KR100298445B1 - Oscillator circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 MCU와 같이 발진자를 사용하고 전력소모를 줄이기 위해 파워 세이브 모드가 있는 IC에서 파워 세이브 모드가 풀리면 발진자가 정상동작해야 하는 시간을 빠르게하여 정상동작에 걸리는 시간을 짧게 하고 그에 따라 전력소모를 줄이도록 한 오실레이터 회로에 관한 것으로서, 발진을 위한 크리스탈 발진자와, 상기 크리스탈 발진자에서 발진된 미세한 정현파를 받아 증폭하는 제 1 인버터와, 상기 제 1 인버터의 증폭을 위해 제 1 인버터의 입력과 출력을 연결하는 제 1 트랜스미션 게이트와, 상기 제 1 트랜스미션 게이트에 스톱 모드 신호의 반전된 신호를 인가하는 제 2 인버터와, 상기 제 1 인버터에서 증폭된 신호를 구형파로 전환하여 내부회로로 출력하는 제 3 인버터와, 스톱 모드 신호를 받아 크리스탈 발진자의 발진을 멈추게 하는 제 1 NMOS 트랜지스터와, 스톱 모드 신호가 릴레이 되는 것을 감지하는 에지 검출 회로와, 상기 에지 검출 회로의 출력을 받아 발진을 개시하는 링오실레이터와, 상기 링 오실레이터의 출력을 반전하여 입력단자에 입력하는 제 4 인버터와, 상기 에지 검출 회로의 출력이 하이시 제 4 인버터의 출력과 입력단자를 분리시키는 제 2 트랜스미션 게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, when the power save mode is released in an IC having a power save mode, such as using an oscillator and reducing power consumption, the time required for the normal operation to be shortened by shortening the time required for normal operation and accordingly the power consumption is reduced. A oscillator circuit designed to reduce the oscillator, comprising: a crystal oscillator for oscillation, a first inverter for receiving and amplifying a fine sine wave oscillated from the crystal oscillator, and an input and an output of the first inverter for amplifying the first inverter A first transmission gate, a second inverter applying an inverted signal of the stop mode signal to the first transmission gate, a third inverter converting the signal amplified by the first inverter into a square wave and outputting the square wave to an internal circuit; Receives a stop mode signal to stop oscillation of the crystal oscillator A transistor, an edge detection circuit that detects that the stop mode signal is relayed, a ring oscillator that receives the output of the edge detection circuit and starts oscillation, and a fourth inverter that inverts the output of the ring oscillator and inputs it to an input terminal. And a second transmission gate separating the output of the fourth inverter and the input terminal of the fourth inverter.
Description
본 발명은 오실레이터(Oscillator) 회로에 관한 것으로, 특히 전력소모를 줄임과 동시에 동작속도를 빠르게 하는데 적당한 오실레이터 회로에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an oscillator circuit, and more particularly, to an oscillator circuit suitable for reducing power consumption and increasing operating speed.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 오실레이터 회로를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an oscillator circuit of the related art will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래 기술의 오실레이터 회로를 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a conventional oscillator circuit.
도 1에서와 같이, IC 외부에 발진을 위한 크리스탈(Crystal) 발진자(11)와, 상기 크리스탈 발진자(11)에서 발진된 주파수가 IC 내부의 입력단자(Xin)에 입력되고 이를 증폭하기 위한 앰프(Amp)로 사용하는 제 1 인버터(X1)와, 상기 제 1 인버터(X1)가 앰프의 기능을 갖도록 하는 트랜스미션 게이트(12)와, 상기 제 1 인버터(X1)의 출력신호를 안정된 펄스(Pulse)로 만들어 내부회로로 출력하는 제 2 인버터(X2)와, 상기 트랜스미션 게이트(12)를 구성하는 NMOS 및 PMOS 트랜지스터의 게이트를 콘트롤하는 제 3 인버터(X3)와, 스톱 모드(Stop Mode)시(파워 세이브 모드 신호) 입력단자(Xin)에 들어오는 신호를 "L" 레벨로 만드는 풀다운 NMOS 트랜지스터(13)와, 상기 크리스탈 공진자(11)의 공진을 위한 제 1, 제 2 캐패시터(C1,C2)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a crystal oscillator 11 for oscillation outside the IC and a frequency oscillated by the crystal oscillator 11 are input to an input terminal Xin inside the IC and an amplifier for amplifying the same. The first inverter X1 to be used as an amp, the transmission gate 12 for allowing the first inverter X1 to have an amplifier function, and the output signal of the first inverter X1 are stable pulses. Second inverter (X2) which is formed in the internal circuit and output to the internal circuit, the third inverter (X3) which controls the gates of the NMOS and PMOS transistors constituting the transmission gate (12), and in the stop mode (power mode) Save Mode Signal) The pull-down NMOS transistor 13 which makes the signal coming into the input terminal Xin at the "L" level, and the first and second capacitors C1 and C2 for resonance of the crystal resonator 11 are connected. It is configured to include.
