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KR100817853B1 - 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 이의 제조방법 - Google Patents

점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR100817853B1
KR100817853B1 KR1020060093025A KR20060093025A KR100817853B1 KR 100817853 B1 KR100817853 B1 KR 100817853B1 KR 1020060093025 A KR1020060093025 A KR 1020060093025A KR 20060093025 A KR20060093025 A KR 20060093025A KR 100817853 B1 KR100817853 B1 KR 100817853B1
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Abstract

본 발명은 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖으며 높은 발광효율과 광화학적 안정도를 갖는 양자점 및 이러한 양자점을 단시간 내에 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자점 제조 방법은, 중심을 형성한 이후 정제과정과 재분산 과정을 거친 이후 껍질을 형성해야만 했던 비경제적이고 비효율적인 기존의 방법과는 달리, 반도체 전구체의 반응성 차이를 이용하여 단시간 내에 경제적으로 양자점을 형성하는 장점을 지니고 있다. 또한, 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 점진적인 농도구배를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다. 본 발명에 따른 양자점은 기존의 중심/껍질과는 다른 구조를 지닌 새로운 개념의 양자점으로써, II-IV족에 국한되지 않고, III-V족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있는 것으로서, 새로운 물성의 반도체 양자점 개발에 사용될 수 있고, 다양한 분양에 적용될 수 있다.
양자점, II족 원소, VI족 원소, 점진적 농도구배 껍질 구조

Description

점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 이의 제조 방법{QUANTUM DOTS HAVING GRADIENT SHELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 양자점 제조 과정을 도식화한 그림.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점의 성분구배와 에너지밴드 구조를 도식화한 그림.
도 3은 본 발명의 양자점을 제조하는 실험 기구를 나타낸 그림.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
101: 반응기 102: 주사기
103: 냉각기 104: 온도계
도 4는 본 발명에 따른 방법으로 제조된 양자점의 제조 시간에 따른 TEM 사진.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 방법으로 제조된 양자점의 중심과 껍질의 반경에 따른 성분 분포를 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명에 따른 방법으로 제조된 양자점의 시간에 따른 발광 효율을 비교한 그래프.
본 발명은 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점진적 농도구배 껍질 구조를 가짐으로써 높은 발광효율과 광화학적 안정도를 갖는 양자점 및 이를 단시간 내에 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
종래 양자점 제조 방법으로는 유기 금속 화학증착법(MOCVD: metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 진공상태에서 준비된 기판과의 격자 불일치(lattice mismatch)에 의해 양자점을 형성하는 건식 화학법이 이용되어 왔다. 이 방법은 기판에 나노입자를 형성하고 동시에 배열 및 관측할 수 있다는 장점이 있지만, 고가의 합성장비가 요구되며 균일한 크기의 양자점을 대량으로 합성하기 힘들다는 단점을 가진다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 균일한 크기의 양자점을 계면활성제를 이용하여 합성하는 습식 화학법이 개발되었다.
습식 화학법을 이용한 양자점 제조 방법은 계면활성제를 이용하여 나노입자간의 뭉침을 방지하고 나노입자의 결정 표면과 계면활성제의 흡착 정도를 조절함으로써 균일한 크기를 가지는 다양한 모양의 양자점을 합성할 수 있는 방법이다. 1993년 Bawendi 그룹에서 계면활성제로 트리옥틸포스핀옥사이드 (trioctylphosphineoxide, TOPO)와 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine, TOP)을 사용하고, 반도체 전구체로 다이메틸카드뮴(dimethylcadmium, (Me)2Cd)과 셀레늄 (selenium)을 전구체로 이용하여 균일한 크기를 가지는 셀렌화카드뮴 양자점을 습식 화학법을 이용하여 최초로 합성에 성공한 바 있다. 또한, Alivisatos 그룹에 의하여 계면활성제로 헥사데실아민(hexadecylamine, HDA)과 트리옥틸포스핀옥사이드(trioctylphosphineoxide), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine)을 사용하고, 반도체 전구체로써 카드뮴옥사이드(cadmium oxide, CdO), 셀레늄(selenium)을 사용하여 보다 안전한 방법으로 셀렌화카드뮴 양자점을 합성하는 방법이 개발되었다.
이후, 형성된 양자점의 발광 특성을 향상시키고, 광안정성과 환경안정성을 높이기 위하여 셀렌화카드뮴 표면 위에 보다 큰 밴드갭을 지니는 반도체 화합물로 껍질을 형성하고자 하는 연구가 많이 진행되었다. 예를 들면, 셀렌화카드뮴(CdSe)/황화아연(ZnS)(J.Phys.Chem.B, 1997, 101, 9465-9475 참조), 셀렌화카드뮴(CdSe)/셀렌화아연(ZnSe)(Nano Letters, 2002, 2, 781-874 참조), 셀렌화카드뮴(CdSe)/황화카드뮴(CdS)(J. Am. Chem. Soc., 1997, 119, 7019-7029 참조), 셀렌화아연(ZnSe)/황화아연(ZnS)(대한민국 특허 등록번호 제 10-0376403호) 등이 있다.
