KR101127277B1 - 전기변색소자용 전극 및 이를 구비한 전기변색소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기재; 제1 도전성 물질층; 패턴화된 제 2도전성 물질층; 및 전기 변색 물질 층을 차례로 포함하는 전극으로서, 상기 제 2도전성 물질층은 제 1 도전성 물질층 위의 일부분에 패턴형태로 적층되어 요철부분을 형성하고, 상기 전기 변색 물질 층은 요철형상을 따라 적층되어 있는 것이 특징인 전극, 그 제조방법, 및 상기 전극을 구비한 전기변색소자를 제공한다.

본 발명에 의해 전기변색소자에서 전기변색물질 층과 전해질 내 리튬 이온의 접촉 면적이 넓어지고, 리튬 이온 이동량이 많아지게 됨에 따라 착색/탈색시의 투과율 차이 등 전기변색 특성을 향상시킬 수 있으며, 전기전도성이 우수한 패턴이 추가로 구비됨에 따라 전극의 전기전도도가 더욱 향상되어 변색 반응시간이 짧아지고, 대면적에서의 변색 균일도가 향상될 수 있다.

전기변색소자, 패턴, 요철, 전기전도성

Description

전기변색소자용 전극 및 이를 구비한 전기변색소자{ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICE AND ELECTROCHROMIC DEVICE HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명에 기재된 전극을 포함하는 전기변색소자의 단면 구조를 나타낸 것이다.

도 2는 제 1 도전성물질 층 위에 형성된 제 2 도전성물질 패턴의 일 예로서, 선형 반복 패턴 형태를 나타낸 것이다.

도 3은 제 1 도전성물질 층 위에 형성된 제 2 도전성물질 패턴의 일 예로서, 격자형 반복 패턴 형태를 나타낸 것이다.

도 4는 제 1 도전성물질 층 위에 형성된 제 2 도전성물질 패턴의 일 예로서, 동심원형 반복 패턴 형태를 나타낸 것이다.

<도면부호의 설명>

1 : 기재 2 : 제 1 도전성물질 층 3 : 전기 변색 물질 층

4 : 제 2 도전성물질 층 5 : 전해질

6 : 상대전극의 전기 변색 물질 층 7 : 상대전극의 제 1 도전성물질 층

8 : 상대전극의 기재 9 : 봉합재 10,80 : 클립(전극접속부)

본 발명은 전극과 전해질의 접촉면적을 넓혀 산화환원 반응성을 증가시키고, 전극의 전기전도도를 향상시킨 전극 및 이를 포함하는 전기변색소자에 관한 것이다.

전기변색 소자는 전기화학적 산화환원 반응에 의하여 전기변색물질의 광투과도가 변하는 현상을 이용한 것으로서, 소자에 전압을 가역적으로 인가함에 의해 탈색과 착색이 이루어지며, 자동차용 룸미러, 스마트 윈도우, 디스플레이 등에 응용할 수 있다.

전기변색소자에 사용될 수 있는 전기변색물질은 무기계와 유기계가 있으며, 무기계의 대표적 물질들은 WO₃, NiO_x, V₂O₅, LiNiO_x, CeO₂-TiO₂, Nb₂O₅ 등이 있는데, 이 중에서 WO₃ 등은 환원반응에 의해 착색이 되는 물질이고, NiO_x, Nb₂O₅ 등은 산화반응에 의해 착색이 되는 물질이다. 따라서, 무기계 변색물질을 이용한 전기변색 소자는 활동 전극으로 쓰이는 환원성 무기변색 층과 이온 저장 전극으로 쓰이는 산화성 무기변색 층이 쌍을 이루어 구성되는 것이 일반적이다.

무기계 전기변색소자에서 전기변색이 일어나는 전기화학적 메커니즘은 일반적으로 다음과 같이 설명할 수 있다. 전기변색소자에 전압을 인가하면 전해질 내에 포함되어 있는 프로톤(H⁺) 또는 리튬이온(Li⁺)이 전류의 극성에 따라 전기변색물질로 삽입 또는 탈리되며, 이 때 화합물 내의 전하중성조건을 만족시키기 위하여 전기변색물질에 포함된 전이금속의 산화수가 변화함으로써, 전기변색물질 자체의 광 학적 특성(ex. 투과도)이 변화하게 된다.

