KR101586331B1

KR101586331B1 - Fabrication method for touch screen panel and the touch screen panel thereby

Info

Publication number: KR101586331B1
Application number: KR1020150020079A
Authority: KR
Inventors: 박세근; 김명수; 이다혁; 이진균; 정석헌
Original assignee: 인하대학교 산학협력단
Priority date: 2015-02-10
Filing date: 2015-02-10
Publication date: 2016-01-20
Anticipated expiration: 2035-02-10

Abstract

본 발명은 기판 상부에 과불소 중합체로 X축 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 금속 나노 와이어 단독; 또는 상기 금속 나노 와이어 및 탄소 나노 튜브, 전도성 고분자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 나노 물질 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하는 단계(단계 2); 상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하여 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 형성된 X축 패턴 상부에 절연층을 형성하는 단계(단계 4); 및 상기 단계 4에서 형성된 절연층 상부에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 나노 물질을 포함하는 Y축 패턴을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a process for forming an X-ray pattern (step 1) of a fluoropolymer on an upper portion of a substrate; Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a nanomaterial dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed; Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent to form an X-axis pattern including metal nanowires (Step 3); Forming an insulating layer on the X-axis pattern formed in step 3 (step 4); And forming a Y-axis pattern using a perfluoropolymer on the insulating layer formed in the step 4, and performing the same processes as the steps 2 and 3 (step 5) to form a Y-axis pattern including the nanomaterial; The present invention provides a method of manufacturing a touch screen panel.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a manufacturing method of a touch screen panel and a touch screen panel manufactured thereby,

본 발명은 터치스크린 패널의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 터치스크린 패널에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a touch screen panel and a touch screen panel manufactured thereby.

최근 키보드, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 디지타이저(digitizer) 등의 다양한 입력장치(Input Device)들이 사용자와 가전기기 또는 각종 정보통신기기 사이의 인터페이스를 구성하기 위해 사용되고 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 입력장치를 사용하는 것은 사용법을 익혀야 하고 공간을 차지하는 등의 불편을 야기하여 제품의 완성도를 높이기 어려운 면이 있었다. 따라서, 편리하면서도 간단하고 오작동을 감소시킬 수 있는 입력장치에 대한 요구가 날로 증가되고 있다.
Recently, various input devices such as a keyboard, a mouse, a trackball, a joystick, and a digitizer have been used to configure an interface between a user and a home appliance or various information communication devices. However, the use of the above-described input device has a drawback in that it is required to learn how to use it and occupies a space, which makes it difficult to improve the completeness of the product. Therefore, there is a growing demand for an input device that is convenient and simple and can reduce malfunctions.

이와 같은 요구에 따라 사용자가 손이나 펜 등으로 화면과 직접 접촉하여 정보를 입력하는 터치스크린 패널(touch screen panel)이 제안되었다. 터치 스크린 패널은 간단하고, 오작동이 적으며, 별도의 입력기기를 사용하지 않고도 입력이 가능할 뿐 아니라 사용자가 화면에 표시되는 내용을 통해 신속하고 용이하게 조작할 수 있다는 편리성 때문에 다양한 표시장치에 적용되고 있다.
In accordance with such a demand, a touch screen panel has been proposed in which a user directly touches a screen with a hand or a pen to input information. The touch screen panel is simple, has little malfunction, can be input without using a separate input device, and can be operated quickly and easily through the contents displayed on the screen. .

통상적으로 터치스크린 패널은 전도성 패턴을 포함하며, 특히 투명전극 패턴을 포함하게 된다. 상기 투명전극 패턴은 투명전극 소재를 이용하여 형성되는데, 투명전극 소재로는 얇은 막 형태로 제조된 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide, TCO)이 대표적이다. 투명 전도성 산화물은 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도(85 % 이상)와 낮은 비저항(1×10^-3 Ωㆍcm)을 동시에 갖는 산화물계의 축퇴된(degenerate) 반도체 전극을 총칭하는 것으로, 면저항 크기에 따라 정전기 방지막, 전자파 차폐 등의 기능성 박막과 터치 스크린 패널, 평판 디스플레이, 태양전지, 투명 트랜지스터, 플렉시블 광전소자, 투명 광전소자 등의 핵심 전극 재료로 사용되고 있다. 하지만, 투명전극으로 사용되는 물질인 인듐이 고갈되어 가면서 대체하는 물질로 그래핀, 금속 나노 와이어 등이 개발되어 사용되고 있다.
Typically, the touch screen panel comprises a conductive pattern, in particular a transparent electrode pattern. The transparent electrode pattern is formed using a transparent electrode material, and a transparent conductive oxide (TCO), which is manufactured in the form of a thin film, is a typical transparent electrode material. Transparent conductive oxides are collectively referred to as oxide-based degenerate semiconductor electrodes having both high optical transmittance (over 85%) and low resistivity (1 x ^10-3 ? Cm) in the visible light region, Are used as core electrode materials for functional thin films such as antistatic films and electromagnetic wave shielding, touch screen panels, flat panel displays, solar cells, transparent transistors, flexible optoelectronic devices, and transparent optoelectronic devices. However, graphene, metal nanowires, etc. have been developed and used as substitutes for indium, which is a substance used as a transparent electrode, as it is depleted.

상기와 같은 물질들을 투명전극 소재로 사용하기 위하여 패터닝을 하여 사용하고 있으나, 구현할 수 있는 미세 선폭에 한계가 있다. In order to use the above materials as a transparent electrode material, they are used by patterning. However, there is a limit in the fine line width that can be realized.

나노 물질 패턴 형성 방법은 일례로써, 분산액을 코팅시킴으로써 물질을 코팅시킨 후, 상기 코팅된 물질에 패턴을 형성하기 위하여 식각하는 방법을 사용할 수 있다. 구체적인 일례로써, 대한민국 공개특허 제10-2013-0048717호에서는 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 이를 패터닝하는 방법이 개시된 바 있으며, 상세하게는, 저시도 또는 비가시성 패턴들을 생성시키는 부분 에칭에 관한 것이다.
As a method of forming a nanomaterial pattern, for example, a method may be used in which a material is coated by coating a dispersion liquid, and then etching is performed to form a pattern on the coated material. As a specific example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0048717 discloses a nanowire-based transparent conductor and a method of patterning the same, and more particularly, to a partial etching that generates low or invisible patterns .

또 다른 방법으로 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 이용하여 정교한 미세 선폭을 구현하여 터치스크린 패널을 제조할 수 있다.As another method, a fine line width can be realized by using a photolithography process to manufacture a touch screen panel.

포토리소그래피 공정은 일반적으로, 기판 위에 포토리소그래피 방법으로 포토레지스트(photoresist) 패턴을 먼저 형성한 후, 패턴을 형성하려는 물질을 그 위에 코팅하여 포토레지스트를 제거하여 패턴을 형성하는 방법이다. 하지만, 분산액을 다음 공정에 적용하기에는 제한적인 사항이 있다. 첫 번째로 유기 기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 것이 어려운 문제점이 있으며, 두 번째로 포토레지스트 패턴이 분산액으로 사용하는 특정 용매(예를 들어, IPA, 에탄올 등)에 의해서 제거되는 문제점이 있다. 설령, 포토레지스트 패턴이 제거되지 않더라도, 포토레지스트 패턴의 제거 공정 시 아세톤과 같은 용매에 의해 나노 와이어 등의 나노 물질이 박리되는 문제점이 있다.
The photolithography process is generally a method in which a photoresist pattern is first formed on a substrate by a photolithography method, and then a material to be patterned is coated thereon to remove the photoresist to form a pattern. However, there are limitations in applying the dispersion to the next process. Firstly, it is difficult to form a photoresist pattern on an organic substrate. Secondly, there is a problem that a photoresist pattern is removed by a specific solvent (for example, IPA, ethanol, etc.) used as a dispersion. Even if the photoresist pattern is not removed, there is a problem that the nanomaterial such as nanowire is peeled off by a solvent such as acetone during the process of removing the photoresist pattern.

이에, 본 발명자들은 터치스크린 패널의 제조방법에 대하여 연구하던 중, 과불소 중합체를 사용하여 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 형성하고, X축 패턴 또는 Y축 패턴에 나노 물질 및 특정 용매를 포함하는 분산액을 도포하여 나노 물질을 포함하는 X축 패턴과 Y축 패턴을 형성하고, 이렇게 제조된 X축 패턴과 Y축 패턴이 형성된 X축 전극과 Y축 전극을 사용하여 터치스크린 패널을 제조하는 방법을 개발하고, 본 발명을 완성하였다.
Accordingly, the inventors of the present invention have been studying a manufacturing method of a touch screen panel, and have found that when a perfluoropolymer is used to form an X-axis pattern or a Y-axis pattern, and an X-axis pattern or a Y- A method of fabricating a touch screen panel using an X-axis electrode and a Y-axis electrode in which an X-axis pattern and a Y-axis pattern including a nanomaterial are formed by applying a dispersion and an X- And completed the present invention.

본 발명의 목적은 터치스크린 패널의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 터치스크린 패널을 제공하는 데 있다.
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a touch screen panel and a touch screen panel manufactured thereby.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object,

기판 상부에 과불소 중합체로 X축 패턴을 형성하는 단계(단계 1);Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);

금속 나노 와이어 단독; 또는 상기 금속 나노 와이어 및 탄소 나노 튜브, 전도성 고분자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 나노 물질 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하는 단계(단계 2);Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a nanomaterial dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;

상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하여 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하는 단계(단계 3);Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent to form an X-axis pattern including metal nanowires (Step 3);

상기 단계 3에서 형성된 X축 패턴 상부에 절연층을 형성하는 단계(단계 4); 및Forming an insulating layer on the X-axis pattern formed in step 3 (step 4); And

상기 단계 4에서 형성된 절연층 상부에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 나노 물질을 포함하는 Y축 패턴을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
Forming a Y-axis pattern as a perfluoropolymer on the insulating layer formed in the step 4, and forming a Y-axis pattern including the nanomaterial by performing the same processes as the steps 2 and 3 (step 5); The present invention provides a method of manufacturing a touch screen panel including a touch panel.

