KR101088085B1 - Semiconductor Package for Solar Power Generation - Google Patents
Semiconductor Package for Solar Power Generation Download PDFInfo
- Publication number
- KR101088085B1 KR101088085B1 KR1020090042410A KR20090042410A KR101088085B1 KR 101088085 B1 KR101088085 B1 KR 101088085B1 KR 1020090042410 A KR1020090042410 A KR 1020090042410A KR 20090042410 A KR20090042410 A KR 20090042410A KR 101088085 B1 KR101088085 B1 KR 101088085B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power generation
- assembly structure
- semiconductor package
- semiconductor chip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/50—Integrated devices comprising at least one photovoltaic cell and other types of semiconductor or solid-state components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/60—Arrangements for cooling, heating, ventilating or compensating for temperature fluctuations
- H10F77/63—Arrangements for cooling directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. heat sinks directly associated with the photovoltaic cells or integrated Peltier elements for active cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 태양광 발전용 반도체 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 태양광을 집광하여 전기적 에너지로 전환시키는 태양광 발전용 전지에 사용되는 새로운 구조의 태양광 발전용 반도체 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package for photovoltaic power generation, and more particularly, to a photovoltaic semiconductor package for a new structure used in a photovoltaic cell for condensing sunlight into electrical energy.
이를 위해, 본 발명은 태양광 발전용 반도체 칩이 부착된 기판; 상기 반도체 칩의 상면과 소정 거리로 이격되는 태양광 집광수단이 일체로 사출 성형된 전도성 구조물로서, 그 저면 테두리 부위에 서로 다른 높이의 제1 및 제2전극단차면이 형성된 전도성 하우징; 상기 기판상의 반도체 칩 주변에 형성된 전도성패턴과 상기 전도성 하우징의 제2전극단차면간을 도전 가능하게 접착시키고, 상기 반도체 칩의 본딩패드와 상기 전도성 하우징의 제1전극단차면간을 도전 가능하게 접착시키는 전도성 접착수단; 으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양광 발전용 반도체 패키지를 제공한다.To this end, the present invention is a substrate with a semiconductor chip for photovoltaic power generation; A conductive structure in which the solar light collecting means spaced apart from the upper surface of the semiconductor chip by a predetermined distance is integrally molded by injection molding, the conductive housing having first and second electrode step surfaces having different heights formed at edge portions thereof; Conductively bonding between the conductive pattern formed around the semiconductor chip on the substrate and the second electrode step surface of the conductive housing, and electrically bonding between the bonding pad of the semiconductor chip and the first electrode step surface of the conductive housing Conductive adhesive means for making; It provides a semiconductor package for photovoltaic power generation, characterized in that consisting of.
반도체 패키지, 태양광, 발전, 집광수단, 조립 구조물, 기판, 반도체 칩, 전도성 하우징 Semiconductor Package, Solar, Power Generation, Condensing Means, Assembly Structure, Substrate, Semiconductor Chip, Conductive Housing
Description
본 발명은 태양광 발전용 반도체 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 태양광을 집광하여 전기적 에너지로 전환시키는 태양광 발전용 전지에 사용되는 새로운 구조의 태양광 발전용 반도체 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package for photovoltaic power generation, and more particularly, to a photovoltaic semiconductor package for a new structure used in a photovoltaic cell for condensing sunlight into electrical energy.
태양광 발전용 전지는 일종의 광전지(photovoltaic device)로서, 반도체를 사용하여 태양광으로부터 집광된 광자(photon)를 전기적 에너지로 전환하는 전지를 의미하고, 태양광 발전용 전지에서 태양광을 집광하여 전기적 에너지로 전환시키는 원리는 반도체의 p-n 접합(junction) 원리를 이용한다.A photovoltaic cell is a kind of photovoltaic device, which refers to a cell that converts photons collected from sunlight into electrical energy using a semiconductor, and condenses solar light in a photovoltaic cell. The principle of energy conversion uses the pn junction principle of semiconductors.
