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KR101814814B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR101814814B1
KR101814814B1 KR1020110093675A KR20110093675A KR101814814B1 KR 101814814 B1 KR101814814 B1 KR 101814814B1 KR 1020110093675 A KR1020110093675 A KR 1020110093675A KR 20110093675 A KR20110093675 A KR 20110093675A KR 101814814 B1 KR101814814 B1 KR 101814814B1
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Abstract

태양전지가 개시된다. 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 제 1 윈도우층을 포함한다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신·재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
일반적으로, CIGS 태양전지는 유리 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층, 버퍼층, 전면 전극층을 순차적으로 형성시켜 제조될 수 있다. 먼저, 기판으로는 소다라임 유리판(sodalime glass), 스텐레스 스틸(stainless steel), 폴리머 (polyimide; PI) 등 다양한 소재가 사용될 수 있다. 후면 전극층은 비저항이 낮고 유기 기판과 열팽창 계수 차이가 적은 몰리브덴(Mo)이 주로 사용된다.
광 흡수층은 p 형 반도체층으로서, CuInSe2 또는 In의 일부를 Ga원소로 대치한 Cu(InxGa1 -x)Se2 등이 주로 사용된다. 광 흡수층은 증발법, 스퍼터링 및 셀렌화 공정 또는 전기 도금 등의 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
버퍼층은 격자상수와 에너지 밴드갭 차이가 큰 광 흡수층과 전면전극층 사이에 배치되어 양호한 접합을 형성한다. 버퍼층으로는 화학 용액 증착법(chemical bath deposition;CBD)에 의해 제조되는 황화카드뮴이 주로 사용된다.
전면 전극층은 n 형 반도체층으로서, 버퍼층과 함께 광 흡수층(300)과 pn 접합을 형성한다. 또한, 전면 전극층은 태양전지 전면의 투명전극으로서의 기능을 하기 때문에, 광 투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO) 가 주로 사용된다. 이와 관련하여, CIGS 태양전지의 구성 및 제조방법은 한국등록특허 제 10-0999810 호를 참조하면 보다 구체화 될 수 있을 것이다.
종래 전면 전극층으로 사용되는 도핑된 징크 옥사이드는 저항을 낮추기 위하여 낮은 전원으로 두껍게 증착하게 되는데, 이는 투과율을 감소시킬 뿐만 아니라 공정 불안정, 재료 비용 증가 및 설비 투자 비용 등의 증가의 문제가 있다. 또한, 태양전지 셀의 폭이 증가할 수록, 전면 전극층의 직렬 저항(RS)이 증가하여 결과적으로 전기전도도가 감소하는 문제가 있다.
실시예는 윈도우층 상에 제 1 금속층을 추가로 배치함으로써, 전자 포집 능력이 향상되어 전력 손실을 최소화 할 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 제 1 윈도우층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 제 1 금속층을 형성하는 단계; 상기 제 1 금속층 상에 제 1 윈도우층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 광 흡수층과 제 1 윈도우층 사이에 제 1 금속층을 배치시킨다. 상기 제 1 금속층은 상기 제 1 윈도우층과 함께 전자 포집 능력을 향상시킬 뿐만 아니라, 접촉저항을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 태양전지는 전기 전도도가 향상되어 전류손실을 최소화할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속층을 형성함으로써, 상기 제 1 윈도우층의 두께는 감소될 수 있다. 즉, 상기 태양전지는 보다 박막의 두께로 제조가 가능하다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 전기 전도도와 빛의 투과도를 동시에 최적화할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속층 상에 배치된 상기 제 1 윈도우층은 상기 제 1 금속층의 부식을 방지할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 신뢰성 및 내구성이 향상될 수 있다.
도 1 은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 금속층 및 윈도우층의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조 공정을 도시한 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500), 제 1 금속층(600) 및 제 1 윈도우층(700)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500), 상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 1 윈도우층(700)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다.
이와는 다르게, 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)은 태양전지 중 상기 광 흡수층(300)에서 생성된 전하가 이동하도록 하여 태양전지의 외부로 전류를 흐르게 할 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 이러한 기능을 수행하기 위하여 전기 전도도가 높고 비저항이 작아야 한다.
상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있고 상술한 후면전극층(200)에 요구되는 특성을 전반적으로 충족시킬 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2;CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O,OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(500)은 생략될 수 있다.
상기 제 1 금속층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 금속층은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치되는 상기 고저항 버퍼층(500) 과 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(600)은 도전층이다. 상기 제 1 금속층(600)은 상기 제 1 윈도우층(700)보다 전기전도도가 매우 우수하다. 즉, 상기 제 1 금속층은 태양광에 의하여 상기 광 흡수층(300)에서 형성되는 전자의 포집 능력이 매우 우수하며, 이에 따라 전류손실을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(600)을 태양전지의 상부전극으로 이용함으로써, 상기 제 1 윈도우층의 두께 감소될 수 있다.
상기 제 1 금속층(600)은 투명하다. 상기 제 1 금속층(600)은 수십 나노의 두께로 형성되더라도 양호한 전기적 특성을 얻을 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(600)은 수 나노 미터에서 수십 나노 미터 두께로 상기 제 1 금속층(600)을 형성함으로써 투과도를 유지할 수 있다. 상기 제 1 금속층의 두께는 약 1 nm 내지 약 50 nm 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 금속층의 두께는 약 10 nm 내지 약 20 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제 1 금속층(600)은 당업계에서 통상적으로 전극으로 사용될 수 있는 금속이라면 특별히 제한없이 사용 가능하다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(600)은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 윈도우층(700)은 상기 제 1 금속층(600) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 상기 제 1 금속층(600) 상에 배치된다. 상기 제 1 윈도우층(700)은 투명하며, 도전층이다.
