KR100810167B1 - 가스 방전 장치 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스 방전 장치들, 특히 방전 램프들 또는 플라즈마 디스플레이 유닛들을 제조하기 위한 새로운 방법에 관한 것으로서, 초기압에서 필요한 가스 충진재로 방전관들이 챔버내에서 정화된다.

Description

가스 방전 장치 제조 방법{PRODUCTION METHOD FOR A GAS DISCHARGE DEVICE}

본 발명은 가스 방전 장치, 특히 방전 램프 또는 플라즈마 디스플레이 유닛(PDP)을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 가스 방전 장치들은 일반적으로 기체 방전 매질을 수용하기 위한 방전관을 갖는다. 따라서, 가스 방전 장치들을 제조하기 위한 방법은 가스 충진재(gas filling)로 방전관을 충진하고 상기 방전관을 밀봉(sealing)하는 단계를 필수적으로 포함한다.

상기 제조 방법이 적어도 본질적으로 방전관의 밀봉과 함께 종료되는 것으로서 간주되기 때문에, 예를 들어 방전 램프와 같은 가스 방전 장치는 대개 적어도 밀봉 이후 마무리(finish)된다. 물론, 이것은 방전관의 밀봉 이후 본질적으로 마무리된 방전 램프에 전극들이 추가로 제공되거나, 반사성 층들로 코팅되거나, 실장 장치들에 연결되거나 다른 방법으로 추가 처리되는 것을 배제하는 것은 아니다. 그러나, 청구범위의 의미로서, 제조 방법은 방전관의 밀봉과 함께 이미 실시된 것으로 간주된다.

통상, 방전 램프들 또는 플라즈마 디스플레이 유닛들의 방전관들에는 배기관 또는 다른 커넥션들이 설치되고, 이들을 통해 방전관들은 진공상태가 되고 가스 충진재로 충진될 수 있다. 이러한 커넥션들은 일반적으로 용융(fusing)에 의해 밀봉되고, 이로 인해 돌출 부분(part)들이 망가지거나 절단될 수 있다.

본 발명은 유전적으로 방해되는(impeded) 방전들을 위해 설계된 가스 방전 장치들에 관한 것이며, 이 경우, 주로 소위 평면형 발광기(radiator)들 및 플라즈마 디스플레이 유닛들에 관한 것이다. 평면형 발광기 및 플라즈마 디스플레이 유닛들에서, 방전관은 평면형으로 설계되고, 두께와 비교하여 상대적으로 큰 사이즈로 이루어지며, 실질적으로 평행한 평면형의 2개의 플레이트들을 갖는다. 현재까지 제조 기술들은 공통의 특징들을 갖는다. 물론, 플레이트들은 엄격한 의미의 표현으로서 평면일 필요는 없고, 구조화될 수 있다. 평면형 발광기들은 특히 액정(LCD) 기술의 디스플레이들 및 모니터들의 백라이트에서 중요한 것이다. LCD들과 대조적으로, 플라즈마 디스플레이 유닛들은 가스 방전에 의한 광의 생성으로 인해 자가-발광(self-luminous)하기 때문에, 백라이트를 필요로 하지 않는다. 플라즈마 디스플레이 유닛들은 최근에 특히 TV 세트들에 사용되고 있다.

또한, 평면형 발광기들 및 플라즈마 디스플레이 유닛들의 기술분야에서, 방전관이 소위 진공로에서 진공상태가 되어 충진되는 제조 방법들이 공지되어 있다. 이 경우, 진공로는 진공상태가 되어 가열될 수 있는 챔버이다. 종래의 배기관 솔루션들의 경우에서도, 최종 방전 램프의 가스 충진재를 가능한 순수(pure)하게 유지시키기 위해, 배기를 통해 원치않는 가스들과 흡착질(adsorbate)들을 제거한다.

배기관 방법들 및 이와 유사한 방법들은 방전관의 기하학적 구조에 대한 제한(restriction)들과 관련된다. 진공로에서의 방법들은 진공로에 대한 기술적 비용 때문에 비용 부담이 크고, 상당히 시간-소모적이다.