한편, 무기계 전기변색물질을 이용한 전기변색소자를 상용화하기 위해서는 몇 가지 해결해야 할 문제점이 있다. 예컨대, 변색 반응 시간이 느린 점, 착색/탈색 시 광투과도차가 크지 않은 점, 스마트 윈도우 등에 적용하기 위한 대면적 소자 제조 시, 소자의 가장자리와 가운데 부분 간에 변색의 시차가 생겨 불균일하게 변색이 일어나는 점 등이 그것이다.

상기와 같은 무기계 전기변색소자의 문제점을 해결하기 위해서는 전기변색물질 층에 삽입/탈리되는 리튬 이온의 양이 더 많아져야 하며, 삽입/탈리되는 속도도 더욱 빨라져야 하고, 전극의 전기전도도가 더욱 향상될 필요도 있다. 이러한 요건은 새로운 전기변색물질에 의해 해결될 수도 있으나, 소자의 구조를 적절하게 변형시키는 방법에 의해서도 가능할 수 있다.

예컨대, 전기 변색 물질 층의 비표면적을 증가시켜 전해질과의 접촉면적을 크게 한다면 일정시간 동안 리튬이온이 삽입/탈리되는 양을 증가시킬 수 있으며, 삽입/탈리 속도를 증가시킬 수 있다. 전기 변색 물질 층의 비표면적을 증가시키는 방법으로 다공성 박막 형태의 전기 변색 물질을 사용하는 경우도 있으나, 재료 자체의 기계적 강도가 낮아 여러가지 취약성이 문제될 수 있다. 또한, 전기 변색 물질 층 표면을 에칭하여 불규칙한 요철을 형성함으로써 비표면적을 증가시키는 방법도 있으나, 이 경우 전기변색소자의 투광성이 저하되는 문제가 생길 수 있다.

본 발명자들은 전기변색소자용 전극에서 전기 변색 물질 층이 일정한 패턴 형태로 요철을 형성하는 경우 전해질과의 접촉면적을 증가시킬 수 있고, 그러한 패턴 형성을 위해 전기 변색 물질 층 하부에 금속 등 제 2 도전성 물질로 패턴을 형성함으로써 전극의 전기전도도를 더욱 향상시킬 수 있다는 것을 밝혀 내었다.

종래에는 기판 자체를 요철화하여 그 위의 막이 요철화되도록 함으로써 표면적을 증가시킬 수 있는 기술이 있었으나, 본 발명에서는 패턴화 된 도전성 물질을 기판 상에 형성함으로써, 요철 형성의 효과는 물론 전기전도성까지 증가시켜 전기화학적 반응을 극대화할 수 있는 장점이 있다.

이에 본 발명은 투명전극 위의 일부에 패턴 형태로 적층되어 요철부분을 형성한 제 2도전성 물질 층 및 그 위에 요철형상을 따라 적층된 전기 변색 물질 층을 포함하는 전극, 그 제조방법, 및 상기 전극을 포함하는 전기변색소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 기재; 제1 도전성 물질층; 패턴화된 제 2 도전성 물질층; 및 전기 변색 물질 층을 차례로 포함하는 전극으로서, 상기 제 2 도전성 물질층은 제1 도전성 물질층 위의 일부분에 패턴형태로 적층되어 요철부분을 형성하고, 상기 전기 변색 물질 층은 요철형상을 따라 적층되어 있는 것이 특징인 전극을 제공한다.

또한, 본 발명은 a)기재 상에 제 1 도전성 물질층을 적층하는 단계; b)상기 제1 도전성 물질층 위의 일부에 제 2 도전성 물질층을 패턴형태로 적층하여 요철을 형성하는 단계; 및 c)전기 변색 물질 층을 상기 요철형상을 따라 적층하는 단계; 를 포함하여 상기에 기재된 전극을 제조하는 방법을 제공한다. .

그리고, 본 발명은 상기에 기재된 전극을 구비한 전기변색소자를 제공한다.

이하 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명의 전극을 전기변색소자에 사용한 예는 도 1에 나타나 있으며, 도 1의 예를 들어 본 발명의 구성을 설명하면 다음과 같다.

