KR100988814B1 - 프로브 카드용 프로브 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 검사 대상물인 반도체 소자에 대해 전기적인 접속을 제공하여 전기적인 성능 검사가 실시되도록 하는 프로브 카드(probe card)에 복수개 구비되어 검사 대상물 상의 접속단자에 직접 접촉되는 프로브(탐침) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 박판의 블레이드형으로, 직립된 상태로 프로브 카드에 장착되는 프로브에 있어서, 일단 일측부에 돌출되도록 형성되어 선단을 통해 검사 대상물 상의 접속단자에 접촉되는 팁부; 및 상기 팁부를 하부 측에서 탄성적으로 지지하면서 물리적 및 전기적으로 상기 프로브 카드를 이루는 기판 구조체 측에 결합되는 하부지지부; 로 일체화되게 구성되며, 상기 박판의 두께 방향으로 홀수 층의 적층 구조를 갖되, 중간층은 일측의 팁부층과 타측의 하부지지부층으로 이루어지고, 상기 중간층의 양측으로 동일 개수 층의 외곽층이 구비되는 것을 특징으로 한다.

따라서, 최적화된 적층 구성 및 이종 재질의 조합을 통해 작용 및 측정 상의 신뢰성과 함께, 긴 수명을 제공할 수 있다.

프로브 카드, 프로브, 탐침

Description

프로브 카드용 프로브 및 그 제조 방법{PROBE FOR PROBE CARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 검사 대상물인 반도체 소자에 대해 전기적인 접속을 제공하여 전기적인 성능 검사가 실시되도록 하는 프로브 카드(probe card)에 복수개 구비되어 검사 대상물 상의 접속단자에 직접 접촉되는 프로브(탐침) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 멤스(MEMS) 공정을 통해 용이하게 제조될 수 있으면서, 최적화된 적층 구성 및 이종 재질의 조합으로 이루어져 작용 및 측정 상의 신뢰성을 제공할 수 있는 블레이드형 프로브 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자(semiconductor device)를 제조하는 과정은 여러 단계로 구성되는데, 최종적으로 반도체 소자를 조립하는 단계에서는 웨이퍼(wafer) 상에 개별 집적회로(IC)를 이루도록 제조된 복수개의 반도체 다이(die)(즉, 칩(chip))들 중 불량 다이를 제외한 양품 다이 만을 선택하여 조립한다.

따라서, 그 조립 전에 웨이퍼 상의 반도체 다이들의 양품 또는 불량품 여부를 판별하기 위해 각 반도체 다이에 프로브(probe)(즉, 탐침)를 직접 접촉시켜 전기적으로 그 성능을 검사하며, 이때 자동화된 프로빙(probing) 검사장치(일명, 프 로버(prober)라 함)를 이용한다.

프로빙 검사장치는, 검사 신호를 발생하고 그 결과로서 수신되는 응답 신호를 검출 및 분석하여 반도체 다이의 양부를 판별하는 일종의 컴퓨터 장치인 테스터(tester)와, 프로버(prober), 그리고 프로버 안에 장착되어 테스터와 검사 대상물인 반도체 다이를 중간에서 전기적으로 접속시키는 프로브 카드(probe card)로 구성된다.

프로브 카드는 테스터와 검사 대상물인 반도체 소자 사이에서 전기적 신호를 전달하며, 그 구성은, 크게 검사 시 반도체 소자 상에 외부 노출되도록 형성된 접속단자(contact pad)에 접촉될 수 있도록 접속단자들에 대응되는 피치로 이격되게 구비되는 복수개의 미세한 프로브와, 미세 프로브들을 물리적으로 고정하고 미세 프로브들과 테스터 간을 전기적으로 연결하는 기판 조립체로 이루어진다.

프로브는 기판 조립체의 하부 측에 복수개가 수직방향으로 구비되며, 검사 시 반도체 소자 상의 접속단자에 접촉되어 검사 신호 및 응답 신호의 전기적 신호를 전달한다.

