KR100711203B1

KR100711203B1 - 산화아연을 이용한 ｐ형-진성-ｎ형 구조의 발광 다이오드제조방법

Info

Publication number: KR100711203B1
Application number: KR1020050077109A
Authority: KR
Inventors: 최원국; 정연식
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2005-08-23
Filing date: 2005-08-23
Publication date: 2007-04-24
Anticipated expiration: 2025-08-23
Also published as: JP2009506529A; KR20070022991A; WO2007024041A1; US20080233670A1

Abstract

본 발명은 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 새로운 구리 금속이 첨가된 p-형 산화아연 박막 제작기술과 이를 이용한 발광 다이오드, 전기 및 자기 디바이스 등의 응용에 관한 것이다.

본 발명의 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법은 사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정; 상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정; 상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정; 상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정; 습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및 상기 결과물을 후 열처리하는 제6공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

산화아연 반도체, 산화아연 박막, 이온주입, 구리금속, 발광 다이오드

Description

산화아연을 이용한 ｐ형-진성-ｎ형 구조의 발광 다이오드 제조방법{The method for fabricating p-type, intrinsic and n-type composite light emitting diode using ZnO}

도 1은 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고순도 산화아연 박막증착을 위한 저온 버퍼층의 고에너지 전자회절 반사패턴이다.

도 2는 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 고에너지 전자회절 반사패턴이다.

도 3은 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 전하농도에 따른 X선 ZnO 피크에 대한 ω로킹 곡선이다.

도 4는 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 전자농도와 전기 이동도의 변화곡선이다.

도 5는 본 발명의 분자선 증착 및 이온주입을 이용한 발광 다이오드 제조방법 및 개략적인 다이오드의 구조이다.

도 6은 본 발명의 후 열처리한 후에 측정한 전류-전압 특성곡선이다.

산화아연(ZnO)은 상온에서 3.37eV의 근 자외선 영역의 광학적 밴드 갭과 60 meV의 큰 엑시톤 결합 에너지를 가지고 있기 때문에 ZnSe(21meV), GaN(28meV) 등에 비하여 광효율이 우수한 엑시톤을 이용한 광소자 용으로써 중요한 재료로 부각되고 있다. 그리고, 광이득이 300cm^-1로서 기존의 GaN의 100cm^-1에 비하여 3배 이상 크고, 포화속도(saturation velocity, v_s)도 GaN에 비하여 크기 때문에 실제의 전자소자응용시 장점을 가지고 있다. 또한, 레이징에 필요한 문턱 에너지(J_th(W/cm²))도 역시 작아 효율적인 것으로 알려지고 있다. 이러한 우수한 광특성을 가지고 있기 때문에 현재 파란색 또는 근 자외선 영역에서의 새로운 광원으로 각광받고 있으나, 발광 다이오드나 레이저 다이오드의 응용에 필요한 기본적인 p-n 접합구조를 위한 안정적인 p형 제조기술이 아직까지 확립되어 있지 않아 그 실용화에 시간이 필요한 상황이다.

2~6족 화합물 중 산화물 반도체에 속하는 산화아연은 제작시 산소 결핍 또는 과다아연 금속 등으로 생기는 산소 공공(vacancy) 또는 침입형(interstitial) 아연 결함 등에 기인하여 전기적으로 n형을 띠는 n형 반도체로 제작된다. 이러한 성질로 인하여 p형의 반도체를 제작하기 위해서는 이러한 n형의 전기를 띠게 하는 결함, 불순물 등으로 인한 전기적 성질을 상쇄 보상(compensation)을 통하여 중성화시킨 후에 잔여 도핑된 불순물에 의한 p형 반도체의 제작을 기대할 수 있다. 이러한 p형 산화아연 반도체 제작을 위한 불순물 소스 재료로는 5족 원소가 6족의 산소를 치환하여 정공(hole)에 의한 전기전도가 일어나는 것과 같은 상황을 만들 수 있어야 한다. 이에, 일반적으로 5족 원소인 N, P, As, Sb 등의 원소가 p형 산화아연 제작에 필요한 도핑 물질로 알려지고 있다.

그러나, 산화아연을 이용한 고효율 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 제작하기 위해서는 재현성 있는 우수한 성질의 p형 산화아연 박막을 제작할 수 있는 기술개발이 필수적이다. 현재, 5족 원소를 이용한 p형 산화아연 박막의 제작에 있어 문제점으로 여겨지고 있는 것은 다음과 같다.

