JPS6057613A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6057613A JPS6057613A JP16496983A JP16496983A JPS6057613A JP S6057613 A JPS6057613 A JP S6057613A JP 16496983 A JP16496983 A JP 16496983A JP 16496983 A JP16496983 A JP 16496983A JP S6057613 A JPS6057613 A JP S6057613A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma cvd
- substrate
- cvd apparatus
- discharge
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒを囮の禾１１用昼軒）
本発明は、プラズマＣＶＤ装置に係り、特に平行平板形
のプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
のプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
従来、慣用されている平行平板形のプラズマＣＶＤ装置
を第１図により説明する。
を第１図により説明する。
９ｇ１図で、処理室１ｏには、対向型、極１１と基板電
極１２とが所定の放電空間１３を有し、かつ、軸封部１
４．１５で処理室】Ｏとそｉｔぞれ電気的に絶縁され、
この場合、土］方向に対向して内股されている。
極１２とが所定の放電空間１３を有し、かつ、軸封部１
４．１５で処理室】Ｏとそｉｔぞれ電気的に絶縁され、
この場合、土］方向に対向して内股されている。
・ 対向電極１１には、原料ガスを放電空間１３に放出
するガス放出孔１６と、カス放出孔】６に原料ガスをイ
ｊ１給するカス流通路Ｊ７とが形成され、ガス併給ユニ
ット（図示省略）に連結された導管１８がガス流通路１
７と連通して連結されている。基板電極ＩＺには、放電
空間１３ど反対側の面にヒータＪ９が設けられ、高周波
電源２０が接続されている。又、処理室１ｏには、真空
ポンプ２１が排気管２２で連結されている。
するガス放出孔１６と、カス放出孔】６に原料ガスをイ
ｊ１給するカス流通路Ｊ７とが形成され、ガス併給ユニ
ット（図示省略）に連結された導管１８がガス流通路１
７と連通して連結されている。基板電極ＩＺには、放電
空間１３ど反対側の面にヒータＪ９が設けられ、高周波
電源２０が接続されている。又、処理室１ｏには、真空
ポンプ２１が排気管２２で連結されている。
又、対向電極１１．高周波電源２０はそれぞれ接地され
ている。
ている。
処理室１０は、例えば、大気開放され、この状態で基板
３０が処理室１０に搬入される。この基板３０は基板電
極１２に載置され、その後、処理室１０は密封される。
３０が処理室１０に搬入される。この基板３０は基板電
極１２に載置され、その後、処理室１０は密封される。
この密封後、処理室１０は真空ポンプ２１により所定圧
力まで減圧排気され、それと共に、ガス供給ユニットか
ら導管１８を経てガス流通路１７に供給された原料カス
がカス流通路１７を流通した後ｌこカス放出孔１Ｇから
放電空間１３に放出される。放電空間１３に放出された
原料ガスは、高周波電飾２０より基板型！ｆ４！１２に
高周波電力を印加することで対向電極】１と基板電極１
２との間で生じるグロー放電によりボラ・ズフ化される
。一方、基板電力１２に載置された基板３０１３、ヒー
タ１つにより基板［極１２を介して所定温ｇｒまで予熱
される。このように基板３０を予か、し、放電空間１３
１こ放出される原料ガスをプラズマ化しながら、基板３
０の表面には、窒化８素や酸化硅素等の薊膜が形成され
る。
力まで減圧排気され、それと共に、ガス供給ユニットか
ら導管１８を経てガス流通路１７に供給された原料カス
がカス流通路１７を流通した後ｌこカス放出孔１Ｇから
放電空間１３に放出される。放電空間１３に放出された
原料ガスは、高周波電飾２０より基板型！ｆ４！１２に
高周波電力を印加することで対向電極】１と基板電極１
２との間で生じるグロー放電によりボラ・ズフ化される
。一方、基板電力１２に載置された基板３０１３、ヒー
タ１つにより基板［極１２を介して所定温ｇｒまで予熱
される。このように基板３０を予か、し、放電空間１３
１こ放出される原料ガスをプラズマ化しながら、基板３
０の表面には、窒化８素や酸化硅素等の薊膜が形成され
る。
一般に、プラズマＣＶＤ装置を用いて基板に薄膜の形成
を行う場合、膜の形成速度は、印加される高周波電力の
大きさに依存し、高周波電力な大とすれば膜の形成速度
は速くなることが認められている。
を行う場合、膜の形成速度は、印加される高周波電力の
大きさに依存し、高周波電力な大とすれば膜の形成速度
は速くなることが認められている。
又、このようなプラズマＣＶＤ装置では、基板電極の表
面積を太きくし、この基板電極に多数枚載置された基板
に薄膜を形成させる（以下、多数枚バッチ処理と略）場
