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KR0166111B1 - 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치 - Google Patents

간접 응집 면역 측정 방법 및 장치 Download PDF

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KR0166111B1
KR0166111B1 KR1019940010606A KR19940010606A KR0166111B1 KR 0166111 B1 KR0166111 B1 KR 0166111B1 KR 1019940010606 A KR1019940010606 A KR 1019940010606A KR 19940010606 A KR19940010606 A KR 19940010606A KR 0166111 B1 KR0166111 B1 KR 0166111B1
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well
microplate
wells
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particles
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도모오 사이또
요시히로 기노시따
Original Assignee
후꾸야마 마사루
후지레비오 가부시키가이샤
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Abstract

간접 응집 면역 측정 방법은 면역 측정용 시약의 입자를 하나 이상의 웰의 하부에 침강시키는 단계와; 웰을 소정의 각도로 경사시켜 입자의 유동에 의해 웰의 저부에 입자의 유동으로 인한 침강 패턴을 형성시키는 단계와; 형성된 침강 패턴의 유동 방향에 사실상 수직인 방향으로 상기 웰과 센서를 상대적으로 이동시키는 단계와; 웰의 범주 내의 복수의 구간에서 상기 형성된 침강 패턴의 길이를 측정하는 단계와; 침강 패턴의 길이의 측정치를 기초로 면역 반응의 발생 유무를 판정하는 단계를 구비한다.

Description

간접 응집 면역 측정 방법 및 장치
제1(a)도는 침강 패턴을 측정하기 위한 본 발명의 장치의 일예를 도시한 사시도.
제1(b)도는 자석 유닛을 갖는 침강 패턴 측정 장치의 일예를 도시한 사시도.
제1(c)도는 웰(well)의 V자형 저부를 도시한 설명도.
제1(d)도는 웰의 U자형 저부를 도시한 설명도.
제2도는 제1도에 도시한 침강 패턴을 측정하기 위한 장치의 주요부를 도시한 측면도.
제3(a)도는 제1도에 도시한 침강 패턴을 측정하기 위한 장치의 주요부를 도시한 평면도.
제3(b)도는 제3(a)도에 도시한 장치의 주요부 중의 캡 부재 및 광 센서를 도시한 평면도.
제3(c)도는 장치의 주요부 중의 캠 부재 및 광 센서를 도시한 제3(a)도의 선Ⅱ-Ⅱ'를 따라 취한 단면도.
제4(a)도는 웰을 경사시키기 전에 자력에 의해 웰 내의 시약이 침강되는 것을 도시한 평면도.
제4(b)도는 반응이 양성일 때 웰을 경사시킨 후의 시약의 침강 패턴을 도시한 평면도.
제4(c)도는 반응이 음성일 때 웰을 경사시킨 후의 시약의 침강 패턴을 도시한 평면도.
제4(d)도는 마이크로 판 내의 인접한 웰들 사이의 피치의 어긋남에 의해 침강 패턴의 측정 길이가 어떻게 변화하는가를 도시한 평면도.
제5도는 침강 패턴의 형성 방향에서와 같이 침강 패턴의 길이를 측정할 때 각 웰의 조사되어야 하는 구간을 도시한 평면도.
제6도는 형성된 침강 패턴의 길이가 측정되는 과정을 도시한 평면도.
제7도는 본 발명에 의한 간접 응집 면역 측정 방법을 수행하는 데에 사용되는 장치의 주요부를 도시한 단면도.
제8도는 제7도에 도시한 장치에 사용된 마이크로 판의 경사 상태를 개략적으로 도시한 단면도.
제9도는 본 발명에 의한 간접 응집 면역 측정 방법을 수행하는 데에 사용되는 장치의 주요부를 도시한 단면도.
제10도는 제9도에 도시한 장치에 사용된 마이크로 판을 개략적으로 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 간접 응집 면역 측정 장치 11 : 기부 본체
14 : 마이크로 판 홀더 15 : 마이크로 판
20 : 센서 블록 22 : 모터
22a : 모터 회전 축 103,123 : 마이크로 판
104 : 자석 유닛 105,106 : 기부 본체
106 : 보유판 108 : 자석
109 : 어댑터 110 : 덮개 부재
본 발명은 항원 항체 반응에 의해 일어나는 응집 반응을 항원 또는 항체를 결합시킨 자성체 입자 또는 자성체 재료 함유 입자를 이용하여 측정하는 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 발명자는 간접 응집 면역 측정을 위한 효과적인 방법 및 장치를 1990년 10월 31일자 미합중국 특허출원 제07/605,205호의 일부 계속 출원인 발명의 명칭이 간접 응집 면역 측정 방법 및 그 장치인 1993년 6월 28일자 미합중국 특허 출원 제08/082,373호로서 이미 제안하였다. 이 방법에 따르면, 마이크로 판 내의 U자형 또는 V자형 저부를 갖는 각각의 웰(well)내에서 소정의 시료의 희석액에 소정의 시약의 입자액을 첨가 혼합하고, 약간의 반응 후 입자를 함유하는 성분을 각각의 웰의 저부로 자력에 의해 침강시킨 다음, 마이크로 판을 경사시켜 웰로 부터의 침강 입자의 분리 형태(profile)의 관점에서 면역 반응 유무를 판단한다.
마이크로 판에서의 입자의 유동으로 인해 간접 응집 면역 측정 방법에서 형성되는 침강 패턴은 3가지 패턴, 즉 (i) 면역 반응에 의한 입자간의 결합으로 인해 발생하고, 마이크로 판을 경사시켜도 이동하지 않고 각각의 웰의 저부에 점 형태로 남아 있는 고정식 입자를 특징으로 하는 반응 양성 침강 패턴과, (ii) 면역 반응이 일어나지 않기 때문에 입자간의 결합이 없고, 마이크로 판의 경사 시에 각각의 웰의 측벽까지 흘러내리는 자유 유동 입자를 특징으로 하는 반응 음성 침강 패턴과, (iii) 패턴 (i)과 패턴(ii)의 중간인 침강 패턴으로 대별된다.
마이크로 판의 웰의 저부에 형성된 입자의 유동으로 인한 침강 패턴은 TV 카메라로 위로부터 마이크로 판의 사진을 찍거나, 달리 라인 센서를 사용하고 화상 처리 기술에 의해 침강 패턴의 사진을 찍어서, 각각의 패턴의 유동 길이를 측정하여 면역 반응의 발생 유무와 연관시키는 것과 같은 다양한 방법으로 판독될 수 있다.
미합중국 특허 출원 제08/082,373호로서 출원된 간접 응집 면역 측정 방법은 입자를 중력에 의해 마이크로 판의 웰 내에 침강시키고, 입자의 침강 패턴을 기초로 하여 항원 항체 반응의 발생에 대한 판정이 이루어지는 정치법(standing method)과 같은 다른 해결책에 비해 짧은 시간에 더 정확하게 면역 반응의 발생 유무를 판정할 수 있다는 점에서 효과적이다. 그러나, 이러한 방법을 실시할 때, 입자의 유동으로 인한 침강 패턴을 TV 카메라, 라인 센서 등에 의해 판독하는 것이 필수적이다.
