KR100999756B1

KR100999756B1 - 발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100999756B1
Application number: KR1020090021441A
Authority: KR
Inventors: 송현돈
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2009-03-13
Filing date: 2009-03-13
Publication date: 2010-12-08
Anticipated expiration: 2029-03-13
Also published as: JP5677753B2; CN101834242A; CN101834242B; EP2228839A2; EP2228839A3; EP2228839B1; US8193536B2; US20120193668A1; US8482034B2; JP2010219521A; US20100230699A1; TW201034252A; KR20100103043A

Abstract

실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 외곽에 형성된 절연층; 상기 발광구조물 상에 제1 전극; 상기 발광구조물 상에 광탈출층; 및 상기 제1 전극 상에 패드;를 포함한다.

발광소자, 광 추출

Description

발광소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색, 녹색, UV 발광다이오드(Light Emitting Diode:LED)는 상용화되어 널리 사용되고 있다.

발광소자의 효율은 크게 외부발광효율인 광추출효율(extraction efficiency)과 내부발광효율(Internal quantum efficiency)로 나눌 수 있다. 이 중 외부발광효율은 활성층에서 발생된 빛이 소자 외부로 나오는 확률을 의미하는 것으로, 주로 발광구조물과 배경물질인 공기 또는 에폭시의 굴절률 차이로 인한 전반사 과정에 의해 제한 된 값을 가진다.

실시예는 발광구조물과 배경물질인 공기 또는 에폭시의 계면에서 내부 반사에 의한 광추출 효율의 감소를 제어하고, 발광구조물과 배경물질간의 굴절율 차이를 고려한 물질을 선정하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물 외곽에 절연층을 형성하는 단계; 상기 발광구조물 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계; 상기 광탈출층의 일부를 제거하여 상기 제1 전극을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 제1 전극 상에 패드를 형성하는 단계;를 포함한다.

실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 발광구조물 상에 발광구조물과 배경물질간의 굴절율 차이를 고려한 물질을 형성시킴으로써 광(Photon)의 탈출 경로를 넓게 하고, 이에 따라 활성층으로부터 발생된 광의 탈출 경로가 많아짐에 따라 광추출 효율이 향상되는 효과가 있다.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.

또한, 실시예에서 발광소자는 발광다이오드(LED)에 대해서 설명하나 발광소자가 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 실시예는 수직형 구조의 발광소자를 예로 들어 설명하나 이에 한정되는 것이 아니며 수평형 구조의 발광소자에도 본 발명의 적용이 가능하다.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.

(제1 실시예)

도 1b는 실시예에 따른 발광소자의 평면도이며, 도 1a은 도 1b의 I-I'선을 따른 단면도이다.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제2 도 전형 반도체층(116)이 포함된 발광구조물(110), 상기 발광구조물(110) 외곽에 형성된 절연층(130), 상기 발광구조물(110) 상에 형성된 제1 전극(142), 상기 발광구조물(110) 상에 형성된 광탈출층(150) 및 상기 제1 전극(142) 상에 형성된 패드(160)를 포함할 수 있다.

실시예에 따른 발광소자는 광탈출층(Photon Escape layer)을 발광구조물 상에 증착 혹은 재성장하여 광(Photon)의 탈출 경로를 넓혀주어 광추출 효율을 향상시키는 구조를 채용할 수 있다.

실시예에 따른 발광소자는 광탈출층(Photon Escape layer)을 채용함으로써 내부 산란 인자 없이 광(Photon)의 경로를 방해하지 않으며, 넓은 각도의 탈출경로를 제공함에 따라 광의 탈출 경로가 편향되지 않는 장점이 있다.

실시예에 따른 발광소자는 내부 산란 인자인 굴절 또는 반사에 의해 광(Photon)의 탈출 경로가 바뀔 수는 있으나 넓은 각도의 탈출 각도에 의해 광의 의 탈출이 가능한 장점이 있다.

실시예에 따른 발광소자는 굴절률에 관계하는 물성을 선택적으로 적용하여 증착 혹은 재성장법으로 광탈출층을 형성시킬 수 있는 장점이 있다.

실시예에 의하면 패키지 몰딩재 등에 의해 표면 접합부를 형성시킬 때, 굴절률 차이에 의해 광의 탈출 경로가 보장되는 장점이 있다.

