[go: up one dir, main page]

KR101814096B1 - 인라인형 유체 혼합 장치 - Google Patents

인라인형 유체 혼합 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101814096B1
KR101814096B1 KR1020127017901A KR20127017901A KR101814096B1 KR 101814096 B1 KR101814096 B1 KR 101814096B1 KR 1020127017901 A KR1020127017901 A KR 1020127017901A KR 20127017901 A KR20127017901 A KR 20127017901A KR 101814096 B1 KR101814096 B1 KR 101814096B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow path
inlet
reduced diameter
fluid
passage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020127017901A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120121881A (ko
Inventor
토시히로 하나다
리셩리
Original Assignee
아사히 유키자이 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 유키자이 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 유키자이 가부시키가이샤
Publication of KR20120121881A publication Critical patent/KR20120121881A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101814096B1 publication Critical patent/KR101814096B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/45Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing
    • B01F23/451Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing by injecting one liquid into another
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/30Injector mixers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/30Injector mixers
    • B01F25/31Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows
    • B01F25/312Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows with Venturi elements; Details thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/30Injector mixers
    • B01F25/31Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows
    • B01F25/312Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows with Venturi elements; Details thereof
    • B01F25/3124Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows with Venturi elements; Details thereof characterised by the place of introduction of the main flow
    • B01F25/31243Eductor or eductor-type venturi, i.e. the main flow being injected through the venturi with high speed in the form of a jet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/30Injector mixers
    • B01F25/31Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows
    • B01F25/312Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows with Venturi elements; Details thereof
    • B01F25/3125Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows with Venturi elements; Details thereof characteristics of the Venturi parts
    • B01F25/31252Nozzles
    • B01F25/312522Profiled, grooved, ribbed nozzle, or being provided with baffles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/71Feed mechanisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F2025/91Direction of flow or arrangement of feed and discharge openings
    • B01F2025/913Vortex flow, i.e. flow spiraling in a tangential direction and moving in an axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/2202Mixing compositions or mixers in the medical or veterinary field
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/2204Mixing chemical components in generals in order to improve chemical treatment or reactions, independently from the specific application
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/87571Multiple inlet with single outlet
    • Y10T137/87587Combining by aspiration

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Abstract

본 발명은 제 1 입구부(20)에서 제 1 통로부(16)에 걸쳐서 제 1 입구 유로(3)를 형성하는 제 1 유로 형성 수단(2)과, 제 2 입구부(21)에서 제 2 통로부(19)에 걸쳐서 제 2 입구 유로(4)를 형성하는 제 2 유로 형성 수단(1, 2)과, 좁은 직경부(8)에서 확대 직경부(9) 및 출구부(22)에 걸쳐서 유로 면적이 확대되면서, 좁은 직경부(8)의 단부에 있어서 제 1 입구 유로(3) 및 제 2 입구 유로(4)에 각각 연통하는 출구 유로(5)를 형성하는 제 3 유로 형성 수단(1)과, 제 1 입구 유로(3) 및 제 2 입구 유로(4) 중 적어도 한쪽에 있어서 선회류를 발생시키는 선회류 발생 수단(12)을 구비하는 인라인형 유체 혼합 장치를 제공하는 것이다.

