JPWO2005002303A1 - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

プリント配線板において、絶縁層１１（１２）と；金属を主成分とし、一方側（−Ｚ方向側）の表面において０．５〜５μｍの算術平均高さの表面粗さを有するとともに、該算術平均高さの５〜５０％の平均厚みを有し、絶縁層１１の一方側の表面付近に埋め込まれ、一方側の表面が絶縁層１１の一方側の表面とともに導体パターン配線面を形成する少なくとも１つの抵抗素子３１_１（３１_２）と；当該導体パターン配線面上に形成され、抵抗素子３１_１（３１_２）の端子部と接続された導体パターン３５_１（３５_２）と；を備える。この構成により、幅広い抵抗値範囲で安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を提供することができる。

Description

本発明は、プリント配線板に係り、より詳しくは、抵抗素子が内蔵されたプリント配線板に関する。

従来から、抵抗素子を内蔵したプリント配線板が実用化されている。こうしたプリント配線板に内蔵される抵抗素子としては、抵抗素子がスクリーン印刷により形成されたもの、エッチングにより形成されたもの及びメッキ法により形成されたものがある。

スクリーン印刷により形成される抵抗素子は、例えば以下のようにして形成される（特許文献１参照）。まず、絶縁体材料層及び導体材料層を積層した後、フォトエッチング法により絶縁体材料層上に所望の導体パターンを形成する。引き続き、絶縁体材料層に形成された所定の導体パターン間にアンダーコート層を形成する。そして、アンダーコート層及び該アンダーコート層に隣接する導体パターンの端部上にカーボンペーストをスクリーン印刷し、抵抗素子を配設する。こうして、プリント配線板に内蔵される抵抗素子が形成される（以下、「従来例１」という）。なお、アンダーコートを形成せずに、直接樹脂にペーストを塗布する方法もある。

また、スクリーン印刷により形成される抵抗素子の形成方法として、銅箔上に例えばＬａＢ_６からなるインクを用いたスクリーン印刷により抵抗素子を配設した後、銅箔上において抵抗素子を覆うようにして絶縁層を形成し、当該銅箔をエッチングして所望の導体パターンを形成する方法も知られている（以下、「従来例２」という、非特許文献１参照）。

また、エッチングにより形成される抵抗素子は、例えば以下のようにして形成される（特許文献２参照）。まず、絶縁材料層、抵抗材料層及び導電材料層を積層した後、導電材料層上に、所望の抵抗素子の形状に応じた第１フォトレジストを形成し、エッチングすることにより導体材料層の選択除去を行う。引き続き、第１フォトレジストを残存させたまま、エッチングすることにより、導体材料層における選択除去された領域の抵抗材料層を選択除去する。次に、第１フォトレジストを剥離した後に、所望の導体パターンの形状に応じた第１フォトレジストを形成し、エッチングすることにより導体材料層の選択除去を行う。こうして、プリント配線板に内蔵される抵抗素子が形成される（以下、「従来例３」という）。

また、メッキにより形成される抵抗素子は、例えば以下のようにして形成される（特許文献４参照）。まず、絶縁体材料層及び導体材料層を積層した後、フォトエッチング法により絶縁体材料層上に所望の導体パターンを形成する。引き続き、絶縁体材料層に形成された所定の導体パターン間に、メッキ法により抵抗素子を形成する。この抵抗素子の形成に際しては、所定の導体パターン間における絶縁層上及び当該所定の導体パターンの端部上にメッキを施す。こうして、プリント配線板に内蔵される抵抗素子が形成される（以下、「従来例４」という）。

特開平１１−４０５６号公報 特開平４−１４７６９５号公報 米国特許第６２８１０９０号 デュポン社、"デュポン電子材料プリント基板内蔵素子"、［ｏｎｌｉｎｅ］，２００２．２．１５，［２００３年４月１６日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄｕｐｏｎｔ．ｃｏ．ｊｐ／ｍｃｍ／ａｐｒｉ／ｐｒｉｎｔ／ＥＲ．ｈｔｍｌ＞

上述した従来例１から従来例４の技術は、いずれも簡易にプリント配線板に内蔵される抵抗素子を形成することができるという観点からは、優れたものである。しかし、従来例１又は従来例２のように、スクリーン印刷の技術により形成された抵抗素子（以下、「印刷抵抗素子」ともいう。）は、印刷後に液状のペーストが流動したり、樹脂や接着剤などの熱硬化の際の収縮によって、印刷抵抗素子の厚みや幅が変動したり、にじみによって形状が変化したりしやすく、その結果、抵抗値を精度良く制御することができない。さらに、表面処理時にかかる熱や抵抗素子上部へのプリプレグを介して他層を積層する際にかかる熱や圧力によっても抵抗値が変化しやすく、ばらつきが大きくなる傾向がある。また、従来例１の技術では抵抗素子内に樹脂成分が残るため、プリント配線板に各種電子部品が実装され、実際に使用している最中の基板や電子部品などの発熱によって温度ドリフトを生じやすく、安定した抵抗値を維持することが難しい。また、従来例２の技術では、ＬａＢ_６を高温で焼結して抵抗素子を形成するが、この時に体積収縮が生じやすい。このため、ＬａＢ_６は、部分的には銅箔表面に密着できるが、充分には銅箔表面に追従していないことが多い。例えば、抵抗素子を形成した後にかかる熱や、形成中に使用する酸やアルカリ等の薬液によって、ＬａＢ_６と銅箔表面との接合部の強度が低下しやすい。したがって、従来例１又は従来例２の技術では、抵抗素子の抵抗値を所望の値に精度良く形成することができなかった。また、従来例１又は従来例２の技術では、安定な抵抗値を維持できなかった。

また、従来例３では、導体材料層のエッチングを２回、抵抗材料層のエッチングを１回の計３回のエッチングを行っている。この従来例３においては、導体材料層に第１回目のエッチングを行って、抵抗材料層における抵抗素子となるべき領域以外の領域上の導体層を除去した後、露出した抵抗材料層の領域をエッチングによって除去することにより、必要な抵抗素子を形成している。しかし、この抵抗材料層のエッチング時には、第１回目のエッチングによって除去さなかった導体層領域の下に存在し、最終的に形成される抵抗素子となるべき抵抗素子材料層の領域の側面もエッチングされることになる。このため、最終的に形成される抵抗素子の幅が減少してしまっていた。

したがって、従来例３の技術では、内蔵抵抗素子の抵抗値を所望の値に精度良く形成することができるとはいえなかった。なお、従来例３では、側面侵食による抵抗値の精度低下よりも大きな精度低下の要因となる抵抗素子の上面における侵食を防止することを目的として、導体材料層の第２回目のエッチング時には、抵抗材料を侵食しないエッチング液を使用することとしている。しかし、従来例３においては、上記のような抵抗素子の側面がエッチングによって侵食されるため、高い抵抗値を得るために微細な幅で長い抵抗素子を形成することは難しいものとなっていた。

従来例４では、絶縁層上及び導体パターン上という段差のある領域にメッキを施すことが必要である。ここで、感光性のドライフィルムや液状のレジストマスクをラミネート又は塗布し、フォトエッチングによって開口部を形成する。フォトエッチングの露光の際に、導体パターンとの段差に起因して、開口部、とりわけ絶縁層上の開口部を十分な精度で形成することが難しいものとなっていた。また、従来例４の技術では、導体と抵抗素子の界面がほぼ直角に折れ曲がる形となる。このため、後の熱処理工程や実際の使用の際に熱ストレスがかかった場合に、亀裂が生じやすく、安定した抵抗値の維持が難しいものとなっていた。また、導体パターンの間隙部に抵抗素子を形成する必要があるため、抵抗素子の形状を自由に形成することが困難であった。