예컨대, 전기변색소자용 전극은 기재(1,8), 투명한 제 1도전성물질 층(2,7), 및 전기 변색 물질 층(3,6)으로 일반적으로 구성되어 있으며, 상기와 같이 구성된 산화전극 및 환원전극을 전해질과 함께 합착하여 전기변색소자를 구성할 수 있다. 본 발명에서는 금속 등 제 2도전성물질 층의 패턴(4)에 의한 요철을 제 1도전성물질 층 위에 형성하고, 그 위에 전기 변색 물질 층을 상기 요철면의 형상에 따라 적층함으로써, 금속 등 제 2도전성물질 층의 패턴(4)에 의한 요철의 형상과 동일한 요철면을 갖는 전기변색물질 층(3)을 형성할 수 있다. 상기와 같이 요철면이 형성된 전기 변색 물질 층(3)은 평면 형태일 때보다 넓은 비표면적을 가지므로, 전해질(5)과의 접촉면적이 넓어져서, 리튬이온의 출입량이 증가하게 되고, 전기변색특성이 향상될 수 있다.

또한, 상기 제 1도전성물질 층(2)과 전기 변색 물질층(3) 사이에 형성되는 패턴(4)은 금속 등 전기전도성이 우수한 물질을 사용하기 때문에, 전극의 전기전도성을 향상시켜 변색 반응 시간 및 대면적에서의 변색 균일성 등도 향상될 수 있다.

본 발명의 기재와 제 1도전성물질 층은 디스플레이 분야에서 당업자에게 전극재료로서 알려진 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 투명 전극을 형성하는 것일 수 있고, 기재의 비제한적인 예는 유리, 투명 고분자 등이 가능하 며, 제 1도전성물질의 비제한적인 예는 ITO(Indium doped Tin Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), FTO(Fluorine doped tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), ZnO 등이 가능하다. 제 1도전성물질을 기재에 증착하여 박막을 형성하는 방법 역시 당업자에게 알려진 방법을 사용할 수 있으며, 그 비제한적인 예로는 스퍼터링, 전자빔 증착, 화학기상증착(CVD), 졸겔코팅 등이 있다.

제 1도전성물질 층과 전기 변색 물질 층 사이에서 패턴을 형성하는 제 2도전성 물질은 제1도전성물질보다 전기전도도가 높은 물질이기만 하면 본 발명에서 특별히 제한되지는 않으나, 제1도전성물질로 많이 쓰이는 산화물계 전극물질(ITO, ZnO, IZO, FTO)보다 전기전도성이 좋은 금속인 것이 바람직하며, 그 비제한적인 예는 Ir, Ag, Cu, Au, Cr, Al, W, Zn, Ni, Fe, Pt, Pb, 및 상기 금속원소의 합금 등이 가능하다.

제 1도전성물질 층 위에 제 2도전성물질을 패터닝하는 방법은 본 발명에서 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 원하는 형상의 마스크를 사용하여 직접 제 2도전성물질을 스퍼터링 또는 전자빔 증착함으로써, 제 1도전성물질 층이 형성된 기판 위에 부분적인 제 2도전성물질의 패턴을 형성하는 방법을 사용할 수도 있고, 일반적인 패터닝에 사용되는 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 롤프린팅, 포토리소그래피 등을 사용할 수도 있다.

제 1도전성물질 층 위에 제 2도전성물질 층이 패턴화되어 적층되어 있는 경우, 기재의 전면부(넓은 면)에서 보면 도 2 내지 도 4와 같이 패턴의 형태를 볼 수 있으며, 기재의 측면부(단면)에서 보면 도 1과 같이 제 2도전성물질 층의 패턴에 의해 요철을 형성하고 있는 형태를 볼 수 있다. 본 발명의 전극은 이러한 형태의 요철을 가짐으로 인하여, 요철 위에 전기 변색 물질 층을 증착하는 경우, 전기 변색 물질 층 역시 같은 형태의 요철 및 패턴 형태를 가지게 되어 평면 형태일 경우보다 넓은 비표면적을 가질 수 있게 된다.

이 때, 상기 제 2도전성물질 층의 패턴의 두께(기재의 측면부에서 볼 때, 요철의 높이)는 두꺼울수록 전기 변색 물질 층의 비표면적을 넓히는 효과가 클 것이나, 너무 두꺼우면 빛의 투과를 방해하여 전극의 투명성을 저해할 수 있으므로, 본 발명에서는 100nm ~ 900nm 범위인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제 2도전성물질 층의 패턴의 너비(기재의 전면부에서 볼 때,패턴의 너비)역시 너무 넓을 경우 빛의 투과를 방해하여 전극의 투명성을 저해할 수 있으며, 특히 상기 제 2도전성물질이 금속일 경우에는 더욱 그러할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 패턴 너비는 50nm~300nm 범위일 수 있다.