Description

인라인형 유체 혼합 장치{In-line Fluid Mixing Device}
본 발명은 화학 공장, 반도체 제조 분야, 식품 분야, 의료 분야, 바이오 분야 등의 각종 산업에서의 유체 수송 배관에 이용되는 유체 혼합 장치에 관한 것이다. 특히, 배관 라인 내에서 복수의 유체를 혼합하여 균일하게 교반할 수 있는 인라인형 유체 혼합 장치에 관한 것이다.
종래, 복수의 유체를 인라인으로 혼합하는 방법으로는 도 13에 나타내는 바와 같은 축소 직경부(104), 슬롯부(105), 확대 직경부(106)가 연속하여 형성된 조임 유로를 가지는 벤투리관(Venturi tube)을 사용한 방법이 이용되고 있다. 도 13에서는 입구 유로(101)로부터 유입된 메인 유체는, 축소 직경부(104), 슬롯부(105), 확대 직경부(106)의 순서로 통과하여 출구 유로(103)로 유출된다. 이러한 경우, 슬롯부(105)의 단면적은 입구 유로(101) 및 출구 유로(103)의 단면적보다 작게 설계되어 있다. 이 때문에, 슬롯부(105)를 흐를 때에 유속이 증대되고, 이에 따라 슬롯부(105) 부분에서 부압이 발생한다. 그 결과, 슬롯부(105) 부근에 연통되어 있는 흡인 유로(102)로부터 부압에 의하여 서브 유체가 흡인되고, 메인 유체와 혼합되어 출구 유로(103)로부터 유출된다. 이와 같은 인라인형 유체 혼합 장치의 이점은, 서브 유체를 주입하기 위한 특별한 장치, 예를 들어 펌프 등이 불필요하게 되는 것이다.
하지만, 이와 같은 유체 혼합 장치에서는, 흡인되는 유체가 슬롯부(105)의 내주에 연통한 흡인 유로(102)보다 둘레 방향으로 치우친 방향에서 합류하므로, 유로 내에서 혼합 얼룩이 발생하기 쉽다. 이러한 혼합 얼룩을 회피하고, 보다 균일하게 혼합 교반하기 위해서는 인라인형 유체 혼합 장치의 하류측에 정지형 믹서 등을 더 설치할 필요가 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 도 14에 나타내는 바와 같은 제트 노즐을 이용한 액체 혼합 장치(일본공개특허공보 2009-154049호를 참조)가 제안되어 있다. 이러한 액체 혼합 장치는, 원수(原水) 통로(107)에 약액 도입 펌프(108)에 의하여 토출되는 약액의 이젝터(ejector)(109)와 이젝터(109)의 하류측에 설치된 믹서(110)를 구비하고, 이젝터(109)의 노즐 부재(111) 바로 하류측에 노즐 부재(111)의 제트(112)보다 단면적이 큰 부압 발생 공간(113)이 형성된다. 노즐 부재(111)의 내부 통로(114)에는 원수 통로(107)로부터 원수가 도입되고, 도입된 원수가 제트(112)로부터 분사됨에 따라 부압 발생 공간(113)에 부압이 발생하여, 도입 연락 통로(115)로부터 약액이 도입된다.
이와 같은 이젝터(109)를 이용하면, 도입 연락 통로(115)로부터 유입되는 약액은 노즐 부재(111)의 외벽(116)을 따라서 모든 둘레 방향에서 원수로 혼입된다. 이 때문에, 종래의 벤투리관을 이용한 혼합 방법에 비하여 약액을 보다 균일하게 혼합할 수 있게 된다.
하지만, 상술한 종래의 액체 혼합 장치에 있어서는, 도입 연락 통로(115)로부터 유입되는 약액은 노즐 부재(111)의 외벽(116)의 외주에서의 가장 짧은 루트의 유로를 통하여 부압 발생 공간(113)으로 치우쳐서 흐르기 쉽다. 즉, 도 14의 아래쪽에서 부압 발생 공간(113)으로는 약액이 흐르기 어렵다. 이 때문에, 원수와 약액의 충분한 혼합이 불가능하여 혼합 얼룩이 발생하기 쉽다. 이러한 혼합 얼룩을 회피하기 위해서는, 이젝터(109)의 하류측에 정지형 믹서 등을 설치할 필요가 있으며, 이러한 경우에는 장치 전체가 복잡하게 되어서 장치의 제조 비용이 증대된다.
한편, 노즐 부재(111)의 제트(112)의 단면적을 더욱 작게 하여 원수가 분사되는 속도를 증가시킴으로써 혼합 효과를 높이는 것이 가능하다. 하지만, 원수의 유속이 일정 이상이 되면, 공동현상(cavitation)이 발생하고, 발생한 공동현상에 의하여 이젝터(109)의 하류측에 위치하는 배관의 내벽이 손상될 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 복수의 유체를 균일하게 혼합할 수 있으며, 공동현상이 발생하는 조건에서도 배관 내벽의 손상을 방지할 수 있는 인라인형 유체 혼합 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 인라인형 유체 혼합 장치는, 제 1 입구부와, 길이 방향으로 연장 설치된 제 1 통로부를 가지고, 제 1 입구부에서 제 1 통로부에 걸쳐서 제 1 입구 유로를 형성하는 제 1 유로 형성 수단과, 제 2 입구부와, 제 1 통로부의 주위를 포위하는 테이퍼면을 따라서 연장 설치된 제 2 통로부를 가지며, 제 2 입구부에서 제 2 통로부에 걸쳐서 제 2 입구 유로를 형성하는 제 2 유로 형성 수단과, 좁은 직경부와, 확대 직경부와, 출구부를 가지고, 좁은 직경부에서 확대 직경부 및 출구부에 걸쳐서 유로 면적이 확대되면서, 좁은 직경부의 단부에 있어서 제 1 입구 유로 및 제 2 입구 유로에 각각 연통하는 출구 유로를 형성하는 제 3 유로 형성 수단과, 제 1 입구 유로 및 제 2 입구 유로 중 적어도 한쪽에 있어서 선회류를 발생시키는 선회류 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서 중에 포함되어 있음.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1의 주요부 확대도이다.
도 3은 도 1의 인라인형 유체 혼합 장치의 본체에 형성된 홈부를 나타내는 정면도이다.
도 4는 도 1의 인라인형 유체 혼합 장치의 본체에 형성된 홈부의 다른 변형예를 나타내는 정면도이다.
도 5는 비교 시험용 인라인형 유체 혼합 장치의 본체에 형성된 홈부를 나타내는 정면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치의 성능을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치의 노즐에 형성된 홈부를 나타내는 정면도이다.
도 8은 도 7의 노즐에 형성된 홈부의 다른 변형예를 나타내는 정면도이다.
도 9의 (a)는 본 발명의 제 3 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치의 본체를 나타내는 종단면도이다.
도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치의 노즐을 나타내는 측면도이다.
도 11의 (a)는 본 발명의 제 5 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 노즐을 나타내는 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제 6 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 13은 종래의 벤투리관을 나타내는 종단면도이다.
도 14는 종래의 액체 혼합 장치를 나타내는 종단면도이다.
- 제 1 실시형태 -
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치의 구성을 나타내는 종단면도이고, 도 2는 도 1의 주요부 확대도이다. 이러한 유체 혼합 장치는 외형이 대략 원주 형상의 본체(1)와, 본체(1)에 끼워 맞추어지는 외형이 대략 원주 형상의 노즐 부재(2)를 가진다.
본체(1)의 일단면에는 노즐 부재(2)가 끼워진 수용부(6)가 설치되고, 타단면에는 출구 유로(5)를 형성하는 출구 개구부(22)가 설치되어 있다. 수용부(6)의 내주면의 개구측에는 암나사부(11)가 설치되어 있다. 수용부(6)의 바닥면(23)에는 둥근 고리 형상 홈부(10)가 형성되고, 둥근 고리 형상 홈부(10)의 외주면은 암나사부(11)의 대략 연장선 상에 위치하고 있다. 본체(1)의 내부에는, 수용부(6)의 바닥면 중심부에 형성되고, 출구 개구부(22)를 향하여 원추 사다리꼴 형상으로 직경이 축소되는 축소 직경부(7)와, 축소 직경부(7)에 연결 설치되며, 원통면을 이루는 슬롯부(좁은 직경부)(8)와, 슬롯부(7)에 연결 설치되어, 출구 개구부(22)를 향하여 원추 사다리꼴 형상으로 직경이 확대되는 확대 직경부(9)가 각각 본체(1)의 중심축(원주의 중심축)과 같은 축 상에 형성되어 있다. 이들 축소 직경부(7)와 슬롯부(8)와 확대 직경부(9)에 의하여, 축소 직경부(7)에서 출구 개구부(22)에 걸쳐서 벤투리 효과를 가지는 출구 유로(5)가 형성되어 있다. 또한, 확대 직경부(9)의 단부로부터 출구 개구부(22)까지는 원통면에 의하여 유로가 형성되어 있다.
도 3은 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)의 정면도(도 1의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도)이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본체(1)의 외주면에는 둘레 방향의 소정 위치(도 3에서는 꼭대기부)에 제 2 입구 개구부(21)가 설치되고, 제 2 입구 개구부(21)는 둥근 고리 형상 홈부(10)에 연통하고 있다. 수용부(6)의 바닥면(23)에는 둥근 고리 형상 홈부(10)로부터 축소 직경부(7)의 둘레에 걸쳐서 복수의 방사 곡선 형상의 홈부(12)가 둘레 방향에 등간격으로 형성되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 노즐 부재(2)는 외주면에 수나사부(15)가 설치된 원주부(13)와, 원주부(13)의 일단면에 원주부(13)와 같은 축 상이면서 원추 사다리꼴 형상으로 돌출 설치된 돌출부(14)를 가진다. 원주부(13)의 타단면에는 제 1 입구 개구부(20)가 설치되고, 돌출부(14)의 끝면에는 토출구(16)가 설치되어 있다. 노즐 부재(2)의 내부에는 유로의 도중에서 토출구(16)를 향하여 직경이 축소된 원추 사다리꼴 형상의 테이퍼부(17)가 노즐 부재(2)의 중심축과 같은 축 상에 설치되고, 제 1 입구 개구부(20)로부터 토출구(16)에 걸쳐서 출구측에서 좁아지는 제 1 입구 유로(3)가 형성되어 있다. 또한, 제 1 입구 개구부(20)로부터 테이퍼부(17)의 일단부 및 테이퍼부(17)의 타단부에서 토출구(16)까지는 원통면에 의하여 유로가 형성되어 있다.
