하나의 백색 광원을 갖는 백라이팅 시스템이 하나 이상 장착된 액정 디스플레이에 관한 것이다.
액정 디스플레이는 보통 액정 유닛 및 백라이팅 시스템을 갖는다. 액정 유닛은 통상적으로 제 1 편광자 및 제 2 편광자 및 액정 셀을 포함하고 액정 셀은 2개의 투명 층들을 갖고, 이들의 각각은 광 투명 전극들의 매트릭스를 지닌다. 액정 재료는 2개의 기판들 사이에 배열된다. 액정 재료는, 예를 들면, TN (twisted nematic) 액정, STN (supertwisted nematic) 액정, DSTN (double supertwisted nematic) 액정, FSTN (foil supertwisted nematic) 액정, VAN (vertically aligned) 액정 또는 OCB (optically compensated bend) 액정을 포함한다. 액정 셀은 2개 편광자들에 의해 샌드위치형 방식으로 둘러싸이고, 여기에서 제 2 편광자는 시인자 (observer) 측에서 볼 수 있다.
또한, IPS (in-plane switching) 기술은 모니터 응용들에 아주 고도로 적합하다. TN 디스플레이와 대조적으로, 전극들로서, 그의 전계에서 액정 분자들이 스위치되는, 그러한 전극들은 IPS 셀에서 액정 층의 일 측 상에만 위치된다. 얻어지는 전계는 불균일하고, 제 1 근사 (first approximation) 로, 기판 표면에 평행하게 정렬된다. 분자들은 대응하여 기판 평면에서 (인플레인 (in plane)) 스위칭되고, 이는 TN 디스플레이와 비교하여 투과 세기의 시야각 의존성을 현저히 낮춘다.
광시야각에 대한 양호한 광학 특성을 위한 다른 덜 잘 알려진 기법은 FFS 기술과, 그의 추가 개발인 AFFS (advanced fringe field switching) 기술이다. 이것은 IPS 기술과 유사한 기능 원리를 갖는다.
투과형 LC 디스플레이는 백색 LED로서 백라이트 (backlight) 를 투과시키는 것에 의해 획득된다. 반사형 LC 디스플레이는 외광을 반사시키는 것에 의해 획득된다. 반사 및 투과를 결합한 반투과형 LC 디스플레이가 최근에 주목을 끌고 있다. 백라이트가 어두운 곳에서 사용되고 외광이 밝은 곳에서 사용된다. 특히, 반사형 LC 부에 본 발명에 따른 식 I의 화합물들을 함유하는, WO 2010/028728 (Merck)에 개시된 바와 같은 디스플레이에 그러한 새로운 LC 디스플레이를 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 전술되거나 후술되는 하나 이상의 형광체 블랜드를 포함하는 전자 또는 전기광학 디바이스이다.
다른 양태는 전기 또는 전기광학 디바이스에서의 전술되거나 후술되는 적어도 하나의 화합물의 용도이다. 특히 바람직한 디바이스들은 백라이팅 응용들을 위한 LED이다.
다른 양태는 발광성 다이오드로부터 청색 또는 근 자외선 방출의 전부 또는 일부의 변환을 위한 변환 형광체로서의 본 발명에 따른 식 I의 적어도 하나의 화합물의 용도이다.
전자 또는 전기광학 디바이스는 또한, 예를 들면, 유기 전계효과 트랜지스터 (OFET), 박막 트랜지스터 (TFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저), 유기 집적 회로 (O-IC), 무선 주파수 식별 (RFID) 태그, 광검출기, 센서, 로직 회로, 메모리 소자, 커패시터, 전하 주입 층, 쇼트키 다이오드, 평탄화 층, 정전기 방지 필름, 전도 기판 또는 패턴, 광전도체, 전자 사진 소자, 또는 유기 발광 트랜지스터 (OLET) 일 수 있다.
태양 전지들에 대한 낮은 스펙트럼 응답에 기인하여, 단파장을 갖는 광은 전기 전력을 발생시키는데 효과적으로 사용되지 않는다. 하지만, 본 발명에 따른 변환 형광체들을 사용하는 것에 의해 규소 태양 전지 효율을 향상시키는 것이 가능하다.
따라서, 다른 양태는 태양 전지, 바람직하게는 비정질 규소 태양 전지에서 파장 변환 재료로서 본 발명에 따른 식 I의 적어도 하나의 화합물의 용도이다.
