KR100810566B1 - 안티몬(Ｓｂ) 도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 휘발성이 높은 안티몬(Sb)이 첨가된 실리콘 융액으로부터 금속 불순물 게터링 능력이 우수한 고산소 농도의 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 단결정 생산시 소량의 바륨을 안티몬(Sb)과 함께 도핑함으로써 석영도가니와 실리콘 융액의 계면에서 산소가 실리콘 융액으로 용해되는 반응을 촉진하여 고산소 농도를 갖는 실리콘 융액을 형성하고 이로부터 인상되는 실리콘 단결정봉 내에는 고농도의 산소를 포함하게 할 수 있다. 또한 첨가하는 바륨의 양에 따라 결정내 산소농도를 조절함으로써 결정의 품질에 영향이 없으면서도 진성 게터링(intrinsic gettering) 능력이 우수한 고산소 농도를 갖는 실리콘 단결정을 용이하게 생산할 수 있다.

안티몬(Sb), 바륨, 탄산바륨, 도프제, 비저항, 산소농도

Description

안티몬(Ｓｂ) 도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법{Sb-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND GROWING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 구성을 나타내는 개략도,

도 2는 첨가된 탄산바륨의 양과 실리콘 단결정 내 초기 산소 농도의 증가량과의 관계를 나타내는 그래프,

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 단결정 길이에 대한 초기 산소 함량의 관계를 나타내는 그래프,

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 단결정 길이에 대한 비저항 값의 관계를 나타내는 그래프.

본 발명은 고품질 실리콘 단결정 및 그 성장방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고산소 농도의 안티몬(Sb)-도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법에 관한 것이다.

반도체 소자 제조에 사용되는 실리콘 단결정은 결정의 대형화에 유리한 초코 랄스키법(Czochralski method, 이하 CZ법, 인상법이라고 함)에 의해 제조되고 있다. 상기 CZ법은 단결정 성장장치의 석영도가니 내에서 용융된 실리콘 융액에 종자결정을 침지하고, 석영도가니와 종자결정을 반대방향으로 회전시키면서 융액에 침지된 종자결정을 상방으로 인상함으로써 원주상의 실리콘 단결정 잉곳을 성장하는 방법이다.

이러한 CZ법에서는 석영도가니를 사용하고 있기 때문에 실리콘 융액과 접하는 석영도가니 내벽에서 실리콘 융액으로 산소원자가 용해되어 대류 및 확산에 의해 실리콘 융액을 통하여 이동되며, 이러한 산소의 약 98% 이상은 실리콘 융액의 자유표면에서 휘발하고 실리콘 융액 내에 잔류하는 일부의 산소만이 성장 중의 실리콘 단결정 내에 혼입된다.

일반적으로 실리콘 단결정봉이 성장에 따라 실리콘 단결정 내의 산소 농도는 감소하게 되는데 이는 산소가 휘발하는 실리콘 융액의 자유표면의 면적은 변하지 않는 반면, 석영 도가니 내에 수용된 실리콘 융액의 양이 감소함에 따라 석영 도가니 벽과 실리콘 융액의 접촉 면적이 차츰 감소되어 도가니 벽으로부터 융액 중에 용출되는 산소량이 감소하기 때문이다.

일반적으로 실리콘 웨이퍼의 벌크 내에 존재하는 산소는 후속하는 반도체 소자의 제조 공정시 발생할 수 있는 금속 불순물을 제거하는 진성 게터링 사이트(intrinsic gettering site)로 작용한다.

따라서 반도체 소자의 고밀도화 고집적화에 대응하기 위해서는 산소농도 및 비저항값을 적절한 값으로 제어하는 것이 매우 중요하다.

이러한 고품질 반도체 소자용 실리콘 단결정은 New ASTM으로 13 ppma 이상의 고산소 농도를 포함하는 것이 바람직하며 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위의 비저항값을 가져야 한다고 알려져 있다.