노즐 부재(2)의 수나사부(15)는 원주부(13)의 끝면(24)이 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)에 맞닿을 때까지 본체(1)의 수용부(6)의 암나사부(11)에 밀봉 상태로 나사 결합되고, 노즐 부재(2)가 본체(1)의 수용부(6)에 끼워져 삽입되어 있다. 이때, 본체(1)의 축소 직경부(오목부)(7) 내에 돌출부(볼록부)(14)가 수용되며, 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)에 설치된 홈부(12)와 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24)에 의하여 연통 유로(18)가 형성되어 있다. 더욱이, 본체(1)의 축소 직경부(7)의 내주면(테이퍼면)과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면(테이퍼면) 사이에는 클리어런스(clearance)가 형성되며, 이러한 클리어런스에 의하여 테이퍼면을 따라서 고리 형상 유로(19)가 형성되어 있다.
이에 따라, 제 2 입구 개구부(21)로부터 둥근 고리 형상 홈부(10), 연통 유로(18) 및 고리 형상 유로(19)를 통하여 본체(1)의 슬롯부(8)에 연통하고, 출구측에서 좁아지는 제 2 입구 유로(4)가 형성되어 있다. 또한, 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24)이 맞닿지 않고, 양자 사이에 적절한 클리어런스가 형성되어도 좋다. 클리어런스가 형성되는 경우, 그러한 클리어런스 부분과 홈부(12) 부분이 둥근 고리 형상 홈부(10)와 고리 형상 유로(19)를 연통하는 연통 유로(18)를 형성한다.
홈부(12)의 형상은 도 3에 나타내는 것으로 한정되지 않으며, 예를 들어 도 4에 나타내는 바와 같이, 노즐 부재(2) 내의 제 1 입구 유로(3)의 중앙축선에 대하여 편심(偏芯)하여 직선 형상으로 복수의 홈부(12b)를 설치하여도 좋다. 즉, 노즐 부재(2) 내의 유로 중앙축선과는 교차하지 않고 직경 방향 바깥쪽으로 연장되는 직선을 따라서 홈부(12b)를 설치하여도 좋으며, 선회류를 발생시키기 위하여 축소 직경부(7)의 둘레부의 원주에 대하여 맞닿아 연통하고 있다면, 홈부(12)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 홈부(12)의 단면 형상 및 홈부(12)의 개수에 대하여도 특별히 한정되지 않는다.
또한, 본체(1) 및 노즐 부재(2)의 재질은, 사용하는 유체에 의하여 잠기지 않는 재질이라면 특별히 한정되지 않고, 폴리염화비닐, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등 어느 것이라도 좋다. 특히 유체로서 부식성 유체를 이용하는 경우에는, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리비닐리덴플루오르라이드, 테트라플루오르에틸렌·퍼플루오르알킬비닐에테르 공중합 수지 등의 불소 수지인 것이 바람직하다. 불소 수지제라면 부식성 유체에 이용할 수 있으며, 부식성 가스가 투과하여도 배관 부재의 부식의 우려가 없으므로 적합하다. 본체(1) 또는 노즐 부재(2)의 구성재를 투명 또는 반투명한 부재로 하여도 좋으며, 이러한 경우에는 유체의 혼합 상태를 눈으로 보아 확인할 수 있으므로 적합하다. 유체 혼합기에 흐르는 물질에 따라서는 각 부품의 재질은 철, 구리, 구리 합금, 놋쇠, 알루미늄, 스테인리스, 티탄 등의 금속이나 합금이어도 좋다. 특히 유체가 식품인 경우, 위생적으로 수명이 긴 스테인리스가 바람직하다. 본체와 노즐의 조립 방법은 나사 결합, 용접, 용착, 접착, 핀 고정, 끼워 맞춤 등의 내부 유체의 밀폐성이 유지되는 방법이라면 어떤 방법이라도 좋다. 제 1 입구 개구부(20), 제 2 입구 개구부(21) 및 출구 개구부(22)에는 각각 유체를 도입 및 배출하기 위한 배관(미도시)이 접속되는데, 그 접속 방법은 특별히 한정되지 않는다.
이하, 본 발명의 제 1 실시형태의 동작에 대하여 설명한다. 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치에 있어서는, 제 1 입구 개구부(20)로부터 메인 유체를 도입하여 발생한 부압에 의하여 제 2 입구 개구부(21)로부터 서브 유체가 흡인되는 경우와, 제 2 입구 개구부(21)로부터 메인 유체를 도입하여 조임 유로에 발생한 부압에 의하여 제 1 입구 개구부(20)로부터 서브 유체가 흡인되는 경우 중 어떤 것을 선택할 수 있다.
우선, 보다 효과적으로 양 유체의 혼합을 할 수 있는 제 2 입구 개구부(21)로부터 메인 유체를 도입하는 경우에 대하여 설명한다.
도 1에 있어서, 제 2 입구 개구부(21)로부터 펌프 등의 압송 수단에 의하여 도입된 메인 유체는, 제 2 입구 유로(4)를 통과하여 흐른다. 즉, 둥근 고리 형상 홈부(10)로부터 연통 유로(18) 및 고리 형상 유로(19)를 거쳐서 본체(1)의 슬롯부(8)로 유입된다. 둥근 고리 형상 홈부(10)로부터 연통 유로(18)로 메인 유체가 흐를 때, 유로의 개구 면적이 축소되므로, 둥근 고리 형상 홈부(10) 내에서 일시적으로 메인 유체가 넘친다. 이러한 상태에서 메인 유체는 연통 유로(18)를 통하여 고리 형상 유로(19)로 흐르므로, 슬롯부(8)에 유로의 전체 둘레에서 균일하게 메인 유체가 흘러들어간다. 이때, 연통 유로(18)는 고리 형상 유로(19)에 대하여 메인 유체의 흐름이 방사 곡선 형상이 되도록 형성되어 있으므로, 둥근 고리 형상 홈부(10)에 도입된 메인 유체는 고리 형상 유로(19) 내를 선회하면서 고리 형상 유로(19)의 전체 둘레에서 균일하게 슬롯부(8)로 흐른다. 슬롯부(8)로 유입된 메인 유체는 선회류가 되어서 출구 유로(5)를 흐른다. 즉, 확대 직경부(9)를 통하여 출구 개구부(22)로 향하는데, 선회류는 확대 직경부(9)의 내주면을 따라서 흐르므로, 선회류의 회전 반경이 서서히 커진다.
제 2 입구 개구부(21)로부터 고리 형상 유로(19)를 거쳐서 슬롯부(8)로 유입된 메인 유체는, 조임 유로인 축소 직경부(7), 슬롯부(8), 확대 직경부(9)를 순서대로 흘러가고, 이에 따라 벤투리 효과에 의하여 슬롯부(8)에서 부압이 발생한다. 슬롯부(8)에 부압이 발생함으로써, 슬롯부(8)에는 노즐 부재(2)의 제 1 입구 개구부(20), 제 1 입구 유로(3) 및 돌출부(14) 선단의 토출구(16)를 통하여 서브 유체가 흡인되고, 슬롯부(8)에서 메인 유체에 합류한다. 슬롯부(8)에는 고리 형상 유로(19)를 통하여 모든 둘레에서 치우치지 않고 메인 유체가 선회류로서 흘러들어가고 있으며, 이러한 선회류에 의하여 발생하는 메인 유체의 교반 작용에 의하여 메인 유체와 서브 유체가 얼룩 없이 균일하게 혼합된다.
이때, 혼합된 유체의 유속이 빨라지면, 슬롯부(8)로부터 확대 직경부(9)로 흐를 때에 공동현상이 발생한다. 하지만, 본 실시형태에서는, 고리 형상 유로(19)로부터 슬롯부(8)로 유입된 메인 유체는 선회류가 되어서 확대 직경부(9)의 내주면을 따라서 흐르므로, 공동현상에 의하여 발생한 기포는 관로의 축심 부근에 모인다. 이 때문에, 관벽이 공동현상에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 공동현상 작용에 의하여 메인 유체와 서브 유체가 다시 교반되어, 한층 얼룩 없이 균일하게 혼합된다.
일반적으로 배관 내를 흐르는 유체의 유속이 빨라지면 유체의 정압은 저하된다. 하지만, 배관 내를 흐르는 유체에서는, 같은 유량이어도 통상의 축 방향 흐름보다 선회류 쪽이 회전에 의한 흐름이 더해지므로, 절대적인 유속이 빨라져서 정압의 저하가 보다 심하다. 따라서, 본 실시형태와 같이, 고리 형상 유로(19)로부터 슬롯부(8)로 메인 유체를 흐름으로써 조임 유로에 부압을 발생시키고, 제 1 입구 유로(3)로부터 도입되는 서브 유체를 흡인하는 경우에는, 선회류를 발생시켜서 혼합하는 편이 부압이 커져서, 보다 많은 서브 유체를 제 1 입구 유로(3)로부터 흡인할 수 있다. 이에 따라 서브 유체를 흡인하는 능력이 높아져서, 메인 유체와 서브 유체의 혼합 비율의 조정 범위를 확대할 수 있다. 이와 같이 선회류를 발생시킴으로써, 광범위한 혼합 비율로 조절할 수 있는 인라인형 유체 혼합 장치를 얻을 수 있다.
여기에서, 고리 형상 유로(19)로부터 메인 유체가 선회류로서 유입된 경우(실험예 1)와, 선회하지 않고 유입된 경우(비교예 1)의 유량 측정 시험의 시험 결과에 대하여 설명한다. 이러한 유량 측정 시험에서의 인라인형 유체 혼합 장치의 슬롯부(8)의 내부 직경은 6㎜이고, 노즐 부재(2)의 토출구(16)의 내부 직경은 3㎜이다. 시험에 이용한 장치의 제 2 입구 개구부(21)에는 펌프에 의하여 메인 유체(물)를 도입하고, 제 1 입구 개구부(20)에는 압송 수단을 이용하지 않고 서브 유체(물)를 도입하여, 각 개구부(20, 21) 부근에 설치한 유량계로 유량을 측정하였다.
[실험예 1]
실험예 1에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이 본체(1)의 홈부(12)를 방사 곡선 형상으로 형성하고, 선회류가 발생하도록 장치를 구성한다. 이러한 장치를 이용하여 장치 내에 흐르는 메인 유체의 유량을 바꿀 때의 제 2 입구 유로(4)에 도입한 메인 유체(물)의 유량과, 제 1 입구 유로(3)로부터 흡인된 서브 유체(물)의 유량을 측정하였다.
[비교예 1]
비교예 1에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이 본체(1)의 홈부(25)를 중심축에서 방사 형상으로 형성하고, 선회류가 발생하지 않도록 장치를 구성한다. 이러한 장치를 이용하여 장치 내에 흐르는 메인 유체의 유량을 바꿀 때의 제 2 입구 유로(4)에 도입한 메인 유체(물)의 유량과, 제 1 입구 유로(3)로부터 흡인된 서브 유체(물)의 유량을 측정하였다.