本発明は、上記の事情のもとでなされたものであり、その目的は、幅広い抵抗値範囲で安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を提供することにある。

本発明のプリント配線板は、絶縁層と；金属を主成分とし、一方側の表面が粗面とされ、前記粗面の５〜５０％の平均厚みを有するとともに、前記絶縁層の前記一方側の表面付近に埋め込まれた少なくとも１つの抵抗素子と；前記絶縁層の前記一方側の表面及び前記抵抗素子の前記一方側の表面によって形成される導体パターン配線面上に形成され、前記抵抗素子それぞれの端子部と接続された導体パターンと；を備えるプリント配線板である。

このプリント配線板では、抵抗素子が、一方側の表面が粗化され、かつ平均厚みが当該一方側の表面の算術平均高さ（Ｒａ）の５〜５０％とされている。このため、抵抗素子の両端に接続する導体パターン（以下、「電極」ともよぶ）間における、抵抗素子における電流経路の長さを確保しつつ、抵抗素子として安定性を有する平均厚みを確保できる。すなわち、低抵抗値の抵抗素子を形成する場合には、抵抗素子の平面形状を、電流経路の幅が広く、かつ電流経路の長さを短いものとするとともに、抵抗素子の平均厚みを抵抗素子の一方側の表面における平均算術高さ（Ｒａ）の５０％を上限として厚くすることにより、安定性及び抵抗値精度の良い抵抗素子を形成することができる。また、高抵抗値の抵抗素子を形成する場合には、抵抗素子の平面形状を、電流経路の幅が狭く、かつ電流経路の長さを長いものとするとともに、抵抗素子の平均厚みを一方側の表面における平均算術高さ（Ｒａ）の５％を下限として薄くすることにより、安定性及び抵抗値精度の良い抵抗素子を形成することができる。

ここで、算術平均高さ（Ｒａ）は、表面粗さの尺度として一般的に用いられるものであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１（ＩＳ０４２８７−１９９７準拠）によって定義されている量をいう。

また、このプリント配線板では、抵抗素子が絶縁層の一方側の表面付近に埋め込まれ、抵抗素子の一方側の表面が、絶縁層の一方側の表面とともに導体パターン配線面を形成するようになっている。このため、当該導体パターン配線面に銅箔等の導電材料層を配設して、フォトエッチング法等により導体パターンを形成しても、抵抗素子の側面がエッチング液により侵食されることはない。

また、このプリント配線板では、抵抗素子の平均厚みを、抵抗素子の一方側の表面粗さである算術平均高さ（Ｒａ）の５０％以内としているので、絶縁層との接続面である抵抗素子の他方側の表面も起伏を有するものとなっている。このため、抵抗素子と絶縁層とは密着性よく接続されるようになっている。

また、このプリント配線板では、抵抗素子の一方側の表面と電極の他方側の表面とが接触している。この結果、電極と抵抗素子とが大きな面積で接続することになる。このため、熱によってプリント配線板が伸縮した場合にも、接続を維持することができる。また、接続部分で折れ曲がるといったことがないため、集中応力がかかりにくい構造とすることができる。このため、接続強度の信頼性を向上させることができる。さらに、プリント配線板に湾曲が生じた場合でも、抵抗素子や電極が接続面で折れることを防止することができる。

したがって、本発明のプリント配線板によれば、幅広い抵抗値範囲で安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を実現することができる。

また、このプリント配線板では、前記粗面が、０．５〜５μｍの算術平均高さを有している。この範囲となるように上記抵抗素子の表面を粗化することは容易であり、安定性の良い抵抗素子を形成することができる。

本発明のプリント配線板では、前記抵抗素子の主成分となる金属は、ニッケル、コバルト、クロム、インジウム、ランタン、リチウム、錫、タンタル、白金、鉄、パラジウム、バナジウム、チタン、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることができ、ニッケル、クロム及び鉄が特に好ましい。これらの金属を用いると、多様な抵抗値を有する、高温でも抵抗値の変動の少ない抵抗素子を製造することができる。

ここで、前記抵抗素子は、その総重量に対して、５〜１５％のリンを含有するニッケル合金で形成されることとすることができる。

また、本発明のプリント配線板では、前記抵抗素子の前記一方側表面には、エッチング耐性を有する材料から成る保護用被膜が形成されていることとすることができる。かかる場合には、導体パターンの形成時に行われるエッチングによる抵抗素子の一方側の表面における侵食を低減することができる。したがって、更に精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を実現することができる。

なお、本発明のプリント配線板においては、抵抗素子は、メッキ法、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の種々の方法によって形成することができるが、緻密で強固な膜を形成できることから、メッキ法によって形成することが好ましい。

以上説明したように、本発明のプリント配線板によれば、幅広い抵抗値範囲で安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板提供することができるという効果を奏する。

［図１］図１は、本発明に係るプリント配線板の一実施形態の概略的な構成を示す断面図である。
［図２Ａ］図２Ａは、図１における第１及び第２の抵抗素子の形状を説明するための図である。
［図２Ｂ］図２Ｂは、図１における第１の抵抗素子の形状を説明するための図である。
［図２Ｃ］図２Ｃは、図１における第２の抵抗素子の形状を説明するための図である。
［図３Ａ］図３Ａは、図１のプリント配線板の製造に使用される第１の抵抗素子モジュールの概略的な構成を示す図である。
［図３Ｂ］図３Ｂは、図１のプリント配線板の製造に使用される第２の抵抗素子モジュールの概略的な構成を示す図である。

［図４Ａ］図４Ａは、図３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その１）である。
［図４Ｂ］図４Ｂは、図３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その２）である。
［図４Ｃ］図４Ｃは、図３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その３）である。
［図５Ａ］図５Ａは、図３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その４）である。
［図５Ｂ］図５Ｂは、図３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その５）である。

［図６Ａ］図６Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１）であ。
［図６Ｂ］図６Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その２）である。
［図６Ｃ］図６Ｃは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その３）である。
［図７Ａ］図７Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その４）である。
［図７Ｂ］図７Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その５）である。
［図７Ｃ］図７Ｃは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その６）である。

［図８Ａ］図８Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その７）である。
［図８Ｂ］図８Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その８）である。
［図８Ｃ］図８Ｃは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その９）である。
［図９Ａ］図９Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１０）である。
［図９Ｂ］図９Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１１）である。

［図１０Ａ］図１０Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１２）である。
［図１０Ｂ］図１０Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１３）である。
［図１１Ａ］図１１Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１４）である。
［図１１Ｂ］図１１Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１５）である。
［図１２Ａ］図１２Ａは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１６）である。
［図１２Ｂ］図１２Ｂは、図１のプリント配線板の製造工程を説明するための図（その１７）である。

［図１３Ａ］図１３Ａは、変形例のプリント配線板の製造に使用される第１の抵抗素子モジュールの概略的な構成を示す図である。
［図１３Ｂ］図１３Ｂは、変形例のプリント配線板の製造に使用される第２の抵抗素子モジュールの概略的な構成を示す図である。
［図１４Ａ］図１４Ａは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その１）である。
［図１４Ｂ］図１４Ｂは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その２）である。
［図１４Ｃ］図１４Ｃは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その３）である。

［図１５Ａ］図１５Ａは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その４）である。
［図１５Ｂ］図１５Ｂは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その５）である。
［図１５Ｃ］図１５Ｃは、図１３Ａの抵抗素子モジュールの製造工程を説明するための図（その６）である。
［図１６］図１６は、銅箔（導体フィルム）３３_１の表面３３Ｓ_１を示す図面代用写真（顕微鏡写真）である。
［図１７］図１７は、銅箔（導体フィルム）３３_１の断面を示す図面代用写真（顕微鏡写真）である。