또한, 본 발명은In addition,

상기의 제조방법으로 제조되고,[0030]

X축 패턴을 포함하는 X축 전극; An X-axis electrode including an X-axis pattern;

상기 X축 전극 상부에 위치하는 절연층; 및An insulating layer positioned above the X-axis electrode; And

상기 절연층 상부에 위치하고 Y축 패턴을 포함하는 Y축 전극;을 포함하는 터치스크린 패널을 제공한다.
And a Y-axis electrode disposed on the insulating layer and including a Y-axis pattern.

본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법은 과불소 중합체를 사용하여 나노 물질 패턴을 형성하고난 후의 과불소 중합체 패턴을 제거하는 것이 용이하며, 기판 및 나노 물질에 손상을 가하지 않기 때문에 우수한 성능의 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 특정 나노 물질 및 특정 용매를 포함하는 분산액으로 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 형성하기 때문에, 패턴된 물질 또는 기판과의 반응성으로 인한 문제가 발생하지 않는다.
The method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention is advantageous in that it is easy to remove a perfluoropolymer pattern after forming a nanomaterial pattern by using a perfluoropolymer and does not damage the substrate and the nanomaterial, Axis pattern or a Y-axis pattern can be formed. In addition, since the X-axis pattern or the Y-axis pattern is formed with the dispersion containing the specific nanomaterial and the specific solvent, the problem caused by the reactivity with the patterned substance or the substrate does not occur.

도 1은 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 터치스크린 패널의 구조를 나타낸 모식도이다.1 is a schematic view showing the structure of a touch screen panel manufactured by the manufacturing method according to the present invention.

본 발명은The present invention

이하, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 대하여 각 단계별로 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing the touch screen panel according to the present invention will be described in detail.

먼저, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 1은 기판 상부에 과불소 중합체로 X축 패턴을 형성하는 단계이다.First, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, step 1 is a step of forming an X-axis pattern with a perfluoropolymer on a substrate.

상기 단계 1에서는 일반적으로 사용될 수 있는 기판 상부에 과불소 중합체 패턴을 형성한다. 특히, 터치스크린 패널의 X축 전극으로 사용하기 위해 X축 패턴을 형성한다.
In step 1 above, a perfluoropolymer pattern is formed on a substrate that can be used generally. In particular, an X-axis pattern is formed for use as an X-axis electrode of a touch screen panel.

구체적으로, 상기 단계 1의 과불소 중합체는 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)를 포함하는 단일 중합체 또는 공중합체를 사용할 수 있다. 이때, 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)에서 알킬은 C₃ 내지 C₂₀의 직쇄 또는 측쇄 알킬일 수 있으며, 바람직하게는 C₆ 내지 C₁₂의 직쇄 또는 측쇄 알킬일 수 있다. 또한, 플루오르기(-F)를 6 개 이상 포함할 수 있다. 나아가, 적정량의 비불소화 단량체를 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate)와 공중합하여 고불소화 용제와의 용해성을 확보한 공중합체, 상용화되어 있는 비결정성 고분자 재료인 CYTOP, TEFLOON AF 등일 수 있다. 일례로써, 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트)(Poly(1H,1H,2H,2H-Perfluorodecyl methacrylate, PFDMA))일 수 있다.
Specifically, the perfluoropolymer of step 1 may be a homopolymer comprising a poly (perfluoroalkyl methacrylate) or a poly (perfluoroalkyl acrylate) (poly (perfluoroalkyl acrylate) (Perfluoroalkyl methacrylate) or poly (perfluoroalkyl acrylate) (poly (perfluoroalkyl acrylate)) is preferably a straight chain of C ₃ to C ₂₀ Or branched alkyl, preferably C ₆ to C ₁₂ straight chain or branched chain alkyl. Further, it may contain at least 6 fluorine groups (-F). Further, when a suitable amount of non-fluorinated monomer is poly (Perfluoroalkyl methacrylate) to ensure solubility with a fluorinated solvent, a commercially available amorphous polymeric material such as CYTOP, (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate (PFDMA)), poly (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate).

또한, 상기 단계 1의 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 커버 레이어(cover layer), 절연 필름으로 사용되는 기판일 수 있고, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.The substrate of step 1 may be a substrate which is used as a cover layer or an insulating film, and may be a silicon substrate, a glass substrate, Polymethyl methacrylate (PMMA) substrate, poly vinyl pyrrolidone (PVP) substrate, polystyrene (PS) substrate, polycarbonate (PC) substrate, polyethersulfone (PES) substrate, a cyclic olefin copolymer (COC) substrate, a TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate Substrate and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate can be used.

구체적인 일례로써, 상기 단계 1의 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 기판, 폴리이미드(PI) 기판, 폴리카보네이트(PC) 기판, 폴리프로필렌(PP) 기판, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 기판 및 폴리에테르술폰(PES) 기판 등의 유연성 기판을 사용할 수 있다.
As a specific example, the substrate of step 1 may be a polyethylene terephthalate (PET) substrate, a polyethylene naphthalate (PEN) substrate, a polyimide (PI) substrate, a polycarbonate (PC) substrate, a polypropylene (TAC) substrate and a polyethersulfone (PES) substrate.

또한, 상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은 미세 인쇄 접촉 기술, 포토리소그래피법, 임프린트법, 잉크젯 프린팅 및 디스펜싱 등 다양한 방법을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
In addition, the method of forming the pattern in the step 1 may be various methods such as a micro-printing contact technique, a photolithography method, an imprint method, an ink-jet printing and a dispensing method, but is not limited thereto.

이때, 상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은, 일례로써At this time, the method of forming the pattern in the step 1 is, for example,

볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계(단계 a);Preparing a polymer mold having convex portions and concave portions (step a);

과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 b);Preparing a polymer solution comprising a perfluoropolymer (step b);

상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c); 및(C) forming a polymer layer on the surface of the convex portion of the polymer mold by applying the polymer solution prepared in the step (b) to the polymer mold prepared in the step (a); And

상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (d) of transferring the polymer layer formed on the surface of the convex portion of the polymer mold by bringing the polymer mold having the polymer layer formed thereon into contact with the substrate in the step (c).

먼저, 상기 단계 a는 볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계이다. First, step (a) is a step of preparing a polymer mold having a convex portion and a concave portion.

구체적으로, 상기 단계 a는 원하는 패턴을 형성하기 위하여 볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계이다. 이때, 고분자 몰드는 주형(Template)을 사용하여 준비할 수 있으며, 상기 주형(Template)의 볼록부 및 오목부의 간격, 폭, 깊이 등을 조절하여 원하는 패턴을 가지는 고분자 몰드를 준비할 수 있다.
Specifically, step (a) is a step of preparing a polymer mold having convex portions and concave portions to form a desired pattern. At this time, the polymer mold can be prepared using a template, and a polymer mold having a desired pattern can be prepared by controlling the interval, width, depth, etc. of the convex portion and the concave portion of the template.

또한, 상기 단계 a의 고분자 몰드의 준비는 예를 들어, 패턴이 형성된 주형인 마스터(Master)에 고분자를 도포하여 형성할 수 있다. 이때, 형성되는 고분자 몰드의 패턴은 0.5 내지 50 ㎛의 간격으로 0.1 내지 10 ㎛의 두께의 선이 균일하게 형성될 수 있으며, 상기 선은 0.1 내지 10 ㎛의 높이를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 주형인 마스터의 패턴에 따라 다양한 패턴을 가지는 고분자 몰드를 준비하여 사용할 수 있다.
In addition, the preparation of the polymer mold in the step a) can be performed, for example, by applying a polymer to a master which is a patterned mold. At this time, the pattern of the polymer mold to be formed may be uniformly formed with a line having a thickness of 0.1 to 10 mu m at an interval of 0.5 to 50 mu m, and the line may have a height of 0.1 to 10 mu m, A polymer mold having various patterns can be prepared and used according to a pattern of a master which is a mold.

나아가, 상기 단계 a의 고분자 몰드는 하드-폴리디메틸실록세인(h-PDMS) 몰드 또는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS) 몰드일 수 있으며, 바람직하게는 하드-폴리디메틸실록세인 몰드일 수 있다.
Further, the polymer mold of step a) may be a hard-polydimethylsiloxane (h-PDMS) mold or a soft-polydimethylsiloxane (s-PDMS) mold, preferably a hard-polydimethylsiloxane mold have.

다음으로, 상기 단계 b는 과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계이다.Next, step (b) is a step of preparing a polymer solution containing a perfluoropolymer.

구체적으로, 상기 단계 b는 과불소 중합체를 용매에 녹여 상기 단계 a에서 준비된 몰드에 고분자 층을 형성하기 위하여 고분자 용액을 준비하는 단계이다.
Specifically, step (b) is a step of preparing a polymer solution to form a polymer layer on the mold prepared in step (a) by dissolving the perfluoropolymer in a solvent.

이때, 상기 단계 b의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함할 수 있으며, 상기 플루오르계 용매는 하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether, HFE), 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon), 퍼플루오로카본(Perfluorocarbon) 및 고불소화 방향족 용매(Highly fluorinated aromatic solvent)를 사용할 수 있으나, 과불소 중합체를 용해시킬 수 있는 용매이면 이에 제한되지 않고 사용할 수 있다.
In this case, the polymer solution in step b may include a fluorine-based solvent, and the fluorine-based solvent may be at least one selected from the group consisting of hydrofluoroether (HFE), hydrofluorocarbon, perfluorocarbon, Highly fluorinated aromatic solvent may be used, but any solvent capable of dissolving the perfluoropolymer can be used without limitation.

또한, 상기 단계 b의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 b에서 과불소 중합체의 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 1 중량% 미만일 경우에는 상기 고분자 용액을 고분자 몰드에 도포하여 고분자 층을 형성할 때, 고분자 몰드 볼록부 표면에 고르게 형성하기 어려우며, 수 nm의 두께로 형성되기 때문에 형성되는 패턴을 마스크로 사용하기 어려운 문제가 있으며, 50 중량%를 초과하는 경우에도 과량의 고분자 함량으로 인하여 고르게 도포하기 어려운 문제가 있다.
The content of the perfluoropolymer in the step (b) is preferably 1 to 50% by weight based on the whole polymer solution. If the content of the perfluoropolymer in the step (b) is less than 1% by weight based on the total polymer solution, it is difficult to uniformly form the surface of the polymer mold convex portion when the polymer solution is applied to the polymer mold to form the polymer layer, There is a problem that it is difficult to use the formed pattern as a mask, and even if it exceeds 50% by weight, there is a problem that it is difficult to apply evenly due to an excessive amount of the polymer.

