[go: up one dir, main page]

KR101814104B1 - 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법 - Google Patents

초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101814104B1
KR101814104B1 KR1020160004843A KR20160004843A KR101814104B1 KR 101814104 B1 KR101814104 B1 KR 101814104B1 KR 1020160004843 A KR1020160004843 A KR 1020160004843A KR 20160004843 A KR20160004843 A KR 20160004843A KR 101814104 B1 KR101814104 B1 KR 101814104B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
guide member
base substrate
ultra
led element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160004843A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170091805A (ko
Inventor
도영락
성연국
Original Assignee
피에스아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스아이 주식회사 filed Critical 피에스아이 주식회사
Priority to KR1020160004843A priority Critical patent/KR101814104B1/ko
Priority to PCT/KR2017/000460 priority patent/WO2017123040A1/ko
Priority to US16/070,208 priority patent/US10784246B2/en
Publication of KR20170091805A publication Critical patent/KR20170091805A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101814104B1 publication Critical patent/KR101814104B1/ko
Priority to US17/027,622 priority patent/US11380670B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H01L33/38—
    • H10W90/00—
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
    • A63B21/00—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices
    • A63B21/02—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices using resilient force-resisters
    • A63B21/055—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices using resilient force-resisters extension element type
    • A63B21/0552—Elastic ropes or bands
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
    • A63B21/00—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices
    • A63B21/02—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices using resilient force-resisters
    • A63B21/04—Exercising apparatus for developing or strengthening the muscles or joints of the body by working against a counterforce, with or without measuring devices using resilient force-resisters attached to static foundation, e.g. a user
    • A63B21/0442—Anchored at one end only, the other end being manipulated by the user
    • H01L33/387—
    • H01L33/48—
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
    • A63B2209/00—Characteristics of used materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H10W72/0198—