以下、本発明の一実施形態を、図１〜図１０を参照して説明する。
図１には、本発明の一実施形態に係るプリント配線板１０の構成がＸＺ断面図にて示されている。このプリント配線板１０は、抵抗素子を２つ内蔵したプリント配線板である。

図１に示されるように、このプリント配線板１０は、（ａ）絶縁層１１と、（ｂ）絶縁層１１の＋Ｚ方向側表面に形成された、＋Ｚ方向に沿って導体パターン２１と導体パターン２２Ｕとが順次積層されて形成された導体パターン（以下、「導体パターン２１，２２Ｕ」と表記する）を備えている。ここで、導体パターン２１と導体パターン２２Ｕとは同一のＸＹ平面形状を有している。

また、プリント配線板１０は、（ｃ）絶縁層１１及び導体パターン２１，２２Ｕの＋Ｚ方向側表面上に形成された絶縁層１３と、（ｄ）絶縁層１３の＋Ｚ方向側表面に形成された、＋Ｚ方向に沿って導体パターン３５_３と導体パターン２５Ｕとが順次積層されて形成された導体パターン（以下、「導体パターン３５_３，２５Ｕ」と表記する）を備えている。ここで、導体パターン３５_３と導体パターン２５Ｕとは同一のＸＹ平面形状を有している。

また、プリント配線板１０は、（ｅ）絶縁層１１の−Ｚ方向側表面付近に埋め込まれた第１の抵抗素子である抵抗素子３１_１と、（ｆ）絶縁層１１の−Ｚ方向側表面と抵抗素子３１_１の−Ｚ方向側表面とが形成するパターン配線面の−Ｚ方向側であって、当該パターン配線面上に形成された、−Ｚ方向に沿って導体パターン３５_１と導体パターン２２Ｌとが順次積層されて形成された導体パターン（以下、「導体パターン３５_１，２２Ｌ」と表記する）と、（ｇ）絶縁層１１の−Ｚ方向側表面、抵抗素子３１_１の−Ｚ方向側表面及び導体パターン３５_１，２２Ｌの−Ｚ方向側表面に形成された絶縁層１２とを備えている。ここで、導体パターン３５_１と導体パターン２２Ｌとは同一のＸＹ平面形状を有している。

また、プリント配線板１０は、（ｈ）絶縁層１２の−Ｚ方向側表面付近に埋め込まれた第２の抵抗素子である抵抗素子３１_２と、（ｊ）絶縁層１２の−Ｚ方向側表面と抵抗素子３１_２の−Ｚ方向側表面とが形成するパターン配線面の−Ｚ方向側であって、当該パターン配線面上に形成された、−Ｚ方向に沿って導体パターン３５_２と導体パターン２５Ｌとが順次積層されて形成された導体パターン（以下、「導体パターン３５_２，２５Ｌ」と表記する）とを備えている。ここで、導体パターン３５_２と導体パターン２５Ｌとは同一のＸＹ平面形状を有している。

また、プリント配線板１０は、（ｋ）プリント配線板１０をＺ軸方向に貫く、層間配線のためのバイアホール２９_１及びバイアホール２９_２を備えている。これらのバイアホール２９_１及びバイアホール２９_２それぞれの内壁には導体層が形成されており、また、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２それぞれの＋Ｚ方向側端部及び−Ｚ方向端部にはラウンドパターンを形成する導体パターンが形成されている。なお、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２それぞれの内壁の導体層とラウンドパターンを形成する導体パターンとは電気的に導通している。

また、プリント配線板１０は、（ｍ）絶縁層１３の＋Ｚ方向側表面上及び導体パターン３５_３，２５Ｕの＋Ｚ方向側表面上に形成されたソルダーマスク２７Ｕと、（ｎ）絶縁層１２の−Ｚ方向側表面上及び導体パターン３５_２，２５Ｌの＋Ｚ方向側表面上に形成されたソルダーマスク２７Ｌとを備えている。なお、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２それぞれの＋Ｚ方向側のラウンドパターン上にはソルダーマスク２７Ｕは形成されず、また、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２それぞれの−Ｚ方向側のラウンドパターン上にはソルダーマスク２７Ｌは形成されないようになっている。

絶縁層１１，１２，１３の材料としては、エポキシ樹脂、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、「ガラスエポキシ」又は「プリプレグ」ということがある。）、ポリイミド等を使用することができ、ガラスエポキシを使用することが、寸法安定性、量産性及び熱安定性の面から好ましい。なお、絶縁層１１，１２，１３は、上記のような材料から選ばれる同一の材料を用いて形成してもよいし、互いに異なる材料を用いて形成してもよい。

導体パターン２１，２２，２３の材料としては、銅、アルミニウム、ステンレススチール等の導体金属を使用することができ、加工性の点から銅を使用することが好ましい。

図２には、プリント配線板１０の製造に使用される抵抗素子３１_１，３１_２の構成が概略的に示されている。ここで、図２Ａには、抵抗素子３１_ｊ（ｊ＝１〜２）及びその周辺のＸＺ断面図が、抵抗素子３１_ｊの表面粗さを強調した態様で示されている。また、図２Ｂには、高抵抗値を有する抵抗素子３１_１の平面形状の例が示され、図２Ｃには、低抵抗値を有する抵抗素子３１_２の平面形状の例が示されている。

図２Ａに示されるように、抵抗素子３１_ｊの＋Ｚ方向側表面及び−Ｚ方向側表面には全面にわたって起伏が形成されている。ここで、抵抗素子３１_ｊの−Ｚ方向側表面の算術平均高さ（Ｒａ）は、０．５〜５μｍの算術平均高さ（Ｒａ）とされている。そして、抵抗素子３１_ｊのＺ軸方向厚みは、算術平均高さ（Ｒａ）の５〜５０％とされている。

この抵抗素子３１_ｊの主成分となる金属は、ニッケル、コバルト、クロム、インジウム、ランタン、リチウム、錫、タンタル、白金、鉄、パラジウム、バナジウム、チタン、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることが好ましく、ニッケル、クロム及び鉄とすることが、特に好ましい。これは、以下の２つの理由によるものである。第１に、上記の金属は、２００℃以上の高温条件下においても酸化されにくい。第２に、これらの金属は、５μΩｃｍ以上という比較的高い比抵抗を有しており（以下、「高比抵抗金属」ということがある。）、上記の金属以外の金属とも比較的容易に合金を作るため、多様な比抵抗を有するものを得ることができるからである。例えば、銅やアルミニウム等といった５μΩｃｍ以下の比抵抗を有する金属（以下、「低比抵抗金属」ということがある。）との合金とした場合、これらの低比抵抗金属の割合を合金全体の１０重量％未満とすると、比抵抗を極端に小さくせずに高い耐食性を得られるといった効果が得られる。

ここで、抵抗素子３１_ｊの厚みを、算術平均高さ（Ｒａ）の５〜５０％としているのは、以下の理由による。すなわち５％以上としているのは、一般的には、厚みの薄い方が高い抵抗を得ることができるが、算術平均高さ（Ｒａ）の５％未満の厚みでは、強度が低下するため、安定した抵抗値を有する電流経路の長い抵抗素子を得ることができないことによる。また、５０％以下としているのは、５０％を超えると粗面表面における起伏が埋められてしまうため、高い抵抗を得ることができないだけでなく、絶縁層１１（１２）との密着性が低下するためである。また、算術平均高さを０．５〜５０μｍとすると、上述した抵抗素子の表面を容易に粗化することができ、安定性及び抵抗精度を高めることができる。