그러나, 종래의 중심/껍질 구조 양자점의 경우, 껍질을 두껍게 형성할 경우 중심 반도체 물질과 껍질 반도체 물질간의 격자간 불일치에 의하여 계면에 불안정해지기 때문에 양자 효율이 떨어져 껍질을 얇게 형성하게 되었다. 따라서, 껍질을 형성한 물질이 중심 양자점의 표면 상태를 안정화시키는 역할만을 할 뿐, 빛을 흡수한 후 전자와 정공을 중심에 넘겨주는 역할은 하지 못하기 때문에 양자점의 광효율과 광안정성, 그리고 환경 안정성에 있어 한계를 지녔다.
따라서, 양자점간의 격자간 불일치를 최소화하기 위하여, 중간층 껍질을 포함하여 다중껍질을 제작하고자 하는 연구가 진행되었다. 예를 들면, 셀렌화카드뮴(CdSe)/황화카드뮴(CdS)/황화아연(ZnS)(대한민국 특허 등록번호 제 10-2005-0074779호)와 셀렌화카드뮴(CdSe)/황화카드뮴(CdS)/황화아연카드뮴(Zn0.5Cd0.5S)/황화아연(ZnS)(J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7480~7488 참조)을 들 수 있다. 상기와 같은 중심/다중 껍질 구조 양자점의 경우 높은 발광효율을 가지며, 또한 광학적 안정성과 환경 안정성을 지니기 때문에 발광소재, 레이저 그리고 생체 표지물질로 많은 응용 가능성을 지니게 된다. 그러나, 종래에 개발된 중심/다중껍질 구조의 양자점을 형성하기 위해서는 중심 양자점을 합성한 후 합성과정을 종료하고 계면활성제와 전구체를 모두 씻어내며, 중간층 역할을 하는 껍질을 쌓기 위해 새로운 계면활성제에 껍질의 전구체를 적절한 온도에서 주입하여 장시간 반응을 시키는 복잡한 합성과정을 거쳐야만 한다. 또한, 계면활성제를 씻어낼 때 형성된 양자점의 일부와 미반응한 전구체를 손실함으로써 경제적 손실이 불가피하다는 단점이 있다. 또한, 이와 같은 방법으로 제조된 적층 구조의 껍질을 갖는 양자점은, 중심에서 흡수하여 형성된 엑시톤만을 이용할 뿐 껍질에서 흡수하여 형성된 엑시톤은 발광에 기여하지 못하기 때문에, 광발광 효율에 있어 한계를 지니고 있었다.
따라서, 보다 높은 발광 효율과 광안정성 및 환경 안정성을 지니는 고결정의 양자점 및 이를 손쉽게 보다 경제적인 방법으로 대량 합성하는 기술의 개발이 여전히 요구되고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 점진적인 농도구배 껍질 구조를 가짐으로써 발광효율 및 광안정성이 높은 양자점 및 이러한 양자점을 단시간 내에 보다 경제적인 방법으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 기존에 알려진 양자점 및 이를 제조하는 방법이 갖는 문제점들을 극복하기 위해서 노력한 결과, II족 금속 함유 화합물과 VI족 원소 함유 화합물의 반응성 차이를 이용하여 단일과정으로 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점을 경제적으로 제조할 수 있는 새로운 방법을 개발하였다. 또한, 이러한 방법을 통해서 보다 높은 발광효율과 광안정성을 갖는 양자점을 제조할 수 있음을 확인함으로써 본 발명을 완성하였다.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, II-VI족 화합물 중심 및 II-VI족 화합물 껍질 구조를 갖는 양자점으로서, 상기 껍질을 구성하는 II-VI족 화합물은 중심을 구성하는 II-VI족 화합물 보다 더 큰 밴드갭을 가지고 있고, 상기 II-VI족 화합물 껍질은 농도구배가 점진적으로 형성되어 이루어진 것을 특징 으로 하는 양자점을 제공한다.
또한, 본 발명은, 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물을 혼합한 후 가열하는 제 1 단계; 상기 혼합물을 100~350℃로 가열하는 제 2 단계; 상기 가열된 혼합물에 중심을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물을 혼합하는 제 3 단계; 및 상기 제 3 단계 혼합물을 100~350℃에서 유지시켜 기울기를 갖는 껍질 구조를 형성시키는 제 4 단계를 포함하는 양자점 제조 방법을 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 점진적 농도구배(gradient)를 갖으며 발광효율이 높은 양자점(quantum dots) 및 이를 단시간 내에 경제적으로 제조하는 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다. 도 1에 본 발명에 따른 양자점 제조 과정의 개략도를 나타내었다.