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Orthopedic Medicine & Surgery (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physical Education & Sports Medicine (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 기재의 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법은 베이스 기판을 마련하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부가 형성된 가이드 부재를 위치시키는 단계 및 상기 가이드 부재의 슬릿부에 초소형 LED소자를 투입하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조방법{Nano-scale LED electrode assembly and method for manufacturing thereof}
본 발명은 초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛을 발광시키는데 사용할 수 있는 초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 다수의 캐리어가 전자인 n형 반도체 결정과 다수의 캐리어가 정공인 p형 반도체 결정이 서로 접합된 구조를 갖는 반도체로써, 전기신호를 원하는 영역의 파장대역을 가지는 빛으로 변환시켜 표출되는 반도체 소자이다.
한국공개특허 제2015-0006798호 (공개일 2015.01.19)에는 초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조방법이 기술되어 있다. 이러한 초소형 LED 전극어셈블리는 서로 교번(interdigitated)하도록 배치된 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극라인 상에 초소형 LED 소자를 배치하여 제조될 수 있다.
여기서, 이와 같은 초소형 LED 전극어셈블리에서 제1 전극과 제2 전극은 막대 형상으로 형성되어 서로 일방향으로 나란하게 배치된다. 그리고, 초소형 LED 소자는 원기둥 형상으로 이루어진다. 초소형 LED 전극어셈블리의 제조 방법은 전극라인 상에 초소형 LED 소자를 포함하는 용액을 도포하여 초소형 LED 소자가 전극라인 상에 안착되도록 할 수 있다.
이때, 초소형 LED 소자들 각각이 제1 전극과 제2 전극 모두에 연결되어야 발광이 될 수 있으나, 용액에 복수의 초소형 LED 소자 중에서 많은 수의 초소형 LED 소자들이 제1 전극 및 제2 전극 모두에 연결되지 않을 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 모두에 연결되지 않는 초소형 LED 소자들이 많아지는 경우, 광추출 효율이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 초소형 LED 소자를 전기적 단락 등 불량 없이 제1 전극과 제2 전극에 연결시킬 수 있게 한 초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
그리고, 초소형 LED 소자가 전극라인에서 기설정된 영역에 분포될 수 있는 초소형 LED 전극어셈블리 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법은 베이스 기판을 마련하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부를 포함하는 가이드 부재를 형성하는 단계 및 상기 가이드 부재의 슬릿부에 초소형 LED소자를 투입하는 단계;를 포함한다.
한편, 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부를 포함하는 가이드 부재를 형성하는 단계는, 상기 가이드 부재의 복수의 슬릿부가 라인 형상으로 이루어진 상기 전극라인과 직교하도록 상기 가이드 부재의 위치를 정렬하는 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법.
한편, 상기 베이스 기판 상에 형성된 상기 가이드 부재를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 가이드 부재의 슬릿부에 초소형 LED소자를 투입하는 단계는, 상기 초소형 LED 소자를 포함하는 용액을 상기 가이드 부재에서 복수의 슬릿부가 형성된 영역에 토출할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 초소형 LED 전극어셈블리는 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 동일평면상에 이격되게 형성된 제2 전극을 포함하는 전극라인; 상기 전극라인과 대응되도록 위치되어 상기 초소형 LED 전극어셈블리가 수용되는 복수의 슬릿부가 형성되며, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 가이드 부재; 및 일측은 상기 제1 전극에 연결되고, 타측은 제2 전극에 연결된 복수의 초소형 LED 소자;를 포함한다.
한편, 상기 슬릿부의 폭은 상기 초소형 LED 소자의 외경보다 크거나, 상기 초소형 LED 소자의 외경과 동일하게 형성될 수 있다.
한편, 상기 가이드 부재는, 상기 베이스 기판과 대응되는 크기로 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 라인(line) 형상으로 이루어져서 서로 교번하여 형성되며, 상기 초소형 LED소자는, 상기 전극라인 상에 상기 제1 전극 및 제2 전극의 길이 방향에 대해 직교하도록 위치될 수 있다.
