KR100993145B1 - Organic light emitting diode and method of manufacturing same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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Abstract
본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 제1 전극을 증착하는 단계와, 제1 전극 상에 유기 박막층을 증착하는 단계와, 유기 박막층 상에 무기 박막층을 증착하는 단계 및 무기 박막층 상에 제2 전극을 코팅하는 단계를 포함하며, 무기 박막층은 무기화합물에 N형 불순물을 첨가한 N형 무기 박막층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 유기 발광 다이오드가 제공된다.The present invention relates to an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, comprising the steps of: depositing a first electrode on a substrate; depositing an organic thin film layer on the first electrode; depositing an inorganic thin film layer on the organic thin film layer; And coating the second electrode on the inorganic thin film layer, wherein the inorganic thin film layer is an N-type inorganic thin film layer in which an N-type impurity is added to an inorganic compound, and an organic material manufactured by the method. A light emitting diode is provided.
유기 발광 다이오드, 전극, 금속 페이스트, 코팅, 열처리, 무기 박막층 Organic light emitting diode, electrode, metal paste, coating, heat treatment, inorganic thin film layer
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 페이스트를 사용하여 전극을 형성한 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting diode formed of an electrode using a metal paste and a method of manufacturing the same.
LCD, PDP에 이어 차세대 평판 디스플레이로 기대되고 있는 유기 발광 다이오드(OLED;Organic Light Emitting Diode)는 발광체인 유기화합물을 여러 겹 쌓고 전압을 가하면 전류가 흘러서 발광하는 현상을 이용한 디스플레이이다.Organic Light Emitting Diodes (OLEDs), which are expected as next-generation flat panel displays following LCDs and PDPs, are stacked displays of organic compounds, which emit light, and emit light when current is applied.
LCD는 광의 선택적 투과를 통하여 화상을 표시하고, PDP가 플라즈마 방전을 통하여 화상을 표시하는 것에 반하여, 유기 발광 다이오드는 전계 발광이라는 메커니즘을 통하여 화상을 표시하게 된다. 이는 두 개의 전극 사이에 유기발광재료를 삽입하고, 각 전극에 전압을 가하면, 양극과 음극에서 각각 전자와 정공이 유기층 안으로 주입되어, 전자와 정공이 재결합되는데, 이때 발생하는 재결합 에너지가 유기 분자들을 자극함으로써 빛을 발생시키는 방식이다. 이러한 유기 발광 다이오드는 자체 발광 특성과 함께 시야각이 넓고, 고선명, 고화질, 고속 응답성 등의 장점 이 있어 소형 디스플레이에 많이 적용되고 있다. The LCD displays an image through selective transmission of light, and the organic light emitting diode displays an image through a mechanism called electroluminescence, whereas the PDP displays an image through plasma discharge. The organic light emitting material is inserted between the two electrodes, and when a voltage is applied to each electrode, electrons and holes are injected into the organic layer at the anode and the cathode, respectively, and the electrons and holes are recombined. It is a way of generating light by stimulating. Such organic light emitting diodes are widely applied to small displays due to their self-luminous characteristics and a wide viewing angle, high definition, high image quality, and high speed response.
도 1에는 종래 기술에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도가 도시된다. 상기 도 1을 참조하면, 유기 발광 다이오드는 기판(10), 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)을 포함하며, 기판(10) 상에 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성된 구조이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to the prior art. Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode includes a
기판(10)은 일반적으로 유리 기판이 사용되나, 플렉서블 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판이 사용될 수도 있다. The
애노드 전극(20)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 이용하여 형성될 수 있다.The
애노드 전극(20) 상에는 유기 박막층(30)과 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성되는데, 캐소드 전극(40)은 알루미늄(Al) 또는 은-마그네슘 합금(Ag-Mg)등의 금속을 진공증착(evaporation), 스퍼터(sputter) 또는 E-빔(beam) 등의 방식을 통하여 형성한다.The organic
그러나 진공증착과 E-빔은 대면적화에 부적합한 특성을 나타내고 있으며, 스퍼터의 경우에는 유기 박막층에 손상을 발생하는 문제점이 발생한다. However, vacuum deposition and E-beams are inadequate for large area, and sputtering causes damage to the organic thin film layer.