본 발명에서, 상기 제 2도전성물질 층의 패턴은 특정한 형상을 가지는 것이 바람직하다. 특정한 형상이 없는 무정형의 패턴의 경우, 비표면적의 제어가 용이하지 않고, 전극의 투과도도 제어하기 힘들므로 본 발명에서는 특정한 형상을 가지는 패턴이 바람직하며, 예컨대 일정한 형상이 반복적으로 배열되어 있는 패턴일 수 있다. 예를 들어, 도 2와 같이 선형의 반복 패턴이거나 도 3과 같은 격자형의 반복 패턴, 또는 도 4와 같은 동심원 형의 반복 패턴 등이 가능하다. 본 발명에서는 상기와 같은 형태의 패턴에만 특별히 한정하는 것은 아니고, 전기 변색 물질 층의 비표면적을 넓힐 수 있고, 특정한 형태를 갖는 패턴이라면 어느 것이라도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.

상기 반복 패턴의 경우, 패턴간의 간격이 좁을수록 비표면적이 증가할 수 있을 것이나, 이는 전극의 투명도를 저해하는 요인이 될 수 있으므로, 이러한 두 가지 요인을 모두 고려할 때, 상기 패턴 간의 간격은 바람직하게는 1㎛ ~ 10㎛ 범위가 될 수 있다.

상기와 같이 제 2도전성물질 층의 패턴 형상 요철을 제 1도전성물질 층 위에 형성한 후, 전기변색물질을 적층하면 전기변색물질 층이 상기의 요철 형상에 따라 굴곡을 갖게 되어 결국 전기변색물질 층의 비표면적이 넓어지는 효과를 갖게 된다.

이 때, 전기변색물질 층을 적층하는 방법은 제 1도전성 물질 층 및 패턴화된 제 2도전성 물질 층이 형성되어 있는 기판 일면의 표면 프로파일을 따라 기판의 기저면(base)으로부터 일정한 높이로 박막을 형성할 수 있는 방법, 예를 들면 스퍼터링 등의 진공증착 방법인 것이 바람직하다. 즉, 기판이 굴곡을 갖는 경우 기판 상의 높은 면에서는 그로부터 일정한 높이로, 그리고 낮은 면에서도 그 낮은 면으로부터 일정한 높이로 막을 형성함으로써, 결국 기판의 굴곡형태를 박막이 그대로 가질 수 있어야 한다.

만일 액상을 이용한 코팅 방법을 사용하는 경우에는 액체의 표면장력 등으로 인하여 기판의 모양 및 요철 여부와는 관계없이 형성된 박막의 위 면이 평평한 형태를 가지기 쉬울 것이므로, 본 발명에서는 이러한 형태의 박막 형성 방법은 바람직하지 않다.

본 발명의 전극의 용도는 전기화학소자용으로서 산화 또는 환원반응을 일으 키는 전극이라면 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 전기변색소자의 산화성 전극 또는 환원성 전극으로 사용되는 것일 수 있다. 그 상기 전극에 적층 될 수 있는 전기변색물질의 비제한적인 예로는 NiO_x, LiNiO, V₂O₅, 및 CeO₂-TiO₂ 등이 있다.

한편, 본 발명의 전극은 하기와 같이

a)기재(1) 상에 투명한 제1 도전성 물질층(2)을 적층하는 단계;

b)상기 투명한 제1 도전성 물질층(2) 위의 일부에 제 2도전성 물질층(4)을 패턴형태로 적층하여 요철을 형성하는 단계; 및

c)전기 변색 물질 층(3)을 상기 요철형상을 따라 적층하는 단계; 를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.

본 발명의 전기변색소자는 상기에 기재된 전극을 포함하는 것을 제외하고는 당 업자에게 알려진 통상적인 방법으로 제조될 수 있으며, 제 1전극; 제 2전극; 전해질을 포함하고, 상기 제 1 전극 및/또는 제 2 전극은 상기 본 발명에 따른 전극 일 수 있다. 이의 일 실시예를 들면 제1 전극과 제2 전극을 스페이서(spacer)가 들어있는 접착제로 전해질 주입구를 일부 남겨 합착하고 상기 전해질을 주입한 후 봉지함으로써 제조될 수 있다.