최근에 결정길이에 따라 상기 산소 농도 및 비저항 값을 균일하게 하기 위하여 실리콘 단결정 또는 도가니의 회전수를 조절하거나 실리콘 단결정 성장로 내부에 흐르는 불활성기체(Ar)의 유량 또는 압력 등의 공정 변수를 최적화하는 방법이 사용되고 있다.

그런데 실리콘 단결정이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위의 비저항값을 갖도록 5 x 10¹⁹ 원자/㎤ 이상의 밀도로 안티몬(Sb)이 첨가된 실리콘 융액의 경우에는 상기와 같은 방법을 사용하면, 실리콘 융액의 표면에서 산소가 SiO 및 SbO 형태로 매우 빠른 속도로 휘발한다. 따라서 반도체 소자의 제조 기판에 적합한 상기 고산소 농도 및 비저항값을 갖는 실리콘 단결정 생산 시 수율이 매우 낮아지는 문제점이 있다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 압력을 높게 유지하고 불활성 기체인 아르곤의 유량을 감소시켜 실리콘 융액의 표면에서 휘발하는 산소의 양을 감소시키는 방법이 사용될 수 있다. 그러나 이러한 경우에는 단결정 성장로 상부의 저온부위에 증착되는 산화물의 양이 증가함으로써 이러한 산화물이 실리콘 단결정 성장 도중 실리콘 융액 표면으로 떨어져 파티클 히트 소스(Particle hit Source)로 작용하여 실리콘 단결정의 수율을 심각하게 감소시키는 문제점이 있다.

본 발명은 이러한 기술적 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 진성 게터링(intrinsic gettering) 능력이 우수한 산소 농도가 New ASTM으로 13 ppma 이상의 고산소 농도를 포함하는 비저항값이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위인 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 고품질의 실리콘 단결정의 획득 수율을 향상시킬 수 있는 고산소 농도의 안티몬(Sb)-도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법을 제공하는 것이다.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정은 소량의 바륨을 함유하며, 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위내의 비저항 값을 갖는다.

또한 New ASTM으로 13 ppma 이상의 고산소 농도를 갖는다.

이 때 상기 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정에 함유되는 바륨(Ba)의 농도는 1 x 10⁹ ~ 1 x 10¹¹원자/㎤ 범위 내에서 제어되는 것이 바람직하다. 이는 상기 바륨(Ba)의 농도가 실리콘 단결정의 품질에는 영향을 미치지 않으면서도 고산소 농도를 갖는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정을 생산할 수 있게 하기 때문이다.

보다 바람직하게는, 1 x 10⁹원자/cm³이상의 바륨(Ba)이 함유될 수 있다. 이는 상기 바륨의 농도가 상기 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정에 함유되는 산소의 농도를 증가시킬 수 있기 때문이다.

보다 바람직하게는, 1 x 10¹¹원자/㎤ 이하의 농도로 바륨(Ba) 첨가되는 것이 바람직하다. 이는 상기 바륨의 농도가 반도체 소자 제조를 위해서 허용되는 실리콘 웨이퍼의 불순물의 한계 농도에 해당하기 때문이다.

본 발명의 다른 측면에 따른 일 실시예에 따르면, 고산소 농도의 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법은 도가니에 다결정 실리콘과 함께 소량의 바륨을 첨가하는 단계와, 상기 다결정 실리콘과 소량의 바륨의 완전히 용융·용해 후, 목적하는 비저항값(0.02 ~ 0.001 Ω·㎝)을 갖도록 계량된 안티몬(Sb, m.p.631℃)을 실리콘 융액에 첨가하는 단계와, 종자결정을 융액표면에 접촉시켜 이것을 회전하면서 인상하여 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정을 제조하는 단계를 포함한다.

상기 바륨(Ba)은 BaCO₃형태로 첨가될 수 있으며, 상기 BaCO₃ 이 0.005 중량% 내지 0.1 중량% 첨가될 수도 있다.

상기 단결정의 인상속도 1.5 내지 0.8mm/min 이며, 상기 실리콘 단결정 회전수는 10 내지 25rpm 이고, 도가니 회전속도는 0.1 내지 20 rpm 이며, 아르곤 가스가 챔버 상부로부터 실리콘 융액면 방향으로 흐르게 함으로써 실리콘 융액 표면에서 휘발되는 SiO 및 SbO 가스를 용이하게 제거할 수 있도록 실리콘 융액 상부에 보조 구조물을 구비할 수도 있다.

