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JPS62219930A - Bonding apparatus - Google Patents

Bonding apparatus

Info

Publication number
JPS62219930A
JPS62219930A JP6338086A JP6338086A JPS62219930A JP S62219930 A JPS62219930 A JP S62219930A JP 6338086 A JP6338086 A JP 6338086A JP 6338086 A JP6338086 A JP 6338086A JP S62219930 A JPS62219930 A JP S62219930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
holder
chip
bonding
capillary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6338086A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Tamai
玉井 光一
Motoyoshi Endo
遠藤 基善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6338086A priority Critical patent/JPS62219930A/en
Publication of JPS62219930A publication Critical patent/JPS62219930A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Die Bonding (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the number of use of an insulating material, to increase a thermal efficiency and thereby to improve productivity, by a construction wherein either of a holder of a capillary and a stem having a bonding face and positioned on a heating stand is provided with an electroconductive contactor which contacts with either of the holder and the stem. CONSTITUTION:Differently from conventional ones, a holder 28 is provided with an electroconductive contactor 29 on the opposite sides of a capillary 22 so that the fore end of the contactor faces the upper surface of a stem 12 operating as an opposite part. When the entire holder 28 is lowered by a driving arm 24, first the contactor 29, out of the capillary 22 and the contactor 29 provided in the holder 28, contacts, at the fore end, with the upper surface of the stem 12. By this contact, the potential balance between the holder 28 side and the stem 12 side is gained at a position near a chip 11. Therefore, no surge voltage is impressed on the chip 11 even when the chip 11 comes in contact with a bonding face 12a on the stem 12 with the continuation of the lowering of the holder 28. In this state, the stem 12 is heated by a heating stand 27, a low-melting metal evaporated on the bonding face 12a is melted, so as to weld the chip 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体レーザ等に用いられるチップのステム
へのボンディング装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a bonding device for bonding a chip to a stem used in a semiconductor laser or the like.

(従来の技術) 半導体レーザ装置の製作に当って、チップをステム上に
ボンディングする工程があり、これは第3図で示す装置
によって行なわれていた。
(Prior Art) In manufacturing a semiconductor laser device, there is a step of bonding a chip onto a stem, and this step is carried out using the apparatus shown in FIG.

第3図において、11はチップで、ステム12上にボン
ディングされる。13は加熱台で、上記ステム12を上
部で保持し、これを加熱する。14は発熱体で、絶縁板
15を介して加熱台13と一体に結合されている。16
は端子台で、上部には発熱体14を取付けており、また
側面には発熱体14に電力を供給する平編銅線17が接
続されている。そして、絶縁ブロック1Bを介して支持
台19上に設置される。20はアース線で、加熱台13
に接続されており、これをアースする。22はキャピラ
リで、保持具23により垂直に保持されており、先端部
でチップ11を吸着保持する。24は図示しない上下駆
動装置の駆動アームで、上記保持具23を上下動させる
In FIG. 3, a chip 11 is bonded onto the stem 12. A heating table 13 holds the stem 12 above and heats it. A heating element 14 is integrally connected to the heating table 13 via an insulating plate 15. 16
is a terminal block, and a heating element 14 is attached to the upper part, and a flat braided copper wire 17 for supplying power to the heating element 14 is connected to the side surface. Then, it is installed on a support stand 19 via an insulating block 1B. 20 is the ground wire, heating table 13
This is connected to the ground. A capillary 22 is held vertically by a holder 23 and holds the chip 11 by suction at its tip. A drive arm 24 of a vertical drive device (not shown) moves the holder 23 up and down.