본 발명은 가스 방전 장치, 특히 방전관의 충진 및 밀봉 단계에 대해 개선된 방전 램프 및 플라즈마 디스플레이 유닛을 제조하기 위한 방법을 구체화하는 문제를 기반으로 한다.

본 발명은 가스 방전 장치, 특히 가스 방전 장치의 방전관이 가스 충진재로 충진된 후 밀봉되는 방전 램프 또는 플라즈마 디스플레이 유닛을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방전관의 충진 및 밀봉이 대기압보다 높은 초기압(super-atmospheric pressure)에서 상기 가스 충진재로 정화되는 챔버에서 수행되는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 적절히 구성된 챔버들에서 수행되는 충진 및 밀봉 단계들이 배기관들 또는 이와 유사한 장치들을 이용한 해법보다 선호된다는 발견에서 시작한다. 특히, 이들은 비교적 많은 개수의 방전관 유닛들을 동시에 처리하는 가능성을 제공한다. 즉, 배기관 커넥션을 통한 펌핑과 충진 단계, 및 배기관 커넥션의 밀봉 단계에 대해 최적화된 방전관 설계를 위한 제한 조건들은 없다. 대신, 방전관의 구성은 대개 자유롭게 선택할 수 있는 사항이고, 밀봉을 목적으로 또는 밀봉을 위해 요구되는 단계들을 목적으로 상호 연결되는 방전관 부분들의 조정(manipulation)을 보장하는 것만이 필요하다.

한편, 본 발명자들은 진공로가 장치의 비용 및 처리 시간에 대한 불필요한 경비를 의미한다고 판단한다.

그 대신, 본 발명에 따라 방전관에 대한 가스 충진재가 초기압에서 나타나는 챔버를 사용한다. 따라서, 챔버는 진공상태가 될 필요가 없다. 대신, 원치 않는 잔류 가스들은 챔버를 정화함으로써 제거될 수 있다. 고진공-고밀착 밀봉의 진공로 및 배기 단계들의 제거로 인해, 실질적으로 비용이 더 싸고 시간이 단축된 제조 방법을 제공할 수 있다.

더욱이, 상기 목적은 챔버, 특히 챔버 벽들의 열적 관성(thermal inertia)을 감소시키는 것이고, 챔버 벽이 너무 두껍게 설계되지 않도록 하는 것이다. 이것은 본 발명에 따른 초기압이 과도하게 높지 않다는 사실에 의해 달성될 수 있다. 본 발명은 또한 대기압에 대한 이러한 초기압의 초과압이 예를 들어, 1 bar 이하인 실시예들을 포함한다. 그러나, 초과압이 300 mbar를 초과하지 않는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 mbar를 초과하지 않는 것이 바람직하다.

따라서, 챔버 벽들은 바람직하게는 최대 8mm이고, 보다 바람직하게는 최대 6mm이며, 큰 표면 부분들에서 최적의 경우 최대 4mm인 것이 바람직하다. 물론, 이러한 경우 프로파일 구조물들이 형성될 수 있다.

초과압에 대한 최적의 하한값은 10 mbar이고, 바람직한 하한값은 50 mbar이다.

또한, 전술한 바와 같이, 본 발명은 가스 충진재로 챔버를 정화하는 것을 제공한다. 챔버의 간단한 설계 때문에, 초기압의 결과로서 임의의 경우에 존재하는 누설처(leak)들 또는 의도적으로 제공되는 개구부들을 통해 해당 가스 분위기(gas atmosphere)가 흘러 나오도록 한다는 사실에 의해 이러한 정화가 수행될 수 있으며, 상기 가스 분위기는 초기압을 유지시키기 위해 상기 챔버 내로 도입된다. 대안으로서, 실제 가스 출구 라인을 사용하는 것이 있다. 그러나, 가스 출구 라인을 사용하는 경우에도, 가능한 누설처로부터 초기압이 유출(outflowing)을 유도한다는 사실은 본 발명의 본질적인 장점으로서 간주되어야 한다. 예를 들어, 방전관 부품들로부터 생기는 가스들과 같은 챔버내의 오염물들을 전달하기 위한 가스 분위기의 정화 작용(초기압의 경우 보다 바람직함)과 더불어, 챔버에서 개구부들을 통한 오염물들의 침투에 대한 저지부(counteraction)가 존재한다. 이것은 예를 들어, 챔버 개폐시 부가적인 불편함을 야기하고 비용이 비싼 복잡한 밀봉부(seal)들이 필요 없도록 한다.