여기서, 상기 반도체의 p-n 접합을 이용한 태양광 발전 원리를 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the photovoltaic principle using the p-n junction of the semiconductor in more detail as follows.
상기 반도체는 전도대(conduction band) 및 가전자대(valence band), 이 가전자대와 전도대의 사이에 전자가 존재할 수 없는 영역인 금지대(forbidden band)를 포함하여 구성되고, 상기 금지대의 폭을 에너지 갭(energy gap)이라 하며, 이러 한 반도체에 상기 에너지 갭에 해당하는 에너지, 즉 태양광을 쪼이면, 반도체에 광자(photon)가 흡수되고, 이 흡수된 광자는 안정한 상태의 전자를 한 쌍의 자유 전자(free electron)와 정공(hole)으로 변화시키게 된다.The semiconductor includes a conduction band and a valence band, and a forbidden band which is an area where electrons cannot exist between the valence band and the conduction band, and the width of the prohibition band is defined by an energy gap. When the energy corresponding to the energy gap, ie, sunlight, is applied to the semiconductor, photons are absorbed by the semiconductor, and the absorbed photons have a pair of free electrons in a stable state. It is transformed into free electrons and holes.
이에, 생성된 전자와 정공은 어떤 시간(life time) 동안은 안정하게 존재하므로, 이 시간 내에 음전하를 갖는 전자와 양전하를 갖는 정공을 분리한 뒤, 전극 단자를 통해서 외부에서 이를 재결합시켜 소비 가능한 전류로 사용할 수 있다.Therefore, since the generated electrons and holes exist stably for a certain time of life, the current can be consumed by separating electrons having negative charges and holes having positive charges, and then recombining them externally through the electrode terminals. Can be used as
이러한 태양광 발전에 사용되는 반도체 칩은 대개 외부(발전기 또는 축전기)에 전기적 에너지를 전달할 수 있는 기판과 결합된 패키징 제품으로 만들어진다.Semiconductor chips used in photovoltaic power generation are usually made of packaging products combined with substrates that can transfer electrical energy to the outside (generators or capacitors).
첨부한 도 1은 종래의 태양광 발전용 반도체 패키지를 나타내는 개략적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional semiconductor package for photovoltaic power generation.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 태양광 발전용 반도체 패키지(400)는 기판(12)상의 칩부착영역에 반도체 칩(10)을 부착하는 단계와; 상기 기판(12)과 반도체 칩(10)간을 전도성 와이어(38)로 연결하는 와이어 본딩 단계와; 상기 반도체 칩(10)과 와이어(28)를 보호하는 동시에 프리즘이나 렌즈와 같은 집광수단(16)을 지지하기 위하여 상기 기판(12)상에 내부홀더(42)를 부착하는 단계와; 상기 내부홀더(42)상에 집광수단(16)을 부착하는 단계와; 상기 집광수단(16)을 견고하게 잡아줄 수 있도록 외부홀더(44)를 상기 집광수단(16)의 둘레부위에 밀착시키며 배치하는 단계; 를 통하여 제조된다.As shown in FIG. 1, a conventional
이때, 상기 내부홀더(42)의 중앙 부위에는 관통홀(46)이 형성되고, 이 관통홀(46)의 내주면에서 그 상단부에는 단차부(48)가 형성되는 바, 상기 외부홀더(44) 에 의하여 둘러싸이는 집광수단(16: 프리즘 또는 렌즈)의 하단 테두리 부위가 상기 단차부(48)에 안착되며 지지되는 상태가 된다.At this time, the
그러나, 상기와 같은 종래의 태양광 발전용 반도체 패키지는 기판과 반도체 칩을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 단계와, 내부홀더 및 외부홀더를 별도로 부착하는 단계 등 여러가지 정밀한 공정들이 필요하여 조립 공정이 복잡한 단점이 있고, 그에 따라 제조 단가가 크게 소요되는 단점이 있으며, 특히 반도체 칩와 와이어를 보호하기 위한 내부홀더 및 집광수단을 지지하기 위한 외부홀더 등 부품수가 많이 들어 그 구조가 복잡한 단점이 있다.However, the conventional semiconductor package for photovoltaic power generation as described above is complicated in assembling process because it requires various precise processes such as wire bonding step for electrically connecting the substrate and the semiconductor chip, and attaching the inner holder and the outer holder separately. Thereby, there is a disadvantage in that the manufacturing cost is greatly required, in particular, there are a number of parts, such as the inner holder for protecting the semiconductor chip and the wire and the outer holder for supporting the light collecting means has a complicated structure that is complicated.