여기서 상기 풀다운 NMOS 트랜지스터(13)는 소오스가 접지단(Vss)에 연결되고, 드레인이 입력단자(Xin)에 연결되며 게이트에는 스톱 모드시 IC 내부에 스톱 모드 신호(Stop_signal_IN)가 연결된다.The pull-down NMOS transistor 13 has a source connected to the ground terminal Vss, a drain connected to the input terminal Xin, and a stop mode signal Stop_signal_IN connected to the gate in the IC in the stop mode.
상기와 같이 구성된 오실레이터 회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the oscillator circuit configured as described above is as follows.
즉, IC 외부에 크리스탈 발진자(11)와 공진용의 제 1, 제 2 캐패시터(C1,C2)를 달고 IC에 전원전압(Vcc)을 인가하면 크리스탈 발진자(11)로부터 입력단자(Xin)에는 초기에 미세한 정현파가 발생된다.That is, when the crystal oscillator 11 and the first and second capacitors C1 and C2 for resonance are applied to the outside of the IC and the power supply voltage Vcc is applied to the IC, the crystal oscillator 11 receives an initial stage from the crystal oscillator 11 to the input terminal Xin. Minute sine waves
먼저, 스톱 모드 신호가 "L"인 경우에는 입력단자(Xin)로 입력되는 미세한 정현파를 제 1 인버터(X1)의 입력과 출력을 트랜스미션 게이트(12)로 숏트(Sort)시킨다.First, when the stop mode signal is "L", the input and output of the first inverter X1 are shorted to the transmission gate 12 by the fine sine wave input to the input terminal Xin.
여기서 상기 트랜스미션 게이트(12)는 IMΩ정도의 저항을 갖도록 만들어져 있고, 스톱 모드 신호가 "L"이면 "ON" 상태가 된다.Here, the transmission gate 12 is made to have a resistance of about IMΩ, and when the stop mode signal is "L", the transmission gate 12 is turned "ON".
이어, 상기 제 1 인버터(X1)의 입력과 출력이 트랜스미션 게이트(12)로 연결되므로 제 1 인버터(X1)는 증폭기로 동작하게 되어 크리스탈 발진자(11)에서 발진되는 미세한 정현파를 증폭시킨다.Subsequently, since the input and the output of the first inverter X1 are connected to the transmission gate 12, the first inverter X1 operates as an amplifier to amplify the fine sine wave oscillated by the crystal oscillator 11.
이때 상기 제 1 인버터(X1)에서 증폭된 출력은 다시 제 1 인버터(X1)의 입력으로 피드백(Feedback)시킬 수 있도록 트랜스미TUS 게이트(12)가 계속 "ON"되어 있다.At this time, the transmit TUS gate 12 is "ON" so that the output amplified by the first inverter X1 can be fed back to the input of the first inverter X1.
그리고 상기 제 1 인버터(X1)의 출력이 정현파로 나오므로 로직 소자에 쓰기위해 제 2 인버터(X2)를 거쳐 구형파가 나오도록 한다.Since the output of the first inverter X1 comes out as a sine wave, the square wave comes out through the second inverter X2 for writing to a logic element.