이에 따라 실시예에 따른 발광소자에 의하면, 발광구조물 상에 발광구조물과 배경물질간의 굴절율 차이를 고려한 물질을 형성시킴으로써 광(Photon)의 탈출 경로를 넓게 하고, 이에 따라 활성층으로부터 발생된 광의 탈출 경로가 많아짐에 따 라 광추출 효율이 향상되는 효과가 있다.

이하, 도 2 내지 도 11을 참조하여 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다. 제1 실시예는 제1 기판(미도시) 상에 발광구조물(110)을 형성한 후 제1 기판을 제거하는 공정을 설명하나 이에 한정되는 것이 아니며 제2 전극층(120) 등과 같은 전도성 기판 등에 발광구조물(110)을 형성하는 방법도 가능하다.

먼저, 도 2a와 같이 제1 기판(미도시)을 준비하고, 상기 제1 기판 상에 발광구조물(110)을 형성한다. 이후, 상기 제1 기판 상에 형성된 상기 발광구조물(110) 상에 제2 전극층(120)을 형성할 수 있다.

상기 제1 기판은 사파이어(Al₂O₃) 단결정 기판, SiC 기판 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 기판에 대해 습식세척을 실시하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.

이때, 상기 발광구조물(110)은 도 2b와 같이 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것이 아니며, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 언도프트(undoped) 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 또한, 상기 발광구조물(110)은 GaN 반도체층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

이하, 상기 발광구조물(110)과 상기 제2 전극층(120)을 형성하는 공정을 설명한다.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH₄)가 주입되어 형성될 수 있다.

상기 활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(114)은 에너지 밴드가 서로 다른 질화물 반도체 박막층을 교대로 한 번 혹은 여러 번 적층하여 이루어지는 양자우물구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 InGaN/GaN 구조를 갖는 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}가 주입되어 P형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 상기 제2 전극층(120)은 오믹층(122), 반사층(124), 접착층(126), 제2 기판(미도시) 등을 포함할 수 있다.

상기 오믹층(122)은 정공주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 오믹층(122)이 투명층인 경우 오믹층(122) 하부에 반사기능을 할 수 있는 반사층(124)이 더 형성될 수 있다. 상기 오믹층(122)이 투명층을 포함하는 경우 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.

상기 반사층(124)은 Al, Ag, 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다.

또한, 실시예에서 제2 전극층(120)이 접착층(126)을 포함하는 경우 상기 반사층(124)이 접착층의 기능을 하거나, 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용하여 접착층을 형성할 수 있다.

또한, 제2 전극층(120)이 제2 기판을 포함할 수 있으며, 만약, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 50㎛ 이상으로 충분히 두꺼운 경우에는 제2 기판을 형성하는 공정은 생략될 수 있다. 상기 제2 기판은 효율적으로 정공을 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판은 구리(Cu), 구리합금(Cu Alloy) 또는 Si, Mo, SiGe 등일 수 있다. 상기 제2 기판을 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 공융금속을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수 있다.

다음으로, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 노출되도록 상기 제1 기판을 제 거한다. 상기 제1 기판을 제거하는 방법은 고출력의 레이저를 이용하여 제1 기판을 분리하거나 화학적 식각 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제1 기판은 물리적으로 갈아냄으로써 제거할 수도 있다. 상기 제1 기판의 제거는 제1 도전형 반도체층(112)을 노출시킨다. 상기 노출된 제1 도전형 반도체층(112)은 제1 기판 제거시 발생되는 표면 결함층을 갖을 수 있다. 이러한 표면 결함층은 습식 혹은 건식 식각 방법으로 제거할 수 있다.

다음으로, 도 3a 및 도 3b와 같이 상기 발광구조물(110) 외곽에 절연층(130)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114), 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 외곽부를 일부 제거하고, 산화막 또는 질화막 등으로 절연층(130)을 형성하여 패시베이션층을 형성할 수 있다.

다음으로, 도 4a 및 도 4b와 같이 상기 발광구조물(110) 상에 제1 전극(142)을 형성한다. 상기 제1 전극(142)은 상기 발광구조물(110)과 넓은 범위에서 접촉을 하되 빛이 나가는 것을 덜 가리기 위한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(142)은 날개형태(wing type)로 형성되거나 격자형태로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 5a 및 도 5b와 같이 상기 발광구조물(110) 상에 광탈출층(150)을 형성한다.