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 태양광 집광용 렌즈 또는 프리즘이 일체로 사출 성형된 전도성의 단일 하우징을 반도체 칩과, 이 반도체 칩이 부착된 기판상에 도전 가능하게 연결하는 구조를 적용함으로써, 종래의 패키지에 비하여 부품수 및 공정수, 제조 비용을 절감할 수 있는 새로운 구조의 태양광 발전용 반도체 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and provides a semiconductor chip and a conductive housing in which the solar condensing lens or prism is integrally injection-molded so as to electrically connect the semiconductor chip to the substrate to which the semiconductor chip is attached. It is an object of the present invention to provide a semiconductor package for photovoltaic power generation of a new structure that can reduce the number of parts, process, and manufacturing cost compared to a conventional package.
또한, 본 발명의 다른 목적은 태양광 집광용 렌즈 또는 프리즘이 일체로 사출 성형된 구조물과, 반도체 칩이 부착된 기판이 분리 가능하게 결합된 구조물을 서로 슬라이딩 방식으로 결합시키는 방법을 채택함으로써, 종래에 비하여 간단하게 조립시킬 수 있는 새로운 구조의 태양광 발전용 반도체 패키지를 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to adopt a method of slidingly coupling a structure in which a solar light collecting lens or prism is integrally injection-molded and a structure in which a substrate on which a semiconductor chip is attached is detachably coupled to each other. The present invention provides a semiconductor package for photovoltaic power generation with a novel structure that can be easily assembled as compared with the above.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 구현예에 따르면, 태양광 발전용 반도체 칩이 부착된 기판; 상기 반도체 칩의 상면과 소정 거리로 이격되는 태양광 집광수단이 일체로 사출 성형된 절연 구조물로서, 그 저면 테두리 부위에 서로 다른 높이를 가지며 서로 도전 가능한 전도성의 제1 및 제2전극단차면이 형성된 하우징; 상기 기판상의 반도체 칩 주변에 형성된 전도성패턴과 상기 하우징의 제2전극단차면을 서로 도전 가능하게 접착시키고, 상기 반도체 칩의 본딩패드와 상기 하우징의 제1전극단차면을 서로 도전 가능하게 접착시키는 전도성 접착수단; 으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양광 발전용 반도체 패키지를 제공한다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, a substrate with a semiconductor chip for photovoltaic power generation; An insulating structure in which the solar light collecting means spaced apart from the upper surface of the semiconductor chip by a predetermined distance is integrally injection molded, and has first and second electrode stepped surfaces having different heights at the bottom edges thereof and capable of conducting with each other. housing; The conductive pattern formed around the semiconductor chip on the substrate and the second electrode step surface of the housing to be conductively bonded to each other, the conductive pad bonding the bonding pad of the semiconductor chip and the first electrode step surface of the housing to each other conductively Bonding means; It provides a semiconductor package for photovoltaic power generation, characterized in that consisting of.
바람직하게는, 상기 하우징의 제1 및 제2전극단차면에 전도성물질이 코팅되는 동시에 상기 제1 및 제2전극단차면 사이의 하우징 내측면에 걸쳐 전도성물질이 코팅된 것을 특징으로 한다.Preferably, the conductive material is coated on the first and second electrode step surfaces of the housing and the conductive material is coated on the inner surface of the housing between the first and second electrode step surfaces.