여기서 풀다운 NMOS 트랜지스터(13)는 "OFF"상태이다.Here, the pull-down NMOS transistor 13 is in the "OFF" state.
한편, 스톱 모드 신호가 "H"인 경우에 트랜스미션 게이트(12)는 "OFF"되고 풀 다운 NMOS 트랜지스터(13)가 "ON"된다.On the other hand, when the stop mode signal is "H", the transmission gate 12 is "OFF" and the pull-down NMOS transistor 13 is "ON".
즉, 입력단자(Xin)로 들어오는 미세한 정현파를 제 1 인버터(X1)로 증폭할 수 없도록 피드백 경로를 "OFF"시키고 입력단자(Xin)에 들어오는 미세한 정현파를 강제로 "L"이 되도록 풀다운 NMOS 트랜지스터(13)가 동작한다.That is, the pull-down NMOS transistor is turned off so that the fine sine wave entering the input terminal Xin cannot be amplified by the first inverter X1 and the fine sine wave entering the input terminal Xin is forced to L. (13) is operated.
따라서 제 2 인버터(X2)의 출력은 "L"이 되어진다.Therefore, the output of the 2nd inverter X2 becomes "L".
도 2는 종래의 오실레이터 회로 사용할 때 입력과 출력에 대한 타이밍이다.2 is a timing for input and output when using a conventional oscillator circuit.
도 2에서와 같이 파워 세이브 모드를 빠져 나올시 오실레이터의 정상동작까지 걸리는 시간이 길어진다.As shown in FIG. 2, the time required for normal operation of the oscillator becomes long when exiting the power save mode.
그러나 이와 같은 종래 기술의 오실레이터 회로에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.However, there have been the following problems in such a prior art oscillator circuit.
즉, 오실레이터가 정상 동작하려면 입력단자로 입력되는 미세한 정현파가 인버터를 거치고 다시 증폭된 신호가 피드백되어 입력단자로 입력되는 과정을 무한히 반복하여 인버터의 출력 파형이 전원전압에 근접할 때 오실레이터가 정상 동작한다고 말하여 이때까지 걸리는 발진 안정화되기까지의 시간이 수십 ㎲걸린다.That is, for the oscillator to operate normally, the oscillator operates normally when the fine sine wave input to the input terminal passes through the inverter and the amplified signal is fed back to input the input terminal infinitely. It takes tens of seconds to stabilize the oscillation.
이 때문에 MCU에서와 같이 파워 세이브 모드가 있는 IC에서는 파워 세이브 모드를 빠져나올시 오실레이터의 정상동작가지 걸리는 시간이 길어 그때까지 IC는 어떤 동작도 않고 있다가 오실레이터가 정상 동작할 때 칩이 동작하므로 전력소모 및 속도가 저하된다.Because of this, in ICs with a power save mode, such as an MCU, the oscillator takes a long time to exit from the power save mode. Until then, the IC does not operate until the chip operates when the oscillator operates normally. Consumption and speed decrease.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 MCU와 같이 발진자를 사용하고 전력소모를 줄이기 위해 파워 세이브 모드가 있는 IC에서 파워 세이브 모드가 풀리면 발진자가 정상 동작해야 하는 시간을 빠르게하여 정상동작에 걸리는 시간을 짧게 하고 그에 따라 전력소모를 줄이도록 한 오실레이터 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and when the power save mode is released in the IC with the power save mode to reduce the power consumption by using an oscillator such as an MCU, the oscillator should operate normally to speed up the normal operation. The object is to provide an oscillator circuit that shortens the time taken for operation and thus reduces power consumption.
도 1은 종래의 오실레이터 회로를 나타낸 회로도1 is a circuit diagram showing a conventional oscillator circuit
도 2는 종래의 오실레이터 회로 사용할 때의 입력과 출력을 나타낸 타이밍도2 is a timing diagram showing an input and an output when using a conventional oscillator circuit.
도 3은 본 발명에 의한 오실레이터 회로를 나타낸 회로도3 is a circuit diagram showing an oscillator circuit according to the present invention.
