KR100506818B1 - Method for setting-up moving point of substrate and inspection method of substrate using the same - Google Patents
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Abstract
반도체 기판의 이동위치 설정방법 및 반도체 기판의 검사방법이 개시되어 있다. 기판에 형성된 칩 배열정보를 장비에 입력하고, 측정부를 갖는 상기 장비에 구비된 기판 스테이지의 중심점과 상기 칩 배열정보에 의해 인식된 칩 배열의 중심점을 일치시킨다. 상기 칩의 배열정보로부터 제1점을 지정하고, 상기 중심점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 중심점 사이의 제1 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산한다. 상기 계산된 x축 및 y축 방향으로의 제1 거리를 상기 제1점으로 기판을 이동시키기 위한 이동 거리로 설정한다. 상기 설정 위치로 이동항여 측정한다. 이와 같이, 검사장비에 반도체 기판을 투입하기 전에 이동할 위치를 설정함으로서 얼라인과 같은 단계에 소모되는 시간을 절약함으로서 공정 시간을 단축시켜 전체적인 비용을 감소시킬 수 있다.Disclosed are a method for setting a moving position of a semiconductor substrate and a method for inspecting a semiconductor substrate. The chip arrangement information formed on the substrate is input to the equipment, and the center point of the substrate stage provided in the equipment having the measuring unit coincides with the center point of the chip arrangement recognized by the chip arrangement information. A first point is designated from the arrangement information of the chip, and a first distance between the first point and the center point is calculated for the x-axis and y-axis directions, respectively, based on the center point. The calculated first distance in the x- and y-axis directions is set as a movement distance for moving the substrate to the first point. Measure by moving to the set position. In this way, by setting the position to move before the semiconductor substrate is inserted into the inspection equipment, it is possible to shorten the process time by reducing the time consumed in steps such as alignment, thereby reducing the overall cost.
Description
본 발명은 반도체 기판의 이동위치 설정방법 및 반도체 기판의 검사방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반복적인 배열을 갖는 반도체 기판의 이동위치 설정방법 및 반도체 기판의 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for setting a moving position of a semiconductor substrate and a method for inspecting a semiconductor substrate, and more particularly, to a method for setting a moving position of a semiconductor substrate having a repetitive arrangement and a method for inspecting a semiconductor substrate.
고집적의 반도체 장치를 제조하기 위해서는, 막을 형성하고 상기 막을 반도체 공정에 의해 일정 모양을 갖는 패턴(pattern)으로 형성하는 과정을 반복적으로 실행한다. 이와 같이, 패턴을 형성한 후에는 상기 패턴의 상태 및 불량 여부 등을 검사 장비에 의해 검사하게 된다.In order to manufacture a highly integrated semiconductor device, a process of forming a film and forming the film into a pattern having a predetermined shape by a semiconductor process is repeatedly performed. In this way, after the pattern is formed, the state of the pattern and whether or not the defect is inspected by the inspection equipment.
반도체 공정 중에 사용되는 검사 장비로는 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope;이하, 'SEM'이라 한다.)과 같은 고해상도를 갖는 고가의 장비들을 주로 사용한다. 상기 장비들은 높은 정확도를 갖고 있으나, 측정하기 위한 준비과정이 오래 걸리고 다루기가 까다로우면서도 측정하기에 많은 시간을 필요로 한다. 상기 장비를 이용하여 측정을 하기 위해서는 우선, 측정하고자 하는 반도체 웨이퍼에 대한 정보를 입력시켜야 한다. 예컨대, 반도체 웨이퍼 상에 반복적으로 형성된 칩의 배열에 대한 정보 및 측정하고자 하는 지점의 정보 등을 입력시킨다.As inspection equipment used during the semiconductor process, expensive equipment having a high resolution such as a scanning electron microscope (hereinafter, referred to as SEM) is mainly used. These instruments have high accuracy, but they take long time to prepare and are difficult to handle and require a lot of time to measure. In order to make a measurement using the equipment, first, information about a semiconductor wafer to be measured must be input. For example, information about an arrangement of chips repeatedly formed on a semiconductor wafer and information on points to be measured are input.
반도체 웨이퍼를 검사장비에 도입하고, 측정하기 위해서는 우선, 웨이퍼를 얼라인(align)하여야 한다. 즉, 상기 웨이퍼가 제대로 검사장비에 도입되었는지를 검사하는 것이다. 그러나, 상기 얼라인은 직접 웨이퍼를 검사장비에 도입하고 작업자가 육안으로 검사하면서 맞추어야 한다. 즉, 미세하게 반복적인 작업을 실행하여 얼라인하고 상기 얼라인한 상태에 맞는 변수들을 측정 장비에 대한 고정값으로 설정(set-up)하게 된다.In order to introduce the semiconductor wafer into the inspection equipment and measure it, the wafer must first be aligned. In other words, it is to check whether the wafer is properly introduced into the inspection equipment. However, the align must be introduced while the wafer is directly introduced into the inspection equipment and visually inspected by the operator. That is, fine and repetitive work is executed to align and set-up the parameters for the alignment state to a fixed value for the measuring equipment.
