KR100259975B1 - Remote controller - Google Patents
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Abstract
여기에 게재되는 리모트 콘트롤로는 적외선 다이오드와; 복수 개의 키들을 구비하여, 선택된 키에 상응하는 코드 신호를 발생하는 키 매트릭스 및; 상기 키 매트릭스가 연결되는 제 1 단자와 상기 적외선 다이오드가 연결되는 제 2 단자를 구비하며, 상기 코드 신호에 응답해서 상기 적외선 다이오드를 직접 구동하여 적외선 신호가 발생되도록 하는 마이크로프로세서 유니트를 포함한다.The remote control disclosed herein includes an infrared diode; A key matrix having a plurality of keys for generating a code signal corresponding to the selected key; And a microprocessor unit having a first terminal to which the key matrix is connected and a second terminal to which the infrared diode is connected, and directly driving the infrared diode in response to the code signal to generate an infrared signal.
Description
본 발명은 리모트 콘트롤러에 관한 것으로서, 구체적으로는 적외선 LED (infrared ray light-emitting diode)를 구동하기 위한 구동 회로 (driving circuit)가 내부에 집적된 마이크로 프로세서 유니트 (microprocessor unit) 또는 마이크로컴퓨터 (microcomputer)를 가지는 리모트 콘트롤러에 관한 것이다.The present invention relates to a remote controller, and more particularly, to a microprocessor unit or a microcomputer in which a driving circuit for driving an infrared ray light-emitting diode (LED) is integrated therein. It relates to a remote controller having a.
리모트 콘트롤러 (remote controller)는 일반적으로 수십 가지의 기능들을 제공하는 많은 키들을 가지며, 그것에 의해서 제어될 장치 (equipment)로부터 먼 위치에서 그러한 기능들을 선택할 수 있다. 적외선 신호들 (infrared ray signals)을 발생하는 리모트 콘트롤러를 통해서 여러 가지 모드들로 먼 거리의 사용자에 의해서 조정될 수 있는 TV, 비디오카세트 리코더 (videocassette recorder), 디스크 플레이어 (disk player), 에어콘 (air conditioner), 그리고 기타 다른 종류의 것이 있다.Remote controllers generally have many keys that provide dozens of functions, whereby they can select those functions at a remote location from the equipment to be controlled. TV, videocassette recorder, disk player, air conditioner that can be controlled by a remote user in various modes via a remote controller that generates infrared ray signals ), And other kinds of things.
도 1은 종래 기술에 따른 리모트 콘트롤러의 블록도이다. 종래의 리모트 콘트롤러 (1)는 키 매트릭스 (a key matrix) (10), 마이크로프로세서 유니트 (a microprocessor unit; 20) (또는, 마이크로컴퓨터-microcomputer), 그리고 도 1에 도시된 바와 같이 연결된 하나의 LED (32), NPN 트랜지스터 (34), 그리고 하나의 저항 (36)으로 구성된 적외선 출력부 (infrared ray outputting section; 30)로 구성된다.1 is a block diagram of a remote controller according to the prior art. The conventional remote controller 1 has a key matrix 10, a microprocessor unit 20 (or microcomputer), and one LED connected as shown in FIG. (32), an NPN transistor (34), and an infrared ray outputting section (30) consisting of one resistor (36).
위에서 언급된 전자 장치용으로 사용되는 도 1의 리모트 콘트롤러 (1)는 사용자에 의해서 지정된 조작에 대응하는 특정 양식 (specific format)으로 코드화된 명령 신호를 발생하고 그리고 상기 명령 신호에 의해서 상기 적외선 출력부 (30)의 NPN 트랜지스터 (34)가 활성화된다. 그 결과, 상기 코드 명령 신호는 하나의 출력으로서 전자 장치 (미도시된)에 전달되도록 LED (34)에 의해서 적외선 신호 (infrared ray signal; IRS)로 변환된다. 상기 전자 장치는, 도면에는 도시되지 않았지만, 적외선 입력 유니트 (infrared receiving unit) 및 복조 유니트 (demodulating unit)를 구비하며, 전자는 출력된 적외선 신호를 검출하고 그리고 후자는 상기 신호를 전기적인 명령 신호로 복조한다. 상기 전기적인 명령 신호는 상기 명령 신호를 초기로 하여 제어 동작을 수행하는 시스템 제어 유니트 (미도시된)에 입력된다.The remote controller 1 of FIG. 1 used for the above-mentioned electronic device generates a command signal coded in a specific format corresponding to an operation designated by a user, and in response to the command signal, the infrared output unit. NPN transistor 34 of 30 is activated. As a result, the code command signal is converted into an infrared ray signal (IRS) by the LED 34 to be delivered as an output to an electronic device (not shown). The electronic device has an infrared receiving unit and a demodulating unit, although not shown in the figure, the former detects the output infrared signal and the latter converts the signal into an electrical command signal. Demodulate The electric command signal is input to a system control unit (not shown) which performs a control operation by initializing the command signal.