前記チップ11は図示しないデツプトレイがらキャピラ
リ22によって真空吸着され、ステム12のあるボンデ
ィング位置に搬送される。チップ11とステム12との
相対位置は図示しない画像処理装置で1:sm度に位置
出しする。その後、キャピラリ23を上下動駆vJ5i
A置によって下降させ、チップ11をステム12の上面
、すなわち、ボンディング面12aに接触させる。ステ
ム12のボンディング面12aには、低融点金属(例え
ばインジウム)を蒸着させており、デツプ11を接触さ
せた後、発熱体14に通電し、加熱台13を昇温するこ
とにより低融点金属を溶融させ、その上面に接触してい
るチップ11を接着させる。この後、発熱体14への通
電を断つことにより、ステム12の温度を降下させ、デ
ツプ11とステム12のボンディングが完了する。
The chip 11 is vacuum-adsorbed by a capillary 22 from a depth tray (not shown) and transported to a bonding position where the stem 12 is located. The relative positions of the chip 11 and the stem 12 are determined by an image processing device (not shown) at 1:sm degrees. After that, the capillary 23 is driven vertically by vJ5i.
The chip 11 is lowered at the A position to bring the chip 11 into contact with the upper surface of the stem 12, that is, the bonding surface 12a. A low melting point metal (for example, indium) is deposited on the bonding surface 12a of the stem 12, and after bringing the dip 11 into contact with the bonding surface 12a, the heating element 14 is energized to raise the temperature of the heating table 13, thereby depositing the low melting point metal. It is melted and the chip 11 in contact with its upper surface is adhered. Thereafter, the temperature of the stem 12 is lowered by cutting off the power to the heating element 14, and the bonding between the dip 11 and the stem 12 is completed.

ここで、半導体レーザのチップ11は、サージ電圧が0
.3〜0.5v以上加わると電気特性的に不良となる。
Here, the semiconductor laser chip 11 has a surge voltage of 0.
.. If more than 3 to 0.5 V is applied, the electrical characteristics will be poor.

このような不良を防ぐため、ノイズ成分(特にスパイク
ノイズ)の高い発熱体14との間に絶縁板15を介在さ
せ、かつ、アース線20により加熱台13を甲独にアー
スしてチップ11へのサージ電圧印加を防止している。
In order to prevent such defects, an insulating plate 15 is interposed between the heating element 14, which has a high noise component (especially spike noise), and the heating table 13 is grounded to A/D via a ground wire 20 to connect it to the chip 11. This prevents the application of surge voltage.

また、キャピラリ22側も保持具23と駆動アーム24
との間に絶縁材25を介在させ、上下駆動装置から電気
的に絶縁し、ボンディングの際、チップ11にサージ電
圧がかからないようにしている。
In addition, the capillary 22 side also has a holder 23 and a drive arm 24.
An insulating material 25 is interposed between them to electrically insulate the chip 11 from the vertical drive device, thereby preventing surge voltage from being applied to the chip 11 during bonding.

(発明が解決しようとする問題点) 上述の装置によると、次のような問題がある。(Problem that the invention attempts to solve) According to the above-mentioned device, there are the following problems.

ボンディング部分を各部から絶縁するため、絶縁材の使
用通が増え、8flJになる。発熱体14と加熱台13
とを分離し、かつこの間を、加工精度の期待できない絶
縁板15を介して結合しているため、加熱台13上に支
持されるステム12の位置が安定し難い。発熱体14は
消耗品であるため交換を要するが、部品に交換性がない
ため、位置出しに多くの時間と手間を要している。また
、発熱体14と加熱台13との間に絶縁板15があるた
め、ステム12が所定温度になるのに多くの時間を要す
る。このことはボンディング後の降温時に同じであり、
充分低温になるまで多くの時間を要し、生産性を向上さ
せることが難しい。また、絶縁板15があるため、ステ
ム12を所定の温度に上げるためには、発熱体14はさ
らに高い温度にしなければならず、熱の高低比が大きく
なり、発熱体14の寿命が著しく低下する。
In order to insulate the bonding part from each part, the usage of insulating material increases, resulting in 8flJ. Heating element 14 and heating table 13
Since these are separated and connected via an insulating plate 15 whose processing accuracy cannot be expected, it is difficult to stabilize the position of the stem 12 supported on the heating table 13. The heating element 14 is a consumable item and must be replaced, but since the parts are not replaceable, it takes a lot of time and effort to locate it. Further, since the insulating plate 15 is provided between the heating element 14 and the heating table 13, it takes a long time for the stem 12 to reach a predetermined temperature. This is the same when the temperature drops after bonding,
It takes a long time to reach a sufficiently low temperature, making it difficult to improve productivity. In addition, because of the insulating plate 15, in order to raise the stem 12 to a predetermined temperature, the heating element 14 must be brought to an even higher temperature, which increases the heat level ratio and significantly reduces the lifespan of the heating element 14. do.