첫째, N, P, As 및 Sb 등의 5족 원소들은 낮은 온도에서 용해도 (solubility)가 높으나 높은 온도에서는 급격히 감소한다. 따라서, 고 품위의 산화아연 제작을 위해서는 고온에서의 결정 성장을 통한 우수한 결정구조를 가지는 전기 이동도가 우수한 산화아연 박막을 제작하는 것이 일반적으로 알려진 방법이나, 고온에서의 성장시 5족 원소들의 낮은 용해도로 인하여 고농도의 p형 불순물을 제작하기 어려운 난점이 있다.

둘째, 산화 아연 박막은 주로 부루짜이트(Wurzite) 결정구조를 가지고 있기 때문에 다른 원소들의 도핑이 용이한 상황이다. 그러나, 5족 원소들이 불순물로 도핑이 되는 경우에 비교적 낮은 온도에서 여러 가지 결정구조를 가지는 화합물의 형태 또는 클러스터 등으로 존재하게 된다. 이러한 상이한 결정구조는 전기적인 성질 및 공학적 성질을 변화시킬 뿐만 아니라, n형 도우판트이 역할을 하게 되는 경우도 있어 상쇄보상보다는 역상쇄 보상효과를 가져오게 되는 결과를 보이게 되어 이를 잘 조절하는 것이 어렵다.

이에 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 5족 원소들의 단점을 개선할 수 있는 근본적으로 고온에서 고밀도로 용해가 가능한 도우판트의 선택과 이의 용해를 통한 p형 산화아연 박막기술을 개발하고 이를 이용한 다이오드 구조의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정; 상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정; 상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정; 상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정; 습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및 상기 결과물을 후 열처리하는 제6공정;을 포함하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법을 제시한다.

이하, 본 발명의 실시예에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.

사파이어 단결정은 그 가격이 비교적 저렴하여 SiC등과 함께 GaN 등의 광소자를 제작하기 위해 많이 사용되고 있다. 하지만, 산화아연과의 기판 불일치가 18.6% 정도로 매우 커서 이로 인한 경계면에서의 결함(defect), 전위(dislocation) 등의 형성율이 많아 광소자로 사용될 산화아연 박막의 결정특성을 감소시키는 주요원인이 된다. 따라서, 이를 감소시킬 수 있는 방법으로 저온에서 동종의 재료를 이용한 버퍼층을 이용하는 것은 흔히 알려져 있는 바이다.

도 1은 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고순도 산화아연 박막증착을 위한 저온 버퍼층의 고에너지 전자회절 반사패턴이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 사파이어 단결정 면 위에 고품격의 산화아연 박막을 성장시키기 위하여 500℃의 비교적 저온으로 사파이어 기판의 온도를 유지하고, Knudsen cell을 이용하여 아연금속을 분자선 증착법으로 성장하면서 고주파 방전을 이용하여 생성된 산소 라디칼들을 동시에 기판 쪽으로 불어넣어 주는 라디칼 빔 보조 분자선 증착법(Radical beam Assisted Molecular Beam Epitaxy : RA-MBE)으로 성장시킨 저온 버퍼 산화아연의 성장형태를 나타낸 그림이다. 즉, 다층의 n, p형 산화아연 박막층의 성장을 위하여 버퍼층이 가져야하는 큰 2가지 성질은 상위층의 결정성 증대 및 다층 박막 간의 경계면에서의 이상적 물리적 접합특성을 위하여 표면 거칠기가 매우 평탄해야 한다.

버퍼층의 두께를 5~20nm로 변화해 가면서 성장 모드를 알아보기 위한 고에너지 전자빔 회절 반사패턴(RHEED: Reflection of High Energy Electron Diffraction)이다. (a)와 같이 두께가 8nm가 되면 RHEED가 매우 스트릭하고 선명하게 나타내어져 2차원 성장 모드가 됨을 알 수 있으나, 그 위에 성장된 산화아연 박막의 결정성은 그다지 완벽하지 않음을 알 수 있다.

