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KR101081328B1 - 패턴형성방법 - Google Patents

패턴형성방법 Download PDF

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KR101081328B1
KR101081328B1 KR1020090072292A KR20090072292A KR101081328B1 KR 101081328 B1 KR101081328 B1 KR 101081328B1 KR 1020090072292 A KR1020090072292 A KR 1020090072292A KR 20090072292 A KR20090072292 A KR 20090072292A KR 101081328 B1 KR101081328 B1 KR 101081328B1
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hydrophobic thin
pattern
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김종수
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한국과학기술원
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Abstract

본 발명은 패턴형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 패턴형성방법은, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 제1 단계, 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 제2 단계, 소수성 박막층과 기판을 대전시키는 제3 단계, 소수성 박막층과 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 소수성 박막층과 기판 사이에 충진되는 제4 단계, 소수성 박막층과 기판을 떼어내는 제5 단계를 포함하고, 제1 단계에서 형성되는 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성되는 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이고, 소수성 박막층이 소프트 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 하드기판으로 사용하고, 소수성 박막층이 하드 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 소프트 기판으로 사용한다.
몰드, 소수성 박막층, 전기이동의 힘, 패턴재료

Description

패턴형성방법{METHOD FOR FABRICATING PATTERN}
본 발명은 패턴형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 몰딩을 위하여 사용되는 리소그래피(lithography) 공정은, 각인 몰딩(imprint molding), 스텝 앤드 플래쉬 각인 몰딩(step and flash imprint molding), 용매 보조 마이크로몰딩(solvent assisted micromolding), 마이크로트랜스퍼 몰딩(microtransfer molding) 및 모세관내 마이크로몰딩(micromolding in capillary)이 있다. 리소그래피 공정에 대하여 설명하자면, 먼저, 패턴이 형성된 몰드를 기판 위에 위치시키고, 패턴이 형성된 몰드 표면과 기판 사이에 액상의 폴리머층을 다양한 방법으로 삽입시킨 다음, 그 폴리머층을 구성하는 액체를 경화시키거나 또는 용매를 제거하여 폴리머층을 경화시킨다. 그런 다음, 몰드를 제거하면, 기판 상에 패턴화된 형상(patterned feature, 이하 패턴이라 한다.)이 기판 위에 남게 되는데, 상기의 공정들을 이용하여 패턴을 형성하는 것을 리소그래피 공정이라 한다.
여기서, 모세관내 마이크로 몰딩(Micro Molding In Capillary)은, 패턴의 폭과 넓이, 폴리머층의 재료의 점성에 따라 폴리머층이 충진되는 속도 및 정도가 좌 우되고, 나아가 압력과 기판의 기울기 등을 조절하여 폴리머층이 충진되는 속도 및 정도를 조절할 수 있었다. 그러나, 종래의 모세관 내 마이크로 몰딩은, 폴리머층의 재료의 점성, 압력 및 기판의 기울기를 이용하여 패턴을 형성하고 있으므로, 폴리머층이 충진되는 속도에 한계가 있다는 문제점이 있다. 또한, 종래의 모세관 내 마이크로 몰딩은, 모세관 현상만을 이용하여 패턴을 형성하고 있으므로, 모세관 현상에 의한 힘의 한계로 인하여 패턴을 대면적으로 형성할 수 없다는 문제점이 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 패턴이 형성된 몰드와 기판사이에 공급된 패턴재료를 몰드의 패턴과 기판 사이의 비어있는 영역에 모세관 현상 및 전기이동의 힘을 이용하여 충진시키는 것에 의하여, 모세관 현상만을 이용하는 경우보다, 패턴재료를 빠르게 충진시킬 수 있고, 또한 보다 복잡하고 대면적의 패턴을 형성시킬 수 있는 패턴형성방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
청구항 1에 관한 발명인 패턴형성방법은, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 제1 단계, 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 제2 단계, 몰드와 기판을 대전시키는 제3 단계, 소수성 박막층과 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 소수성 박막층과 기판 사이의 비어있는 영역에 충진되는 제4 단계, 소수성 박막층과 기판을 떼어내는 제5 단계를 포함하고, 제1 단계에서 형성되는 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성되는 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이고, 소수성 박막층이 소프트 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 하드기판으로 사용하고, 소수성 박막층이 하드 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 기판을 소프트 기판으로 사용한다.