本発明の目的は、絶縁材の使用数を少なくして、安価で
、しかも、熱効率が高く、生産性を向上させることがで
きるボンディング装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a bonding device that uses fewer insulating materials, is inexpensive, has high thermal efficiency, and can improve productivity.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(問題点を解決するための手段) 本発明のボンディング装置は、キャピラリを保持する保
持具およびボンディング面を有する加熱台上のステムの
いずれか一方に、キャピラリに吸着されたチップの、ボ
ンディング面への接触に先立って保持具およびステムの
いずれか他方と接触する導電性の接触子を設けたもので
ある。
(Means for Solving the Problems) The bonding apparatus of the present invention is characterized in that the chip adsorbed on the capillary is attached to either one of a holder for holding a capillary and a stem on a heating table having a bonding surface. A conductive contactor is provided which comes into contact with either the holder or the stem prior to contact with the other.

(作用) 本発明では、チップがボンディング面に接触するに先立
って、保持台とステムとの間を導電性の接触子によって
相互に接触させることにより、保持具側とステム側との
電位バランスをチップに近い位置で甲面とし、チップが
ステムに接触してもチップに対しサージ電圧が加わらな
いようにしたものである。
(Function) In the present invention, before the chip contacts the bonding surface, the potential balance between the holder side and the stem side is maintained by bringing the holder and the stem into contact with each other using a conductive contact. The shell is placed close to the tip to prevent surge voltage from being applied to the tip even if the tip comes into contact with the stem.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図および第2図において、ステム12は従来と同様
に加熱台21上に保持されているが、この加熱台27は
従来と異なり発熱体を兼ねるものであり、端子台16上
に取付けられる。端子台16自体は従来と同様のもので
、その側面には加熱台27に発熱用電力を供給する平編
銅線11が接続されており、絶縁ブロック18を介して
支持台19上に設回される。
In FIGS. 1 and 2, the stem 12 is held on a heating stand 21 as in the conventional case, but unlike the conventional case, this heating stand 27 also serves as a heating element, and is mounted on the terminal block 16. . The terminal block 16 itself is the same as the conventional one, and a flat braided copper wire 11 that supplies heating power to a heating stand 27 is connected to the side surface of the terminal block 16. be done.

チップ11は従来と同じ(キャピラリ22の下端に吸着
保持される。また、キャピラリ22も、基本的には従来
と同様の保持具28によって垂直状態に保持されるが、
この保持具28は従来と異なりキレピラリ22の両側に
)??1f性の接触子29を、その先端が相手側となる
ステム12の上面と対向するように設けている。この接
触子29は、保持具28の下降時、キャピラリ22に吸
着保持されたチップ11がステム12のボンディング面
12a上に接触するに先立って、その先端がステム12
の上面に接触するように寸法設定される。また、この後
チップ11のボンディング面12aへの接触を可能とす
るため、接触子29は長さ方向に対し進退可能に構成さ
れている。
The chip 11 is the same as the conventional one (it is held by suction at the lower end of the capillary 22. Also, the capillary 22 is basically held in a vertical position by a holder 28 similar to the conventional one, but
This holder 28 is different from the conventional one on both sides of the sharp holder 22). ? A 1f contact 29 is provided so that its tip faces the upper surface of the stem 12 serving as the other party. When the holder 28 is lowered, the tip of the contactor 29 touches the stem 12 before the chip 11 suctioned and held by the capillary 22 comes into contact with the bonding surface 12a of the stem 12.
dimensioned to touch the top surface of the Further, in order to enable contact with the bonding surface 12a of the chip 11 after this, the contactor 29 is configured to be able to move forward and backward in the length direction.