TV 카메라, 라인 센서 등에 의한 화상 취득 방법의 중요한 문제점은 TV 카메라, 라인 센서 등과 마이크로 판 사이에 마련되어야 하는 거리가 침강 패턴을 판정하기 위해 대형 장치를 사용하는 것을 불가피하게 만들고; 상기 두 부재들 사이의 거리가 지나치게 짧은 경우에, 특히 마이크로 판이 U자형 또는 V자형 웰을 갖는 경우에, TV 카메라, 라인 센서 등 까지의 거리가 각각의 웰의 저부의 중앙 및 주변부에서 일정하지 않기 때문에, 초점이 맞지 않아 화상이 왜곡되는 것과 같은 불편함을 야기시킨다는 점이다.
간접 응집 면역 측정에 사용되는 유리제 또는 합성 수지제(예컨대, 폴리스티렌)마이크로 판은 통상 U자형 또는 V자형 저부를 갖는 다수의 웰을 갖고 있고, 하나의 마이크로 판은 96개(종방향으로 12열, 횡방향으로 8열)의 웰을 갖는다. 마이크로 판을 성형할 때, U자형 또는 V자형 저부를 갖도록 형성된 웰은 웰의 저부의 주변부의 에지에 불가피하게 성형 왜곡이 생길 수 있기 때문에 형성된 웰이 종방향 또는 횡방향으로 반드시 단일 직선상에 놓여지지 않을 수도 있다. 따라서, 침강 패턴이 형성된 후에 센서가 종방향 또는 횡방향으로 각각의 웰의 저부의 중심부를 따라 이동할지라도, 전술한 오정렬은 침강 패턴의 길이 측정에 부정확을 일으킨다.
그러므로, 마이크로 판을 성형함으로써 형성되는 웰의 오정렬은 면역 반응의 발생 기준을 제공하는 침강 패턴의 측정 정밀도를 감소시키고, 면역 반응의 발생에 대한 정확한 판정을 방해하고, 데이터의 재현성을 크게 변동시킨다.
또한, 간접 응집 기술에 의한 면역 발생에 대해 판단하기 위해 V자형 또는 U자형 마이크로 판이 사용되는 것과 무관하게, 각각의 웰의 저부의 중심부로부터 연장하는 경사면 상에 입자의 유동으로 인한 침강 패턴이 형성된다.
그러므로, 웰의 경사면 상에 형성된 침강 패턴의 길이가 센서 등에 의해 광학적으로 판독되는 경우, 센서까지의 거리가 각 웰의 중심부와 그 주변부 사이에서 달라지기 때문에 초점이 맞지 않는 문제점이 생길 수 있다.
본 발명의 목적은 간접 응집 검사의 실시에 사용되는 마이크로 판에 형성된 다수의 웰이 성형상의 오차로 인하여 오정렬될지라도 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 정확히 측정할 수 있는 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 광학적인 판정을 할 때 각 웰의 중심부와 그 주변부사이에서의 센서까지의 거리의 어떤 차이가 없이도 그리고 정확한 측정을 위해 바람직한 예리한 선단부 없이 방추형(spindle) 침강 패턴을 형성하는 능력에 의해 예시하는 것처럼 용이하게 조작되는 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
첫 번째 목적을 달성하기 위해 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은, 종방향 및 횡방향으로 거의 직선 배치된 다수의 웰을 포함하는 마이크로 판이 기부 본체 상에 설치된 마이크로 판 홀더를 제공하는 단계와, 마이크로 판 홀더의 이동 방향에 직각으로 교차하도록 상기 마이크로 판 홀더의 이동 방향 하류의 소정 위치에서 마이크로 판 내에 종방향 또는 횡방향 중의 적어도 하나에 형성된 웰과 동일한 개수의 정렬된 센서를 갖는 센서 블록을 제공하는 단계와, 웰을 경사시키기 전에 각 웰의 범주 내에서 웰의 다수의 구간을 측정하는 단계와, 마이크로 판 내의 각각의 웰의 저부에서의 입자의 유동으로 인한 침강 패턴을 형성하기 위해 상기 마이크로 판 홀더와 마이크로 판 중의 하나를 구비하는 단계와, 형성된 침강 패턴의 유동방향에 직각으로 교차하는 다수의 구간에서 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 형성하기 위해 각각의 웰과 이에 대응하는 각각의 센서가 각 웰의 범주 내에서 소정의 거리로 상대 이동되는 마이크로 판과 센서 블록을 상대 이동시키는 단계와, 각 웰에서 입자 유동으로 인한 침강 패턴 길이의 측정치 중에서 최대값을 구하기 위해 각 웰 내에서 입자 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 측정치들을 상호 비교하는 단계와, 각 웰에 대해 입자의 유동을 인한 침강 패턴 길이의 최대값에 따라 면역 반응의 발생 유무를 판단하는 단계를 포함하고, 상기 마이크로 판 홀더는 경사 방향으로 이동가능하게 된다.
예컨대, 본 발명에 사용될 수 있는 면역 측정용 시약의 입자는 자성체 입자와, 강자성체 매체를 함유하는 젤라틴 입자와, 혈청 알부민으로 피복된 자성체 매체를 갖는 입자와, 합성 중합체에 피복된 자성체 매체를 갖는 입자와, 합성 중합체내에 함유된 자성체 매체를 갖는 입자와, 일본국 특공소 63-29223호에 기재된 입자인 젤라틴 입자와, 토끼, 양, 염소 등과 같은 각종 동물들로부터 얻어진 적혈구와, 실리카 및 카올린 입자와 같은 무기 입자 등이다.
이러한 입자들은 자력 또는 원심력에 의해 마이크로 판의 각 웰의 저부에 침강되게 할 수 있다. 면역 측정 과정을 자동화하는 관점에서 볼 때, 자력에 의해 입자들을 침강 시킬 수 있도록 다양한 종류의 자성체 입자들이 사용된다.
마이크로 판의 각 웰 내의 입자 유동 방향에서의 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 할 구간은 입자 유동 방향으로 전방에 있는 각 웰의 원주 상의 지점과 상기 전방 지점에 대응하는 후방의 원주상의 지점 사이의 거리가 마이크로 또는 광 센서를 입자 유동 방향과 직각으로 교차하도록 조금씩 이동시킴으로써 다수 지점에서 측정되도록 한다.
침강 패턴은 원심력에 의해 또는 적절한 방법을 사용하여 마이크로 판을 경사시킴으로써 웰의 저부에 형성될 수 있다. 마이크로 판을 경사시키는 경우, 마이크로 판은 입자가 유동하는 방향에 50 내지 70°의 각도로 경사지게 한다.
마이크로 판의 웰이 V자형 저부를 갖는 경우, 침강 패턴이 형성되는 평면이 수평 방향에 대해 20 내지 40°의 각도로 경사지도록 보장함으로써 침강 패턴이 효율적으로 형성될 수 있다.
침강 패턴의 길이 뿐만 아니라, 입자 유동 방향에서의 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 할 구간은 마이크로 판과 광 센서 중의 어느 것이 다른것과 직각으로 교차되도록 하는 방식으로 마이크로 판 또는 광 센서를 조금씩 이동시킴으로써 측정된다. 구체적으로는, 소정 각도로 경사지는 경사가능한 기부 본체상에 마이크로 판 홀더가 장착되고, 마이크로판 홀더의 이동 방향으로 하류인 위치에 마련된 다수의 정렬된 광 센서를 갖는 센서 블록이 마이크로 판 홀더가 센서 블록의 상방 또는 하방을 통과할 수 있도록 설치된다. 이렇게 구성된 침강 패턴 측정 장치의 경우, 센서 블록은 각 웰의 범주 내에서 마이크로 판 홀더의 이동 방향에 대해 직각으로 소정의 미소 거리만큼 이동된다.