도 4는 본 발명에 의한 오실레이터 회로 사용할 때의 입력과 출력을 나타낸 타이밍도4 is a timing diagram showing an input and an output when using an oscillator circuit according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
21 : 크리스탈 발진자 22 : 제 1 트랜스미션 게이트21: crystal oscillator 22: first transmission gate
23 : 제 1NMOS 트랜지스터 24 : 에지 검출 회로23: first NMOS transistor 24: edge detection circuit
25 : 링 오실레이터 26 : 제 3 트랜스미션 게이트25 ring oscillator 26 third transmission gate
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 오실레이터 회로는 발진을 위한 크리스탈 발진자와, 상기 크리스탈 발진자에서 발진된 미세한 정현파를 받아 증폭하는 제 1 인버터와, 상기 제 1 인버터의 증폭을 위해 제 1 인버터의 입력과 출력을 연결하는 제 1 트랜스미션 게이트와, 상기 제 1 트랜스미션 게이트에 스톱 모드 신호의 반전된 신호를 인가하는 제 2 인버터와, 상기 제 1 인버터에서 중폭된 신호를 구형파로 전환하여 내부회로로 출력하는 제 3 인버터와, 스톱 모드 신호를 받아 크리스탈 발진자의 발진을 멈추게 하는 제 1 NMOS 트랜지스터와, 스톱 모드 신호가 릴레이 되는 것을 감지하는 에지 검출 회로와, 상기 에지 검출 회로의 출력을 받아 발진을 개시하는 링 오실레이터와, 상기 링 오실레이터의 출력을 반전하여 입력단자에 입력하는 제 4 인버터와, 상기 에지 검출 회로의 출력이 하이시 제 4 인버터의 출력과 입력단자를 분리시키는 제 2 트랜스미션 게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.An oscillator circuit according to the present invention for achieving the above object is a crystal oscillator for oscillation, a first inverter for receiving and amplifying a fine sine wave oscillated from the crystal oscillator, and a first inverter for amplifying the first inverter A first transmission gate connecting an input and an output of the first transmission gate, a second inverter applying an inverted signal of a stop mode signal to the first transmission gate, and converting the signal amplified by the first inverter into a square wave to an internal circuit. A third inverter for outputting, a first NMOS transistor receiving a stop mode signal to stop oscillation of the crystal oscillator, an edge detection circuit for detecting that the stop mode signal is relayed, and an oscillation in response to the output of the edge detection circuit. The ring oscillator and the output of the ring oscillator are inverted and input to the input terminal. It characterized in that the fourth inverter and an output of said edge detection circuit comprises a second transmission gate for high when separating the output and input terminal of the fourth inverter.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 오실레이터 회로를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an oscillator circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 의한 오실레이터 회로를 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram showing an oscillator circuit according to the present invention.
도 3에서와 같이, 발진을 위한 크리스탈 발진자(21)와, 상기 크리스탈 발진자(21)의 공진을 위한 제 1, 제 2 캐패시터(C1,C2)와, 상기 크리스탈 발진자(21)에서 발진된 미세한 정현파를 받아 증폭하는 제 1 인버터(X1)와, 상기 제 1 인버터(X1)의 증폭을 위해 제 1 인버터(X1)의 입력과 출력을 연결하는 제 1 트랜스미션게이트(22)와, 상기 제 1 트랜스미션 게이트(22)를 구성하는 NMOS 및 PMOS 트랜지스터의 게이트에 스톱 모드 신호의 반전된 신호를 인가하는 제 2 인버터(X2)와, 상기 제 1 인버터(X1)에서 증폭된 신호를 구형파로 전환하여 내부회로로 출력하는 제3 인버터(X3)와, 스톱 모드 신호가 "H"시 크리스탈 발진자(21)의 발진을 멈추게 하는 제 1 NMOS 트랜지스터(23)와, 스톱 모드 신호가 릴레이스(Release)되는 것을 감지하는 에지 검출 회로(24)와, 상기 에지 검출 회로(24)의 출력을 받아 발진을 개시하는 링 오실레이터(25)와, 상기 링 오실레이터(25)의 출력을 반전하여 입력단자( Xin)에 입력하는 제 4 인버터(X4)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the crystal oscillator 21 for oscillation, the first and second capacitors C1 and C2 for resonance of the crystal oscillator 21, and the fine sine wave oscillated in the crystal oscillator 21. A first inverter (X1) for receiving and amplifying, a first transmission gate (22) connecting an input and an output of the first inverter (X1) for amplifying the first inverter (X1), and the first transmission gate A second inverter (X2) for applying an inverted signal of the stop mode signal to the gates of the NMOS and PMOS transistors constituting the (22), and the signal amplified by the first inverter (X1) is converted into a square wave to an internal circuit; A third inverter (X3) to output, the first NMOS transistor 23 to stop the oscillation of the crystal oscillator 21 when the stop mode signal is "H", and to detect that the stop mode signal is relayed (Release) Edge detection circuit 24 and exit of the edge detection circuit 24 And a fourth oscillator (X4) for inverting the output of the ring oscillator (25) and inputting it to the input terminal (Xin).