기판 조립체는 상하 적층되도록 결합을 이루는 하나 이상의 수평된 회로기판과, 회로기판 사이에서 전기적인 연결을 실현하는 인터포저(interposer)와 같은 매개연결수단과, 특정 회로기판의 일면에 밀착되도록 구비되어 열 변형을 방지하는 지지판 등으로 구성된다.

상기한 프로브로는 와이어 형태의 니들(needle)형으로서, 텡스텐 재질로 이루어지는 것을 주로 이용하였으나, 그 선단인 팁(tip)부를 기계적 가공을 통해 형 성해야 하므로 그 제조가 매우 어렵고, 그 재질이 텡스텐임에 따라 반도체 소자 상의 접속단자와의 반복 접촉에 따라 산화물이 생성되어 결국 접촉 저항이 발생되며, 장기간 사용하면 피로 누적에 따른 소성 변형의 발생으로 탄성 회복력을 상실하거나 그 위치가 변경되어 제 기능을 잃게 되는 등의 여러 문제점이 있었다.

따라서, 최근에는 니들형의 것을 대체하여, 반도체 제조공정을 통해 한번에 복수개가 용이하면서 정확한 형상으로 제조될 수 있는 얇은 박판 형태의 블레이드(blade)형이 개발되어 널리 이용되고 있다.

그러나, 블레이드형의 경우에도 아직까지 작용 및 측정 상의 신뢰성, 수명 등의 면에서 최적화된 것이 개발되지 못하고 있는 실정이다.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 작용 및 측정 상의 신뢰성과 함께, 긴 수명을 제공할 수 있는 프로브 카드용 프로브 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 프로브 카드용 프로브는, 박판의 블레이드형으로, 직립된 상태로 프로브 카드에 장착되는 프로브에 있어서, 일단 일측부에 돌출되도록 형성되어 선단을 통해 검사 대상물 상의 접속단자에 접촉되는 팁부; 및 상기 팁부를 하부 측에서 탄성적으로 지지하면서 물리적 및 전기적으로 상기 프로브 카드를 이루는 기판 구조체 측에 결합되는 하부지지부; 로 일체화되게 구성되며, 상기 박판의 두께 방향으로 홀수 층 적층 구조를 갖되, 중간층은 일측의 팁부층과 타측의 하부지지부층으로 이루어지고, 상기 중간층의 양측으로 동일 개수 층의 외곽층이 구비되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 상기 중간층의 상기 팁부층은, 백금계 금속 재질로 형성되고, 상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은, 니켈 합금 재질로 형성될 수 있다.

또한 바람직하게, 상기 중간층의 상기 팁부층은, 선단 부위가 상기 외곽층보 다 돌출되어 외부 노출되도록 구비될 수 있다.

또한 바람직하게, 상기 중간층의 상기 팁부층은, 로듐 재질로 형성되고, 상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은, 니켈-코발트(Ni-Co) 합금 재질로 형성될 수 있다.

또한 바람직하게, 상기 하부지지부는, 상기 팁부를 하부 측에서 탄성적으로 지지하는 탄성구조부, 상기 기판 구조체를 이루는 고정용 기판에 결합, 고정되는 결합고정부, 및 돌출되도록 형성되어 상기 기판 구조체를 이루는 회로기판 상의 접속단자에 접속되는 회로접속부, 로 이루어지되, 상기 탄성구조부는, 적어도 하나 이상, 관통되도록 형성되는 관통홀, 을 구비할 수 있다.

또한 바람직하게, 상기 팁부는, 선단 근방의 하부 측에서 측방으로 돌출되도록 형성되어 장착 시의 위치 정렬을 위한 비젼 인식이 가능하도록 하는 얼라인 마크부, 를 구비할 수 있다.