また、保持具28は従来と同様に絶縁材25を介して上
下駆動装置の駆動アーム24と連結している。
Further, the holder 28 is connected to the drive arm 24 of the vertical drive device via an insulating material 25, as in the conventional case.

31は可撓性を有する同電位線で、加熱台27と保持具
28との間に接続されており、かつアース線32により
共通にアースされる。
Reference numeral 31 denotes a flexible same-potential wire, which is connected between the heating table 27 and the holder 28, and is commonly grounded by a ground wire 32.

なお、図中34は真空ホースで、キャピラリ22に連結
され、図示しない真空ポンプとの間を連通させる。また
、ねじ35はキャピラリ22を保持具28に固定するも
のである。
Note that 34 in the figure is a vacuum hose, which is connected to the capillary 22 and communicates with a vacuum pump (not shown). Further, the screw 35 is used to fix the capillary 22 to the holder 28.

上記構成において、チップ11は図示しないチップトレ
イからキャピラリ22により真空保持されて取出され、
ステム12のあるボンディング位置に搬送される。チッ
プ11とステム12との相対位置は図示しない画像処理
装置によってiXM度に位置出しする。この後、保持具
28全体を駆動アーム24により下降させる。この動作
により、保持具28に設けられたキャピラリ22および
接触子29のうち、先ず接触子29の先端がステム12
の上面と接触する。
In the above configuration, the chip 11 is taken out from a chip tray (not shown) while being held in vacuum by the capillary 22,
The stem 12 is transported to a bonding position. The relative positions of the chip 11 and the stem 12 are determined at iXM degrees by an image processing device (not shown). Thereafter, the entire holder 28 is lowered by the drive arm 24. By this operation, among the capillary 22 and the contact 29 provided in the holder 28, the tip of the contact 29 first reaches the stem 12.
in contact with the top surface of the

この接触により保持具28側とステム12側との電位バ
ランスが、チップ11に近い位置で平衡となる。
Due to this contact, the potential balance between the holder 28 side and the stem 12 side becomes balanced at a position close to the tip 11.

このため、保持具28の下降が継続することにより、チ
ップ11がステム12上のボンディング面12a上に接
触しても、デツプ11にサージ電圧が印加されなくなる
。この状態でステム12は加熱台27により加熱され、
ボンディング面12aに蒸着されせた低融点金属がra
融され、デツプ11を溶着する。この後、加熱台27へ
の通電を断ち、疑渇させることによりデツプ11とステ
ム12とのボンディングが完了する。
Therefore, as the holder 28 continues to descend, even if the chip 11 comes into contact with the bonding surface 12a on the stem 12, no surge voltage is applied to the depth 11. In this state, the stem 12 is heated by the heating table 27,
The low melting point metal deposited on the bonding surface 12a is ra
It is melted and the depth 11 is welded. Thereafter, the power supply to the heating table 27 is cut off and the heating stage 27 is allowed to dry out, thereby completing the bonding between the depth 11 and the stem 12.