더욱 바람직하게는, 상기 하우징의 제1 및 제2전극단차면의 높이차는 상기 반도체 칩의 상면과 기판의 상면간의 높이차로 설정된 것을 특징으로 한다.More preferably, the height difference between the first and second electrode step surfaces of the housing is set as the height difference between the top surface of the semiconductor chip and the top surface of the substrate.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 구현예에 따르면, 태양광 발전용 반도체 칩이 부착됨과 함께 이 반도체 칩과 전도성 와이어로 연결된 기판을 절연성의 제1조립 구조물의 하단부에 분리 가능하게 슬라이딩 결합시키고, 상기 제1조립 구조물의 상단부에 태양광 집광수단이 일체로 사출 성형된 절연성의 제2조립 구조물을 분리 가능하게 슬라이딩 결합시킨 것을 특징으로 하는 태양광 발전용 반 도체 패키지를 제공한다.According to another embodiment of the present invention for achieving the above object, the semiconductor chip for photovoltaic power generation is attached and the substrate connected with the semiconductor chip and the conductive wire is slidably coupled to the lower end of the insulating first assembly structure In addition, it provides a semiconductor package for a photovoltaic power generation, characterized in that the solar assembly is integrally injection-molded injection-molded second assembly structure detachably coupled to the upper end of the first assembly structure.
상기 제1조립 구조물은 상하 및 전면이 개방된 성형 구조물로서, 그 양쪽 내측면에서 하단부에는 상기 기판을 슬라이딩 결합시키기 위한 제1슬라이딩홈이 형성되고, 상단부에는 상기 제2슬라이딩 구조물을 슬라이딩 결합시키기 위한 제2슬라이딩홈이 형성된 것을 특징으로 한다.The first assembly structure is a molding structure having an upper and lower sides and an open front surface, and first sliding grooves for slidingly coupling the substrate are formed at lower ends of both inner surfaces thereof, and slidingly coupling the second sliding structures at upper ends thereof. A second sliding groove is formed.
상기 제2조립 구조물은 상부 중앙 영역에 태양광 집광수단이 일체로 성형되고 동시에 저면이 개방된 성형 구조물로서, 양측 하단부에는 상기 제1조립 구조물의 제2슬라이딩홈에 슬라이딩되며 끼워지는 결합단이 일체로 형성된 것을 특징으로 한다.The second assembly structure is a molding structure in which the solar light collecting means is integrally formed in the upper central region and at the same time, the bottom surface is opened, and both ends of the second assembly structure are integrally coupled to the second sliding groove of the first assembly structure. Characterized in that formed.
바람직하게는, 상기 제2조립 구조물의 전면 하단부에는 상기 제1조립 구조물의 전면 개방부를 밀봉하는 밀봉단이 일체로 더 연장 형성된 것을 특징으로 한다.Preferably, the front end portion of the second assembly structure is characterized in that the sealing end is further formed integrally extended to seal the front opening of the first assembly structure.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 태양광 발전용 반도체 칩이 부착됨과 함께 이 반도체 칩과 전도성 와이어로 연결된 기판을 구비하고, 상기 반도체 칩의 상면과 소정의 거리를 유지하는 태양광 집광수단이 상부 중앙 영역에 일체로 사출 성형된 절연성의 밀봉체를 구비하여, 상기 밀봉체의 하단을 상기 기판의 테두리 영역에 직접 부착시킨 것을 특징으로 하는 태양광 발전용 반도체 패키지를 제공한다.According to another embodiment of the present invention for achieving the above object, and provided with a semiconductor chip for photovoltaic power generation is attached to the semiconductor chip and a conductive wire, a predetermined distance from the upper surface of the semiconductor chip The photovoltaic semiconductor package for solar power generation comprising: an insulating sealing body integrally injection-molded in an upper central region, and the lower solar light collecting means is directly attached to an edge region of the substrate; to provide.
상기한 과제 해결 수단을 통하여, 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다.Through the above problem solving means, the present invention provides the following effects.