앞서 설명된 종래 기술에 따른 리모트 콘트롤러에 의하면, LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 그것에 의해서 소모되는 전류는 대략 500mA이다. 그러한 대전류용 스위칭 소자로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 바이폴라 트랜지스터 (36)가 사용된다. 많은 메이커들이 생산 단가를 낮추기 위해서 시도하고 있는 한가지 방법은 장치 (예를 들면, 전술한 리모트 콘트롤러)의 구성 요소들 (예컨대, 마이크로프로세서 유니트와 바이폴라 트랜지스터)을 가능한 하나의 칩 상 (on-chip)에 집적하는 것이다.According to the remote controller according to the prior art described above, when the infrared signal IRS is generated from the LED 32, the current consumed by it is approximately 500 mA. As such a large current switching element, as shown in Fig. 1, a bipolar transistor 36 is used. One method that many manufacturers are attempting to reduce production costs is to place components (eg, microprocessor units and bipolar transistors) of the device (e.g., the remote controller described above) on as one chip as possible. To accumulate.
상기 바이폴라 트랜지스터 (34)가 턴온되어서 LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 전원 과도 현상 즉, 오버슈트 (overshoot)가 생기는 것은 이 분야에 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다. 게다가, 앞서 설명된 바와 같이, LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 유효한 신호로서 출력되기에 충분한 전류량이 대략 500mA이기 때문에, 그러한 전원 과도 현상은 더욱 심하게 생길 수 있다.It is apparent to those skilled in the art that when the bipolar transistor 34 is turned on and an infrared signal IRS is generated from the LED 32, a power supply transient, that is, an overshoot, occurs. In addition, as described above, since the amount of current sufficient for the infrared signal IRS to be output as an effective signal from the LED 32 is approximately 500 mA, such power supply transient may occur more severely.
만약 하나의 칩 상에 대전류용 스위칭 소자로서 사용되는 상기 바이폴라 트랜지스터 (34)가 마이크로프로세서 유니트 (20) 내부에 집적되는 경우에 있어서, LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 생기는, 노이즈의 주 원인으로서 작용하는, 전원 오버 슈트 (power overshoot)가 마이크로프로세서 유니트 (20) 내부에서 발생되어서 상기 마이크로프로세서 유니트 (20) 내의 노이즈 마진 (noise margin)이 감소한다. 그러한 결과로서, 상기 마이크로프로세서 유니트 (20)의 오동작이 유발될 수 있다.If the bipolar transistor 34 used as a switching device for high current on one chip is integrated inside the microprocessor unit 20, which occurs when an infrared signal IRS is generated from the LED 32, Power overshoot, which acts as the main cause of noise, is generated inside the microprocessor unit 20 so that the noise margin in the microprocessor unit 20 is reduced. As a result of this, a malfunction of the microprocessor unit 20 may be caused.
그러므로, 대전류용 스위칭 소자 예컨대, 바이폴라 트랜지스터 (34)를 마이크로프로세서 유니트 (20) 내부에 집적하는 경우에 앞서 언급된 문제점 때문에 그것 내부에 대전류용 스위칭 소자를 집적하는 것은 매우 어렵다.Therefore, it is very difficult to integrate a large current switching element therein because of the above-mentioned problem in the case of integrating a large current switching element such as the bipolar transistor 34 inside the microprocessor unit 20.
따라서 본 발명의 목적은 적외선 신호를 출력하는 LED 구동 회로가 단일의 집적 회로 상에 집적된 마이크로프로세서 유니트를 구비한 리모트 콘트롤러를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a remote controller having a microprocessor unit in which an LED drive circuit for outputting infrared signals is integrated on a single integrated circuit.
도 1은 종래 기술에 따른 리모트 콘트롤러의 블록도;1 is a block diagram of a remote controller according to the prior art;
도 2는 본 발명에 따른 리모트 콘트롤러의 블록도; 그리고2 is a block diagram of a remote controller according to the present invention; And
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 구동 회로의 상세 회로도이다.3 is a detailed circuit diagram of the LED driving circuit according to a preferred embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 리모트 콘트롤러 10, 100 : 키 매트릭스1: remote controller 10, 100: key matrix
20, 120 : 마이크로프로세서 유니트 30 : 적외선 출력 회로20, 120: microprocessor unit 30: infrared output circuit
32 : LED 140 : 키 검출 회로32: LED 140: key detection circuit
160 : 롬 유니트 180 : CPU160: ROM unit 180: CPU
200 : 램 유니트 220 : 펄스 코드 발생 유니트200: RAM unit 220: pulse code generation unit
240 : LED 구동 회로 242 : 스위치 회로240: LED drive circuit 242: switch circuit
244 : 스위치 구동 회로 246-248 : 구동 회로244: switch driving circuit 246-248: driving circuit
(구성)(Configuration)
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 적외선 다이오드와; 복수 개의 키들을 구비하여, 선택된 키에 상응하는 코드 신호를 발생하는 키 매트릭스 및; 상기 키 매트릭스가 연결되는 제 1 단자와 상기 적외선 다이오드가 연결되는 제 2 단자를 구비하며, 상기 코드 신호에 응답해서 상기 적외선 다이오드를 직접 구동하여 적외선 신호가 발생되도록 하는 마이크로프로세서 유니트를 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, an infrared diode; A key matrix having a plurality of keys for generating a code signal corresponding to the selected key; And a microprocessor unit having a first terminal to which the key matrix is connected and a second terminal to which the infrared diode is connected, and directly driving the infrared diode in response to the code signal to generate an infrared signal.
