KR100803162B1 - 교류용 발광소자 - Google Patents
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- H10W72/07554—
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- H10W72/547—
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- 적어도 네 개의 기판;상기 기판들 상에 각각 위치하고, 복수개의 발광셀들이 직렬 연결된 직렬 어레이;상기 기판들 중에서 서로 다른 기판들 상의 직렬 어레이들을 전기적으로 연결하는 제1 연결수단들; 및적어도 하나의 제2 연결수단을 포함하되,상기 제1 연결수단들에 의해 각각 적어도 두 개의 직렬 어레이들이 서로 직렬 연결된 적어도 두 개의 어레이군들이 형성되고,상기 적어도 두 개의 어레이군들이 서로 역병렬로 연결되어 동작하고,상기 적어도 하나의 제2 연결수단은 서로 역병렬로 연결된 상기 어레이군들 내의 대응하는 제1 연결수단들을 전기적으로 연결하여, 동작시 역방향 전압이 인가된 어레이군 내의 특정 어레이에 과전압이 인가되는 것을 방지하는 교류용 발광소자.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 기판들 상에 각각 위치하고, 상기 직렬 어레이의 양단에 각각 전기적으로 연결된 본딩 패드들을 더 포함하고, 상기 제1 연결수단들은 상기 본딩 패드들을 연결하는 것을 특징으로 하는 교류용 발광소자.
- 청구항 3에 있어서,상기 제1 연결수단들은 상기 본딩 패드들을 직접 연결하는 본딩와이어인 것을 특징으로 하는 교류용 발광소자.
- 청구항 3에 있어서,상기 제1 연결수단들은 패키지의 리드 전극을 포함하는 교류용 발광 소자.
- 적어도 두 개의 기판;상기 기판들 상에 각각 위치하고, 복수개의 발광셀들이 직렬 연결되어 형성되고, 서로 역병렬로 연결된 제1 및 제2 직렬 어레이;서로 다른 기판들 상의 직렬 어레이들을 서로 전기적으로 연결하여 적어도 두 개의 어레이군들을 형성하는 제1 연결수단; 및상기 기판들 상에 각각 형성되어, 역병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 직렬 어레이 사이에서 대응하는 발광셀들을 전기적으로 연결하는 제2 연결수단들을 포함하는 교류용 발광소자.
- 청구항 6에 있어서,상기 제1 연결수단은 서로 다른 기판들 상의 직렬 어레이들을 연결하는 본딩와이어인 것을 특징으로 하는 교류용 발광소자.
- 청구항 7에 있어서,상기 제1 연결수단은 패키지의 리드 전극을 포함하는 교류용 발광 소자.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060114553A KR100803162B1 (ko) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 교류용 발광소자 |
| EP07808062A EP2057694A4 (en) | 2006-11-20 | 2007-09-05 | LUMINAIRE ELEMENT FOR AC POWER OPERATION |
| JP2009537066A JP5706614B2 (ja) | 2006-11-20 | 2007-09-05 | 交流駆動型の発光素子 |
| US12/442,800 US8129917B2 (en) | 2006-11-20 | 2007-09-05 | Light emitting device for AC operation |
| PCT/KR2007/004268 WO2008062941A1 (en) | 2006-11-20 | 2007-09-05 | Light emitting device for ac operation |
| US13/361,631 US8339059B2 (en) | 2006-11-20 | 2012-01-30 | Light emitting device for AC operation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060114553A KR100803162B1 (ko) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 교류용 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100803162B1 true KR100803162B1 (ko) | 2008-02-14 |
Family
ID=39343164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060114553A Expired - Fee Related KR100803162B1 (ko) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 교류용 발광소자 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8129917B2 (ko) |
| EP (1) | EP2057694A4 (ko) |
| JP (1) | JP5706614B2 (ko) |
| KR (1) | KR100803162B1 (ko) |
| WO (1) | WO2008062941A1 (ko) |
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| EP2057694A4 (en) | 2011-05-25 |
| JP2010510651A (ja) | 2010-04-02 |
| EP2057694A1 (en) | 2009-05-13 |
| JP5706614B2 (ja) | 2015-04-22 |
| US20120127718A1 (en) | 2012-05-24 |
| WO2008062941A1 (en) | 2008-05-29 |
| US8339059B2 (en) | 2012-12-25 |
| US8129917B2 (en) | 2012-03-06 |
| US20100072905A1 (en) | 2010-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction |
St.27 status event code: A-5-5-P10-P19-oth-PG1701 Patent document republication publication date: 20080410 Republication note text: Request for Correction Notice (Document Request) Gazette number: 1008031620000 Gazette reference publication date: 20080214 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121217 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131211 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150112 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161212 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171211 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20200205 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20200205 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |