KR0171165B1 - 화상 형성 방법, 화상 형성 장치 및 프로세스 카트리지 - Google Patents
화상 형성 방법, 화상 형성 장치 및 프로세스 카트리지 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (112)
- 화상 보유 부재를 충전 수단으로 정전기적 충전하는 단계; 상기와 같이 충전된 화상 보유 부재 상에 잠상 형성 수단으로 정전 잠상을 형성하는 단계; 정전 잠상을 자성 토너로 현상하여 토너상을 형성하는 단계; 및 토너상을 전사 매체로 전사시키는 단계로 이루어진 화상 형성 방법에 있어서, 상기 충전 수단은 자기적으로 결합된 전도성 자성 입자로부터 형성된 자성 브러쉬를 갖는 충전 어셈블리를 포함하고; 상기 충전 어셈블리는 화상 보유 부재와 접촉되며 전하를 화상 보유 부재의 표면으로 직접 주입 시킴으로써 화상 보유 부재의 표면을 정전기적으로 충전할 수 있고; 상기 자성 토너는 150 이하의 σ.D.δ 값을 갖고, 이 값은 i) 진동 자력계로 측정한, 1 K 외르스테드의 자기장에서의 자화량σ(Am2/kg), ii) 자성 토너의 중량 평균 입경(D4)D(㎛) 및 iii) 그의 밀도 δ(g/㎤)를 곱하여 얻는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 50 내지 150 범위 내의 σ.D.δ 값을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 100 내지 130 범위 내의 σ.D.δ 값을 갖는것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서 자성 토너가 10 Am2/kg 내지 30 Am2/kg의 자화량을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서 자성 토너가 5 Am2/kg 내지 20 Am2/kg의 자화량을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 2㎛ 내지 20㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 4㎛ 내지 8㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 2.0의 밀도를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 1.6의 밀도를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 109Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 109Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것인 화상 형성 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 150의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화상 보유 부재가 전하 주입층을 갖는 유기 광전도체로 이루어진 것인 화상 형성 방법.
- 제15항에 있어서 상기 전하 주입층이 전도성 미립자가 분산되어 있는 수지층으로 이루어진 것인 화상 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 상기 전하 주입층에 수지 100 중량부를 기준으로 하여 20 내지 100 중량부의 양으로 함유되는 것인 화상 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 SnO2, TiO2, 및 ITO로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하는 것인 화상 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 수지층이 아크릴계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리스티렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분으로 형성되는 것인 화상 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 전하 주입층이 1 x 108Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 단성분 결정 또는 전도성 금속 또는 금속들의 혼합 결정을 함유하는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 결합제 중합체에 분산되어 있는 미립전도성 자성 물질을 함유하는 입자로 이루어진 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자의 표면이 전도제(conductive agent)를 함유하는 수지로 피복되는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 입자가 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 평균 입경을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자서 5 ㎛ 내지 50 ㎛의 평균 입경을 갖는 것인 화성 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 1010Ω.cm 이하의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 106Ω.cm 내지 1010Ω.cm 의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 30 Am2/kg 이상의 포화 자화량을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 40 Am2/kg 내지 300 Am2/kg 포화 자화량을 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 직류 전압을 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 인가함으로써 상기 화상 보유 부재를 충전하는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 직류 전압 상에 교류 전압을 중첩시킴으로써 발생시킨 전압을 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 인가함으로써 상기 화상 보유 부재를 충전하는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 토너상이 전사되는 상기 전사 매체가 최종 전사 매체인 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 토너상이 전사되는 상기 전사 매체가 중간 전사 매체인 것인 화상 형성 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 중간 전사 매체로 전사되는 토너상이 다시 최종 전사 매체로 전사되는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 전사 후 상기 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너를 전사 구역 및 충전 구역 사이에 제공된 클리닝 수단으로 제거하고, 클리닝 수단에 의해 부분적으로 제거되지 않은 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되는 것인 화상 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 전사 후 상기 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되고, 이렇게 제거된 자성 토너는 화상 보유 부재 상에서 자성 토너로 정전 잠상을 현상하는 현상 수단에 의한 현상 중에 동시에 제거되는 것인 화상 형성 방법.
- 제36항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것인 화상 형성 방법.
- 제37항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 냐지 150의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 제37항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 방법.