용어의 정의
용어 "규소 함유제"는 무기 규소 화합물, 바람직하게는 SiO2의 화학식을 갖는 규소의 산화물을 의미한다. 그것은 비정질 형태이외에 다수의 구별되는 결정질 형태 (다형체) 를 갖는다. 바람직하게는 SiO2는 소입자들, 더 바람직하게는 직경이 1㎛ 미만, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 200nm 미만이어야 한다. 게다가, "규소 함유제"는 또한 테트라알킬 오르토실리케이트와 같은 유기 규소 화합물을 의미한다.
용어 "형광체 블렌드"는, 2개 이상의 형광체들이 함께 블렌딩되어 상이한 물리 특성을 갖는 새로운 재료를 생성하는 형광체 혼합물이다.
용어 "청색 방출 형광체" 는 적어도 하나의 방출 최대치가 435 nm 와 475 nm 사이인 파장을 갖는 형광체를 지칭한다.
용어 "녹색 방출 형광체" 는 적어도 하나의 방출 최대치가 508 nm 와 550 nm 사이인 파장을 갖는 형광체를 지칭한다.
용어 "황색 방출 형광체" 또는 "황색 광을 방출하는 형광체"는 적어도 하나의 방출 최대치가 551 nm 와 585 nm 사이인 파장을 갖는 형광체를 지칭한다.
용어 "적색 방출 형광체" 는 적어도 하나의 방출 최대치가 600 nm 와 670 nm 사이인 파장을 갖는 실리케이트 형광체를 지칭한다.
용어 "고상 확산 방법" (혼합&소성 방법 또는 고상 방법) 은 분말로서 산화물 출발 재료를 혼합하고, 그 혼합물을 분쇄한 다음 분쇄된 분말들을 노에서 1500℃에 이르기까지의 온도로 수일에 이르기 까지 선택적으로 환원성 분위기에서 하소 (calcine) 하는 것을 의미한다 (예를 들면, Phosphor Handbook, second edition, CRC Press, 2007, 341-354 참조).
본 발명에 따른 용어 "습식 화학 방법" 들은 적어도 3개 공정 변형 (process variant) 들을 포함한다:
● 제 1 아주 바람직한 공정 변형, 소위 탄산수소염 침전에서, 먼저 알칼리토 금속 출발 재료, 바람직하게는 알칼리토 금속 할로겐화물 또는 질산염이, 유로퓸- 및 망간- 함유 도펀트와 물에 용해되고 후속하여 무기 또는 유기 규소 함유 화합물이 첨가된다. 침전이 탄산수소염 용액을 사용하여 수행되고, 형광체 전구체의 느린 형성을 야기한다.
● 제 2 공정 변형에서, 유기규소 화합물, 바람직하게는 Si(OEt)4가 예를 들면, 상승된 온도의 대응하는 형광체 출발 재료 및 Eu- 및 Mn- 함유 도펀트의 수산화물 용액에 첨가되고, 형광체 전구체의 형성을 야기한다.
● 제 3 공정 변형, 소위 옥살레이트 침전에서, 먼저 알칼리토 금속 할로겐화물이 유로퓸- 및 망간할로겐화물과 물에 용해되고, 디카르복실 산 및 무기 또는 유기 규소 화합물로 이루어지는 규소 함유 혼합물에 첨가된다. 점성을 증가시키는 것은 형광체 전구체의 형성을 야기한다.
최종적으로, 형광체 전구체의 후열처리 (하소) 가 최종 실리케이트계 형광체를 획득하기 위하여 필요하다.
문맥에서 명확하게 달리 나타내지 않으면, 본원에 사용된 바처럼 본원의 용어들의 복수 형태는 단수 형태를 포함하는 것으로 해석되야 하고 그 역 또한 마찬가지다.
본 명세서의 상세한 설명 및 청구항들 전체에 걸쳐, 단어 "포함한다" 그리고 "함유한다" 및 그 단어들의 변형들, 예를 들면 "포함하는" 및 "포함한다"는 "비한정적으로 포함하는" 것을 의미하고 다른 요소들을 제외하도록 의도되지 않았고 다른 요소들을 제외하지 않는다.