한편, 상기 제 1전극과 제 2전극은 각각 활동전극과 이온저장전극으로 작용할 수 있다. 활동전극이란, 전기변색소자에서 전기변색 작용을 하는 전극이며, 이온저장전극이란, 전기변색물질이 포함된 활동전극으로부터 탈리된 수소 또는 리튬 이온 등을 받아줄 수 있는 상보전극의 개념으로서 이온저장전극 자체가 전기변색물 질을 포함하여 전기변색 작용을 할 수도 있다. 예컨대 NiO와 WO₃ 를 각각 제 1전극 및 제 2전극에 포함하는 경우, 양 전극이 모두 전기변색 성을 갖는 활동전극임과 동시에 상대전극에 대한 이온저장전극이 될 수 있다.

이 때, 제 1전극과 제 2전극의 이온저장능력이 동일하여 밸런스를 유지하는 것이 소자의 효율 면에서 유리하다고 할 것이나, 그렇지 못한 경우도 많이 있으므로, 상기 제 1전극과 제 2전극 중 이온저장 능력이 작은 전극에 본 발명의 전극 구조를 적용한다면 양 전극의 밸런스를 유지하여 소자 효율을 높이는 데에 유리할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 2도전성 물질 층에 의해 전극의 전기전도도가 향상된 것이 또 하나의 효과이므로, 일반적인 크기의 전기변색소자에서도 우수한 전기변색특성을 나타낼 수 있으나, 특히 1×1㎡ ~ 2×2㎡ 의 대면적을 갖는 전기변색소자, 예를 들면 스마트 윈도우 등에 사용되어 우수한 전기변색특성을 나타낼 수도 있다. 상기와 같은 대면적의 전기변색소자의 경우, 전극의 전기전도성이 떨어지는 경우 변색반응의 시차가 생겨 부분별로 불균일하게 변색이 일어나는 문제점이 있을 수 있으나, 본 발명에 의해 전극의 전기전도도를 향상시키는 경우, 상기와 같은 크기의 대면적 소자에서도 균일한 변색반응을 유도할 수 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 자세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

ITO가 코팅된 유리 기판 (100mm×100mm)위에 격자형 슬릿(슬릿너비 100nm, 슬릿간 간격 5㎛)을 구비한 마스크를 올린 상태에서, 이리듐(Ir)을 DC스퍼터링한 후, 마스크를 제거하여 금속 패턴이 형성된 투명전극을 제작하였다. 이리듐의 증착 두께는 100nm가 되도록 하였다.

상기 금속 패턴이 형성된 투명전극 위에 RF스퍼터링을 이용하여 산화성 전기변색물질인 NiO를 증착함으로써 이온저장 전극을 제작하였다. 증착조건은 다음과 같다.

타겟 : 6인치 디스크 타입 NiO 소결체

Ar 유량 : 70 ~ 90 sccm

챔버압력 : 5 ~ 10mTorr

RF파워 : 800 ~ 900W

스퍼터링 시간 : 2시간

증착된 NiO 두께 : 500nm

한편, ITO가 코팅된 유리기판 위에 RF 스퍼터링을 이용하여 환원성 전기변색물질인 WO₃를 500nm 두께로 증착함으로써, 활동 전극을 제작하였다.

상기의 이온저장 전극 테두리에 자외선 경화 실란트(sealant)를 바르고, 활동 전극과 합착하여 전해질 주입부를 형성한 후, 자외선에 5분 동안 노출시켜 상기 실란트를 경화시켰다. 그 후, 진공주입법을 이용하여 아세트아미드(Acetamide)와 LiTFSI(lithium trifluoromethanesulfonimide) 공융혼합물(혼합비율 5g : 6g) 전해 질을 주입하고, 주입부를 에폭시 접착제로 봉합하였다. 도 1에서와 같이 상기 활동 전극 및 이온저장 전극의 양 끝에 클립(10,80)을 이용하여 전극 접속부를 만들어 줌으로써, 전기변색소자를 제작하였다.