따라서, 청구항 1에 관한 발명인 패턴형성방법에 의하면, 패턴이 형성된 몰드와 기판사이에 공급된 패턴재료를 몰드의 패턴과 기판 사이의 비어있는 영역에 모세관 현상 및 전기이동의 힘을 이용하여 충진시키고 있기 때문에, 모세관 현상만을 이용하는 경우보다, 패턴재료를 빠르게 충진시킬 수 있고, 또한 보다 복잡하고 대면적의 패턴을 형성시킬 수 있다. 또한, 몰드 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하고 있기 때문에, 몰드 표면의 표면 에너지를 낮게 할 수 있다. 또한, 소수성 박막층인 자기조립 단분자막을 소프트 몰드로 사용하고 기판을 하드기판으로 사용하거나, 소수성 박막층인 자기조립 단분자막을 하드 몰드로 사용하고 기판을 소프트 기판으로 사용하여, 자기조립 단분자막과 기판과의 접촉을 용이하게 한다.
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청구항 3에 관한 발명인 패턴형성방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴형성방법에 있어서, 제2 단계는, 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리한 후 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 단계를 더 포함한다.
따라서, 청구항 3에 관한 발명인 패턴형성방법에 의하면, 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리하고 있기 때문에, 기판과 패턴재료와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
청구항 4에 관한 발명인 패턴형성방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴형성방법에 있어서, 제5 단계는, 소수성 박막층과 기판 사이에 충진된 패턴재료를 경화시킨 후 소수성 박막층과 기판을 떼어낸다.
따라서, 청구항 4에 관한 발명인 패턴형성방법에 의하면, 소수성 박막층과 기판 사이에 충진된 패턴재료를 경화시키고 있기 때문에, 기판의 표면처리가 수행 되지 않았거나 패턴재료가 기판과의 접착력이 약한 물질인 경우에도 패턴재료와 기판과의 접착력을 향상시킬 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 패턴이 형성된 몰드와 기판사이에 공급된 패턴재료를 몰드의 패턴과 기판 사이의 비어있는 영역에 모세관 현상 및 전기이동의 힘을 이용하여 충진시키고 있기 때문에, 모세관 현상만을 이용하는 경우보다, 패턴재료를 빠르게 충진시킬 수 있고, 또한 보다 복잡하고 대면적의 패턴을 형성시킬 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 대한 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과 외의 구체적인 사항들은 다음에 기재할 실시예 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 패턴형성방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 패턴형성방법은, 몰드 표면에 소 수성 박막층을 형성하는 제1 단계(S100), 소수성 박막층과 기판을 접촉하는 제2 단계(S200), 몰드와 기판을 대전시키는 제3 단계(S300), 패턴재료를 소수성 박막층과 기판 사이에 충진시키는 제4 단계(S400), 소수성 박막층과 기판을 떼어내는 제5 단계(S500)를 포함한다.
제1 단계(S100)는, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 단계이다. 여기서, 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 그 표면을 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성된 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이다. 소수성 자기조립 단분자막처리는, 실란(silane)처리, 알킬(alkyl)처리 등의 방법을 통하여 단분자막(monolayer)을 형성하는 것을 의미한다. 여기서, 자기조립 단분자막(Self-assembled monolayer, SAM)은 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막으로서, 수 나노 두께의 얇은 박막으로 표면에너지를 쉽게 조절할 수 있는 유기 분자막이다. 자기조립 단분자막의 구조는, 가수분해할 수 있는 X기와 긴 알킬 사슬로 된 링커(linker) 및 기능성 유기그룹인 R기로 이루어진다. X기는 주로 표면과 반응하는 부분이고, 물에 의하여 가수분해되어 수산기(-OH)로 된 다음, 실리카 입자와 같은 무기질 표면의 OH-기와 수소결합을 형성한다. R그룹은 친수성, 소수성, 바이오 친화성 등의 반응을 위한 기능성을 부여할 수 있다.