침강 패턴을 측정하기 위한 이러한 장치에 있어서, 센서 블록은 마이크로 판의 종열 또는 횡열에 형성된 웰과 동일한 개수의 정렬된 광센서를 포함한다. 광센서는 투과형 광센서 및 반사형 광 센서와 같은 다양한 형태의 것일 수 있다. 투과형 광 센서의 경우에는 광 센서로부터 먼 쪽에 마이크로 판 상에 광원이 제공되고, 반사형 광 센서의 경우에는 광원은 반사판으로 대체된다.
더 구체적으로 기술하면, 센서 블록은 기부 본체의 하방에 설치된 센서 블록 이동용 모터의 회전축에 직접 연결되어 외부 원주 상에 교대로 형성된 다수의 원호부와 동일한 개수의 직선부를 갖는 캠 부재의 외부 원주와 접촉한 상태로 스프링의 가압력에 의해 유지되도록 설치된 로터의 축 부재와 작동가능하게 연관되어 있고, 센서 블록은 캠 부재의 회동이 센서 블록을 마이크로 판의 이동 방향에 수직인 방향으로 조금씩 이동시키도록 구성된다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법에 따르면, 면역 측정용 시약의 입자를 마이크로 판의 웰 저부에 침강 시킨후, 마이크로 판을 소정 각도로 경사시켜 입자의 유동으로 인해 웰의 저부에 침강 패턴을 형성시키고, 형성된 침강 패턴의 유동 방향에 직각으로 교차하도록 마이크로 판 또는 광 센서를 조금씩 이동시켜 침강 패턴의 길이를 다수 지점에서 측정한다. 측정된 길이 중 최장 패턴 길이가 침강 패턴의 길이로서 사용될 수 있기 때문에 원하는 침강 패턴의 측정이 간단하고 정확한 방식으로 이루어질 수 있다.
특히, 침강 패턴의 길이를 측정할 때 성분 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 형성 전에 각각의 웰에 대해 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 할 구간을 미리 측정함으로써 마이크로 판의 이동 방향에 따른 웰 사이의 피치에 내포된 임의의 오차를 효과적으로 보정할 수 있다.
또한, 마이크로 판을 경사시켜 웰의 저부에 침강 패턴을 형성하고, 형성된 침강 패턴을 유동 방향에 직각으로 교차하도록 마이크로 판 또는 광 센서를 조금씩 이동시켜 침강 패턴의 길이를 다수 지점에서 측정하므로, 마이크로 판의 이동 방향에 수직인 방향에서 웰 사이의 피치에 내포된 어떤 오차를 효과적으로 보정할 수 있다.
전술한 제2 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은 마이크로 판의 각 웰의 저부에 면역 측정용 시약의 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 입자를 자력에 의해 침강시키고; 각 웰의 저부에 입자의 유동에 의해 침강 패턴을 형성시키고; 형성된 침강 패턴을 기초로 면역 반응의 발생 유무를 판단하는 단계들을 포함하고 있고, 각각의 웰의 저부의 형태는 평탄하다.
또한, 웰의 저부가 평탄한 합성 수지 또는 유리로 성형한 마이크로 판도 본 발명에서 사용된다. 웰의 저부는 다음 2가지 방법에 의해 평탄하게 성형될 수 있다.
제7도 및 제8도에 도시한 제1 방법은 저부가 웰의 수직 내주면에 대해 수평이 되도록 즉, 상기 내주면에 대해 수직이 되도록, 원형 횡단면을 갖는 웰을 형성하는 것이다. 제9도 및 제10도에 도시한 제2 방법은 저부가 웰의 수직 내주면에 대해 한쪽 방향으로 경사지도록 원형 횡단면을 갖는 웰을 형성하는 것이다. 이 경사의 기울기는 웰의 개구부를 가로지르는 가상 수평선과 약 30°각도를 형성하도록 하는 것이 바람직하다.
저부가 웰의 수직 내주면에 대해 한쪽 방향으로 경사지도록 웰이 형성되면, 성분 입자가 자력에 의해 당겨져서 경사진 하부의 높은 위치에 침강되게 된다. 그후, 자력이 없어지면 입자는 중력에 의해 경사면을 따라 하방으로 유동하여 침강 패턴을 형성하게 된다. 따라서, 침강 패턴을 형성시킬 특별한 목적으로 마이크로 판을 소정 각도로 경사시킬 필요가 없다.
웰 내의 입자를 평탄한 저부의 소정 지점에 침강시키기 위해 본 발명에서 사용되는 자석은 각 웰의 하방에 설치된다. 각 웰의 상부에는 첨예한 선단부를 갖는 어댑터가 설치되고, 필요하다면 그러한 어댑터는 각 자석에 착탈가능하게 장착되어 각 웰의 저부에 대한 어랩터의 설정 위치를 자유롭게 조정할 수 있다.
어댑터는 자석 그 자체로 성형하거나 또는 철과 같은 자화가능한 재료로 성형할 수 있다. 자석은 어댑터의 선단부가 웰의 저부 아래의 소정 부위에 위치하도록 하여 상기 웰의 하방에 설치된다.
이 경우, 자석은 마이크로 판의 정렬된 웰과 대응하는 위치에 염화 폴리비닐 보유판 내에 형성된 구멍에 끼워맞춤됨으로써 보유되고, 그 다음에 자석은 철판 형태의 기부 부재의 상면에 인력에 의해 고정되고, 이와 동시에 보유판은 어댑터의 선단부가 상기 덮개 부재를 통해 돌출하는 지역을 제외하고는 상기 자석의 표면을 덮는 염화 폴리비닐 덮개 부재에 의해 덮여진다. 이러한 방식으로, 자석의 표면으로부터의 자력은 웰의 저부에 작용하지 않는 대신에 어댑터의 선단부로부터의 자력만 소정 부위에서 웰의 저부에 집중하여 작용할 수 있다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은 희석된 시료 용액 및 시약 입자가 주입되는 웰의 저부를 평탄하게 형성한 마이크로 판을 사용하여 수행된다. 이러한 방법에서, 자력에 의해 웰의 저부의 소정 부위에 성분 입자를 침강시킬 수 있으므로, 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 광 센서를 사용할지라도, 웰의 모든 부분에서 광 센서로부터 상기 침강 패턴까지의 거리를 일정하게 유지할 수 있고, 방추형이지만 선단이 예리하지 않은 침강 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 장치는 첨예한 선단부를 각각 갖는 어댑터가 끼워맞춤된 자석이 각각의 웰의 하방의 소정 부위에 설치되는 것을 특징으로 한다. 이러한 배열은 웰의 저부가 평탄할지라도, 성분 입자를 소정 위치에 침강시킬 수 있다.
웰의 하부가 웰의 수직 내주면에 대해 한쪽 방향으로 경사져 있는 경우에는, 마이크로 판을 소정 각도로 경사시키기 않고도 침강 패턴을 형성시킬 수 있다.