다음으로, 상기 단계 c는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면에 고분자 층을 형성하는 단계이다.Next, the step c is a step of applying the polymer solution prepared in the step b to the polymer mold prepared in the step a to form a polymer layer on the surface of the convex portion of the polymer mold.

미세 접촉 인쇄 기술은 각각의 물질들(고분자 몰드, 패턴을 형성할 고분자 및 기판) 사이의 접착력(adhesion force)의 차이에 의해 수행되는 것으로, 몰드(mold)와 고분자 사이의 접착력과 고분자와 기판(substrate) 사이의 접착력의 차이가 큰 경우에 전사를 수행할 수 있다. 상기 접착력은 각각의 물질들의 표면 에너지와 관련이 있으며, 이러한 표면 에너지를 변화시키기 위하여 일례로써, 몰드에 산소 플라즈마 처리를 하거나, 특정 화학 용액을 코팅하기도 한다. 그러나, 유기 기판이 필요한 소자의 경우, 이러한 표면 처리가 유기 기판에 영향을 주어 소자의 특성 저하를 발생시킬 수 있는 문제가 있다.The fine contact printing technique is performed by a difference in the adhesion force between the respective materials (the polymer mold, the polymer to form the pattern and the substrate), and the adhesion between the mold and the polymer, transferring can be performed when the difference in adhesion between the substrate and the substrate is large. The adhesion is related to the surface energy of each of the materials. In order to change the surface energy, for example, the mold may be subjected to an oxygen plasma treatment or a specific chemical solution. However, in the case of an element requiring an organic substrate, such a surface treatment affects the organic substrate, which may cause degradation of the characteristics of the element.

상기 방법은 별도의 표면 처리 없이 패턴을 형성할 수 있으며, 이를 위해 상기 단계 c에서는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드와 접착력이 약한 과불소 중합체를 사용하여 고분자 몰드의 볼록부 표면에 고분자 층을 형성한다.
In this method, a polymer layer is formed on the surface of the convex portion of the polymer mold using a perfluoropolymer having a weak adhesive force with the polymer mold prepared in the step (a) .

구체적으로, 상기 단계 c에서 도포하는 방법은 균일하게 고분자 층을 형성할 수 있는 방법이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 스핀 코팅(Spin coating)을 사용하여 수행할 수 있다. 이때, 상기 스핀 코팅은 500 내지 3,000 rpm으로 10 내지 120 초 동안 수행할 수 있다.
Specifically, the method of coating in step c may be performed using any method that can uniformly form a polymer layer, but may be performed using spin coating. The spin coating may be performed at 500 to 3,000 rpm for 10 to 120 seconds.

다음으로, 상기 단계 d는 상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계이다.Next, step d is a step of transferring the polymer layer formed on the convex portion surface of the polymer mold by bringing the polymer mold having the polymer layer formed thereon into contact with the substrate in the step c.

상기 단계 d에서는 미세 접촉 인쇄 기술을 사용하여 과불소 중합체로 이루어진 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 기판에 전사시킴으로써 패턴을 형성한다.
In the step d, a polymer mold having a polymer layer formed of a perfluoropolymer is formed on a substrate by using a micro-contact printing technique, and a polymer layer formed on the surface of the polymer mold convex portion is transferred to a substrate to form a pattern.

구체적으로, 상기 단계 d의 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.
For example, the substrate of step d may be a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, a polyvinyl Polycarbonate (PC) substrate, polyethersulfone (PES) substrate, cyclic olefin copolymer (COC) substrate, polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrate, polystyrene Substrate, a TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) .

이때, 상기 단계 d에서 고분자 층의 전사는 고분자 몰드와 고분자 층 사이의 접착력과 고분자 층과 기판 사이의 접착력 차이로 인하여 수행될 수 있으며, 접착력 차이가 큰 경우에 전사가 수행되어 상기 기판에 패턴이 형성된다.
At this time, the transfer of the polymer layer in the step d may be performed due to the adhesive force between the polymer mold and the polymer layer and the adhesive force between the polymer layer and the substrate. When the difference in adhesion is large, transfer is performed, .

또한, 상기 단계 d에서 전사되어 형성된 고분자 패턴의 두께는 50 내지 500 nm인 것이 바람직하다. 상기 단계 d에서 전사되어 형성된 패턴은 고분자 몰드 볼록부 표면에 도포된 고분자 층의 두께와 동일하며, 약 50 내지 500 nm의 두께를 가진다.
The thickness of the polymer pattern transferred and formed in step d is preferably 50 to 500 nm. The pattern transferred and formed in step d is equal to the thickness of the polymer layer applied on the surface of the convex portion of the polymer mold, and has a thickness of about 50 to 500 nm.

나아가, 상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은, 또 다른 일례로써Furthermore, as another example of the method of forming the pattern in the step 1,

상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c); 및(C) forming a polymer layer in the concave portion of the polymer mold by applying the polymer solution prepared in the step (b) to the polymer mold prepared in the step (a); And

상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (d) of contacting the polymer mold having the polymer layer formed in step c) with the substrate and transferring the polymer layer formed in the concave part of the polymer mold by applying pressure.

다음으로, 상기 단계 c는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계이다.Next, step c) is a step of applying the polymer solution prepared in step b) to the polymer mold prepared in step a) to form a polymer layer in the concave part of the polymer mold.

상기 방법은 별도의 표면 처리 없이 패턴을 형성할 수 있으며, 이를 위해 상기 단계 c에서는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드와 접착력이 약한 과불소 중합체를 사용하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 고분자 층을 형성한다.
In this method, a polymer layer is formed in the concave portion of the polymer mold using the perfluoropolymer having weak adhesive force with the polymer mold prepared in the step a) .

다음으로, 상기 단계 d는 상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계이다.Next, step d is a step of transferring the polymer layer formed in the concave part of the polymer mold by contacting the polymer mold having the polymer layer formed thereon in step c, and applying pressure thereto.

상기 단계 d에서는 미세 접촉 인쇄 기술을 사용하여 과불소 중합체로 이루어진 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시키고, 일정 압력을 가함으로써 고분자 몰드 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 기판에 전사시켜 패턴을 형성한다.
In the step d, a polymer mold having a polymer layer formed of a perfluoropolymer is contacted with a substrate using a micro-contact printing technique, and a polymer layer formed inside the polymer mold recess is transferred to a substrate by applying a predetermined pressure to form a pattern do.

구체적으로, 상기 단계 d의 기판은 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate) 고분자와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 바람직하게는 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.
Specifically, the substrate of step (d) may be a substrate having excellent adhesion to poly (perfluoroalkyl methacrylate) or poly (perfluoroalkyl acrylate) (poly (perfluoroalkyl acrylate) But it is preferable to use a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, a polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrate, a polystyrene (PS) substrate , A polycarbonate (PC) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a cyclic olefin copolymer (COC) substrate, a TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol A polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate. It can be used.

또한, 상기 단계 d에서 고분자 몰드에 가하는 압력은 0.1 내지 5.0 Mpa일 수 있다. 만약, 상기 단계 d에서 고분자 몰드에 가하는 압력이 0.1 Mpa 미만일 경우에는 고분자 몰드 내에 형성되어 있는 플루오르계 고분자를 기판에 전사하기 어려운 문제가 있으며, 5.0 Mpa을 초과하는 경우에는 형성되는 고분자 패턴이 약간 뭉개지거나, 고분자 몰드가 손상되는 문제가 있다.
In addition, the pressure applied to the polymer mold in step d may be 0.1 to 5.0 MPa. If the pressure applied to the polymer mold in step d is less than 0.1 MPa, there is a problem that it is difficult to transfer the fluorinated polymer formed in the polymer mold to the substrate. If the pressure exceeds 5.0 MPa, Or the polymer mold is damaged.

또한, 상기 단계 d에서 전사되어 형성된 고분자 패턴의 두께는 0.1 내지 10 ㎛일 수 있다. 상기 고분자 몰드 내부, 즉 고분자 몰드의 오목부에 형성되어 있는 플루오르계 고분자는 고분자 몰드의 오목부 깊이에 따라 적절한 두께를 가질 수 있으며, 이를 통해 두꺼운 두께의 고분자 패턴을 형성할 수 있다.
In addition, the thickness of the polymer pattern transferred and formed in step d may be 0.1 to 10 탆. The fluorine-based polymer formed in the interior of the polymer mold, that is, the concave portion of the polymer mold, may have an appropriate thickness depending on the depth of the concave portion of the polymer mold, thereby forming a thick polymer pattern.

상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면 및 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c);(C) forming a polymer layer on the surface of the convex portion and the concave portion of the polymer mold by applying the polymer solution prepared in the step (b) to the polymer mold prepared in the step (a);

상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d); 및(D) transferring the polymer layer formed on the surface of the convex portion of the polymer mold by contacting the polymer mold having the polymer layer formed in Step c) with the substrate; And

상기 단계 d가 수행된 고분자 몰드를 사용하여 새로운 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 e);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (e) of transferring the polymer layer formed in the concave portion of the polymer mold by applying pressure to the new substrate by using the polymer mold in which the step d) is performed.

다음으로, 상기 단계 c는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면 및 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계이다.Next, step c) is a step of applying a polymer solution prepared in step b) to the polymer mold prepared in step a) to form a polymer layer on the convex part surface and the concave part of the polymer mold.

상기 방법은 별도의 표면 처리 없이 패턴을 형성할 수 있으며, 이를 위해 상기 단계 c에서는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드와 접착력이 약한 과불소 중합체를 사용하여 고분자 몰드의 볼록부 표면 및 오목부 내부에 고분자 층을 형성한다.
In the step c, a perfluoropolymer having a weak adhesive force with the polymer mold prepared in the step a is used to form a polymer on the convex portion of the polymer mold and the inside of the concave portion. Layer.

