KR101560007B1 - 노광 장치의 조정 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
노광 장치의 조정 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101560007B1 KR101560007B1 KR1020097025305A KR20097025305A KR101560007B1 KR 101560007 B1 KR101560007 B1 KR 101560007B1 KR 1020097025305 A KR1020097025305 A KR 1020097025305A KR 20097025305 A KR20097025305 A KR 20097025305A KR 101560007 B1 KR101560007 B1 KR 101560007B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- liquid
- substrate
- holding
- holding portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H10P72/0602—
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (31)
- 기판을 유지하는 제 1 유지부와, 상기 제 1 유지부에 의해 상기 기판을 유지하기 전에 상기 기판을 유지하는 제 2 유지부를 갖고, 상기 제 1 유지부에 유지된 상기 기판을 액체를 통해 노광하는 액침 노광 장치의 조정 방법으로서,상기 제 1 유지부에 의해 온도 검출기를 유지하는 것과,상기 제 2 유지부에 의해 상기 온도 검출기를 유지하는 것과,상기 제 1 유지부에 의해 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과와 상기 제 2 유지부에 의해 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과에 기초하여, 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 것을 포함하는, 조정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 액침 노광 장치는, 상기 제 1 유지부에 상기 기판이 유지되기 전에 상기 제 2 유지부에 유지된 상기 기판의 온도를 조정하는, 조정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 온도 검출기를 상기 제 2 유지부로부터 상기 제 1 유지부로 반송하는 것을 추가로 포함하는, 조정 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 액침 노광 장치는, 상기 기판을 상기 제 2 유지부로부터 상기 제 1 유지부로 반송하는 반송 장치를 갖고, 그 반송 장치를 사용하여 상기 온도 검출기가 상기 제 2 유지부로부터 상기 제 1 유지부로 반송되는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 유지부와 상기 제 2 유지부의 온도차가 작아지도록, 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도 조정이 실시되는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 유지부에 유지되기 직전의 상기 기판과 상기 제 1 유지부의 온도차가 작아지도록, 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도 조정이 실시되는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 온도의 조정 후에, 상기 제 1 유지부에 유지된 상기 온도 검출기 상에 상기 액체를 공급하는 것과,상기 액체의 온도 정보에 관한 상기 온도 검출기의 검출 결과에 기초하여 상기 액체의 온도를 조정하는 것을 추가로 포함하는, 조정 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 유지부와 상기 액체의 온도차가 작아지도록 상기 액체의 온도를 조정하는, 조정 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 액침 노광 장치는 투영 광학계를 구비하고,상기 액체의 온도를 조정한 후에, 상기 투영 광학계 및 상기 액체를 통해 형성되는 이미지를 검출하는 것과,상기 검출된 이미지에 기초하여 광학 특성을 조정하는 것을 추가로 포함하는, 조정 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 광학 특성의 조정은 상기 투영 광학계의 조정을 포함하는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도 조정은, 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도 분포의 조정을 포함하는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 유지부에 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과로부터 상기 제 1 유지부의 온도 정보가 취득되고, 상기 제 2 유지부에 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과로부터 상기 제 2 유지부의 온도 정보가 취득되는, 조정 방법.
- 기판을 유지하는 유지부를 갖고, 상기 유지부에 유지된 상기 기판을 액체를 통해 노광하는 액침 노광 장치의 조정 방법으로서,상기 유지부에 유지된 온도 검출기에 의해 상기 유지부의 온도에 관한 제 1 정보를 취득하는 것과, 상기 온도 검출기 상에 공급된 액체의 온도에 관한 제 2 정보를 상기 온도 검출기에 의해 취득하는 것과,상기 제 1 정보 및 상기 제 2 정보에 기초하여, 상기 유지부 및 상기 액체 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 것을 포함하는, 조정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 정보와 상기 제 2 정보의 취득은,상기 온도 검출기의 표면의 일부에 상기 액체의 액침 영역을 형성하는 것을 포함하고,상기 온도 검출기에 있어서의 상기 액침 영역의 상기 액체와 접촉하는 부분에서 상기 제 2 정보가 취득되고,상기 온도 검출기에 있어서의 상기 액침 영역의 상기 액체와 접촉하지 않는 부분에서 상기 제 1 정보가 취득되는, 조정 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 온도 검출기 표면의 복수의 위치에서 상기 액침 영역을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 정보 및 상기 제 1 정보가 순차적으로 취득되는, 조정 방법.