상기와 같이 제조된 전기변색 소자에 DC 전압을 인가하여(-1.5V에서 30초, +1.5V에서 30초 동안 반복하여 스위칭) 착색 및 탈색 반응을 유도하였고, 그 때의 전기 변색 특성을 측정하였다. 전기 변색은 투과도 측정 장비(Avantes, Netherlands)를 이용하여 파장 350nm~1200nm 영역의 빛이 소자에 투과되는 정도를 측정하였으며 가시 영역 중 육안에 가장 민감한 것으로 알려진 550nm의 투과도를 기록하였다. 그 결과 상기와 같이 제조된 전기 변색 소자는 최초 구동 이후 500회가 지난 후 착색 때 23%, 탈색 때 75%의 투과도를 보였다. 반응 시간은 탈색에서 착색으로 완전히 반응 시 2초, 착색에서 탈색으로 완전히 반응 시 1.5초가 걸렸다.

[비교예 1]

이온저장 전극에 Ir 금속 패터닝을 하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전기변색소자를 제조, 특성 분석하였다. 그 결과 최초 구동 이후 500 회가 지난 후 착색 때 35%, 탈색 때 64%의 투과도를 보여주었다. 금속 패터닝이 들어간 실시예 1의 소자에 비하여 착색 때는 투과도가 12% 정도 높고, 탈색 때는 11% 정도 낮은 수치를 보였다. 반응 시간은 탈색에서 착색으로 완전히 반응 시 3초, 착색에서 탈색으로 완전히 반응시 2초가 걸렸다.

본 발명에 의해 전기변색소자에서 전기변색물질 층과 전해질 내 리튬 이온의 접촉 면적이 넓어지고, 리튬 이온 이동량이 많아지게 됨에 따라 착색/탈색시의 투과율 차이 등 전기변색 특성을 향상시킬 수 있으며, 전기전도성이 우수한 패턴이 추가로 구비됨에 따라 전극의 전기전도도가 더욱 향상되어 변색 반응시간이 짧아지고, 대면적에서의 변색 균일도가 향상될 수 있다. 따라서, 대면적을 가지고, 변색특성이 우수한 전기변색소자를 구현할 수 있다.

Claims (12)

1. 기재; 제1 도전성 물질층; 패턴화된 제2 도전성 물질층; 및 전기 변색 물질 층을 차례로 포함하는 전극으로서,

   상기 제2 도전성 물질층은 제1 도전성 물질층 위의 일부분에 패턴형태로 적층되어 요철부분을 형성하고, 상기 전기 변색 물질 층은 요철형상을 따라 적층되어 요철형태를 가지는 것이 특징인 전극.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제2 도전성 물질은 Ir, Ag, Cu, Au, Cr, Al, W, Zn, Ni, Fe, Pt, Pb, 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 전극.
3. 제 1항에 있어서, 상기 제2 도전성 물질층의 패턴의 두께는 100nm ~ 900nm 범위인 것이 특징인 전극.
4. 제 1항에 있어서, 상기 제2 도전성 물질층의 패턴의 너비는 50nm ~ 300nm 범위인 것이 특징인 전극.
5. 제 1항에 있어서, 상기 제2 도전성 물질층의 패턴은 일정한 형상이 반복적으로 배열되어 있는 것이 특징인 전극.
6. 제 1항에 있어서, 상기 제2 도전성 물질층의 패턴의 간격은 1㎛ ~ 10㎛ 범위인 것이 특징인 전극.
7. 제 1항에 있어서, 전기변색소자의 산화성 전극 또는 환원성 전극으로 사용되는 것이 특징인 전극.
8. a)기재 상에 제1 도전성 물질층을 적층하는 단계;

   b)상기 제1 도전성 물질층 위의 일부에 제2 도전성 물질층을 패턴형태로 적층하여 요철을 형성하는 단계; 및

   c)전기 변색 물질 층을 상기 요철형상을 따라 적층하는 단계; 를 포함하여 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 전극을 제조하는 방법.
9. 제 8항에 있어서, 전기 변색 물질 층의 적층은 진공증착 방법에 의하는 것이 특징인 제조방법.
10. 제 1전극; 제 2전극; 및 전해질을 구비한 전기변색소자에 있어서, 상기 제 1전극, 제 2전극, 또는 양자 모두는 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 전극인 것이 특징인 전기변색소자.
11. 제 10항에 있어서, 제 1전극과 제 2전극 중 이온저장 능력이 작은 전극이 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 전극인 것이 특징인 전기변색소자.
12. 제 10항에 있어서, 상기 전기변색소자는 1 ~ 4㎡ 의 대면적인 것이 특징인 전기변색소자.

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