또한 바람직하게, 상기 탄성구조부는, 상기 팁부 측에 연결되어 수평방향으로 길게 연장되는 제1 수평부, 상기 팁부가 위치되는 측에 대한 반대편 측에서 상기 제1 수평부로부터 수직방향으로 연장되는 수직연결부, 및 상기 수직연결부에 연결되어 상기 제1 수평부와 대향되도록 수평방향으로 연장되는 제2 수평부, 로 이루어지되, 상기 관통홀은, 상기 제1 수평부 상에 형성될 수 있다.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 프로브 제조 방법은, 박판의 블레이드형으로 프로브 카드에 장착되는 프로브를 제조하는 방법에 있어서, 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 니켈 합금 재질로 되는 일측 외곽층을 한개 층 이상으로 형성하는 단계; 상기 일측 외곽층 상의 일측에 일단이 상기 일측 외곽층보다 돌출되도록 백금계 금속 재질로 되는 중간층의 팁부층을 형성하는 단계; 상기 일측 외곽층 상의 타측에 상기 일측 외곽층과 동일한 니켈 합금 재질로 되고 상기 팁부층과 동일 두께로 상기 중간층의 하부지지부층을 형성하는 단계; 상기 중간층 상에 상기 일측 외곽층과 동일한 니켈 합금 재질로 되는 타측 외곽층을 상기 일측 외곽층과 동일 개수 층으로 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계; 를 포함한다.

바람직하게, 상기 중간층의 상기 팁부층은, 로듐 재질로 형성하고, 상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은, 니켈-코발트(Ni-Co) 합금 재질로 형성할 수 있다.

본 발명에 따르면, 팁부는 백금계 금속 재질로 형성되고, 그 외 부분은 니켈 합금 재질로 형성되되, 특히 팁부는 로듐 재질, 그 외 부분은 니켈-코발트 재질로 형성되어 최적화된 이종 재질의 조합을 이루므로, 작용 및 측정 상의 신뢰성과 함께, 긴 수명을 제공할 수 있는 효과가 있다.

또한, 팁부를 지지하는 탄성구조부의 제1 수평부의 면적이 증대되어 팁부가 휘청거리지 않고 견고히 위치 고정될 수 있으면서, 제1 수평부 상에 적정 개수의 관통홀이 구비되어 팁부가 완전하게 수직 이동되면서 원활한 응력 분산으로 파손이 방지될 수 있으므로, 이 점에서도 작용 및 측정 상의 신뢰성과 함께, 긴 수명을 제공할 수 있는 효과가 있다.

그리고, 박판의 두께 방향으로 홀수 층의 적층 구조를 갖으므로, 편향 움직임의 발생이 방지되어 작용 및 측정 상의 신뢰성을 제공하고, 얼마든지 원하는 두께로 형성될 수 있는 효과가 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 카드용 프로브를 나타내는 개략 사시도이다.

본 발명에 따른 프로브 카드용 프로브(100)는 기본적으로 얇은 두께를 갖는 박판 형태의 블레이드형을 대상으로 하며, 직립된 상태로 프로브 카드에 장착된다.

그 구성은, 상단 일측부에 돌출되도록 형성되어 검사 시에 첨예된 선단을 통해 검사 대상물인 반도체 다이 상의 접속단자에 접촉되는 팁부(110)와, 팁부(110)를 하부 측에서 탄성적으로 지지하면서 물리적 및 전기적으로 프로브 카드를 이루는 기판 구조체 측에 결합을 이루는 하부지지부(120)로 일체화되게 이루어진다.

그리고, 상기한 하부지지부(120)는 상세하게, 팁부(110)의 하부 측에 절개홈(122-1)을 갖는 구조로 형성되어 팁부(110)를 탄성적으로 지지하는 탄성구조부(122)와, 하단 일측부에 형성되어 기판 조립체를 이루는 고정용 기판(200)에 물리적으로 결합, 고정되는 결합고정부(124)와, 하단 타측부에 돌출되도록 형성되어 기판 조립체를 이루는 특정 회로기판(미도시)과 전기적으로 접속되는 회로접속부(126)로 이루어진다.

여기서, 팁부(110)는 탄성구조부(122)의 상단 일측부로부터 돌출되는 바(bar) 또는 플레이트(plate) 형태로 형성되어 검사 시에 반도체 소자 상의 접속단자에 접촉되고 검사 종료 후에는 반도체 소자 상의 접속단자로부터 이격되어 접촉 해제된다.