- 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유지부와 상기 액체의 온도차가 작아지도록 상기 유지부 및 상기 액체 중 적어도 일방의 온도 조정이 실시되는, 조정 방법.
- 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유지부 및 상기 액체 중 적어도 일방의 온도 조정은, 상기 유지부 및 상기 액체 중 적어도 일방의 온도 분포의 조정을 포함하는, 조정 방법.
- 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액침 노광 장치는 투영 광학계를 구비하고,상기 유지부 및 상기 액체 중 적어도 일방의 온도 조정을 실시한 후에, 상기 투영 광학계 및 상기 액체를 통해 형성되는 이미지를 검출하는 것과,상기 검출된 이미지에 기초하여 광학 특성을 조정하는 것을 추가로 포함하는, 조정 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 광학 특성의 조정은 상기 투영 광학계의 조정을 포함하는, 조정 방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 온도 검출기는, 상기 기판의 외형과 동일한 외형을 갖는, 조정 방법.
- 삭제
- 액체를 통해 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서,상기 노광광이 조사되는 위치에서 상기 기판을 유지 가능한 제 1 유지부와,상기 제 1 유지부에 유지되기 전에 상기 기판을 유지하고, 또한 상기 기판의 온도를 조정하는 제 2 유지부와,상기 제 2 유지부에 의해 유지된 온도 검출기를 상기 제 2 유지부로부터 상기 제 1 유지부로 반송하는 반송 장치와,상기 제 1 유지부에 의해 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과 및 상기 제 2 유지부에 의해 유지된 상기 온도 검출기의 검출 결과에 기초하여, 상기 제 1 유지부 및 상기 제 2 유지부 중 적어도 일방의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비한, 노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 반송 장치는, 상기 제 2 유지부로부터 상기 제 1 유지부로 상기 기판을 반송 가능한, 노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 1 유지부에 의해 유지된 상기 온도 검출기에 거기서부터 상기 액체가 공급되는 공급구를 추가로 구비하고,상기 조정 장치는, 상기 온도 검출기에 의해 취득된 상기 액체의 온도 정보에 기초하여 상기 공급되는 액체의 온도를 조정하는, 노광 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 유지부와 상기 액체의 온도차가 작아지도록 상기 액체의 온도를 조정하는, 노광 장치.
- 제 22 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 노광 장치는 투영 광학계를 구비하고,상기 투영 광학계 및 상기 액체를 통해 형성되는 이미지를 검출하는 이미지 검출기와,상기 검출된 이미지에 기초하여 광학 특성을 조정하는 광학 특성 조정 장치를 추가로 포함하고,상기 액체의 온도 조정 후에, 상기 이미지 검출기를 사용하여 상기 이미지를 검출하고, 그 검출의 결과에 기초하여, 상기 광학 특성 조정 장치를 사용해서 상기 광학 특성을 조정하는, 노광 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2007-198675 | 2007-07-31 | ||
| JP2007198675 | 2007-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100047189A KR20100047189A (ko) | 2010-05-07 |
| KR101560007B1 true KR101560007B1 (ko) | 2015-10-15 |
Family
ID=40304341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020097025305A Expired - Fee Related KR101560007B1 (ko) | 2007-07-31 | 2008-07-29 | 노광 장치의 조정 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9025126B2 (ko) |
| JP (2) | JP5633148B2 (ko) |
| KR (1) | KR101560007B1 (ko) |
| TW (1) | TWI465855B (ko) |
| WO (1) | WO2009017111A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200725195A (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-01 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method |
| US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
| JP6171293B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-08-02 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US9703212B2 (en) * | 2015-03-12 | 2017-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus |
| WO2019081187A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | METHOD FOR REGULATING THE TEMPERATURE OF A COMPONENT |
| JP7550104B2 (ja) * | 2021-04-23 | 2024-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及びアームの冷却方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197384A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2005203483A (ja) | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| US4666273A (en) * | 1983-10-05 | 1987-05-19 | Nippon Kogaku K. K. | Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus |
| JPH02260411A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Sharp Corp | 投影露光装置 |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| JPH09186071A (ja) * | 1996-01-04 | 1997-07-15 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JP3695000B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
| US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| AU5067898A (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
| JP3626504B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
| US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
| US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
| EP1063742A4 (en) * | 1998-03-11 | 2005-04-20 | Nikon Corp | ULTRAVIOLET LASER DEVICE AND EXPOSURE APPARATUS COMPRISING SUCH A ULTRAVIOLET LASER DEVICE |
| US6319322B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US6691068B1 (en) * | 2000-08-22 | 2004-02-10 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control |
| KR100815222B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2008-03-19 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법 |
| TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
| CN100345252C (zh) * | 2002-01-29 | 2007-10-24 | 株式会社尼康 | 成像状态调节系统、曝光方法和曝光装置以及程序和信息存储介质 |
| TWI300953B (en) | 2002-03-15 | 2008-09-11 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing process |
| US20050088634A1 (en) * | 2002-03-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | Exposure system and device production process |