상기 챔버는 가열될 수 있도록 제공되는 것이 바람직하므로, 일반적인 관점에서 고로(furnace)와 관련이 있다. 이러한 가열 때문에, 방전관의 특정 구성요소들에 포함되는 흡착질 및 오염물들은 방출될 수 있고, 더불어 이하에서 보다 상세히 설명되는 것처럼, 다른 공정 단계들이 개시될 수 있다. 특히, 가열은 방전관의 밀봉을 위해 필수적일 수 있다. 상기 챔버는 전체적으로 가열될 수 있는 것이 바람직하다.

또한, 종래에 기술적인 문제점들을 발생시키고 이에 상응하는 시간 및 비용상의 경비를 발생시키는, 내열성 밀봉부들에 대한 요구사항들이 없다. 예를 들어, 간단한 밀봉부 표면들 사이의 평면형 콘택은 챔버의 내부 초기압으로 인해 남아있는 누설처들이 문제가 되지 않기 때문에 충분한 밀착성을 충족시킨다. 그러나, 본 발명의 범주내에서, 상기 챔버는 실제적으로 개방될 수도 있고, 즉 이것은 상기 가스 분위기가 누설처를 통해서 뿐만 아니라 실제 배출구(outlet opening)들을 통해서도 챔버 내부에서 흘러 나가도록 할 수 있다는 것이다. 또한, 이러한 배출구는 특히, 가스 출구 라인으로 구성될 수 있도록 미리 형성된다.

공정 시간을 단축하기 위하여, 챔버를 신속히 가열하는 것 뿐만 아니라, 신속히 냉각시키는 것도 바람직할 수 있다. 이 경우, 첫 번째 관점은 본 발명에 의한 챔버를 위해 목표되는 낮은 열적 관성이다. 또한, 상기 챔버는 강압-냉각(force-cooled)될 수도 있다. 이 경우, 챔버 자체를 통한 냉매의 가이드를 실제적으로 없애기 위해, 냉각부(cooling block)를 상기 챔버에 접촉시키는 것을 고려하는 것이 바람직하다. 상기 냉각부는 예를 들어, 수냉식일 수 있다. 이 경우, 챔버의 높은 처리 온도들로 자체적으로 가열되지 않기 때문에, 수냉식에 문제가 없다. 상기 냉각부는 챔버에서 평면형 콘택으로 인해 신속하고 용이하게 챔버를 냉각시킬 수 있다.

예를 들어, 소위 솔더 글래스(solder glass) 또는 인광층들의 바인더 물질들과 같은, 유기 오염물들을 방출하기 위해, 예를 들어 공기와 같은 산소-함유 분위기에서 충진 이전에 방전관을 가열하는 것이 바람직할 수 있다. 여기서, 이러한 분위기는 방출되는 오염물들을 전달하기 위해 영구적으로 흐르게 유지될 수 있다.