상기 바륨(Ba)은 고농도의 바륨(Ba) 코팅된 실리콘 웨이퍼를 제조 후 분쇄하여 도가니에 다결정 실리콘 충진 시 도프제로 첨가할 수도 있다.

상기 바륨(Ba)은 BaCO₃ 를 에탄올에 5 ~ 25 중량%로 혼합하여 실리콘 웨이퍼 에 분사하여 코팅한 후 다결정 실리콘과 함께 도가니 내에 적층하여 첨가할 수도 있다.

상기 BaCO₃ 가 코팅된 실리콘 웨이퍼는 석영도가니 바닥으로부터 다결정 실리콘 적층 높이의 1/3 이하 부위에 배치될 수도 있다.

상기 바륨(Ba)은 BaCO₃ 분말을 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 배치하여 다결정 실리콘 충진 초기에 석영도가니 바닥에 배치할 수도 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 CZ 법에 의한 단결정 성장 장치를 설명한다. 단결정 성장 장치(100)는 원료인 실리콘 융액을 담고 있는 도가니(102)를 수용하는 하부 챔버(101)와, 인상한 단결정을 수용 및 취출하는 상부 챔버(110)로 구성되어 있다. 그리고 상부 챔버(110)의 상부에는 단결정(C)을 인상하기 위한 와이어 인상기구(109)가 구비되어 있고, 단결정의 육성에 따라 와이어(1)를 감거나 풀어내는 조작을 행하고 있다. 그리고 이 와이어(1)의 선단에는 실리콘 단결정을 인상하기 위해 종자결정(S)이 종자 홀더(22)에 부착되어 있다. 한편, 하부 챔버(101)내의 도가니는 내측에 실리콘 유액을 수용하는 용융 실리카 재질의 석영도가니와 외측에 석영도가니를 지지하도록 흑연재질의 흑연도가니로 구성되어 있고, 이 도가니(102)의 주위에는 도가니 내에 충진된 다결정 실리콘 원료를 용융시키기 위 한 히터(105)가 배치되어 있고, 또한 히터는 단열재로 둘러싸여 있다. 그리고 도가니 내부에는 히터(105)로 가열하는 것에 의해 용융시킨 실리콘 융액(L)이 채워져 있다. 이 도가니는 회전하거나 상하로 움직이는 것이 가능한 지지 축에 의해 지지되어 있고 그 때문에 구동장치(108)가 하부 챔버(101) 하부에 부착된다.

다음으로, 상기 장치를 이용한 단결정의 성장방법에 대해 설명한다.

먼저 다결정 실리콘 원료와 소량의 BaCO₃를 석영 도가니(102)에 넣고 히터(105)로 가열하여 원료를 용융한다. 이 때 바륨(Ba)은 탄산바륨의 형태로 첨가되지만, 바륨 산화물, 바륨 탄산염, 바륨 수산염, 바륨 규산염 등에 의해 원소 또는 이온의 형태로 첨가될 수 있다.

여기서, 소량의 BaCO₃ 을 다결정 실리콘 원료와 함께 도가니(102) 내에 넣지만, 정밀한 농도 조정이 필요하기 때문에 바륨 코팅된 실리콘 웨이퍼를 제조 후 미세 분쇄하여 도가니에 다결정 실리콘 충진 시 첨가될 수 있다.

예를 들어, BaCO₃ 를 에탄올에 5 ~ 25 wt%로 혼합하여 실리콘 웨이퍼에 분사하여 코팅한 후 다결정 실리콘과 함께 도가니(102) 내에 적층할 수 있다. 이 때 BaCO₃ 가 코팅된 실리콘 웨이퍼는 석영도가니(102) 바닥으로부터 다결정 실리콘 적층 높이의 1/3 이하 부위에 배치될 수도 있다.