여기서 상기 링 오실레이터(25)는 스톱 모드 신호가 "L"일 때 링 오실레이터(25)의 피드백 루프를 연결하는 제 2 트랜스미션 게이트(25a)와, 상기 제2 트랜스미션 게이트(25a)의 출력을 입력으로 반전시키어 출력하는 제 5 인버터(X5)와, 상기 제 5 인버터(X5)의 출력을 RC 딜레이시키는 제 1 , 제 2 RC 딜레이부(25b,25c)와, 상기 제 2 RC 딜레이부(25c)의 출력을 받아 피드백시키는 제 6인버터(X6)와, 상기 링 오실레이터(25)의 출력을 받아 입력단자(Xin)로 반전된 신호를 입력하는 제 4 인버터(X4)와, 상기 에지 검출 회로(24)의 출력이 "H"시 제 5 인버터(X5)의 출력이 플로팅 되는 것을 방지하는 제 2 NMOS 트랜지스터(25d)로 구성되어 있다.Here, the ring oscillator 25 receives a second transmission gate 25a connecting the feedback loop of the ring oscillator 25 and an output of the second transmission gate 25a when the stop mode signal is “L”. Of the fifth inverter X5 inverted and outputted, the first and second RC delay units 25b and 25c for RC delaying the output of the fifth inverter X5, and the second RC delay unit 25c. A sixth inverter (X6) for receiving and feeding back an output, a fourth inverter (X4) for receiving an output of the ring oscillator (25) and an inverted signal to an input terminal (Xin), and the edge detection circuit (24). Is composed of a second NMOS transistor 25d which prevents the output of the fifth inverter X5 from floating when its output is " H ".
또한, 상기 에지 검출 회로(24)의 출력이 "H"시 제 4 인버터(X4)의 출력과 입력단자(Xin)를 분리시키는 제 3 트랜스미션 게이트(26)로 구성된다.In addition, when the output of the edge detection circuit 24 is " H ", the output of the fourth inverter X4 is composed of a third transmission gate 26 that separates the input terminal Xin.
한편, 상기 제 1, 제 2 RC 딜레이부(25b,25c)는 각각 하나의 저항(R1,R2) 및 하나의 캐패시터(C3,C4)로 구성된다.Meanwhile, the first and second RC delay units 25b and 25c each include one resistor R1 and R2 and one capacitor C3 and C4.
그리고 여기서 미설명한 인버터 X7은 에지 검출 회로(24)의 출력신호와 함께 제 2 트랜스미션 게이트(25a)의 동작을 제어하고, 인버터 X8은 제 1 RC딜레이부(25b)신호를 반전시키어 제 2 RC 딜레이부(25c)로 출력한다.In addition, the inverter X7, which is not described herein, controls the operation of the second transmission gate 25a together with the output signal of the edge detection circuit 24, and the inverter X8 inverts the first RC delay unit 25b signal to invert the second RC delay. It outputs to the part 25c.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 오실레이터 회로의 동작을 설명하면 다음과 같이.Referring to the operation of the oscillator circuit according to the present invention configured as described above as follows.