그러나, (b)와 같이 15nm 두께까지 키우면 RHEED패턴에서 도트 모양이 측정 되어 3차원의 성장 모드를 보이지만, 이를 진공에서 800℃에서 30분간 열처리하면 RHEED 패턴이 스트릭하게 변하고 이 위에 720~760℃의 기판 온도에서 증착된 도핑이 되지 않은 산화아연 박막의 경우에는 X선 회절 피크중 ZnO에 대한 ω로킹(rocking) 곡선의 반폭값이 86~92arcsec로 매우 우수한 박막을 얻을 수 있었다. 또한, 도핑하지 않은 산화아연 박막의 표면 거칠기는 1.9nm 미만으로 매우 평탄함을 알 수 있다. 즉, 산화아연 박막을 이용한 버퍼층의 두께 및 진공 열처리가 산화아연 박막의 결정성을 크게 향상시켰음을 알 수 있다.

도 2는 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 고에너지 전자회절 반사패턴이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 15nm의 동종 버퍼층 위에 발광 다이오드에 필요한 고농도 n형 산화아연 박막의 성장을 위하여, 도핑 불순물로는 갈륨(Ga) 을 사용하여 그 농도에 따른 표면 거칠기의 변화를 보여주고 있다. 갈륨을 사용한 이유는 이온 반경 62pm(1pm=10^-12m)로 Al(50pm), In(81pm) 등에 비하여, Zn 금속(74pm)에 매우 흡사할 뿐만 아니라, Ga-O의 공유 결합길이가 1.92Å으로 Al-O(2.3Å), In-O(2.1Å)에 비하여 Zn-O(1.97Å)에 매우 흡사하여 가장 효과적으로 Zn를 치환할 수 있는 원소이기 때문이다.

(a)는 전자농도 n_e=1×10¹⁸/cm³인 Ga:ZnO 박막의 성장시 표면 평편도를 나타내는 고에너지 전자회절 반사패턴이다. 매우 밝게 빛나는 긴 선 모양의 회절 반사 무늬로부터 성장하는 Ga:ZnO 박막의 표면이 매우 평평하게 성장하는 모습을 나타낸다. 즉, 2차원으로 잘 성장하는 형상을 보여주고 있다.

(b)와 (c)는 각각 n_e=1×10¹⁹/cm³, n_e=2.5×10²⁰/cm³ 인 Ga:ZnO 박막에 대한 회절 반사패턴이다. (a)의 경우와는 달리 긴 선 모양의 무늬에 밝은 점 모양의 무늬가 겹쳐서 보이는데, 이러한 점 모양의 무늬들은 박막 성장시 3차원 형상의 입자들로부터 전자빔이 회절된 무늬로서, 이는 박막 증착시 원자들이 작은 핵을 형성하고 입계로 성장하면서 2차원적인 성장 대신 3차원적인 성장을 하고 있음을 직접적으로 보여주고 있다. 이러한 3차원 성장 모드는 다층 박막층으로 이루어진 발광 다이오드의 구조 형성에는 매우 나쁜 영향을 미치게 된다. 즉, 전기적으로 전장의 세기가 집중되거나 전류의 흐름이 집중되어 전기소자의 단락을 일으키는 근본적인 원인으로 작용하며, 빛의 방출시 산란되어 빛의 세기를 약화시키는 단점을 유발하게 된다. 따라서, (a)와 같은 2차원적으로 아주 평평한(n_e=1×10¹⁸/cm³) Ga:ZnO 박막이 n형 산화아연층으로 유리하게 사용될 수 있다.

도 3은 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 전하농도에 따른 X선 ZnO 피크에 대한 ω로킹 곡선이다. 도 3에 도시된 바와 같이, ZnO X선 회절 피크에 대한 ω록킹 곡선을 나타내는 것으로 그 반폭치를 측정하여 비교하였다.

Ga을 포함하고 있지 않은 박막의 경우에는 (a)와 같이 85arcsec로 매우 작은 값을 보이고 있음을 알 수 있고, 이는 ZnO 박막이 거의 단결정 수준으로 사파이어 기판 위에 적층 성장되어 있음을 보여주고 있다.

한편, Ga:ZnO(n_e=1×10¹⁸/cm³)의 경우에는 (b)와 같이 316arcsec까지 약 4배 정도로 크게 증가하고 있음을 알 수 있다. 이는 Ga이 Zn자리를 치환하면서 국부적으로 산소와의 결합거리가 변하고 전체적으로 ZnO의 결정성이 약간 나빠지고 있음을 알 수 있다. 이러한 반폭치의 증가는 대부분 도핑의 경우에 흔히 관찰되는 현상이다. 전자의 농도가 (c)의 n_e=1×10¹⁹/cm³와 (d)의 2.5×10²⁰/cm³으로 증가함에 따라 로킹 곡선의 반폭치는 각각 324arcsec, 366arcsec로 조금 더 증가함을 보여주고 있다.