본 발명에 따르면, 팁부(110)는 고경도 및 고강도의 특성을 갖으면서 전도성이 우수한 로듐(rhodium), 이리듐(iridium), 팔라듐(palladium)과 같은 백금계 금속 재질로 형성되며, 이때 한 종류의 백금계 성분만으로 형성되거나 두 종류 이상의 백금계 성분을 함유하는 합금 형태로 형성될 수 있다.

이와 같이, 팁부(110)를 백금계 금속 재질로 형성하면, 장기간에 걸친 검사 후에도 전혀 마모나 파손되지 않을 수 있고, 반도체 소자 측의 접속단자 상에 접촉에 따른 마모나 불순물의 발생을 야기하지 않을 수 있다.

나아가, 팁부(110)의 선단 근방의 하부 측에는 측방으로 돌출되도록 얼라인 마크부(112)가 추가로 구비되며, 해당 얼라인 마크부(112)는 프로브(100)를 프로브 카드에 위치 정렬하여 장착 시 프로브(100)의 위치를 비젼 인식(vision recognition)을 통해 용이하면서 정확하게 확인할 수 있도록 한다.

상세하게, 프로브 카드에 극히 미세한 프로브(100)를 위치 정렬하여 장착함에 있어 비젼 장치를 이용하되, 비젼 장치로부터 발광된 검출광이 돌출된 얼라인 마크부(112)에서는 반사되어 되돌아오고 얼라인 마크부(112)의 주변에서는 반사되지 못하고 소멸됨으로써, 결과적으로 획득되는 영상에서 얼라인 마크부(112)가 주변 부위에 비해 명확히 대비되도록 나타날 수 있게 되며, 예컨대 얼라인 마크 부(112)는 백색으로, 그 주변 부위는 흑색으로 나타날 수 있다.

탄성구조부(122)는 팁부(110)를 하부 측에서 탄성적으로 지지하는 부분으로, 팁부(110)가 반도체 소자 상의 접속단자에 접촉됨에 따라 가해지는 외력을 흡수하여 완충하고, 팁부(110)가 반도체 소자 상의 접속단자로부터 이격되어 접촉 해제됨에 따라 탄성 복원력을 발휘하여 팁부(110)가 원래 위치로 복귀되도록 한다.

구체적으로, 탄성구조부(122)는, 전체적으로 절개홈(122-1)을 갖는 디긋자 유사 형상으로 이루어지며, 즉 팁부(110)에 연결되어 수평방향으로 길게 연장되는 제1 수평부(122a)와, 팁부(110)가 위치되는 측에 대한 반대편 측에서 제1 수평부(122a)로부터 수직방향으로 하향 연장되는 수직연결부(122b)와, 수직연결부(122b)의 하단에 연결되어 제1 수평부(122a)와 대향되도록 수평방향으로 연장되는 제2 수평부(122c)로 이루어진다.

이때, 제1 수평부(122a)는 가능한한 넓은 면적을 갖도록 구비됨으로써, 그에 대해 연결된 팁부(110) 및 해당 제1 수평부(122a)가 휘청거리지 않고 견고하게 위치 고정될 수 있도록 함이 바람직하다.

그러나, 이와 같이 제1 수평부(122a)를 상대적으로 넓은 면적으로 형성하면, 팁부(110)가 반도체 소자 상의 접속단자에 접촉되어 눌림 시에 제1 수평부(122a)가 원활히 변형되지 않을 수 있게 됨과 아울러, 작용 시에 팁부(110)가 완전하게 수직 이동되지 않을 수 있다.

따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해, 제1 수평부(122a)에는 적어도 하나 이상의 관통되는 관통홀(122a-1)이 형성됨으로써, 증대된 면적에 따른 변형 난이성 이 일부 해소되도록 할 수 있다.