한편, 상기 가이드 부재는, 상기 베이스 기판의 표면과 상기 전극라인의 표면을 감싸도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 가이드 부재는, 판 형상으로 이루어져서 하면이 상기 전극라인의 상면과 접촉되게 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법은 제1 전극 및 제2 전극에 대해 직교하는 상태로 초소형 LED 소자를 위치시킬 수 있다. 이에 따라, 초소형 LED 소자들 중에서 제1 전극 및 제2 전극에 연결되는 초소형 LED 소자의 개수가 증가됨으로써, 초소형 LED 전극어셈블리로부터 외부로 방출되는 광자가 증가함에 따라 초소형 LED 전극어셈블리의 광추출 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다.
추가적으로, 가이드 부재에 형성되는 슬릿부의 개수를 조절하는 것만으로, 전극라인 상에 안착되는 초소형 LED 소자의 개수를 용이하게 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법의 순서도이다.
도 2 내지 도 5는 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 2는 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 가이드 부재가 베이스 기판 상에 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 베이스 기판 상에 가이드 부재가 형성된 상태에서 초소형 LED 소자를 포함하는 용액을 토출하는 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5의 초소형 LED 전극어셈블리에서 Ⅵ-Ⅵ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리를 도시한 도면이다.
도 8은 베이스 기판 상에 판 형상의 가이드 부재를 안착시키는 과정을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서 "제1 전극"과 "제2 전극"은 초소형 LED 소자가 실질적으로 실장될 수 있는 전극 영역 또는 상기 전극 영역과 더불어 베이스 기판상 전극을 배치하는 방법에 따라 더 포함될 수 있는 전극 영역까지를 모두 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 초소형 LED 전극어셈블리는 초소형 LED 소자가 실질적으로 실장될 수 있는 전극영역을 의미할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법의 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법(S100)은 베이스 기판을 마련하는 단계(S110), 상기 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계(S120), 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부를 포함하는 가이드 부재를 형성하는 단계(S130) 및 상기 가이드 부재의 슬릿부에 초소형 LED소자를 투입하는 단계(S140)를 포함한다.
이하에서는 전술한 본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법의 각 과정을 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 5는 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법을 순차적으로 도시한 도면이다. 도 2는 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 베이스 기판을 마련하는 단계(S110, 도 1 참조)는 미도시된 지지 유닛에 베이스 기판(110)을 고정한다. 여기서, 지지 유닛은 일반적인 반도체 제조 공정에서 특정 대상물을 고정하는데 사용하는 지지 유닛일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
베이스 기판을 마련하는 단계(S110, 도 1 참조)를 실시한 이후, 상기 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계(S120, 도 1 참조)를 실시한다.
베이스 기판(110)에 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)을 형성하는 방법의 일례를 설명하기로 한다. 베이스 기판(110) 상에 광 레지스트(PR: photo resist)를 코팅할 수 있다. 상기 광 레지스트는 당업계에서 통상적으로 사용하는 광 레지스트일 수 있다. 상기 광 레지스트를 베이스 기판(110)상에 코팅하는 방법은 스핀코팅, 스프레이코팅 및 스크린 프린팅 중 어느 하나 일 수 있다. 다만, 바람직하게는 스핀코팅일 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
베이스 기판(110) 상에 코팅되는 광 레지스트의 두께는 0.1㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다. 다만, 코팅되는 광 레지스트의 두께는 이후 베이스 기판(110) 상에 증착될 전극의 두께를 고려하여 제조사의 설계에 따라 가변될 수 있다.
상기와 같이 베이스 기판(110) 상에 광 레지스트층을 형성시킨 이후, 동일평면 상에 제1 전극(121)과 제2 전극(122)이 상호 교번적 배치로 이격되어 있는 전극라인(120)에 상응하는 패턴이 형성된 마스크를 광 레지스트층에 올려놓고, 상기 마스크 상부에서 자외선을 노광할 수 있다.
이후 노광되지 않은 광 레지스트층을 통상적인 광 레지스트 용매에 침지시켜 제거하는 단계를 거칠 수 있고, 이를 통해 전극라인(120)이 형성될 노광된 광 레지스트층 부분을 제거할 수 있다.