또한, BaCO₃ 분말을 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 배치하여 다결정 실리콘 충진 초기에 석영도가니(102) 바닥에 배치할 수도 있다.

도가니에 충진된 다결정 실리콘 원료가 모두 용융되면, 소정 목적하는 비저항값을 갖도록 계량된 안티몬(Sb) 도프제가 실리콘 융액에 첨가된다.

이는 안티몬(Sb, m.p.631℃)과 같은 저융점 도펀트가 실리콘에 비해 융점이 낮기 때문에 다결정 실리콘을 도가니에 충진할 때 첨가하면 다결정 실리콘이 완전히 용융/융해되기 전에 용융·기화되기 때문이다.

안티몬(Sb) 도프제가 실리콘 융액에 첨가되면, 인상기구(109)의 와이어(1) 선단으로부터 단결정 잉곳(C)을 육성하기 위한 종자결정(S)을 취부하고 와이어(1)를 조용히 풀어내려 종자결정 선단을 실리콘 융액에 접촉시킨다. 이 때 도가니(102)와 종자결정(S)은 서로 역방향으로 회전한다. 이 때, 상기 인상기구(109)의 내부는 감압 상태이며 로내 상부로부터 불활성 기체(예 : Ar 등)를 흘려주어 실리콘 융액으로부터 증발된 SiO 또는 SbO 형태의 가스를 성장로의 외부로 배출ㆍ제거할 수 있도록 한다.

상기 종자결정(S) 주위의 온도가 실리콘 단결정의 인상하기에 적합한 환경으로 안정화가 되면, 종자결정(S)과 도가니(102)를 서로 역방향으로 회전시키면서 천천히 와이어(1)를 권취하여 종자결정(S)의 인상을 개시한다. 그 다음 종자결정에 생기는 슬립 전위를 소멸시키기 위한 네킹 조작을 실시한다. 네킹 조작을 통해 슬립 전위가 완전히 제거되면 서서히 직경을 확대하여 단결정의 콘부를 제조하고 소망 직경까지 확대한다. 소정 직경까지 콘 직경이 확대되면 단결정 잉곳의 일정 직경부의 제작으로 이행한다. 이때 도가니의 회전속도, 인상속도, 챔버 내의 불활성 가스 압력 류량 등은 육성하는 단결정에 함유되는 산소농도에 맞추어 적정 농도로 조정한다. 또 결정 직경은 온도와 인상 속도를 조정하는 것에 의해 제어된다.

단결정 몸통부를 소정 길이 만큼 인상하면 이번에는 결정 직경을 축소하여 테일부를 제작한 후 테일 선단을 실리콘 융액면으로부터 잘라내고 육성한 실리콘 단결정을 상부 챔버까지 감아올려 결정이 냉각하도록 한다. 단결정 잉곳을 취출할 수 있는 온도까지 냉각되면 인상기로부터 취출하고 결정을 웨이퍼로 가공하는 공정으로 옮긴다.

가공공정에서는 먼저 콘부와 테일부를 절단하고 단결정 잉곳의 주위를 원통연삭하고 적당한 크기의 블록으로 절단 가공한다. 그리고 적당한 크기로 가공한 단결정 블록을 슬라이서에 의해 소정의 두께로 슬라이스하여 웨이퍼를 형성한다. 필요에 따라 챔퍼, 랩핑 등을 실시하고 또한 에칭에 의해 가공 결함 등을 제거하여 웨이퍼를 제작한다.

이제, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 단결정의 품질의 악화됨이 없이 단결정의 수율을 높일 수 있는 최적의 바륨의 양에 관해서 살펴보겠다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 융액에 첨가된 탄산바륨의 양과 초기 산소 농도의 증가량과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 단결정 잉곳의 길이에 대한 초기 산소 농도의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 단결정 잉곳의 길이에 대한 초기 비저항 값의 관계를 나타내는 그래프이다.

(실시예)

먼저, 쵸크랄스키법에 의해 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 잉곳을 제조하 였다.