이제, 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치의 양호한 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
제1(a)도에 도시한 바와 같이, 간접 응집 면역 측정 장치(10)은 소정 방향으로 70°까지 경사시킬 수 있는 기부 본체(11)과, 기부 본체(11)상에서 경사 방향으로 전후 이동하는 마이크로 판 홀더(14)와, 기부 본체(11)상에서 마이크로 판 홀더(14)를 이동시키기 위한 구동 기구와, 동일 선상에 장착된 12개의 반사형 광 센서(21a,21b,…,21l)을 갖는 [광 센서의 수는 마이크로 판 홀더(14)상에 착탈가능하게 보유된 마이크로 판(15)의 종열에서의 웰의 수와 동일한] 센서 블록(20)과, 마이크로 판 홀더(14)의 이동 방향에 수직인 방향으로 소정의 미소 거리의 각 웰의 범주인 미소 범위만큼 센서 블록(20)을 이동시키는 이동 기구를 포함하고 있다. 이 경우, 광 센서의 수는 횡열에서의 광 센서의 수와 동일할 수 있다.
또한, 제1(c)도 및 제1(d)도에 도시한 것처럼, 본 실시예에서 사용된 웰은 V자형 또는 U자형 저부를 갖고 있다. 예컨대, 제1(c)도에 도시한 것처럼 V자형 저부를 갖는 웰(2a)의 저부는 120°의 각도를 갖는다. 웰(2a)는 침강 패턴을 효율적으로 유동시키기 위해 60°로 경사져 있다.
전체적으로, 기부 본체(11)은 장방형 형태는 성형되고, 2개의 짧은 대향 측면의 에지들을 따라 제공된 안내 장착판(12a,12b)를 갖고 있다. 안내 장착판(12a,12b)는 소정 거리만큼 이격된 한 쌍의 안내 봉(13)에 의해 연결된다. 기부 본체(11)의 안내 장착판(12a)의 측면은 기부 단부로서 작용하는 안내 장착판(12b)의 내측면의 근처와 70°(일반적으로, 60°)의 각도로 기부 본체의 이면에 설치된(도시하지 않은) 경사 기구에 의해 경사되도록 상승된다. 또한, 경사 기구는 단순히 마이크로 판 홀더(14)가 경사지도록 마이크로판 홀더(14)의 이면에 설치될 수 있다.
마이크로 판 홀더(14)는 자력에 의해 면역 측정용 시약의 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 입자가 침강되는 중심부에 U자형 또는 V자형 저부를 갖춘 웰을 갖는 착탈가능한 마이크로 판(15)을 지지한다. 측정 과정에서, 마이크로 판 홀더(14)는, 한 쌍의 안내 봉(13)에 의해 안내될 때, 마이크로 판(15)를 지지하면서 기부 본체(11)상에서 전후를 활주한다.
마이크로 판(15)는 합성 수지 또는 유리로 만들어진 시판품으로서 판의 긴쪽(종 방향)을 따라 12열 그리고 짧은 쪽(횡방향)을 따라 8열로 이루어진 배열의 일체품으로서 형성된 총 96개의 웰을 갖고 있다.
예컨대, 제1(b)도에 도시한 것처럼, 자석 유닛(104)는 마이크로 판(15)의 웰의 자석 위치에 대응하는 다수 개의 자석 위치를 갖고, 다른 쪽에서 기부 본체(11)상에 설치된다. 기부 본체(11)을 경사시키기 전에, 면역 측정용 시약이 담긴 웰을 갖는 마이크로 판(15)는 각 웰의 면역 측정용 시약의 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 입자를 함유하는 성분이 각 자석의 자력에 의해 침강되도록 웰을 자석과 서로 대응시키도록 자석 유닛(104) 위쪽에 위치하도록 이동된다. 시약의 성분이 침강된 마이크로 판(15)는 이전의 위치로 복귀되어 경사지게 되므로, 간접 응집 면역 측정을 효율적으로 측정하게 된다. 또한, 이 경우, 경사 기구가 기부 본체(11)의 이면에 설치되지 않고, 단순히 마이크로 판 홀더(14)가 경사지도록 마이크로 판 홀더(14)의 이면에 설치될 수 있다.
마이크로 판 홀더(14)는 종방향으로 기부 본체(11)의 측방향 에지를 따라 설치된 타이밍 벨트(16)에 의해 이동된다. 타이밍 벨트(16)은 마이크로 판(15)의 짧은 쪽 웰의 수(본 실시예의 경우 8개)에 대응하는 위치에서 이동 방향으로 마이크로 판 홀더(14)의 한쪽 측면으로부터 돌출하는 측정 위치 검출 센서(18a,18b,…,18h)가 이동 방향의 하류에 설치된 측정 위치 센서(19)와 연속 접촉할 때 구동되는 스테핑 모터(17)과 연관 작동되고, 마이크로 판 홀더(14)는 웰의 인접한 종열 사이의 피치에 대응하는 조금씩 횡방향으로 전진한다.
각각의 웰에 대해, 침강 패턴의 측정하기 위해 조사되어야할 구간과 입자의 유동에 의한 석출 패턴의 길이를 측정하는 센서 블록(20)은 마이크로 판(15)의 종방향에 설치된 12개의 웰에 대응하는(도시되지 않은) 반사판으로부터의 복귀광을 측정하기 위해 블록의 상부에 일렬로 나란히 설치된 12개의 반사형 광 센서(21a,21b,…,21l)을 포함한다. 제1도에 도시한 것처럼, 센서 블록(20)은 판 홀더(14)가 센서 블록(20) 상방을 통과할 수 있고 센서 블록(20)이 마이크로 판 홀더(14)의 이동 방향에 수직 방향으로 조금씩 이동할 수 있도록 마이크로 판 홀더(14)의 전방에 기부 본체(11) 상에 설치된다.
구체적으로 설명하면, 제2도 및 제3도에 도시한 바와 같이, 모터(22)는 센서 블록을 이동시키기 위해 기부 본체(11) 하방에 설치되고, 모터의 회전 축(22a)는 외부 원주 상에 3개의 원호부(23a,23b,23c)와 3개의 직선부(23d,23e,23f)가 교대로 형성된 캠 부재(23)에 직접 결합된다. 캠 부재(23)의 외부 원주와 항상 접촉해 있는 로터(24)가 상기 캠 부재(23)의 외부 원주 상에 설치된다. 로터(24)내의 베어링과 결합하는 축 부재(25)의 기부 단부는 센서 블록(20)의 하부면과 결합하도록 기부 본체(11) 위로 돌출하고, 동시에 축 부재(25)는 로터(24)가 캠 부재(23)의 외부 원주와 항상 접촉한 상태로 유지되도록 스프링(26)에 의해 가압된다. 모터(22)의 회전에 따라 캠 부재(23)이 회동하고 캠 부재(23)의 외부 원주 상의 원호부(23a,23b,23c)가 로터(24)와 접촉하면, 센서 블록(20)이 마이크로 판 홀더(14)의 이동 방향에 수직인 방향으로 약 0.1㎜의 소정의 미소 거리만큼 이동하게 된다.
캠 부재(23)의 이면으로부터 원주부(27)이 돌출해 있고, 상기 원주부의 외주부 상에는 서로로부터 120°씩 이격된 위치에 3개의 광 센서(28a,28b,28c)가 설치된다. 원주부(27) 주위에는 원판형 검출판(29)가 설치되고, 검출판의 외부 원주에는 절개부(30)이 형성된다. 절개부(30)이 광 센서(28a,28b,28c)중의 어느 하나와 대응하는 위치까지 검출판(29)이 회전하면, 해당 광 센서가 작동되어 센서 블록의 이동의 개시 및 정지를 제어한다.