본 발명에 따른 양자점 제조 방법은, 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물을 혼합한 후 가열하는 제 1 단계를 포함한다.
본 발명의 상기 제 1 단계에서 사용되는 II족 금속은, 카드뮴(Cd), 아연(Zn) 및 수은(Hg)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하며, 카드뮴 옥사이드, 아세트산 아연, 아세트산 카드뮴, 카드뮴 클로라이드, 징크 클로라이드, 징크 옥사이드, 머큐리 클로라이드, 머큐리 옥사이드, 아세트산 머큐리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 화합물 형태로 사용하는 것이 보다 바람직하나, II족 금속인 카드뮴, 아연 또는 수은을 포함하는 화합물이라면 제한되지 않고 사용될 수 있다.
상기 두 화합물의 혼합시에는 유기 용매를 사용하며, 유기 용매로는 1-옥타데센, 헥사데실아민, 트리옥틸아민, 트리옥틸포스핀옥사이드, 트리옥틸포스핀, 올레익엑시드 또는 올레일아민이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 두 화합물의 혼합시 유기 용매 이외에 불포화 지방산을 첨가하며, 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(myristic acid), 라우르산(lauric acid), 팔미트산(palmitic acid), 엘라이드산(elaidic acid), 에이코사논산(eicosanoic acid), 헤네이토사논산(heneicosanoic acid), 트리코사논산(tricosanoic acid), 도코사논산(docosanoic acid), 테트라코사논산(tetracosanoic acid), 헥사코사논산(hexacosanoic acid), 헵타코사논산(heptacosanoic acid), 옥타코사논산(octacosanoic acid) 또는 시스-13-도코세논산(cis-13-docosenoic acid)이 사용될 수 있으나, 불포화 지방산이라면 제한되지 않고 사용될 수 있다.
본 발명은 상기 제 1 단계에서 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물은 질소나 아르곤 분위기의 상압 및 100 ~ 350℃에서 10 ~ 600분 동안 가열한다. 상기와 같은 조건에서 가열하게 되면, 금속-불포화 지방산 착물이 형성된다. 이와 같이 금속을 착물로 형성하면 용매에 균일하게 분산된다. 상기에서 금속물질이 산소와 반응할 수 있기 때문에, 반응성이 없는 질소나 아르곤의 분위기의 상압 이하의 압력조건이 바람직하다. 또한, 온도가 100℃ 미만이면 착화합물 형성이 이루어지지 않으며, 350℃를 초과하게 되면 유기 화합물이 끓어 증발되거나 파괴되기 때문에, 상기와 같은 범위의 온도 조건을 이용하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 금속-불포화 지방산 착물이 형성되면, 여분의 산소나 물 및 끓는점이 낮은 불순물을 진공을 잡고 액체질소 트랩을 이용하여 제거한 후, 질소 또는 아르곤 가스 분위의 상압에서 100~350℃로 가열하는 제 2 단계를 거치게 된다. 상기에서 온도가 100℃ 미만이면 양자점의 형성이 힘들며, 350℃를 초과하면 유기 화합물이 끓어 증발되거나 파괴될 수 있기 때문에 상기 범위의 온도에서 가열하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 단계에서 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물과 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물의 함량비는 1:1 ~ 1:50(몰비)인 것이 바람직한데, 이는 몰비가 1:1 보다 작으면 장파장의 빛을 발하는 양자점이 형성되고, 몰비가 1:50 보다 높으면 단파장의 빛을 발하는 양자점이 형성되고, 반응성이 느린 물질도 중심을 형성하는 문제가 발생할 수 있기 때문이다. 이와 같이 몰비를 조절함으로서 형성되는 양자점의 파장대를 조절할 수 있다.
이후, 상기 가열된 혼합물은 중심을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물을 혼합하는 제 3 단계를 거치게 된다.
상기 VI족 원소는, 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 및 폴로늄(Po)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하며, 트리옥틸포스핀셀레늄, 트리옥틸포스핀황, 트리옥틸포스핀텔루륨, 트리옥틸포스핀폴로늄, 트리부틸포스핀셀레 늄, 트리부틸포스핀황, 트리부틸포스핀텔루륨, 트리부틸포스핀폴로늄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형태로 첨가되는 것이 보다 바람직하나, VI족 원소인 황, 셀레늄, 텔루륨, 폴로늄을 포함하는 물질이라면 제한되지 않고 사용될 수 있다. 제 3 단계에서 중심을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물과 껍질을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물의 함량비는 1:1 ~ 1:50(몰비 또는 부피비)인 것이 바람직한데, 이는 몰비가 1:1 보다 낮으면 장파장의 빛을 발하는 양자점이 형성되고, 몰비가 1:50 보다 높으면 단파장의 빛을 발하는 양자점이 형성되고, 반응성이 느린 물질도 껍질이 아닌 중심을 형성할 수 있기 때문이다. 즉, 중심을 형성하는 화합물이 반응성이 빨라서 먼저 형성되지만, 껍질을 형성하는 화합물이 너무나 많으면 모두다 껍질을 형성하지 않고, 따로 중심을 형성하는 경우가 발생하기 때문이다.