이 때 실리콘 융액내에 탄산바륨의 양을 계량하여 다결정 실리콘과 함께 석용 도가니에 충진하였다. 그 후 히터를 승온하여 원료를 용융하고 전 원료의 용융이 완료되면, 목적하는 비저항값을 갖도록 계량된 안티몬(Sb) 도프제를 실리콘 융액에 첨가하고 종자결정을 융액표면에 접촉시켜 이것을 회전하면서 인상하는 것으로 안티몬(Sb) 도프된 단결정 잉곳을 제조하였다.

여기서, 단결정의 인상속도 예를 들어 1.5 내지 0.8mm/min 범위에서 인상시키고, 실리콘 단결정 회전수는 10 내지 25rpm 바람직하게는 20rpm으로 하고, 도가니 회전속도는 0.1 내지 20 rpm 바람직하게는 10rpm으로 하고, 아르곤 가스를 20ℓ/min 속도로 챔버 상부로부터 실리콘 융액 표면 방향으로 흘렸다.

이러한 동일 조건으로 탄산바륨의 양만 달리하여 결정을 인상하고 그 산소 농도를 측정한 결과 도 2에 도시한 바와 같이 초기 산소 농도는 탄산바륨의 양의 증가에 따라 선형으로 증가하는 것을 알 수 있었다.

이는 탄산바륨이 실리콘 융액에 첨가되면, 도가니 벽과 융액 사이에 SiO₂와 BaO 경계면이 형성되고 이 경계면에서 석영도가니(SiO₂)의 실리콘 융액으로의 용해 속도가 증가됨으로써 단결정에 함유되는 산소량이 증가되는 것을 알 수 있다.

일반적으로 바륨은 편석현상에 의해 실리콘 단결정 내로 혼입될 때 실리콘 원자의 공유반경보다 큰 BaO의 형태로 실리콘 격자 사이로 혼입됨으로 인해 10^-8 이하의 매우 낮은 편석 계수를 갖는다. 한편 일반적인 반도체 소자 제조 시 실리콘 웨이퍼에 허용되는 불순물의 한계농도는 1 x 10¹¹원자/㎤ 이기 때문에, 품질에 악영향을 미치지않고 고산소 농도의 안티몬 도프된 실리콘 단결정을 생산하기 위해서는 실리콘 융액에 첨가되는 바륨(Ba)의 농도는 1 x 10¹⁷ ~ 1 x 10¹⁹원자/㎤ 범위로 첨가되는 것이 바람직하다.

한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 탄산바륨이 각각 0.02중량%, 0.008중량% 첨가된 경우의 초기 산소 농도를 측정한 결과 초기 산소 농도가 New ASTM으로 13 ppma 이상임을 알 수 있다. 탄산바륨을 첨가하지 않은 경우와 0.0015 중량%의 미세한 양의 탄산바륨이 첨가된 경우에는 단결정의 축방향 길이의 50 % 정도에서는 13ppma 이상의 산소 농도가 나타났지만 그 50% 정도는 그렇지 못했다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고산소 농도의 Sb 도프된 실리콘 단결정은 도가니의 크기에 따라 탄산바륨의 양이 결정되겠지만, 바륨 불순물이 단결정에 혼입되어 소자특성을 저해하는 것을 방지하기 위해서 탄산바륨을 0.005 내지 0.1 중량% 범위 이내로 실리콘 융액 중에 첨가함하는 것이 바람직하다.

즉, 도 4에 나타낸 바와 같이, 탄산바륨이 0.02중량%, 0.008중량%, 0.0015중량%인 경우에 단결정 길이에 상관없이 비저항 값에 미치는 영향이 없음을 확인 할 수 있다.

이 때 단결정의 비저항은 단결정으로부터 샘플을 취출하여 4점 탐침법을 이용하여 측정하였다.

따라서 본 발명의 일 실시예에 따르면, 실리콘 단결정 생산 시 바륨을 안티 몬(Sb)과 함께 첨가함으로써 석영도가니와 실리콘 융액의 계면에서 산소가 실리콘 융액으로 용해되는 반응을 촉진함으로써 높은 산소농도를 갖는 실리콘 융액을 형성할 수 있고, 이로부터 인상되는 실리콘 단결정봉 내에 고농도의 산소를 포함할 수 있다.