전원전압(Vcc)이 IC 회로에 인가되면 입력단자(Xin)와 출력단자(Xout)에는 전압이 인가되어 크리스탈 발진자(21)와 제 1, 제 2 캐패시터(C1,C2)에 의해 발진을 개진하여 미세한 발진자의 출력을 입력단자(Xin)에 인가된다.When the power supply voltage Vcc is applied to the IC circuit, a voltage is applied to the input terminal Xin and the output terminal Xout to start the oscillation by the crystal oscillator 21 and the first and second capacitors C1 and C2. The output of the fine oscillator is applied to the input terminal Xin.
먼저, 스톱 모드 신호가 "L"이면, 입력단자(Xin)에 인가된 발진자 출력(정현파)은 제 1 트랜스미션 게이트(22)가 "ON"되고 입력과 출력이 묶여 증폭기로 동작하는 제 1 인버터(X1)로 입력되어 증폭된 파형이 출력단자(Xout)로 출력되고, 이 정현파 출력이 크리스탈 발진자(21)에 인가되어 게속 발진될 수 있도록 하고, 상기 크리스탈 발진자(21)의출력이 다시 입력단자(Xin)에 인가되고 제 1 인버터(X1)에서 증폭되어 크리스탈 발진자(21)로 인가되는 폐회로를 거치면서 발진이 전원전압과 비슷하게 될 때까지 발진 정현파의 피크에서 피크전압이 증가하고 이후는 전원 전압에서 고정된다.First, when the stop mode signal is "L", the oscillator output (sine wave) applied to the input terminal Xin has a first inverter ("ON") in which the first transmission gate 22 is "ON" and the input and output are tied together to operate as an amplifier. The waveform amplified and input to X1) is output to the output terminal Xout, and the sine wave output is applied to the crystal oscillator 21 so that it can be continuously oscillated, and the output of the crystal oscillator 21 is again input terminal ( The peak voltage is increased at the peak of the oscillating sine wave until the oscillation becomes similar to the supply voltage while passing through a closed circuit applied to Xin and amplified by the first inverter X1 and applied to the crystal oscillator 21, and then at the supply voltage. It is fixed.
한편, 에지 검출 회로(24)는 "L"시는 어떤 펄스도 내지 않으므로 계속 "H"상태를 출력하고, 이 출력과 링 오실레이터(25)의 인버터(X7)의 출력에 의해 제 2 트랜스미션 게이트(25a)는 "OFF"상태가 되고, 제 2 NMOS 트랜지스터(25d)는 "ON"되어 제 5 인버터(X5)의 입력에 "L"이 인가되게 하여 링 오실레이터(25)가 동작하지 않고, 제 4 인버터(X4)의 출력이 입력단자(Xin)에 전달되지 않도록 제 3 트랜스미션 게이트(26)가 "OFF"된다.On the other hand, the edge detection circuit 24 continuously outputs the "H" state because no pulse is generated at the time of "L", and this output and the output of the inverter X7 of the ring oscillator 25 produce a second transmission gate ( 25a) becomes the " OFF " state, and the second NMOS transistor 25d is " ON " so that " L " is applied to the input of the fifth inverter X5 so that the ring oscillator 25 does not operate and the fourth The third transmission gate 26 is “OFF” such that the output of the inverter X4 is not transmitted to the input terminal Xin.
그리고 스톱 모드 신호가 "H"이면, 제 1 NMOS 트랜지스터(23)가 "ON"되고, 제 1 트랜스미션 게이트(22)가 "OFF"되어 입력단자(Xin)가 "L"로 고정되고 피드백 되어 제 1 트랜스미션 게이트(22)가 "OFF"되므로 발진은 정지된다.When the stop mode signal is "H", the first NMOS transistor 23 is "ON", the first transmission gate 22 is "OFF", and the input terminal Xin is fixed to "L" and fed back. Since the one transmission gate 22 is "OFF", the oscillation is stopped.