이때, 해당 관통홀(122a-1)은 제1 수평부(122a)가 수평방향으로 긴 것에 대응될 수 있도록 수평방향으로의 길이는 길고 수직방향으로의 길이는 짧은 타원형으로 구비될 수 있고, 복수개로 구비되는 경우 상하로 배치되도록 구비될 수 있다.

한편, 결합고정부(124)는 탄성구조부(122)의 제2 수평부(122c)의 하부 측에 적정 형상으로 형성되어 기판 조립체를 이루는 고정용 기판(200)에 대해 물리적으로 결합, 고정되는 부분으로, 바람직하게 오목하게 함입되는 끼움결합홈(124a)을 갖는 형상으로 형성될 수 있다.

즉, 기판 조립체를 이루는 고정용 기판(200)은 바람직하게, 도 2에 나타낸 바와 같이, 일정 높이 및 폭을 갖는 돌출된 막대 형태인 고정대(202)를 구비하며, 해당 고정대(202)의 상면 상에 미세한 절단홈인 고정용 슬릿(slit)(202a)이 복수개 형성되어 있으므로, 프로브(100) 측의 끼움결합홈(124a) 부분이 고정용 기판(200)의 고정대(202) 상의 고정용 슬릿(202a)에 대해 끼워짐으로써 물리적으로 결합, 고정될 수 있다.

물론, 상술한 고정용 기판(200)은 절연성 재질로 되는 기판일 수 있으며, 그렇지 않은 경우 절연된 부분에 대해 프로브(100)의 결합고정부(124)가 결합, 고정될 수 있다.

회로접속부(126)는 하단 타측부에서 돌출되는 바 또는 플레이트 형태로 형성되어 기판 조립체를 이루는 특정 회로기판 상의 접속단자에 전기적으로 접속을 이루는 부분으로, 회로기판 상의 접속단자에 대해 직접 본딩 연결되거나, 별도의 연결수단을 통해 연결될 수 있다.

본 발명에 따르면, 백금계 금속 재질로 되는 팁부(110)를 제외한 그 외의 모든 부분, 즉 탄성구조부(122), 결합고정부(124) 및 회로접속부(126)는 전도성을 갖으면서 백금계 금속 재질보다 유연한 Ni-Co, Ni-Fe, Ni-W, Ni-Mn과 같은 니켈 합금 재질로 이루어진다.

이와 같이, 팁부(110)를 제외한 그 외의 부분이 니켈 합금 재질로 형성되고, 상술한 형태로 프로브(100)를 제작하면, 적정한 탄성과 강도 특성을 발휘할 수 있어, 반복적인 힘의 인가에도 전혀 소성 변형이나 피로 현상이 야기되지 않을 수 있다.

이상과 같이, 팁부(110)와 그 외 부분에 대한 이종 재질을 선정함에 있어, 가장 바람직한 재질 조합으로는 상호 간의 접착력의 우수성을 고려하여 팁부(110)는 백금계 금속 재질 중에서 로듐 재질로 하고, 그 외 부분은 니켈 합금 재질 중에서 니켈-코발트 합금 재질로 할 수 있다.

이와 같은 구성 및 재질 조합을 이용하면, 작용 및 측정 상의 신뢰성과 함께, 긴 수명을 확보할 수 있다.

나아가, 도 1 상의 A-A 절단선에 따른 단면도인 도 3과 팁부 부분에 대한 확대도인 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 프로브(100)는 박판의 두께 방향으로 3층, 5층, 7층과 같은 홀수 층의 적층 구조를 갖으며, 도면 상에는 3층의 적층 구조인 경우를 나타낸다.

상세하게, 중간층(ml)은 일측에 백금계 금속 재질로 형성되는 팁부층(110') 과 타측에 니켈 합금 재질로 형성되는 하부지지부층(120-m)으로 이루어지며, 이 중간층(ml)의 양측에 각기 니켈 합금 재질로 되는 외곽층(120-l, 120-r)이 형성된다.