図２Ｂに示される抵抗素子３１_１の平面形状のパターンは、本実施形態では、パターン形成面が平面であるとしたときのパターン幅が５０μｍ、パターン長が約１００ｍｍのミアンダパターンとなっている。なお、本実施形態では、抵抗素子３１_１は、Ｚ軸方向の平均厚みとして０．２μｍを有している。

また、図２Ｃに示される抵抗素子３１_２の平面形状のパターンは、本実施形態では、パターン形成面が平面であるとしたときのパターン幅が１００μｍ、パターン長が５００μｍの矩形パターンである。なお、本実施形態では、抵抗素子３１_２は、Ｚ軸方向の平均厚みとして０．４μｍを有している。

上述した抵抗素子３１_ｊは、メッキ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等によって形成することができるが、緻密で強固な膜の形成が可能であるメッキ法を使用することが特に好ましい。メッキ法による場合には、抵抗素子３１_ｊの組成に応じて電解メッキ又は無電解メッキを適宜使用する。メッキ浴は、上述した各種の金属又はこれらを含む合金を複数溶解した組成の浴を適宜調製して使用すればよい。

メッキ法の中でも、ニッケルメッキ浴を用いる方法（以下、「ニッケルメッキ」という）を最も好適に使用することができる。特に、ニッケルメッキ浴中に、金属とリンの合計重量に対して、５〜１５重量％のリンを添加しておくことが好ましい。リンの含有率をこの範囲とするのは、リンの含有率が５重量％未満では、前記抵抗素子にピンホールが生じやすくなり、抵抗値が変化しやすくなる。また、ニッケル結晶間の結合強度が小さいために、熱や酸、アルカリ等の薬液に対する耐食性が低下する傾向があることによる。逆に１５重量％を超えると、ニッケル内のリンが酸素によって酸化を受けやすくなり、高温の空気雰囲気下で使用された場合には、抵抗値が変化するおそれがあることによる。

次に、プリント配線板１０の製造工程について説明する。

まず、図３Ａに示される抵抗素子モジュール３０_１及び図３Ｂに示される抵抗素子モジュール３０_２を製造する。ここで、抵抗素子モジュール３０_１は、（ｉ）支持部材（以下、「キャリア部材」又は「キャリア」ということがある。）３４_１の＋Ｚ方向側表面に銅フィルム等の導体フィルム３３_１が積層された導体フィルム付キャリア３６_１と、（ｉｉ）導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面上に形成された抵抗素子３１_１とを備えている。ここで、導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面には、算術平均高さ（Ｒａ）が所定値となるように租面化処理が施されている。導体フィルム３３_１の粗化された表面３３Ｓ_１の電子顕微鏡写真を図１６に示す。

導体フィルム付キャリア３６_１は、支持部材３４_１の＋Ｚ方向側表面上に導体フィルム３３_１を圧着して貼り付けて製造してもよく、市販品を適宜選択して使用してもよい。市販品としては、例えば、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ（三井金属鉱業（株）製）、ＸＴＲ（オーリンブラス（株）製）、ＵＴＣ−Ｆｏｉｌ（ＭＥＴＦＯＩＬＳ社製）等を挙げることができる。導体フィルム付キャリア３６_１の例として、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ（三井金属鉱業（株）製）の断面図の顕微鏡写真を、図１７に示す。この導体フィルム付キャリアは、導体フィルム３３_１がキャリア３４_１に接着層を介して貼り付けられたものである。

また、抵抗素子モジュール３０_２は、（ｉ）支持部材３４_１と同様の支持部材３４_２の＋Ｚ方向側表面に、導体フィルム３３_１と同様の導体フィルム３３_２が積層された導体フィルム付キャリア３６_２と、（ｉｉ）導体フィルム３３_２の＋Ｚ方向側表面上に形成された抵抗素子３１_２とを備えている。

導体フィルム付キャリア３６_２は、導体フィルム付キャリア３６_１と同様に、支持部材３４_２の＋Ｚ方向側表面上に導体フィルム３３_２を圧着して貼り付けて製造してもよく、市販品を適宜選択して使用してもよい。市販品としては、導体フィルム付キャリア３６_１の場合と同様のものを採用することができる。

抵抗素子モジュール３０_１の製造に際しては、まず、導体フィルム付キャリア３６_１を用意する（図４Ａ参照）。引き続き、導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面に液体レジストを塗布して、ドライレジスト層４１を形成する（図４Ｂ参照）。ここで、ドライレジスト層４１を形成する液体レジストとしては、例えば、ＰＥＲ−２０（太陽インキ（株）製）等を用いることができる。

次に、抵抗素子形成領域上のドライレジスト層４１を除去して凹部４６_１を形成し、抵抗素子形成領域における導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面を、所望の大きさで露出させる（図４Ｃ参照）。かかる抵抗素子形成領域上のドライレジストの除去は、周知のフォトリソグラフィ法等を用いて行う。

次いで、所望の組成を有する浴を用いたメッキ法や、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の手法を用いて、上記のように露出した導体フィルム３３_１上に抵抗素子３１_１を形成する。メッキ法による場合には、浴の組成とメッキ条件（ｐＨ、温度、電解メッキの場合には電流密度と通電時間）を適宜調節することにより、所望のメッキの厚み、すなわち抵抗値を有する抵抗素子３１_１を形成することができる（図５Ａ参照）。例えば、下記の組成の浴を用いる硫酸ニッケル浴（ｐＨ４〜５）を用いて、所定の条件、例えば、４０〜６０℃、電流密度約２〜６Ａ／ｄｍ^２で１分間、メッキを行うと、平均厚み０．２０μｍの抵抗素子を形成することができる。

引き続き、導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面上からドライレジスト４１_１を除去する（図５Ｂ参照）。こうして、抵抗素子モジュール３０_１が製造される。

抵抗素子モジュール３０_２は、抵抗素子モジュール３０_１と同様にして製造される。

なお、ドライレジスト層４１の形成にあたっては、ドライフィルムレジストをラミネートする方法を使用することができる。こうしたドライフィルムレジストとしては、例えば、ＨＷ４４０（日立化成（株）製）等を挙げることができる。

また、メッキ法としては、下記表２のメッキ浴を用いた無電解メッキ法を使用することもできる。

なお、複数の複数凹部４６_ｉを形成し、抵抗値が互いに異なる抵抗素子を形成することもでき、また、金、銀、クロム、鉄、バナジウム等を物理的気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の蒸着法によって導体フィルム３３_１，３３_２の＋Ｚ方向側表面上に蒸着させて抵抗素子３１_１，３１_２を形成することもできる。

上述のようにして製造した抵抗素子モジュール３０_ｊの＋Ｚ方向側表面上に絶縁部材を配設し、この絶縁部材の＋Ｚ方向に導体フィルム２１Ａを重ね、所定の条件下で処理、例えば、１８５℃、４０ｋｇ／ｃｍ^２で１時間の加圧処理をすることにより、絶縁層１１及び導体フィルム２１Ａを＋Ｚ方向に沿って順次積層させる（図６Ａ参照）。この結果、抵抗素子３１_１が絶縁層１１の−Ｚ方向側表面付近に埋め込まれる。ここで、絶縁部材１１としては、例えば、ＧＥＡ−６７Ｎ（日立化成（株）製）、Ｒ１６６１（松下電工（株）製）等のプリプレグを挙げることができる。また、導体フィルム２１Ａは、上記の導体フィルム３３_１，３３_２と同様の材料で構成されている。

この後、キャリア部材３４_１を剥離除去する（図６Ｂ参照）。

次に、導体フィルム２１Ａの＋Ｚ方向側表面の全面にドライフィルムレジスト４２Ｕをラミネートするとともに、導体フィルム３３_１の−Ｚ方向にドライフィルムレジスト４２Ｌをラミネートする（図６Ｃ参照）。