또한, 상기 단계 d에서 전사되어 형성된 고분자 패턴의 두께는 10 내지 500 nm인 것이 바람직하다. 상기 단계 d에서 전사되어 형성된 패턴은 고분자 몰드 볼록부 표면에 도포된 고분자 층의 두께와 동일하며, 약 10 내지 500 nm의 두께를 가진다.
The thickness of the polymer pattern transferred and formed in step d is preferably 10 to 500 nm. The pattern transferred and formed in step d is equal to the thickness of the polymer layer applied on the surface of the convex portion of the polymer mold, and has a thickness of about 10 to 500 nm.

다음으로, 상기 단계 e는 상기 단계 d가 수행된 고분자 몰드를 사용하여 새로운 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계이다.Next, the step (e) is a step of transferring the polymer layer formed in the concave portion of the polymer mold by bringing the polymer mold in which the step (d) is performed into contact with a new substrate and applying pressure thereto.

상기 단계 e에서는 미세 접촉 인쇄 기술을 사용하여 과불소 중합체로 이루어진 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시키고, 일정 압력을 가함으로써 고분자 몰드 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 새로운 기판에 전사시켜 패턴을 형성한다.
In the step (e), the polymer mold having the polymer layer formed of the perfluoropolymer is contacted to the substrate using the micro-contact printing technique, and the polymer layer formed inside the polymer mold recess is transferred to the new substrate by applying a certain pressure, .

구체적으로, 상기 단계 e의 새로운 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.
For example, the new substrate of step e may be a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, a poly Polycarbonate (PC) substrates, polyethersulfone (PES) substrates, cyclic olefin copolymers (COC), polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrates, polystyrene ) Substrate, a TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate have.

또한, 상기 단계 e에서 고분자 몰드에 가하는 압력은 0.1 내지 5.0 Mpa일 수 있다. 만약, 상기 단계 e에서 고분자 몰드에 가하는 압력이 0.1 Mpa 미만일 경우에는 고분자 몰드 내에 형성되어 있는 플루오르계 고분자를 기판에 전사하기 어려운 문제가 있으며, 5.0 Mpa을 초과하는 경우에는 형성되는 고분자 패턴이 약간 뭉개지거나, 고분자 몰드가 손상되는 문제가 있다.
In addition, the pressure applied to the polymer mold in step e may be 0.1 to 5.0 MPa. If the pressure applied to the polymer mold in step e is less than 0.1 Mpa, it is difficult to transfer the fluorine-based polymer formed in the polymer mold to the substrate. If the pressure exceeds 5.0 Mpa, the polymer pattern formed is slightly blurred Or the polymer mold is damaged.

이때, 상기 단계 e에서 고분자 층의 전사는 고분자 몰드와 고분자 층 사이의 접착력과 고분자 층과 기판 사이의 접착력 차이로 인하여 수행될 수 있으며, 접착력 차이가 큰 경우에 전사가 수행되어 상기 기판에 패턴이 형성된다.
At this time, the transfer of the polymer layer in the step (e) can be performed due to the adhesive force between the polymer mold and the polymer layer and the adhesive force between the polymer layer and the substrate. When the difference in adhesion is large, .

또한, 상기 단계 e에서 전사되어 형성된 고분자 패턴의 두께는 0.1 내지 10 ㎛일 수 있다. 상기 고분자 몰드 내부, 즉 고분자 몰드의 오목부에 형성되어 있는 플루오르계 고분자는 고분자 몰드의 오목부 깊이에 따라 적절한 두께를 가질 수 있으며, 이를 통해 두꺼운 두께의 고분자 패턴을 형성할 수 있다.
In addition, the thickness of the polymer pattern transferred and formed in step e may be 0.1 to 10 mu m. The fluorine-based polymer formed in the interior of the polymer mold, that is, the concave portion of the polymer mold, may have an appropriate thickness depending on the depth of the concave portion of the polymer mold, thereby forming a thick polymer pattern.

과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 a);Preparing a polymer solution comprising a perfluoropolymer (step a);

상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 잉크젯 방법으로 기판 위에 과불소 중합체 박막 패턴을 형성하는 단계(단계 b);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (b) of forming a hyperbranched polymer thin film pattern on the substrate by using the inkjet method for the polymer solution prepared in the step (a).

먼저, 상기 단계 a는 과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계이다.First, step (a) is a step of preparing a polymer solution containing a perfluoropolymer.

상기 단계 a에서는 과불소 중합체 박막을 형성하기 위하여, 과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비한다.
In step a, a polymer solution containing a perfluoropolymer is prepared to form a perfluoropolymer thin film.

구체적으로, 상기 단계 a의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함할 수 있으며, 상기 플루오르계 용매는 하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether, HFE), 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon), 퍼플루오로카본(Perfluorocarbon) 및 고불소화 방향족 용매(Highly fluorinated aromatic solvent)를 사용할 수 있으나, 과불소 중합체를 용해시킬 수 있는 용매이면 이에 제한되지 않고 사용할 수 있다.
Specifically, the polymer solution in step a may include a fluorine-based solvent, and the fluorine-based solvent may be at least one selected from the group consisting of hydrofluoroether (HFE), hydrofluorocarbon, perfluorocarbon, A highly fluorinated aromatic solvent may be used, but it is not limited thereto and any solvent which can dissolve the perfluoropolymer can be used.

또한, 상기 단계 a의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 a에서 과불소 중합체의 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 1 중량% 미만일 경우에는 상기 고분자 용액을 기판에 도포하여 중합체 박막을 형성할 때, 수 nm의 두께로 형성되기 때문에 형성되는 패턴을 마스크로 사용하기 어려운 문제가 있으며, 50 중량%를 초과하는 경우에도 과량의 고분자 함량으로 인하여 점성이 높아 잉크젯 프린팅에 제한된다.
The content of the perfluoropolymer in step a is preferably 1 to 50% by weight based on the total weight of the polymer solution. If the content of the perfluoropolymer in the step (a) is less than 1% by weight based on the whole polymer solution, the polymer solution is applied to the substrate to form a polymer thin film, There is a problem that it is difficult to use as a mask, and even if it exceeds 50% by weight, the viscosity is high due to an excessive amount of the polymer, so that it is limited to inkjet printing.

다음으로, 상기 단계 b는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 잉크젯 프린팅 용액으로 활용하여 기판 상부에 과불소 중합체 박막 패턴을 형성하는 단계이다.
Next, step b) is a step of forming a perfluoropolymer thin film pattern on the substrate by using the polymer solution prepared in step a as an inkjet printing solution.

이때, 상기 단계 b의 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.
In this case, the substrate of step b) may be used without limitation as long as it is a substrate having excellent adhesion to the perfluoropolymer. For example, a substrate such as a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, A polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrate, a polystyrene (PS) substrate, a polycarbonate (PC) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a cyclic olefin copolymer , A TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate.

상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 이용하여 디스펜싱 방법으로 기판에 고분자 패턴을 형성하는 단계(단계 b);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (b) of forming a polymer pattern on a substrate by a dispensing method using the polymer solution prepared in the step (a).

이때, 상기 단계 a의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함할 수 있으며, 상기 플루오르계 용매는 하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether, HFE), 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon), 퍼플루오로카본(Perfluorocarbon) 및 고불소화 방향족 용매(Highly fluorinated aromatic solvent)를 사용할 수 있으나, 과불소 중합체를 용해시킬 수 있는 용매이면 이에 제한되지 않고 사용할 수 있다.
In this case, the polymer solution in step a may include a fluorine-based solvent, and the fluorine-based solvent may be at least one selected from the group consisting of hydrofluoroether (HFE), hydrofluorocarbon, perfluorocarbon, Highly fluorinated aromatic solvent may be used, but any solvent capable of dissolving the perfluoropolymer can be used without limitation.

또한, 상기 단계 b의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 b에서 과불소 중합체의 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 1 중량% 미만일 경우에 수 nm의 두께로 형성되기 때문에 형성되는 패턴을 마스크로 사용하기 어려운 문제가 있으며, 50 중량%를 초과하는 경우에도 과량의 고분자 함량으로 인하여 도포하기 어려운 문제가 있다.
The content of the perfluoropolymer in the step (b) is preferably 1 to 50% by weight based on the whole polymer solution. If the content of the perfluoropolymer in the step (b) is less than 1% by weight based on the total weight of the polymer solution, it is difficult to use the formed pattern as a mask. There is a problem that it is difficult to apply because of an excessive amount of the polymer.

다음으로, 상기 단계 b는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 이용하여 디스펜싱 방법으로 기판에 고분자 패턴을 형성하는 단계이다.
Next, step b) is a step of forming a polymer pattern on a substrate by a dispensing method using the polymer solution prepared in step a).

이때, 상기 단계 b의 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES), 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC), TAC(Triacetylcellulose), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 등을 사용할 수 있다.
In this case, the substrate of step b) may be used without limitation as long as it is a substrate having excellent adhesion to the perfluoropolymer. For example, a substrate such as a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, Polycarbonate (PC), Polyethersulfone (PES), Cyclic olefin copolymer (COC), TAC (Polycarbonate), Polystyrene (PS) Triacetylcellulose, polyvinyl alcohol, polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalate (PEN).

또한, 상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은, 또 다른 일례로써The method of forming the pattern in the above step 1 is, as another example,

상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 기판 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계(단계 b);(B) forming a perfluoropolymer thin film by applying the polymer solution prepared in the step (a) on the substrate;

상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계(단계 c); 및Raising a patterned mask on top of the perfluoropolymer thin film formed in step b) and irradiating ultraviolet rays (step c); And

상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하는 단계(단계 d);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (d) of removing the portion not irradiated with ultraviolet rays with the solvent in the step c).

또한, 상기 단계 a의 과불소 중합체는 퍼플루오로알킬 메타크릴레이트 단량체와 광조사에 의해 이미지 패턴을 형성할 수 있는 단량체 대부분을 포함하는 공중합체를 사용할 수 있다.
In addition, the perfluoropolymer of step a) may be a copolymer containing perfluoroalkyl methacrylate monomer and most of the monomers capable of forming an image pattern by light irradiation.