| US6828542B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
| KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
| DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| CN100541717C (zh) * | 2003-05-28 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法 |
| JP5143331B2 (ja) | 2003-05-28 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2005109158A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Canon Inc | 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法 |
| JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| KR101561727B1 (ko) | 2004-01-05 | 2015-10-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101945638B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US7171334B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-01-30 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process |
| KR101162128B1 (ko) | 2004-06-09 | 2012-07-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7196768B2 (en) * | 2004-10-26 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
| JP2006339303A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| WO2006137440A1 (ja) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Nikon Corporation | 計測装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7924416B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7440076B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| TW200725195A (en) | 2005-12-06 | 2007-07-01 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method |
| US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
-
2008
- 2008-07-28 US US12/219,755 patent/US9025126B2/en active Active
- 2008-07-29 JP JP2009525403A patent/JP5633148B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-29 KR KR1020097025305A patent/KR101560007B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-29 WO PCT/JP2008/063569 patent/WO2009017111A1/ja not_active Ceased
- 2008-07-31 TW TW097128966A patent/TWI465855B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-09 JP JP2013143539A patent/JP5655903B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197384A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2005203483A (ja) | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009017111A1 (ja) | 2009-02-05 |
| US9025126B2 (en) | 2015-05-05 |
| JP2013201463A (ja) | 2013-10-03 |
| KR20100047189A (ko) | 2010-05-07 |
| JP5655903B2 (ja) | 2015-01-21 |
| US20090279059A1 (en) | 2009-11-12 |
| JP5633148B2 (ja) | 2014-12-03 |
| JPWO2009017111A1 (ja) | 2010-10-21 |
| TW200919109A (en) | 2009-05-01 |
| TWI465855B (zh) | 2014-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI413870B (zh) | Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method | |
| US8243254B2 (en) | Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method | |
| JP5446875B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP5655903B2 (ja) | 露光装置の調整方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| US20100165309A1 (en) | Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for the deformation measuring apparatus, position measuring method and device fabricating method | |
| KR20060129387A (ko) | 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법 | |
| TWI595327B (zh) | Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| US20080212047A1 (en) | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method | |
| JP2008288506A (ja) | 調整方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| US7924416B2 (en) | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| WO2006137440A1 (ja) | 計測装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP5861642B2 (ja) | 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板 | |
| JP2008300771A (ja) | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法 | |
| JP4992558B2 (ja) | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び評価方法 | |
| JP2009147228A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP2009281946A (ja) | 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP5262455B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2010034227A (ja) | ステ−ジ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2010021538A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2008205460A (ja) | 決定方法、評価方法、露光方法、評価装置、液浸露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2009182110A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2009147235A (ja) | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、リソグラフィシステム及びメンテナンス方法 | |
| HK1121861A (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201 |
|
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901 |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PB0701 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20191007 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20191007 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |