KR101275672B1

KR101275672B1 - 스퍼터링 마그네트론

Info

Publication number: KR101275672B1
Application number: KR1020110022902A
Authority: KR
Inventors: 석창길; 윤성호; 강창훈
Original assignee: (주)울텍
Priority date: 2011-03-15
Filing date: 2011-03-15
Publication date: 2013-06-17
Anticipated expiration: 2031-03-15
Also published as: KR20120105219A

Abstract

본 발명의 스퍼터링 마그네트론은, 고정형 타겟과; 상기 타겟을 지지하도록 상기 타겟 상에 배치되는 백플레이트; 상기 백플레이트 상에 이격 거리를 두고 대향하여 배치되는 제1,2자석군과, 상기 제1,2자석군의 대응하는 양측 단부 사이에 각각 배치되는 제3,4자석군을 포함하여 폐루프를 형성하는 고정형 자석단; 상기 고정형 자석단으로부터 상측으로 이격하여 배치되며, 상기 제1,2자석군의 길이방향으로 연장하는 회전축을 중심으로 회전하는 회전원통부를 가진 회전체; 및 상기 회전원통부 상에 각도 간격을 두고 이격하여 배치되는 복수의 자석군을 가진 회전형 자석단을 포함함으로써 상기 회전원통부의 회전에 의해 상기 복수의 자석군이 회전하여 상기 타겟의 표면에 형성되는 플라즈마 레이스 트랙을 이동시키는 것을 특징으로 한다.

Description

스퍼터링 마그네트론 {Sputtering magnetron}

본 발명은, 스퍼터링(sputtering)장치의 스퍼터링 마그네트론(sputtering magnetron)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 타겟(garget)의 플라즈마 레이스 트랙(plasma race track)을 이동하여 타겟의 침식면적을 넓힘으로써 타겟의 사용효율을 높이도록 한 스퍼터링 마그네트론(sputtering magnetron)에 관한 것이다.

일반적으로 스퍼터링(sputtering) 장치의 스퍼터링 마그네트론(sputtering magnetron)은, 금속 혹은 유기물, 무기물의 증착에 사용되며, 타겟(target), 자석단(magnet assembly) 등을 포함하여 구성된다. 타겟, 예를 들어 고정형 타겟은, 반도체 등에 사용되는 원형 타겟과 일반산업용에 많이 적용되는 대면적의 사각형 타겟으로 구분될 수 있다.

대면적 스퍼터에 사용되는, 고정형 타겟과 고정형 자석단을 가진 종래의 스퍼터링 마그네트론의 일예가 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 마그네트론(100)에서는, 타겟(10)이 백플레이트(back plate)(20)의 하면 상에 배치되고, 자기 보존 철편으로서의 자석단(30)이 백플레이트(20)의 상면을 향하도록 연성의 자성 플레이트(40)의 하면에 배치된 채 자성 플레이트(40)가 백플레이트(20)의 상면 상에 배치되고, 절연성 플레이트(50)가 자성 플레이트(40)의 상면 상에 배치된다. 타겟 실드(target shield)(60)가, 원하지 않는 영역에 타겟(10)의 물질이 증착하는 것을 방지하기 위하여, 타겟(10)의 가장자리부와, 백플레이트(20), 자성 플레이트(40), 및 절연성 플레이트(50)의 측면부 상에 배치된다. 냉매통로(70)가, 외부 플라즈마 열에 의한 자석단(30)의 단위 자석의 탈자 방지와 타겟(10)의 효율적인 냉각을 위하여, 냉매(미도시)를 유통하도록 백플레이트(20) 내에 형성된다. 냉매입력구(71)와 냉매출력구(73)가 절연성 플레이트(50)의 상면에 각각 형성되며, 자성 플레이트(40)와 절연성 플레이트(50)를 순차적으로 통과하여 냉매통로(70)와 연통한다. 전극(80)이, 스퍼터링 마그네트론(1)에 저주파(LF), 중간파(MF), 고주파(RF), 직류(DC), 펄스형 직류(Pulsed DC) 등의 전원을 인가하기 위하여, 절연성 플레이트(50)를 관통하여 자성 플레이트(40)와 전기적으로 연결되어 있다.

또한, 자석단(30)은, 타겟(10)의 표면에서 일정한 자기력선을 형성하면서 플라즈마 레이스 트랙을 발생시키도록 제1자석군(31)과 제2자석군(33)으로 구성된다. 제1자석군(31)이 일직선 형태로 배열되고, 제2자석군(33)이 제1자석군(31)과 이격 간격을 두고 제1자석군(31)을 둘러싸는 형태로 배열된다. 제1자석군(31)의 제1자극부, 예를 들어 타겟(10)에 인접한 자극부가 N극을 형성하고, 제1자석군(31)의 제2자극부가 제1자극부와 반대되는 자화방향을 가진 자극인 S극을 형성한다. 제2자석군(33)의 제1자극부, 예를 들어 타겟(10)에 인접한 자극부가 S극을 형성하고, 제2자극부가 제1자극부와 반대되는 자화방향을 가진 자극인 N극을 형성한다.

이와 같은 구조를 가진 종래의 스퍼터링 마그네트론(100)은, 기판(1)을, 이송수단 예를 들어 롤러(3)에 의해 수평 이송하면서 스퍼터링을 진행함에 따라 타겟(10)의 물질을 기판(1)의 상면 상에 증착시킨다.

그런데, 스퍼터링 마그네트론(100)은, 고정형 타겟(10)과 고정형 자석단(30)을 구비하고 있으므로 도 3에 도시된 바와 같이, 제1자석군(31)과 제2자석군(33)에 의해 생성되는 자기력선(35) 중 타겟(10)의 표면(11)과 수평을 이루는 자기력선에 의해 플라즈마 레이스 트랙이 타겟(10)의 표면(11)에 형성된다. 즉, 전기장(EF)과 수직을 이루는 방향으로 형성되는 자기장의 경로를 따라 플라즈마 레이스 트랙이 타겟(10)의 표면(11)에 형성된다.

그러나 이와 같이 형성된 플라즈마 레이스 트랙을 따라 타겟(10)의 표면(11)의 국부적인 영역(A)에서 플라즈마 타겟(10)의 침식이 집중적으로 발생한다. 그 결과 타겟(10)의 국부적인 영역(A)에서 홈(미도시)이 집중적으로 형성되어 타겟(10)의 사용효율이 낮을 수밖에 없다.

따라서 본 발명의 목적은, 타겟의 플라즈마 레이스 트랙을 이동하여 타겟의 침식면적을 넓힘으로써 타겟의 사용효율을 높이도록 한 스퍼터링 마그네트론을 제공하는데 있다.

따라서 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론은, 고정형 타겟과; 상기 타겟을 지지하도록 상기 타겟 상에 배치되는 백플레이트; 상기 백플레이트 상에 이격 거리를 두고 대향하여 배치되는 제1,2자석군과, 상기 제1,2자석군의 대응하는 양측 단부 사이에 각각 배치되는 제3,4자석군을 포함하여 폐루프를 형성하는 고정형 자석단; 상기 고정형 자석단으로부터 상측으로 이격하여 배치되며, 상기 제1,2자석군의 길이방향으로 연장하는 회전축을 중심으로 회전하는 회전원통부를 가진 회전체; 및 상기 회전원통부 상에 각도 간격을 두고 이격하여 배치되는 복수의 자석군을 가진 회전형 자석단을 포함함으로써 상기 회전원통부의 회전에 의해 상기 복수의 자석군이 회전하여 상기 타겟의 표면에 형성되는 플라즈마 레이스 트랙을 이동시키는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 제1,2자석군은, 상기 제3,4자석군보다 많은 단위 자석을 갖는 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치된 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치된 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치된 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 제1,2자석군과 제3,4자석군은, 연성의 자성 플레이트를 개재하여 백플레이트에 배치되는 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 동일한 각도 간격을 두고 이격하여 배치되는 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 연성의 자성 플레이트를 개재하여 배치되는 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 인접한 자극부가 제1자극을 형성하고, 상기 회전원통부에 원접한 자극부가 제2자극을 형성하는 것이 가능하다.

바람직하게는, 상기 백플레이트의 내부에, 상기 타겟을 냉각하기 위한 냉매를 유통하기 위한 냉매통로가 형성된 것이 가능하다.

본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론은, 고정형 자석단과 회전형 자석단을 구비하고, 회전형 자석단의 자석군들 각각을 회전원통부에 각도 간격을 두고 이격하여 배치함으로써 회전원통부의 회전에 의해 회전형 자석단의 자석군들을 회전하여 타겟의 표면에 형성되는 플라즈마 레이스 트랙을 이동시킬 수 있다. 따라서 타겟의 침식영역이 넓어지므로 타겟의 사용효율이 높아진다.

도 1은, 종래의 고정형 타겟과 고정 자석단을 구비한 스퍼터링 마그네트론의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는, 도 1의 고정 자석단의 배열을 나타낸 평면도이다.
도 3은, 도 1의 고정 자석단에 의해 생성되는 자기력선 및 타겟의 표면에 발생하는 국부적인 타겟 침식을 나타낸 예시도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론의 구조를 나타낸 측면도이다.
도 5는, 도 4의 스퍼터링 마그네트론을 A-A선을 따라 절단한 횡단면도이다.
도 6의 (a) 내지 도 6의 (d)는, 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론의 회전형 자석단의 회전에 따른 타겟 표면 상에서의 플라즈마 레이스 트랙 이동을 나타낸 시뮬레이션도이다.

이하, 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 4는, 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론의 구조를 나타낸 측면도이고, 도 5는, 도 4의 스퍼터링 마그네트론을 A-A선을 따라 절단한 횡단면도이다. 설명의 편의상 도 4 및 도 5를 연합하여 스퍼터링 마그네트론의 구조를 설명하기로 한다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 스퍼터링 마그네트론(200)은, 타겟(210), 백플레이트(220), 고정형 자석단(230), 연성의 자성 플레이트(240), 타겟 실드(250), 절연성 플레이트(260), 회전체(270), 연성의 자성 플레이트(280), 회전형 자석단(290)을 포함하여 구성된다.

여기서, 타겟(210)이 스퍼터링용 챔버(미도시) 내의 기판(미도시)과 평행하게 대면하도록 백플레이트(220)의 일면, 예를 들어 하면 상에 배치된다. 타겟(210)의 표면(211)에는, 기판(미도시)의 증착면 상에 증착하려고 하는 물질이 복수 층으로 이루어져 있을 수 있다. 백플레이트(220)는, 타겟(210)을 지지함과 아울러 타겟(210)에서 발생하는 열의 분포를 균일하게 유지해준다. 타겟(210)과 백플레이트(220)는 예를 들어 사각형의 형상을 가질 수 있고, 그 외의 사용 가능한 다양한 형상을 가지는 것도 가능하다.

또한, 자기 보존 철편으로서의 고정형 자석단(230)이 연성의 자성 플레이트(240)를 개재하며 백플레이트(220)의 상면 상에 대략 사각형 형태로 배열된다. 즉, 고정형 자석단(230)의 양측 장변의 제1,2자석군(231,233)이 서로 이격 간격을 두고 대향하여 배치되고, 또한 고정형 자석단(230)의 양측 단변의 제3,4자석군(235,237)이 서로 이격 간격을 두고 대향하여 배치된다. 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)이 폐루프를 형성한다. 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 각각은, 일렬로 배열된 복수개의 단위 자석으로 구성된다. 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 제1자극부와 제2자극부가 타겟(210)의 표면(211)에 대하여 수평으로 배치된다. 즉, 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 제1자극부가 내측부에 위치하고, 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 제2자극부가 제1자극부의 외측부에 위치한다.

여기서, 도면에 도시된 바와 같이, 제1,2자석군(231,233)의 단위 자석의 대향하는 제1자극부가 N극을 형성하고, 제3,4자석군(235,237)의 단위 자석의 대향하는 제1자극부가 N극을 형성할 수 있다. 제1,2자석군(231,233)의 단위 자석의 제2자극부가 S극을 형성하고, 제3,4자석군(235,237)의 단위 자석의 제2자극부가 S극을 형성할 수 있다. 물론, 도면에 도시하지 않았지만, 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 단위 자석의 제1자극부가 S극을 형성하고, 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237)의 단위 자석의 제2자극부가 N극을 형성하는 것도 가능하다.

또한, 연성의 자성 플레이트(240)가, 고정형 자석단(230)을 배치하기 위한 형상, 예를 들어 단면적으로 대략 L자 형상을 이루어 제1,2자석군(231,233)의 하면 및 외측면과 접촉하고, 아울러 제3,4자석군(235,237)의 하면 및 외측면과 접촉할 수 있다.

또한, 타겟 실드(250)가, 원하지 않는 영역에 타겟(210)의 물질이 증착하는 것을 방지하기 위하여, 백플레이트(220)의 측면부에 절연성 플레이트(260)를 개재하며 설치된다.

또한, 냉매통로(221)가, 외부 플라즈마 열에 의한 자석단(230)의 단위 자석의 탈자 방지와 타겟(210)의 효율적인 냉각을 위하여, 냉매(미도시)를 유통할 수 있도록 백플레이트(220) 내에 형성된다. 냉매입력구(223) 및 냉매출력구(225)가 백플레이트(220)의 상면부의 정해진 지점에 각각 형성되며, 냉매통로(221)와 연통한다.

또한, 회전체(270)가 회전축(271)과 회전원통부(273)를 구비하며, 백플레이트(220)의 상면 중앙부로부터 상측으로 이격 거리를 두고 배치된다. 회전축(271)은, 타겟(210)에 평행하며, 고정형 자석단(230)의 제1,2자석군(231,233)의 길이방향으로 연장하되, 제1,2자석군(231,233)의 길이보다 길게 연장한다. 회전축(271)의 일측단에 체결된 회전구동수단, 예를 들어 모터부(275)에 의해 회전축(271)이 일방향 예를 들어 시계방향으로 회전될 수 있다. 회전원통부(273)는, 회전축(281)의 일부분에 결합된 채 회전축(271)의 길이방향으로 연장하되, 고정형 자석단(230)의 제1,2자석군(231,233)의 길이보다 약간 짧게 연장하며, 회전축(271)의 회전에 의해 회전축(271)과 동일한 회전방향으로 회전될 수 있다.

또한, 연성의 자성 플레이트(280)가 회전원통부(273)의 둘레면, 예를 들어 둘레면의 전역 상에 배치된다. 회전형 자석단(290)이 자성 플레이트(280)의 표면 상에 각도 간격을 두고 이격하여 배치된다. 예를 들면, 90도의 각도 간격을 두고 4개의 자석군, 즉 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)이 배치된다. 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)의 각각은, 일렬로 배열된 복수개의 단위 자석으로 구성될 수 있다.

여기서, 도면에 도시된 바와 같이 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)의 단위 자석의 제1자극부, 예를 들어 자성 플레이트(280)와 접촉하는 자극부가 예를 들어 N극을 형성하고, 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)의 단위 자석의 제2자극부, 예를 들어 제1자극부 상에 배치되는 자극부가 예를 들어 S극을 형성할 수 있다. 물론, 도면에 도시하지 않았지만, 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)의 단위 자석의 제1자극부, 예를 들어 자성 플레이트(280)와 접촉하는 자극부가 예를 들어 S극을 형성하고, 제1,2,3,4자석군(291,293,295,297)의 단위 자석의 제2자극부, 예를 들어 제1자극부 상에 배치되는 자극부가 예를 들어 N극을 형성하는 것도 가능하다. 90도 외의 다른 각도 간격을 두고 복수 자석군이 배치될 수도 있다.

또한, 전원인가단(227)이, 백플레이트(220)에 저주파(LF), 중간파(MF), 고주파(RF), 직류(DC), 펄스형 직류(Pulsed DC) 등의 전원을 인가하도록 백플레이트(220)의 일부분에 설치된다.

또한, 스퍼터링용 챔버 내의 진공도를 유지하기 위하여, 백플레이트(220)의 상부면 가장자리를 따라 오링(O-ring)(229)이 설치되고, 타겟 실드(250)의 하부면 가장자리를 따라 오링(251)이 설치된다.

이와 같이 구성되는 본 발명의 스퍼터링 마그네트론(200)에 있어서, 회전체(270)의 모터부(275)를 이용하여 회전축(271)을 일방향, 예를 들어 시계방향으로 회전시키면서 회전체(270)의 회전각도에 따라 타겟(210)의 표면(211) 상에 형성되는 플라즈마 레이스 트랙을 시뮬레이션하여 보면, 도 6의 (a) 내지 도 6의 (d)와 같이 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 표면에 형성된다.

즉, 회전체(270)의 회전각도가 예를 들어 0도인 경우, 즉 제1자석군(291)의 S극이 타겟(210)에 인접하여 위치하고, 제1자석군(291)과 제3자석군(295)이 회전축(271)의 수직선 상에 위치하고 있을 경우에는, 타겟의 표면 방향에서 자기력선의 세기가 가장 높은 적색으로 표시된, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같은 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 표면에 형성된다.

이어, 회전체(270)가 예를 들어 30도 회전할 경우, 즉 제1자석군(291)과 제3자석군(295)이 회전축(271)의 수직선으로부터 30도 회전하여 있을 경우에는, 타겟의 표면 방향에서 자기력선의 세기가 가장 높은 적색으로 표시된 도 6의 (b)에 도시된 바와 같은 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 표면에 형성된다. 따라서 도 6의 (b)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙이 도 6의 (a)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙의 위치로부터 횡방향으로 이동한 것을 알 수 있다.

그 다음에, 회전체(270)가 예를 들어 45도 회전할 경우, 즉 제1자석군(291)과 제3자석군(295)이 회전축(271)의 수직선으로부터 45도 회전하여 있을 경우에는, 타겟의 표면 방향에서 자기력선의 세기가 가장 높은 적색으로 표시된 도 6의 (c)에 도시된 바와 같은 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 표면에 형성된다. 따라서 도 6의 (c)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙이 도 6의 (b)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙의 위치로부터 횡방향으로 이동한 것을 알 수 있다.

이후, 회전체(270)가 예를 들어 60도 회전할 경우, 즉 제1자석군(291)과 제3자석군(295)이 회전축(271)의 수직선으로부터 60도 회전하여 있을 경우에는, 타겟의 표면 방향에서 자기력선의 세기가 가장 높은 적색으로 표시된 도 6의 (d)에 도시된 바와 같은 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 표면에 형성된다. 따라서 도 6의 (d)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙이 도 6의 (c)에 도시된 플라즈마 레이스 트랙의 위치로부터 횡방향으로 이동한 것을 알 수 있다.

이와 같은 방식으로 회전체(270)가 예를 들어 시계방향으로 회전함에 따라 제1자석군(291)의 S극, 제2자석군(293)의 S극, 제3자석군(295)의 S극, 제4자석군(297)의 S극이 고정형 자석단(230)의 제1,2자석군(231),(233)의 N극 사이에서 순차적으로 회전하므로 플라즈마 레이스 트랙이 타겟(210)의 표면(211) 상에 연속적으로 이동하면서 형성될 수 있다.

따라서 본 발명은, 고정형 자석단과 회전형 자석단을 조합하여 타겟의 표면과 수평을 이루는 자기력선을 조절함으로써 회전체의 회전각도에 따라 플라즈마 레이스 트랙을 타겟의 표면 상에서 이동시킬 수 있다. 그러므로 본 발명은, 종래의 스퍼터링 마그네트론보다 타겟의 침식영역을 넓히고 나아가 타겟의 사용효율을 높일 수가 있다.