다음으로, 전극라인(120) 마스크의 형상으로 광 레지스트층이 제거된 부분에 전극 형성 물질을 증착할 수 있다. 상기 전극 형성 물질은 제1 전극(121)의 경우 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 폴리머(polymer) 및 금속 나노와이어 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질일 수 있다.
상기 전극 형성 물질이 2종 이상일 경우, 바람직하게는 제1 전극(121)은 2종 이상의 물질이 적층된 구조일 수 있다. 보다 더 바람직하게는 제1 전극(121)은 타이타늄/골드로 2종 물질이 적층된 전극일 수 있다. 다만, 제1 전극(121)은 상기 기재에 제한되는 것은 아니다.
상기 전극 형성 물질은 제2 전극(122)의 경우 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 폴리머(polymer) 및 금속 나노와이어 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질 일수 있다, 상기 전극 형성 물질이 2종 이상일 경우 바람직하게는 제2 전극(122)은 2종 이상의 물질을 적층한 구조일 수 있다. 더욱 바람직하게 제2 전극(122)은 타이타늄/골드로 2종 물질이 적층된 전극일 수 있으나, 제2 전극(122)은 상기 기재에 제한되는 것은 아니다.
상기 제1 전극(121)과 제2 전극(122)을 형성하는 물질은 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 전극 형성 물질의 증착은 열증착법, e-빔 증착법, 스퍼터링 증착법 및 스크린 프린팅 방법 등의 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착될 수 있으며 바람직하게는 열증착 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전극 형성 물질을 증착한 이후 아세톤, N-메틸피롤리돈 (1-Methyl-2-pyrrolidone, NMP) 및 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO) 중 어느 하나의 광 레지스트 제거제를 이용하여 베이스기판(100)에 코팅된 광 레지스트층(101)을 제거하면 베이스 기판(110)상에 증착된 전극라인(120)을 제조할 수 있다.
상술한 방법을 통해 제조된 본 발명의 전극라인(120)에서 단위 전극 면적 즉, 초소형 LED 소자(141)를 배열하여 독립적으로 구동 시킬 수 있는 두 전극이 배치된 배열 영역의 면적은 바람직하게는 1㎛2 내지 100㎝2이고, 보다 더 바람직하게는 10㎛2 내지 100㎜2일 수 있으나, 단위 전극의 면적은 상기의 면적에 제한되는 것은 아니다.
그리고, 상기 전극라인(120)에서 제1 전극(121)과 제2 전극(122) 사이의 이격 간격은 초소형 LED 소자(141)의 길이 이하일 수 있다. 이에 따라 제1 전극(121)과 제2 전극(122) 사이에 초소형 LED 소자(141)가 누운 형태로 두 전극 사이에 끼거나 또는 두 전극에 걸쳐 연결될 수 있다.
한편, 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계(S120, 도 1 참조)에서는 제1 리드 전극(123)과 제2 리드 전극(124)도 함께 형성하는 것도 가능할 수 있다. 제1 리드 전극(123)과 제2 리드 전극(124)에 대해서는 후술하기로 한다.
도 3은 가이드 부재가 베이스 기판 상에 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부를 포함하는 가이드 부재를 형성하는 단계(S130, 도 1 참조)에서 "가이드 부재를 형성한다"는 의미는 가이드 부재(130)를 베이스 기판(110)의 표면에 직접적으로 형성하거나, 가이드 부재(130)를 베이스 기판(110)으로부터 이격되게 위치시키는 것 모두를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가이드 부재(130)는 상기 베이스 기판(110)의 표면과 상기 전극라인(120)의 표면을 감싸도록 이루어질 수 있다. 이와 다르게, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 가이드 부재(130)는 일례로 판(plate) 형상으로 이루어질 수 있고, 가이드 부재(130)의 하면은 상기 전극라인(120)의 상면과 접촉되게 형성된 것일 수 있다. 즉, 가이드 부재(130)는 베이스 기판(110)으로부터 상기 전극라인(120)의 두께만큼 이격되는 것도 가능할 수 있다.
한편, 이와 같이 가이드 부재(130)가 판 형상으로 이루어진 경우, 상기 베이스 기판 상에 복수의 슬릿부를 포함하는 가이드 부재를 형성하는 단계(S130, 도 1 참조)에서는 상기 가이드 부재(130)의 복수의 슬릿부(131)가 라인 형상으로 이루어진 상기 전극라인(120)과 직교하도록 상기 가이드 부재의 위치를 정렬하는 과정을 실시할 수 있다.
더욱 상세하게 설명하면, 전극라인(120)을 구성하는 상기 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)이 좌우 방향으로 나란하게 형성되는 경우, 복수의 슬릿부(131)의 길이 방향은 전후 방향이 되도록 위치될 수 있다. 즉, 복수의 슬릿부(131)는 상기 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)과 90°를 이루도록 위치될 수 있다.
한편, 가이드 부재(130)의 위치 정렬 방법은 일례로, 정렬 유닛(align unit, 미도시)을 사용하는 방법일 수 있다. 가이드 부재(130)가 3축으로 이동 가능한 정렬 유닛에 의해 베이스 기판(110) 상에 정렬될 수 있다. 가이드 부재(130)는 정렬 유닛의 일측에 결합될 수 있다.