이 실시예에 있어서, 상기 마이크로프로세서 유니트는, 상기 제 1 단자에 연결되며, 그렇게 선택된 키에 대응하는 코드 신호를 검출하는 검출 수단과; 리모트 콘트롤러 제어 프로그램을 저장하는 롬 유니트와; 상기 롬 유니트에 저장된 상기 리모트 콘트롤러 제어 프로그램에 따라 상기 코드 신호에 대응하는 펄스 코드 신호를 발생하는 펄스 코드 발생 유니트와; 각각이 상기 제 2 단자에 병렬로 연결되며, 대응하는 구동 신호들에 응답해서 상기 제 2 단자와 기준 전압을 전기적으로 연결하는 복수 개의 스위치들 및; 상기 펄스 코드 신호에 응답해서 대응하는 스위치들을 각각 구동하기 위한 상기 구동 신호들을 차례로 발생하는 스위치 구동 회로를 포함한다.In this embodiment, the microprocessor unit comprises: detecting means connected to the first terminal and detecting a code signal corresponding to the key so selected; A ROM unit for storing a remote controller control program; A pulse code generation unit for generating a pulse code signal corresponding to the code signal in accordance with the remote controller control program stored in the ROM unit; A plurality of switches, each of which is connected in parallel to the second terminal and electrically connects the second terminal and a reference voltage in response to corresponding drive signals; And a switch driving circuit which in turn generates the drive signals for respectively driving corresponding switches in response to the pulse code signal.
이 실시예에 있어서, 상기 기준 전압은 접지 전압이다.In this embodiment, the reference voltage is a ground voltage.
이 실시예에 있어서, 상기 각 스위치는, 상기 제 2 단자와 접지 전압 사이에 형성되는 전류 통로 및, 대응하는 구동 신호에 의해서 제어되는 게이트를 가지는 NMOS 트랜지스터를 포함한다.In this embodiment, each switch includes an NMOS transistor having a current path formed between the second terminal and a ground voltage, and a gate controlled by a corresponding drive signal.
이 실시예에 있어서, 상기 스위치 구동 회로는 상기 스위치들에 각각 대응하는 복수개의 구동 회로들을 포함한다.In this embodiment, the switch driving circuit includes a plurality of driving circuits respectively corresponding to the switches.
이 실시예에 있어서, 상기 구동 회로들 각각은, 입력 신호를 받아들이는 입력 단자와; 대응하는 구동 신호를 출력하는 제 1 출력 단자와; 상기 대응하는 구동 신호의 상보 신호를 출력하는 제 2 출력 단자와; 전원 전압을 받아들이는 전원 단자에 연결되는 소오스, 상기 입력 단자에 연결되는 게이트, 그리고 드레인을 가지는 제 1 PMOS 트랜지스터와; 접지 전압을 받아들이는 접지 단자에 연결되는 소오스, 상기 입력 단자에 연결되는 게이트, 그리고 상기 제 1 출력 단자에 연결되는 드레인을 가지는 제 1 NMOS 트랜지스터와; 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제 1 출력 단자 사이에 연결되며, 상기 입력 신호에 따라 저항성을 가지는 액티브 로드와; 상기 액티브 로드와 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인 간의 제 1 접속점의 전위에 의해서 제어되는 게이트, 그리고 상기 전원 단자 및 상기 제 2 출력 단자 형성되는 전류 통로를 가지는 제 2 PMOS 트랜지스터 및; 상기 액티브 로드와 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 드레인 간의 제 2 접속점의 전위에 의해서 제어되는 게이트, 그리고 상기 접지 단자 및 상기 제 2 출력 단자 사이에 형성되는 전류 통로를 가지는 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 구동 회로들 중 최초로 발생되는 구동 신호에 대응하는 구동 회로는 상기 입력 신호로서 상기 펄스 코드 신호를 받아들이고, 나머지 구동 회로들은 이전 단으로부터 출력되는 대응하는 상보 신호를 받아들인다.In this embodiment, each of the driving circuits comprises: an input terminal for receiving an input signal; A first output terminal for outputting a corresponding drive signal; A second output terminal for outputting a complementary signal of the corresponding drive signal; A first PMOS transistor having a source connected to a power supply terminal receiving a power supply voltage, a gate connected to the input terminal, and a drain; A first NMOS transistor having a source connected to a ground terminal for receiving a ground voltage, a gate connected to the input terminal, and a drain connected to the first output terminal; An active load connected between the drain of the first PMOS transistor and the first output terminal and having a resistance according to the input signal; A second PMOS transistor having a gate controlled by a potential of a first connection point between the active load and the drain of the first PMOS transistor, and a current path formed between the power supply terminal and the second output terminal; A second NMOS transistor having a gate controlled by a potential of a second connection point between the active load and a drain of the first NMOS transistor, and a current path formed between the ground terminal and the second output terminal; The driving circuit corresponding to the first driving signal generated among the driving circuits receives the pulse code signal as the input signal, and the remaining driving circuits receive the corresponding complementary signal output from the previous stage.
이 실시예에 있어서, 상기 각 구동 회로의 출력들은 대응하는 입력 신호의 상태가 변화될 때 상기 각 구동 회로의 액티브 로드와 대응하는 스위치의 게이트 기생 커패시턴스의 시정수만큼 대응하는 입력 신호를 기준하여 지연된다.In this embodiment, the outputs of each of the driving circuits are delayed based on the corresponding input signal by the time constant of the gate parasitic capacitance of the switch corresponding to the active load of each of the driving circuits when the state of the corresponding input signal is changed. do.
이 실시예에 있어서, 상기 액티브 로드는 복수 개의 NMOS 트랜지스터들 및 PMOS 트랜지스터들을 포함한다.In this embodiment, the active load includes a plurality of NMOS transistors and PMOS transistors.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 적외선 다이오드와; 복수 개의 키들을 구비하고, 선택된 키에 상응하는 코드 신호를 발생하는 키 매트릭스 및; 상기 키 매트릭스에 연결되며, 상기 코드 신호를 검출하는 검출 수단과; 리모트 콘트롤러 제어 프로그램을 저장하는 롬 유니트와; 상기 롬 유니트에 저장된 상기 리모트 콘트롤러 제어 프로그램에 따라 상기 선택된 키에 상응하는 펄스 코드 신호를 발생하는 펄스 코드 발생 유니트와; 상기 적외선 다이오드에 병렬로 연결되는 복수 개의 스위치들과; 그리고 상기 펄스 코드 신호에 응답해서 상기 스위치들을 각각 구동하기 위한 복수 개의 구동 신호들을 차례로 발생하는 스위치 구동 회로를 포함하되, 상기 검출 수단, 상기 롬 유니트, 상기 펄스 코드 발생 유니트, 상기 스위치들, 그리고 상기 스위치 구동 회로 모두는 단일의 집적 회로 상에 형성되어 마이크로프로세서로서 기능한다.According to another feature of the invention, the infrared diode; A key matrix having a plurality of keys and generating a code signal corresponding to the selected key; Detection means coupled to the key matrix for detecting the code signal; A ROM unit for storing a remote controller control program; A pulse code generation unit for generating a pulse code signal corresponding to the selected key according to the remote controller control program stored in the ROM unit; A plurality of switches connected in parallel to the infrared diode; And a switch driving circuit which sequentially generates a plurality of driving signals for respectively driving the switches in response to the pulse code signal, wherein the detection means, the ROM unit, the pulse code generation unit, the switches, and the Both switch drive circuits are formed on a single integrated circuit to function as a microprocessor.
이와 같은 장치에 의해서, 턴-온 전류의 시간에 대한 변화량이 분산되도록 함으로써 즉, 적외선 신호가 발생될 때 노이즈의 주 원인으로 작용하는 오버슈트가 감소되도록 LED 구동 회로를 구현함으로써 별도의 바이폴라 트랜지스터 대신에 마이크로프로세서 유니트 내에 상기 LED 구동 회로가 집적될 수 있다.With such a device, instead of a separate bipolar transistor, the LED driving circuit is implemented so that the amount of change in the turn-on current with respect to time is distributed, that is, the overshoot which is the main cause of the noise when the infrared signal is generated is reduced. The LED driving circuit can be integrated in the microprocessor unit.
(실시예)(Example)
이하 본 발명의 동작이 참조 도면들에 따라 상세히 설명된다. 도면들 2 및 3에 있어서, 도 1의 구성 요소들과 동일한 기능을 가지는 것에 대해서 동일한 참조 번호들로 표기된다.The operation of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. In Figures 2 and 3, the same reference numerals refer to those having the same function as the components of FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 신규한 리모트 콘트롤러 (1)에는, 복수 개의 키들을 가지는 키 매트릭스 (100)와 상기 키들 중 하나가 선택될 때 적외선 신호를 발생하는 적외선 LED (32; 이하 LED라 칭함)가 각각 대응하는 단자들 (T1) 및 (T2)을 통해서 연결되는 마이크로프로세서 유니트 (120)가 제공된다. 상기 마이크로프로세서 유니트 (120)는 상기 키들 중 적어도 하나가 선택될 때 상기 선택된 키에 상응하는 코드 신호에 응답해서 상기 LED (32)를 직접 구동하여 적외선 신호가 발생되도록 한다.2 and 3, the novel remote controller 1 of the present invention includes a key matrix 100 having a plurality of keys and an infrared LED 32 which generates an infrared signal when one of the keys is selected; There is provided a microprocessor unit 120, to which LEDs are connected, respectively, through corresponding terminals Tl and T2, respectively. The microprocessor unit 120 directly drives the LED 32 in response to a code signal corresponding to the selected key when at least one of the keys is selected to generate an infrared signal.