나아가, 상기 단계 a의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 a에서 과불소 중합체의 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 1 중량% 미만일 경우에는 상기 고분자 용액을 기판에 도포하여 중합체 박막을 형성할 때, 기판 표면에 고르게 형성하기 어려우며, 수 nm의 두께로 형성되기 때문에 형성되는 패턴을 마스크로 사용하기 어려운 문제가 있으며, 50 중량%를 초과하는 경우에도 과량의 고분자 함량으로 인하여 고르게 도포하기 어려운 문제가 있다.
Further, the content of the perfluoropolymer in the step (a) is preferably 1 to 50% by weight based on the whole polymer solution. If the amount of the perfluoropolymer is less than 1% by weight based on the total polymer solution in step (a), it is difficult to uniformly form the polymer thin film on the substrate surface by applying the polymer solution to the substrate, There is a problem that it is difficult to use the formed pattern as a mask, and even when it exceeds 50% by weight, there is a problem that it is difficult to apply evenly due to an excessive amount of the polymer.

다음으로, 상기 단계 b는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 기판 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계이다Next, step (b) is a step of applying the polymer solution prepared in step (a) above the substrate to form a perfluoropolymer thin film

구체적으로, 상기 단계 b에서는 일반적으로 사용될 수 있는 코팅방법을 통해 기판 상부에 고분자 용액을 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성한다.
Specifically, in step b, a polymer solution is applied to the upper part of the substrate through a coating method that can be generally used to form a perfluoropolymer thin film.

이때, 상기 단계 b에서 도포하는 방법은 균일하게 중합체 박막을 형성할 수 있는 방법이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 스핀 코팅(Spin coating)을 사용하여 수행할 수 있다. 이때, 상기 스핀 코팅은 500 내지 3,000 rpm으로 10 내지 120 초 동안 수행할 수 있다.
In this case, the method of coating in step (b) is not limited as long as it can uniformly form a polymer thin film. However, the method can be carried out by using spin coating. The spin coating may be performed at 500 to 3,000 rpm for 10 to 120 seconds.

다음으로, 상기 단계 c는 상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계이다.Next, step c) is a step of raising a patterned mask on top of the thin film of perfluoropolymer formed in step b) and irradiating ultraviolet rays.

포토리소그래피법을 통해 과불소 중합체 패턴을 형성하기 위하여, 상기 단계 c에서는 상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 과불소 중합체 박막에 선택적으로 자외선을 조사한다.
In order to form a perfluoropolymer pattern through the photolithography process, a patterned mask is formed on the perfluoropolymer thin film formed in the step b in the step c, and the perfluoropolymer thin film is selectively irradiated with ultraviolet light.

다음으로, 상기 단계 d는 상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하는 단계이다.Next, the step d is a step of removing a portion not irradiated with ultraviolet rays as a solvent in the step c.

상기 단계 d에서는 상기 단계 c에서 과불소 중합체 박막 중에 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하여 과불소 중합체 패턴을 형성한다.
In the step (d), a portion of the perfluoropolymer thin film not irradiated with ultraviolet rays is removed with a solvent in the step (c) to form a perfluoropolymer pattern.

이때, 상기 단계 d의 용매는 과불소 중합체를 제거할 수 있는 용매이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 예를 들어 상기 단계 d의 용매는 플루오르계 용매를 포함할 수 있으며, 상기 플루오르계 용매는 하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether, HFE), 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon), 퍼플루오로카본(Perfluorocarbon) 및 고불소화 방향족 용매(Highly fluorinated aromatic solvent)를 사용할 수 있다.
For example, the solvent of step d may include a fluorine-based solvent, and the fluorine-based solvent may be a fluorine-containing solvent such as hydrofluoro Hydrofluoroether (HFE), hydrofluorocarbon, perfluorocarbon, and highly fluorinated aromatic solvent can be used.

상기와 같은 다양한 방법을 통해 형성된 상기 단계 d의 과불소 중합체 패턴의 두께는 50 nm 내지 10 ㎛일 수 있으며, 방법에 따라 다양한 두께의 패턴을 형성할 수 있다.
The thickness of the perfluoropolymer pattern of step d formed through various methods as described above may be 50 nm to 10 탆, and patterns of various thicknesses may be formed according to the method.

상기 단계 a에서 준비된 용액을 고분자 몰드 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계(단계 b);Coating the solution prepared in step a) on the polymer mold to form a perfluoropolymer thin film (step b);

상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계(단계 c);Raising a patterned mask on top of the perfluoropolymer thin film formed in step b) and irradiating ultraviolet rays (step c);

상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하여 패턴을 형성하는 단계(단계 d); 및Removing the portion not irradiated with ultraviolet rays with a solvent in the step c) to form a pattern (step d); And

상기 단계 d에서 형성된 패턴을 기판에 접촉시켜 고분자 몰드 표면에 형성된 패턴을 전사하는 단계(단계 e);를 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
And a step (e) of transferring the pattern formed on the polymer mold surface by bringing the pattern formed in step d into contact with the substrate.

나아가, 상기 단계 a의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 a에서 과불소 중합체의 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 1 중량% 미만일 경우에는 상기 고분자 용액을 고분자 몰드에 도포하여 고분자 층을 형성할 때, 고분자 몰드 표면에 고르게 형성하기 어려우며, 수 nm의 두께로 형성되기 때문에 형성되는 패턴을 마스크로 사용하기 어려운 문제가 있으며, 50 중량%를 초과하는 경우에도 과량의 고분자 함량으로 인하여 고르게 도포하기 어려운 문제가 있다.
Further, the content of the perfluoropolymer in the step (a) is preferably 1 to 50% by weight based on the whole polymer solution. If the amount of the perfluoropolymer is less than 1 wt% based on the total polymer solution, it is difficult to uniformly form the polymer solution on the surface of the polymer mold when the polymer solution is applied to the polymer mold to form the polymer layer, There is a problem that it is difficult to use a pattern to be formed as a mask, and even if it exceeds 50% by weight, there is a problem that it is difficult to apply evenly due to an excessive amount of a polymer.

다음으로, 상기 단계 b는 상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 고분자 몰드 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계이다Next, in the step b, the polymer solution prepared in the step a is applied on the polymer mold to form a perfluoropolymer thin film

이때, 상기 단계 b의 고분자 몰드는 패턴없이 평평한 고분자 몰드를 사용할 수 있으며, 예를 들어 하드-폴리디메틸실록세인(h-PDMS) 몰드 또는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS) 몰드일 수 있으며, 바람직하게는 하드-폴리디메틸실록세인 몰드일 수 있다.
In this case, the polymer mold of the step b may be a flat polymer mold without a pattern, for example, a hard-polydimethylsiloxane (h-PDMS) mold or a soft-polydimethylsiloxane (s-PDMS) mold , Preferably a hard-polydimethylsiloxane mold.

또한, 상기 단계 b에서 도포하는 방법은 균일하게 중합체 박막을 형성할 수 있는 방법이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 스핀 코팅(Spin coating)을 사용하여 수행할 수 있다. 이때, 상기 스핀 코팅은 500 내지 3,000 rpm으로 10 내지 120 초 동안 수행할 수 있다.
The method of coating in step (b) can be performed by any method that can uniformly form a polymer thin film, but may be performed using spin coating. The spin coating may be performed at 500 to 3,000 rpm for 10 to 120 seconds.

다음으로, 상기 단계 d는 상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하여 패턴을 형성하는 단계이다.Next, the step d is a step of forming a pattern by removing a part not irradiated with ultraviolet rays with a solvent in the step c.

다음으로, 상기 단계 e는 상기 단계 d에서 형성된 패턴을 기판에 접촉시켜 고분자 몰드 표면에 형성된 패턴을 전사하는 단계이다.Next, the step (e) is a step of transferring a pattern formed on the surface of the polymer mold by bringing the pattern formed in step d into contact with the substrate.

기판에 손상을 최소화하기 위하여, 상기 단계 e에서는 고분자 몰드 표면에 형성되어 있는 패턴을 기판에 접촉시켜 전사시킨다.
In order to minimize damage to the substrate, the pattern formed on the surface of the polymer mold is transferred to the substrate in the step (e).

구체적으로, 상기 단계 e의 기판은 과불소 중합체와의 접착력이 우수한 기판이면 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 일례로써 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판 등을 사용할 수 있다.
For example, the substrate of step (e) may be a silicon substrate, a glass substrate, a poly methyl methacrylate (PMMA) substrate, a polyvinyl Polycarbonate (PC) substrate, polyethersulfone (PES) substrate, cyclic olefin copolymer (COC) substrate, polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrate, polystyrene Substrate, a TAC (triacetylcellulose) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide (PI) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) .

이때, 상기 단계 e에서 고분자 층의 전사는 고분자 몰드와 과불소 중합체 패턴 사이의 접착력과 과불소 중합체 패턴과 기판 사이의 접착력 차이로 인하여 수행될 수 있으며, 접착력 차이가 큰 경우에 전사가 수행되어 상기 기판에 패턴이 형성된다.
At this time, the transfer of the polymer layer in the step (e) can be performed due to the adhesive force between the polymer mold and the perfluoropolymer pattern and the difference in adhesion between the perfluoropolymer pattern and the substrate. A pattern is formed on the substrate.

상기와 같은 다양한 방법을 통해 형성된 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴의 두께는 50 nm 내지 100 ㎛일 수 있으며, 방법에 따라 다양한 두께의 패턴을 형성할 수 있다.
The thickness of the perfluoropolymer pattern of step 1 formed through various methods as described above may be 50 nm to 100 탆, and patterns of various thicknesses may be formed according to the method.

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 2는 금속 나노 와이어 단독; 또는 상기 금속 나노 와이어 및 탄소 나노 튜브, 전도성 고분자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 나노 물질 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, step 2 is a method of manufacturing a touch screen panel using metal nanowires alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water And at least one solvent selected from the group consisting of a solvent and a solvent is applied to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed.

상기 단계 2는 특정 나노 물질과 특정 용매를 혼합한 분산액을 제조하고, 이를 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하는 단계로서, 금속 나노 와이어를 포함하는 나노 물질과 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물 중 1 종 이상의 용매를 혼합하여 나노 물질 분산액을 제조한다.The step 2 is a step of preparing a dispersion in which a specific nanomaterial and a specific solvent are mixed and applying the dispersion to a substrate on which the pattern of the perfluoropolymer of step 1 is formed. The nanomaterial including the metal nanowire is mixed with isopropyl alcohol, ethanol , Methanol and water are mixed to prepare a nanomaterial dispersion.