또한, 증착 장비를 사용하여 전극을 제작할 경우, 설비 투자비와 생산 비용의 증가가 불가피하여, 유기 발광 다이오드의 단가 역시 상승하는 문제점이 발생하게 된다.In addition, when manufacturing the electrode using the deposition equipment, it is inevitable to increase the equipment investment cost and production cost, the cost of the organic light emitting diode also increases.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상압 코팅 방식을 적용하여 전극을 형성함으로써, 대면적화와 생산성 향상을 이룰 수 있는 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, the problem to be solved by the present invention is to form an electrode by applying an atmospheric pressure coating method, an organic light emitting diode that can achieve a large area and improved productivity and a method of manufacturing the same It is to provide.
본 발명의 다른 목적은 유기 발광 다이오드의 유기 박막층의 손상과 계면 문제를 해결하기 위하여, 무기물 박막층을 삽입하여, 상압 코팅 후에도 특성 변화가 발생하지 않는 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same, in which a characteristic change does not occur even after the atmospheric pressure coating by inserting an inorganic thin film layer in order to solve the damage and interface problems of the organic thin film layer of the organic light emitting diode.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 기판 상에 제1 전극을 증착하는 단계; 상기 제1 전극 상에 유기 박막층을 증착하는 단계; 상기 유기 박막층 상에 무기 박막층을 증착하는 단계; 및 상기 무기 박막층 상에 제2 전극을 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 무기 박막층은 무기화합물에 N형 불순물을 첨가한 N형 무기 박막층인유기 발광 다이오드 제조방법이 제공된다.According to an exemplary embodiment of the present invention, there is provided a method, comprising depositing a first electrode on a substrate; Depositing an organic thin film layer on the first electrode; Depositing an inorganic thin film layer on the organic thin film layer; And coating a second electrode on the inorganic thin film layer, wherein the inorganic thin film layer is an N-type inorganic thin film layer in which an N-type impurity is added to an inorganic compound.
상기 제2 전극을 코팅하는 단계는 상기 무기 박막층 상에 금속 페이스트를 코팅하는 단계; 및 열처리를 수행하는 단계를 포함한다.Coating the second electrode may include coating a metal paste on the inorganic thin film layer; And performing a heat treatment.
상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함한다.The organic thin film layer includes an organic light emitting layer.
상기 무기 박막층을 증착하는 단계는 상기 무기 박막층을 50Å 내지 1000Å의 두께로 증착하는 단계를 포함한다.Depositing the inorganic thin film layer includes depositing the inorganic thin film layer to a thickness of 50 kPa to 1000 kPa.
상기 금속 페이스트를 코팅하는 단계는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-마그네슘 합금(Ag-Mg) 중 어느 하나로 이루어진 금속 페이스트를 상기 무기 박막층 상 에 코팅하는 단계를 포함한다.Coating the metal paste includes coating a metal paste made of any one of silver (Ag), aluminum (Al), or silver-magnesium alloy (Ag-Mg) on the inorganic thin film layer.
상기 열처리를 수행하는 단계는 섭씨 80도 내지 섭씨 150의 범위로 열처리를 수행하는 단계를 포함한다.Performing the heat treatment includes performing a heat treatment in the range of 80 degrees Celsius to 150 degrees Celsius.
상기 무기 박막층 상에 금속 페이스트를 코팅하는 단계는 금속 페이스트를 상압에서 스크린 프린트(screen print), 스핀 코팅(spin coating), 그라비어 인쇄(gravier print) 또는 잉크젯 프린트(inkjet print) 중 어느 하나의 방식으로 코팅하는 단계를 포함한다.Coating the metal paste on the inorganic thin film layer may be performed by screen printing, spin coating, gravure printing, or inkjet printing of the metal paste at atmospheric pressure. Coating.
상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함한다.The organic thin film layer further includes a layer composed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 박막층; 상기 유기 박막층 상에 형성된 무기 박막층; 및 상기 무기 박막층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 무기 박막층은 무기화합물에 N형 불순물을 첨가한 N형 무기 박막층인 유기 발광 다이오드가 제공된다.According to another embodiment of the invention, the first electrode formed on the substrate; An organic thin film layer formed on the first electrode; An inorganic thin film layer formed on the organic thin film layer; And a second electrode formed on the inorganic thin film layer, wherein the inorganic thin film layer is an N-type inorganic thin film layer in which an N-type impurity is added to an inorganic compound.
상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함한다.The organic thin film layer includes an organic light emitting layer.
상기 무기 박막층은 50Å 내지 1000Å의 두께로 형성된다.The inorganic thin film layer is formed to a thickness of 50 kPa to 1000 kPa.
상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함한다.The organic thin film layer further includes a layer composed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.