도 6은 상기 실험예 1 및 비교예 1에서의 시험 결과를 나타내는 특성도이다. 도면 안에서 가로축은 제 2 입구 개구부(21)에 도입한 메인 유체(물)의 유량, 세로축은 제 1 입구 개구부(20)로부터 흡인된 서브 유체(물)의 유량이다. 도 6으로부터 같은 유량에서도 선회류를 발생시키는 쪽(실험예 1)이 선회류를 발생시키지 않는 경우(비교예 1)보다 서브 유체의 흡인량이 많다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 제 1 입구 개구부(20)로부터 메인 유체를 도입하는 경우에 대하여 설명한다.
제 1 입구 개구부(20)로부터 펌프 등의 압송 수단에 의하여 도입된 메인 유체는 제 1 입구 유로(3)를 통과하여 흐른다. 즉, 테이퍼부(17)를 거쳐서 토출구(16)로부터 슬롯부(8)로 유입된다. 이때, 테이퍼부(17)에서 유로가 좁아짐으로써 메인 유체의 유속이 증가하고, 증속된 메인 유체는 토출구(16)로부터 슬롯부(8)로 흘러, 슬롯부(8)에서 부압이 발생한다. 슬롯부(8)에서 부압이 발생함으로써, 제 2 입구 개구부(21)로부터 고리 형상 유로(19)를 통하여 서브 유체가 흡인된다. 흡인된 서브 유체는 방사 곡선 형상의 연통 유로(18)를 통과함으로써 선회류가 되어, 슬롯부(8)로 유입된다. 메인 유체와 서브 유체가 혼합되는 작용은, 제 2 입구 개구부(21)로부터 메인 유체를 도입하였을 때와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
이상과 같이 본 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치에 의하면, 제 1 입구 개구부(20)와 제 2 입구 개구부(21) 중 어느 곳으로부터 메인 유체를 도입하여도 슬롯부(8)에서 발생한 부압에 의하여 서브 유체를 흡인할 수 있다. 이 때문에, 서브 유체를 흐르는 유로 측에 펌프 등의 압송 수단을 설치할 필요가 없어, 부품수를 저감할 수 있다. 또한, 선회류를 발생시킴으로써 교반 효과가 얻어지는 동시에, 서브 유체의 흡인량을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 메인 유체를 제 1 입구 개구부(20) 및 제 2 입구 개구부(21) 중 어느 한쪽으로부터 도입하고, 유로에 부압을 발생시켜서 다른 쪽의 입구 유로로부터 서브 유체를 흡인하도록 하였는데, 펌프 등의 압송 수단을 보조적으로 이용하여 서브 유체를 인라인형 유체 혼합 장치 내로 도입하여도 좋다. 이때, 압송 수단에 의한 토출 압력이 저압이어도, 양호한 유체 혼합 효과가 얻어진다. 이러한 경우에도 선회류에 의한 교반 효과와 공동현상에 의한 배관 내벽의 손상을 방지하는 효과가 얻어진다.
상기 실시형태에서는, 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 형상을 원추 사다리꼴 형상으로 하였는데, 원주 형상으로 하여도 좋다. 돌출부(14)의 길이는 축소 직경부(7)의 축선 길이와 거의 같던지 약간 짧게 하는 것이 바람직하다. 노즐 부재(2)의 토출구(16)의 내부 직경은 본체(1)의 슬롯부(8)의 내부 직경보다 작은 편이 바람직하고, 예를 들어 슬롯부(8)의 내부 직경에 대한 비율(α)은 0.5~0.9배인 것이 바람직하다. 즉, 토출구(16)의 내부 직경을 슬롯부(8)의 내부 직경보다 작게 하여 슬롯부(8)에서의 유체 혼합을 높이기 위해서는, 토출구(16)로부터 슬롯부(8)로 유입되는 유속이 빠른 편이 좋으며, α는 0.9배 이하인 것이 바람직하다. 또한, 토출구(16)를 통하여 흐르는 유체의 유량을 확보하기 위해서는, α는 0.5배 이상인 것이 바람직하다. 한편, 돌출부(14)의 출구 개구부(22)측의 끝면에 둘레부 외부 직경은 슬롯부(8)의 내부 직경보다 조금 작은 것이 바람직하고, 슬롯부(8)의 내부 직경에 대한 비율(β)은 0.7~0.95배인 것이 바람직하다. 즉, 둘레부 외부 직경을 슬롯부(8)의 내부 직경보다 작게 하여 고리 형상 유로(19)로부터 슬롯부(8)로 유입되는 나선류를 슬롯부(8)의 유로 내주면을 따라서 흐르기 쉽게 하기 위해서는, β는 0.7배 이상인 것이 바람직하다. 또한, 축소 직경부(7)의 내주면에 대하여 클리어런스를 형성하여 고리 형상 유로(19)를 형성하기 위해서는, β는 0.95배 이하인 것이 바람직하다.
인라인형 유체 혼합 장치에 의하여 혼합되는 이종 유체로는, 기체, 액체 등의 물질의 상이 다른 유체, 물질의 온도, 농도, 점도 등이 다른 유체, 물질 자체의 종류가 다른 유체 등 어떠한 것이어도 좋다. 예를 들어, 한쪽을 액체, 다른 쪽을 기체로 하고, 액체에 기체를 혼합하여 용해시킨 경우에도 적용할 수 있다. 이러한 경우, 액체를 공동현상이 발생하는 조건으로 유체 혼합 장치 내에 한쪽 유로로부터 도입하면, 공동현상에 의하여 액체에 용존하고 있는 기체가 기포가 되어서 액체로부터 탈기되므로, 다른 쪽 유로로부터 도입되는 다른 기체(예를 들어, 오존가스 등)를 효과적으로 용해시킬 수 있게 된다.
- 제 2 실시형태 -
도 7, 도 8을 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 제 2 실시형태가 제 1 실시형태와 다른 점은 연통 유로(18)의 구성이다. 즉, 제 1 실시형태에서는 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)에 홈부(12)를 설치하여 연통 유로(18)를 형성하였는데, 제 2 실시형태에서는 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24)에 홈부를 설치한다. 도 7은 제 2 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치의 주요부 구성을 나타내는 도면이고, 노즐 부재(2)를 도 1의 출구 개구부(22)측에서 봤을 때의 정면도이다. 또한, 도 1, 도 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 다음에서는 제 1 실시형태와의 상이점을 주로 설명한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 노즐 부재(2)의 끝면(24)에는 연통 유로(18)를 형성하는 복수의 홈부(26)가 둘레 방향으로 균등하게 설치되어 있다. 또한, 도시는 생략하였지만, 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)에 홈부를 형성하지 않는다. 홈부(26)는 노즐 부재(2)의 끝면의 외주로부터 돌출부(14)의 밑부분 둘레에 설치된 외주 홈부(27)의 원주에 대하여 맞닿아서 연통하도록 방사 곡선 형상으로 설치되고, 본체(1)에 노즐 부재(2)를 나사 결합하였을 때에 노즐 부재(2)의 홈부(26)와 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)에 의하여 연통 유로(18)가 형성된다. 이에 따라, 제 2 입구 개구부(21)로부터 둥근 고리 형상 홈부(10), 연통 유로(18), 고리 형상 유로(19)를 통하여 본체(1)의 슬롯부(8)에 연통하는 제 2 입구 유로(4)가 형성된다. 이러한 경우, 연통 유로(18)를 흐른 유체는, 돌출부(14)의 외주면을 따른 선회류가 된다. 본 실시형태의 다른 구성 및 동작은 제 1 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 홈부(26)는 도 7에 나타내는 바와 같은 방사 곡선 형상으로 한정되지 않고, 도 8에 나타내는 바와 같은 유로의 중앙축선에 대하여 편심하여 직선 형상으로 형성된 홈부(26b)여도 좋으며, 외주 홈부(27)의 원주에 대하여 맞닿아서 연통하고 있으면 그 형상은 특별히 한정되지 않는다. 그리고, 홈의 단면 형상 및 홈의 개수에 대해서도 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태와 같이 노즐 부재(2)측에 홈부(26)를 설치함으로써, 분해시의 홈부(26)의 청소가 쉬워진다. 또한, 노즐 부재(2)를 홈부(26)의 구성을 바꾼 다른 노즐 부재(2)로 교환함으로써, 메인 유체의 도입 조건이나 서브 유체의 흡인 조건을 쉽게 변경할 수 있다.
- 제 3 실시형태 -
도 9의 (a), 도 9의 (b)를 참조하여 본 발명의 제 3 실시형태에 대하여 설명한다. 제 3 실시형태가 제 1 실시형태와 다른 점은 연통 유로(18)의 구성이다. 즉, 제 1 실시형태에서는 본체(1)와 노즐 부재(2)가 끼워지는 테이퍼면의 직경 방향 바깥쪽의 수용부 바닥면(23)에 홈부(12)를 설치하여 연통 유로(18)를 형성하였는데, 제 3 실시형태에서는 테이퍼면에 홈부를 설치한다. 도 9의 (a)는 제 3 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치를 구성하는 본체(1)의 구성을 나타내는 종단면도이다. 또한, 도 1, 도 2와 같은 부분에는 같은 부호를 붙이고, 다음에서는 제 1 실시형태와의 상이점을 주로 설명한다.
도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 본체(1)의 축소 직경부(7)의 내주면에는 나선 형상의 홈부(나선 홈부)(28)가 형성되어 있다. 노즐 부재(2)는 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24) 사이에 적합한 클리어런스를 보유하도록 본체(1)에 나사 결합되고, 이러한 클리어런스에 의하여 연통 유로(18)가 형성되는 동시에, 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면과 본체(1)의 축소 직경부(7)의 나선 홈부(28)에 의하여 고리 형상 유로(19)가 형성된다. 이에 따라, 제 2 입구 개구부(21)로부터 둥근 고리 형상 홈부(10), 연통 유로(18), 고리 형상 유로(19)를 통하여 본체(1)의 슬롯부(8)에 연통되는 제 2 입구 유로(4)가 형성된다. 이러한 경우, 고리 형상 유로(19)를 흐르는 유체는, 돌출부(14)의 외주면을 따른 선회류가 된다. 본 실시형태의 다른 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