次いで、周知のフォトリソグラフィ法により、導体フィルム４２Ｕの＋Ｚ方向側表面上の上述した導体パターン２１を形成すべき領域からレジストを除去して凹部４７Ｕを形成するとともに、導体フィルム４２Ｌの−Ｚ方向側表面上の上述した導体パターン２２を形成すべき領域からレジストを除去して凹部４７Ｌを形成する（図７Ａ参照）。

次に、所望の浴を用いたメッキ法により、凹部４７Ｕ，４７Ｌに所望の厚みのメッキを施すことにより、導体パターン２２Ｕ，２２Ｌを形成する（図７Ｂ参照）。引き続き、ドライフィルムレジスト４２Ｕを除去する（図７Ｃ参照）。

次いで、導体フィルム２１Ａ及び導体パターン２２Ｕの＋Ｚ方向側表面の全面にレジスト剤を塗布してレジスト４３Ｕを形成する。また、導体フィルム３３_１及び導体パターン２２Ｌの−Ｚ方向側表面の全面にレジスト剤を塗布してレジスト４３Ｌを形成する（図８Ａ参照）。引き続き、周知のリソグラフィ法によって導体パターン２２Ｕ，２２Ｌが形成された以外の領域部分から、レジスト４３Ｕ，４３Ｌを除去し、その領域部分の導体フィルム２１Ａ，３３_１を露出させる（図８Ｂ参照）。

次に、絶縁層１１の＋Ｚ方向側においては、絶縁層１１の＋Ｚ方向表面が露出するまで、露出させた領域部分の導体フィルム２１Ａをエッチングにより除去する。一方、絶縁層１１の−Ｚ方向では、絶縁層１１の−Ｚ方向表面及び抵抗素子３１_１の−Ｚ方向表面が露出するまで、露出させた領域部分の導体フィルム３３_１をエッチングにより除去する。こうして、抵抗素子３１_１が−Ｚ方向側表面付近に埋め込まれた絶縁層１１の＋Ｚ方向側表面上に導体パターン２１，２２Ｕが形成され、絶縁層１１及び抵抗素子３１_１の−Ｚ方向側表面上に導体パターン３３_１，２２Ｌが形成された部材５０が得られる（図８Ｃ参照）。ここで、抵抗素子３１_１のＸＺ面及びＹＺ面は絶縁層１１に埋め込まれているので、エッチングにより浸食されることはない。この結果、設計値に基づいて形成された抵抗素子モジュール３０_１の製造時の抵抗素子３１_１が、その抵抗値を精度よく維持しつつ部材５０に実装されることになる。

引き続き、導体パターン２１，２２Ｕと、これから形成される絶縁層１３との密着性の向上、及び、導体パターン３３_１，２２Ｌ、これから形成される絶縁層１２との密着性の向上のため、導体パターン２１，２２Ｕ及び導体パターン３３_１，２２Ｌの黒化処理を行う。かかる黒化処理は、導体パターン２１，２２Ｕ及び導体パターン３３_１，２２Ｌの表面をアルカリ溶液で処理することにより行われる。

次いで、部材５０の＋Ｚ方向側表面上に絶縁層１３を形成する。ここで、絶縁層１３としては、上述した絶縁層１１を生成するために使用したのと同様のものを使用してもよく、また、他の材料を使用してもよい。一方、部材５０の−Ｚ方向側表面上にも絶縁層１２を形成する。絶縁層１２は、上記の絶縁層１３と同様のものを使用して形成することができる。

次に、絶縁層１３の＋Ｚ方向側の表面上に、前述した導体フィルム付キャリア３６_１と同様に構成されている導体フィルム付キャリア３６_３を、導体フィルム３３_３が絶縁層１３の＋Ｚ方向側表面と対向するように重ねる。一方、絶縁層１２の−Ｚ方向側表面上には、前述した抵抗素子モジュール３０_２を、抵抗素子３１_２が絶縁層１２の−Ｚ方向側表面と対向するように重ねる（図９Ａ参照）。

引き続き、所望の条件下、例えば、約１８５℃、約４０ｋｇ／ｍ^２で１時間加圧した後、支持部材３４_３及び支持部材３４_２を剥離除去して積層体５１を形成する（図９Ｂ参照）。

次いで、積層体５１に、ドリル等を用いて、貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２を形成する（図１０Ａ参照）。引き続き、積層体５１の＋Ｚ方向側表面及び−Ｚ方向側表面の全面、並びに貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２の内壁に、所望の条件下、例えば、下記表３のメッキ浴を用いたメッキ法により、所望の条件でその全面にメッキを施し、メッキ膜２５Ａを形成する。具体的には、化学銅１〜２μｍおよび電解銅１３〜１４μｍの厚みのメッキを形成することにより、メッキ膜２５Ａの厚みを約１５μｍとすることができる（図１０Ｂ参照）。

引き続き、貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２の＋Ｚ方向側端部を含めたメッキ膜２５Ａの＋Ｚ方向側表面の全面にドライフィルムレジスト４４Ｕをラミネートする。また、貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２の−Ｚ方向側端部を含めたメッキ膜２５Ａの−Ｚ方向側表面の全面にドライフィルムレジスト４４Ｌをラミネートする（図１１Ａ参照）。そして、貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２の＋Ｚ方向側端部領域、並びに前述した導体パターン３５_３，２５Ｕの形成領域以外の領域部分上のドライフィルムレジスト４４Ｕと、貫通孔４９_１及び貫通孔４９_２の−Ｚ方向側端部領域、並びに前述した導体パターン３５_２，２５Ｌの形成領域以外の領域部分上のドライフィルムレジスト４４Ｌとを、周知のフォトリソグラフィ法により除去し、それらの領域部分のメッキ膜２５Ａを露出させる（図１１Ｂ）。

次に、露出された領域部分のメッキ膜２５Ａ及び導体フィルム３３_２，３３_３を、周知のエッチング法により除去し、導体パターン３５_３，２５Ｕ、導体パターン３５_２，２５、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２を形成する（図１２Ａ参照）。引き続き、バイアホール２９_１及びバイアホール２９_２の双方の＋Ｚ方向側端部及び−Ｚ方向側端部を除く＋Ｚ方向側表面及び−Ｚ方向側表面の全面にソルダマスク２７Ｕ，２７Ｌを形成する。こうして、プリント配線板１０が製造される。

この後、本発明の抵抗素子を内蔵するプリント配線板には、所望により、ニッケルメッキやハンダメッキ等の処理をさらに行うこともできる。

以上説明したように、本実施形態では、抵抗素子３１_１，３１_２が、−Ｚ方向側の表面において０．５〜５μｍの算術平均高さ（Ｒａ）の表面粗さを有するとともに、その算術平均高さ（Ｒａ）の５〜５０％の平均厚み有している。このため、抵抗素子３１_１，３１_２の両端に接続する導体パターン間における、抵抗素子３１_１，３１_２における電流経路の長さを確保しつつ、抵抗素子３１_１，３１_２として安定性を有する平均厚みを確保できる。

また、抵抗素子３１_１，３１_２が絶縁層１１，１２の−Ｚ方向の表面付近に埋め込まれ、抵抗素子３１_１，３１_２の−Ｚ方向側の表面が、絶縁層１１，１２の−Ｚ方向側の表面とともに導体パターン配線面を形成するようになっている。このため、当該導体パターン配線面に導電材料層を配設して、フォトエッチング法等により導体パターンを形成しても、抵抗素子３１_１，３１_２の側面がエッチング液により侵食されることはない。