상기와 같이, 가열된 혼합물에 VI족 원소 함유 화합물을 첨가하게 되면, 혼합물이 첨가된 반응용기 내부에 먼저 반응속도가 빠른 II족 금속과 VI족 원소가 과포화 상태가 되어 석출됨으로써 중심을 형성하는 핵생성화 반응이 발생하는데, 이때 유사한 핵생성화 반응이 동시에 촉진되어 균일한 크기를 가지는 균일한 양자점 중심들이 생성된다.
이와 같이, VI족 원소 함유 화합물을 첨가하고 반응시킨 후에는 혼합물을 100~350℃로 유지한다. 이와 같이 온도를 유지하면서 계속적인 반응을 유도하면, 형성된 양자점 중심 표면에 중심을 형성하는 II족 금속과 VI족 원소, 껍질을 형성하는 II족 금속과 VI족 원소가 같이 반응하여 성장하게 되고, 10분 이후에는 반응 성이 보다 큰 II족 금속과 VI족 원소는 반응이 종료가 되며, 반응성이 낮은 II족 금속과 VI족 원소만이 반응하여 껍질을 형성한다.
이와 같이 본 발명의 방법에 따라 제조된 양자점은, II-VI족 화합물 중심 및 II-VI족 화합물 껍질 구조를 갖는 양자점으로서, 상기 껍질을 구성하는 II-VI족 화합물은 중심을 구성하는 II-VI족 화합물 보다 더 큰 밴드갭을 가지고 있고, 상기 II-VI족 화합물 껍질은 농도구배가 점진적으로 형성되어 이루어져 있다.
즉, 본 발명에 따라 제조된 양자점은 도 2에 나타난 바와 같이, 점진적 농도구배를 갖는 껍질구조를 지님으로써 중심에서 가장 낮은 전도밴드 끝(edge)과 가장 높은 공유밴드 끝을 가지며, 가장자리로 나아감에 따라 점진적으로 전도밴드 끝은 높아지고 공유밴드 끝은 낮아져 최외각에서 가장 높은 전이밴드 끝과 가장 낮은 공유밴드 끝을 가지고 있다.
상기와 같이 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 점진적인 농도구배를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 셀렌화카드뮴 중심 및 황화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
고체 상태의 99.998% 카드뮴옥사이드 0.0512g(0.4mmol)과 징크아세테이트 0.732g(4mmol) 및 올레익산 4.4ml(17.6mmol), 1-옥타데센(CH2=CH(CH2)15CH3) 13.6ml를 주사기, 온도기, 냉각기 등이 구비된 100ml 둥근바닥 플라스크(도 2 참조)에 넣고 기압 1 토르(torr)와 온도 200℃ 조건에서 20분간 가열하여 카드뮴-올레익산 착물과 징크-올레익산 착물을 합성하고, 이 화합물에 존재하는 여분의 산소를 제거하였다.
이 후, 1 기압(atm)의 질소(N2) 가스 분위기 하에서 320℃로 가열하였고, 셀레늄을 트리옥틸포스핀에 용해시켜 형성한 트리옥틸포스핀셀레늄 2M 용액 0.2ml와 황을 트리옥틸포스핀에 용해시켜 형성한 트리옥틸포스핀황 2M 용액 1.8ml를 섞은 2ml의 혼합용액을 320℃로 가열되어 있는 반응용기에 빠르게 주입하였다. 이때, 반응용기 내부에 반응속도가 빠른 카드뮴과 셀레늄이 과포화 상태가 되어 석출되는 반응이 일어나는데, 이때 유사한 핵생성화 반응을 촉진되어 하여 균일한 셀렌화카드뮴(CdSe) 핵들이 생성된다.
이 후, 반응용기의 온도를 300℃로 유지하면서 계속적인 반응을 유도하면, 형성된 셀렌화카드뮴 표면에 카드뮴과 셀레늄, 아연과 황이 같이 반응하여 성장하게 되고, 일정 시간 이후 카드뮴과 셀레늄은 반응이 종료가 되며 아연과 황만이 반응하여 황화아연 껍질을 형성함으로써, 셀렌화카드뮴 중심/농도구배를 갖는 황화아 연 껍질 구조를 지니는 양자점을 형성된다.