이때 에지 검출 회로(24)의 출력은 "H"로 되므로 링 오실레이트(25)의 발진을 위한 피드백 패스가 "OFF"되어 제 2 트랜스미션 게이트(25a), 제 3 트랜스미션게이트(26)도 "OFF"된다.At this time, since the output of the edge detection circuit 24 becomes "H", the feedback path for oscillation of the ring oscillate 25 is "OFF", so that the second transmission gate 25a and the third transmission gate 26 are also "OFF". "do.
그리고 스톱 모드 신호가 "H"→"L"로 바뀔 때 에지 검출 회로(24)가 "L"신호를 출력하고, "L" 기간동안 제 2 트랜스미션 게이트(25a)가 "ON"되고, 링 오실레이터(25)의 제 2 NMOS 트랜지스터(25d)가 "OFF"되므로 링 오실레이터(25)가 발진을 시작한다.When the stop mode signal changes from "H" to "L", the edge detection circuit 24 outputs the "L" signal, and the second transmission gate 25a is "ON" during the "L" period, and the ring oscillator Since the second NMOS transistor 25d of (25) is " OFF ", the ring oscillator 25 starts oscillation.
이때 링 오실레이터(25)의 출력을 입력단자(Xin)에 연결해 주는 제 3 트랜지스미션 게이트(26)가 "ON"되어 있으므로 링 오실레이터(25)의 발진이 입력단자(Xin)에 전달되어 초기 크리스탈 발진자(21)가 발진을 개시하는 전압을 크게하여 빠른시간내에 발진이 정상적으로 되도록 하여주고 일정시간(네가티브 에지 검출의 출력이 "L"에서 "H"로 될 때까지)후 제 3 트랜스미션 게이트(26)이 인버터(X7)에 의해 "OFF"되어 이후로는 크리스탈 발진자(21)에 의한 발진만을 하게 된다.At this time, since the third transition gate 26 that connects the output of the ring oscillator 25 to the input terminal Xin is “ON”, the oscillation of the ring oscillator 25 is transmitted to the input terminal Xin, and the initial crystal is transmitted. The oscillator 21 increases the voltage at which oscillation starts, so that oscillation is normal within a short time, and after a predetermined time (until the output of the negative edge detection becomes from "L" to "H"), the third transmission gate 26 ) Is " OFF " by inverter X7 so that only oscillation by crystal oscillator 21 is performed.
도 4는 본 발명 의한 오실레이터 회로 사용할 때 입력과 출력을 나타낸 타이밍도이다.4 is a timing diagram showing an input and an output when using the oscillator circuit according to the present invention.
도 4에서와 같이, 파워 다운 모드에서는 IC의 소비전력을 줄이기 위해 오실레이터의 발진을 정지시키고 파워 다운 모드 릴레이시는 다시 오실레이터를 가동시키는데 가동시 걸리는 시간을 짧게 할 수 있다.As shown in FIG. 4, in the power down mode, oscillation of the oscillator may be stopped to reduce power consumption of the IC, and the time taken to start the oscillator may be shortened during the power down mode relay.
이상에서와 같이 본 발명에 의한 오실레이터 회로에 있어서 파워 다운 모드에서는 IC의 소비전력을 줄이기 위해 오실레이터의 발진을 정지시키고 파워 다운모드 릴레이시는 다시 오실레이터를 가동시키는데 가동시 걸리는 시간을 짧게 할 수 있고, 그 시간이 짧을수록 소비전력이 감소되므로 베터리를 전원으로 사용하는 소자에서 유리하며 동작 시작 시간도 짧으므로 고속동작에 유리하다는 효과가 있다.As described above, in the power down mode in the oscillator circuit according to the present invention, the oscillation of the oscillator can be stopped to reduce the power consumption of the IC, and the power down mode relay can shorten the time taken to start the oscillator again. As the time is shorter, power consumption is reduced, which is advantageous in the device using the battery as a power source, and the operation start time is short, which is advantageous in high speed operation.
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