기판, 특히 유기 기판 및 과불소 중합체 패턴을 포함하는 표면에 나노 물질 패턴을 형성하기 위해서는 나노 물질 패턴으로 형성될 특정 나노 물질과 유기 기판 또는 과불소 중합체와의 반응성, 분산액에 포함되는 용매와 유기 기판 또는 과불소 중합체와의 반응성이 고려되어야 한다.In order to form a nanomaterial pattern on a substrate, particularly an organic substrate and a surface including a perfluoropolymer pattern, the reactivity of the specific nanomaterial to be formed with the nanomaterial pattern with the organic substrate or the perfluoropolymer, the solvent contained in the dispersion, Or reactivity with the perfluoropolymer must be considered.

이를 위해, 상기 단계 2에서는 특정 나노 물질로 금속 나노 와이어를 사용하고, 특정 용매로 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물 중 1 종 이상의 용매를 사용한다. 이외에 다른 물질을 사용하는 경우에는 유기 기판 또는 과불소 중합체와의 반응성으로 인해 전도성 패턴을 형성하기 어려운 문제가 있다.To this end, in step 2, metal nanowires are used as specific nanomaterials, and at least one solvent selected from among isopropyl alcohol, ethanol, methanol, and water is used as a specific solvent. There is a problem that it is difficult to form a conductive pattern due to reactivity with an organic substrate or a perfluoropolymer.

상기 금속 나노 와이어는 일례로써 은 나노 와이어를 사용할 수 있다.
As the metal nanowire, for example, silver nanowires can be used.

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 3은 상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하여 나노 물질을 포함하는 X축 패턴을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, step 3 is a step of forming the X-axis pattern including the nanomaterial by removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent.

X축 패턴을 형성하기 위하여, 상기 단계 3에서는 상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거한다.To form the X-axis pattern, in step 3, the perfluoropolymer pattern is removed with a fluorinated solvent.

이때, 본 발명에서는 과불소 중합체를 패턴 형성을 위한 물질로 사용하기 때문에, 이를 제거하기 위한 용매를 플루오르계 용매를 사용할 수 있으며, 상기 플루오르계 용매는 나노 물질을 포함하는 X축 패턴 뿐만 아니라, 기판, 특히 유기 기판에 손상을 가하지 않고 과불소 중합체를 제거할 수 있다.At this time, since a perfluoropolymer is used as a material for forming a pattern, a fluorine-based solvent may be used as a solvent for removing the fluorine-based solvent. The fluorine-based solvent may include not only an X- , The perfluoropolymer can be removed without damaging the organic substrate in particular.

따라서, 우수한 X축 패턴을 얻을 수 있다.
Therefore, a superior X-axis pattern can be obtained.

구체적으로, 상기 단계 3의 플루오르계 용매는 하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether, HFE), 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon), 퍼플루오로카본(Perfluorocarbon) 및 고불소화 방향족 용매(Highly fluorinated aromatic solvent)를 사용할 수 있다.
Specifically, the fluorinated solvent in step 3 may be a hydrofluoroether (HFE), a hydrofluorocarbon, a perfluorocarbon, and a highly fluorinated aromatic solvent. have.

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 4는 상기 단계 3에서 형성된 X축 패턴 상부에 절연층을 형성하는 단계이다.
Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, step 4 is a step of forming an insulating layer on the X-axis pattern formed in step 3.

구체적으로, 상기 단계 4에서 절연층을 형성하는 방법은 스핀코팅법, 라미네이터법 등과 같은 일반적으로 고분자를 코팅하는 방법으로 수행될 수 있다.Specifically, the method of forming the insulating layer in the step 4 may be performed by coating a polymer generally such as a spin coating method, a laminator method, or the like.

또한, 상기 단계 4의 절연층은 일반적인 고분자 절연 필름을 사용할 수 있으며, 구체적인 일례로써 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA) 등의 고분자를 사용할 수 있다.
The insulating layer in step 4 may be a general polymer insulating film. Specific examples thereof include polymers such as polymethyl methacrylate (PMMA) polyimide (PI) and polyamide (PA).

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 5는 상기 단계 4에서 형성된 절연층 상부에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 나노 물질을 포함하는 Y축 패턴을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, step 5 is a step of forming a Y-axis pattern as a perfluoropolymer on the insulating layer formed in step 4, and performing the same processes as in steps 2 and 3 Thereby forming a Y-axis pattern including the nanomaterial.

상기 단계 5에서는 상기 단계 2 및 단계 3에서 X축 패턴을 형성하는 방법과 동일한 방법으로 상기 단계 4에서 형성된 절연층 상부에 Y축 패턴을 형성한다.
In step 5, a Y-axis pattern is formed on the insulating layer formed in step 4 in the same manner as the method of forming the X-axis pattern in steps 2 and 3.

상기 단계 5까지 수행한 이후, 상기 단계 5에서 형성된 Y축 패턴 상부에 봉지층을 형성하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.After the step 5 is performed, a step of forming an encapsulation layer on the Y-axis pattern formed in the step 5 may be further performed.

구체적으로, 상기 단계 4에서 봉지층을 형성하는 방법은 스핀코팅법, 라미네이터법 등과 같은 일반적으로 고분자를 코팅하는 방법으로 수행될 수 있다.Specifically, the method of forming the sealing layer in step 4 may be generally performed by coating a polymer such as a spin coating method, a laminator method, or the like.

또한, 상기 단계 4의 봉지층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA) 등 등의 고분자를 사용할 수 있다.
The sealing layer of step 4 may be a polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA) polyimide (PI), polyamide (PA), or the like.

상기와 같이, 터치스크린 패널에 필요한 요소를 적층하는 방법으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있으며, 상기 단계 1 내지 5를 수행하여 제조되는 터치스크린 패널의 구조는 도 1(a)에 도시된 구조일 수 있다.
As described above, the touch screen panel can be manufactured by laminating necessary elements to the touch screen panel. The structure of the touch screen panel manufactured by performing the steps 1 to 5 is the same as the structure shown in FIG. 1 (a) .

나아가, 본 발명은 과불소 중합체를 사용하여 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 형성하고, 금속 나노 와이어를 포함하는 분산액을 제조하여 상기 X축 패턴 또는 Y축 패턴에 도포하여 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 제조하며, 상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하고, 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴 또는 Y축 패턴을 형성하여 X축 전극 또는 Y축 전극을 제조한 후, 이를 접합하는 방식으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있다.
Furthermore, the present invention relates to a method for producing a metal nanowire, which comprises forming an X-axis pattern or a Y-axis pattern using a perfluoropolymer, preparing a dispersion containing the metal nanowires, applying the dispersion to the X- Axis pattern or a Y-axis pattern, removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, forming an X-axis pattern or a Y-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode or a Y-axis electrode , And a touch screen panel can be manufactured by bonding the same.

구체적인 일례로써, 본 발명은As a specific example,

금속 나노 와이어 단독; 또는 상기 금속 나노 와이어 및 탄소 나노 튜브, 전도성 고분자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 금속 나노 와이어 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하는 단계(단계 2);Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;

상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하고, 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하여 X축 전극을 제조하는 단계(단계 3);Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, and forming an X-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode (step 3);

또 다른 기판 상부에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 Y축 전극을 제조하는 단계(단계 4); 및Forming a Y-axis pattern with a perfluoropolymer on another substrate, and performing Y-axis electrodes by performing the same processes as in the above Step 2 and Step 3 (Step 4); And

X축 패턴 및 Y축 패턴이 서로 마주보도록 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극을 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y 축 전극 사이에 절연층을 위치시킨 후, 접합하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
The X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern face each other, and the insulating layer is positioned between the X-axis electrode and the Y- And a step (step 5).

먼저, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 상기 단계 1 내지 3은 이상에서 설명한 바와 같이 동일한 방법으로 X축 패턴이 형성된 X축 전극을 제조하는 방법으로, 자세한 설명을 생략한다.
First, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, the above steps 1 to 3 are the method of manufacturing the X-axis electrode in which the X-axis pattern is formed by the same method as described above, and a detailed description will be omitted.

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 상기 단계 4는 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 Y축 패턴이 형성된 Y축 전극을 제조하는 방법으로, 자세한 설명은 생략한다.
Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, the step 4 is a method of manufacturing a Y-axis electrode having a Y-axis pattern by performing the same processes as the steps 2 and 3, do.

다음으로, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 단계 5는 X축 패턴 및 Y축 패턴이 서로 마주보도록 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극을 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y 축 전극 사이에 절연층을 위치시킨 후, 접합하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing a touch screen panel according to the present invention, the step 5 is to position the X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 so that the X-axis pattern and the Y- And positioning the insulating layer between the X-axis electrode and the Y-axis electrode, followed by bonding.

구체적으로, 상기 단계 1 내지 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극 사이에 절연층을 위치시킨 후 이를 광학 접착 필름(OCA)을 사용하여 접합시켜 제조할 수 있다.Specifically, the insulating layer may be positioned between the X-axis electrode and the Y-axis electrode prepared in the above steps 1 to 4 and then bonded using an optical adhesive film (OCA).

각각의 전극(X축 전극 및 Y축 전극)을 따로 준비하여 결합하는 방식으로 제조함으로써, 롤투롤 방식의 공정에 적용 가능하며, 적층방식보다 공정시간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
By preparing each electrode (X-axis electrode and Y-axis electrode) separately and combining them, it can be applied to a roll-to-roll process, and the process time can be shortened compared to the stacking process.

상기와 같이, 터치스크린 패널에 필요한 X축 전극 및 Y축 전극을 제조하고, 이를 접합하는 방법으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있으며, 상기 단계 1 내지 5를 수행하여 제조되는 터치스크린 패널의 구조는 도 1(b)에 도시된 구조일 수 있다.
As described above, the touch screen panel can be manufactured by manufacturing the X-axis electrode and the Y-axis electrode necessary for the touch screen panel and joining them together. The structure of the touch screen panel manufactured by performing steps 1 to 5 Or may be the structure shown in Fig. 1 (b).

또한, 본 발명은In addition,

X축 패턴 및 Y축 패턴이 모두 상부를 향하도록 상기 단계 4에서 제조된 Y축 전극 상부에 상기 단계 3에서 제조된 X축 전극을 위치시키고, 상기 X축 전극 상부에 또 다른 기판을 위치시킨 후 접합하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
The X-axis electrode manufactured in the step 3 is positioned on the Y-axis electrode prepared in the step 4 so that both the X-axis pattern and the Y-axis pattern are directed upward, another substrate is placed on the upper portion of the X- (Step 5) of bonding the touch screen panel to the touch panel.