예컨대, 제3(c)도에 도시한 바와 같이, 절개부(30)이 센서(28a)와 일치되는 위치까지 회전되면, 발광부(28')로부터 방출된 광은 수광부(28a)에 의해 수납되어, 상기 제어를 수행하도록 광 센서를 작동시킨다. 또한, 제3(b)도에 도시한 것처럼, 광 센서(28a,28b,28c)가 로터(24) 및 회전축(22a)의 중심과 접촉하는 위치사이의 거리(c,b,a)는 조금씩 달라서, 센서 블록(20)을 소정 간격으로 웰의 범주내에서 3번 이동시켜 각각의 웰의 3개의 구간에서 침강 패턴의 길이를 측정할 수 있게 한다.
전술한 침강 패턴 측정 장치(10)은 이하에 보다 구체적으로 기술하는 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법을 수행하기 위해 사용된다.
본 실시예는, 제4(a)도에 도시한 바와 같이, 면역 측정용 시약의 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 입자를 함유하는 성분을 포함하는 시약이 자력에 의해 침강된다. 그에 따라 침강된 패턴을 내부에 포함하는 웰을 60°경사시키는 경우, 제4(b)도에 도시한 것처럼 반응이 양성이면 침강 패턴은 유동하지 않고, 제4(c)도에 도시한 것처럼 반응이 음성이면 침강 패턴은 유동한다.
침강 패턴 측정 장치(10)은 마이크로 판 홀더(14)상에 지지된 마이크로 판(15)를 갖고 있다. 마이크로 판(15)는 면역 측정용 시약으로서의 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 입자를 함유하는 성분이 자력 등에 의해 각각의 웰의 저부의 중심부에 침강되게 되는 U자형 또는 V자형 저부를 갖는 웰을 갖고 있다. 본 발명에서의 사용되는 마이크로 판(15)의 문제점은 웰의 저부가 U자형 또는 V자형으로 성형되어야 하기 때문에 판을 성형하는 중에 웰의 저부 주변의 에지부에서 왜곡이 발생할 수 있다는 것이므로, 웰은 마이크로 판의 종방향 또는 횡방향중의 어느 한 방향에서 반드시 동일 선상에 놓일 필요는 없다.
그러므로, 침강 패턴의 길이가 제4(d)도에 도시한 것처럼 X축 방향으로 이동되는 마이크로 판(15)에 의해 측정되는 경우, 광 센서는 마이크로 판의 이동 방향으로 최전방 위치에 위치한 웰의 저부의 중심을 통과하도록 설정될 수 있고, 이 경우, 최전방 단부에서의 웰(W1)내의 침강 패턴(A1)은 궤적선(X) 또는 센서가 지나는 경로 상에 놓여진 2개의 지점(X1-X2)에서 광 센서에 의해 정확하게 측정될 수 있다.
그러나, 웰이 정확하게 정렬되어 있지 않고, 웰(W2)의 중심이 궤적선(X)의 우측으로 벗어나 있거나 웰(W3)의 중심이 궤적선(X)의 좌측으로 벗어나 있는 경우, 침강 패턴 A2또는 A3의 길이는 부정확하게 측정하고, 그 측정 거리는 실제 거리보다 짧게 된다.
그러므로, 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법에서는, 광섬유를 사용하여 웰의 저부에 모이도록 유동하는 침강 패턴의 웰의 저부 주변의 에지부에서 발생된 성형시의 왜곡으로 인한 웰의 오정렬을 고려하여 발생한 어떤 오차를 보정하도록 다음과 같은 방식으로 측정된다. 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 형성 전에, 각 웰 내의 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 할 소정의 구간의 좌표를 컴퓨터에 미리 저장한다. 그후, 침강 패턴의 형성 후에, 침강 패턴의 길이를 다수 구간에서 측정한다. 2개의 측정 결과를 서로 비교하여 측정상 최강 침강 패턴을 기준으로 면역 반응의 발생 유무를 판정한다.
더 구체적으로 기술하면, 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은 다음 과정으로 수행된다. 우선, 제1도에 도시한 바와 같이, 웰의 저부에 입자가 침강되도록 처리한 마이크로 판(15)를, 마이크로 판 홀더(14)가 기부 본체(11)상에서 활주하는 방향과 종열의 웰이 수직으로 교차하도록, 마이크로 판 홀더(14)상에 지지시킨다. 그 다음에, 웰 내에 침강 패턴을 형성하도록 기부 본체(11)을 소정 각도 만큼 경사시키기 전에, 마이크로 판(15)내의 종렬의 웰과 동수의 광 센서(21a,…,21l)이 설치된 센서 블록(20) 상방에 마이크로 판 홀더(14)가 위치할 때까지 마이크로 판 홀더(14)를 안내 봉(13)을 따라 X방향으로 기부 본체(11)을 따라 활주시킨다.
그 다음에, 마이크로 판(15)의 이동 방향으로 제1 종열에 위치한 웰(W1),웰(W9),웰(W17),…,웰(W8n-7) (1≤n≤12)의 저부의 외주 에지를 한정하는 원의 구간(A1-B1,A2-B2및 A3-B3)의 길이를 마이크로 판에 존재하는 총 96개의 웰에 대해 측정한다.
이러한 목적을 위해, 센서 블록(20)을 Y방향 또는 마이크로 판(15)의 이동 방향에 수직인 방향으로 캠 부재 및 다른 필요 부재의 구동에 의해 미소 거리(약 0.1㎜)이동시켜, 각 웰에 대해 3회 측정을 수행한다.
또한, 마이크로 판 내의 웰의 형성이 충분히 양호하다면, 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 하는 구간의 측정은 생략할 수 있다. 그러나, 동일한 측정에서, 길이 측정 결과의 오차가 방지될 수 있다. 예컨대, 기포, 혼탁액, 먼지 등과 같은 결함이 웰 내에 존재하는 경우, 광 센서는 결함을 검출하여, 결함이 검출된 웰을 다시 측정한다. 즉, 웰을 경사시키기 전에 광 센서는 웰의 범주 내의 웰의 다수의 구간을 측정하여 웰 내의 결함을 검출한다. 또한, 결함이 웰 내에 있는지의 여부는 장치에 설치된 마이크로 컴퓨터 등에 의해 판단될 수 있다. 본 실시예에서는, 입자의 유동으로 인한 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 하는 구간의 측정과 동시에, 웰 내의 결함의 검출을 수행할 수 있다. 말할 것도 없이, 이러한 측정들은 개별적으로 수행될 수 있다.
각 웰에 대하여 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 하는 구간의 측정이 종료되면, 마이크로 판 홀더(14)를 초기 위치로 복귀시키고, 기부 본체(11)을 약 60°의 각도로 경사시켜 각각의 웰의 저부에 입자들의 유동에 의한 침강 패턴을 형성한다.
침강 패턴의 형성이 종료되면, 기부 본체(11)를 초기 수평 상태로 복귀시킨후, 마이크로 판 홀더(14)를 마이크로 판(15)내의 제1 종열 내의 웰(W1)이 센서 블록(20) 상방에 위치할 때까지 이동시킨다. 그 다음에, 제6도에 도시한 바와 같이, 선 X1상에서 P1-Q1간의 거리, 선 X2상에서 P2-Q2간의 거리 및 선 X3상에서 P3-Q3간의 거리에 걸쳐 웰 내의 침강 패턴의 길이를 측정한다.
본 명세서에서, 선 X2는 기본적으로 각 웰의 중심선을 의미하고, 선 X1및 X3는 중심을 벗어난 선을 의미하고, 선 X2는 선 X1과 선 X3사이에 존재한다.
각 웰 내의 3개의 지점에서 입자 유동에 의한 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 센서 블록(20)은 Y방향으로 미소 거리만큼(약 0.1㎜의 간격으로) 이동되고, 이러한 측정은 시료 용액이 주입되는 모든 웰에 대해 측정이 수행되므로, 통상 마이크로 판(15)내에 형성된 96개의 웰 모두에 대해 측정이 수행된다.
본 발명의 방법을 수행할 때, 마이크로 판 홀더(14)의 측면으로부터 돌출해 있는 센서(18a,18b,…,18h)가 이동 방향의 하류에 설치된 측정 위치 센서(19)들과 연속 접촉하도록 하고, 이때, 마이크로 판 홀더(14)는 웰의 두 인접한 종열사이의 피치에 따라 조금씩 횡방향으로 X방향으로 전진한다. 또한, 간접 응집 면역 측정 장치에서, 마이크로 판 홀더(14)는 이동하지 않고 센서 블록(20)이 이동하여 전술한 측정을 수행할 수 있다.
마이크로 판(15)에 형성된 96개의 웰 모두에 대해, 중심을 벗어난 위치에서의 침강 패턴의 길이의 측정이 종료되면, 측정치는 침강 패턴의 형성 전에 수행된 측정치와 컴퓨터에 의해 비교되어, 최장 측정치가 각 웰에서의 면역 반응의 발생 유무를 판정하는 기준으로서 사용된다.
평탄형 저부를 갖는 각각 다수의 웰을 마이크로 판이 갖는 본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법 및 장치의 다른 실시예를 첨부 도면을 참조하여 구체적으로 기술한다.
본 실시예의 방법은 평탄한 저부와 원형 횡단면 및 소정 깊이를 각각 갖는 다수의 웰을 종방향 및 횡방향으로 정렬시켜 형성한 마이크로 판을 사용하여 행하는 것이다.
본 실시예에서, 각각 평탄형 저부를 갖는 다수의 웰을 포함하는 마이크로 판이, 제1(b)도에 도시한 것처럼, 자석 유닛(104)를 갖는 간접 응집 면역 측정 장치(10')에 제공된다. 그러나, 경사 기구는 항상 그러한 장치를 갖출 필요는 없다. 또한, 그러한 장치의 부품들의 작용, 이동 등은 전술한 실시예에 의해 제한되지 않고, 후술하는 바와 같이 본 실시예에서의 적절한 작용, 이동등을 수행한다.
본 실시예의 예로서, 제7도의 마이크로 판(103)은 합성 수지로 만들어지고, 종방향으로 12열, 횡방향으로 8열을 갖는 배열로 일체식 부품으로 형성된 총 96개의 웰(102,102,…)를 갖는다. 각 웰(102)의 저부는 웰의 수직 내주면에 대해 수평되게, 즉 웰의 개구부를 가로지르는 가상 평면에 대해 평행하게 형성된다.
또한, 제9도의 마이크로 판(123) 역시 합성 수지로 만들어지고, 종방향으로 12열, 횡방향으로 8열로 이루어진 배열을 갖는 일체식 부품으로 형성된 총 96개의 웰(122,122,…)를 갖는다. 각각의 웰(122)의 저부(121)은 수평 방향에 대해 약 30°의 각도로 한쪽 측면의 수직 내주면으로부터 다른쪽 측면의 수직 내주면으로 하방으로 경사지도록 형성된다.
마이크로 판(103)(또는 123)은 다음 방식으로 사용된다. 각각의 웰(102)(또는 122)속으로 면역 측정용 시료를 주입한 후, 희석액을 부가하여 시료를 소정 배수로 희석한 다음, 희석된 시료 용액에 자성체 입자 또는 자성체 매체를 함유하는 시약을 부가하고, 그 혼합물을 교반하여 소정 시간동안 면역 반응을 행한 후, 자석을 사용하여 각 웰(102)(또는 122)의 저부(101)(또는 121)의 소정 위치에 성분 입자를 침강시킨다.
제7도에 도시한 것처럼, 마이크로 판 내의 각각의 웰의 저부의 소정 위치에 성분 입자를 침강시키게 하는 자석 유닛(104)는 철판으로 만들어진 기부 본체(105)와, 기부 본체(105)상에 장착된 염화 폴리비닐 판 형태의 보유판(106)과, 마이크로 판 내의 웰에 대응하는 위치에 보유판(106)을 관통하여 형성된 구멍(107)내에 보유된 자석(108)과, 어댑터(109)가 자석(108)의 상부로부터 돌출하는 부위를 제외하고는 자석(108)을 포함하는 보유판(106)을 덮는 염화 폴리비닐 판 형태의 덮개 부재(110)을 포함한다.
보유판(106)은 마이크로 판(103)내의 각각의 웰(102)에 대응하는 위치에 형성된 다수의 구멍(107,107,…)을 갖고 있고, 자석(108)은 구멍 내에 끼워 맞춤되어 보유된다.
자석(108)은 각각 원주형 웰(102)의 내경보다 작은 직경을 갖는 원판의 형태를 갖는다. 각 자석의 상부에는 자성체 재료로 만들어지고 첨예한 선단부를 갖는 어댑터(109)가 중심부에 착탈가능하게 끼워맞춤된다.
덮개 부재(110)은 마이크로 판(103)내의 각각의 웰(102)에 대응하는 위치에 형성된 구멍(111,111,…)을 갖고 있고, 그 구멍을 통해, 자석(108)상의 어댑터(109)가 각 웰(102)의 저부(104)의 중심에 대응하는 위치에서 돌출한다.
자석 유닛(104)은 다음 과정으로 제작된다. 우선, 기부 본체(105)상에 보유판(106)을 위치시킨 후, 보유판(106)내의 구멍(107)속으로 자석(108)을 끼워 맞춰 기부 본체(105)에 자석(108)을 견인하여 고정하고, 철판으로 만들어진 기부 본체(105)를 자화시켜 입자들이 어댑터(109)에 의해 보다 효율적으로 침강될 수 있게 한다. 다음에, 자석(108)상의 어댑터(109)를 구멍(111)을 통해 통과시킬 때 보유판(106)상에 덮개 부재(110)을 장착함으로써, 어댑터(109)가 돌출하는 부위를 제외하고는 자석(108)의 전 표면을 덮도록 자석 유닛(104)를 덮개 부재(110)과 조립한다.
그 다음에, 교반기로 시료 및 시약을 혼합한 마이크로 판(103)을 자석 유닛(104)상에 설치하여, 각 어댑터(109)의 선단부가 각 웰의 저부(101)의 중심과 일치하게 한다. 그 결과, 각 웰(102)내의 자석 입자는 어댑터(109)의 선단부를 통해 작용하는 자석(108)의 자기 작용에 의해 어댑터(109)의 선단부에 대응하는 웰의 저부(101)의 중심으로 흡착된다.