본 발명의 전술한 실시형태들에 대한 변형이 여전히 본 발명의 범위 내에서 이루어질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 본 명세서에서 개시된 각 피쳐 (feature) 은, 달리 언급되지 않으면, 동일한, 동등한 또는 유사한 목적을 제공하는 다른 피쳐들에 의해 대체될 수도 있다. 따라서, 달리 언급되지 않으면, 개시된 각 피쳐는 동등한 또는 유사한 피쳐들의 일반 시리즈 중 하나의 예일 뿐이다.
본 발명은 다음의 예시적인 실시형태들을 참조하여 아래에서 더 상세하게 설명될 것이다:
도 1은 CaSiO3(SiO2)1: Eu, Mn의 방출 스펙트럼을 도시한다. 그의 형광 대역 피크는 약 610nm이다.
도 2는 CaSiO3(SiO2)0.6: Eu, Mn의 방출 스펙트럼을 도시한다. 그의 형광 대역 피크는 약 610nm이다.
도 3은 공간군 (space group) C2를 입증하는 CaSiO3·(SiO2)0.: : Eu, Mn의 (파장 CuKα에 의해 측정되는) XRD 패턴을 도시한다.
도 4는 마이크로 반응 시스템에 의해 제조되는 CaSiO3·(SiO2)0.6: Eu, Mn의 방출 스펙트럼을 도시한다.
도 5는 마이크로 반응 시스템에 의해 제조되는 CaSiO3·(SiO2)0.: : Eu, Mn의 (파장 CuKα에 의해 측정되는) XRD 패턴을 도시한다.
도 6은 마이크로 반응 시스템에 의해 제조되는 CaSiO3·(SiO2)5: Eu, Mn의 방출 스펙트럼을 도시한다.
본 발명은 이제 다음의 실시예들을 참조하여 더 상세히 설명될 것이고, 이들은 본 발명의 범위를 단지 예시할 뿐 제한하는 것이 아니다.
예 1 : CaSiO 3 ·(SiO 2 ) : Eu, Mn의 제조
Ca(NO3)2x4H20 (7.97g, 0.0338mol, Merck), SiO2 (4.06g, 0.0675 mol, Merck), Eu(NO3)3x6H2O (1.12g, 0.0025mol, Auer-Remy), 및 Mn(NO3)2x4H2O (0.63g, 0.0025mol, Merck) 이 탈이온수에 용해된다. NH4HCO3 (26.9g, 0.34g, Merck) 가 탈이온 수에 용해된다. 2개의 수용액들은 동시에 탈이온수로 교반된다. 얻어지는 용액은 약 90 ℃에서 건조 상태로 증발되고, 얻어지는 고체는 산화 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 얻어지는 산화물 재료가 환원 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 물 및 건조를 사용한 종래 정화 단계들이 수행된 후에, 원하는 CaSiO3(SiO2)1: Eu2+, Mn2+이 형성된다. 형광체 (Ca/Si 비) 의 조성 비는 WDX (=파장 분산 X-선 분광법) 에 의해 확인된다. 형광체는 도 1에 도시된 바처럼 350nm 광 여기시에 피크가 610nm인 밝은 적색광을 방출했다.
예 2: CaSiO 3 ·(SiO 2 ) 5 : Eu, Mn의 제조
Ca(N03)2x4H2O (7.97g, 0.0338mol, Merck), SiO2 (12.18g, 0.2025 mol, Merck), Eu(N03)3x6H2O (1.12g, 0.0025mol, Auer-Remy), 및 Mn(N03)2x4H2O (0.63g, 0.0025mol, Merck) 가 탈이온수에 용해된다. NH4HCO3 (26.9g, 0.34g, Merck) 가 탈이온 수에 용해된다. 2개의 수용액들은 동시에 탈이온수로 교반된다. 얻어지는 용액은 약 90 ℃에서 건조 상태로 증발되고, 얻어지는 고체는 산화 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 얻어지는 산화물 재료가 환원 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 물 및 건조를 사용한 종래 정화 단계들이 수행된 후에, 원하는 CaSiO3·(SiO2)5: Eu2+, Mn2+이 형성된다. 형광체의 조성 비 (Ca/Si 비) 는 WDX (=파장 분산 X-선 분광법) 에 의해 확인된다. 형광체는 도 6에 도시된 바처럼 350nm 광 여기시에 피크가 610nm인 밝은 적색광을 방출했다.