또한 첨가하는 탄산바륨의 양에 따라 석영도가니와 실리콘 융액의 계면에서 산소의 용해 속도를 조절할 수 있다. 따라서 고객의 요구하는 고농도의 산소 농도를 만족하기 위해서 첨가되는 탄산바륨의 양을 조절함으로써 용이하게 결정 내 혼입되는 산소 농도를 제어할 수 있다.

또한, 실리콘 융액에 포함된 바륨은 편석계수가 10^{- 8}으로 매우 낮기 때문에 결정의 품질에 영향이 없으면서도 높은 산소 농도를 갖는 실리콘 단결정을 용이하게 생산할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 산소 농도가 New ASTM으로 13 ppma 이상의 고산소 농도를 포함하는 비저항 값이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위인 고산소 농도의 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 고품질의 실리콘 단결정의 획득 수율을 향상시킬 수 있는 고산소 농도의 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 및 그 성장방법을 제공할 수 있다.

Claims (16)

1. 쵸크랄스키 법으로 성장된 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정에 있어서,

   바륨을 함유하며, 비저항값이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위인 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정.
2. 제 1 항에 있어서,

   New ASTM으로 13 ppma 이상의 산소 농도를 함유하는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 바륨이 1 x 10⁹ ~ 1 x 10¹¹원자/㎤ 함유된 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정.
4. 쵸크랄스키 법으로 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장하는 방법에 있어서,

   도가니에 다결정 실리콘 충진 시 바륨을 첨가하는 단계와,

   상기 다결정 실리콘과 바륨의 완전 용융·용해 후, 비저항값이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위가 되도록 계량된 안티몬(Sb) 도프제를 첨가하는 단계와,

   실리콘 융액표면에 실리콘 종자결정을 접촉시킨 후 회전하면서 인상하여 안티몬(Sb) 도프된 단결정을 제조하는 단계를 포함하는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 바륨은 탄산염, 수산염, 규산염, 및 산화물 중에서 선택된 하나 또는 이들의 조합으로 첨가되는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 바륨은 BaCO₃형태로 첨가되는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
7. 제 4 항에 있어서,

   상기 바륨이 0.005 중량% 내지 0.1 중량% 첨가되는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
8. 제 4 항에 있어서,

   상기 단결정의 인상속도가 1.5 내지 0.8mm/min 인 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 실리콘 단결정 회전수는 10 내지 25rpm 인 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 도가니 회전속도는 0.1 내지 20 rpm인 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
11. 제 4 항에 있어서,

    상기 바륨은 1 x 10¹⁷ 내지 1 x 10¹⁹원자/㎤ 의 바륨 코팅된 실리콘 웨이퍼를 제조 후 분쇄하여 도가니에 다결정 실리콘 충진 시 도프제로서 첨가된 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
12. 제 4 항에 있어서,

    상기 바륨을 에탄올에 5 ~ 25 중량%로 혼합하여 실리콘 웨이퍼에 도포한 후 다결정 실리콘과 함께 도가니 내에 적층하여 첨가하는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 바륨이 코팅된 실리콘 웨이퍼는 석영도가니 바닥으로부터 다결정 실리 콘 적층 높이의 1/3 이하 부위에 배치되는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
14. 제 4 항에 있어서,

    상기 바륨 분말을 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 배치하여 다결정 실리콘 충진 초기에 석영도가니 바닥에 배치하는 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정 성장방법.
15. 쵸크랄스키 법으로 성장된 안티몬(Sb) 도프된 실리콘 단결정을 사용하여 제조된 실리콘 웨이퍼에 있어서,

    바륨을 함유하며, New ASTM으로 13 ppma 이상의 산소를 함유하고, 비저항값이 0.02 ~ 0.001 Ω·㎝ 범위인 실리콘 웨이퍼.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 바륨이 1 x 10⁹ ~ 1 x 10¹¹원자/㎤ 정도 함유된 실리콘 웨이퍼.

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