정렬 유닛은 대상물을 다방향으로 이동할 수 있는 장치일 수 있다. 이를 위한 정렬 유닛은 일례로 특정 부재를 3축 또는 그 이상의 다축으로 이동할 수 있는 장치이면 어느 것이든 가능할 수 있으므로, 특정 구조로 한정하지는 않는다.
도 4는 베이스 기판 상에 가이드 부재가 형성된 상태에서 초소형 LED 소자를 포함하는 용액을 토출하는 과정을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 가이드 부재의 슬릿부에 초소형 LED 소자를 투입하는 단계(S140, 도 1 참조)는 일례로 상기 초소형 LED 소자(141)가 포함된 용액(140)을 상기 가이드 부재(130)에서 복수의 슬릿부(131)가 형성된 영역에 토출하는 방법이 사용될 수 있다.
여기서, 상기 초소형 LED 소자(141)를 포함하는 용액(140)은 일례로 복수개의 초소형 LED 소자(141)를 용매에 혼합하여 제조한 것일 수 있다. 상기 용액(140)은 잉크 또는 페이스트 상태일 수 있다. 바람직하게 상기 용매는 아세톤, 물, 알코올 및 톨루엔으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있고, 보다 바람직하게는 아세톤일 수 있다. 다만, 용매의 종류는 상기의 기재에 제한되는 것은 아니며 초소형 LED 소자(141)에 물리적, 화학적 영향을 미치지 않으면서 잘 증발할 수 있는 용매의 경우 어느 것이나 제한 없이 사용될 수 있다.
한편, 용액(140)에서 초소형 LED 소자(141)는 용매 100 중량부에 대해 0.001 내지 100 중량부 범위에 포함될 수 있다. 만일 0.001 중량부 미만으로 포함될 경우 전극에 연결되는 초소형 LED 소자(141)의 수가 적어 초소형 LED 전극어셈블리(100)의 정상적 기능발휘가 어려울 수 있고, 이를 극복하기 위하여 용액(140)을 가이드 부재(130) 상에 여러 번 토출해야 할 수 있다. 그리고, 초소형 LED 소자(141)는 용매 100 중량부에 대해 100 중량부를 초과하는 경우 서로 간의 간섭에 의해 초소형 LED 소자(141)들 개개의 정렬이 방해를 받을 수 있다.
상기 초소형 LED 소자(141)에 대해 설명한다. 본 발명에 사용될 수 있는 초소형 LED 소자(141)는 일반적으로 조명 또는 디스플레이에 사용되는 초소형 LED 소자(141)이면 제한 없이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 상기 초소형 LED 소자(141)의 길이는 100㎚ 내지 10㎛일 수 있고, 보다 더 바람직하게는 500㎚ 내지 5㎛일 수 있다.
여기서, 초소형 LED 소자(141)의 길이가 100nm미만인 경우 고효율의 LED 소자의 제조가 어려울 수 있고, 10㎛를 초과하는 경우 LED 소자의 발광 효율을 저하시킬 수 있다. 초소형 LED 소자(141)의 형상은 원기둥, 직육면체 등 다양한 형상일 수 있고, 바람직하게는 원기둥 형상일 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리를 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법(S100, 도 1 참조)은 상기 베이스 기판 상에 형성된 상기 가이드 부재를 제거하는 단계(S150, 도 1 참조)를 더 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판 상에 형성된 상기 가이드 부재를 제거하는 단계(S150, 도 1 참조)는 상기 가이드 부재(130)의 슬릿부(131)에 초소형 LED 소자(141)를 투입한 이후에 실시될 수 있다. 가이드 부재(130)를 제거하는 방법은 일례로 특정 식각 용액에만 반응(식각)하는 소재로 가이드 부재(130)를 형성하고 상기 식각 용액을 사용하는 방법이 사용될 수 있으나, 이에 한정하지는 않으며, 베이스 기판(110) 상에서 가이드 부재(130)만을 제거할 수 있는 방법이면 어느 방법이든 무방할 수 있다.
예를 들어, 상기 가이드 부재는 건식 식각(dry etching) 방법에 의해 제거되는 것도 가능할 수 있다.
도 5 및 도 6으로 되돌아가서, 전술한 본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법(S100, 도 1 참조)에 의해 제조된 초소형 LED 전극어셈블리(100)는 초소형 LED 소자(141)가 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)에 대해 직교하는 상태로 연결될 수 있다.
이에 따라, 초소형 LED 소자(141)들 중에서 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)에 연결될 수 있는 초소형 LED 소자의 개수가 증가됨으로써, 초소형 LED 전극어셈블리(100)로부터 외부로 방출되는 광자가 증가함에 따라 초소형 LED 전극어셈블리(100)의 광추출 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다.
추가적으로, 가이드 부재(130)에 형성되는 슬릿부(131)의 개수를 조절하는 것만으로, 전극라인(120) 상에 안착되는 초소형 LED 소자(141)의 개수를 용이하게 조절할 수 있다.
이하에서는 전술한 본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법(S100, 도 1 참조)에 의해 제조될 수 있는 초소형 LED 전극어셈블리(100)에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리(100)는 베이스 기판(110), 전극라인(120), 가이드 부재(130) 및 초소형 LED 소자(141)를 포함할 수 있다.
베이스 기판(110)은 일례로 유리기판, 수정기판, 사파이어 기판, 플라스틱 기판 및 구부릴 수 있는 유연한 폴리머 필름 중 선택된 어느 하나일 수 있다. 다만, 베이스 기판(110)의 종류가 전술한 종류에 한정되는 것은 아니며 전극이 형성될 수 있는 부재이면 어느 것이든 무방할 수 있다. 이러한 베이스 기판(110)은 투명한 소재로 이루어질 수 있다.