また、加熱台27を発熱機能のあるものとして単一化し
たので、従来の加熱台13と発熱体14とを分離し、こ
の間に絶縁板15を介在させたものに比べ、熱効率が大
幅に向上する。このため、過大な発熱を要することなく
、ステム12を短時間のうちに所定温度まで背部させる
ことができると共に、デツプ11を溶着した後に、ステ
ム12を予定温度まで短時間のうちに降下させることが
できる。これらの結果、生産性が従来の2倍から2.4
倍程度向上し、かつ過大な発熱を要しないため、加熱台
27の寿命も長くなる。また、従来の加熱台13と発熱
体14とを一体化した加熱台27を用いたので、構造が
簡素化され、安圃にもなる。
In addition, since the heating table 27 is unified as one with a heat generation function, thermal efficiency is greatly improved compared to the conventional heating table 13 and heating element 14 that are separated and an insulating plate 15 interposed between them. do. Therefore, the stem 12 can be raised to a predetermined temperature in a short time without excessive heat generation, and the stem 12 can be lowered to the predetermined temperature in a short time after welding the depth 11. I can do it. As a result of these efforts, productivity has increased from 2 times to 2.4 times the conventional level.
This is improved by about twice as much, and since excessive heat generation is not required, the life of the heating table 27 is also extended. Furthermore, since the heating table 27, which is a combination of the conventional heating table 13 and the heating element 14, is used, the structure is simplified and the farm is safe.

なお、上記実施例では、導電性の接触子29を保持具2
8側に設けたが、これを反対側のステム側に設け、保持
具28の下降により、先端が保持具28の下面に接触す
るように構成してもよい。
In the above embodiment, the conductive contact 29 is attached to the holder 2.
Although it is provided on the 8 side, it may be provided on the opposite stem side so that the tip comes into contact with the lower surface of the holder 28 when the holder 28 is lowered.

また、ボンディング対象のチップ11として、半導体レ
ーザ用のものを例示したが、C−MOSのような、サー
ジ電圧に比較的弱いチップのボンディングに用いてもよ
い。
Furthermore, although the chip 11 to be bonded is for a semiconductor laser, it may also be used for bonding a chip that is relatively susceptible to surge voltage, such as a C-MOS.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、熱効率が高くなり、その
結果生産性が向上すると共に、構造もrfJ甲化され、
安価に構成できる。
As described above, according to the present invention, thermal efficiency is increased, productivity is improved as a result, and the structure is also RFJ type A.
Can be configured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるボンディング装置の一実施例を示
す側面図、第2図はその斜視図、第3図は従来装置の側
面図である。 11・・チップ、12・・ステム、12a ・・ボ面デ
ィング而、22・・キャピラリ、27・・加熱台、28
・・保持具、29・・接触子、31・・同電位線、32
・・共通のアース線。
FIG. 1 is a side view showing an embodiment of a bonding device according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view thereof, and FIG. 3 is a side view of a conventional device. 11...Chip, 12...Stem, 12a...Bonding, 22...Capillary, 27...Heating stand, 28
・Holder, 29 ・Contactor, 31 ・Isopotential wire, 32
・Common ground wire.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)加熱台上に取付けられたステムのボンディング面
に、保持具に保持されたキャピラリにより吸着されてい
るチップを接触させボンディングする装置において、 前記保持具およびステムのいずれか一方に、上記チップ
のボンディング面への接触に先立つて保持具およびステ
ムのいずれか他方に接触する導電性の接触子を設けたこ
とを特徴とするボンディング装置。
(1) In an apparatus for bonding by bringing a chip adsorbed by a capillary held in a holder into contact with the bonding surface of a stem mounted on a heating table, the chip is attached to either the holder or the stem. 1. A bonding device comprising: a conductive contact that contacts the other of the holder and the stem prior to contacting the bonding surface of the bonding device.
(2)保持具と加熱台とが同電位線を介して共通接地さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
ボンディング装置。
(2) The bonding apparatus according to claim 1, wherein the holder and the heating table are commonly grounded via a same potential line.
JP6338086A 1986-03-20 1986-03-20 Bonding apparatus Pending JPS62219930A (en)

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JP6338086A JPS62219930A (en) 1986-03-20 1986-03-20 Bonding apparatus

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JP6338086A JPS62219930A (en) 1986-03-20 1986-03-20 Bonding apparatus

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049518A (en) * 2009-08-26 2011-03-10 Seoul Opto Devices Co Ltd Method of manufacturing light emitting diode employing laser lift-off technology, and laser lift-off device having heater

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