본 발명에 따르면 태양광 집광용 렌즈 또는 프리즘이 일체로 사출 성형된 하우징을 반도체 칩 및 기판 등을 보호하는 봉지체 역할 뿐만 아니라, 반도체 칩의 본딩패드와 기판의 전도성패턴을 도전 가능하게 연결하는 수단으로 적용함으로써, 하우징 자체가 와이어 역할을 함에 따라 종래의 와이어 본딩 공정이 배제될 수 있고, 구조가 단순해져 부품수를 절감할 수 있으며, 결국 공정수 및 부품수 절감에 따른 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.According to the present invention, not only the encapsulation body for protecting the semiconductor chip and the substrate, but also a means for conductively connecting the bonding pad of the semiconductor chip and the conductive pattern of the substrate to the housing in which the solar condensing lens or prism is integrally molded. As the housing itself acts as a wire, the conventional wire bonding process can be eliminated, the structure can be simplified, and the number of parts can be reduced, which in turn can significantly reduce the manufacturing cost according to the number of processes and parts. Can be.
또한, 본 발명에 따르면 태양광 집광용 렌즈 또는 프리즘이 일체로 사출 성형된 구조물과, 반도체 칩이 부착된 기판이 분리 가능하게 결합되는 구조물을 서로 슬라이딩 방식으로 끼워서 결합시키는 간편한 조립 구조를 채택함으로써, 태양광 발전용 반도체 패키지의 조립 작업성 향상 및 대량생산에 기여할 수 있다. In addition, according to the present invention by adopting a simple assembly structure for sliding and coupling the structure in which the solar condensing lens or prism is integrally injection-molded, and the structure in which the substrate with a semiconductor chip is detachably coupled to each other by sliding in combination, It can contribute to improvement of assembly workability and mass production of photovoltaic semiconductor package.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 제1실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 첨부한 도 2를 참조로 설명하면 다음과 같다.The semiconductor package for photovoltaic power generation according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.
먼저, 태양광 발전용 반도체 칩(10)이 부착된 기판(12)을 구비하는 바, 반도체 칩(10)과 기판(12)이 별도의 전도성 와이어로 서로 연결되지 않은 상태로 구비된다.First, the
또한, 상기 반도체 칩(10)과 기판(12)을 감싸면서 외부로부터 보호하는 기능 을 하는 동시에 상기 반도체 칩(10)과 기판(12)간을 전기적 신호 교환 가능하게 연결하는 하우징(14)이 사출 성형법 등을 통해 구비된다.In addition, the
보다 상세하게는, 상기 하우징(14)은 사각틀 형상의 절연 구조물로서, 그 상면 중앙 영역에 상기 반도체 칩(10)의 상면과 소정 거리로 이격되는 태양광 집광수단(16: 렌즈 또는 프리즘 등)이 일체로 사출 성형되고, 또한 저면 테두리 부위에는 서로 다른 높이를 가지는 제1 및 제2전극단차면(18,20)이 형성된다.More specifically, the
이때, 상기 하우징(14)의 제1전극단차면(18)이 높고 제2전극단차면(20)이 낮게 형성되며, 이 제1 및 제2전극단차면(18,20)의 높이차는 상기 반도체 칩(10)의 상면과 기판(12)의 상면간의 높이차로 설정된다.In this case, the first
특히, 상기 하우징(14)의 제1 및 제2전극단차면(18,20)에 걸쳐 전도성물질(22)이 코팅되어 제1 및 제2전극단차면(18,20)은 도전성을 띠게 되고, 동시에 상기 제1 및 제2전극단차면(18,20)을 연결하는 상기 하우징(14)의 내측면에도 전도성물질(22)이 코팅되어 상기 제1 및 제2전극단차면(18,20)은 서로 도전 가능한 상태가 된다.In particular, the
이에, 상기 반도체 칩(10)이 부착된 기판(12)상에 제1 및 제2전극단차면(18,20)을 갖는 하우징(14)을 전기적 신호가 흐를 수 있도록 적층 부착하게 된다.Accordingly, the
즉, 상기 기판(12)상의 반도체 칩(10) 주변에 형성된 입출력단자(12a: 전도성패턴)와 상기 하우징(14)의 제2전극단차면(20)을 전도성 접착수단(24)으로 서로 도전 가능하게 접착 연결시키고, 이와 동시에 상기 반도체 칩(10)의 본딩패드(미도 시됨)와 상기 하우징(14)의 제1전극단차면(18)을 전도성 접착수단(24)으로 서로 도전 가능하게 접착시킴으로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지(100)가 완성된다.That is, the conductive input /
따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 다수의 반도체 패키지(100)가 태양광 전지에 소정의 배열로 탑재된 후, 상기 태양광 집광수단(16)을 통하여 집광된 빛이 상기 각 반도체 패키지(100)의 반도체 칩(10)에 조사되면, 상기한 반도체의 p-n 접합(junction) 원리에 의하여 태양광을 전기적 에너지로 전환시키게 되고, 기판(12)과 연결되는 전극 단자를 통해 외부장치(발전기 또는 축전기)에 전기적 에너지가 전달 내지 저장되어진다.Therefore, after the plurality of
이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지(100)에 의하면, 그 내측면이 전도성 물질(22)로 코팅된 하우징(14) 자체가 와이어 역할을 함에 따라 종래의 와이어 본딩 공정이 배제될 수 있고, 와이어 배제에 따른 구조가 단순해져 부품수를 절감할 수 있으며, 결국 공정수 및 부품수 절감에 따른 제조 비용을 크게 절감할 수 있게 된다.As described above, according to the