그러나, 반도체 양산 설비 라인에서는 단일 종류의 반도체 장치만을 제작하는 것이 아닐 뿐만 아니라, 다수의 설비를 가동하고 있다. 따라서, 반도체 장치의 모델이 교체될 때마다, 다수의 반도체 장비에 기판의 얼라인에 대한 정보를 새로이 설정하여야 한다. 즉, 공정 변수들을 재 입력하여야 한다. 따라서, 동일한 작업을 반복적으로 수행하게 된다.However, not only a single type of semiconductor device is manufactured in the semiconductor mass production equipment line, but also many facilities are operated. Therefore, each time the model of the semiconductor device is replaced, it is necessary to newly set information on the alignment of the substrate in the plurality of semiconductor devices. In other words, the process variables must be entered again. Thus, the same operation is performed repeatedly.
이와 같이, 검사장비에 도입된 기판을 얼라인한 후, 상기 기판에 형성된 칩에 대한 실질적인 측정이 이루어진다. 그러나, 실제 측정을 진행하기 위해서는 상기 얼라인과 마찬가지로 측정하고자 하는 위치를 찾기 위해서 작업자가 반복적으로 미세한 작업을 반복수행 하여야 한다.In this way, after aligning the substrate introduced into the inspection equipment, a substantial measurement of the chip formed on the substrate is performed. However, in order to proceed with the actual measurement, the operator must repeatedly perform fine work in order to find a position to be measured as in the alignment.
반도체 장치가 고집적화되면서 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 감소하고 새로운 디자인 룰에 맞춰 제작되는 반도체 장치의 세대변화의 주기는 점점 짧아지고 있다. 따라서, 상기 반도체 장치의 세대를 교체할 때마다 다수의 모델별로 다수의 장치에 동일한 반복작업을 수행하여야 한다. 상기 얼라인 및 측정위치를 찾는 것은 작업자의 육안에 의해 진행되므로 실제 칩이 형성된 웨이퍼를 사용하여야 한다. 따라서, 반도체 공정을 거쳐 웨이퍼 상에 칩이 완성된 후에도 오랜 시간을 소모한 후에야 실제 측정이 이루어진다.As semiconductor devices become highly integrated, design rules of semiconductor devices are reduced, and the period of generation change of semiconductor devices manufactured to new design rules is getting shorter. Therefore, every time the generation of the semiconductor device is replaced, the same repetitive operation must be performed on the plurality of devices for each of a plurality of models. Since finding the alignment and the measuring position is performed by the operator's eyes, the wafer on which the actual chip is formed should be used. Therefore, even after the chip is completed on the wafer through the semiconductor process, the actual measurement is performed only after consuming a long time.
상기 측정 장비에 의해 검사된 결과를 토대로 반도체 공정의 공정 변수(parameter)들은 계속적으로 개선되어야 한다. 따라서, 상기 검사장비에 의한 검사시간이 지연되면, 후속에 진행하여야 할 반도체 공정 시간도 함께 지연된다. 이와 같은 작업은 인력, 시간 및 기타 소모성 물질들에 대한 비용을 산출하여 실제 결과물 제작과는 별도로 부수적인 비용이 요구된다. 즉, 반도체 장치의 제작비용만을 증가시킨다.Based on the results examined by the measuring equipment, process parameters of the semiconductor process must be constantly improved. Therefore, when the inspection time by the inspection equipment is delayed, the semiconductor processing time to be subsequently performed is also delayed. Such work is costly in terms of manpower, time and other consumable materials, requiring additional costs apart from actual production. That is, only the manufacturing cost of the semiconductor device is increased.
따라서, 본 발명의 제1목적은 반도체 기판 투입 전에 실행할 수 있는 반도체 기판의 이동위치 설정방법을 제공하는 것이다. Accordingly, a first object of the present invention is to provide a method for setting a moving position of a semiconductor substrate, which can be executed before the semiconductor substrate is loaded.
본 발명의 제2목적은 공정시간이 단축된 반도체 기판의 검사방법을 제공하는 것이다.It is a second object of the present invention to provide a method for inspecting a semiconductor substrate with a reduced process time.