[화학식 1]
R-(CH2)n-Si-X3
상기와 같이 구성된 자기조립 단분자막은 표면과 막을 이루게 되는 분자들 사이에 직접적인 화합결합이 있는 경우가 많아서, 매우 튼튼한 분자막을 비교적 용이하게 만들 수 있고, 대면적화에도 용이하다. 또한, 자기조립 단분자막은 화학 기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 등으로 만들 수 있는 초박막과 비교해 볼 때, 방향성과 규칙성이 있고 다양한 길이의 알킬 사슬과 사슬 말단기를 도입할 수 있으므로, 표면을 개질하는 매우 유용한 방법 중 하나로 이용될 수 있다. 이러한 특징을 갖는 자기조립 단분자막은 나노 두께의 얇은 박막을 패터닝하는 경우에 이용될 수 있다. 한편, 본 발명은 소수성 박막층으로서 자기조립 단분자막을 일 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 몰드 표면 상에 형성되어 몰드 표면의 표면에너지를 낮게 할 수 있는 다양한 소수성 물질로 형성된 박막층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 제1 단계(S100)를 수행한 후에, 자기조립 단분자막과 접착될 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이는, 기판을 표면처리하여, 패턴재료와의 접착력을 향상시키기 위함이다.
제2 단계(S200)는, 소수성 박막층과 기판을 서로 마주보도록 위치시킨 다음, 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 단계이다. 또한, 제2 단계(S200)는, 자기조립 단분자막과 접착될 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리한 후, 소수성 박막층과 기판을 접촉시킨다. 이때, 소수성 박막층인 자기조립 단분자막이 소프트 몰드(soft mold)를 사용하여 형성된 경우에는, 자기조립 단분자막과 기판과의 접촉을 용이하게 하기 위하여 하드 기판(hard substrate)을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 자기조립 단분자막이 하드 몰드(hard mold)를 사용하여 형성된 경우에는, 소프트 기판(soft subatrate)을 사용할 수 있다.
제3 단계(S300)는, 몰드와 기판을 각각 대전시키는 단계이다. 제3 단계(S300)는, 모세관 현상 및 전기이동의 힘을 이용하기 위하여, 몰드와 기판사이에 전기장이 형성되도록 전기를 공급한다.
제4 단계(S400)는, 소수성 박막층과 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 소수성 박막층과 기판 사이에 충진된다. 여기서, 패턴재료는 그 내부에 양전하와 음전하를 포함하는 전해질 용액이다.
본 발명에서의 전기이동의 힘은 전하를 띈 용질이 반대전하의 전극으로 이동하는 하는 전기이동 흐름(electrophoretic flow)을 의미한다. 이때, 전기이동은, 일반적으로 많은 분자들은 수용액에서 양전하나 음전하는 띄고 있는데, 이 때 외부에서 전기장을 걸어주면 각 이온들은 반대전하를 띤 전극으로 이동하는 것을 의미한다. 또한, 본 발명에서의 모세관 현상은, 전하를 띈 용질이 계면을 타고 이동하면서 용매를 이끌고 항상 일정한 방향으로 움직이게 하는 전기삼투 흐름(electroosmotic flow)을 의미한다. 즉, 제3 단계(S300)에서 각각 대전된 소수성 박막층과 기판 사이에 패턴재료를 공급하고, 그 공급된 패턴재료의 전하가 전기이동 흐름(electrophoretic flow)에 의하여 각각 소수성 박막층과 패턴재료의 계면 및 기판과 패턴재료의 계면으로 이동하게 되며, 이동된 전하가 전기삼투 흐름(electroosmotic flow)에 의하여 각 계면을 따라 용매를 이끌고 이동하게 되는 것이다.
[수학식 1]은 모세관 내에서의 전기이동의 흐름(즉, 전기이동의 힘)을 나타내는 식으로서, 전기장이 높으면 높을수록 전기이동의 흐름이 높아짐을 알 수 있다.
[수학식 1]
Figure 112009048065714-pat00001
여기서,
Figure 112009048065714-pat00002
는 패턴재료의 전기이동 흐름이고,
Figure 112009048065714-pat00003
는 패턴재료의 전기이동도이며,
Figure 112009048065714-pat00004
는 패턴재료에 형성된 전기장이고,
Figure 112009048065714-pat00005
는 전압이며,
Figure 112009048065714-pat00006
은 모세관의 길이를 의미한다.
[수학식 2]는 모세관 내에서의 전기삼투의 흐름(즉, 모세관 현상)을 나타내는 식으로서, 전기장이 높으면 높을수록 전기삼투의 흐름이 높아짐을 알 수 있다.
[수학식 2]
Figure 112009048065714-pat00007
여기서,
Figure 112009048065714-pat00008
는 패턴재료의 전기삼투도이고,
Figure 112009048065714-pat00009
는 패턴재료의 유전상수이며,
Figure 112009048065714-pat00010
은 패턴재료의 점성도(velocity)이고,
Figure 112009048065714-pat00011
는 패턴재료에 형성된 전기장이며,
Figure 112009048065714-pat00012
는 패턴재료의 전기적 특성을 나타내는 제타 포텐셜(zeta potential)이다.
따라서, 제4 단계(S400)에서는, 제3 단계(S300)에서 높은 전기장을 공급받아 대전된 몰드와 기판 사이에 형성된 비어있는 공간(즉, 채널)에 패턴재료를 공급하여, 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 소수성 박막층과 기판 사이에 보다 빠르고, 넓은 면적에 충진될 수 있다.
한편, 본 발명은, 제4 단계(S400)를 수행한 후에, 기판이 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리되지 않았거나, 패턴재료가 기판과의 접착력이 약한 물질인 경우에, 소수성 박막층과 기판 사이에 충진된 패턴재료를 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 5 단계(S500)는, 소수성 박막층과 기판을 떼어내는 단계이다. 제4 단계(S400)에서 기판 상에 형성된 패턴이 몰드 기판과 분리되는 단계이다.
도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 패턴형성방법의 각 단계를 나타내는 도면이다. 도 2a는 본 발명에 따른 패턴형성방법에서의 패턴이 형성된 몰드를 나타내는 도면이고, 도 2b는 도 2a의 몰드 표면에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이며, 도 2c는 도 2b의 자기조립 단분자막과 기판을 접촉시키는 단계를 나타내는 도면이고, 도 2d는 도 2c의 자기조립 단분자막과 기판사이에 패턴재료가 충진되는 단계를 나타내는 도면이며, 도 2e는 도 2d의 자기조립 단분자막과 기판이 떼어내어진 후의 기판의 형상을 나타내는 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 몰드(100) 표면에 소정의 패턴(110)이 형성된다. 이때, 몰드(100)는 주로 소프트 몰드(soft mold)인 PDMS(polydimethylsiloxane)를 이용한다. 몰드(100)를 하드 몰드(hard mold)를 이용할 경우에는, Si 몰드 또는 유리(Glass) 몰드를 사용할 수 있다. 이때, 몰드(100) 표면에 형성된 패턴(110)의 크기는, 수백 um에서 수백 nm까지 적용이 가능하다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 도 2a의 패턴(110)이 형성된 몰드(100) 상에 표면처리를 수행하여 소수성 박막층(120)을 형성한다. 도 2b는, 도 1에서의 제1 단계에 대응되는 도면이다. 이때, 소수성 박막층(120, 이하 자기조립 단분자막이라 한다.)은 자기조립 단분자막(SAM, self-assembled monolayer)을 의미한다. 도 2b는 몰드(100) 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하여 자기조립 단분자막(SAM, self-assembled monolayer, 120)을 형성하는 것을 나타낸 도면이다. 이는, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200)을 접촉시킨 다음에, 떼어내기 좋도록 표면에너지를 낮게 하기 위함이다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 도 2b의 몰드(100) 표면 상에 형성된 자기조립 단분자막(120)과 기판(200)을 접촉시킨다. 도 2c는, 도 1에서의 제2 단계에 대응되는 도면이다. 이때, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200)을 접촉시키기 전에, 기판(200)을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리하고, 그 표면처리를 통해서 표면 에너지(surface energy)를 높게 하여 기판(200)의 접착력을 높여줄 수 있다. 