실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 발광구조물(110) 상에 발광구조물(110)과 배경물질(미도시) 간의 굴절율 차이를 고려한 물질로 광탈출층(150)을 형성시킴으로써 광(Photon)의 탈출 경로를 넓게 하고, 이에 따라 활성 층(114)으로부터 발생된 광의 탈출 경로가 많아짐에 따라 광추출 효율이 향상되는 효과가 있다.

제1 실시예는 증착의 방법으로 광탈출층(150)을 형성하는 방법을 설명하고 도시하고 있으나 이에 한정되는 것이 아니며 후술 하는 제2 실시예와 같이 성장의 방법으로도 형성할 수 있다.

제1 실시예에 의하면 상기 광탈출층(150)이 증착의 방법에 의해 형성됨에 따라 상기 제1 전극(142) 및 절연층(130) 상에도 상기 광탈출층(150)이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

실시예는 발광구조물(110)의 굴절률과 배경물질의 굴절율 사이의 값의 굴절률을 가지는 유전체막 또는 전도성막으로 광탈출층(150)을 형성할 수 있다.

예를 들어, 실시예는 TiO₂, Al₂O₃, ZnO, MgF₂, In₂O₃, SnO₂, TiNx, Ga₂O₃, ITO, In-Zn-O, ZnO:Al 등으로 광탈출층(150)을 형성함으로써 광량의 손실을 발생시키지 않을 수 있고, 이러한 광탈출층(150)은 발광구조물(110)과 배경물질 사이의 굴절율을 갖기 때문에 활성층에서 발생한 광량의 탈출 경로를 제공하는 역할을 할 수 있다.

실시예에 있어서, 이러한 광탈출층(150)의 용도를 가지는 물질은 람베르트(lambertian) 법칙을 따르는 투명층(transmitting layer)일 수 있으며, 발광구조물의 발광면의 상부에 위치하여 광탈출경로를 제공할 수 있다.

실시예는 광탈출층(150)의 물질로 유전체막 외에 전도성막을 포함할 수 있 다. 실시예에는 광탈출층으로 전도성막을 포함하여 산화물, 불화물, 질화물계 박막 등이 가능하며, 광탈출층의 물질로서 발광구조물(110)과 배경물질 사이의 굴절율을 갖을 수 있다.

다음으로, 도 6a 및 도 6b와 같이 패드 영역을 노출하는 제1 패턴(310)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 패턴(310)은 감광막 또는 절연막 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 패턴(310)은 상기 광탈출층(150)의 외곽부도 노출할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 7a 및 도 7b와 같이 상기 제1 패턴(310)을 마스크로 하여 상기 패드 영역의 광탈출층(150)을 습식식각 또는 건식식각 등으로 일부 제거하여 상기 제1 전극(142)을 일부 노출시킬 수 있다.

이때, 패드 영역 상의 발광구조물(110)도 일부 노출될 수 있고, 상기 광탈출층(150)의 외곽부도 일부 제거될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 8a 및 도 8b와 같이 상기 제1 패턴(310)을 제거한다. 예를 들어, 상기 제1 패턴(310)이 감광막인 경우 애싱(ashing)에 의해, 상기 제1 패턴(310)이 절연막인 경우 습식식각에 의해 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 9a 및 도 9b와 같이 상기 노출된 제1 전극(142) 외의 영역에 마스크 패턴 또는 절연막 등으로 제2 패턴(320)을 형성한다. 이때, 상기 제2 패턴(320)에 의해 제1 전극(142) 외에 패드영역의 상기 발광구조물(110)이 일부 노출될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도 10a 및 도 10b와 같이 상기 제2 패턴(320)을 포함하는 상기 발광구조물(110) 위에 패드용 물질(160a, 160b)을 형성한다. 이에 따라 패드용 물질은 제2 패턴(320) 상에 형성된 패드용 물질(160b)과 노출된 제1 전극(142) 상의 패드용 물질(160a)을 포함할 수 있다.

다음으로, 도 11a 및 도 11b와 같이 상기 제2 패턴(320)을 제거하여 상기 제1 전극(142) 상에 패드(160)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 패턴(320)이 제거됨에 따라 상기 제2 패턴(320) 상의 패드물질(160b)이 함께 제거함으로써 제1 전극(142) 상의 패드물질(160a)이 잔존하여 패드(160)를 형성할 수 있다.

도 12a 내지 도 12c는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 다른 공정도이다. 상기 제1 실시예의 내용과 차별되는 점을 위주로 설명한다.