예 3: CaSiO 3 ·(SiO 2 ) 0.6 : Eu, Mn의 제조
염화칼슘 이수화물, CaCl2x2H2O (4.96g, 0.0338mol, Merck), 규소 산화물, SiO2 (2.03g, 0.0338 mol, Merck), 염화 유로퓸 육수화물, EuCl3x6H20 (0.92g, 0.0025mol, Auer-Remy), 및 염화망간 사수화물, MnCl2x4H2O (0.49g, 0.0025mol, Merck) 이 탈이온수에 용해되었다. NH4HCO3 (26.9g, 0.34g, Merck) 가 탈이온 수에 용해된다. 2개의 수용액들은 동시에 탈이온수로 교반된다. 얻어지는 용액은 약 90 ℃에서 건조 상태로 증발되고, 얻어지는 고체는 산화성 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 얻어지는 산화물 재료가 환원성 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 얻어지는 재료들이 모르타르에서 빻아지고, 얻어지는 재료들은 리어닐링된다. 물 및 건조를 사용한 종래 정화 단계들이 수행된 후에, 도 3에 도시된 XRD 패턴에 의해 입증되는 바처럼 원하는 CaSiO3·(SiO2)0.6: Eu2+, Mn2+이 형성된다. 형광체의 조성 비는 WDX에 의해 확인된다. 형광체는 도 2에 도시된 바처럼 350nm 광 여기시에 피크가 610nm인 밝은 적색광을 방출한다.
예 4 : 마이크로 반응 시스템을 이용한 CaSiO 3 ·(SiO 2 ) 0.6 : Eu 2+ , Mn 2+ 의 제조
생성물의 영향은 관 직경 및 유량을 변화시키는 것에 의해 조사되었다. 관 직경은 활성화제 분포에 영향을 미치고, 유량은 결정질에 영향을 미쳤다. 마이크로 반응기를 이용한 이 CaSiO3·(SiO2)0.6: Eu2+, Mn2+ 형광체의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 염화칼슘 이수화물, CaCl2x2H2O (4.96g, 0.0338mol, Merck), 규소 산화물, SiO2 (2.03g, 0.0338 mol, Merck), 염화 유로퓸 육수화물, EuCl3 x6H20 (0.92g, 0.0025mol, Auer-Remy), 및 염화망간 사수화물, MnCl2x4H2O (0.49g, 0.0025mol, Merck) 이 탈이온수에 용해된다. NH4HCO3 (26.9g, 0.34g, Merck) 가 탈이온 수에 용해된다. 용액들이 동시에 펌프되고 커넥터에서 반응하게 된다. 반응 용액이 약 60℃의 관을 통과한다. 전구체들이 비이커에 놓인다. 얻어지는 용액은 약 90 ℃에서 건조 상태로 증발되고, 얻어지는 고체는 산화 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 얻어지는 산화물 재료가 환원 분위기에서 4시간 동안 1000 ℃에서 어닐링된다. 물 및 건조를 사용한 종래 정화 단계들이 수행된 후에, 원하는 CaSiO3·(SiO2)0.6: Eu2+, Mn2+이 형성된다. 형광체의 조성 비는 WDX에 의해 확인되었다. 형광체는 도 4에 도시된 바처럼 350nm 광 여기시에 피크가 610nm인 밝은 적색광을 방출한다.
예 5: LED의 생산 및 특성화 그리고 액정 디스플레이에서의 설치
예 1로부터의 형광체는 텀블 믹서의 도움으로 Dow Corning으로부터의 실리콘 (silicone) 수지 시스템 OE 6550과 혼합된다 (실리콘 중에 형광체의 최종 농도는 : 8%).
혼합물은, 디스펜서의 계량 밸브에 접속되는 카트리지내로 도입된다. 450nm의 파장을 방출하는 표면적이 각각 1 mm2인 본딩된 InGaN 칩들로 이루어지는, 로우 LED 패키지 (Raw LED package) 들이 디스펜서에 고정된다. 로우 LED 패키지들의 공동 (cavity) 들은 디스펜서 밸브의 xyz 포지셔닝에 의해 실리콘 형광체로 충전된다. 이런 식으로 처리되는 LED들은 다음으로, 실리콘이 굳어지는 150℃의 온도를 받게 된다. 다음으로 LED들은 동작될 수 있고 색온도가 6000 K인 백색광을 방출할 수 있다.
다음으로 위에서 제조된 수개의 LED들은 액정 디스플레이의 백라이팅 시스템에 설치된다.
일반적인 LCD TV 컬러 필터가, 디스플레이 환경을 시뮬레이트하고 이 LED에 의해 실현되는 컬러 가무트 (colour gamut) 를 계산하기 위하여 사용되었다.