상기 중심/농도구배를 갖는 껍질 구조의 양자점의 반응을 종결한 후, 반응용기의 온도를 상온으로 낮추고 아세톤을 첨가하여 양자점을 침전시키고, 원심분리기를 이용하여 원심분리하여 이를 분리한 후, 아세톤을 이용하여 3회(약 20ml사용) 세척하였고, 진공하에서 건조시켜, 셀렌화카드뮴 중심/황화아연 껍질 구조를 가지는 양자점을 형성하였다.
[실시예 2] 셀렌화카드뮴 중심 및 셀렌화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀셀레늄 2M 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 3] 텔루륨화카드뮴 중심 및 황화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀텔루륨 2M 용액 0.2ml과 트리옥틸포스핀황 2M 용액 1.8ml를 섞은 혼합 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 4] 텔루륨화카드뮴 중심 및 셀렌화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀텔루륨 2M 용액 0.2ml과 트리옥틸포스핀셀레늄 2M 용액 1.8ml를 섞은 혼합 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 5] 텔루륨화카드뮴 중심 및 텔루륨화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀텔루륨 2M 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 6] 텔루륨화카드뮴 중심 및 황화카드뮴 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 카드뮴옥사이드 0.0512g(0.4mmol)과 징크아세테이트 0.732g(4mmol), 올레익산 4.4ml(17.6mmol), 1-옥타데센 13.6ml 대신 카드뮴옥사이드 0.512g(4mmol)과 올레익산 4ml(16mmol), 1-옥타데센 14ml를 사용하였으며, 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀텔루륨 2M 용액 0.2ml과 트리옥틸포스핀황 2M 용액 1.8ml를 섞은 혼합 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 7] 황화카드뮴 중심 및 황화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀황 2M 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[실시예 8] 셀렌화아연 중심 및 황화아연 껍질을 갖는 양자점의 합성
상기 실시예 1의 카드뮴옥사이드 0.0512g(0.4mmol)과 징크아세테이트 0.732g(4mmol), 올레익산 4.4ml(17.6mmol), 1-옥타데센 13.6ml 대신 징크아세테이트 7.32g (4mmol)과 올레익산 4ml (16mmol), 1-옥타데센 14ml를 사용하였으며, 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황 혼합 용액 대신 트리옥틸포스핀셀레늄 2M 용액 0.2ml과 트리옥틸포스핀황 2M 용액 1.8ml를 섞은 혼합 용액 2ml을 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 양자점을 제조하였다.
[시험예] 셀렌화카드뮴 중심 및 황화아연 껍질을 갖는 양자점의 반경에 따른 성분 분포 분석과 양자 발광 효율 비교
상기 실시예 1의 방법에 따른 셀렌화카드뮴 중심/농도구배를 갖는 황화아연 껍질의 제조 과정에서 트리옥틸포스핀셀레늄과 트리옥틸포스핀황을 반응기에 주입한 이후 10초, 1분, 3분, 5분, 10분이 지났을 때, 유리 주사기를 이용하여 반응물 0.5ml를 채취하여 3번에 걸쳐 정제한 다음 헥산에 분산시켰다.
시간에 따른 양자점의 일부를 TEM 그리드(Jeol 사 제품)에 채취하여 JEM-3010(Jeol 사 제품)를 이용하여 TEM 분석을 수행하였고, 그 결과를 도 3에 나타내 었다. 또한, 각 양자점의 성분을 분석하기 위하여 양자점을 질산 1ml에 분산시킨 다음 물 19ml을 첨가하여 이온상태로 다 녹인 다음 ICP-Atomic Emission Spectrometer(Shimadzu 사 제품)를 이용하여 성분분석을 하였고, 이를 위 TEM 결과와 반경에 따른 Cd과 Zn의 성분을 도 4에 그래프로 나타내었다. 그리고, 시간에 따른 양자점의 발광 효율을 Agilent 8454 UV Spectrometer(Agilent 사 제품)과 Acton photomultiplier spectrometer(Acton 사 제품)을 이용하여 측정하였다. 각 양자점 용액의 흡광도와 형광 세기를 측정하여 이를 로다민6G(Rhodamine 6G) 색소를 이용하여 상대 비교하여 측정하였고 이를 도 5에 나타내었다.
도 3에 나타난 바에 따르면, 양자점이 반응함에 따라 성장해 나아가며, 구형의 모양으로 매우 균일한 크기 분포를 가짐을 알 수 있었다.
또한, 도 4에 나타난 바에 따르면, 양자점이 성장하면서 Cd이 주로 반응하여 중심을 형성하고, 이후 Zn이 따라 성장하기 시작하면서 기울기를 가지는 껍질을 형성한 이후, Zn 위주로 성장하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 6에 나타난 바에 따르면, 양자점의 화학조성기울기를 가지는 껍질이 형성되면서 발광효율이 점차적으로 증가하기 시작하는 것을 확인할 수 있었으며, 중심/농도구배를 갖는 껍질 형성 5분 이후에는 발광효율이 80%에 이르는 것을 알 수 있었다.