이때, 외곽층(120-l, 120-r)은 중간층(ml)을 이루는 팁부층(110')의 하단을 감싸도록 형성됨으로써, 중간층(ml)의 팁부층(110') 선단이 외부 노출되면서 팁부층(110')의 하단 부분을 구속하게 된다.

중간층(ml) 양측의 외곽층(120-l, 120-r)은 동일 개수 층으로 형성되며, 따라서 중간층(ml)을 포함하여 항상 홀수 층의 적층 구조를 갖는다.

이와 같이, 홀수 층의 적층 구조를 갖으면, 적정 두께를 확보하여 휘청거림을 방지할 수 있으면서, 중간층(ml)을 기준으로 양측에 동일 개수 층의 외곽층(120-l, 120-r)이 형성되므로, 작용 시 어느 한 측으로 치우치는 편향 운동이 일어나지 않을 수 있다.

물론, 5층 적층 구조의 경우에는 중간층(ml)의 양측으로 각기 2개 층의 외곽층(120-l, 120-r)이 형성된다.

이하에서는 본 발명에 따른 프로브(100)를 MEMS(Microelectric Mechanical System) 방식을 이용하여 제조하는 방법에 대한 일 예를 도 5a 내지 도 5g를 참조하여 설명한다.

먼저, 도 5a와 같이, 세라믹 기판이나 실리콘 기판일 수 있는 베이스 기판(bl)을 준비한 다음, 해당 베이스 기판(bl) 상에 구리(Cu)와 같은 금속 재질로 되는 희생층(sl)을 증착이나 도금을 통해 충분한 두께로 형성한다.

그 후, 도 5b와 같이, 희생층(sl) 상에 니켈 합금 재질의 증착이나 도금, 포토 리소그래피, 식각, 평탄화 및 에칭과 같은 일련된 반도체 패턴 형성 공정을 이용하여 일측 외곽층(120-l)을 소망하는 두께 및 길이로 패터닝하여 형성한다.

그 다음, 도 5c와 같이, 일측 외곽층(120-l) 상에 백금계 금속 재질로, 반도체 패턴 형성 공정을 이용하여 중간층(ml)의 팁부층(110')을 패터닝하여 형성한다.

이어서, 도 5d와 같이, 일측 외곽층(120-l) 상의 타측에 상기한 일측 외곽층(120-l)과 동일한 니켈 합금 재질로 중간층(ml)의 하부지지부층(120-m)을 패터닝하여 형성한다.

그 후, 도 5e와 같이, 중간층(ml) 상에 니켈 합금 재질로, 반도체 패턴 형성 공정을 이용하여 타측 외곽층(120-r)을 패터닝하여 형성한다.

그 다음, 도 5f와 같이, 희생층(sl)의 중간 부위를 절단하여 베이스 기판(bl) 및 희생층(sl)의 하부 측을 제거하고, 이어서 도 5g와 같이, 잔류하는 희생층(sl)을 습식 식각 등을 통해 제거한다.

그 결과, 본 발명에 따른 3층 적층 구조를 갖는 프로브(100)가 얻어지며, 얻어진 프로브(100)는 직립된 상태로 프로브 카드에 장착될 수 있다.

참고로, 3층 적층 구조인 경우, 중간층(ml)의 두께는 7~10㎛로, 양측 외곽층(120-l, 120-r)의 두께는 각기 동일한 값으로 프로빙 시 가장 이상적인 움직임을 갖을 수 있도록 형성할 수 있다.

그리고, 5층 적층 구조인 경우에는 중간층(ml)의 두께는 동일하고, 양측 외곽층(120-l, 120-r)의 두께는 반분하여 형성할 수 있다.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 카드용 프로브를 나타내는 사시도,

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브가 프로브 카드에 물리적으로 장착되는 방식을 나타내는 분리 사시도,

도 3은 도 1의 A-A선 절단에 따른 단면도,

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브의 팁부에 대한 확대도,

도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브의 제조방법을 순차적으로 보여주는 공정 단면도들이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 프로브 110 : 팁부