또한, 방전관은 충진 이전 및 적절하다면 산소-함유 분위기에서 가열 이후에 불활성 가스로 정화될 수 있다. 더욱이, 실제적인 방전 가스, 즉 그 광 방출이 방전에 기술적으로 이용되는 가스(방전 가스 혼합물도 가능함)와 더불어, 충진시 가스 혼합물은 추가적인 가스들, 즉 불활성 가스들도 포함할 수 있다. 상기 방전 가스는 Xe인 것이 바람직하다. 부가되는 불활성 가스는 예를 들어, Ne 및/또는 He일 수 있다. 특히, 상기 방전 가스와 더불어, 방전 가스에 대해 페닝 효과(Penning effect)를 나타내는 다른 가스가 존재할 수 있으며, 상기 다른 가스는 그 자신의 여기(excitation)를 통해 방전 가스의 이온화를 촉진시킨다. 이것은 Xe 방전 가스의 경우 Ne에 대해 효력이 있다. 또한, 충진시 원하는 전체 압력을 달성하고, 방전 가스 및 적절하다면 페닝 가스의 미리 정해진 목표 부분 압력과 연계하여 최종 냉각된 방전 램프에서 원하는 전체 압력을 달성하는 목적으로, 작용하는 완충 가스가 부가될 수 있다. 이러한 경우, 충진시 부분 압력들 및 전체 압력은 방전 램프의 예상 동작 온도들에서 목표 값들에 도달하도록 항상 설정되어야 한다. 60-350 mbar, 바람직하게는 70-210 mbar, 보다 바람직하게는 80-160 mbar의 부분 압력들(실온으로 지칭됨)이 Xe 방전 가스를 위해 선택되는 것이 바람직하다.

또한, 값비싼 불활성 가스들의 적어도 일부분을 재사용하기 위해, 예를 들어 가스 출구 라인에서, 불활성 가스들을 포함하는 가스 충진재가 충진에 사용되는 챔버에 불활성 가스 결빙기(freezer) 및/또는 콜렉터(collector)를 연결시키는 것이 제공될 수 있다. 상기 불활성 가스 결빙기 유닛이 너무 크지 않도록 설계하기 위해, 또는 이러한 결빙기 유닛이 없는 경우 불활성 가스의 사용을 제한하기 위해, 상기 불활성 가스 흐름은 방전관의 밀봉 직후 차단될 수 있다. 이러한 경우, 보다 비용-효율적인 다른 가스 분위기 또는 가스 흐름으로 전환할 수도 있다. 이것은 공기인 것이 바람직하다.

전체적으로, 기계적 응력들을 최소화하고 가능한 균일한 온도 분포와 정확한 온도 제어를 위해, 실질적으로 챔버로 흐르는 가스들은 즉각적으로 나타나는 방전 관 온도에 있어야 한다. 이것은 실제 방전관 온도에 따라 온도 편차들이 가능하면 +/-100 K 이하, 바람직하게는 +/- 50 K 이하이어야 함을 의미한다.

특히 이 경우, 가스들은 가스 입구 라인을 통해 긴 섹션에 대한 챔버 온도를 발생시키도록 유도될 수 있다. 이러한 가스 입구 라인은 예를 들어, 챔버의 구멍없이 고른 부분에 천공되거나 밀링될 수 있고, 연장을 위해 예를 들어 곡류(meandering) 형상과 같은 적절한 형상을 가질 수 있다.

본 발명의 경우 특히 간단한 실시예로서, 방전관의 가열, 정화, 충진 및 밀봉을 위해 필요한 방법 단계들이 하나의 동일한 챔버에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 실시예는 컨베이어도 필수적으로 필요하지 않는다. 또한, 연속적으로 동작되는 것이 아니라, 전하들이 충전 및 방전되는 것이 바람직하다.