다시 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 리모트 콘트롤러 (1)의 블록도가 도시되어 있다. 상기 리모트 콘트롤러 (1)는 키 매트릭스 (100), 상기 키 매트릭스 (100)가 연결되는 제 1 단자 (T1)와 LED (32)가 연결되는 제 2 단자 (T2)를 가지는 마이크로프로세서 유니트 (120)를 포함한다. 상기 키 매트릭스 (100)는, 도면에는 도시되지 않았지만, 복수 개의 키들을 구비하고, 선택된 키에 상응하는 코드 신호를 발생한다. 상기 마이크로프로세서 유니트 (120)는 상기 제 1 단자 (T1)에 연결된 키 검출 회로 (140), 잘 알려진 중앙 처리 장치 (central processing unit; 160), 리모트 콘트롤러 제어 프로그램이 저장된 롬 유니트 (read only memory unit; 160), 일시적인 데이터 저장 영역인 램 유니트 (random access memory unit; 200), 그리고, 도면에는 도시되지 않았지만, 발진기 (oscillator), 주파수 분주 장치 그리고/또는 그것과 같은 종류의 것을 포함하는 펄스 코드 발생 유니트 (pulse code generating unit; 220)를 포함한다.Referring again to FIG. 3, there is shown a block diagram of a remote controller 1 according to the present invention. The remote controller 1 has a microprocessor unit 120 having a key matrix 100, a first terminal T1 to which the key matrix 100 is connected, and a second terminal T2 to which the LED 32 is connected. It includes. Although not shown in the figure, the key matrix 100 has a plurality of keys and generates a code signal corresponding to the selected key. The microprocessor unit 120 includes a key detecting circuit 140 connected to the first terminal T1, a well-known central processing unit 160, and a ROM unit in which a remote controller control program is stored. 160), a random access memory unit 200 which is a temporary data storage area, and a pulse code generation including an oscillator, a frequency division device and / or the like, although not shown in the drawing; Unit 220 (pulse code generating unit).
상기 펄스 코드 발생 유니트 (220)는 상기 키 매트릭스 (100)의 키들 중 적어도 하나가 선택되어서 상기 선택된 키에 상응하는 코드 신호가 검출될 때 상기 롬 유니트 (160)에 저장된 상기 리모트 콘트롤러 제어 프로그램에 따라 상기 코드 신호에 상응하는 펄스 코드 신호를 발생한다. 또한, 상기 마이크로프로세서 유니트 (120)는 LED (32)로부터 적외선 신호가 발생되도록 그것을 구동하는 LED 구동 회로 (LED driving circuit; 240)를 포함한다. 상기 LED 구동 회로 (240)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 마이크로프로세서 유니트 (120) 내에 단일의 집적 회로 (a monolithic integrated circuit)로서 형성된다.The pulse code generation unit 220 according to the remote controller control program stored in the ROM unit 160 when at least one of the keys of the key matrix 100 is selected to detect a code signal corresponding to the selected key. Generate a pulse code signal corresponding to the code signal. The microprocessor unit 120 also includes an LED driving circuit 240 for driving the infrared signal from the LED 32 to generate it. The LED drive circuit 240 is formed as a monolithic integrated circuit in the microprocessor unit 120, as shown in FIG.
LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 소모되는 대전류 (예를 들면, 500mA)로 인해서 스위칭 소자로서 바이폴라 트랜지스터 (34)를 마이크로프로세서 유니트 (20) 내에 집적할 수 없음은 종래 기술의 배경에서 설명되었다. 하지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 리모트 콘트롤러 (1)는 LED 구동 회로 (240)가 마이크로프로세서 유니트 (120) 내에 구현되었음을 알 수 있다. 스위칭 소자로서 사용되는 바이폴라 트랜지스터가 마이크로프로세서 유니트 (120) 내에 어떻게 집적될 수 있는지 여부가 도 3을 참조하여 설명된다.It is not possible to integrate the bipolar transistor 34 into the microprocessor unit 20 as a switching element due to the large current (e.g. 500 mA) consumed when the infrared signal IRS is generated from the LED 32. Described in the background. However, as shown in FIG. 2, the remote controller 1 according to the present invention can recognize that the LED driving circuit 240 is implemented in the microprocessor unit 120. How a bipolar transistor used as a switching element can be integrated in the microprocessor unit 120 is described with reference to FIG. 3.
LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 생기는 바운싱 (bouncing) 즉, 접지 전압의 레벨이 높아지는 현상은, 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 잘 알려진 바와 같이, 상기 LED (32)에 연결된 스위칭 소자 (도 1 참조)를 스위치-온/오프할 때 순간적으로 발생된다. 본 발명의 개념은 순간적으로 생기는 그러한 바운싱이 여러 구간들에 걸쳐 생기도록 하는 것이다. 그러므로, 비록 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 바운싱이 생기더라도, 마이크로프로세서 유니트 (120)의 내부 노이즈 마진은 그러한 감소된 바운싱에 의해서 영향을 받지 않는다. 이러한 본 발명의 개념이 적용된 LED 구동 회로 (240)의 상세 회로도가 도 3에 도시되어 있다.Bouncing that occurs when an infrared signal (IRS) is generated from the LED 32, i.e., a rise in the level of the ground voltage, is well known to those skilled in the art. Is generated instantaneously when switching on / off a switching element (see FIG. 1). The concept of the present invention is such that instantaneous bounces occur over several intervals. Therefore, even if bounce occurs when the infrared signal IRS is generated, the internal noise margin of the microprocessor unit 120 is not affected by such reduced bounce. A detailed circuit diagram of the LED driving circuit 240 to which the concept of the present invention is applied is shown in FIG. 3.
도 3에서, LED 구동 회로 (240)는 제 2 단자 (T2)를 통해서 LED (32)에 연결된 스위치 회로 (242) 그리고 도 2의 시스템 버스 (system bus)로부터 제공되는 펄스 코드 신호 (PCS)에 응답해서 상기 스위치 회로 (242)를 구동하기 위한 구동 신호들 (DRV1), (DRV2), …, (DRVn) (여기서, n은 정수)을 발생하는 스위치 구동 회로 (244)를 포함한다.In FIG. 3, the LED drive circuit 240 is connected to the pulse code signal PCS provided from the switch circuit 242 connected to the LED 32 via the second terminal T2 and the system bus of FIG. 2. In response to driving signals DRV1, DRV2,..., For driving the switch circuit 242. , A switch driving circuit 244 generating (DRVn), where n is an integer.
앞서 설명된 개념에 따른 본 발명의 바람직한 실시예의 스위치 회로 (242)는 복수 개의 NMOS 트랜지스터들 (SW1), (SW2), …, (SWn)로 구성된다. 상기 NMOS 트랜지스터들 (SW1), (SW2), …, (SWn)의 드레인들은 상기 단자 (T2)를 통해서 상기 LED (32)에 공통으로 연결되고, 그것 들의 소오스들은 접지된다. 그리고 상기 트랜지스터들 (SW1), (SW2), …, (SWn)의 게이트들은 대응하는 구동 신호들 (DRV1), (DRV2), …, (DRVn)에 의해서 각각 제어된다. 도 3에서, 도시의 편의상, 스위치 구동 회로 (244)를 구성하는 구동 회로들 (246), (267), …, (248) 중 제 1 구동 신호 (DRV1)를 발생하는 구동 회로 (246)의 상세 회로도만이 도시되어 있지만, 나머지 구동 회로들 역시 그것과 동일한 회로 구성을 가진다. 상기 구동 회로들 (246), (247), …, (248) 중 구동 회로 (246)만이 입력 신호로서 상기 펄스 코드 신호 (PCS)를 받아들이고 그리고 나머지 구동 회로들은 입력 신호로서 이전단의 출력 신호들 (즉, 전단의 구동 회로에서 출력되는 구동 신호의 상보 신호) (NDRV1), (NDRV2), …, (NDRVn-1)를 받아들임을 유의해야 한다.The switch circuit 242 of the preferred embodiment of the present invention according to the concept described above includes a plurality of NMOS transistors SW1, SW2,. , (SWn). The NMOS transistors SW1, SW2,... , Drains of SWn are commonly connected to the LED 32 via the terminal T2, and their sources are grounded. And the transistors SW1, SW2,... , Gates of (SWn) correspond to corresponding driving signals DRV1, DRV2,... And (DRVn) respectively. In Fig. 3, for convenience of illustration, the drive circuits 246, 267,... Constituting the switch drive circuit 244. Only a detailed circuit diagram of the driving circuit 246 for generating the first driving signal DRV1 of 248 is shown, but the remaining driving circuits also have the same circuit configuration. The driving circuits 246, 247,... , 248, only the driving circuit 246 accepts the pulse code signal PCS as an input signal and the remaining driving circuits are input signals of the previous stage output signals (i.e., the driving signal output from the preceding driving circuit). Complementary signal) (NDRV1), (NDRV2),... Note that it accepts (NDRV n-1 ).