각 성분의 일단 침강된 입자는 마이크로 판(103)이 자석 유닛(104)로부터 분리되어 자석 없는 상태로 보유될지라도 각 웰의 저부의 중심부에 고정된 상태로 유지된다.
그 다음에, 마이크로 판(103)을 긴 쪽의 어느 일 단부의 에지를 따라 회동시켜 약 60°의 각도로 경사시킴으로써, 각 웰의 저부(1)의 중심부에 집중되어 있는 성분 입자가 다른 쪽의 측벽을 향해 저부의 경사면을 따라 하방으로 유동하여 방추형 침강 패턴을 형성하게 한다.
제8도에 도시한 것처럼, 마이크로 판(103)내의 웰의 저부를 약 60°의 각도로 경사시키므로, 웰 내의 입자는 비교적 느린 속도로 넓은 폭으로 흘러내린다. 따라서, 마이크로 판(103)을 처음 수평 위치로 반전시킨 후, 입자의 유동에 의해 형성된 침강 패턴을 판정하여 음성 상태와 양성 상태 사이를 분명하게 구별한다.
제9도의 웰의 개구부를 가로지르는 가상 수평 평면에 대해 약 30°의 각도로 한 쪽의 수직 내주면으로부터 다른쪽의 수직 내주면을 향해 하방으로 경사지도록 각 웰(122)의 저부(121)을 형성한 마이크로 판(123)을 이용하여 간접 응집 면역 측정 장치가 수행되는 예를 도시하고 있다.
이러한 간접 응집 면역 측정 방법은 마이크로 판(123)내의 각각의 웰(122)의 저부(121)이 하방으로, 즉, 경사면의 최고 위치에서의 저부(121) 하방으로 경사지기 시작하는 부위에 각 어댑터(109)의 선단부가 설치되도록 어댑터(109)가 배치된다는 점을 제외하고는 전술한 실시예에서 사용된 것과 기본적으로 동일한 형태를 갖는 간접 응집 면역 측정용 자석 유닛(104)에 의해 실시된다. 시료가 각 웰(122)내의 시약 성분과 혼합되는 마이크로 판(123)이 자석 유닛(104)상에 설치되는 경우, 각각의 웰(122)내의 자성체 입자는 어댑터(109)의 선단부를 통해 작용하는 각 자석(108)의 자기 작용에 의해 각 어댑터(109)의 선단부에 대응하는 저부(121)의 경사면의 더 높은 위치로 흡인될 때 침강하게 된다.
입자가 경사면의 더 높은 위치에 있는 웰(122)의 저부의 지역에서 침강하도록 한 후, 마이크로 판(122)를 자석(108)로부터 분리시켜, 침강 입자가 자석의 영향으로부터 벗어나게 하면, 그 결과, 입자는 웰(122)의 저부(121)의 경사진 평탄면을 따라 소정의 폭으로 하방으로 유동한다.
따라서, 본 실시예에서는, 각 웰(122)의 저부(121)을 약 30°의 각도로 경사지게 하였으므로, 만일 마이크로 판(123)을 저부(121)이 수평으로 될 때까지 약 30°의 각도로 후방으로 경사시켜 그것을 수평 상태로 유지시키면, 어떤 초점 이탈 문제없이 침강 패턴의 측정을 보다 정확하게 완수할 수 있다.
달리, 광 센서 등을 각 웰(122)의 경사진 저부(121)과 평행하게 설치한 상태에서, 수평 방향 마이크로 판(123)상에서 침강 패턴을 측정할 수 있다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은 사용되는 마이크로 판이 웰의 저부 주변의 에지부에서 성형 왜곡으로 인해 발생한 인접한 에지 사이의 피치의 오차를 포함하고 있을지라도 성분 입자의 유동에 의한 침강 패턴의 길이를 고정밀도로 측정할 수 있을 뿐만 아니라 측정 데이터의 재현성도 향상시킬 수 있는 효과를 갖고 있다.
이러한 간접 응집 면역 측정 방법에 사용되는 침강 패턴 측정 장치는 웰의 피치가 마이크로 판의 성형중의 발생한 오차를 포함하고 있을지라도 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 조사되어야 하는 구간 및 형성된 침강 패턴의 길이를 여러번 소정의 거리만큼 웰의 범주 내에서 광 센서를 이동시켜 마이크로 판의 이동방향에 수직인 방향에서의 침강 패턴의 길이를 측정함으로써 각 웰에 대해 다수의 구간에서 정확하게 측정할 수 있다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 방법은 평탄한 저부를 갖는 웰을 사용한다. 따라서, 광 센서까지의 거리가 각각의 웰의 저부와 그 주변부 사이에서 불변이므로, 광 센서가 사용될지라도 초점을 벗어날 가능성이 없고, 바람직한 면역 반응의 측정이 간단하고 소형인 장치에 의해 수행될 수 있다.
또한, 입자의 유동으로 인한 침강 패턴이 웰의 저부의 평탄면 상에 형성되므로, 침강 패턴이 예리한 선단부가 없는 방추형을 갖도록 만들어질 수 있어서, 길이 측정의 재현성이 현저하게 개선될 수 있다.
또한, 필요하다면, 웰 내의 오정렬이 실제 상황에서의 측정 목적에 아무런 실질적인 문제를 야기시키지 않는 정확도로, 입자들이 각 웰이 소정 위치에서 침강되도록 할 수 있는 동시에, 웰의 저부에 형성되는 침강 패턴을 보다 간단한 방식으로 측정할 수 있다.
본 발명의 간접 응집 면역 측정 장치는 첨예한 선단부를 갖는 어댑터를 갖는 자석이 마이크로 판 내의 평탄한 저부를 갖는 웰 하방에 배열되어 상기 자석의 자력이 어댑터를 통해 웰의 저부 하방의 소정 위치에서 작용할수 있도록 구성되어있다. 이러한 구성 때문에, 성분 입자가 웰의 저부에 소정 위치에 정확하게 집중되도록 첨강되게 할 수 있는 동시에 입자의 유동으로 인해 연속적으로 형성되는 침강 패턴이 아무런 첨예한 선단부를 갖고 있지 않는 방추형 형태로 만들어질수 있어서, 측정 데이터의 높은 재현성을 보장한다. 따라서, 본 장치는 면역 반응의 결과를 유리한 방식으로 판정할 수 있게 한다.
또한, 평탄한 저부를 갖는 웰을 갖는 본 발명의 장치에 사용되는 마이크로 판은 웰의 성형시의 정밀도를 높게 할 필요가 없는 이점을 갖고 있어서, 입자를 침강시키기 위한 장치의 자석 상의 어댑터의 첨예한 선단부가 상기 웰의 저부의 중심부와 정확히 일치하도록 방위 설정되어 있기만 하면 정확한 판정을 합리적으로 수행할 수 있는 능력과 같은 많은 실제적인 이점들은 제공한다.