본 발명에 의한 양자점 제조 방법은, 중심을 형성한 이후 정제과정과 재분산 과정을 거친 이후 껍질을 형성해야만 했던 비경제적이고 비효율적인 기존의 방법과는 달리, 반도체 전구체의 반응성 차이를 이용하여 단시간 내에 경제적으로 양자점을 형성하는 장점을 지니고 있다. 또한, 형성된 양자점은 중심의 형성 이후에 기울기를 지니는 껍질이 형성됨으로써, 껍질을 두껍게 형성해도 중심/껍질 양자점이 지니고 있던 격자간 불일치의 문제가 나타나지 않으며 나아가 껍질 부분에 의하여 흡수된 전자와 정공이 중심부분으로 흘러들어가서 빛을 발하는 훤넬 개념이 적용되기 때문에, 발광 효율이 80% 이상에 이르는 높은 효율을 지닌다. 또한, 사용된 계면활성제를 최소화함으로써 양자점 제조 이후 정제가 용이하며, 합성된 양자점의 표면 치환 또한 용이하기 때문에 이를 이용하여 다른 환경에 적용할 수 있는 효과를 가지고 있다. 이와 같은 본 발명의 중심/화학조성기울기를 가지는 껍질 구조를 지닌 양자점은 기존의 중심/껍질과는 다른 구조를 지닌 새로운 개념의 양자점으로써, II-IV족에 국한되지 않고, III-V족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있는 것으로서, 새로운 물성의 반도체 양자점 개발에 사용될 수 있고, 다양한 분양에 적용될 수 있다.

Claims (7)

  1. II-VI족 화합물 중심 및 II-VI족 화합물 껍질 구조를 갖는 양자점으로서,
    상기 껍질을 구성하는 II-VI족 화합물은 중심을 구성하는 II-VI족 화합물 보다 더 큰 밴드갭을 가지고 있고,
    상기 II-VI족 화합물 껍질은 농도구배가 점진적으로 형성되어 이루어지며,
    중심 및 껍질을 구성하는 II족 금속 및 VI족 원소의 하나 이상이 서로 상이한 것을 특징으로 하는
    양자점.
  2. 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물을 혼합한 후 가열하는 제 1 단계;
    상기 혼합물을 100 ~ 350℃로 가열하는 제 2 단계;
    상기 가열된 혼합물에 중심을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물을 혼합하는 제 3 단계; 및
    상기 제 3 단계 혼합물을 100 ~ 350℃에서 유지시켜 기울기를 갖는 껍질 구조를 형성시키는 제 4 단계를 포함하며,
    중심 및 껍질을 구성하는 II족 금속 및 VI족 원소의 하나 이상이 서로 상이한 것을 특징으로 하는
    는 제1항 기재의 양자점 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 II족 금속은, 아연, 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는
    양자점 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    제 1 단계에서 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물 및 껍질을 형성하는 II족 금속 함유 화합물을 질소 또는 아르곤 분위기의 상압 이하의 압력조건 및 100 ~ 350℃의 온도조건에서 10~600분 동안 가열시키는 것을 특징으로 하는
    양자점 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    제 1 단계에서 중심을 형성하는 II족 금속 함유 화합물과 껍질을 형성하는 II족 원소 함유 화합물의 함량비가 1:1 ~ 1:50(몰비)인 것을 특징으로 하는
    양자점 제조 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 VI족 원소는, 황, 셀레늄, 텔루륨 및 폴로늄으로 이루어진 군에서 선택 되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는
    양자점 제조 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    제 3 단계에서 중심을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물과 껍질을 형성하는 VI족 원소 함유 화합물의 함량비가 1:1 ~ 1:50(몰비)인 것을 특징으로 하는
    양자점 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101797366B1 (ko) 2016-06-16 2017-11-13 아주대학교산학협력단 양자점의 제조 방법
US11365348B2 (en) 2018-01-11 2022-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same
US12517291B2 (en) 2021-03-05 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Luminescent nanostrucure, and color conversion panel and electronic device including the same

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8454927B2 (en) * 2004-08-04 2013-06-04 Crystalplex Corporation Alloyed semiconductor nanocrystals
JP2010535692A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ カドミウムおよびセレン含有ナノ結晶複合材料を形成する方法ならびに該方法から得られるナノ結晶複合材料
KR101619292B1 (ko) 2008-06-17 2016-05-10 내셔날 리서치 카운실 오브 캐나다 원자 양자점
RU2381304C1 (ru) * 2008-08-21 2010-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
KR101147840B1 (ko) * 2008-10-27 2012-05-21 한국기계연구원 복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법
CA2775324C (en) 2009-09-23 2018-05-15 Crystalplex Corporation Passivated nanoparticles
US20110076839A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 Xiaofan Ren Making films composed of semiconductor nanocrystals
KR101664180B1 (ko) * 2010-03-22 2016-10-12 삼성디스플레이 주식회사 양자점 제조 방법
FR2966474B1 (fr) * 2010-10-25 2013-12-20 Solarwell Procede de fabrication d'un materiau nanocristallin
KR101498754B1 (ko) * 2011-03-04 2015-03-05 주식회사 나노스퀘어 코어-쉘 구조의 양자점 자동 제조 장치
WO2012138410A1 (en) * 2011-04-02 2012-10-11 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
WO2012158832A2 (en) 2011-05-16 2012-11-22 Qd Vision, Inc. Method for preparing semiconductor nanocrystals
US20140339497A1 (en) * 2011-06-20 2014-11-20 Crystalplex Corporation Stabilized nanocrystals
KR20130031157A (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 엘지이노텍 주식회사 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법
KR101371883B1 (ko) * 2011-09-20 2014-03-07 엘지이노텍 주식회사 나노 입자, 이를 포함하는 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법