상기 제1목적을 달성하기 위한 반도체 기판의 이동위치 설정방법은, 기판에 형성된 칩 배열정보를 장비에 입력하는 단계, 측정부를 갖는 상기 장비에 구비된 기판 스테이지의 중심점과 상기 칩 배열정보에 의해 인식된 칩 배열의 중심점을 일치시키는 단계, 상기 칩의 배열정보로부터 제1점을 지정하는 단계, 상기 중심점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 중심점 사이의 제1 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산하는 단계, 상기 계산된 x축 및 y축 방향으로의 제1 거리를 상기 제1점으로 기판을 이동시키기 위한 이동 거리로 설정하는 단계 및 상기 기판의 중심점과 상기 기판 스테이지의 중심점이 일치하도록 상기 기판을 상기 기판 스테이지에 장착하는 단계를 포함한다. In one embodiment, a method of setting a moving position of a semiconductor substrate to achieve the first purpose includes inputting chip arrangement information formed on a substrate into a device, and identifying the center point of the substrate stage included in the device having a measuring unit and the chip arrangement information. Matching a center point of the arranged chip arrangement, designating a first point from the arrangement information of the chip, and a first distance between the first point and the center point with respect to the x and y axis directions based on the center point. Calculating each, setting the calculated first distances in the x- and y-axis directions as the movement distances for moving the substrate to the first point, and matching the center point of the substrate with the center point of the substrate stage. Mounting the substrate to the substrate stage.
상기 제2목적을 달성하기 위한 반도체 기판의 검사방법은, 측정부를 갖는 장비에 구비된 기판 스테이지에 상기 기판 스테이지의 중심점과 기판의 중심점이 일치하도록 상기 기판을 장착하는 단계, 상기 기판 상의 제1점을 지정하는 단계, 상기 기판 스테이지의 중심점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 기판 스테이지의 중심점 사이의 제1 거리만큼 x축 및 y축 방향으로 이동하여 상기 설정된 제1점과 상기 측정부를 얼라인하는 단계, 상기 얼라인을 보정하는 단계, 상기 제1점을 기준으로 제2점을 지정하는 단계, 상기 제1점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 제2점 사이의 제2 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산하는 단계 및 상기 제2거리만큼 이동하여 상기 설정된 제2점을 측정하는 단계를 포함한다.In the method of inspecting a semiconductor substrate for achieving the second object, the method includes mounting the substrate so that the center point of the substrate stage and the center point of the substrate coincide with the substrate stage provided in the equipment having the measuring unit, and the first point on the substrate. Designating the first point and the measuring unit by moving in the x-axis and y-axis directions by a first distance between the first point and the center point of the substrate stage with respect to the center point of the substrate stage. Correcting the alignment, designating a second point based on the first point, x-axis representing a second distance between the first point and the second point based on the first point; calculating each of the y-axis directions and moving the second distance to measure the set second point.
이와 같이, 검사장비에 반도체 기판을 투입하기 전에 이동할 위치를 설정함으로서 반도체 기판을 얼라인하기 위한 장비 변수 설정(set up)에 소모되는 시간을 절약함으로서 공정 시간을 단축시켜 전체적인 비용을 감소시킬 수 있다.In this way, by setting the position to move before the semiconductor substrate is put into the inspection equipment, it is possible to shorten the process time by reducing the time spent in setting up the equipment parameters (set up) to align the semiconductor substrate can reduce the overall cost .
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.
반도체 기판의 이동위치 설정방법은, 기판에 형성된 칩 배열정보를 장비에 입력하는 단계, 측정부를 갖는 상기 장비에 구비된 기판 스테이지의 중심점과 상기 칩 배열정보에 의해 인식된 칩 배열의 중심점을 일치시키는 단계, 상기 칩의 배열정보로부터 제1점을 지정하는 단계, 상기 중심점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 중심점 사이의 제1 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산하는 단계 및 상기 계산된 x축 및 y축 방향으로의 제1 거리를 상기 제1점으로 기판을 이동시키기 위한 이동 거리로 설정하는 단계를 포함한다.The method for setting a movement position of a semiconductor substrate may include inputting chip arrangement information formed on a substrate into a device, and matching a center point of a substrate stage included in the device having a measuring unit with a center point of the chip arrangement recognized by the chip arrangement information. Specifying a first point from the arrangement information of the chip, calculating a first distance between the first point and the center point based on the center point in the x-axis and y-axis directions, respectively; and setting a first distance in the x- and y-axis directions as a movement distance for moving the substrate to the first point.
이때, 상기 기판의 중심점과 상기 기판 스테이지의 중심점이 일치하도록 상기 기판을 상기 기판 스테이지에 장착한다.In this case, the substrate is mounted on the substrate stage so that the center point of the substrate and the center point of the substrate stage coincide with each other.
또한, 상기 칩의 배열정보로부터 제2점을 지정하고, 상기 제1점을 기준으로 상기 제2점 및 상기 제1점 사이의 제2 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산한 후, 상기 제2점의 위치를 상기 제2 거리에 의해 이동할 위치로 설정한다.In addition, a second point is designated from the arrangement information of the chip, and a second distance between the second point and the first point is calculated with respect to the x-axis and y-axis directions based on the first point, respectively. The position of the second point is set to a position to be moved by the second distance.