도 4는 본 발명의 분자선 증착법을 이용한 고농도 n형 갈륨 도핑된 산화아연 박막의 전자농도와 전기 이동도의 변화곡선이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 비저항 값의 변화와 전자의 농도에 따른 전기 이동도의 변화를 보여주고 있다.

(a)는 비저항 값의 변화를 보여주고 있는데, Ga:ZnO(n_e=1×10¹⁸/cm³)의 경우에는 0.15Ωcm 정도의 값을 보이는 반면에, 전하 농도가 증가할수록 급격히 낮아져서 Ga:ZnO(n_e=2.5×10²⁰/cm³)의 경우에는 10^-3Ωcm 까지 감소함을 알 수 있다.

이러한 비저항의 감소는 전자의 농도가 많아짐에 따라 잉여의 전자들이 전도대를 차지하게 되고, 이러한 전도대에 위치한 전자들은 쉽게 전기 전도도에 공헌할 수 있게 되는 버스타인-모스(Burstein-Moss) 효과에 의해 비저항이 급격히 감소함을 알 수 있다.

(b)는 전자의 농도에 따른 전기 이동도(mobility)의 변화를 보여주는 그림인데, Ga:ZnO(n_e=1×10¹⁸/cm³)의 경우에는 약 45cm²/Vs 정도의 비교적 높은 값을 보여주고 있으나, 전자의 농도가 증가하면 전자들과의 충돌이 증가하여 전기 이동도 값이 약간 줄어들고 Ga:ZnO(n_e=1×10²⁰/cm³)의 박막의 경우에는 30cm²/Vs 정도까지 감소함을 알 수 있다.

도 2 내지 도 4로부터 다층 구조의 발광 다이오드 제작을 위한 n형 산화아연 박막으로는 표면의 거칠기가 매우 작으며, 비저항이 0.1Ωcm이며, 전기 이동도가 45cm²/Vs로 우수한 Ga:ZnO(n_e=1×10¹⁸/cm³)이 가장 적절한 박막으로 사용되었다.

도 5는 본 발명의 분자선 증착 및 이온주입을 이용한 발광 다이오드 제조방법 및 개략적인 다이오드의 구조이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 산화아연을 이용한 p형-진성(intrinsic)-n형(p-i-n) 구조의 발광 다이오드 제조방법을 나타내고 있다.

먼저, 사파이어 단결정 기판(100) 위에 도 1에서와 같은 저온 산화아연 버퍼층(200)을 증착하고, 그 위에 도 2에서와 같은 Ga:ZnO(n_e=1×10¹⁸/cm³)을 약 550~650nm 정도로 증착하는데, 바람직한 저온 산화아연 버퍼층(300)의 두께는 600nm이다.

다음, 약 350~450nm 정도 두께의 진성 산화아연 박막(400), 즉 다른 n, p형 불순물이 들어가지 않은 산화아연 박막을 증착하는데, 바람직한 진성 산화아연 박막(400)의 두께는 400nm이다.

다음, (b)에서와 같이 진성 산화아연 박막층(400)에 p형 도핑을 위해 구리(Cu)이온을 이온주입에 의하여 도핑함으로써 도핑층(500)을 형성한다. 이때, 구리 이온은 SNICS(Sputtered Negative Ion Cesium exchange Source)로부터 추출되어 80keV로 가속하여 이온 주입되었다. 여기서, 구리 이온이 침투된 평균거리는 컴퓨터 모사코드(SRIM-2003)를 사용하면 약 100~120nm 정도가 된다.

다음, 상기와 같이 주입된 구리 이온이 p-형 산화아연으로서의 역할을 하기 위해서는 구리 이온이 아연 금속 자리를 치환하여 Cu² ⁺의 화학적 상태(CuO) 대신 Cu⁺의 형태(Cu₂O)로 존재하여야 한다. 이를 위하여 후 열처리과정이 필요하고, 본 발명에서는 여러 가지 열처리 조건 중 산소 분위기에서 후 열처리를 통하여 구리 이온의 p형 도핑 성질을 얻을 수 있었다. 즉, 진성 산화아연의 경우라도 일반적으로 산소의 양이 충분하지 못하여 산소 공공이 많이 존재하고 산소 공공이 n-형 특성을 나타내는 주요한 원인으로 작용한다. 이러한 진성 산화아연 박막에 구리 이온을 주입하면 이온 주입시 진성 산화아연 박막 내의 산소가 진공 중으로 빠져나가는 확률도 있고, 이온 주입에 의해 우수했던 결정성이 파괴되고 이때 발생한 결함들이 n-형 특성을 보이는 원인으로 작용하는 경우가 많이 있다. 이러한 n-형 원인들을 보상(compensation)하고, 결정성 회복을 위하여 산소 분위기에서 급속 후 열처리를 통하여 구리 불순물의 p형 성질을 회복하고자 하였다. 후 열처리는 800℃에서 1~10 분간, 그리고 산소 부분압 100~300Torr 정도의 분위기에서 실행하였다.