- 정전 잠상을 보유하기 위한 화상 보유 부재; 화상 보유 부재를 정전기적으로 충전하기 위한 충전 수단; 충전된 화상 보유 부재 상에 정전 잠상을 형성하기 위한 잠상 형성 수단; 현상에 의해 정전 잠상을 가시화하여 토너상을 형성하기 위한, 자성 토너를 보유하는 현상 수단; 및 토너상을 전사 매체로 전사시키기 위한 전사 수단으로 이루어진 화상 형성 장치에 있어서, 상기 충전 수단은 자기적으로 결합된 전도성 자성 입자로부터 형성된 자성 브러쉬를 갖는 충전 어셈블리를 포함하고; 상기 충전 어셈블리는 화상 보유 부재와 접촉되며 전하를 화상 보유 부재를 표면으로 직접 주입시킴으로써 화상 보유 부재의 표면을 정전기적으로 충전할 수 있고; 상기 자성 토너는 150 이하의 σ.D.δ 값을 갖고, 이 값은 i) 진동 자력계로 측정한, 1 K 외르스테드의 자기장에서의 자화량σ(Am2/kg), ii) 자성 토너의 중량 평균 입경(D4)D(㎛) 및 iii) 그의 밀도 δ(g/㎤)를 곱하여 얻는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 50 내지 150 범위내의 σ.D.δ 값을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 100 내지 130 범위내의 σ.D.δ 값을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 10 Am2/kg 내지 30 Am2/kg의 자화량을 갖는 것인 화상 형성장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 5 Am2/kg 내지 20 Am2/kg 자화량을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 2㎛ 내지 20㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 4㎛ 내지 8 ㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 2.0 의 밀도를 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 1.6 의 밀도를 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 1010Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 1010Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것인 화상 형성 장치.
- 제51항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 150의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제51항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형상 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 화상 보유 부재가 전하 주입층을 갖는 유기 광전도체로 이루어진 것인 화상 형성 장치.
- 제54항에 있어서, 상기 전하 주입층이 전도성 미립자가 분산되어 있는 수지층으로 이루어진 것인 화상 형성 장치.
- 제55항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 상기 전하 주입층에 수지 100 중량부를 기준으로 하여 20 내지 100 중량부의 양으로 함유되는 것인 화상 형성 장치.
- 제55항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 SnO2, TiO2및 ITO로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하는 것인 화상 형성 장치.
- 제55항에 있어서, 상기 수지층이 아크릴계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리스티렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분으로 형성되는 것인 화상 형성 장치.
- 제55항에 있어서, 상기 전하 주입층이 1 x 108Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 단성분 결정 또는 전도성 금속또는 금속들의 혼합 결정을 함유하는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 결합체 중합체 분산되어 있는 미립 전도성 자성 물질을 함유하는 입자로 이루어진 것인 화성 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자의 표면이 전도제를 함유하는 수지로 피복되는 것인 화성 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 평균 입경을 갖는 것인 화성 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 의 평균 입경을 갖는 것인 화성 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 1010Ω.cm 이하의 부피 비저항을 갖는 것인 화성 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 입자가 106Ω.cm 내지 109Ω.cm의 부피 비저항을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 30 Am2/kg 이상의 포화 자화량을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 40 Am2/kg 내지 300 Am2/kg 의 포화 자화량을 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 직류 전압을 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 인가함으로써 상기 화상 보유 부재를 충전하는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 직류 전압 상에 교류 전압을 중첩시킴으로써 발생시킨 전압을 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 인가함으로써 상기 화상 보유 부재를 충전하는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 토너상이 전사되는 상기 전사 매체가 최종 전사 매체인 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 토너상이 전사되는 상기 전사 매체가 중간 전사 매체인 것인 화상 형성 장치.
- 제72항에 있어서, 상기 중간 전사 매체로 전사되는 토너상이 다시 최종 전사 매체로 전사되는 것인 화상 형성 장치
- 제40항에 있어서, 전사 후 상기 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너를 전사 구역 및 충전 구역 사이에 제공된 클리닝 수단으로 제거하고, 클리닝 수단에 의해 부분적으로 제거되지 않은 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되는 것인 화상 형성 장치.
- 제40항에 있어서, 상기 현상 수단은 자성 토너의 도움으로 화상 보유 부재상에 정전 잠상을 현상하고, 동시에 전사 후 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너를 제거하며, 전사 후 화상 형성 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되고, 이렇게 제거된 자성 토너는 상기 현상 수단에 의해 제거되는 것인 화상 형성 장치.
- 제75항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것인 화상 형성 장치.
- 제76항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 150의 형성 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 제76항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 화상 형성 장치.