상기 베이스 기판(110)의 면적은 제한이 없으며, 베이스 기판(110)상에 형성될 제1 전극(121)의 면적, 제2 전극(122)의 면적, 상기 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)에 연결되는 초소형 LED 소자(141) 사이즈 및 연결되는 초소형 LED 소자(141) 개수를 고려하여 제조사의 설계에 따라 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(110)의 두께는 100㎛ 내지 1 mm일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
전극라인(120)은 제1 전극(121)과 제2 전극(122)을 포함한다. 제2 전극(122)은 제1 전극(121)과 이격되게 형성될 수 있다. 제2 전극(122)은 제1 전극(121)과 동일평면 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(121)과 제2 전극(122)은 베이스 기판(110)의 상면에 형성될 수 있다.
한편, 베이스 기판(110) 상에는 제1 리드 전극(123)과 제2 리드 전극(124)이 형성될 수 있다. 상기 제1 리드 전극(123)과 제2 리드 전극(124)은 제1 전극(121)및 제2 전극(122)과 동일한 평면에 형성될 수 있다. 제1 전극(121)은 제1 리드 전극(123)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(122)은 제2 리드 전극(124)에 전기적으로 연결된다.
이러한 제1 리드 전극(123)과 제2 리드 전극(124)은 베이스 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인(120)을 형성하는 단계(S120, 도 1 참조)에서 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)과 함께 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
가이드 부재(130)는 베이스 기판(110) 상에 위치된다. 상기 가이드 부재(130)의 크기는 일례로 상기 베이스 기판(110)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 가이드 부재(130)는 상기 전극라인(120)과 대응되도록 위치된 복수의 슬릿부(131)가 형성될 수 있다.
가이드 부재(130)는 상기 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 여기서 "베이스 기판(110) 상에 형성된다"의 의미는 가이드 부재(130)가 베이스기판 표면에 직접적으로 형성하는 것을 포함할 수 있고, 베이스 기판(110)의 상부로부터 이격되어 형성될 수 있음을 의미할 수 있다.
예를 들어, 상기 가이드 부재(130)는 상기 베이스 기판(110)의 표면과 상기 전극라인(120)의 표면을 감싸도록 형성될 수 있다. 이와 다르게, 가이드 부재(130)는 전극라인(120)의 상면에 형성될 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 도 8에 도시된 바와 같이 가이드 부재(130)를 별도로 제조한 다음, 정렬 유닛(미도시)으로 베이스 기판(110) 상에 가이드 부재(130)를 안착시킬 수 있다.
이에 따라, 가이드 부재(130)의 하부면이 전극라인(120)의 상면에 접촉되고, 가이드 부재(130)는 베이스 기판(110)으로부터 상기 전극라인(120)의 두께만큼 이격되도록 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 가이드 부재(130)에는 복수의 슬릿부(131)가 형성된다. 복수의 슬릿부(131)는 상기 전극라인(120)과 대응되도록 위치된다. 복수의 슬릿부(131)에는 상기 초소형 LED 소자(141)들이 수용된다. 이러한 복수의 슬릿부(131) 각각은 일정 간격마다 형성될 수 있다.
한편, 슬릿부(131)의 폭은 상기 초소형 LED 소자(141)의 외경보다 크거나, 상기 초소형 LED 소자(141)의 외경과 동일하게 형성될 수 있다. 다만, 상기 슬릿부(131)의 폭이 상기 초소형 LED 소자(141)의 외경보다 큰 것이 슬릿부(131)에 상기 초소형 LED 소자(141)가 원활하게 수용될 수 있게 하는데 있어서 유리할 수 있다.
초소형 LED 소자(141)는 빛을 발광한다. 초소형 LED 소자(141)는 복수개일 수 있다. 초소형 LED 소자(141)의 일측은 상기 제1 전극(121)에 연결되고, 타측은 제2 전극(122)에 연결된다.
본 발명의 일실시예에 따른 초소형 LED 전극어셈블리(100)에서 이러한 초소형 LED 소자(141)는 가이드 부재(130)에 의해 상기 전극라인(120) 상에 상기 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)의 길이 방향에 대해 직교하도록 위치될 수 있다. 이때, 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)은 라인(line) 형상으로 이루어져서 서로 교번하여 형성될 수 있다. 초소형 LED 소자(141)는 소정의 길이를 갖도록 이루어질 수 있으며, 초소형 LED 소자(141)는 상기 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)과 90°를 이루도록 위치될 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 초소형 LED 전극어셈블리 110: 베이스 기판
120: 전극라인 121: 제1 전극
122: 제2 전극 130: 가이드 부재
131: 슬릿부 140: 용액
141: 초소형 LED 소자