WO2013052541A2 (en) 2011-10-04 2013-04-11 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Quantum dots, rods, wires, sheets, and ribbons, and uses thereof
US8784703B2 (en) 2011-10-18 2014-07-22 Eastman Kodak Company Method of making highly-confined semiconductor nanocrystals
WO2013058900A1 (en) 2011-10-18 2013-04-25 Eastman Kodak Company Highly-confined semiconductor nanocrystals
US20130092883A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Keith Brian Kahen Highly-confined semiconductor nanocrystals
US10008631B2 (en) * 2011-11-22 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Coated semiconductor nanocrystals and products including same
WO2013078249A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision Inc. Method of making quantum dots
WO2013078242A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Methods for coating semiconductor nanocrystals
WO2013078245A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Method of making quantum dots
WO2013162646A1 (en) * 2012-04-22 2013-10-31 Qd Vision, Inc. Coated semiconductor nanocrystals and products including same
WO2013078247A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Methods of coating semiconductor nanocrystals, semiconductor nanocrystals, and products including same
KR101960469B1 (ko) 2012-02-05 2019-03-20 삼성전자주식회사 반도체 나노결정, 그의 제조 방법, 조성물 및 제품
DE102012215421B4 (de) * 2012-08-30 2019-08-29 Centrum Für Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kern/Schale-Nanopartikeln
US20150315721A1 (en) * 2012-12-10 2015-11-05 Xinhua Zhong One step synthesis of core/shell nanocrystal quantum dots
KR101444236B1 (ko) * 2012-12-11 2014-09-26 (주)에코플럭스 가압합성법을 이용한 양자점의 합성방법
JP6335272B2 (ja) 2013-03-14 2018-05-30 ショウエイ エレクトロニック マテリアルズ，インク．Ｓｈｏｅｉ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ． ナノ粒子合成用の連続フロー反応器
USRE48454E1 (en) 2013-03-14 2021-03-02 Shoei Electronic Materials, Inc. Continuous flow reactor for the synthesis of nanoparticles
US9617472B2 (en) 2013-03-15 2017-04-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystals, a method for coating semiconductor nanocrystals, and products including same
US9559322B2 (en) 2013-04-05 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, methods of manufacturing quantum dots and methods of manufacturing organic light emitting display devices using the same
WO2015021290A1 (en) * 2013-08-07 2015-02-12 Research Foundation For The State University Of New York Colloidal nanocrystals and method of making
CN103421513B (zh) * 2013-08-16 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种白光量子点复合颗粒及其制备方法
JP2017503901A (ja) * 2013-10-17 2017-02-02 ナノフォトニカ，インコーポレイテッド 発光するための量子ドット及びその合成方法
CN110611038A (zh) 2013-12-12 2019-12-24 内诺光学有限公司 提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构
JP6434039B2 (ja) * 2014-02-04 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 無機マトリクス内に無機リガンドを有する量子ドット
CN103887152B (zh) * 2014-04-04 2016-06-08 北京理工大学 一种半导体中异价金属离子掺杂的方法
US10995267B2 (en) 2014-05-29 2021-05-04 Crystalplex Corporation Dispersion system for quantum dots having organic coatings comprising free polar and non-polar groups
KR101645195B1 (ko) * 2014-11-18 2016-08-04 주식회사 상보 합금-쉘 양자점 제조 방법, 합금-쉘 양자점 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9890329B2 (en) * 2015-05-14 2018-02-13 National Tsing Hua University Quantum dot nanocrystal structure
EP3329516B1 (en) * 2015-07-30 2020-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Low cadmium nanocrystalline quantum dot heterostructure
KR101631489B1 (ko) * 2015-08-21 2016-06-17 주식회사 두하누리 양자점과 고분자의 복합체 및 이의 제조방법
WO2017096227A1 (en) 2015-12-02 2017-06-08 Nanosys, Inc. Quantum dot based color conversion layer in display devices
US10056533B2 (en) 2015-12-02 2018-08-21 Nanosys, Inc. Quantum dot encapsulation techniques
CN109075222B (zh) 2016-04-26 2021-09-24 昭荣化学工业株式会社 量子点材料及量子点材料的制造方法
US20190177615A1 (en) 2016-05-19 2019-06-13 Crystalplex Corporation Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them