한편, 본 발명의 스퍼터링 마그네트론은, 도 4에 도시된 바와 같이 고정형 자석단(230)의 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237) 각각이 N극과 S극이 타겟(210)의 표면(211)에 대하여 수평으로 배치되는 구성 대신에, 도면에 도시하지 않았지만 고정형 자석단(230)의 제1,2자석군(231,233)과 제3,4자석군(235,237) 각각이 N극과 S극이 타겟(210)의 표면(211)에 대하여 수직으로 배치되는 구성이 가능하다. 또한, 도면에 도시하지 않았지만, 제1,2자석군(231,233)의 N극과 S극이 타겟(210)의 표면(211)에 대하여 수평으로 배치되고 제3,4자석군(235,237)의 N극과 S극이 타겟(210)의 표면(211)에 대하여 수직으로 배치하되 N극이 S극 아래에 위치하는 구성도 가능하다. 설명의 편의상 설명의 중복을 피하기 위하여 이들 구성에 대한 설명을 생략하기로 한다.

이상으로 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 본 발명에 따른 스퍼터링 마그네트론의 구성은 상술한 예에 한정되지 아니 하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 변형, 변경, 치환 등이 가능하다.

1: 기판
3: 롤러
10: 타겟
20: 백플레이트
30: 자석단
31: 제1자석군
33: 제2자석군
40: 연성의 자성 플레이트
50: 절연성 플레이트
60: 타겟 실드
70: 냉매통로
71: 냉매입력구
73: 냉매출력구
80: 전극
100: 스퍼터링 마그네트론
200: 스퍼터링 마그네트론
210: 타겟
211: 타겟의 표면
220: 백플레이트
221: 냉매통로
223: 냉매입력구
225: 냉매출력구
227: 전원인가단
229: 오링(O-ring)
230: 고정형 자석단
231,233: 고정형 자석단의 제1,2자석군
235,237: 고정형 자석단의 제3,4자석군
240: 연성의 자성 플레이트
250: 타겟 실드
251: 오링
260: 절연성 플레이트
270: 회전체
271: 회전축
273: 회전원통부
275: 모터부
280: 연성의 자성 플레이트
290: 회전형 자석단
291,293,295,297: 회전형 자석단의 제1,2,3,4자석군

Claims

고정형 타겟과;
상기 타겟을 지지하도록 상기 타겟 상에 배치되는 백플레이트;
상기 백플레이트 상에 이격 거리를 두고 대향하여 배치되는 제1,2자석군과, 상기 제1,2자석군의 대응하는 양측 단부 사이에 각각 배치되는 제3,4자석군을 포함하여 폐루프를 형성하는 고정형 자석단;
상기 고정형 자석단으로부터 상측으로 이격하여 배치되며, 상기 제1,2자석군의 길이방향으로 연장하는 회전축을 중심으로 회전하는 회전원통부를 가진 회전체; 및
상기 회전원통부 상에 각도 간격을 두고 이격하여 배치되는 복수의 자석군을 가진 회전형 자석단을 포함함으로써 상기 회전원통부의 회전에 의해 상기 복수의 자석군이 회전하여 상기 타겟의 표면에 형성되는 플라즈마 레이스 트랙을 이동시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 제1,2자석군은, 상기 제3,4자석군보다 많은 단위 자석을 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 제1,2자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수평으로 배치되고, 상기 제3,4자석군 각각의 자극부가 상기 타겟의 표면에 대하여 수직으로 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 제1,2자석군과 제3,4자석군은, 연성의 자성 플레이트를 개재하여 백플레이트에 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 동일한 각도 간격을 두고 이격하여 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 연성의 자성 플레이트를 개재하여 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 복수의 자석군은, 상기 회전원통부에 인접한 자극부가 제1자극을 형성하고, 상기 회전원통부에 원접한 자극부가 제2자극을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 백플레이트의 내부에, 상기 타겟을 냉각하기 위한 냉매를 유통하기 위한 냉매통로가 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.