상기 제 1 윈도우층(700)은 금속이 도핑된 산화물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 윈도우층(700)은 AZO(ZnO:Al), ITO(Indium-Tin-Oxide), GZO(ZnO:Ga), BZO(ZnO:B), SnO2(SnO2:F) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제 1 윈도우층(700)의 두께는 약 100 nm 내지 약 500 nm 일 수 있다.
상기 제 1 금속층(600)은 전류손실을 최소화 할 뿐만 아니라, 상기 제 1 윈도우층(700)의 두께를 감소시킬 수 있다. 즉, 전기전도도가 우수한 상기 제 1 금속층(600)을 전극으로 사용함으로써, 상기 제 1 윈도우층(700)은 보다 얇은 두께로 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 태양전지는 보다 박막의 두께로 제조할 수 있다. 상기 제 1 윈도우층(700)은 약 100 nm 내지 약 300 nm, 또는 약 100 nm 내지 약 200 nm 의 두께일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 지금까지는 상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 1 윈도우층(700)이 각각 단일층으로 형성된 형태만을 언급하였으나, 이와는 다르게, 상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 1 윈도우층(700)은 각각 다수개의 층을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 다수개의 금속층과 상기 다수개의 윈도우층은 각각 상호 교대로 배치될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 광 흡수층(300)과 상기 제 1 금속층 (600) 사이에 제 2 윈도우층(710)이 추가로 배치될 수 있다.
상기 제 1 윈도우층(700)과 상기 제 2 윈도우층(710) 동일한 물질로 형성되거나, 이와는 다르게 상이한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 윈도우층(710)은 AZO(ZnO:Al), ITO(Indium-Tin-Oxide), GZO(ZnO:Ga), BZO(ZnO:B), SnO2(SnO2:F) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 제 1 윈도우층(700)과 상기 제 2 윈도우층(710)의 두께는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 윈도우층(710)의 두께는 상기 제 1 윈도우층(700)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층(300)으로부터 보다 가까운 쪽에 형성된 윈도우층의 두께는 상기 광 흡수층(300)으로부터 보다 먼 쪽에 형성된 윈도우층의 두께보다 얇게 형성될 수 있다.
보다 얇은 두께의 상기 제 2 윈도우층(710)은 상기 제 1 금속층(600)이 상기 광 흡수층(300)으로부터 형성된 전자를 포집하는 것을 보다 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 상기 태양전지는 전기 전도도가 향상되어 전류손실을 최소화할 수 있다.
또한, 보다 두꺼운 두께의 상기 제 1 윈도우층(700)은 상기 제 1 금속층(600)이 공기나 수분에 노출되어 부식되는 것을 보다 효율적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 태양전지는 신뢰성 및 내구성이 향상될 수 있다.
상기 제 2 윈도우층(710)의 두께는 약 100 nm 내지 약 500 nm 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 윈도우층(710)의 두께는 약 100 nm 내지 약 300 nm, 또는 약 100 nm 내지 약 200 nm 의 두께일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이와는 다르게, 도 2c를 참조하면, 상기 금속층은 다수개의 층을 포함할 수 있다. 상기 금속층은 상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 2 금속층(610)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속층(600)과 상기 제 2 금속층(610) 동일한 물질로 형성되거나, 이와는 다르게 상이한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 2 금속층(610) 각각은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 금속층(600) 및 상기 제 2 금속층(610)의 두께는 각각 약 1 nm 내지 약 25 nm 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 금속층의 두께는 약 10 nm 내지 약 25 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3 내지 도 7는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다. 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명은 본 제조방법에 관한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴을 사용하여 증착될 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 지지기판(100) 및 후면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
도 6을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 상기 제 1 금속층(600)이 형성된다. 상기 제 1 금속층(600)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 물리적 기상 증착법(PVD)에 의하여, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(600)을 형성하기 위하여 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등 다양한 공정이 수행될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 제 1 금속층(600) 상에 제 1 윈도우층(700)이 형성된다. 상기 제 1 윈도우층(700)은 상기 제 1 금속층(600)의 상부에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 또는 보론 등이 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 지지기판 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 금속층;
    상기 제 1 금속층 상에 배치되는 제 1 윈도우층을 포함하고,
    상기 제 1 금속층과 상기 제 1 윈도우층은 각각 다수개의 층을 포함하고,
    상기 다수개의 제 1 금속층과 상기 다수개의 제 1 윈도우층은 상호 교대로 배치되는 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 흡수층과 상기 제 1 금속층 사이에 제 2 윈도우층을 포함하는 태양전지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 윈도우층의 두께는 상기 제 2 윈도우층의 두께보다 두꺼운 태양전지.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 윈도우층 각각은 AZO(ZnO:Al), ITO(Indium-Tin-Oxide), GZO(ZnO:Ga), BZO(ZnO:B), SnO2(SnO2:F) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 태양전지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 금속층은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 태양전지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 금속층의 두께는 1 nm 내지 50 nm 인 태양전지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 윈도우층의 두께는 100 nm 내지 500 nm 인 태양전지.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수개의 금속층 각각은 서로 다른 금속으로 형성된 태양전지.
  10. 삭제
  11. 삭제
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