KR102342801B1 (ko) 2016-05-25 2021-12-22 고려대학교 세종산학협력단 글라임 용매를 기반으로 하는 CdSe 코어를 포함하는 코어-쉘 구조 제조방법 및 이로부터 제조된 CdSe 코어를 포함하는 코어-쉘 구조
JP6815602B2 (ja) * 2016-11-01 2021-01-20 スタンレー電気株式会社 量子ドット
CN108269934A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 Tcl集团股份有限公司 一种纳米材料、制备方法及半导体器件
CN108264901B (zh) * 2016-12-30 2022-08-05 Tcl科技集团股份有限公司 具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件
CN108264900A (zh) 2016-12-30 2018-07-10 Tcl集团股份有限公司 一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件
CN108269886B (zh) * 2016-12-30 2019-12-10 Tcl集团股份有限公司 一种量子点材料、制备方法及半导体器件
US10096743B1 (en) * 2017-05-26 2018-10-09 Unique Materials Co., Ltd. Gigantic quantum dots
US10711193B2 (en) * 2017-12-01 2020-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and production methods thereof, and quantum dot polymer composites and electronic devices including the same
US11499095B2 (en) * 2017-12-29 2022-11-15 Tcl Technology Group Corporation Quantum dot, preparation method therefor and use thereof
CN108365077B (zh) * 2018-02-09 2019-08-02 深圳市鹏信捷通科技有限公司 一种高色域背光模组
WO2020208810A1 (ja) * 2019-04-12 2020-10-15 シャープ株式会社 発光素子、表示装置および発光素子の製造方法
US12317669B2 (en) * 2019-07-04 2025-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting element for improving electron transport efficiency
US12150359B2 (en) * 2019-10-02 2024-11-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
KR102718897B1 (ko) * 2019-10-31 2024-10-16 삼성전자주식회사 발광 소자, 그 제조방법 및 이를 포함한 표시 장치
CN111423870A (zh) 2020-03-30 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点结构、其制作方法及量子点发光器件
KR102798315B1 (ko) * 2020-06-02 2025-04-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
CN113903873B (zh) * 2020-06-22 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光面板、显示装置和制作方法
KR102401218B1 (ko) * 2020-07-08 2022-05-23 한화솔루션 주식회사 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 그로부터 제조된 페로브스카이트 태양전지
US12497289B2 (en) * 2020-07-13 2025-12-16 Sharp Kabushiki Kaisha Quantum dot, self-luminous device, and method for manufacturing quantum dot
US20230380202A1 (en) * 2020-09-18 2023-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
KR102914549B1 (ko) * 2020-10-15 2026-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN112103397A (zh) * 2020-10-16 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置
CN116508412A (zh) * 2020-10-22 2023-07-28 纳米系统公司 具有混合传输层的电致发光装置
KR20220062213A (ko) * 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 반도체 나노입자, 이를 포함한 전자 장치 및 상기 반도체 나노입자의 제조 방법
KR102893541B1 (ko) * 2021-01-07 2025-12-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시 장치
US11825672B2 (en) * 2021-08-18 2023-11-21 Sharp Display Technology Corporation Quantum dot light-emitting apparatus for enhancing QD charge balance
WO2023024059A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN115274758A (zh) * 2022-07-11 2022-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点基板及其制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030092227A1 (en) * 2001-09-21 2003-05-15 Lee Jang-Eun Method of forming a quantum dot and a gate electrode using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100268936B1 (ko) * 1997-12-16 2000-10-16 김영환 반도체 소자의 양자점 형성 방법
EP1409240B1 (en) * 2001-07-20 2012-05-09 Life Technologies Corporation Luminescent nanoparticles and methods for their preparation
US7554109B2 (en) * 2003-09-05 2009-06-30 Dot Metrics Technology, Inc. Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture
KR100657639B1 (ko) * 2004-12-13 2006-12-14 재단법인서울대학교산학협력재단 반도체 양자점의 대량 합성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030092227A1 (en) * 2001-09-21 2003-05-15 Lee Jang-Eun Method of forming a quantum dot and a gate electrode using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101797366B1 (ko) 2016-06-16 2017-11-13 아주대학교산학협력단 양자점의 제조 방법
US11365348B2 (en) 2018-01-11 2022-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same
US12517291B2 (en) 2021-03-05 2026-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Luminescent nanostrucure, and color conversion panel and electronic device including the same

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