상기 단계들은 반도체 생산 라인에 구비된 다수의 장비들에게 원격으로 데이터를 한번에 전송하여 이루어진다.The above steps are accomplished by remotely transmitting data at a time to a number of devices in the semiconductor production line.
상기와 같이 이동위치가 설정되는 반도체 기판의 검사방법은, 측정부를 갖는 장비에 구비된 기판 스테이지에 상기 기판 스테이지의 중심점과 기판의 중심점이 일치하도록 상기 기판을 장착하는 단계, 상기 기판 상의 제1점을 지정하는 단계, 상기 기판 스테이지의 중심점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 기판 스테이지의 중심점 사이의 제1 거리만큼 x축 및 y축 방향으로 이동하여 상기 설정된 제1점과 상기 측정부를 얼라인하는 단계, 상기 얼라인을 보정하는 단계, 상기 제1점을 기준으로 제2점을 지정하는 단계, 상기 제1점을 기준으로 상기 제1점 및 상기 제2점 사이의 제2 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 각각 계산하는 단계 및 상기 제2거리만큼 이동하여 상기 설정된 제2점을 측정하는 단계를 포함한다.The method of inspecting a semiconductor substrate in which a movement position is set as described above includes mounting the substrate to match a center point of the substrate stage and a center point of the substrate to a substrate stage provided in a device having a measuring unit, and a first point on the substrate. Designating the first point and the measuring unit by moving in the x-axis and y-axis directions by a first distance between the first point and the center point of the substrate stage with respect to the center point of the substrate stage. Correcting the alignment, designating a second point based on the first point, x-axis representing a second distance between the first point and the second point based on the first point; calculating each of the y-axis directions and moving the second distance to measure the set second point.
이때, 상기 얼라인은 상기 측정부 또는 기판 스테이지를 이동하거나 측정부 및 기판 스테이지를 동시에 이동하여 이루어진다.In this case, the alignment is performed by moving the measuring unit or the substrate stage or simultaneously moving the measuring unit and the substrate stage.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판의 검사방법에 대한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method of inspecting a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 측정부를 구비하는 반도체 기판 검사장비에 있는 기판 스테이지의 중심점을 파악한다. 상기 기판 스테이지에 검사하고자 하는 기판을 장착한다. 이때, 상기 기판 스테이지의 중심점과 상기 기판의 중심점은 일치된다.(S100) Referring to Figure 1, to determine the center point of the substrate stage in the semiconductor substrate inspection equipment having a measuring unit. The substrate to be inspected is mounted on the substrate stage. In this case, the center point of the substrate stage and the center point of the substrate coincide (S100).
상기 기판을 얼라인하기 위해 처음으로 설정되어 기준으로 사용될 기준점을 설정한다.(S110) 이하, 상기 기준점을 편의상 제1점이라 한다.A reference point is set for the first time to align the substrate and sets a reference point to be used as a reference. (S110) Hereinafter, the reference point is referred to as a first point for convenience.
상기 제1점은 상기 기판 스테이지 중심점으로부터 x축 및 y축 방향으로 떨어진 거리에 의해 파악된다. 따라서, 상기 기판 스테이지 중심점을 기준으로 x축 및 y축 방향의 떨어진 거리만큼 이동하여 상기 기준점이 얼라인(align)된다.(S120) 상기 얼라인은 상기 측정부 또는 기판 스테이지를 선택적으로 이동하여 이루어지거나, 상기 측정부 및 기판 스테이지를 동시에 이동시켜 이루어진다.The first point is understood by the distance away from the substrate stage center point in the x and y axis directions. Accordingly, the reference point is aligned by moving a distance apart in the x-axis and y-axis directions with respect to the center point of the substrate stage. (S120) The alignment is performed by selectively moving the measuring unit or the substrate stage. Or by simultaneously moving the measuring unit and the substrate stage.
상기 제1점은 검사 초기에 기판을 검사장비에 얼라인하기 위해 사용되며 측정과정에서 발생할 수 있는 오류에 의해 새로이 측정을 시작할 때 혹은, 임의적으로 특정 칩을 측정하고자 할 때 기준으로 사용된다. 따라서, 상기 제1점은 모든 측정위치에 대한 기준이 된다. The first point is used to align the substrate to the inspection equipment at the beginning of the inspection, and is used as a reference when a new measurement is started due to an error that may occur in the measurement process or when an arbitrary chip is to be measured arbitrarily. Thus, the first point is a reference for all measurement positions.
상기 얼라인은 이미 설정된 값으로서 실제 공정을 진행하기 위해 상기 얼라인을 보정한다.(S130)The alignment is a value already set to correct the alignment in order to proceed with the actual process (S130).