Claims (10)

  1. 베이스 기판을 마련하는 단계;
    상기 베이스 기판의 동일평면 상에 상호 교번적으로 평행하게 이격 배치되는 라인 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 상에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이 방향에 직교하도록 연장된 복수 개의 슬릿부가 서로 나란하게 이격 형성된 가이드 부재를 형성하는 단계; 및
    상기 가이드 부재의 상기 복수 개의 슬릿부에 복수의 초소형 LED소자를 투입하는 단계;를 포함하되,
    상기 초소형 LED 소자의 길이는 100nm 내지 10um이며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 초소형 LED 소자의 길이 이하이며,
    상기 복수 개의 슬릿부 각각의 폭은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 초소형 LED 소자가 누운 형태로 끼거나 또는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 걸쳐 연결될 수 있도록 상기 초소형 LED 소자의 외경보다 크거나, 상기 초소형 LED 소자의 외경과 동일하게 형성되고,
    상기 가이드 부재의 상기 복수 개의 슬릿에 복수의 초소형 LED소자를 투입하는 단계에서 상기 초소형 LED 소자가 포함된 용액은 상기 전극라인과 서로 직교하게 위치한 상기 가이드 부재의 상기 복수의 슬릿부가 형성된 영역에 토출되도록 하여 상기 초소형 LED 소자가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대해 직교하는 상태로 연결되도록 하며,
    상기 가이드 부재를 형성하는 단계에서는 상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판의 표면에 직접 형성하거나, 상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판으로부터 이격되게 위치시키는, 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판 상에 형성된 상기 가이드 부재를 제거하는 단계를 더 포함하며,
    상기 가이드 부재가 상기 베이스 기판의 표면에 직접 형성되는 경우, 상기 베이스 기판 상에 형성된 상기 가이드 부재를 제거하는 단계에서, 상기 가이드 부재는 소정의 식각 용액에만 반응하는 소재로 형성된 후 상기 식각 용액에 의하여 식각됨으로써 제거되는, 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가이드 부재를 형성하는 단계에서, 상기 가이드 부재가 상기 베이스 기판으로부터 이격되게 위치되는 경우, 3축으로 이동가능한 정렬 유닛에 의하여 상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판 상에 정렬시키는 단계를 더 포함하는, 초소형 LED 전극어셈블리 제조방법.
  5. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 동일평면 상에 상호 교번적으로 평행하게 이격 배치되는 라인 형상의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극라인;
    상기 베이스 기판 상에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이 방향에 직교하도록 연장된 복수 개의 슬릿부가 서로 나란하게 이격 형성된 가이드 부재; 및
    일측은 상기 제1 전극에 연결되고, 타측은 제2 전극에 연결되도록 상기 가이드 부재의 상기 복수 개의 슬릿부에 투입되는 복수의 초소형 LED 소자;를 포함하며,
    상기 초소형 LED 소자의 길이는 100nm 내지 10um이며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 초소형 LED 소자의 길이 이하이며,
    상기 복수 개의 슬릿부 각각의 폭은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 초소형 LED 소자가 누운 형태로 끼거나 또는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 걸쳐 연결될 수 있도록 상기 초소형 LED 소자의 외경보다 크거나, 상기 초소형 LED 소자의 외경과 동일하게 형성되고,
    상기 초소형 LED 소자가 상기 복수 개의 슬릿부에 투입 시, 상기 초소형 LED 소자가 포함된 용액이 상기 가이드 부재의 상기 복수의 슬릿부가 형성된 영역에 토출됨으로써, 상기 복수 개의 슬릿부에 상기 초소형 LED 소자가 투입되며,
    상기 초소형 LED 소자가 포함된 용액은 상기 전극라인과 서로 직교하게 위치한 상기 가이드 부재의 상기 복수의 슬릿부가 형성된 영역에 토출되도록 하여 상기 초소형 LED 소자가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대해 직교하는 상태로 연결되도록 하며,
    상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판의 표면에 직접 형성하거나, 상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판으로부터 이격되게 위치시키는, 초소형 LED 전극어셈블리.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 가이드 부재가 상기 베이스 기판의 표면에 직접 형성되는 경우, 상기 가이드 부재는 소정의 식각 용액에만 반응하는 소재로 형성된 후 상기 식각 용액에 의하여 식각됨으로써 제거되는, 초소형 LED 전극어셈블리.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 부재 형성시, 상기 가이드 부재가 상기 베이스 기판으로부터 이격되게 위치되는 경우, 3축으로 이동가능한 정렬 유닛에 의하여 상기 가이드 부재를 상기 베이스 기판 상에 정렬시키는, 초소형 LED 전극어셈블리.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    상기 베이스 기판과 대응되는 크기로 형성된, 초소형 LED 전극어셈블리.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    상기 베이스 기판의 표면과 상기 전극라인의 표면을 감싸도록 형성된, 초소형 LED 전극어셈블리.
KR1020160004843A 2016-01-14 2016-01-14 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법 Active KR101814104B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160004843A KR101814104B1 (ko) 2016-01-14 2016-01-14 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
PCT/KR2017/000460 WO2017123040A1 (ko) 2016-01-14 2017-01-13 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
US16/070,208 US10784246B2 (en) 2016-01-14 2017-01-13 Ultra-small LED electrode assembly and method for preparing same
US17/027,622 US11380670B2 (en) 2016-01-14 2020-09-21 Ultra-small LED electrode assembly and method for preparing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160004843A KR101814104B1 (ko) 2016-01-14 2016-01-14 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170091805A KR20170091805A (ko) 2017-08-10
KR101814104B1 true KR101814104B1 (ko) 2018-01-04