다음으로, 제 3 실시형태의 동작에 대하여 설명한다. 제 2 입구 개구부(21)로부터 연통 유로(18)를 거쳐서 고리 형상 유로(19)로 유입된 메인 유체는, 나선 홈부(28)에 의하여 형성된 나선 형상의 고리 형상 유로를 흐름으로써 고리 형상 유로(19) 내를 선회하면서 슬롯부(8)로 유입된다. 슬롯부(8)로 유입된 메인 유체는, 선회류 그대로 출구 유로(5)의 확대 직경부(9)를 통하여 출구 개구부(22)로 향한다. 본 실시형태의 다른 동작은 제 1 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 나선 홈부(28)의 개수 및 홈의 단면 형상에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 축소 직경부(7)의 내주면과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면은 맞닿아도 좋고, 적절한 클리어런스를 보유하여도 좋다. 축소 직경부(7)의 내주면과 돌출부(14)의 외주면을 맞닿게 함으로써, 축소 직경부(7)와 돌출부(14)의 유로 축선을 합칠 수 있다. 축소 직경부(7)와 돌출부(14)의 유로 축선을 합치는 것은, 특히 작은 입구 직경인 경우에 중요하다. 또한, 축소 직경부(7)의 내주면과 돌출부(14)의 외주면 사이의 클리어런스를 조정함으로써, 메인 유체의 도입 조건이나 서브 유체의 흡인 조건을 조정할 수 있다.
축소 직경부(7)의 내주면의 전역에 걸쳐서 나선 홈부(28)를 형성하는 것이 아니라, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이 축소 직경부(7)의 상류측 단부에서 중간부에 걸쳐서만 나선 홈부(28)를 형성하여, 중간부보다 하류측을 평탄하게 형성하여도 좋다. 이러한 구성에 따르면, 축소 직경부(7)와 돌출부(14) 사이의 고리 형상 유로(19)는 나선 홈부(28)를 포함하는 선회부(37)와, 선회 홈부(28)의 하류측에 단순한 클리어런스가 형성된 평탄부(38)를 가진다. 선회부(37)의 길이는, 선회류를 발생시킬 수 있다면 특별히 한정되지 않고, 평탄부(38)의 길이는 선회류(37)에서 발생한 선회류를 고리 형상 유로(19)의 전체 둘레에서 균일하게 슬롯부(8)에 도입할 수 있다면 특별히 한정되지 않는다.
- 제 4 실시형태 -
도 10을 참조하여 본 발명의 제 4 실시형태에 대하여 설명한다. 제 3 실시형태에서는 본체(1)의 축소 직경부(7)의 내주면에 나선 홈부(28)를 형성하였는데, 제 4 실시형태에서는 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면에 나선 홈부를 형성한다. 도 10은 제 4 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치를 구성하는 노즐 부재(2)의 구성을 나타내는 측면도이다. 또한, 도 1, 도 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 다음에서는 제 1 실시형태와의 상이점을 주로 설명한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면에는 나선 홈부(29)가 형성되어 있다. 노즐 부재(2)는 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24) 사이에 적절한 클리어런스를 보유하도록 본체(1)에 나사 결합되고, 이러한 클리어런스에 의하여 연통 유로(18)가 형성되는 동시에, 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 나선 홈부(29)와 본체(1)의 축소 직경부(7)의 내주면에 의하여 고리 형상 유로(19)가 형성된다. 이에 따라, 제 2 입구 개구부(21)에서 둥근 고리 형상 홈부(10), 연통 유로(18), 고리 형상 유로(19)를 통하여 본체(1)의 슬롯부(8)에 연통하는 제 2 입구 유로(4)가 형성된다. 이러한 경우, 고리 형상 유로(19)를 흐르는 유체는 돌출부(14)의 외주면을 따른 선회류가 된다. 본 실시형태의 다른 구성 및 동작에 대해서는 제 3 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
- 제 5 실시형태 -
도 11의 (a), 도 11의 (b)를 참조하여 본 발명의 제 5 실시형태에 대하여 설명한다. 제 5 실시형태가 상술한 다른 실시형태와 다른 점은 주로 노즐 부재(2)의 형상이다. 즉, 제 5 실시형태에서는 원주부(13)와 돌출부(14) 사이에 외형이 좁은 직경의 중간부(31)를 설치한다. 도 11의 (a)는 제 5 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치의 구성을 나타내는 종단면도이고, 도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 노즐 부재(2)의 구성을 나타내는 사시도이다. 또한, 도 1, 도 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 다음에서는 제 1 실시형태와의 상이점을 주로 설명한다.
도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 본체(1)는 원통부(32a)와 원통부(32a)의 중간부 측면으로부터 돌출 설치된 접속부(32b)를 가지는 대략 T자 형상의 통 형상 케이싱부(34)와, 케이싱부(34) 내에 끼워진 유로부(36)에 의하여 구성되어 있다. 접속부(32b)의 단부에는 제 2 입구 개구부(21)가 설치되어 있다. 원통부(32a)의 양단부 내주면에는 각각 암나사부(33)가 설치되어 있다.
유로부(36)는 일단부측에 외형이 대략 원주 형상의 작은 직경부(36a)를 가지고, 타단부측에 외형이 대략 원주 형상이며 작은 직경부(36a)보다 큰 직경의 큰 직경부(36b)를 가진다. 큰 직경부(36b)의 단부 외주면에는 수나사부(35a)가 설치되고, 수나사부(35a)는 케이싱부(34)의 암나사부(33)에 나사 결합하며, 유로부(36)가 케이싱부(34)에 끼워져 있다. 이러한 끼워진 상태에서는, 케이싱부(34)와 작은 직경부(36a) 사이에 둥근 고리 형상 홈부(10)가 형성되고, 둥근 고리 형상 홈부(10)는 접속부(32a) 내의 유로에 연통하고 있다. 유로부(34)의 내부에는 축소 직경부(7)와 슬롯부(8)와 확대 직경부(9)가 연결 설치되고, 출구 유로(5)가 형성되어 있다.
노즐 부재(2)는 원주부(13)와 돌출부(14) 사이에 노즐 부재(2)의 중심축과 같은 축 상에 외형이 대략 원주 형상인 중간부(31)를 가진다. 중간부(31)의 외부 직경은 중간부(31)에 인접하는 원주부(13)의 외부 직경 및 돌출부(14)의 외부 직경보다 작고, 노즐 부재(2)의 외주면에는 중간부(31)에 의하여 오목부가 형성되어 있다. 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 돌출부(14)의 외주면에는 큰 직경측에 나선 홈부(29a)가 설치되고, 작은 직경측에 나선 홈부(29)의 바닥면과 늘어서도록 원추면(29b)이 형성되어 있다. 나선 홈부(29a)의 외주면의 경사 각도(테이퍼 각도)와 축소 직경부(7)의 내주면의 경사 각도(테이퍼 각도)는 서로 같다. 원주부(13)의 단부 외주면에는 수나사부(35b)가 설치되어 있다. 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이 수나사부(35b)는 케이싱부(34)의 암나사부(33)에 나사 결합하고, 노즐 부재(2)는 케이싱부(34) 내에 끼워져 있다.
이렇게 끼워진 상태에서는 돌출부(14)의 나선 홈부(29a)에서의 외주면이 유로부(36)의 축소 직경부(7)의 내주면에 맞닿고, 나선 홈부(29a)의 주위 및 원추면(29b)의 주위에는, 각각 선회부(37) 및 평탄부(38)로 이루어지는 고리 형상 유로(19)가 형성되어 있다. 또한, 중간부(31)의 주위에는, 유로부(36)의 상류측 끝면과, 원주부(13)의 하류측 끝면과, 중간부(31)의 외주면과, 돌출부(14)의 상류측 끝면에 의하여 연통 유로(18)가 형성되어 있다. 이에 따라, 제 2 입구 개구부(21)에서 둥근 고리 형상 홈부(10), 연통 유로(18), 고리 형상 유로(19)를 통하여 슬롯부(8)에 연통하는 제 2 입구 유로(4)가 형성된다.
이와 같은 구성에 의하여, 제 2 입구 개구부(21)를 통하여 도입된 메인 유체는 연통 유로(18)를 흘러서, 돌출부(14)의 상류측의 끝면으로부터 선회부(37)로 유입된다. 선회부(37)에 유입된 메인 유체는 선회류가 되고, 그 후에 평탄부(38)를 흐름으로써 고리 형상 유로(19)의 모든 둘레에서 균일하게 슬롯부(8)로 유입된다.
본 실시형태에 있어서, 고리 형상 유로(19)의 평탄부(37)의 상류측과 하류측의 유로 단면적은 대략 동일한 것이 바람직하다. 이에 따라, 메인 유체가 평탄부(37)를 흐를 때에 메인 유체의 유속이나 유량, 선회류의 흐름의 변동이 억제되어, 양호한 흐름을 유지할 수 있다. 이 때문에, 제 2 입구 유로(4)로부터 유입된 메인 유체의 흐름에 의하여, 슬롯부(8)로 안정적이며 효과적으로 서브 유체를 빨아 들일 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 돌출부(14)의 하류측 끝면과 축소 직경부(7)의 하류측 둘레부(축소 직경부(7)와 슬롯부(8)의 접속부)는, 노즐 부재(2)의 중심축선에 수직인 서로 동일한 면 위, 혹은 돌출부(14)의 끝면이 축소 직경부(7)의 둘레부보다 조금 상류측에 위치하는 것이 바람직하다. 즉, 오목부(축소 직경부(7))의 하류측 둘레부와 볼록부(돌출부(14))의 하류측 끝면이 대략 동일한 면 위에 설치되는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 메인 유체가 고리 형상 유로(19)를 통과하면, 고리 형상 유로(19)의 출구 부근에서 유로 단면적이 확대됨으로써 공동현상이 발생한다고 생각된다. 따라서, 공동현상이 발생하기 쉬운 부분에서 메인 유체와 서브 유체가 합류함으로써 메인 유체와 서브 유체를 보다 균일하게 혼합할 수 있다.