상기 제1점을 기준으로 이동하여 측정할 위치의 측정점을 설정한다.(S140) 이하, 편의상 상기 측정점을 제2점이라 한다. 상기 제2점은 제1점으로부터 x축 및 y축 방향으로 떨어진 거리에 의해 파악된다. 이어서, 상기 제1점을 기준으로 x축 및 y축 방향으로 떨어진 거리만큼 이동하여 제2점을 측정한다.(S150) 상기 제2점은 실질적으로 반도체 기판 상의 칩을 측정할 위치이다.The measurement point of the position to be measured is set by moving based on the first point (S140). Hereinafter, the measurement point is referred to as a second point for convenience. The said 2nd point is grasped | ascertained by the distance | distance to the x-axis and y-axis direction from a 1st point. Subsequently, the second point is measured by a distance separated in the x-axis and y-axis directions with respect to the first point (S150). The second point is a position where the chip on the semiconductor substrate is measured.
매 측정시마다 검사완료 여부를 파악한다.(S160) 검사가 완료되지 않은 경우에는 반복적으로 새로운 측정할 위치로 이동하여 측정하고, 모든 측정위치에 대해 검사가 완료되면, 검사를 종료한다.When the test is completed, it is determined whether the test is completed (S160). If the test is not completed, the test is repeatedly moved to a new measuring position and the test is completed when the test is completed for all measuring positions.
이때, 새로운 측정위치는 세 번째로 설정되는 제3점으로 인식된다. 상기 제3점 또한, 상기 제1점으로부터 x축 및 y축 방향으로 떨어진 거리에 의해 파악된다.At this time, the new measurement position is recognized as the third point set third. The third point is also understood by the distance away from the first point in the x and y axis directions.
이와 같이, 기판 스테이지의 중심점을 기판의 중심점으로 인식하고 상기 중심점을 기준으로 기준점을 역으로 산출하고, 상기 기준점을 기준으로 측정위치를 역으로 추정함으로서 용이하게 이동하면서 검사할 수 있다.In this way, the center point of the substrate stage is recognized as the center point of the substrate, the reference point is calculated inversely based on the center point, and the measurement position can be easily estimated by inversely estimating the reference point based on the reference point.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판의 이동위치 설정방법이다.2 is a moving position setting method of a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 기준점은 반도체 기판 검사과정 전에 설정되어 있다. 상기 기준점을 설정하기 위해서는 상기 검사장비에 검사하고자 하는 기판에 형성된 칩 배열정보인 지도(map)를 입력시켜야 한다.(S200)Referring to FIG. 2, the reference point is set before the semiconductor substrate inspection process. In order to set the reference point, a map, which is chip arrangement information formed on a substrate to be inspected, must be input to the inspection equipment.
상기 검사장비는 상기 입력된 지도의 중심점을 기판 스테이지의 중심점과 일치시킨다.(S210) 즉, 검사장비는 입력된 지도의 중심점을 기판 스테이지의 중심점으로 파악한다.The inspection apparatus matches the center point of the input map with the center point of the substrate stage (S210). That is, the inspection apparatus determines the center point of the input map as the center point of the substrate stage.
상기 지도로부터 기준이 되는 기준점을 지정한다.(S220)Designate a reference point to be a reference from the map (S220).
상기 기준점과 상기 중심점 사이의 거리를 계산한다. 즉, x축 및 y축 방향에 대해, 이미 인식된 상기 중심점을 기준으로 상기 기준점까지의 거리를 계산한다.(S230)Calculate the distance between the reference point and the center point. That is, the distance to the reference point is calculated with respect to the x-axis and y-axis directions based on the recognized center point (S230).
상기 거리를 제1거리로 인식하여 상기 거리만큼 떨어진 위치를 기준점으로 설정한다.(S240)The distance is recognized as a first distance and a position separated by the distance is set as a reference point (S240).
측정하고자 하는 위치를 측정점으로 지정하고, 상기 기준점을 기준으로 측정점까지의 거리를 x축 및 y축 방향에 대해 계산하여 제2거리로 인식함으로서 측정점을 설정한다.A measurement point is set by designating a position to be measured as a measurement point, calculating a distance to the measurement point based on the reference point in the x-axis and y-axis directions, and recognizing it as a second distance.
이때, 상기 검사장비에 기판을 장착하고 진행할 수 있으며, 상기 설정방법은 반도체 생산라인에 구비된 다수의 장비에 원격적으로 설정될 수 있다. 즉, 하나의 데이터를 동시에 다수의 장비에 전송함으로서 동일한 작업의 반복을 줄일 수 있다.In this case, the inspection equipment may be mounted on the substrate, and the setting method may be set remotely on a plurality of equipments provided in the semiconductor production line. In other words, it is possible to reduce the repetition of the same operation by transmitting a single data to multiple devices at the same time.