Family

ID=59311951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160004843A Active KR101814104B1 (ko) 2016-01-14 2016-01-14 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10784246B2 (ko)
KR (1) KR101814104B1 (ko)
WO (1) WO2017123040A1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023113198A1 (ko) * 2021-12-14 2023-06-22 (주)랩엔트 유체를 마이크로 ｌｅｄ의 소프트 랜딩 매개로 이용하여 마이크로 ｌｅｄ를 디스플레이에 조립하는 방법
US11870024B2 (en) 2018-08-07 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device having a bridge pattern provided in a peripheral area
US12289940B2 (en) 2019-06-21 2025-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device, and method for manufacturing same
US12520645B2 (en) 2019-12-18 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US12520630B2 (en) 2021-05-10 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102441566B1 (ko) * 2017-08-07 2022-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102552602B1 (ko) * 2018-07-10 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102756386B1 (ko) * 2019-01-15 2025-01-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치
KR102810550B1 (ko) * 2019-02-13 2025-05-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
EP3985733B1 (en) 2019-06-11 2025-10-15 LG Electronics Inc. Display device using micro-led, and manufacturing method therefor
KR102742392B1 (ko) * 2019-06-11 2024-12-13 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102746623B1 (ko) * 2019-06-11 2024-12-27 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR102748974B1 (ko) * 2019-06-21 2025-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021080028A1 (ko) * 2019-10-22 2021-04-29 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US11869880B2 (en) 2019-11-05 2024-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of transferring micro-light emitting diode for LED display
KR102707527B1 (ko) * 2019-11-13 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102784887B1 (ko) * 2019-12-30 2025-03-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102825982B1 (ko) * 2020-05-06 2025-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220083935A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022211549A1 (ko) * 2021-03-31 2022-10-06 엘지디스플레이 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230157157A (ko) * 2022-05-09 2023-11-16 주식회사 어드밴스트뷰테크널러지 적층형 마이크로 led 소자를 포함하는 led 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091257A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源装置の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657289B1 (en) * 2001-07-13 2003-12-02 Alien Technology Corporation Apparatus relating to block configurations and fluidic self-assembly processes
US7080444B1 (en) * 2002-02-28 2006-07-25 Alien Technology Corporation Apparatus for forming an electronic assembly
JP2005209794A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
US7217592B2 (en) * 2004-03-12 2007-05-15 New Jersey Institute Of Technology Method of magnetic field assisted self-assembly
JP4617761B2 (ja) 2004-08-03 2011-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US7662008B2 (en) * 2005-04-04 2010-02-16 Searete Llc Method of assembling displays on substrates
US7943052B2 (en) * 2005-07-05 2011-05-17 National Taiwan University Method for self-assembling microstructures
US9329433B2 (en) * 2010-03-12 2016-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device
KR101058880B1 (ko) * 2010-05-07 2011-08-25 서울대학교산학협력단 액티브 소자를 구비한 ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20130028305A (ko) 2011-09-09 2013-03-19 포항공과대학교 산학협력단 하부 기판에 형성된 상부 보조전극을 포함한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
WO2015005655A1 (ko) 2013-07-09 2015-01-15 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
KR102067420B1 (ko) 2013-08-30 2020-01-17 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
US10074635B2 (en) * 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
KR20170026957A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091257A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11870024B2 (en) 2018-08-07 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device having a bridge pattern provided in a peripheral area
US12289940B2 (en) 2019-06-21 2025-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device, and method for manufacturing same
US12520645B2 (en) 2019-12-18 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US12520630B2 (en) 2021-05-10 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
WO2023113198A1 (ko) * 2021-12-14 2023-06-22 (주)랩엔트 유체를 마이크로 ｌｅｄ의 소프트 랜딩 매개로 이용하여 마이크로 ｌｅｄ를 디스플레이에 조립하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190035980A1 (en) 2019-01-31
KR20170091805A (ko) 2017-08-10
US20210005596A1 (en) 2021-01-07
WO2017123040A1 (ko) 2017-07-20
US11380670B2 (en) 2022-07-05
US10784246B2 (en) 2020-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101814104B1 (ko) 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
US11552232B2 (en) Ultra-small LED electrode assembly
KR101711187B1 (ko) 초소형 led 전극어셈블리
KR101382354B1 (ko) 전자기기 및 그 제조 방법과, 발광 다이오드 표시 장치 및그 제조 방법
CN107305915B (zh) 电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法
KR100889764B1 (ko) 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체및, 그것을 이용한 박막 증착 방법
US10950479B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
US20150101536A1 (en) Mask assembly and deposition apparatus using the same for flat panel display
SE1050461A1 (sv) Metoder för tillverkning av en startsubstratskiva för halvledartillverkning, med skivgenomgående anslutningar
CN105489598A (zh) 利用微机电制作工艺接合与组装发光二极管装置
KR102303912B1 (ko) 반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법 및 상기 마이크로 진공 모듈을 이용한 반도체의 전사 방법
KR20070036355A (ko) 나노갭 전극소자의 제작 방법
US20070063636A1 (en) Method of manufacturing an organic electronic device and organic electronic device
KR100354318B1 (ko) 유기전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
CN112198412B (zh) 一种测试结构及测试结构的制备方法
KR101805921B1 (ko) 정전기 측정 셀 및 이를 구비한 정전기 측정 장치
KR100718141B1 (ko) 임베드된 정렬 마크를 이용한 양면 식각 방법
US7348535B2 (en) Metal line structure of optical scanner and method of fabricating the same
KR100601003B1 (ko) Ｓｏｉ 기판을 이용한 마이크로 렌즈 제작 방법 및 이를이용한 마이크로 컬럼 모듈 제작 방법
KR100354320B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
CN114188228B (zh) 金属结构的制作方法
JP4797669B2 (ja) マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズの製造方法、及び表示装置の製造方法
KR100459878B1 (ko) 전계효과전자방출소자의스페이서제조방법
KR100359296B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
CN120751769A (zh) 电子装置的制作方法及使用其制备的电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160114

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161120

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170529

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20161120

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20170529

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20170120

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PG1501 Laying open of application
E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20170904

Patent event code: PE09021S02D

AMND Amendment
PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20171220

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20171103

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170727

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170529

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20170120

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20171226

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20171227

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201201

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221124

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241125

Start annual number: 8

End annual number: 8