また、抵抗素子３１_１，３１_２の平均厚みを、抵抗素子３１_１，３１_２の−Ｚ方向側の表面粗さである算術平均高さ（Ｒａ）の５０％以内としているので、絶縁層１１，１２との接続面である抵抗素子３１_１，３１_２の＋Ｚ方向側の表面も起伏を有するものとなっている。このため、抵抗素子３１_１，３１_２と絶縁層１１，１２とは密着性よく接続されるようになっている。

したがって、本実施形態によれば、幅広い抵抗値範囲で安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を得ることができる。

なお、抵抗素子の数を限定して説明したが、抵抗素子の数は特に限定されることはない。

また、抵抗素子３１_ｊ（ｊ＝１，２）の−Ｚ方向側表面が、図８Ｃにおけるエッチングや図１２Ａにおけるエッチングに耐性のある保護膜で被覆されている構成とすることもできる。ここで、保護膜は、抵抗素子３１_ｊの抵抗値に実質的に影響を与えない厚みに形成される。

こうした保護膜が形成された抵抗素子３１_ｊを内蔵したプリント配線板は、次のようにして製造される。

まず、図１３Ａに示される抵抗素子モジュール３０_１’及び図１３Ｂに示される抵抗素子モジュール３０_２’を製造する。ここで、抵抗素子モジュール３０_ｊ’は、上述した抵抗素子モジュール３０_ｊ（図３Ａ及び図３Ｂ参照）と比べて、導体フィルム３３_ｊと抵抗素子３１_ｊとの間に保護膜３２_ｊが形成されている点のみが異なる。ここで、保護膜３２_ｊの材料としては、導体フィルム導体フィルム３３_ｊが銅フィルムである場合には、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、バナジウム（Ｖ）等を使用することができる。また、導体フィルム導体フィルム３３_ｊが銀フィルムである場合には、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、バナジウム（Ｖ）等を使用することができる。

抵抗素子モジュール３０_１’の製造に際しては、抵抗素子モジュール３０_１の場合と同様にして、導体フィルム付キャリア３６_１を用意し（図１４Ａ参照）、導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面に液体レジストを塗布して、ドライレジスト層４１を形成し（図１４Ｂ参照）、抵抗素子形成領域上のドライレジスト層４１を除去して凹部４６_１を形成し、抵抗素子形成領域における導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面を、所望の大きさで露出させる（図１４Ｃ参照）。

次いで、メッキ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等を用いて凹部４６_１内の導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面上に保護膜３２_１を形成する（図１５Ａ参照）。ここで、非常に薄い保護膜３２_１を形成するには、ＰＶＤ法の一種であるスパッタリング法を好適に使用することができる。

次に、抵抗素子モジュール３０_１の場合と同様にして、保護膜３２_１の＋Ｚ方向側表面上にメッキ法により抵抗素子３１_１を形成する（図１５Ｂ参照）。そして、導体フィルム３３_１の＋Ｚ方向側表面上からドライレジスト４１_１を除去する（図１５Ｃ参照）。こうして、抵抗素子モジュール３０_１’が製造される。

抵抗素子モジュール３０_２’は、抵抗素子モジュール３０_１と同様にして製造される。

以下に、本発明のプリント配線板の製造方法、及び製造されたプリント配線板の特性について、実施例を用いて詳細に説明する。なお、本実施例では、ニッケルメッキ等による抵抗素子（表８，９参照）の形成を例に挙げて説明するが、本発明は、以下の実施例に何ら制限されるものではない。

［１］実施例１用抵抗素子の製造
（１−１）実施例１−１用抵抗素子の製造
支持部材として、表面が粗化されたキャリア付導体フィルムとして、キャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。このキャリア付極薄銅箔は、３．５μｍ厚みの銅層が形成されており、この銅層の表面の算術平均高さ（Ｒａ）は１．２μｍである。

ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製、ＨＷ４４０）を、この銅層の上にラミネートし、光量１１０ｍＪ、Ｎａ_２ＣＯ_３を現像液として３０秒間現像するという条件でフォトリソグラフィを行い、幅約５０μｍ、長さ約１００ｍｍのミアンダパターンを形成して、約１．２ｍｍ×４．５ｍｍの開口部を形成した。

ついで、下記表３に示す組成の次亜リン酸還元浴（ｐＨ４〜５）を用い、約９０℃、１〜２分間の条件の下で、無電解ニッケルメッキを行った。これによって、１０重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜が形成された。この膜の平均厚みは０．２μｍであり、Ｒａに対する割合は１６．７％であった。

（１−２）実施例１−２用抵抗素子の製造
上記（１−１）で製造した抵抗素子よりも抵抗値の低い抵抗素子を有するプリント配線板を、以下のようにして製造した。

支持部材として、表面が粗化されたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。このキャリア付極薄銅箔は、３５μｍ厚みの電解銅箔キャリア３４_２に、有機接着層を介して５μｍ厚みの銅層３３_２が形成されたものであり、この銅層の表面の算術平均高さ（Ｒａ）は３．８μｍである。図１６で示したキャリア付極薄銅箔表面を、断面写真として示したものが図１７である。この表面には、直径１〜２μｍの銅粒子が重なり合って存在し、起伏に富んだ表面を形成している。以下、この表面を「導体表面」という。

このキャリア付極薄銅箔の片面に、液体レジスト（太陽インキ（株）製、ＰＥＲ−２０）を塗布して、抵抗素子領域上にレジストを形成させた。引き続き、このレジストをフォトエッチングして除去し、開口部から上記の導体表面を幅１００μｍ、長さ９００μｍの大きさで露出させた。

次に、下記表４に示す組成の硫酸ニッケル浴（ｐＨ４〜５）を用い、４０〜６０℃、電流密度約２〜６Ａ／ｄｍ^２、約１分間という条件の下でニッケルメッキを行い、抵抗素子を形成した。ここで形成されたニッケルメッキの平均厚みは０．４０μｍであり、Ｒａに対する割合は１０．５％であった。

なお、この後に、レジストをレジスト剥離液にて剥がし、抵抗素子モジュール３０_２を製造した。

（１−３）実施例１−３用抵抗素子の製造
下記表５に示す組成の硫酸クロム浴（ｐＨ２．０〜２．７）を用い、３０〜５５℃、電流密度約１８〜４８Ａ／ｄｍ^２、約１分間という条件の下でクロムメッキを行った他は上記（１−２）と同様にして、実施例２用の抵抗素子を形成した。ここで形成されたクロムメッキの平均厚みは１．６μｍであり、Ｒａに対する割合は４２％であった。

（１−４）実施例１−４用抵抗素子の製造
支持部材として、表面が粗化されたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。このキャリア付極薄銅箔は、３５μｍ厚みの電解銅箔キャリア３４_２に、有機接着層を介して５μｍ厚みの銅層３３_２が形成されたものであり、この銅層の表面の算術平均高さ（Ｒａ）は３．８μｍである。

ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製、ＨＷ４４０）を、この銅層の上にラミネートし、光量１１０ｍＪで、Ｎａ_２ＣＯ_３を現像液として３０秒間現像するという条件の下にフォトリソグラフィを行い、幅約５０μｍ、長さ約１００ｍｍのミアンダパターンを形成して、約１．２ｍｍ×４．５ｍｍの開口部を形成した。

ついで、上記表３に示す組成の次亜リン酸還元浴（ｐＨ４〜５）を用い、約９０℃、１〜２分間の条件の下で、無電解ニッケルメッキを行った。これによって、１０重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜が形成された。この膜の平均厚みは０．１９μｍであり、Ｒａに対する割合は５．０％であった。

（１−５）実施例１−５用抵抗素子の製造
約９０℃、５分間の条件下で、無電解ニッケルメッキを行った点以外は上記（１−１）と同様にして、実施例１−５用抵抗素子を製造し、１０重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜を形成させた。この膜の平均厚みは０．６μｍであり、Ｒａに対する割合は５０．０％であった。