도 3a는 본 발명의 실시예에 검사방법에 의해 측정될 반도체 기판 전체에 대한 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 A부분에 대한 측정될 반도체 기판 일부의 평면도이다. 3A is a plan view of the entire semiconductor substrate to be measured by the inspection method in the embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a plan view of the portion of the semiconductor substrate to be measured with respect to part A of FIG. 3A.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 반도체 기판에 형성된 칩(300)은 4개의 칩들 및 상기 각 칩들의 둘레를 따라 형성된 x축 스크라이브 라인 및 y축 스크라이브 라인(330)을 포함한 단위영역(shot)(A)이 바둑판과 같이 동일하게 반복되는 배열로 구성된다. 상기 단위영역은 반도체 기판 상에 행(low)과 열(column)을 이루는 행렬(matrix) 형태로 인식하게 된다. 실질적으로는, 행렬을 이루고 있는 각각의 단위 영역의 길이는 특정 수치를 갖고 있으므로, 상기 행렬의 간격은 상기 단위영역의 수치와 같다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the chip 300 formed on the semiconductor substrate may include a unit region including four chips and an x-axis scribe line and a y-axis scribe line 330 formed along the periphery of the chips. (A) is composed of the same repeating arrangement as the board. The unit region is recognized as a matrix in a row and a column on a semiconductor substrate. In practice, since the length of each unit region constituting the matrix has a specific value, the spacing of the matrix is equal to that of the unit region.
따라서, 상기 검사장비에 입력될 반도체 기판에 대한 정보는 상기 칩의 배열, 칩의 크기, 반복되는 칩과 스크라이브 라인을 포함하는 단위영역의 피치(pitch)의 간격, 스크라이브 라인 거리 및 칩 배열 중심점의 오차 범위(offset) 등과 같은 반도체 기판에 대한 지도(map)로서 반도체 기판 상에 형성된 것의 모든 정보를 의미한다. 이때, 상기 offset은 칩을 기판의 중심을 기준으로 배열시킬 때 최대 개수의 칩을 배열시키기 위해 칩 배열의 중심이 실제 기판의 중심에서 어긋나는 정도를 나타낸다.Therefore, the information on the semiconductor substrate to be input to the inspection equipment includes the arrangement of the chip, the size of the chip, the pitch spacing, the scribe line distance and the chip arrangement center point of the unit region including the repeated chip and the scribe line. Means all information of what is formed on the semiconductor substrate as a map to the semiconductor substrate such as an offset or the like. In this case, the offset represents the degree to which the center of the chip array is displaced from the center of the actual substrate in order to arrange the maximum number of chips when the chips are arranged with respect to the center of the substrate.
기준점 설정을 위한 계산방법Calculation method for setting the reference point
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 측정하고자 하는 기판에 형성된 단위영역(A)의 배열은 행렬로써 표현할 수 있다. 따라서, 상기 각 행렬의 간격은 기판에 형성된 단위영역의 피치와 같다. 즉, 열들의 간격은 단위영역(A)의 x축 방향의 피치와 같고, 행들의 간격은 y축 방향의 피치와 같다. 상기 방향성은 검사장비에 초기에 설정된 지도에 의한다.3A and 3B, the arrangement of the unit regions A formed on the substrate to be measured may be expressed as a matrix. Therefore, the spacing of each matrix is equal to the pitch of the unit region formed on the substrate. That is, the spacing of the columns is equal to the pitch in the x-axis direction of the unit region A, and the spacing of the rows is equal to the pitch in the y-axis direction. The directionality is based on a map initially set on the inspection equipment.
상기 행렬은 각각의 단위영역의 배열을 나타내는 것이므로, 상기 행렬로써 기준점으로 설정하고자 하는 위치를 선택할 수 있다. 이때, 상기 기준점은 상기 중심점으로 거리를 행렬간격의 차이로써 표현할 수 있다. 또한, 상기 기판의 중심점은 기판 스테이지의 중심점의 좌표와 동일한 좌표를 갖는다. 상기 기판 스테이지의 좌표는 검사에서 이루어지는 모든 좌표에 우선하는 절대좌표로서 인식된다. 따라서, 상기 기준점은 상기 절대좌표와의 행렬간격에 의해 거리로써 추정되어 검사장비에 인식될 수 있다. 즉, 기준점의 좌표는 중심점 절대좌표-(단위영역의 피치 x 행렬간격)±공정설비 지도 offset 값으로 표현된다.Since the matrix indicates the arrangement of each unit region, a position to be set as a reference point can be selected as the matrix. In this case, the reference point may be expressed as a distance between the matrix points as the center point. In addition, the center point of the substrate has the same coordinates as the coordinates of the center point of the substrate stage. The coordinates of the substrate stage are recognized as absolute coordinates that take precedence over all coordinates made in the inspection. Therefore, the reference point can be estimated by the distance by the matrix interval with respect to the absolute coordinates can be recognized by the inspection equipment. That is, the coordinate of the reference point is expressed by the absolute coordinate of the center point-(the pitch x matrix interval of the unit area) ± the process equipment map offset value.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판지도에 대한 평면도이다.4A to 4B are plan views of a semiconductor substrate map according to an embodiment of the present invention.