도 12a와 같이 패드 영역을 노출하는 제3 패턴(330)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 패턴(330)은 감광막 또는 절연막 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제3 패턴(330)은 상기 광탈출층(150)의 외곽부에도 형성될 수 있다.

이후, 도 12b와 같이 상기 제3 패턴(330)을 마스크로 하여 상기 패드 영역의 광탈출층(150)을 습식식각 또는 건식식각 등으로 일부 제거하여 상기 제1 전극(142)을 일부 노출시킬 수 있다. 이때, 패드 영역 상의 발광구조물(110)도 일부 노출될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

이후, 도 12c와 같이 상기 제3 패턴(330)을 포함하는 상기 발광구조물(110) 위에 패드용 물질을 형성하고, 상기 제3 패턴(330)을 제거하여 상기 제1 전극(142) 상에 패드(160)를 형성할 수 있다.

(제2 실시예)

도 13a 및 13b는 제2 실시예에 따른 발광소자의 단면도와 평면도이다. 도 13a는 도 12b의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 단면도이다.

제2 실시예는 상기 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 차별되는 점을 위주로 기술한다.

제1 실시예는 증착의 방법으로 광탈출층(150)을 형성하는 방법인 반면, 제2 실시예는 성장의 방법으로 광탈출층(152)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 실시예에서 광탈출층(152)은 에피택시얼 성장 등으로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

한편, 제2 실시예에서의 광탈출층(152)은 성장의 방법에 의해 형성됨으로써 광탈출층(152)이 제1 전극(142)과 절연층(130) 상에 형성되지 않을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지 의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1a 및 도 1b는 제1 실시예에 따른 발광소자의 단면도와 평면도.

도 2 내지 도 11은 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정도.

도 12a 내지 도 12c는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 다른 공정도.

도 13a 및 13b는 제2 실시예에 따른 발광소자의 단면도와 평면도.

Claims

제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;

상기 발광구조물 외곽에 형성된 절연층;

상기 발광구조물 상에 제1 전극;

상기 발광구조물 상에 광탈출층; 및

상기 제1 전극 상에 패드;를 포함하며,

상기 광탈출층은,

상기 제1 전극 상에도 형성되는 발광소자.
제1 항에 있어서,

상기 제1 전극은

상기 발광구조물 상에 날개형태(wing type) 또는 격자형태로 형성되는 발광소자.
삭제
제1 항에 있어서,

상기 광탈출층은,

유전체막 또는 전도성막으로 형성되는 발광소자.
제1 항에 있어서,

상기 광탈출층은

상기 발광구조물의 굴절률과 상기 발광구조물에 대한 배경물질의 굴절율 사이의 굴절률 값을 가지는 유전체막 또는 전도성막으로 형성되는 발광소자.
제1 항에 있어서,

상기 광탈출층은

TiO₂, Al₂O₃, ZnO, MgF₂, In₂O₃, SnO₂, TiNx, Ga₂O₃, ITO, In-Zn-O, ZnO:Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;

상기 발광구조물 외곽에 절연층을 형성하는 단계;

상기 발광구조물 상에 제1 전극을 형성하는 단계;

상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계;

상기 광탈출층의 일부를 제거하여 상기 제1 전극을 노출시키는 단계; 및

상기 노출된 제1 전극 상에 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 제1 전극을 형성하는 단계는,

상기 발광구조물 상에 날개형태(wing type) 또는 격자형태로 형성하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계는,

증착공정 또는 성장공정으로 광탈출층을 형성하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계는,

유전체막 또는 전도성막으로 광탈출층을 형성하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계는,

상기 발광구조물의 굴절률과 상기 발광구조물에 대한 배경물질의 굴절율 사이의 굴절률 값을 가지는 유전체막 또는 전도성막으로 광탈출층을 형성하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 발광구조물 상에 광탈출층을 형성하는 단계는,

TiO₂, Al₂O₃, ZnO, MgF₂, In₂O₃, SnO₂, TiNx, Ga₂O₃, ITO, In-Zn-O, ZnO:Al 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 발광소자의 제조방법.
제7 항에 있어서,

상기 노출된 제1 전극 상에 패드를 형성하는 단계는,

상기 노출된 제1 전극 외의 영역에 패턴을 형성하는 단계;

상기 패턴을 포함하는 상기 발광구조물 위에 패드용 물질을 형성하는 단계; 및

상기 패턴을 제거하여 상기 제1 전극 상에 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.