［２］実施例２−１〜２−５用抵抗素子の製造
上記表３に示す組成の次亜リン酸還元浴（ｐＨ４〜５）を用い、約９０℃、１〜５分間の条件の下で、無電解ニッケルメッキを行った他は上記（１−１）と同様にして、５〜１５重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜を形成させた。
実施例２−１〜２−５用の抵抗素子のメッキ平均厚み及びＲａに対する割合は、後述する表１０に示すように、８．３〜１６．７％であった。

［３］実施例３−１〜３−１２用抵抗素子の製造
ニッケルに代えて表１１に示す各種の金属を使用した無電解メッキを行った点以外は上記（２）と同様にして、実施例３−１〜３−１２の抵抗素子を製造した。めっき浴の組成は、下記表６の通りであり、めっき浴は、ｐＨは３〜５、めっき温度５０〜９０℃、１〜２分間という条件でめっきを行った。

なお、下記の金属浴で使用する表１１に示す金属化合物は、硫酸コバルト、硫酸インジウム、硫酸第二インジウム、硫酸リチウム、硫酸チタン、硫酸クロム、硫酸スズ、硫酸鉄、硫酸バナジウム、硫酸ジルコニウム等の硫酸系化合物の他、塩化鉄、塩化白金、塩化クロム等の塩化物系化合物、酸化タンタル等の酸化物を適宜選択して使用した。

［４］比較例用抵抗素子の製造
（４−１）比較例１用抵抗素子の製造
支持部材として、算術平均高さが７μｍのキャリア付極薄銅箔（オーリンブラスト（株）製、キャリア付極薄銅箔）又は３．８μｍのキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。

次に、上記表４に示す組成の硫酸ニッケル浴（ｐＨ４〜５）を用い、４０〜６０℃、電流密度約２〜６Ａ／ｄｍ^２、として、約１分間という条件の下でニッケルメッキを行い、比較例１用抵抗素子を製造した。

製造した比較例１用抵抗素子のニッケルメッキの平均厚み及びＲａに対する割合を表８に示す。比較例１用抵抗素子のメッキ平均厚みは２．８μｍ、Ｒａに対するメッキ平均厚みの割合は、７３．７％であった。

（４−２）比較例２用抵抗素子の製造
実施例１−１用抵抗素子の製造に使用したのと同じ表面が粗化されたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。

これらのキャリア付極薄銅箔を、上記表３に示す組成の次亜リン酸還元浴（ｐＨ４〜５）を用い、約９０℃、１〜５分間の条件の下で、これらに無電解ニッケルメッキを行った他は、実施例１−１用の抵抗素子を製造するのと同様に処理した。これによって、３〜１７重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜を形成させた。これらの膜の平均厚みとＲａに対する割合を、表１０に示す。比較例２用抵抗素子のメッキ平均厚みは０．０３μｍ、Ｒａに対するメッキ平均厚みの割合は、２．５％であった。

［５］参考例用抵抗素子の製造
（５−１）参考例１用抵抗素子の製造
支持部材として、算術平均高さが７μｍのキャリア付極薄銅箔（オーリンブラスト（株）製、キャリア付極薄銅箔）又は３．８μｍのキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。

次に、上記表４に示す組成の硫酸ニッケル浴（ｐＨ４〜５）を用い、４０〜６０℃、電流密度２〜６Ａ／ｄｍ^２として、約１分間という条件の下でニッケルメッキを行い、参考例１用の抵抗素子を製造した。
ここで形成されたニッケルメッキの平均厚み及びＲａに対する割合を、表９に示す。参考例１用抵抗素子のメッキ平均厚みは２．３μｍ、Ｒａに対するメッキ平均厚みの割合は３２．９％であった。

（５−２）参考例２及び３用抵抗素子の製造
支持部材として、実施例１−１用抵抗素子の製造に使用したのと同じ表面が粗化されたキャリア付極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｈｉｎ）を使用した。

これらのキャリア付極薄銅箔を、上記表３に示す組成の次亜リン酸還元浴（ｐＨ４〜５）を用い、約９０℃、１〜５分間の条件の下で、これらに無電解ニッケルメッキを行った以外は、実施例１−１と同様に処理し、参考例２及び３用抵抗素子を製造した。これによって、３〜１７重量％のリンを含有する無電解ニッケル膜を形成させた。ここで形成された膜の平均厚みとＲａに対する割合とを表１０に示す。参考例２及び３用抵抗素子メッキ平均厚みはいずれも０．２μｍ、Ｒａに対するメッキ平均厚みの割合はいずれも１６．７％であった。

［６］実施例１−１〜３−１２、比較例１〜２および参考例１〜３のプリント配線板の製造及び平均抵抗値の測定
（６−１）実施例１−１〜３−１２、比較例１〜２および参考例１〜３のプリント配線板の製造
上述のようにして個々の抵抗素子を製造するが、１枚の支持体上に１００個又は２００個の抵抗素子を形成し、実施例１−１〜３−１２、比較例１〜２及び参考例１〜３のプリント配線板製造用モジュール３０_２とした。

この母材上に絶縁層１１を形成させるために、抵抗素子３１_１又は３１_２と対向するように、厚み６０μｍのプリプレグ（日立化成（株）製、ＧＥＡ−６７Ｎ）を配置した。ついで、このプリプレグの抵抗素子と対向していない面上に、さらに銅箔２１Ａ（三井金属（株）製、厚み１２μｍ、３ＥＣ−ＩＩＩ）を載せ、１８５℃、４０ｋｇ／ｃｍ^２で１時間加圧プレスを行った。プリプレグが硬化した後、機械的にキャリア部材３４_１を剥離除去した。

ついで、上記のキャリア部材３４_１を同様に除去し、この両面に、アクリル樹脂系のドライフィルムレジスト（日立化成（株）製、ＨＷ４４０）をラミネータにてラミネートした。この後、フォトリソグラフィを行い、図７Ａに示すような凹部４７Ｕを設けた。

次に、下記表７に示す組成のメッキ浴を用いて、硫酸銅メッキ浴にて銅メッキを行い、厚み１５μｍのメッキ層を導体パターン２２Ｕ及び２２Ｌとして形成した。

ついで、ドライフィルムレジスト４２Ｕ及び４２Ｌをフォトリソグラフィによって除去した。次に、ラミネータ又はロールコータ等により銅箔２１Ａの＋Ｚ方向にレジスト層４３Ｕを、また、銅箔３３_１の−Ｚ方向にレジスト層４３Ｕとを、図８Ａに示すように形成した。この後、フォトリソグラフィによって、メッキ膜（導体パターン）２２Ｕ及び２２Ｌで被覆されていない領域からレジスト層を除去し、抵抗素子３１_１が露出するまで銅箔３３_１のエッチングを行った。

以上のようにして、図８Ｃに示す導体パターン２２Ｕ、２２Ｌを形成した。

以上のような処理を各母材について行い、実施例１−１〜１−５、比較例１〜２及び参考例１〜３のプリント配線板を、各３０枚ずつ製造した。

絶縁層４１及び４３を形成する前に、絶縁層と回路６１及び電極２２ａの密着性を向上させるため、上記のようにして作製した各々の抵抗素子を５０℃の１０％ ＮａＯＨ溶液を用いて黒化処理した。

（６−２）多層プリント配線板の製造
上述のようにして製造した母材と、プリプレグ１３（日立化成（株）製、ＧＥＡ−６７Ｎ）、キャリア付銅箔３６_３（三井金属（株）製、厚み１２μｍ、３ＥＣ−ＩＩＩ）及び上述のようにして製造した３０_２を図９Ａに示すように重ね、１８５℃、４０ｋｇ／ｃｍ^２で１時間加圧プレスを行い、絶縁層１２および１３を形成させた。