본 발명의 양호한 실시예에 관한 전술한 실시예들은 도시 및 설명 목적을 위해 제시된 것이다. 따라서, 본 발명을 본 명세서에 개시한 것과 똑같은 형태로 한정시키거나 제한하려는 것이 아니며, 다양한 변형 및 수정이 전술한 지침을 토대로 가능하며 본 발명의 실시로부터 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 실시예들은 본 발명의 원리를 설명하기 위해 그리고 본원 기술에 숙련된 자가 본 발명을 다양한 실시예에 그리고 특정 용도에 적합한 다양한 변형을 창안하는데 이용할 수 있도록 선택 및 기술된 것이다. 따라서, 본 발명의 범위를 청구의 범위에 의해 한정하고자 한다.

Claims (17)

  1. 간접 응집 면역 측정 방법에 있어서, 자성체 입자 및 자성체 매체 함유 입자 중의 적어도 하나를 포함한 성분을 갖는 면역 측정용 시약의 입자를 적어도 하나의 웰의 저부로 자력에 의해 침강시키는 단계와; 웰을 소정의 각도로 경사시켜 입자의 유동에 의해 웰의 저부에 입자의 유동에 의한 침강 패턴을 형성시키는 단계와; 형성된 침강 패턴의 유동 방향에 사실상 수직인 방향으로 상기 웰 및 센서를 상대적으로 이동시키는 단계와; 웰의 범주 내의 다수의 구간에서 상기 형성된 침강 패턴의 길이를 측정하는 단계와; 웰 내의 침강 패턴의 길이 측정치를 상호 비교하는 단계와; 침강 패턴의 길이 중의 최장 측정치를 기초로 면역 반응의 발생 유무를 판정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 다수의 웰을 마이크로 판에 형성하고, 각각의 웰의 저부에 입자의 유동으로 인한 침강 패턴을 형성하기 위해 마이크로 판을 경사시키는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 웰을 경사시키기 전에 웰의 범주 내에서 웰의 다수의 구간을 측정하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 다수의 웰을 마이크로 판에 형성하고, 각각의 웰의 저부에 입자의 유동에 의한 침강 패턴을 형성하기 위해 마이크로 판을 경사시키는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  5. 제4항에 있어서, 다수의 웰은 종열 및 횡열 방향으로 사실상 직선으로 배열되고, 다수의 센서는 상기 웰의 종열 및 횡열 방향중의 적어도 하나에 수직이 되도록 사실상 직선으로 배열되는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  6. 제3항에 있어서, 웰의 범주 내의 웰의 구간은 입자의 유동 방향으로 전방에 있는 각 웰의 전방 원주 지점과 상기 전방 원주 지점에 대응하는 후방 원주 지점 사이의 거리인 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  7. 제3항에 있어서, 각각의 웰과 상기 웰에 대응하는 각각의 센서가 각각의 웰의 범주 내에서 소정의 거리만큼 상대적으로 이동하도록 마이크로 판과 센서 블록을 상대적으로 이동시킴으로써 웰의 범주 내의 웰의 다수의 구간을 측정하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  8. 간접 응집 면역 측정 방법에 있어서, 종열 및 횡렬로 사실상 직선으로 배열된 다수의 웰을 포함하는 마이크로 판이 제공된 마이크로 판 홀더를 기부 본체 상에 제공하는 단계와; 마이크로 판 홀더의 이동 방향에 직각으로 교차하도록 마이크로 판 홀더의 이동 방향의 하류의 소정 위치에 마이크로 판 내의 종열 또는 횡열 중의 적어도 하나 내에 형성된 웰과 동일한 개수의 정렬된 센서를 갖는 센서 블록을 제공하는 단계와; 웰을 경사시키기 전에 웰의 범주 내에서 웰의 다수의 구간을 측정하는 단계와; 마이크로 판 내의 각 웰의 저부에 침강 패턴을 형성시키기 위해 상기 마이크로 판 홀더와 상기 기부 본체 중의 하나를 경사시키는 단계와; 형성된 침강 패턴의 유동 방향을 직각으로 교차하면서 다수의 구간에서 침강 패턴의 길이를 측정하기 위해 각각의 웰과 상기 웰에 대응하는 각각의 센서를 상기 각각의 웰의 범주 내에서 소정의 거리만큼 상대적으로 이동시키도록 마이크로 판과 센서 블록을 상대적으로 이동시키는 단계와; 각 웰에 대한 침강 패턴 길이의 최장 측정치를 얻기 위하여 각 웰의 침강 패턴 길이의 측정치들을 비교하는 단계와; 각 웰에 대해 얻어진 침강 패턴 길이의 최장 측정치를 기초로 면역 반응의 발생 유무를 판정하는 단계를 구비하고; 상기 마이크로 판 홀더는 경사 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 웰의 범주 내의 웰의 구간은 입자의 유동 방향으로 전방에 있는 각 웰의 전방 원주 지점과 상기 전방 원주 지점에 대응하는 후방 원주 지점사이의 거리인 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  10. 제8항에 있어서, 각각의 웰과 상기 웰에 대응하는 각각의 센서가 각각의 웰의 범주 내에서 소정의 거리만큼 상대적으로 이동하도록 마이크로 판과 센서 블록을 상대적으로 이동시킴으로써 웰의 범주 내의 웰의 다수의 구간을 측정하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 방법.
  11. 간접 응집 면역 측정 장치에 있어서, 간접 응집 면역 측정 장치의 기부 본체와; 종열 및 횡열 방향으로 사실상 직선으로 배치된 다수의 웰을 갖는 마이크로 판과; 상기 기부 본체 상에서 이동가능하고, 마이크로 판을 보유하기 위해 상기 기부 본체 상에 제공된 마이크로 판 보유 수단과; 상기 기부 본체와 상기 마이크로 판 보유 수단 중의 하나를 경사시키기 위한 경사 수단과; 종열 및 횡열 중의 적어도 하나에 형성된 상기 웰의 수와 동일한 수로 직선으로 설치된 다수의 센서를 가지며, 상기 기부 본체 상에 설치된 센서 블록을 구비하고; 상기 센서는 센서 블록 상의 상기 마이크로 판 보유 수단의 이동 방향에 수직하게 배치하고, 상기 센서 블록은 상기 센서 블록의 상기 센서의 각각을 각 웰의 범주 내에서 소정 거리만큼 이동시키도록 상기 마이크로 판 보유 수단의 이동 방향에 사실상 수직으로 상대 이동할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  12. 제11항에 있어서, 회전 축 부재를 갖는 센서 블록 이동 모터와; 다수의 원호부와 외부 원주에 교대로 형성된 상기 원호부와 동일한 개수의 직선부를 가지며, 상기 회전축 부재에 결합된 캠 부재와; 상기 센서 블록과 작동가능하게 결합된 축 부재를 갖는 회전 부재와; 상기 회전 부재를 상기 캠 부재의 외부 원주에 압착 유지하기 위한 인장 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 센서는 웰의 범주 내에서 웰의 다수의 구간을 측정하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 웰의 범주 내의 웰의 구간은 입자의 유동 방향으로 전방에 있는 각 웰의 전방 원주 지점과 상기 전방 원주 지점에 대응하는 후방 원주 지점 사이의 거리인 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  15. 제11항에 있어서, 다수의 자석을 갖는 자석 유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  16. 제15항에 있어서, 자석의 수는 종열 및 횡열로 형성된 상기 웰의 수와 동일한 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
  17. 제15항에 있어서, 웰의 저부는 웰의 수직 내부 원주 표면에 대해 수직한 수평 평면이 되는 것을 특징으로 하는 간접 응집 면역 측정 장치.
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