상기 제 1 구동 신호 (DRV1)를 발생하는 구동 회로 (246)는 2 개의 PMOS 트랜지스터들 (MP1) 및 (MP5), 2 개의 NMOS 트랜지스터들 (MN1) 및 (MN7), 그리고 액티브 로드 (active load) (245)로 구성된다. 상기 PMOS 트랜지스터 (MP1) 및 상기 NMOS 트랜지스터 (MN1)와 상기 PMOS 트랜지스터 (MP5) 및 상기 NMOS 트랜지스터 (MN7)는 각각 인버터로서 기능한다. 상기 액티브 로드 (245)는 인버터로서 기능하는 상기 PMOS 및 NMOS 트랜지스터들 (MP1) 및 (MN1)의 드레인들 즉, 접속점들 (N1) 및 (N2) 사이에 연결되며, 도 3에 도시된 바와 같이 연결된 3 개의 PMOS 트랜지스터들 (MP2)-(MP4) 및 5 개의 NMOS 트랜지스터들 (MN2)-(MN6)로 구성된다.The driving circuit 246 for generating the first driving signal DRV1 includes two PMOS transistors MP1 and MP5, two NMOS transistors MN1 and MN7, and an active load. 245. The PMOS transistor MP1 and the NMOS transistor MN1, the PMOS transistor MP5 and the NMOS transistor MN7 each function as an inverter. The active load 245 is connected between the drains of the PMOS and NMOS transistors MP1 and MN1, that is, the connection points N1 and N2, which serve as inverters, as shown in FIG. It consists of three connected PMOS transistors MP2-MP4 and five NMOS transistors MN2-MN6.
상기 구동 회로 (246)의 동작이 이하 설명된다. 도 2의 키 매트릭스 (100)의 키들 중 적어도 하나의 키가 선택될 때 키 검출 회로 (140), 롬 유니트 (160), CPU (180), 램 유니트 (200), 그리고 펄스 코드 발생 유니트 (220)를 통해서 상기 선택된 키에 상응하는 펄스 코드 신호 (PCS)가 발생된다. 구동 회로 (246)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되는 펄스 코드 신호 (PCS)에 응답해서 대응하는 구동 신호 (DRV1)를 발생한다.The operation of the drive circuit 246 is described below. When at least one of the keys of the key matrix 100 of FIG. 2 is selected, the key detection circuit 140, the ROM unit 160, the CPU 180, the RAM unit 200, and the pulse code generation unit 220 are selected. Is generated a pulse code signal (PCS) corresponding to the selected key. The drive circuit 246 generates a corresponding drive signal DRV1 in response to the pulse code signal PCS transitioning from the high level to the low level.
이를 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 상기 펄스 코드 신호 (PCS)가 하이 레벨일 때 접속점들 (N1) 및 (N2)은 모두 로우 레벨로 유지되고, 그리고 상기 펄스 코드 신호 (PCS)가 로우 레벨일 때, 상기 접속점들 (N1) 및 (N2)은 모두 하이 레벨로 유지된다.This will be described in more detail as follows. Connection points N1 and N2 are both kept low when the pulse code signal PCS is at high level, and when the pulse code signal PCS is at low level, the connection points N1 and N2 is kept at a high level.
상기 펄스 코드 신호 (PCS)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이될 때, 상기 펄스 코드 신호 (PCS)에 의해서 액티브 로드 (245)의 PMOS 트랜지스터들 (MP2)-(MP4)는 턴-온되고 그리고 그것의 NMOS 트랜지스터들 (MN2)-(MN4) 그리고 (MN6)은 턴-오프된다. 그리고, 접속점들 (N1) 및 (N2) 모두 로우 레벨에서 하이 레벨이 된다. 이때, 상기 접속점들 (N1) 및 (N2)은 동시에 동일 전위로 설정되지 않는다. 왜냐하면, 액티브 로드 (245)를 구성하는 트랜지스터들의 턴-온 저항 (turn-on resistance)과 접속점 (N2) 및 스위치 회로 (242)의 대응하는 NMOS 트랜지스터 (SW1)의 게이트에서 바라본 기생 커패시턴스 (parasitical capacitance)의 RC 시정수를 기초로 하여 접속점 (N2) 상의 전압이 변화되는 반면에, 접속점 (N1) 상의 전압은 그러한 RC 시정수에 상응하는 지연 시간없이 단지 PMOS 트랜지스터 (MP1)의 턴-온 저항에 의해서 변화된다. 즉, 상기 접속점 (N2) 상의 전압이 RC 시정수에 따라 순간적으로 변화되지 않고 소정 시간 (RC 시정수) 동안에 분산되어 변화되기 때문에, CMOS 인버터의 특성에 따라 신호 천이시 PMOS 및 NMOS 트랜지스터들 (MP1) 및 (MN2)이 동시에 턴-온될 때 생기는 오버슈트가 방지될 수 있다.When the pulse code signal PCS transitions from a high level to a low level, the PMOS transistors MP2-MP4 of the active load 245 are turned on by the pulse code signal PCS and it NMOS transistors MN2-MN4 and MN6 of are turned off. Then, both the connection points N1 and N2 go from a low level to a high level. At this time, the connection points N1 and N2 are not set to the same potential at the same time. This is because parasitical capacitance seen from the gates of the turn-on resistance and the connection point N2 of the transistors constituting the active load 245 and the corresponding NMOS transistor SW1 of the switch circuit 242. The voltage on connection point N2 is changed based on the RC time constant of C1), whereas the voltage on connection point N1 is only at the turn-on resistance of the PMOS transistor MP1 without a delay time corresponding to such RC time constant. Is changed by That is, since the voltage on the connection point N2 does not change instantaneously according to the RC time constant but is dispersed and changed for a predetermined time (RC time constant), the PMOS and NMOS transistors MP1 during signal transition according to the characteristics of the CMOS inverter. ) And (MN2) can be prevented overshoot that occurs when turned on at the same time.