따라서, 진공로의 경우로서, 이러한 챔버들에서 챔버 내부를 충전 및 방전시키기 위해 챔버 부분들을 서로 분리시킬 필요가 있다. 이 경우, 폐쇄된 챔버를 통해 서로 지지되는 챔버 부분들의 영역들에는 진공 채널이 제공되는 것이 바람직하며, 챔버의 개방 및 밀봉시 상기 진공 채널을 통해 지지면(bearing surface)에서 가스가 배출될 수 있다. 이러한 배출은 우선, 오염물들을 챔버 내부의 외부에 유지하도록 작용하고, 이에 따라 하나의 챔버 부분이 다른 챔버 부분을 가압할 수 있도록 작용하므로, 효과적인 밀봉 기능이 달성될 수 있다. 구체적으로는, 진공 채널은 외부로부터 침투할 수 있는 오염물들이 챔버 내부에 도달하기 이전에 회수(withdraw)한다. 한편, 상기 진공 채널은 초기압에서 챔버 내부에 존재하는 가스의 역류를 형성하고, 오염물들의 침투도 방지한다. 마찬가지로, 상기 진공 채널은 이러한 목적으로 불활성 가스 콜렉터 또는 결빙기에 연결될 수 있다.

예시적인 실시예는 첨부된 도면들을 참조로 이하에서 상세히 설명된다. 개시된 개별적인 특징들은 다른 조합예들의 발명에서도 필수적일 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 방법에 의해 방전 램프 또는 플라즈마 디스플레이 유닛을 제조하기 위한 플랜트의 개념적 단면도이다.

도 2는 도 1의 플랜트의 개념적 평면도이다.

도 1은 본 발명에 따른 플랜트를 단면도로 나타낸다. 도면에 도시된 플랜트(1)는 본질적으로 평면형 디자인이고, 형성되는 평면형 발광기 방전 램프들 또는 플라즈마 디스플레이 유닛들의 평탄 방향과 일치하며, 금속부(2)의 내부 공간(10)에 배치된다. 평면형 발광기 방전 램프 또는 플라즈마 디스플레이 유닛이 도시되진 않지만, 예를 들어 유전체에 의해 방해되는 방전들을 위해 설계되고 공지된 평면형 발광기가 본 발명에 포함되며, 그 방전관은 에지에서 상호 접속되는 커버판 및 베이스판을 포함한다. 방전 램프의 방전 공간으로부터 유전체에 의해 적어도 부분적으로 분리된 전극들이 상기 방전관에 배치된다. 상세한 구조에 대해서는 동일한 출원인으로서 이하의 이전 특허 출원들을 참조한다: US-1 2002/163311 및 US-A 2002/163296. 본 발명에서 중요한 것은 제조시 상기 방전관들이 방전 매질로서 가스 충진재로 충진된 이후 밀봉된다는 것이다.

이러한 목적을 위해, 방전 램프들에서, 개별적 또는 작은 개수의 아이템들이 도 1의 플랜트(1)의 챔버(10)와 일렬이 되고, 평면형 금속 커버(3)가 챔버(10)의 상부에 올려진다. 이 경우, 각 방전 램프의 베이스판과 커버판 사이에는, 각각의 방전관들이 공간(10)에 연결되도록 상기 2개의 판들 사이에 충분한 간격을 형성시키는 SF6 글래스 피스(piece)들이 삽입된다.

그 다음, 금속 커버(3)가 장착되어, 외부로부터 챔버(10)를 밀봉시킨다. 커버(3)는 커버(3)를 향해 개방되는 단면도로서 도시된 진공 채널(6)을 통해 그 상부에 흡착될 수 있으며, 금속부(2) 상에 견고히 고정된다.

챔버(10) 아래의 금속부(2)의 하면은 3.5mm의 두께를 갖는 비교적 얇은 금속 벽(11)이다. 도 1에서는, 이후에 추가로 설명되는 가열 장치를 도시하기 위해 다소 더 두껍게 도시한다. 금속 커버(3)는 약 2mm의 두께를 갖는다. 따라서, 챔버(10)는 상기 플랜트의 얇은-벽 부분들에 의해 그 외부 표면들의 가장 큰 부분 상부에 인접한다.

금속부(2)는 단면도로 도시된 전기 히터(4)를 통해 챔버(10) 아래의 얇은 벽(11)의 영역을 포함하여 전체적으로 가열될 수 있으며, 낮은 열적 관성만이 얇은 벽들의 영역에서 발생한다. 커버(3)는 심볼로서 나타낸 히터(8)를 통해 교대로 가열될 수 있다.