또한, 축소 직경부(7)의 하류측 둘레부와 돌출부(14)의 하류측 끝면의 위치관계에 있어서는, 이들을 동일한 면 위에 설치하도록 하여도, 각 부품의 치수 공차나 조립 오차 등에 의하여 돌출부(14)의 끝면이 축소 직경부(7)의 둘레부의 상류측 또는 하류측으로 어긋나는 경우가 있다. 이와 같이 돌출부(14)의 끝면과 축소 직경부(7)의 둘레부가 완전히 동일한 면 위에 없고, 한쪽이 다른 쪽의 상류측 또는 하류측으로 어긋나 있는 경우에도, 실질적으로는 동일한 면 위에 있는 것으로서, 본 명세서에서는 동일한 면 위라고 한다. 즉, 동일한 면 위란, 완전히 동일한 면이 아니라, 거의 동일한 면 위에 있는 경우도 포함한다.
본 실시형태에서는, 케이싱부(34)와 유로부(36)에 의하여 본체(1)가 구성되고, 케이싱부(34)에 유로부(36)와 노즐 부재(2)가 나사 결합된다. 이와 같은 구성에 의하여, 연통 유로(18)나 고리 형상 유로(19)의 형상을 쉽게 변경할 수 있어, 메인 유체와 서브 유체의 흐름을 적절히 수정할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 다른 구성 및 동작은 제 4 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다. 선회부(37)와 평탄부(38)를 돌출부(14)로 바꾸어 축소 직경부(7)에 설치하여도 좋다.
- 제 6 실시형태 -
도 12를 참조하여 본 발명의 제 6 실시형태에 대하여 설명한다. 제 1 실시형태에서는 본체(1)와 노즐 부재(2)의 대향면 사이에 형성되는 제 2 입구 유로(4)에 있어서 선회류를 발생시키도록 하였는데, 제 6 실시형태에서는 노즐 부재(2)의 내부의 제 1 입구 유로(3)에 있어서 선회류를 발생시키도록 구성한다. 도 12는 제 6 실시형태에 따른 인라인형 유체 혼합 장치의 구성을 나타내는 종단면도이다. 또한, 도 1, 도 2와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 다음에서는 제 1 실시형태와의 상이점을 주로 설명한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 본체(1)의 제 1 입구 유로(3) 내에는 외부 직경이 테이퍼부(17)의 상류의 제 1 입구 유로(3)의 내부 직경과 거의 같게 형성된 비틀린 날개 형상의 선회자(30)가 삽입되어 배치되어 있다. 또한, 도시는 생략하였지만, 본체(1)와 노즐 부재(2)에는 홈부(도 3의 홈부(12) 등)가 형성되어 있지 않다. 노즐 부재(2)는 본체(1)의 수용부(6)의 바닥면(23)과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)측의 끝면(24) 사이에 적절한 클리어런스를 보유하도록 본체(1)에 나사 결합되고, 이러한 클리어런스에 의하여 연통 유로(18)가 형성되는 동시에, 노즐 부재(2)의 돌출부(14)의 외주면과 본체(1)의 축소 직경부(7)의 내주면에 의하여 고리 형상 유로(19)가 형성된다. 제 1 입구 유로(3)에서는 선회자(30)의 비틀림에 의하여 선회류가 발생하고, 이러한 선회류는 토출구(16)로부터 슬롯부(8)로 유입된다. 또한, 선회류를 발생시키는 것이라면 선회자(30)의 형상은 비틀린 날개 형상으로 한정되지 않는다. 본 실시형태의 다른 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
다음으로, 제 6 실시형태의 동작에 대하여 설명한다. 도 12에 있어서 제 1 입구 개구부(20)로부터 펌프 등의 압송 수단에 의하여 제 1 입구 유로(3)로 도입된 메인 유체는, 선회자(30)의 작용에 의하여 제 1 입구 유로(3) 내에서 선회류가 되고, 테이퍼부(17)를 거쳐서 돌출부(14) 선단의 토출구(16)로부터 본체(1)의 슬롯부(8)로 유입된다. 테이퍼부(17)에서 유로가 좁아짐으로써 슬롯부(8)에서 부압이 발생하는데, 선회류는 유로의 외주측만큼 절대적인 유속이 빨라지므로, 발생하는 부압도 외주부 쪽이 커진다. 따라서, 슬롯부(8)의 내주면과 연속하여 형성된 고리 형상 유로(19)의 개구부 부근에는 큰 부압이 발생하게 되어, 제 2 입구 개구부(21)로부터 서브 유체가 효과적으로 흡인된다. 이때, 슬롯부(8)에서 메인 유체와 서브 유체가 혼합되는데, 혼합된 메인 유체와 서브 유체는 슬롯부(8)의 유로 전체 둘레에서 선회류로서 유입되는 메인 유체의 교반 작용에 의하여 얼룩 없이 균일하게 혼합된다.
한편, 제 2 입구 개구부(21)로부터 펌프 등의 압송 수단에 의하여 메인 유체를 도입한 경우에는, 제 2 입구 개구부(21)에서 고리 형상 유로(19)를 거쳐서 슬롯부(8)로 유입된 메인 유체는, 조임 유로인 축소 직경부(7), 슬롯부(8), 확대 직경부(9)를 통과함으로써 벤투리 효과에 의하여 슬롯부(8)에서 부압이 발생한다. 이에 따라, 노즐 부재(2)의 돌출부 선단에 설치된 토출구(16)로부터는, 제 1 입구 개구부(20)에서 제 1 입구 유로(3)에 서브 유체가 흡인된다. 흡인된 서브 유체는 선회자(30)를 통과함으로써 선회류가 되어 슬롯부(8)로 유입된다. 메인 유체와 서브 유체가 혼합되는 작용은 제 1 입구 개구부(20)에서 메인 유체를 도입하였을 때와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 상기 제 1 실시형태 내지 제 5 실시형태에서는 제 2 입구 개구부(21)에서 유입되는 유체가 선회류가 되도록 구성하고, 상기 제 6 실시형태에서는 제 1 입구 개구부(20)에서 유입되는 유체가 선회류가 되도록 구성하였는데, 제 1 입구 개구부(20) 및 제 2 입구 개구부(21)에서 유입되는 유체가 모두 선회류가 되도록 구성하여도 좋다. 즉, 제 1 실시형태 내지 제 6 실시형태를 임의로 조합하여 인라인형 유체 혼합 장치를 구성하여도 좋다. 제 1 입구 개구부(20) 및 제 2 입구 개구부(21)에서 유입되는 유체가 모두 선회류가 되도록 구성하는 경우에는, 토출구(16)에서 슬롯부(8)로 유입되는 선회류와 고리 형상 유로(19)에서 슬롯부(8)로 유입되는 선회류가 서로 간섭함으로써, 교반 효과를 높인 혼합을 할 수 있다. 보다 교반 효과를 높이기 위해서는, 각각의 선회류가 서로 역방향으로 회전하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 실시형태에서는, 노즐 본체(2)에 제 1 입구 개구부(20)(제 1 입구부)를 설치하는 동시에, 테이퍼부(17) 및 토출구(16)(제 1 통로부)를 길이 방향으로 연장 설치하고, 제 1 입구 개구부(20)에서 토출구(16)에 걸쳐서 제 1 입구 유로(3)를 형성하였는데, 제 1 유로 형성 수단의 구성은 상술한 것으로 한정되지 않는다. 본체(1)에 제 2 입구 개구부(21)(제 2 입구부)를 설치하는 동시에, 본체(1)와 노즐 부재(2)의 대향면(제 2 통로부)에 있어서 연통 유로(18) 및 고리 형상 유로(19)를 형성하고, 제 2 입구 개구부(21)에서 고리 형상 유로(19)에 걸쳐서 제 2 입구 유로(4)를 형성하였는데, 적어도 토출구(16)의 주위를 포위하는 테이퍼면을 따라서 통로를 형성하는 것이라면, 제 2 유로 형성 수단의 구성은 상술한 것으로 한정되지 않는다. 본체(1)에 축소 직경부(7)와 슬롯부(8)(좁은 직경부)와 확대 직경부(9)와 출구 개구부(22)(출구부)를 설치하고, 축소 직경부(7)에서 출구 개구부(22)에 걸쳐서 출구 유로(5)를 형성하였는데, 제 3 유로 형성 수단의 구성은 상술한 것으로 한정되지 않는다. 즉, 본체(1)와 노즐 부재(2)에 의하여 제 1 입구 유로(3), 제 2 입구 유로(4) 및 출구 유로(5)를 형성하였는데, 다른 부재를 이용하여 이들 유로(3~5)를 형성하여도 좋다. 본체(1)에 테이퍼 형상으로 직경이 축소되는 축소 직경부(7)를 노즐 부재(2)에 테이퍼 형상으로 돌출되는 돌출부(14)를 설치하여 양자를 끼우도록 하였는데, 본체(1)와 노즐 부재(2)의 구성도 이것으로 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 본체(1)와 노즐 부재(2)의 대향면에 둘레 방향으로 복수의 홈부(12, 25~29, 12b, 26b)를 설치하고, 또는 노즐 부재(2)의 제 1 입구 유로(3)에 선회자(30)를 배치하여 선회류를 발생시키도록 하였는데, 선회류 발생 수단의 구성은 이것으로 한정되지 않는다. 본체(1)의 축소 직경부(7)(오목부)의 내주면과 노즐 부재(2)의 돌출부(14)(볼록부)의 외주면의 양쪽에 홈부를 설치하여도 좋고, 본체(1)의 끝면(23)과 노즐 부재(2)의 끝면(24)의 양쪽에 복수의 홈부를 설치하여도 좋다. 또한, 축소 직경부(7) 내주면과 돌출부(14) 외주면의 양쪽 및 끝면(23, 24)의 양쪽에 복수의 홈부를 설치하여도 좋다. 즉, 본 발명의 특징, 기능을 실현할 수 있다면 본 발명은 실시형태의 인라인형 유체 혼합 장치로 한정되지 않는다.
본 발명의 인라인형 유체 혼합 장치에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.
(1) 제 1 입구 유로 혹은 제 2 입구 유로에서 도입되는 유체 중 어느 한쪽이 선회류가 됨으로써, 합류한 유체끼리를 효과적으로 혼합·교반할 수 있다. 이 때문에, 하류측에 별도로 정지형 믹서를 설치할 필요가 없어, 콤팩트하고 낮은 비용의 구성을 실현할 수 있다.
(2) 선회류는 벤투리관의 내벽면 및 그 하류측 배관 내벽을 따라서 흐른다. 이러한 흐름이 공동현상 발생 조건 하에서 보호층으로서 기능하는 동시에, 공동현상에 의하여 생성한 기포는 배관 중앙으로 집중되므로, 배관 내벽의 손상을 방지할 수 있다.
1: 본체 2: 노즐 부재
3: 제 1 입구 유로 4: 제 2 입구 유로
5: 출구 유로 6: 수용부
7: 축소 직경부 8: 슬롯부
9: 확대 직경부 10: 둥근 고리 형상 홈부
11: 암나사부 12, 12b: 홈부
13: 원주부 14: 돌출부
15: 수나사부 16: 토출구
17: 테이퍼부 18: 연통 유로
19: 고리 형상 유로 20: 제 1 입구 개구부
21: 제 2 입구 개구부 22: 출구 개구부
23: 바닥면 24: 끝면
25: 홈부 26, 26b: 홈부
27: 외주 홈부 28: 나선 홈부
29: 나선 홈부 30: 선회자
31: 중간부 32a: 원통부
32b: 접속부 34: 케이싱부
36: 유로부 37: 선회부
38: 평탄부