상기 구동 회로 (246)의 입력 신호인 펄스 코드 신호 (PCS)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이될 때, 즉 상기 구동 회로 (246)에 대응하는 스위치 회로 (242)의 NMOS 트랜지스터 (SW1)가 턴-오프될 때, 구동 회로 (246)의 동작은 앞서 설명된 것과 동일하다. 상기 액티브 로드 (245)의 NMOS 트랜지스터들 (MN2)-(MN6)은 턴-온되고, 그리고 PMOS 트랜지스터들 (MP2)-(MP4)은 턴-오프된다는 것이 전자와 다르다.When the pulse code signal PCS, which is an input signal of the driving circuit 246, transitions from low level to high level, that is, the NMOS transistor SW1 of the switch circuit 242 corresponding to the driving circuit 246 is turned on. When turned off, the operation of the drive circuit 246 is the same as described above. It is different from the former that the NMOS transistors MN2-MN6 of the active load 245 are turned on, and the PMOS transistors MP2-MP4 are turned off.
상술한 구성을 가지는 LED 구동 회로 (240)에 의하면, 하나의 바이폴라 트랜지스터 대신에 복수 개의 NMOS 트랜지스터들 (SW1), (SW2), …, (SWn)가 구현되고, 상기 각 트랜지스터 (SW1), (SW2), …, (SWn)를 구동하기 위한 스위치 구동 회로 (244) 역시 복수 개의 구동 회로들 (246), (247), …, (248)로 구현되었다. 그리고, 상기 각 구동 회로 (246), (247), …, (248)가 전단의 그것으로부터 출력되는 구동 신호의 상보 신호 (NDRVn-1)에 응답해서 대응하는 구동 신호 (DRVn)를 발생한다. 이때, 상기 각 구동 신호들 (DRVn)은 각 구동 회로 내의 액티브 로드 (245)의 턴-온 저항 및 대응하는 스위치 회로 (242)의 NMOS 트랜지스터의 게이트에서 바라본 기생 커패시턴스에 의한 RC 시정수에 상응하는 시간 간격을 두고 순차적으로 (차례로) 활성화된다. 그러므로, LED (32)로부터 적외선 신호 (IRS)가 발생될 때 생기는 오버슈트가 감소되어서, 비록 오버슈트가 생기더라도 마이크로프로세서 유니트 (120) 내의 노이즈 마진에 영향을 미치지 않을 정도의 레벨로 감소될 수 있다. 그 결과로서, 마이크로프로세서 유니트 (120)와 단일의 집적 회로 상에 LED 구동 회로 (240)가 집적될 수 있다.According to the LED driving circuit 240 having the above-described configuration, instead of one bipolar transistor, a plurality of NMOS transistors SW1, SW2,... , SWn are implemented, and each of the transistors SW1, SW2,... , The switch driving circuit 244 for driving (SWn) also includes a plurality of driving circuits 246, 247,. , (248). And each of the driving circuits 246, 247,... , 248 generates a corresponding drive signal DRVn in response to the complementary signal NDRV n-1 of the drive signal outputted therefrom. In this case, each of the driving signals DRVn corresponds to the RC time constant due to the parasitic capacitance seen from the gate of the NMOS transistor of the active switch 245 in the respective driving circuits and the corresponding switch circuit 242. They are activated sequentially (in turn) at timed intervals. Therefore, the overshoot that occurs when the infrared signal IRS is generated from the LED 32 is reduced, so that even if the overshoot occurs, it can be reduced to a level such that it does not affect the noise margin in the microprocessor unit 120. have. As a result, the LED drive circuit 240 can be integrated on the microprocessor unit 120 and on a single integrated circuit.
상기한 바와 같이, 오버 슈트 분산 스킴을 이용함으로써 키 매트릭스의 키가 선택될 때 상기 선택된 키에 상응하는 적외선 신호가 발생될 때 생기는 오버슈트를 방지할 수 다. 그 결과, 마이크로프로세서 유니트 내에는, LED를 직접 구동하여 적외선 신호가 발생되도록 바이폴라 트랜지스터 대신에 NMOS 트랜지스터를 이용한 LED 구동 회로가 집적될 수 있다.As described above, the overshoot dispersion scheme can be used to prevent overshoot that occurs when an infrared signal corresponding to the selected key is generated when a key of the key matrix is selected. As a result, in the microprocessor unit, an LED driving circuit using an NMOS transistor instead of a bipolar transistor can be integrated so as to directly drive the LED to generate an infrared signal.
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