- 정전 잠상을 보유하기 위한 화상 보유 부재; 화상 보유 부재를 정전기적으로 충전하기 위한 충전 수단; 및 화상 보유 부재 상에 보유된 정전 잠상을 현상에 의해 토너상을 형성함으로써 가시화하기 위한,현상 수단으로 이루어진, 화상 형성 장치의 주 어셈블리에 탈착가능하게 장착할 수 있는 프로세스 카트리제 있어서, 상기 충전 수단은 자기적으로 결합된 전도성 자성 입자로부터 형성된 자성 브러쉬를 갖는 충전 어셈블리를 포함하고; 상기 충전 어셈블리는 화상 보유 부재와 접촉되며 전하를 화상 보유 부재의 표면으로 직접 주입시킴으로써 화상 보유 부재의 표면을 정전기적으로 충전할 수 있고; 상기 자성 토너는 150 이하의 σ.D.δ 값을 갖고, 이 값은 i) 진동 자력계로 측정한, 1 K 외르스테드의 자기장에서의 자화량σ(Am2/kg), ii) 자성 토너의 중량 평균 입경(D4)D(㎛) 및 iii) 그의 밀도 δ(g/㎤)를 곱하여 얻는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 50 내지 150 범위 내의 σ.D.δ 값을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 100 내지 130 범위 내의 σ.D.δ 값을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 10 Am2/kg 내지 30 Am2/kg의 자화량을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 5 Am2/kg 내지 20 Am2/kg의 자화량을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 2㎛ 내지 20㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제 79항에 있어서, 상기 자성 토너가 4㎛ 내지 8㎛의 중량 평균 입경을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 2.0 밀도를 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 1.1 내지 1.6의 밀도를 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 109Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 109Ω.cm 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것이 프로세스 카트리지.
- 제90항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 150의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제90항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 화상 보유 부재가 전하 주입층을 갖는 유기 광전도체로 이루어진 것인 프로세스 카트리지.
- 제93항에 있어서, 상기 전하 주입층이 전도성 미립자가 분산되어 있는 수지층으로 이루어진 것인 프로세스 카트리지.
- 제94항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 상기 전하 주입층에 수지 100 중량부를 기준으로 하여 20 내지 100 중량부의 양으로 함유되는 것인 프로세스 카트리지.
- 제94항에 있어서, 상기 전도성 미립자가 SnO2, TiO2및 ITO로 이루어진 군으로 부터 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하는 프로세트 카트리지.
- 제94항에 있어서, 상기 수지층이 아크릴계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리스티렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분으로 형성되는 것인 프로세스 카트리지.
- 제94항에 있어서, 상기 전하 주입층이 1 x 108Ω.cm1 이상의 부피 비저항을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 단성분 결정 또는 전도성 금속 또는 금속들의 혼합된 결정을 함유하는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 결합제 중합체에 분산되어 있는 미립 전도성 자성 물질을 함유하는 입자로 이루어진 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자의 표면이 전도제를 함유하는 수지로 피복되는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 1㎛ 내지 100㎛의 평균 입경을 갖는 것인 프로세스 카트리지
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 5㎛ 내지 50㎛의 평균 입경을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 1010Ω.cm 이하의 부피 비저항을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 106Ω.cm 내지 1010Ω.cm의 부피 비저항을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 30 Am2/kg 이상의 포화 자화량을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 전도성 자성 입자가 40 Am2/kg 내지 300 Am2/kg 의 포화 자화량을 갖는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 전사 후 상기 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너를 제거하기 위한 클리닝 수단이 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리의 상류 지점에 제공되고, 클리닝 수단에 의해 부분적으로 제거되지 않은 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되는 것인 프로세스 카트리지.
- 제79항에 있어서, 상기 현상 수단은 화상 보유 부재 상에 자성 토너로 정전잠상을 현상하고, 동시에 전사 후 회상보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너를 제거하며, 전사 후 상기 화상 보유 부재 상에 잔류하는 자성 토너는 상기 자성 브러쉬 충전 어셈블리에 유입된 후 자성 브러쉬 충전 어셈블리로부터 제거되고, 이렇게 제거된 자성 토너는 상기 현상 수단에 의해 제거되는 것인 프로세스 카트리지.
- 제109항에 있어서, 상기 자성 토너가 구형 자성 토너인 것인 프로세스 카트리지.
- 제110항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 150의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 130의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 프로세스 카트리지
- 제110항에 있어서, 상기 구형 자성 토너가 100 내지 145의 형상 계수 SF-1 및 100 내지 125의 형상 계수 SF-2를 갖는 것인 프로세스 카트리지.
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