본 발명에서와 같이, 유기 발광 다이오드의 전극을 금속 페이스트를 사용하여 상압 코팅 방식으로 제작하게 되면, 대면적화와 생산성에서 획기적인 개선을 이 룰 수 있게 된다.As in the present invention, when the electrode of the organic light emitting diode is manufactured by the atmospheric pressure coating method using a metal paste, it is possible to achieve a significant improvement in large area and productivity.
또한, N형 무기 박막층을 유기 박막층과 전극 사이에 삽입한 후, 상압 코팅 방식을 적용하게 되면, 유기 박막층의 손상을 방지할 수 있으며, 구동 전압 상승도 억제하는 효과를 얻게 된다.In addition, when the N-type inorganic thin film layer is inserted between the organic thin film layer and the electrode, and the atmospheric pressure coating method is applied, damage to the organic thin film layer can be prevented and the driving voltage rise can be also suppressed.
도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상부 또는 위에 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 바로 상부 또는 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, panels, etc., may be exaggerated for clarity, and like reference numerals designate like elements. In addition, when a part such as a layer, a film, an area, or a plate is expressed as being on or above another part, not only when each part is directly above or directly above the other part but also another part between each part and another part It also includes cases where there is.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 유기 발광 다이오드(100)는 기판(110), 애노드 전극(120), 유기 박막층(130), 무기 박막층(140) 및 캐소드 전극(150)을 포함한다. 유기 발광 다이오드(100)는 기판(110) 상에 애노드 전극(120), 유기 박막층(130), 무기 박막층(140) 및 캐소드 전극(150)이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 2, the organic
기판(110)은 유리 기판이 사용되며, 플렉서블 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. The
기판(110) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 이용하여 애노드 전극(120)이 형성되며, 애노드 전극(120) 상에는 유기 박막층(130)이 형성된다. 이때, 유기 박막층(130)은 후술되는 유기 발광층의 기능을 수행할 수 있다. An
유기 박막층(130) 상에는 무기 박막층(140)이 형성되는데, 이때 무기 박막층(140)은 산화 티타늄(TiOx) 또는 산화 아연(ZnOx)으로 구성된다. 무기 박막층(140)의 두께는 50Å 내지 1000Å으로 형성된다.An inorganic
한편, 무기 박막층(140)은 N형 불순물 예를 들면, Si, Ge, Sn, Te 또는 S 등을 첨가하여, N형 무기 박막층으로 형성할 수 있다.The inorganic
무기 박막층(140) 상에는 캐소드 전극(150)이 형성된다. 캐소드 전극(150)은 금속 페이스트를 상압 코팅 방식을 이용하여 무기 박막층(140) 상에 형성한다. 금속 페이스트로는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-마그네슘 합금(Ag-Mg) 등이 사용될 수 있다.The
상기에서 살펴본 바와 같이, 금속 페이스트를 이용하여 형성된 캐소드 전극(150)과 유기 박막층(130) 사이에 무기 박막층(140)을 형성하게 되면, 금속 페이스트에 의해서 유기 박막층(130)이 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, when the inorganic
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 유기 발광 다이오드는 도 2에 도시된 유기 발광 다이오드와 비교하여, 유기 박막층이 복수층으로 구성된다는 점이 상이하며, 나머지 구성요소는 거의 유사하므로, 이하에서는 상이한 구성요소를 중심으로 설명한다.The organic light emitting diode shown in FIG. 3 differs from the organic light emitting diode shown in FIG. 2 in that the organic thin film layer is composed of a plurality of layers, and the remaining components are almost similar, and thus, the following description will focus on different components. do.