여기서, 본 발명의 제2실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 첨부한 도 3 및 도 4를 참조로 설명하면 다음과 같다.Here, a description will be given with reference to FIGS. 3 and 4 with the semiconductor package for photovoltaic power generation according to the second embodiment of the present invention as follows.
본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지(200)는 그 조립 구조가 간편하게 개선된 점에 특징이 있으며, 이러한 간편한 조립 구조를 제공하기 위해 절연재질의 제1조립 구조물(26) 및 제2조립 구조물(28)이 구비된다.The semiconductor package 200 according to the second embodiment of the present invention is characterized in that the assembly structure is easily improved, and to provide such a simple assembly structure, the
상기 제1조립 구조물(26)은 사각틀 형상을 갖되, 상부 및 하부, 그리고 전면 이 개방된 사출 성형 구조물로서, 그 양쪽 내측면에서 하단부에는 기판(12)을 슬라이딩시키며 끼워서 결합시키기 위한 제1슬라이딩홈(30)이 형성되고, 상단부에는 하기의 제2슬라이딩 구조물(28)을 슬라이딩시키며 끼워서 결합시키기 위한 제2슬라이딩홈(32)이 형성된다.The
상기 제2조립 구조물(28)은 사각틀 형상을 갖되, 상부 중앙 영역에 태양광 집광수단(16: 렌즈 또는 프리즘)이 일체로 사출 성형되고, 저면이 개방된 성형 구조물로서, 그 양쪽 외측면에서 하단부에는 상기 제1조립 구조물(26)의 제2슬라이딩홈(32)에 슬라이딩되며 끼워지는 결합단(34)이 일체로 형성된다.The
이때, 상기 제1조립 구조물(26)의 내측면에 형성된 제2슬라이딩홈(32)에 용이하게 매칭되며 끼워질 수 있도록 상기 제2조립 구조물(28)의 결합단(34)은 안쪽에서 바깥쪽으로 수직 절곡된 형상을 갖는다.At this time, the
특히, 상기 제2조립 구조물(28)의 전면 하단부에는 상기 제1조립 구조물(26)의 전면 개방부를 밀봉할 수 있는 밀봉단(36)이 일체로 더 연장 형성되며, 이 밀봉단(36)은 상기 제1 및 제2조립 구조물(26,28)이 상호 조립되었을 때 제1조립 구조물(26)의 전면에 걸쳐 밀착되면서 제1조립 구조물(26)의 전면 개방부를 밀폐시키는 역할을 한다.In particular, a sealing
이에, 태양광 발전용 반도체 칩(10)이 부착됨과 함께 이 반도체 칩(10)과 전도성 와이어(38)로 연결된 기판(12)을 구비한 후, 이 기판(12)의 양측단부를 상기 제1조립 구조물(26)의 제1슬라이딩홈(30)내에 슬라이딩시키며 끼워서 결합시키고, 또한 상기 제1조립 구조물(26)의 제2슬라이딩홈(32)내에 상기 제2조립 구조물(28) 의 결합단(34)을 슬라이딩시키며 끼워서 결합시킴으로써, 본 발명의 제2실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지(200)의 조립이 완료된다.Accordingly, the
마찬가지로, 본 발명의 제2실시예에 따른 다수의 반도체 패키지(200)도 태양광 전지에 소정의 배열로 탑재된 후, 상기 태양광 집광수단(16)을 통하여 집광된 빛이 상기 각 반도체 패키지(200)의 반도체 칩(10)에 조사되면, 상기한 반도체의 p-n 접합(junction) 원리에 의하여 태양광을 전기적 에너지로 전환시키게 되고, 이에 기판(12)과 연결되는 전극 단자를 통해 외부장치(발전기 또는 축전기)에 전기적 에너지가 전달 내지 저장되어진다.Similarly, after the plurality of semiconductor packages 200 according to the second exemplary embodiment of the present invention are mounted in a predetermined array in a solar cell, the light collected through the solar light collecting means 16 receives the respective semiconductor packages ( When the
이와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지(200)는 기판(12)을 제1조립 구조물(26)에 끼우고, 태양광 집광수단(16: 렌즈 또는 프리즘)을 갖는 제2조립 구조물(28)을 제1조립 구조물(26)에 끼워주는 간편한 조립 구조로 제조됨으로써, 태양광 발전용 반도체 패키지의 조립 작업성 향상 및 대량 생산에 기여할 수 있다. As described above, the semiconductor package 200 according to the second embodiment of the present invention inserts the
여기서, 본 발명의 제3실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 첨부한 도 5를 참조로 설명하면 다음과 같다.Here, the solar power semiconductor package according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.
본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 패키지(300)는 매우 간단한 구조로 제작되어 제조 비용을 크게 절감시킬 수 있는 점에 주안점이 있다.The
우선, 태양광 발전용 반도체 칩(10)이 부착됨과 함께 이 반도체 칩(10)과 전도성 와이어(38)로 연결된 기판(12)을 구비한다.First, the
또한, 상기 반도체 칩(10)의 상면과 소정의 거리를 유지하는 태양광 집광수 단(16: 렌즈 또는 프리즘)이 상부 중앙 영역에 일체로 사출 성형된 절연 재질의 밀봉체(40)를 미리 구비한다.In addition, the solar light collecting stage 16 (lens or prism) that maintains a predetermined distance from the upper surface of the
이렇게 구비된 상기 밀봉체(40)의 하단면을 상기 기판(12)의 테두리 영역에 접착수단을 이용하여 직접 부착시킴으로써, 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 패키지(300)가 완성된다.The