다음, 발광 다이오드의 형성 확인을 위하여 (c)와 같이 습식 에칭을 통하여 MESA 구조를 제작한다. 이때, n형과 p형의 전기적 접촉물질로는 각각 Ti/Au(700) 및 Ni/Au층(600)을 전자빔 증착기를 사용하여 오믹 접촉을 확인한 후 전류-전압 특성을 조사하였다.

도 6은 본 발명의 후 열처리한 후에 측정한 전류-전압 특성곡선이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 각각 2, 4분 동안 산소 분압 100Torr에서 열처리 한 후에 측정한 전류-전압 특성 곡선을 보여주고 있다. 2가지 경우 모두 일잔적인 I-V 특성 곡선을 잘 보여주고 있기 때문에 구리 이온이 p-형 도핑 물질로 성공적으로 작용하고 있음을 알 수 있다. 2분 열처리한 경우에 역전압 -3V 정도에서 누설전류가 급격히 증가하고 있어서 우수한 p-n 접합 소자 특성을 보이고 있지 않지만, 4분 동안 열처리 한 경우에 역전압 특성이 매우 우수하고 순방향에서의 turn-on 전압이 약 4V 정도이고 10V의 전압이 부가된 경우에 5mA 정도의 많은 전류가 흐를 수 있는 우수한 전류-전압 특성을 보여주고 있다. 전류-전압 특성곡선으로부터 이제까지 전혀 알려진 바 없는 구리 불순물이 전기적으로 p-형 산화 아연 성질을 보여줄 수 있는 우수한 도핑 물질임을 발견하였고, 이를 p-형 산화아연화하기 위하여 전기적으로 활성화해 주는 방법으로 비교적 높은 압력 하의 산소 분위기에서의 후 열처리가 반드시 필요함을 발명하였다.

이상에서 설명한 내용을 통해 본 업에 종사하는 당업자라면 본 발명의 기술사상을 이탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있 을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용만으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.

이상에서와 같이 본 발명에 의한 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법은 기존의 p-형 산화아연 도우핑 믈질로 알려진 V족의 N, P, As, Sb 등의 원소들이 가지고 있는 고온에서의 낮은 용해도, 비교적 낮은 온도에서의 여러 가지 중간상들의 형성 등으로 재현성이 있는 p-형 산화아연 박막을 제작하기 힘들었으나, 구리 불순물을 사용하고 비교적 높은 압력에서의 산소 분위기에서 후 열처리를 통한 p-형 산화아연의 제작이 가능하였다. 이러한 안정적인 p-형 산화아연을 제작할 수 있게 됨으로써, 새로운 근 자외선, 가시광선에서 고효율의 발광 다이오드 및 레이저 다이오드를 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 고온에서 작동하는 전자소자 등의 응용이 가능하다.

또한, 빠른 응답시간을 갖는 p-i-n, p-n 형태의 자외선 수광소자(detector)의 제조를 통하여 화재 경보기, 수중에서의 통신 및 비져블 블라인드(visible blind) 수광소자 제조가 가능하다.

또한, 투명한 박막형 트랜지스터의 제작이 가능하여 Si 소자를 대신하는 반도체 시장 및 새로운 디스플레이 시장의 개척이 가능하다.

Claims

사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정;

상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정;

상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정;

상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 구리금속으로 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정;

습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및

상기 결과물을 산소 분위기에서 급속 후 열처리하는 제6공정;

을 포함하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 n형 갈륨 도핑 산화아연층의 두께는 550~650nm인 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 진성 산화아연 박막의 두께는 350~450nm인 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법.
삭제
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청구항 1에 있어서,

상기 후 열처리는 100~300Torr의 분위기에서 하는 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 후 열처리는 800℃에서 1~10분간 하는 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법.