나아가, 본 발명은Further,

상기 단계 3에서 금속 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴이 형성된 기판 후면에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 금속 나노 와이어를 포함하는 Y축 패턴을 제조하는 단계(단계 4); 및In step 3, a Y-axis pattern is formed of a perfluoropolymer on the rear surface of the substrate on which the X-axis pattern including the metal nanowires is formed, and the same process as in steps 2 and 3 is performed to form a Y- (Step 4); And

상기 단계 4에서 제조된 양면에 X축 패턴 및 Y축 패턴이 형성된 기판의 X축 패턴 상부에 또 다른 기판을 위치시킨 후, 접합하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
(Step 5) of placing another substrate on top of the X-axis pattern of the substrate on which the X-axis pattern and the Y-axis pattern are formed on both sides, to provide.

더욱 나아가, 본 발명은Further,

상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극을 X축 패턴 및 Y축 패턴이 같은 방향으로 향하도록 상ㆍ하부에 위치시킨 후, 접합하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
And a step (step 5) of positioning the X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 on the upper and lower sides so that the X-axis pattern and the Y- A method of manufacturing a screen panel is provided.

또한, 본 발명은In addition,

X축 패턴 및 Y축 패턴이 서로 마주보도록 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극을 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y 축 전극 사이에 절연층을 위치시키며, 상기 X축 전극 후면에 또 다른 기판을 위치시킨 후, 접합하는 단계(단계 5);를 포함하는 터치스크린 패널의 제조방법을 제공한다.
The X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern face each other, and the insulating layer is positioned between the X-axis electrode and the Y- And a step (step 5) of placing another substrate on the rear surface of the electrode and then joining it.

상기와 같이, 터치스크린 패널에 필요한 X축 전극 및 Y축 전극을 제조하거나, X축 패턴 및 Y축 패턴이 양면에 형성된 전극을 제조하고, 이를 접합하는 방법으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있으며, 상기 단계 1 내지 5를 수행하여 제조되는 터치스크린 패널의 구조는 도 1(c) 내지 도 1(f)에 도시된 구조일 수 있다.
As described above, the touch screen panel can be manufactured by manufacturing the X-axis electrode and the Y-axis electrode necessary for the touch screen panel, or by manufacturing the electrodes having the X-axis pattern and the Y- The structure of the touch screen panel manufactured by performing steps 1 to 5 may be the structure shown in Figs. 1 (c) to 1 (f).

나아가, 본 발명은Further,

상기의 제조방법으로 제조되고,[0030]

본 발명의 제조방법으로 제조되는 전극들은 과불소 중합체를 사용하여 나노 물질 패턴을 형성하고난 후의 과불소 중합체 패턴을 제거하기 때문에, 기판 및 나노 물질에 손상을 가하지 않기 때문에 우수한 성능을 나타낼 수 있다.
The electrodes manufactured by the manufacturing method of the present invention can exhibit excellent performance because they do not damage the substrate and the nanomaterial because the perfluoropolymer is used to remove the perfluoropolymer pattern after forming the nanomaterial pattern.

이하, 하기 실시예 및 실험예에 의하여 본 발명을 상세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following examples and experimental examples.

단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 발명의 범위가 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
It should be noted, however, that the following examples and experimental examples are illustrative of the present invention, but the scope of the invention is not limited by the examples and the experimental examples.

<실시예 1> 터치스크린 패널의 제조 1Example 1 Production of Touch Screen Panel 1

단계 1: 실리콘 기판 위에 포토레지스터 마스터(Photoresist, AZ 7220)를 형성하고 폴리디메틸실록세인(Poly(dimethylsiloxane, PDMS)을 스핀 코팅 후, 120 ℃의 온도에서 경화하여 고분자 몰드(Mold)를 제조하였다. Step 1: A photoresist master (Photoresist, AZ 7220) was formed on a silicon substrate, and polydimethylsiloxane (PDMS) was spin-coated and cured at a temperature of 120 ° C to prepare a polymer mold.

이때, 상기 고분자 몰드는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS, Sylgard 184, Dow Corning)이며, 패턴은 25 ㎛ 라인 앤드 스페이스(line and space)로, 볼록부와 오목부의 높이 차는 3 ㎛이다.
The polymer mold is soft-polydimethylsiloxane (s-PDMS, Sylgard 184, Dow Corning), the pattern is 25 μm line and space, and the difference in height between the convex portion and the concave portion is 3 μm.

하이드로플루오로에테르(Hydrofluoroether)에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl methacrylate, FDMA)를 용해시켜 상기 고분자의 함량이 전체 용액에 대하여 11 중량%인 혼합 용액을 제조한다.
1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate (FDMA) was dissolved in hydrofluoroether so that the content of the polymer was 11 % By weight.

상기에서 제조된 고분자 몰드 위에 상기 단계 2에서 제조된 혼합 용액을 도포하고 1,000 rpm으로 30 초 동안 스핀 코팅하여 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트)(Poly(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl methacrylate), PFDMA)를 형성시킨다. 1H (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate) (Poly (1H, 1H) -dimethoxysilane) was applied onto the polymer mold prepared above and the mixed solution prepared in step 2 was applied and spin-coated at 1,000 rpm for 30 seconds. 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate), PFDMA).

상기에서 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트)가 형성된 고분자 몰드의 볼록부를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판 상부에 접촉시켜 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트) 25 ㎛의 폭을 갖는 X축 패턴을 형성하였다.
1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro (meth) acrylate was contacted on the top surface of a polyethylene terephthalate (PET) substrate with the convex portion of the polymer mold having poly (1H, Octyl methacrylate) having a width of 25 mu m.

단계 2: 아이소프로필 알콜(IPA) 용매에 은 나노 와이어를 전체 용액에 대하여 0.65 중량% 첨가하여 분산시킨 은 나노 와이어 분산액을 제조하고, 상기 단계 1에서 X축 패턴이 형성된 PET 기판 상부에 상기에서 제조된 은 나노 와이어 분산액을 도포하여 은 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하였다.
Step 2: A silver nanowire dispersion liquid prepared by adding silver nanowires to an isopropyl alcohol (IPA) solvent in an amount of 0.65 wt% based on the total solution was prepared. In step 1, The silver nanowire dispersion was applied to form an X-axis pattern containing silver nanowires.

단계 3: 상기 단계 2까지 처리된 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매인 HFE 7300 용매로 제거하여 은 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하였다.
Step 3: The perfluoropolymer pattern treated up to step 2 was removed with a fluorine-based solvent HFE 7300 solvent to form an X-axis pattern including silver nanowires.

단계 4: 상기 단계 3에서 형성된 X축 패턴 상부에 10 중량%의 농도로 톨루엔에 용해된 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 용액을 2000 rpm의 회전속도로 스핀코팅하여 절연층을 형성하였다.
Step 4: Polymethyl methacrylate (PMMA) solution dissolved in toluene at a concentration of 10% by weight was spin-coated on the X-axis pattern formed in step 3 at a rotation speed of 2000 rpm to form an insulating layer.

단계 5: 상기 단계 4에서 형성된 절연층 상부에 상기 단계 1과 동일한 공정을 수행하여 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 은 나노 와이어를 포함하는 Y축 패턴을 형성하였다.Step 5: The same process as in step 1 is performed on the insulating layer formed in step 4 to form a Y-axis pattern as a perfluoropolymer, and the same processes as those in steps 2 and 3 are performed to form silver nanowires Y-axis pattern was formed.

이후, 상기에서 형성된 Y축 패턴 상부에 UV 경화 폴리머(chemoptics, WIR30-500)를 3000 rpm의 회전속도로 스핀코팅하여 봉지층을 형성하였다.
Then, a UV-cured polymer (WIR30-500) was spin-coated on the Y-axis pattern formed above at a rotation speed of 3000 rpm to form a sealing layer.

<실시예 2> 터치스크린 패널의 제조 2Example 2: Manufacture of touch screen panel 2

단계 3: 상기 단계 2까지 처리된 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매인 HFE 7300 용매로 제거하여 은 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴이 형성된 X축 전극을 제조하였다.
Step 3: The perfluoropolymer pattern treated until step 2 was removed with a fluorine-based solvent HFE 7300 solvent to prepare an X-axis electrode having an X-axis pattern including silver nanowires.

단계 4: 또 다른 PET 기판에 상기 단계 1과 동일한 공정을 수행하여 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 은 나노 와이어를 포함하는 Y축 패턴이 형성된 Y축 전극을 제조하였다.
Step 4: Another PET substrate is subjected to the same process as in Step 1 to form a Y-axis pattern as a perfluoropolymer, and the same process as in Step 2 and Step 3 is performed to obtain a Y-axis pattern including silver nanowires A Y-axis electrode was formed.

단계 5: 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극과 Y축 전극을 X축 패턴 및 Y축 패턴이 서로 마주보도록 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y축 전극 사이에 광학 접착 필름(OCA)이 양면에 코팅된 PMMA 기판을 위치시킨 후, 압력을 가하여 접합시켜 터치스크린 패널을 제조하였다.
Step 5: The X-axis electrode and the Y-axis electrode prepared in steps 3 and 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern are opposed to each other, and an optical adhesive film (OCA) The PMMA substrate coated on both sides was placed, and the pressure was applied thereto to manufacture a touch screen panel.

<실시예 3> 터치스크린 패널의 제조 3&Lt; Example 3 > Manufacture of touch screen panel 3

단계 5: 상기 단계 4에서 제조된 Y축 전극 상부에 상기 단계 3에서 제조된 X축 전극을 X축 패턴 및 Y축 패턴이 모두 상부를 향하도록 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y축 전극 사이에 광학 접착 필름(OCA)을 위치시킨 후, 압력을 가하여 접합시켰다. 이후, 상기 X축 전극 상부에 커버 레이어를 위치시킨 후, 광학 접착 필름(OCA)을 사용하여 접합시켜 터치스크린 패널을 제조하였다.
Step 5: The X-axis electrode fabricated in step 3 is placed on the Y-axis electrode prepared in step 4 such that both the X-axis pattern and the Y-axis pattern are directed upward, and between the X- The optical adhesive film (OCA) was placed, and then bonded by applying pressure. Thereafter, a cover layer was placed on the X-axis electrode, and then a bonding layer was formed using an optical adhesive film (OCA) to produce a touch screen panel.