여기서, 기판(200)을 표면처리해주면, 기판(200)이 친수성(hydrophilic) 성질을 띄게 되면서 표면 에너지가 높아지 게 되고, 이로 인하여 기판(200)과 패턴재료(210)와의 접착력이 높아진다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 도 2c에서 접촉된 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 패턴재료(210)를 충진시킨다. 도 2d는, 도 1에서의 제3 단계 및 제4 단계에 대응되는 도면이다. 이때, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 패턴재료(210)를 충진하기 전에, 몰드(100)와 기판(200)을 대전시킨다. 그런 다음에, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 전해질 용액인 패턴재료(210)를 흘려주면, 그 패턴재료(210)와 대전된 몰드(100) 및 기판(200)과의 사이에 발생된 모세관 현상 및 전기이동의 힘에 의하여 패턴재료(210)가 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이를 흐르게 된다. 이때, 몰드(100)와 기판(200)에 전기장을 공급하지 않고, 모세관 힘만을 이용하는 것보다, 패턴재료(210)가 더 빠르고 대면적으로 흐르게 된다. 한편, 본 발명은, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 패턴재료(210)를 충진시킨 후에, 기판(200)이 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리되지 않았거나, 패턴재료(210)가 기판(200)과의 접착력이 약한 물질인 경우에, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 충진된 패턴재료(210)를 경화시킬 수 있다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 도 2d에서 접촉된 자기조립 단분자막(120)과 기판(200)을 떼어내면, 자기조립 단분자막(120)과 기판(200) 사이에 충진된 패턴재료(210)가 기판(200) 상에 남아있게 된다. 도 2e는, 도 1에서의 제5 단계에 대응되는 도면이다.
상기와 같은 본 발명에 따른 패턴형성방법은, 마이크로 칩(Micro Chip) 또는 랩 온어 칩(Lab On a Chip) 등의 마이크로 채널(micro channel)에서의 물질의 유동 및 분석을 수행할 때, 모세관 전기이동(CE, Capillary Electrophoresis)를 이용하여 사용되는 재료의 충진을 보다 빠르게 하고, 대면적까지 가능하게 할 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 패턴형성방법의 순서를 나타내는 순서도.
도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 패턴형성방법의 각 단계를 나타내는 도면.

Claims (4)

  1. 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드 표면에 소수성 박막층을 형성하는 제1 단계;
    상기 소수성 박막층과 기판을 접촉시키는 제2 단계;
    상기 몰드와 상기 기판을 대전시키는 제3 단계;
    상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이에 패턴재료를 공급하여, 상기 패턴재료가 모세관 현상 및 전기 이동의 힘(electrophoretic force)에 의하여 상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이의 비어있는 영역에 충진되는 제4 단계; 및
    상기 소수성 박막층과 상기 기판을 떼어내는 제5 단계;
    를 포함하고,
    상기 제1 단계에서 형성되는 상기 소수성 박막층은, 소정의 패턴이 형성된 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막처리하여 형성되는 자기조립 단분자막(Self-Assembly Monolayer)이고,
    상기 소수성 박막층이 소프트 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 상기 기판을 하드기판으로 사용하고, 상기 소수성 박막층이 하드 몰드를 사용하여 형성된 경우에는 상기 기판을 소프트 기판으로 사용하는,
    패턴형성방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 단계는, 상기 기판을 산소 플라즈마(O2 plasma) 또는 UV(Ultra-Violet) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 표면처리한 후 상기 소수성 박막층과 상기 기판을 접촉시키는,
    패턴형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제5 단계는, 상기 소수성 박막층과 상기 기판 사이에 충진된 상기 패턴재료를 경화시킨 후 상기 소수성 박막층과 상기 기판을 떼어내는,
    패턴형성방법.
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