또한, 가스 라인(5)과 입구(E)를 통해 챔버(10)내로 가스가 들어오고, 라인(9)과 출구(A)를 통해 챔버(10)를 다시 빠져나갈 수 있다. 따라서, 챔버(10)는 라인들(5, 9)을 통해 정화될 수 있다. 여기서, 라인(5) 및 라인(9)를 통과하는 각각의 이중 섹션으로 나타낸 것처럼, 상기 라인들은 각각의 경우 금속부(2)에서 연장(meander)되고, 이에 따라 상기 라인의 길이는 상기 금속부 내부에서 증가되며, 예열되는 방식으로 챔버(10)로 가스가 흘러서 라인(9)내에서 특정 흐름 저항에 대항하여 다시 챔버를 빠져나올 수 있다. 이러한 흐름 저항은 적절한 크기의 라인(9)의 횡단면에 의해 생성될 수 있거나, 의도적으로 유입된 방해물(억제물)에 의해 생성될 수 있다. 따라서, 그 목적은 정화 동안, 챔버(10)에서 동적 압력을 형성하는 것이다.

출구(A)는 가스 충진에 사용되는 불활성 가스들을 재생할 수 있도록 불활성 가스 결빙기에 연결된다.

따라서, 챔버가 가열되고 산소-함유 분위기, 구체적으로는 건조 공기에서 우선 정화된 이후, 불활성 가스, 구체적으로는 아르곤으로 전체 정화되고, 마지막으로 250 mbar의 초과압에서 He, Ne 및 Xe의 혼합물로 정화될 수 있다. 본 발명에서 Ne는 페닝 가스 및 완충 가스로서 작용하며, He는 완충 가스로서만 작용한다. 이 경우, 챔버(10)의 온도가 약 500℃의 온도로 상승하기 때문에, 전술한 SF₆ 피스들이 연화되고, 이들에 의해 지지되는 커버판이 하강되어 베이스판에 장착될 수 있다. 미리 제공되는 솔더 글래스(제조사 Ferro의 10045 타입)는 상기 온도에서 연질이 되기 때문에, 상기 방전관의 2개의 플레이트들 사이에 밀착 접속된 커넥션이 형성될 수 있다.

이제, 불활성 가스가 차단되고, 냉각을 위해 건조 공기로 전환될 수 있다.

냉각을 가속화하기 위해, 열 전도에 의해 급속 냉각시키도록 수냉식 냉각부(미도시)가 금속부(2)의 하면과 평면으로 접촉될 수 있다. 금속부(2)의 평면형 기하학적 구조, 및 특히 벽(11)과 커버(3)의 두께 때문에, 챔버(10)의 온도는 상당히 빨리 떨어진다. 결과적으로, 챔버(10)의 방전 램프, 또는 상기 챔버에 포함되는 다수의 방전 램프들은 다시 신속히 제거될 수 있다. 따라서, 상기 제조 방법은 충전 방식으로 수행될 수 있다.

커버(3)가 챔버(10)상에 안착되면서, 진공 채널(6)의 진공상태를 통해 초기압에 대하여 챔버(10)에 고정되고, 만약 이것이 충분하지 않다면, 기계적인 클램프들 또는 하중에 의해 부착될 수 있다. 챔버(10)의 초기압은 완전히 밀착되지 않은 플랜트 표면들을 통해 챔버(10)에서 진공 채널(6)로 가스 분위기의 미세한 유출을 지속적으로 유도한다. 이와 동시에, 진공 채널(6)은 오염물들이 챔버(10)에 도달할 수 없도록 외부로부터 들어오는 오염물들을 배출한다. 따라서, 한편으로 챔버(10)의 정화 동작, 및 다른 한편으로는 외부로 오염물들을 유도하는 초기압의 조합은 챔버(10)에서 요구되는 가스 순도를 신속하고 완전하게 형성하도록 보장한다. 진공 채널(6)은 따라서 밀봉 장치, 밀봉부 및 오염물 배리어를 형성한다.