<실시예 4> 터치스크린 패널의 제조 4Example 4: Manufacture of touch screen panel 4

단계 4: 상기 단계 3에서 제조된 X축 전극 후면에 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 은 나노 와이어를 포함하는 Y축 패턴을 제조하였다.
Step 4: A Y-axis pattern was formed from the perfluoropolymer on the rear surface of the X-axis electrode prepared in Step 3, and the same process as in Step 2 and Step 3 was performed to prepare a Y-axis pattern including silver nanowires.

단계 5: 상기 단계 4에서 제조된 양면에 X축 패턴 및 Y축 패턴이 형성된 기판의 X축 패턴 상부에 커버 레이어를 위치시킨 후, 광학 접착 필름(OCA)을 사용하여 접합시켜 터치스크린 패널을 제조하였다.
Step 5: After positioning the cover layer on the X-axis pattern of the substrate on which the X-axis pattern and the Y-axis pattern are formed on both sides produced in the step 4, the touch layer is bonded using an optical adhesive film (OCA) Respectively.

<실시예 5> 터치스크린 패널의 제조 5&Lt; Example 5 > Manufacture of touch screen panel 5

상기에서 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트)가 형성된 고분자 몰드의 볼록부를 커버 레이어(cover layer) 기판 상부에 접촉시켜 폴리(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 메타크릴레이트) 25 ㎛의 폭을 갖는 X축 패턴을 형성하였다.
1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl methacrylate) was formed by contacting the convex portion of the polymer mold having the poly (1H, 1H, 2H, Octyl methacrylate) having a width of 25 mu m.

단계 2: 아이소프로필 알콜(IPA) 용매에 은 나노 와이어를 전체 용액에 대하여 0.65 중량% 첨가하여 분산시킨 은 나노 와이어 분산액을 제조하고, 상기 단계 1에서 X축 패턴이 형성된 커버 레이어 기판 상부에 상기에서 제조된 은 나노 와이어 분산액을 도포하여 은 나노 와이어를 포함하는 X축 패턴을 형성하였다.
Step 2: A silver nanowire dispersion liquid prepared by dispersing silver nanowires in an isopropyl alcohol (IPA) solvent in an amount of 0.65% by weight based on the total solution was prepared, and on the cover layer substrate formed with the X- The prepared silver nanowire dispersion was applied to form an X-axis pattern including silver nanowires.

단계 4: PET 기판에 상기 단계 1과 동일한 공정을 수행하여 과불소 중합체로 Y축 패턴을 형성하고, 상기 단계 2 및 단계 3과 동일한 공정을 수행하여 은 나노 와이어를 포함하는 Y축 패턴이 형성된 Y축 전극을 제조하였다.
Step 4: The PET substrate is subjected to the same processes as in step 1 to form a Y-axis pattern as a perfluoropolymer, and the same processes as in steps 2 and 3 are performed to form Y Axis electrodes were manufactured.

단계 5: 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극 및 Y축 전극을 X축 패턴 및 Y축 패턴이 같은 방향으로 향하도록 상ㆍ하부에 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y축 전극 사이에 광학 접착 필름(OCA)을 위치시킨 후, 압력을 가하여 접합시켜 터치스크린 패널을 제조하였다.
Step 5: The X-axis electrode and the Y-axis electrode fabricated in steps 3 and 4 are positioned above and below such that the X-axis pattern and the Y-axis pattern are directed in the same direction, and between the X- After the optical adhesive film (OCA) was placed, pressure was applied thereto to produce a touch screen panel.

<실시예 6> 터치스크린 패널의 제조 6Example 6: Manufacture of touch screen panel 6

단계 5: 상기 단계 3 및 단계 4에서 제조된 X축 전극과 Y축 전극을 X축 패턴 및 Y축 패턴이 서로 마주보도록 위치시키고, 상기 X축 전극 및 Y축 전극 사이에 광학 접착 필름(OCA)이 양면에 코팅된 PMMA 기판을 위치시킨 후, 압력을 가하여 접합시켰다. 이후, 상기 X축 전극 후면에 커버 레이어를 위치시킨 후, 광학 접착 필름(OCA)을 사용하여 접합시켜 터치스크린 패널을 제조하였다.Step 5: The X-axis electrode and the Y-axis electrode prepared in steps 3 and 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern are opposed to each other, and an optical adhesive film (OCA) The PMMA substrate coated on both sides thereof was positioned, and then bonded by applying pressure. After that, the cover layer was placed on the rear surface of the X-axis electrode, and then bonded using an optical adhesive film (OCA) to produce a touch screen panel.

Claims

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a nanomaterial dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent to form an X-axis pattern including metal nanowires (Step 3);
Forming an insulating layer on the X-axis pattern formed in step 3 (step 4); And
Forming a Y-axis pattern as a perfluoropolymer on the insulating layer formed in the step 4, and forming a Y-axis pattern including the nanomaterial by performing the same processes as the steps 2 and 3 (step 5); &Lt; / RTI >

The method according to claim 1,
The method of forming the X-axis pattern or the Y-axis pattern in steps 1 and 5,
Preparing a polymer mold having convex portions and concave portions (step a);
Preparing a polymer solution comprising a perfluoropolymer (step b);
(C) forming a polymer layer on the surface of the convex portion of the polymer mold by applying the polymer solution prepared in the step (b) to the polymer mold prepared in the step (a); And
(D) transferring the polymer layer formed on the surface of the convex portion of the polymer mold by contacting the polymer mold having the polymer layer formed thereon in the step (c).

3. The method of claim 2,
Wherein the polymer mold of step a is a hard-polydimethylsiloxane (h-PDMS) mold or a soft-polydimethylsiloxane (s-PDMS) mold.

3. The method of claim 2,
Wherein the polymer solution of step (b) comprises a fluorine-based solvent.

3. The method of claim 2,
Wherein the content of the perfluoropolymer in step (b) is 1 to 50% by weight based on the total weight of the polymer solution.

The method according to claim 1,
Wherein the method of forming the pattern in the step 1 is one of a method selected from the group consisting of a microprinting contact technique, a photolithography method, an imprint method, an inkjet printing, and a dispensing method.

The method according to claim 1,
The perfluoropolymer of step 1 is characterized by being a homopolymer or copolymer comprising poly (perfluoroalkyl methacrylate) or poly (perfluoroalkyl acrylate) (poly (perfluoroalkyl acrylate) Wherein the method comprises the steps of:

The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the pattern formed in the step 1 and the step 5 is 50 nm to 100 탆.

The method according to claim 1,
The substrate of step 1 may be a silicon substrate, a glass substrate, a polymethyl methacrylate (PMMA) substrate, a polyvinyl pyrrolidone (PVP) substrate, a polystyrene (PS) substrate, A polycarbonate (PC) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a cyclic olefin copolymer (COC) substrate, a triacetylcellulose (TAC) substrate, a polyvinyl alcohol substrate, a polyimide Wherein the substrate is one selected from the group consisting of a PI substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate.

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, and forming an X-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode (step 3);
Forming a Y-axis pattern with a perfluoropolymer on another substrate, and performing Y-axis electrodes by performing the same processes as in the above Step 2 and Step 3 (Step 4); And
The X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern face each other, and the insulating layer is positioned between the X-axis electrode and the Y- (Step 5). &Lt; Desc / Clms Page number 12 >

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, and forming an X-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode (step 3);
Forming a Y-axis pattern with a perfluoropolymer on another substrate, and performing Y-axis electrodes by performing the same processes as in the above Step 2 and Step 3 (Step 4); And
The X-axis electrode manufactured in the step 3 is positioned on the Y-axis electrode prepared in the step 4 so that both the X-axis pattern and the Y-axis pattern are directed upward, another substrate is placed on the upper portion of the X- (Step 5). &Lt; / RTI >

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent to form an X-axis pattern including metal nanowires (Step 3);
In step 3, a Y-axis pattern is formed of a perfluoropolymer on the rear surface of the substrate on which the X-axis pattern including the metal nanowires is formed, and the same process as in steps 2 and 3 is performed to form a Y- (Step 4); And
(Step 5) of placing another substrate on the X-axis pattern of the substrate on which the X-axis pattern and the Y-axis pattern are formed on both sides, and then joining the same.

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, and forming an X-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode (step 3);
Forming a Y-axis pattern with a perfluoropolymer on another substrate, and performing Y-axis electrodes by performing the same processes as in the above Step 2 and Step 3 (Step 4); And
And a step (step 5) of positioning the X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 on the upper and lower sides so that the X-axis pattern and the Y- A method of manufacturing a screen panel.

Forming an X-axis pattern on the substrate with the perfluoropolymer (step 1);
Metal nanowire alone; Or a mixture of the metal nanowires and the auxiliary material comprising at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes, conductive polymers, graphene and graphene oxide, and a mixture of at least one selected from the group consisting of isopropyl alcohol, ethanol, methanol and water (Step 2) of applying a metal nanowire dispersion mixed with at least one selected solvent to a substrate on which the perfluoropolymer pattern of step 1 is formed;
Removing the perfluoropolymer pattern with a fluorine-based solvent, and forming an X-axis pattern including metal nanowires to produce an X-axis electrode (step 3);
Forming a Y-axis pattern with a perfluoropolymer on another substrate, and performing Y-axis electrodes by performing the same processes as in the above Step 2 and Step 3 (Step 4); And
The X-axis electrode and the Y-axis electrode manufactured in the step 3 and the step 4 are positioned so that the X-axis pattern and the Y-axis pattern face each other, and the insulating layer is positioned between the X-axis electrode and the Y- (Step 5) of placing another substrate on the rear surface of the electrode, and then joining the other substrate (step 5).

15. A process for producing a polyurethane foam, which is produced by the process of any one of claims 1 to 14,
An X-axis electrode including an X-axis pattern;
An insulating layer positioned above the X-axis electrode; And
And a Y-axis electrode disposed on the insulating layer and including a Y-axis pattern.