Claims (14)

  1. 제 1 입구부와, 길이 방향으로 연장 설치된 제 1 통로부를 가지고, 상기 제 1 입구부에서 상기 제 1 통로부에 걸쳐서 제 1 입구 유로가 형성된 노즐 부재와,
    제 2 입구부와, 상기 노즐 부재의 상기 제 1 입구 유로의 상기 제 1 입구부에 대향하는 측의 단부의 주변부의 주위를 포위하는 축소 직경부를 따라서 연장 설치된 제 2 통로부를 가지고, 상기 제 2 입구부에서 상기 제 2 통로부에 걸쳐서 제 2 입구 유로를 형성함과 함께,
    좁은 직경부와, 확대 직경부와, 출구부를 가지고, 상기 좁은 직경부에서 상기 확대 직경부 및 상기 출구부에 걸쳐서 유로 면적이 확대되면서, 상기 좁은 직경부의 단부에 있어서 상기 제 1 입구 유로 및 상기 제 2 입구 유로에 각각 연통하는 출구 유로를 형성하는 본체를 가지고 있으며,
    상기 노즐 부재는, 상기 제 1 입구 유로의 일단부에 형성된 원추 사다리꼴 형상의 돌출부와, 상기 제 1 입구 유로의 반대측의 타단부에 형성된 원주부와, 상기 돌출부와 상기 원주부의 사이에 형성되며, 상기 원주부의 외부 직경 및 상기 돌출부의 상류측의 단부의 외부 직경 보다 작은 외부 직경을 가지는 원주 형상의 중간부를 가지고 있으며,
    상기 본체는, 원통부와 상기 원통부의 측면에서 돌출 설치되고, 단부에 상기 제 2 입구부가 설치된 접속부를 가지는 케이싱부와, 상기 노즐 부재 측의 단부에 원추 사다리꼴 형상의 상기 축소 직경부가 형성되며, 내부에 상기 출구 유로가 형성된 유로부를 가지고 있으며,
    상기 제 2 입구 유로는, 상기 축소 직경부에 상기 돌출부가 끼워진 상태로 서로 대향하는 상기 본체와 상기 노즐 부재의 사이, 및 상기 원주부와 상기 돌출부의 사이에 형성되는 상기 중간부의 주위에 형성되는 유로를 가지고 있으며,
    상기 축소 직경부의 내주면과 상기 돌출부의 외주면의 적어도 한쪽에는, 선회류를 발생시키는 선회류 발생 수단이 되는 복수의 홈부가 둘레 방향으로 형성되어 있으며,
    상기 홈부는, 상기 축소 직경부 및 상기 돌출부의 적어도 한쪽의 상류측의 단부에서 중간부에 걸쳐서 형성되며, 상기 홈부의 하류측에는, 상기 축소 직경부의 내주면과 상기 돌출부의 외주면의 사이에 고리 형상이면서 평탄한 유로가 형성되어 있으며,
    상기 축소 직경부 및 상기 돌출부는, 상기 축소 직경부에 상기 돌출부를 끼웠을 때에, 상기 축소 직경부의 상기 홈부 또는 상기 홈부에 대향하는 부분의 내주면과 상기 돌출부의 상기 홈부 또는 상기 홈부에 대향하는 부분의 외주면이 서로 동일한 경사각이 되면서, 서로 맞닿도록 형성되어 있으며,
    상기 축소 직경부의 상류측 끝면과 상기 돌출부의 상류측 끝면이, 동일면 상에 설치되어 있으며,
    상기 축소 직경부의 하류측 둘레부와 상기 돌출부의 하류측 끝면이, 동일면 상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 인라인형 유체 혼합 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈부는, 상기 축소 직경부의 내주면과 상기 돌출부의 외주면의 적어도 한쪽에 직경 방향 바깥쪽에 걸쳐서 방사 곡선 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인라인형 유체 혼합 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈부는, 상기 축소 직경부의 내주면과 상기 돌출부의 외주면의 적어도 한쪽에, 상기 제 1 입구 유로의 중앙축선과 교차하지 않고 직경 방향 바깥쪽으로 연장되는 직선을 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인라인형 유체 혼합 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈부는, 상기 축소 직경부의 내주면과 상기 돌출부의 외주면의 적어도 한쪽에 나선 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인라인형 유체 혼합 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020127017901A 2010-02-23 2011-02-22 인라인형 유체 혼합 장치 Active KR101814096B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-037593 2010-02-23
JP2010037593 2010-02-23
PCT/JP2011/054428 WO2011105596A1 (ja) 2010-02-23 2011-02-22 インライン型流体混合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120121881A KR20120121881A (ko) 2012-11-06
KR101814096B1 true KR101814096B1 (ko) 2018-01-02