* 단위영역의 배열이 짝수인 경우* If the array of unit areas is even
도 4a를 참조하면, 기판을 좌표로 인식하기 위해 상기 기판에 형성되어 있는 단위영역(400)의 배열을 10개의 행과 10개의 열로 간주하면, 상기 기판 상에는 x축 방향 및 y축 방향으로 0 내지 10의 11개의 x 좌표 및 y 좌표가 각각 존재한다. 이때, 상기 기판의 중심점(420)의 행렬좌표는 (5, 5)로 표현되고 상기 행렬좌표에 상응하는 절대좌표는 (100000um, 100000um)로 한다. 각 단위영역(400)의 피치는 x 축에 대해 20000um 이고, y 축에 대해 20000um 이다. 또한, 공정설비 지도의 offset값은 x축에 대해 0um 이고, y축에 대해 -3000um이다. 따라서, 기준점(440)의 좌표를 (2, 4)로 하면, 상기 (2, 4)라는 좌표에 상응하는 절대좌표의 x 좌표는 100000-(20000x3)±0에 의해 40000um이고, y 좌표는 100000-(20000x1)±(-3000)에 의해 77000um 내지 83000um이다.Referring to FIG. 4A, when the arrangement of the unit areas 400 formed on the substrate is regarded as 10 rows and 10 columns to recognize the substrate as coordinates, 0 to 0 in the x-axis direction and the y-axis direction are formed on the substrate. There are eleven x and y coordinates of 10, respectively. At this time, the matrix coordinates of the center point 420 of the substrate is represented by (5, 5) and the absolute coordinates corresponding to the matrix coordinates are (100000um, 100000um). The pitch of each unit region 400 is 20000 um for the x-axis and 20000 um for the y-axis. In addition, the offset value of the process equipment map is 0um on the x-axis and -3000um on the y-axis. Therefore, if the coordinate of the reference point 440 is (2, 4), the x coordinate of the absolute coordinate corresponding to the coordinate of (2, 4) is 40000um by 100000- (20000x3) ± 0, and the y coordinate is 100000. 77000um to 83000um by-(20000x1) ± (-3000).
*단위영역의 배열이 홀수인 경우* If the unit area is odd
도 4b를 참조하면, 기판을 좌표로 인식하기 위해 상기 기판에 형성되어 있는 단위영역(410)의 배열을 9개의 행과 9개의 열로 간주하면, 상기 기판 상에는 x축 방향 및 y축 방향으로 0 내지 9의 10개의 x 좌표 및 y 좌표가 각각 존재한다. 이때, 상기 기판의 중심점(430)의 행렬좌표는 (4.5, 4.5)로 표현되고 상기 행렬좌표에 상응하는 절대좌표는 (100000um, 100000um)로 한다. 각 단위영역(410)의 피치는 x 축에 대해 20000um 이고, y 축에 대해 20000um 이다. 또한, 공정설비 지도의 offset값은 x축에 대해 0um 이고, y축에 대해 3000um이다. 따라서, 기준점(450)의 좌표를 (1, 3)로 하면, 상기 (1, 3)이라는 좌표에 상응하는 절대좌표의 x 좌표는 100000-(20000x3.5)±0에 의해 30000um이고, y 좌표는 100000-(20000x1.5)±3000에 의해 67000um 내지 73000um이다.Referring to FIG. 4B, when the array of unit regions 410 formed on the substrate is regarded as nine rows and nine columns in order to recognize the substrate as coordinates, from 0 to 0 in the x-axis direction and the y-axis direction on the substrate. There are 10 x and y coordinates of 9, respectively. In this case, the matrix coordinates of the center point 430 of the substrate are represented by (4.5, 4.5) and the absolute coordinates corresponding to the matrix coordinates are (100000um, 100000um). The pitch of each unit region 410 is 20000 um for the x-axis and 20000 um for the y-axis. In addition, the offset value of the process facility map is 0um for the x-axis and 3000um for the y-axis. Therefore, if the coordinate of the reference point 450 is (1, 3), the x coordinate of the absolute coordinate corresponding to the coordinate (1, 3) is 30000um by 100000- (20000x3.5) ± 0, and the y coordinate Is 67000um to 73000um by 100000- (20000x1.5) ± 3000.