챔버 부피 및 충전 방식 제조로 인해 어느 경우든 특정 가스가 소비되기 때문에, 커버(3)와 금속부(2) 사이의 밀봉 표면들을 따라 통과하는 가스 흐름의 손실은 실질적으로 어떠한 작용도 하지 않는다. 만약 경제적으로 합리적이지 않으면, 이러한 영역에서 가스를 배출시키고 이러한 영역을 불활성 가스 추출 유닛에 연결시킬 수 있다.

챔버(10)는 예를 들어, 21″램프(42.7cm ×32cm)를 수용할 수 있다. 상기 챔버는 50cm ×40cm ×5cm의 내부 크기들을 갖는다. 진공 채널(6)은 예를 들어, 10mm의 폭과 4mm의 깊이일 수 있다.

본 발명은 평면형 발광기에 의한 예시적인 실시예로서 상세히 상술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 바람직한 효과들은 또한 다른 형태의 방전 램프들의 경우, 및 특히 플라즈마 디스플레이 유닛들의 경우에서도 달성될 수 있다.

Claims (19)

1. 가스 방전 장치의 방전관이 가스 충진재로 충진된 이후 밀봉되는 가스 방전 장치를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방전관의 충진 및 밀봉은 대기압보다 높은 초기압(superatmospheric pressure)에서 상기 가스 충진재로 정화되는 챔버(10)에서 수행되는, 가스 방전 장치의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버(10)는 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 대기압에 대한 상기 초기압의 초과압은 적어도 10 mbar인 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 정화를 위해 가스 출구 라인(9)이 사용되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 챔버(10)는 상기 방전관의 밀봉 이후 수냉식 냉각부와 접촉됨으로써 냉각되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방전관은 상기 충진 이전에 산소-함유 분위기에서 가열되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방전관은 상기 충진 이전에 불활성 가스로 정화되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방전관은 내부 압력을 증가시키기 위한 완충 가스 및 광의 생성을 위해 제공되는 방전 가스를 포함하는 가스 충진재로 충진되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방전관은 광의 생성을 위해 제공되는 방전 가스, 및 상기 방전 가스에 대해 페닝 효과(Penning effect)를 갖는 불활성 가스를 포함하는 가스 충진재로 충진되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 광의 생성을 위해 제공되는 방전 가스는 Xe이며, 상기 방전관은 실온에서 60-350 mbar 범위의 Xe 부분 압력을 포함하도록 Xe의 부분 압력으로 충진되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 챔버(10)에 불활성 가스 결빙기 또는 콜렉터가 연결되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 불활성 가스 유입은 상기 방전관의 밀봉 이후 차단되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 방전관의 밀봉 이후, 보다 비용-효율적인 가스로 전환되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 광의 생성을 위해 제공되는 방전 가스를 포함하는 상기 가스 충진재는 이 경우에 나타나는 상기 방전관 온도와 실질적으로 일치하는 온도에서 유입되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 챔버(10)는 적어도 그 대부분(3, 11)에 대해 8mm 이하의 벽 두께들을 갖는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방전관은 하나의 동일한 상기 챔버(10)에서 가열, 정화, 충진 및 밀봉되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
17. 제 16 항에 있어서, 상기 챔버(10)는 2개의 챔버 부분들(2, 3)을 분리시킴으로써 개방될 수 있으며, 진공 채널(6)을 통해 상기 2개의 챔버 부분들(2, 3) 사이의 지지면에 압력이 가해질 수 있는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가스 방전 장치는 유전체에 의해 방해되는 방전들을 위한 방전 램프로서 설계되는 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.
19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가스 방전 장치는 실질적으로 평행한 평면형의 2개의 방전관 플레이트들을 갖는 방전관이 구비된 평면형 발광기(flat radiator) 또는 플라즈마 디스플레이 유닛인 것을 특징으로 하는 가스 방전 장치의 제조 방법.

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