예 6: 380 nm 방출 LED 칩을 갖는 백색 LED 및 제 1 형광체 블렌드의 제조
형광체 블렌드는 예 3에서 제조된 바처럼, 적색 방출 공활성화 실리케이트 형광체 CaSiO3(SiO2)1: Eu2+, Mn2+, 녹색 방출 형광체, BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ (BAM:Eu, Mn) 및 청색 방출 형광체 BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM:Eu) 로 만들어진다. 3개의 형광체들은 적절한 중량비로 혼합되고 형광체 블렌드는 또한 에폭시 수지와 혼합되어 슬러리를 형성한다. 슬러리는 380nm에서 방출하는 InGaN계 LED 칩에 도포된다. 디바이스는 백색 컬러를 갖는 광을 발생시키고 그의 컬러 코디네이트는 3개 형광체들의 비를 변화시키는 것에 의해 달라질 수 있다.

Claims (15)

  1. 하기 식 I의 화합물.
    (Ax, By, M1-x-y)·SiO3·(SiO2)n (I)
    [식중에서
    M은 Ca, Sr, Ba로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 양이온이다,
    A 및 B는 Eu2+ 및 Mn2+이다,
    0 < n ≤ 10,
    0 < x ≤ 0.3 및 0 < y ≤ 0.3].
  2. 제 1 항에 있어서,
    0.5 < n ≤ 7인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    0.02 < x ≤ 0.2 및 0.02 < y ≤ 0.2인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 식 I의 화합물의 제조 방법으로서,
    a) 규소 함유제 및 원소 M, A 및 B를 함유하는 염을 미리결정된 몰비로 용매중에서 혼합하는 단계,
    b) 침전제를 첨가하는 단계,
    c) 산화성 분위기 하에서 900 내지 1300℃의 온도 범위에서 혼합물에 대해 1차 열처리를 수행하는 단계,
    d) 환원성 분위기 하에서 900 내지 1300℃의 온도 범위에서 혼합물에 대해 2차 열처리를 수행하는 단계를 포함하는, 화합물의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    (단계 a에서) 상기 염은 질산염, 할로겐화물, 하이드로설페이트 또는 탄산염인 것을 특징으로 하는 화합물의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    (단계 b에서) 상기 침전제는 탄산수소나트륨, 염화암모늄 또는 탄산수소암모늄인 것을 특징으로 하는 화합물의 제조 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 규소 함유제는 SiO2인 것을 특징으로 하는 화합물의 제조 방법.
  8. 방출 최대치가 250nm 내지 530nm 의 범위에 있는 적어도 하나의 광원을 갖는 조명 유닛으로서,
    이의 방사선의 전부 또는 일부가 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물에 의해 더 장파장의 방사선으로 변환되는, 조명 유닛.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 광원은 발광성 인듐 알루미늄 갈륨 질화물인 것을 특징으로 하는 조명 유닛.
  10. 제 8 항에 기재된 조명 유닛을 적어도 하나 갖는, 백라이팅 시스템.
  11. 제 10 항에 기재된 백라이팅 시스템이 하나 이상 장착된, 액정 디스플레이 (LCD).
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는, 전자 또는 전기광학 디바이스.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    발광성 다이오드로부터 청색 또는 근자외선 방출의 전부 또는 일부의 변환을 위한 변환 형광체로서 사용되는, 화합물.
  14. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    태양 전지를 위한 파장 변환 재료로서 사용되는, 화합물.
  15. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103881713B (zh) * 2012-12-20 2015-07-08 海洋王照明科技股份有限公司 核壳结构硅酸钙发光材料及其制备方法
US10000697B2 (en) 2013-03-22 2018-06-19 Merck Patent Gmbh Magnesium alumosilicate-based phosphor
JP2016070949A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7224983B2 (ja) * 2019-03-19 2023-02-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光モジュール
JP7464893B2 (ja) * 2021-12-09 2024-04-10 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010506006A (ja) 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ，インク． 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するｌｅｄ照明デバイス

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7311858B2 (en) 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
EP2074190A1 (en) 2006-10-20 2009-07-01 Lucimea Co. Ltd. Luminescent material for emitting white light, preparation method thereof, and white light emitting diode using the material
WO2009143283A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010506006A (ja) 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ，インク． 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するｌｅｄ照明デバイス

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