110' : 팁부층 112 : 얼라인 마크부

120 : 하부지지부 120-m : 하부지지부층

120-l : 일측 외곽층 120-r : 타측 외곽층

122 : 탄성구조부 122-1 : 절개홈

122a : 제1 수평부 122a-1 : 관통홀

122b : 수직연결부 122c : 제2 수평부

124 : 결합고정부 124a : 끼움결합홈

126 : 회로접속부 200 : 고정용 기판

202 : 고정대 202a : 고정용 슬릿

ml : 중간층 bl : 베이스 기판

sl : 희생층

Claims (9)

1. 박판의 블레이드형으로, 직립된 상태로 프로브 카드에 장착되는 프로브에 있어서,

   일단 일측부에 돌출되도록 형성되어 선단을 통해 검사 대상물 상의 접속단자에 접촉되는 팁부; 및 상기 팁부를 하부 측에서 탄성적으로 지지하면서 물리적 및 전기적으로 상기 프로브 카드를 이루는 기판 구조체 측에 결합되는 하부지지부; 로 일체화되게 구성되며,

   상기 하부지지부는 상기 팁부를 하부 측에서 탄성적으로 지지하는 탄성구조부; 상기 기판 구조체를 이루는 고정용 기판에 결합, 고정되는 결합고정부; 및 돌출되도록 형성되어 상기 기판 구조체를 이루는 회로기판 상의 접속단자에 접속되는 회로접속부 ; 로 이루어지고,

   상기 박판의 두께 방향으로 홀수 층 적층 구조를 갖되, 중간층은 일측의 팁부층과 타측의 하부지지부층으로 이루어지고, 상기 중간층의 양측으로 동일 개수 층의 외곽층이 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 중간층의 상기 팁부층은,

   백금계 금속 재질로 형성되고,

   상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은,

   니켈 합금 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 중간층의 상기 팁부층은,

   선단 부위가 상기 외곽층보다 돌출되어 외부 노출되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 중간층의 상기 팁부층은,

   로듐 재질로 형성되고,

   상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은,

   니켈-코발트(Ni-Co) 합금 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 탄성구조부는,

   적어도 하나 이상, 관통되도록 형성되는 관통홀, 을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 팁부는,

   선단 근방의 하부 측에서 측방으로 돌출되도록 형성되어 장착 시의 위치 정렬을 위한 비젼 인식이 가능하도록 하는 얼라인 마크부, 를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 탄성구조부는,

   상기 팁부 측에 연결되어 수평방향으로 길게 연장되는 제1 수평부,

   상기 팁부가 위치되는 측에 대한 반대편 측에서 상기 제1 수평부로부터 수직방향으로 연장되는 수직연결부, 및

   상기 수직연결부에 연결되어 상기 제1 수평부와 대향되도록 수평방향으로 길게 연장되는 제2 수평부, 로 이루어지되,

   상기 관통홀은,

   상기 제1 수평부 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 프로브.
8. 박판의 블레이드형으로 프로브 카드에 장착되는 프로브를 제조하는 방법에 있어서,

   희생층을 형성하는 단계;

   상기 희생층 상에 니켈 합금 재질로 되는 일측 외곽층을 한개 층 이상으로 형성하는 단계;

   상기 일측 외곽층 상의 일측에 일단이 상기 일측 외곽층보다 돌출되도록 백금계 금속 재질로 되는 중간층의 팁부층을 형성하는 단계;

   상기 일측 외곽층 상의 타측에 상기 일측 외곽층과 동일한 니켈 합금 재질로 되고 상기 팁부층과 동일 두께로 상기 중간층의 하부지지부층을 형성하는 단계;

   상기 중간층 상에 상기 일측 외곽층과 동일한 니켈 합금 재질로 되는 타측 외곽층을 상기 일측 외곽층과 동일 개수 층으로 형성하는 단계; 및

   상기 희생층을 제거하는 단계; 를 포함하는 프로브 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 중간층의 상기 팁부층은,

   로듐 재질로 형성하고,

   상기 중간층의 상기 하부지지부층 및 상기 외곽층은,

   니켈-코발트 합금 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.

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