이와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 패키지(300)는 조립 제조가 가장 간단하면서도 그 구조가 단순하여 제조 비용을 절감할 수 있고, 대량 생산이 용이한 잇점을 제공할 수 있다.As described above, the
도 1은 종래의 태양광 발전용 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하는 단면도,1 is a cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing a semiconductor package for photovoltaic power generation;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 나타내는 단면도,2 is a cross-sectional view showing a semiconductor package for photovoltaic power generation according to the first embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing a semiconductor package for photovoltaic power generation according to a second embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지의 조립 방법을 설명하는 단면도,4 is a cross-sectional view illustrating a method of assembling a semiconductor package for photovoltaic power generation according to a second embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 태양광 발전용 반도체 패키지를 나타내는 단면도.5 is a cross-sectional view showing a semiconductor package for photovoltaic power generation according to the third embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 반도체 칩 12 : 기판10
14 : 하우징 16 : 태양광 집광수단14
18 : 제1전극단차면 20 : 제2전극단차면18: first electrode stepped surface 20: second electrode stepped surface
22 : 전도성물질 24 : 전도성 접착수단22: conductive material 24: conductive bonding means
26 : 제1조립 구조물 28 : 제2조립 구조물26: first assembly structure 28: second assembly structure
30 : 제1슬라이딩홈 32 : 제2슬라이딩홈30: the first sliding groove 32: the second sliding groove
34 : 결합단 36 : 밀봉단34: coupling end 36: sealing end
38 : 와이어 40 : 밀봉체38: wire 40: sealing body
42 : 내부홀더 44 : 외부홀더42: inner holder 44: outer holder
46 : 관통홀 48 : 단차부46 through
100, 200, 300, 400 : 반도체 패키지100, 200, 300, 400: semiconductor package
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090042410A KR101088085B1 (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Semiconductor Package for Solar Power Generation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090042410A KR101088085B1 (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Semiconductor Package for Solar Power Generation |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110011717A Division KR20110025196A (en) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | Solar semiconductor package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100123270A KR20100123270A (en) | 2010-11-24 |
| KR101088085B1 true KR101088085B1 (en) | 2011-11-30 |
Family
ID=43407969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090042410A Active KR101088085B1 (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Semiconductor Package for Solar Power Generation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101088085B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030121542A1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-07-03 | Wolfgang Harneit | Method for producing a solar module with thin-film solar cells which are series-connected in an integrated manner and solar modules produced according to the method, especially using concentrator modules |
| JP2008258436A (en) | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toyota Motor Corp | Solar power plant |
| JP2008300823A (en) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Taida Electronic Ind Co Ltd | Concentrated solar cell module |
| US20090096047A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Imaging module package |
-
2009