ついで、キャリア３４_２および３４_３を剥離除去して、図９Ｂに示す積層体５１を形成した。ついで、図１０Ａに示すように、所定の位置にスルーホールをドリルで形成し、下記表８に示すメッキ条件で、上記のように形成したスルーホールのない表面も含めて、上記の積層体全面に厚み１５μｍの銅メッキを施した（図１０Ｂ参照）。

ついで、図１１Ａに示すように、銅メッキを施した積層体の両面に、アクリル樹脂系のドライフィルムレジスト（日立化成（株）製、ＨＷ４４０）をラミネータにて塗布し、レジスト層４４を形成させた。Ｎａ_２ＣＯ_３を３０秒間シャワーするという条件でフォトリソグラフィを行い、図１１Ｂに示すような開口部２５Ａを形成させ、アルカリエッチャントを用いてエッチングし、２５Ｕ及び３５_３、２５Ｌ及び３５_２からなる電極を形成した。

次に、太陽インキ（株）製ＡＵＳ５０３をこの両面にスクリーン印刷にて塗布し、スルーホールの開口部を除いてソルダーマスク層２７Ｕ及び２７Ｌを形成させ、実施例１−１〜３−１２、比較例１〜２及び参考例１〜３の多層配線板１０を製造した。

（６−３）各種条件下における抵抗値、ずれ量等の測定
（６−３−１）抵抗素子の抵抗値の測定
抵抗測定機（ＨＩＯＫＩ（株）製、３２４４ Ｈｉ ＴＥＳＴＥＲ）を用いて、上記実施例１−１〜２−５、比較例１及び２及び参考例１〜３の抵抗素子の実際の抵抗値を、２００℃で測定した。その測定結果（抵抗値１）を表９及び表１０に示す。

実施例１−１〜１−５の抵抗値の標準偏差は２．０〜３．２％であった。これに対し、参考例１の抵抗値の標準偏差は４．９２％であり、比較例１及び２の抵抗値の標準偏差はそれぞれ８．３３％と４．８％と高くなっていた。

（６−３−２）プリント配線板における抵抗値のずれ量の測定
上述のようにして作製した多層プリント配線板の抵抗値を、抵抗測定機（ＨＩＯＫＩ（株）製、３２４４ Ｈｉ ＴＥＳＴＥＲ）を用いて測定した。上記（６−１）で測定した各抵抗素子の抵抗値を目標値としたときに、この測定結果がどの程度目標値とずれているかを求め、ずれ量（％）として表９〜１１に示した。

上記の抵抗値のずれ量は５％以下であれば良好と判定できるが、実施例１−１〜３−１２までの各抵抗素子、及び参考例１〜３の抵抗素子のずれ量はいずれも５％以下であり、良好と判定された。これらの中でも実施例１−１〜３−１２の抵抗素子では、３％以下という低い数値を示し、非常に良好と判定された。一方、比較例１及び２の抵抗素子のずれ量は５％を超えるものとなっており、良好とは判定できなかった。

（６−３−３）高温下の抵抗値の測定
抵抗測定機（ＨＩＯＫＩ（株）製、３２４４ Ｈｉ ＴＥＳＴＥＲ）を用いて、上記実施例、比較例および参考例の抵抗素子の２６０℃の温度下における抵抗値（抵抗値３）を測定した。

各抵抗値の値から、抵抗値１を基準としたときの抵抗変化率（％）を算出し、その結果を実施例１−１〜３−１２、比較例１〜２および参考例１〜３の測定結果（抵抗値３、抵抗変化率）として、表９、表１０及び表１１に示した。抵抗変化係数は、実施例１−１〜２−５の抵抗素子について測定を実施した。

抵抗変化率は５％以下を良好と判定できるが、実施例１−１〜３−１２の抵抗素子及び参考例１〜３の抵抗素子を用いた場合の抵抗変化率は、いずれも５％以下と小さく、良好であった。これらの中でも、実施例１−１〜３−１２の抵抗素子では、３％以下とさらに低い数値を示し、非常に良好と判定された。一方、比較例２の抵抗素子では測定不能であり、比較例１の抵抗素子では５％以下であったが、上述した抵抗値１のばらつきが大きく、また、後述するオイルディップ試験における抵抗変化率が大きなものとなっており、良好という判定はできなかった。

以上より、実施例１−１〜３−１２の抵抗素子では、抵抗値の安定性が非常に高いことが示された。
なお、抵抗変化係数（ｐｐｍ／℃）を見ると、実施例が最も低く、次いで参考例、比較例という順に高い値となっていた。

（６−３−４）接続構造の安定性試験
実施例１−１〜３−１２、比較例１及び２、並びに参考例１〜３の各積層体を被検体として、オイルディップ試験を行い、接続構造の安定性を試験した。オイルディップ試験は２６０℃のオイルに２０秒間浸漬することを１サイクルとして、９００サイクル行い、サイクル終了後の抵抗値を測定した。この測定値の抵抗値１に対する抵抗値の変化率を求め、表９〜１１に示した。

積層体のオイルディップ試験における抵抗変化率は１２％以下を良好と判定できるが、表９及び１０に示すように、実施例１−１〜２−５、及び参考例１〜３のいずれの抵抗素子を用いた場合も、良好と判定された。
なかでも、実施例１−１〜１−５の抵抗素子を用いた場合、及び実施例２−１〜２−５の抵抗素子を用いた場合はいずれも５％以下と、非常に良い結果が示された。

一方、比較例１及び２の抵抗素子を用いた場合には、３０％以上と非常に高い値となり、良好とは判定できなかった。
以上より、実施例１−１〜１−５の抵抗素子を用いた積層体では、接続構造の安定性が高いことが示された。

実施例２−１〜２−５のリン含有量は５〜１５重量％であり、参考例２及び３の積層体のリン含有量３重量％と１７重量％である。上記のオイルディップ試験後の抵抗変化率から、リンの含有量を５〜１５重量％とすると、さらに誤差の少ない、構造安定性の高い積層体を製造できることが示された。

また、表１１に示す金属を使用してメッキを行った抵抗素子を使用した場合にも、抵抗変化率（％）も５％以下、オイルディップ試験後の抵抗変化率も５％以下と、安定性の高い積層体を製造できることが示された。

以上説明したように、本発明のプリント配線板は、安定した精度の良い抵抗値を有する抵抗素子を内蔵したプリント配線板を提供できるため、通信機器等の電子機器において用いられるプリント配線板として有用である。

Claims (5)

1. 絶縁層と；
   金属を主成分とし、一方側の表面が粗面とされ、前記粗面の算術平均高さの５〜５０％の平均厚みを有するとともに、前記絶縁層の前記一方側の表面に埋め込まれた少なくとも１つの抵抗素子と；
   前記絶縁層の前記一方側の表面及び前記抵抗素子の前記一方側の表面によって形成される導体パターン配線面上に形成され、前記抵抗素子それぞれの端子部と接続された導体パターンと；を備えるプリント配線板。
2. 前記粗面の算術平均高さが、０．５〜５μｍの算術平均高さである、ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
3. 前記主成分となる金属は、ニッケル、コバルト、クロム、インジウム、ランタン、リチウム、錫、タンタル、白金、鉄、パラジウム、バナジウム、チタン、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板。
4. 前記抵抗素子は、その総重量に対して、５〜１５％のリンを含有するニッケル合金で形成される、ことを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
5. 前記抵抗素子の前記一方側の表面には、耐エッチング性を有する材料から成る保護用被膜が形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。

Images