도 3을 참조하면, 유기 발광 다이오드(200)는 기판(210), 애노드 전극(220), 유기 박막층(230), 무기 박막층(240) 및 캐소드 전극(250)을 포함한다. 유기 발광 다이오드(200)는 기판(210) 상에 애노드 전극(220), 유기 박막층(230), 무기 박막층(240) 및 캐소드 전극(250)이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 3, the organic
유기 박막층(230)은 정공 주입층(hole injection layer)(231), 정공 수송층(hole transport layer)(232), 유기 발광층(232), 전자 주입층(electron injection layer)(234)로 구성된다.The organic
유기 박막층(230)의 각층의 재료로서는 다음의 것들이 사용된다. 예를 들면, 정공 주입층(231)으로는 Copper phthalocyanine (CuPc)등이 사용되며, 정공 수송층(232)으로는 N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine (α-NPB) 등을 사용할 수 있다. 또한, 유기 발광층(233)으로는 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3) 등을 사용할 수 있으며, 전자 주입층(234)으로는 LiF, Al를 사용할 수 있다.As a material of each layer of the organic
한편, 본 실시예에서는 유기 박막층(230)이 정공 주입층(231), 정공 수송층(232), 유기 발광층(233), 전자 주입층(234)이 순차적으로 적층되어 형성된 경우를 예로서 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 박막층(230)은 이하와 같이 다양하게 형성될 수 있으며, 사용된 재료 또는 상기 재료에 한정되는 것은 아니며 다양한 재료가 사용될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the organic
예를 들면, 상기 유기 박막층은 정공 주입층/유기 발광층, 유기 발광층/전자 주입층, 정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층, 정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층, 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.For example, the organic thin film layer may include a hole injection layer / organic emission layer, an organic emission layer / electron injection layer, a hole injection layer / organic emission layer / electron injection layer, a hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer, a hole injection layer / hole transport layer / The organic light emitting layer / the electron injection layer or the hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer may be formed in various forms.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 살펴보면, 우선 기판을 준비하는 과정을 수행한다(S410). 이때, 기판은 유리 기판이 사용되며, 플렉서블 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. Looking at the manufacturing method of the organic light emitting diode according to the present invention with reference to Figure 4, first to prepare a substrate (S410). In this case, the substrate may be a glass substrate, and in the case of implementing a flexible display, a plastic substrate may be used.
기판 상에 제1전극을 형성하는 과정을 수행한다(S420). 제1전극은 애노드 전극으로 기능하며, 제1전극의 재료로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 사용할 수 있다. A process of forming a first electrode on the substrate is performed (S420). The first electrode functions as an anode electrode, and a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) may be used as a material of the first electrode.
그리고 나서, 제1전극 상에 유기 박막층을 증착한다(S430). 이때, 유기 박막층은 유기 발광층만으로 형성되거나, 유기 발광층 이외에 다른 층 예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층 또는 전자 수송층 등을 포함한 복수의 층으로 형성될 수도 있다.Then, an organic thin film layer is deposited on the first electrode (S430). In this case, the organic thin film layer may be formed of only an organic light emitting layer, or may be formed of a plurality of layers including another layer, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, or an electron transport layer, in addition to the organic light emitting layer.
그 다음에, 유기 박막층 상에 무기 박막층을 형성하는 과정을 수행한다(S440). 무기 박막층은 산화 티타늄(TiOx) 또는 산화 아연(ZnOx)으로 구성되며, 무기 박막층의 두께는 50Å 내지 1000Å으로 형성한다. Next, a process of forming an inorganic thin film layer on the organic thin film layer is performed (S440). The inorganic thin film layer is composed of titanium oxide (TiOx) or zinc oxide (ZnOx), and the thickness of the inorganic thin film layer is 50 kPa to 1000 kPa.
또한, 무기 박막층은 N형 불순물 예를 들면, Si, Ge, Sn, Te 또는 S 등을 첨가하여, N형 무기 박막층으로 형성하는 것이 바람직하다.The inorganic thin film layer is preferably formed of an N-type inorganic thin film layer by adding an N-type impurity, for example, Si, Ge, Sn, Te, or S.
무기 박막층을 형성한 후, 무기 박막층 상에 제2 전극을 형성하기 위한 금속 페이스트를 코팅하는 과정을 수행한다(S450).After forming the inorganic thin film layer, a process of coating a metal paste for forming a second electrode on the inorganic thin film layer is performed (S450).
금속 페이스트는 상압에서 코팅이 진행되며, 코팅 방식으로는 스크린 프린트(screen print), 스핀 코팅(spin coating), 그라비어 인쇄(gravier print) 또는 잉크젯 프린트(inkjet print) 등 다양한 방식이 사용될 수 있다.The coating of the metal paste is performed at atmospheric pressure, and various coating methods such as screen printing, spin coating, gravure printing, or inkjet printing may be used as the coating method.
금속 페이스트의 재료로는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-마그네슘 합금(Ag-Mg) 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 반사도가 높은 다양한 금속이 사용될 수 있다.As a material of the metal paste, silver (Ag), aluminum (Al), or silver-magnesium alloy (Ag-Mg) may be used, but the present invention is not limited thereto, and various metals having high reflectivity may be used.
그리고 나서, 코팅된 금속 페이스트를 열처리하는 과정을 수행하여, 제2전극을 형성하는 과정을 수행한다(S460).Then, a process of heat-treating the coated metal paste is performed to form a second electrode (S460).