이와 같이, 홀수의 행 및 짝수의 열 또는 짝수의 행 및 홀수의 열에 대해서도 각각 계산할 수 있다. x축이 기판의 지도를 작성할 때, 상기 기판의 중심으로부터 작성하므로 행렬의 개수에 의해 중심에서부터 역으로 추정할 수 있다.In this manner, odd rows and even columns or even rows and odd columns can be calculated, respectively. When the x-axis maps the substrate, the x-axis is created from the center of the substrate, so that the inverse can be estimated from the center by the number of matrices.
측정점 설정을 위한 계산방법Calculation method for measuring point setting
도 3b를 참조하면, 초기에 검사장비에 입력된 기판에 대한 지도에 의해 단위영역(310)에 대한 정보를 알 수 있다. 그러나, 실제 기판에는 스크라이브 라인이 부가적으로 더 구비되므로, 단위영역이 형성된 위치로 이동하여 단위영역에 대한 이미지 측정을 하기 위해서는 지도로부터 확인된 위치에 부가적으로 상기 스크라이브 라인만큼을 보상해주어야 한다.Referring to FIG. 3B, information about the unit area 310 may be known by a map of a substrate initially input to the inspection equipment. However, since the scribe line is additionally provided on the actual substrate, in order to move to the position where the unit region is formed and to measure the image of the unit region, the scribe line must be compensated additionally to the position identified from the map.
즉, 측정점(340)을 측정하기 위해서는 x축 측정좌표는 x축 스크라이브 라인 크기/2(350) 및 칩의 x축 측정점까지의 거리(355)의 합으로 표현되고, y축 측정좌표는 y축 스크라이브 라인 크기/2(360) 및 칩의 y축 측정점까지의 거리(365)의 합으로 표현된다. 따라서, 기판을 직접 확인하지 않고 수치만으로 측정 위치를 찾을 수 있다.That is, in order to measure the measurement point 340, the x-axis measurement coordinate is represented by the sum of the x-axis scribe line size / 2 (350) and the distance 355 to the x-axis measurement point of the chip, and the y-axis measurement coordinate is the y-axis It is expressed as the sum of the scribe line size / 2 360 and the distance 365 to the y-axis measurement point of the chip. Therefore, the measurement position can be found only by the numerical value without directly checking the substrate.
이와 같이, 설정되는 기준점 및 측정점은 데이터 파일로써 컴퓨터에 의해 공정 상의 다수의 장비에 일괄적으로 전송되어 사용할 수 있다. 따라서, 개별적으로 각 장비마다 측정위치를 설정하는 시간 및 인력 소모를 감소할 수 있다.In this way, the reference point and measurement point to be set can be collectively transferred to a plurality of equipments in the process by a computer as a data file. Therefore, it is possible to reduce the time and manpower consumption of setting the measuring position for each device individually.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 실제 패턴이 형성된 기판을 검사장비에 도입하지 않은 상태에서, 기판의 정보만을 검사장비에 입력하고 상기 정보에 기인하여 기판의 중심점과 기판 스테이지의 중심점을 동일하게 인식하고 상기 기판 스테이지의 중심점에 의해 기판의 기준점 및 측정점을 얼라인한다. As described above, according to the present invention, in the state in which the substrate having the actual pattern is not introduced into the inspection equipment, only the information of the substrate is input to the inspection equipment, and the center point of the substrate and the center point of the substrate stage are identically recognized based on the information. The reference point and the measurement point of the substrate are aligned with the center point of the substrate stage.
이와 같이, 기판 스테이지의 중심을 기판의 중심으로 인식함으로써, 자동적으로 기판의 기준점 및 측정점을 얼라인할 수 있다. 따라서, 실제 칩이 형성된 기판을 사용하여 직접 확인하면서 얼라인하는데 소요되는 시간을 절약할 수 있다.In this way, by recognizing the center of the substrate stage as the center of the substrate, it is possible to automatically align the reference point and the measurement point of the substrate. Therefore, it is possible to save time required to align while directly confirming using the substrate on which the actual chip is formed.
또한, 상기 데이터를 원격적으로 반도체 소자의 생산라인에 설치된 설비에 제공함으로서 공정이 지연되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by providing the data remotely to a facility installed in the production line of the semiconductor device it can be prevented that the process is delayed.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판의 검사방법에 대한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method of inspecting a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판의 이동위치 설정방법이다.2 is a moving position setting method of a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
도 3a는 본 발명의 실시예에 검사방법에 의해 측정될 반도체 기판 전체에 대한 평면도이다.3A is a plan view of the entire semiconductor substrate to be measured by the inspection method in the embodiment of the present invention.
도 3b는 도 3a의 A부분에 대한 측정될 반도체 기판 일부의 평면도이다.3B is a plan view of a portion of the semiconductor substrate to be measured for portion A of FIG. 3A.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기판지도에 대한 평면도이다.4A to 4B are plan views of a semiconductor substrate map according to an embodiment of the present invention.
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