Family

ID=44506992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127017901A Active KR101814096B1 (ko) 2010-02-23 2011-02-22 인라인형 유체 혼합 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8845178B2 (ko)
EP (1) EP2540387B1 (ko)
JP (1) JP5755216B2 (ko)
KR (1) KR101814096B1 (ko)
CN (1) CN102770200B (ko)
WO (1) WO2011105596A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102294262B1 (ko) * 2020-12-16 2021-08-27 주식회사 앤이에스솔루션 버블 발생 노즐 및 이를 이용한 다단 선회방식 버블 발생 시스템

Families Citing this family (368)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013086011A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Asahi Organic Chemicals Industry Co Ltd オゾン水製造方法及び製造装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5807783B2 (ja) * 2012-01-19 2015-11-10 ニッタ株式会社 微細気泡発生装置および旋回流形成体
JP2013220383A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Sharp Corp 気液混合装置
JP5871740B2 (ja) * 2012-07-27 2016-03-01 三菱電機株式会社 エジェクタ
US9272817B2 (en) * 2012-09-28 2016-03-01 Nicholas Becker Liquid-dispensing systems with integrated aeration
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9856794B2 (en) * 2012-10-23 2018-01-02 Hamilton Sundstrand Corporation High pressure relief valve nozzle
JP5749702B2 (ja) * 2012-11-21 2015-07-15 株式会社タカギ 液剤希釈装置
US9382922B2 (en) * 2013-01-11 2016-07-05 Alstom Technology Ltd Eductor pump and replaceable wear inserts and nozzles for use therewith
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014184966A1 (ja) * 2013-05-11 2014-11-20 株式会社 Permeation 再利水具
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
CN104874071B (zh) * 2014-02-28 2018-07-17 北京谊安医疗系统股份有限公司 用于麻醉机的气体稳压器及具有其的麻醉机
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP5794338B2 (ja) * 2014-03-31 2015-10-14 三菱電機株式会社 気液混合装置および風呂給湯装置
USD754765S1 (en) * 2014-04-16 2016-04-26 Nimatic Aps Fluid mixer
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9649468B2 (en) 2014-09-03 2017-05-16 Fisher & Paykel Healthcare Limited Respiratory gas humidifier
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10557197B2 (en) 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
FR3031099B1 (fr) * 2014-12-24 2019-08-30 Veolia Water Solutions & Technologies Support Buse optimisee d'injection d'eau pressurisee contenant un gaz dissous.
CN104667776B (zh) * 2015-02-13 2017-07-04 江苏新美星包装机械股份有限公司 一种多液体混合装置
US10151283B2 (en) * 2015-02-25 2018-12-11 Dayco Ip Holdings, Llc Evacuator with motive fin
JP6522370B2 (ja) * 2015-02-26 2019-05-29 三菱日立パワーシステムズ株式会社 放水ノズル及び混合槽
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10022689B2 (en) * 2015-07-24 2018-07-17 Lam Research Corporation Fluid mixing hub for semiconductor processing tool
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
RU168279U1 (ru) * 2015-12-07 2017-01-26 Общество с ограниченной ответственностью "ИНТЕЛ-2002" Диспергатор
EP4464359A3 (en) 2015-12-11 2025-02-26 Fisher & Paykel Healthcare Limited Humidification system
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10857507B2 (en) * 2016-03-23 2020-12-08 Alfa Laval Corporate Ab Apparatus for dispersing particles in a liquid
JP6169749B1 (ja) * 2016-04-12 2017-07-26 大生工業株式会社 微細気泡生成装置
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10625221B2 (en) * 2016-08-11 2020-04-21 Evan Schneider Venturi device
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101814630B1 (ko) * 2016-11-21 2018-01-04 조기원 가스용존장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP2018122294A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 トスレック株式会社 バブル生成ノズルおよび、これを備えるバブル含有液製造システム
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
CN109210374B (zh) * 2017-06-30 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 进气管路及半导体加工设备
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
JP6530017B2 (ja) * 2017-07-21 2019-06-12 スプレーイングシステムスジャパン合同会社 二流体ノズル
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7148105B2 (ja) 2017-09-20 2022-10-05 株式会社ハーモテック 吸引装置
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN107715713A (zh) * 2017-09-30 2018-02-23 佛山市柏益环保设备有限公司 一种空化泡发生器
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
JP6407468B1 (ja) * 2018-05-24 2018-10-17 株式会社アペレ 血液凝固時間測定用カートリッジ及び血液凝固時間測定装置
JP6415775B1 (ja) * 2018-07-26 2018-10-31 株式会社アペレ 血液凝固時間測定用カートリッジ及び血液凝固時間測定装置
WO2019142650A1 (ja) 2018-01-16 2019-07-25 株式会社アペレ 血液凝固時間測定用カートリッジ及び血液凝固時間測定装置
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP6714651B2 (ja) * 2018-07-26 2020-06-24 株式会社エムテック 気液混合装置
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11673104B2 (en) * 2018-12-07 2023-06-13 Produced Water Absorbents Inc. Multi-fluid injection mixer and related methods
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
KR102610827B1 (ko) * 2018-12-20 2023-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 가스 유동을 처리 챔버의 처리 용적에 공급하기 위한 방법 및 장치
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
EP3714926A1 (de) * 2019-03-28 2020-09-30 Erbe Elektromedizin GmbH Instrument, instrumentenkopf, applikationssystem und verfahren
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
KR20210008310A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 조립체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
DE102019213569A1 (de) * 2019-09-06 2021-03-11 Lechler Gmbh Injektionsdüse für eine Sprühvorrichtung und Sprühvorrichtung
JP6766309B1 (ja) 2019-09-10 2020-10-14 株式会社アペレ 血液凝固時間測定用カートリッジ及び血液凝固時間測定装置
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
JP6971487B2 (ja) * 2019-10-09 2021-11-24 株式会社サイエンス バブル発生装置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR102658128B1 (ko) * 2019-11-07 2024-04-16 엘지전자 주식회사 가스 퍼니스
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
JP7703376B2 (ja) 2020-06-24 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー シリコンを備える層を形成するための方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
DE102021001986A1 (de) * 2021-04-15 2022-10-20 Messer Austria Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Dispergieren von Gasen in Flüssigkeiten
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11644122B2 (en) * 2021-06-18 2023-05-09 Robin J. Wagner Anti-siphon/regulator valve
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7807733B2 (ja) * 2021-09-30 2026-01-28 株式会社 徳武製作所 流体ミキシング装置
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
JP2023087757A (ja) * 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法
DE102022106285B4 (de) * 2022-03-17 2025-03-06 Messer Se & Co. Kgaa Vorrichtung und Verfahren zum kontinuierlichen Gasaustausch in einem Strom eines Fluidgemischs
WO2025178970A1 (en) * 2024-02-19 2025-08-28 Nanu Water Technology, Inc. Novel nanobubble generator for hydroponic, aquaponic, open-field agriculture, and/or cellular agriculture systems
CN119186339B (zh) * 2024-10-14 2025-12-19 江苏大学 套筒式二级混合三维结构微混合器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2529269Y2 (ja) * 1990-09-07 1997-03-19 新日本技研工業株式会社 気液混合器
JP2006247619A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 2流体ノズル及び洗浄装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271304A (en) * 1964-06-26 1966-09-06 Pacific Flush Tank Co Venturi aerator and aerating process for waste treatment
GB1205675A (en) * 1968-01-05 1970-09-16 Karl Hutter Device for mixing media, more particularly liquids
IT1015665B (it) * 1974-07-04 1977-05-20 Snam Progetti Metodo per la preparazione in con tinuo di emulsioni acqua olio ed apparecchiatura adatta allo scopo
US4123800A (en) * 1977-05-18 1978-10-31 Mazzei Angelo L Mixer-injector
CH620134A5 (ko) * 1978-03-14 1980-11-14 Blaser & Co Ag
GB2076672A (en) * 1980-02-18 1981-12-09 Unilever Ltd Making foam
JPS61187927A (ja) 1985-02-18 1986-08-21 Ozo Co Ltd Kk 混合装置
US4647212A (en) * 1986-03-11 1987-03-03 Act Laboratories, Inc. Continuous, static mixing apparatus
JPS6316037A (ja) 1986-07-05 1988-01-23 Ono Bankin Kogyosho:Kk 流体混合具
JPS6351927A (ja) * 1986-08-21 1988-03-05 C T Takahashi Kk 流体の連続混合用ミキサ−
SU1678428A1 (ru) * 1989-10-17 1991-09-23 Организация П/Я Х-5498 Устройство дл приготовлени растворов пастообразных веществ
CA2114294A1 (en) 1993-01-05 1995-07-27 Thomas Earle Allen Apparatus and method for continuously mixing fluids
JP3545483B2 (ja) 1995-02-28 2004-07-21 水青工業株式会社 2液混合器
US5863128A (en) * 1997-12-04 1999-01-26 Mazzei; Angelo L. Mixer-injectors with twisting and straightening vanes
US6030586A (en) 1998-10-30 2000-02-29 Kuan; Yu-Hung Ozone generating and ozone/water mixing apparatus
US6427435B1 (en) * 2000-05-20 2002-08-06 General Electric Company Retainer segment for swirler assembly
US6796704B1 (en) * 2000-06-06 2004-09-28 W. Gerald Lott Apparatus and method for mixing components with a venturi arrangement
DE10138006C1 (de) 2001-08-02 2003-04-24 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Vermischung von Fluiden
JP4075009B2 (ja) 2002-09-04 2008-04-16 株式会社グリーンテック 酸素溶解装置
WO2006014120A1 (en) * 2004-08-06 2006-02-09 Carlos Miguel Moreira Campos Device for mixing fluids
JP4626251B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-02 株式会社日立製作所 燃焼器及び燃焼器の燃焼方法
JP2006102711A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Hoshizaki Electric Co Ltd 被処理液調製機構および同調製機構を装備する電解水生成装置
JP4989062B2 (ja) * 2005-04-28 2012-08-01 バブコック日立株式会社 流体混合装置
JP2007117799A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Goto Tekkosho:Kk 微細気泡生成器及びこれを用いた微細気泡生成装置
DE102006045089A1 (de) 2006-09-21 2008-03-27 Basf Ag Verfahren zum Durchmischen einer in einem im wesentlichen abgeschlossenen Behälter befindlichen Flüssigkeit oder Mischung aus einer Flüssigkeit und einem feinteiligen Feststoff
JP5106918B2 (ja) 2007-05-15 2012-12-26 サーパス工業株式会社 インラインミキサー構造
JP2009154049A (ja) 2007-12-25 2009-07-16 Kawamura:Kk 液体混合装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2529269Y2 (ja) * 1990-09-07 1997-03-19 新日本技研工業株式会社 気液混合器
JP2006247619A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 2流体ノズル及び洗浄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102294262B1 (ko) * 2020-12-16 2021-08-27 주식회사 앤이에스솔루션 버블 발생 노즐 및 이를 이용한 다단 선회방식 버블 발생 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN102770200B (zh) 2014-12-10
WO2011105596A1 (ja) 2011-09-01
KR20120121881A (ko) 2012-11-06
EP2540387A1 (en) 2013-01-02
CN102770200A (zh) 2012-11-07
US20120307588A1 (en) 2012-12-06
EP2540387B1 (en) 2020-02-19
JP5755216B2 (ja) 2015-07-29
JPWO2011105596A1 (ja) 2013-06-20
US8845178B2 (en) 2014-09-30
EP2540387A4 (en) 2016-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101814096B1 (ko) 인라인형 유체 혼합 장치
KR101358512B1 (ko) 연속 흐름 반응기용 혼합기, 연속 흐름 반응기, 상기 혼합기 형성 방법 및 상기 반응기 작동 방법
US9931601B2 (en) Venturi bypass system and associated methods
WO2013111789A1 (ja) スタティックミキサーおよびスタティックミキサーを用いた装置
CN104394971B (zh) 静态混合器
JP7012399B1 (ja) ファインバブル生成ユニット及び給水システム
KR20080040602A (ko) 유체혼합기 및 혼합요소부재
JP5106918B2 (ja) インラインミキサー構造
US12048907B1 (en) Fine bubble generator
JP2011104481A (ja) 流体混合器
JP2010082533A (ja) 混合器
CN116492892A (zh) 混合水路系统
US20230039578A1 (en) Sealing member and pipe joint
JP2006326498A (ja) 静止混合機
US8561972B2 (en) Low pressure gas transfer device
CN109869505A (zh) 一种双通道水龙头
RU2781580C1 (ru) Подводное устройство для смешивания газового и жидкостного потоков
CN218944787U (zh) 一种混流装置以及设备
CN108603627A (zh) 具有水流稳定性的水龙头接头
JP2014117635A (ja) 流体混合器および流体混合器を用いた装置
JP2014117635A5 (ko)
JP7699252B2 (ja) 渦流式流体混合器
CN220990369U (zh) 射流器、软水阀头及软水设备
WO2025041702A1 (ja) 渦流式流体混合器
JP2020045768A (ja) エジェクタ

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20120710

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160217

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170310

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20170928

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20171226

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20171227

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201218

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211217

Start annual number: 5

End annual number: 5