금속 페이스트는 열처리를 통하여 경화되어, 제2전극을 형성하게 된다. 열처리시, 열처리 온도는 섭씨 150도 이하에서 수행할 수 있으며, 바람직하게는 섭씨 80도 내지 150도 사이의 온도로 열처리를 수행한다.The metal paste is cured through heat treatment to form a second electrode. At the time of heat treatment, the heat treatment temperature may be performed at 150 degrees Celsius or less, and preferably, the heat treatment is performed at a temperature between 80 degrees and 150 degrees Celsius.
도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 유기 발광 다이오드의 제조방법에 따른 유기 발광 다이오드의 제조 공정 단면도이다.5A through 5F are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to the method of manufacturing the organic light emitting diode shown in FIG. 4.
도 5a 내지 도 5f를 참조하여 유기 발광 다이오드의 제조 공정을 살펴보면, 우선 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 이루어진 기판(210)이 마련된다(도 5a).Referring to FIGS. 5A to 5F, a manufacturing process of an organic light emitting diode is described. First, a
기판(210) 상에 애노드 전극(220), 유기 박막층(230) 및 무기 박막층(240)이 순차적으로 적층되어 형성된다(도 5b 내지 도 5d).An
애노드 전극(220)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 이용하여 형성된다. 그리고, 유기 박막층(230)은 정공 주입층(hole injection layer)(231), 정공 수송층(hole transport layer)(232), 유기 발광층(232), 전자 주입층(electron injection layer)(234)로 구성될 수 있다.The
무기 박막층(240)은 산화 티타늄(TiOx) 또는 산화 아연(ZnOx)에 N형 불순물 예를 들면, Si, Ge, Sn, Te 또는 S 등을 첨가한 N형 무기 박막층으로 형성하며, 무기 박막층(240)의 두께는 50Å 내지 1000Å으로 형성한다.The inorganic
무기 박막층(240) 상에 금속 페이스트(251)를 적하한 다음에, 스핀 코팅 방식을 이용하여 금속 페이스트(251)를 무기 박막층(240) 상에 코팅한다. 그리고 나서, 금속 페이스트(251)를 열처리하여 캐소드 전극(250)을 형성하게 된다(도 5e 및 도 5f).After the
본 실시예의 경우, 스핀 코팅 방식을 이용하여 금속 페이스트를 코팅하였으나, 코팅 방식이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기에서 살펴본 바와 같이 스크린 프린트(screen print), 그라비어 인쇄(gravier print) 또는 잉크젯 프린트(inkjet print) 등 다양한 방식을 통하여 금속 페이스트를 코팅할 수 있다.In the present embodiment, the metal paste is coated using a spin coating method, but the coating method is not limited thereto, and as described above, screen print, gravure print, or inkjet print may be used. The metal paste may be coated in various ways, such as).
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당 해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is merely an exemplary embodiment of the organic light emitting diode and its manufacturing method according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the claims below, Without departing from the gist of the invention, any person having ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 종래 기술에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조 공정 단면도이다.5A through 5F are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
110: 기판110: substrate
120: 제1 전극120: first electrode
130: 유기 박막층130: organic thin film layer
140: n형 무기 박막층140: n-type inorganic thin film layer
150: 제2 전극150: second electrode
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070123230A KR100993145B1 (en) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | Organic light emitting diode and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070123230A KR100993145B1 (en) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | Organic light emitting diode and method of manufacturing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090056189A KR20090056189A (en) | 2009-06-03 |
| KR100993145B1 true KR100993145B1 (en) | 2010-11-09 |
Family
ID=40987620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070123230A Active KR100993145B1 (en) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | Organic light emitting diode and method of manufacturing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100993145B1 (en) |
-
2007
- 2007-11-30 KR KR1020070123230A patent/KR100993145B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090056189A (en) | 2009-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20071130 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20100205 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20071130 Comment text: Patent Application |
|
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20100223 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination Patent event date: 20071130 Patent event code: PA03021R01I Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20100412 Patent event code: PE09021S01D |
|
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20100810 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20100412 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20100909 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20100810 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20101028 Appeal identifier: 2010101006960 Request date: 20100909 |
|
| AMND | Amendment | ||
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20101008 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20100909 Patent event code: PB09011R01I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20100607 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20100205 Patent event code: PB09011R02I |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
Patent event date: 20101028 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PB07012S01D Patent event date: 20101018 Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial Patent event code: PB07011S01I |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20101103 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20101103 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131001 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131001 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141006 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141006 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151005 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151005 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160927 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160927 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171011 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171011 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181001 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191125 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191125 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201104 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211102 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240919 Start annual number: 15 End annual number: 15 |