- 2009-05-15 KR KR1020090042410A patent/KR101088085B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030121542A1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-07-03 | Wolfgang Harneit | Method for producing a solar module with thin-film solar cells which are series-connected in an integrated manner and solar modules produced according to the method, especially using concentrator modules |
| JP2008258436A (en) | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toyota Motor Corp | Solar power plant |
| JP2008300823A (en) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Taida Electronic Ind Co Ltd | Concentrated solar cell module |
| US20090096047A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Imaging module package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100123270A (en) | 2010-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7977777B2 (en) | Lead frame thermoplastic solar cell receiver | |
| US9466748B2 (en) | Optoelectronic device with heat spreader unit | |
| US20090159125A1 (en) | Solar cell package for solar concentrator | |
| US20130026616A1 (en) | Power device package module and manufacturing method thereof | |
| CN104521008B (en) | Solar cell unit | |
| JP2011003896A (en) | Receiver structure for photovoltaic concentrator system comprising group iii-v compound semiconductor solar cell | |
| JP5273075B2 (en) | Terminal box for solar cell module | |
| CN104868007A (en) | Concentrating Photoelectric Conversion Device And Manufacturing Method Thereof | |
| KR101088085B1 (en) | Semiconductor Package for Solar Power Generation | |
| KR20110025196A (en) | Solar semiconductor package | |
| JP5388754B2 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
| US8778704B1 (en) | Solar powered IC chip | |
| JP2011108866A (en) | Photovoltaic conversion device, package for accommodating photovoltaic conversion element, and photovoltaic conversion module | |
| JP5388778B2 (en) | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion element storage package, and photoelectric conversion module | |
| KR101045753B1 (en) | Panel type semiconductor module | |
| KR102500233B1 (en) | Semiconductor packaging including photovoltaic particles having a core-shell structure | |
| JP2014187365A (en) | Integrated circuit chip powered by solar energy | |
| JP2012089592A (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
| CN102983189A (en) | Photoelectric component packaging structure | |
| JP5441576B2 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
| US20140116496A1 (en) | Multi-junction cpv package and method | |
| US20070204900A1 (en) | Package structure for a solar chip | |
| JP5441617B2 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
| JP5653132B2 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
| US8502361B1 (en) | Concentrated photovoltaic receiver package with stacked internal support features |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0107 | Divisional application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0107 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0107 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141104 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151103 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R17-oth-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161102 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191125 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 13 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 14 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 15 |