合には、基板電極に印加される高周波電力を大きくする
必要がある。
面積を太きくし、この基板電極に多数枚載置された基板
に薄膜を形成させる（以下、多数枚バッチ処理と略）場
合には、基板電極に印加される高周波電力を大きくする
必要がある。
しかしながら、従来のプラズマＣＶＤ装置では、多数枚
バッチ処理のように基板電極ρ印加される高周波電力を
太き（した場合、基板電極と対向電極との間で異常放電
が生じて放電空間で生じている放電を安定に維持できな
鳴なり、膜の形成速度が変化して基板内及び基板相互間
での膜厚均一化が損われるため、膜の形成速度を増大さ
せることができないという問題があった。
バッチ処理のように基板電極ρ印加される高周波電力を
太き（した場合、基板電極と対向電極との間で異常放電
が生じて放電空間で生じている放電を安定に維持できな
鳴なり、膜の形成速度が変化して基板内及び基板相互間
での膜厚均一化が損われるため、膜の形成速度を増大さ
せることができないという問題があった。
本発明の目的は、多数枚バッチ処理のように基板電極に
印加される高周波電力を大きくした場合でも、放電空間
で生じている放電を安定に維持することで、膜厚均一化
を損うことなしに膜の形成速度を増大させることができ
るプラズマＣＶＤ装置を提ＤＥすることにある。
印加される高周波電力を大きくした場合でも、放電空間
で生じている放電を安定に維持することで、膜厚均一化
を損うことなしに膜の形成速度を増大させることができ
るプラズマＣＶＤ装置を提ＤＥすることにある。
本発明は、基板電極の周囲に該電極と非接触で補助電極
を配設したことを特徴とするもので、基板電極に印加さ
れる高周波電力が太き（なることで生じる異常放電を基
板電極と補助電極との間で生じさせることで、放電空間
で生じている放電を安定に維持しようとしたものである
。
を配設したことを特徴とするもので、基板電極に印加さ
れる高周波電力が太き（なることで生じる異常放電を基
板電極と補助電極との間で生じさせることで、放電空間
で生じている放電を安定に維持しようとしたものである
。
本発明の一実施例を第２図、第３図により説明する。尚
、第２図１第３図で第１図と同一部品等は同一符号で示
し説明を省略する。
、第２図１第３図で第１図と同一部品等は同一符号で示
し説明を省略する。
第２図、第３図で基板電極１２の周囲には、基板電極１
２と非接触で補助電極４ｏが配設されている。
２と非接触で補助電極４ｏが配設されている。
又、補助電極４０の放電を生じる側の面、即ち、基板電
極１２側表面は電気絶縁材で形成された遮へい板４１で
覆オっれている。遮へい板４１の幅は、補助電極４０の
放電を生じる側の面の広さより広くなっている。
極１２側表面は電気絶縁材で形成された遮へい板４１で
覆オっれている。遮へい板４１の幅は、補助電極４０の
放電を生じる側の面の広さより広くなっている。
この場合、補助電極４０は、その表面が基板電極１２０
表面より上方Ｊこ突出しない位置で処理室１０の内側壁
に設けられている。尚、処理室１０の形状が円筒で、対
向電極１１．基板電極１２の形状が円板で、又、補助電
極４０．遮へい板４１の形状が円環板である場合には、
基板電極１２の外径なり１．補助電極の内径をり、、遮
へい板４１の内径をＤ８及び放電空間１３の間隔なｈで
表わすと、各々の寸法の間には式（１） 、 ｆ２１及
び（３）に示す関係があるようにする。
表面より上方Ｊこ突出しない位置で処理室１０の内側壁
に設けられている。尚、処理室１０の形状が円筒で、対
向電極１１．基板電極１２の形状が円板で、又、補助電
極４０．遮へい板４１の形状が円環板である場合には、
基板電極１２の外径なり１．補助電極の内径をり、、遮
へい板４１の内径をＤ８及び放電空間１３の間隔なｈで
表わすと、各々の寸法の間には式（１） 、 ｆ２１及
び（３）に示す関係があるようにする。
Ｄ＋ ＞ Ｄ＋ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・曲・川・・ （１１
Ｄ、≧Ｄ、・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２）ｈ≧
Ｄ＝ Ｄ＋ ・・・・・・・・・・ ・・・・・・・・
・・・・・・・・（３）本実施例のようなプラズマＣＶ
Ｄ装置と前記した従来のプラズマＣＶＤ装置とを用い多
数枚バンチ処理の比較実験を行った。この場合、原料ガ
スにはモノシラン、アンモニア及び窒素の混合ガスを用
い、基板であるシリコンウェハ表面に窒化硅素の薄膜を
形成させた。
・・・・・・・・・・・・・・・・曲・川・・ （１１
Ｄ、≧Ｄ、・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２）ｈ≧
Ｄ＝ Ｄ＋ ・・・・・・・・・・ ・・・・・・・・
・・・・・・・・（３）本実施例のようなプラズマＣＶ
Ｄ装置と前記した従来のプラズマＣＶＤ装置とを用い多
数枚バンチ処理の比較実験を行った。この場合、原料ガ
スにはモノシラン、アンモニア及び窒素の混合ガスを用
い、基板であるシリコンウェハ表面に窒化硅素の薄膜を
形成させた。
実験の結果、従来のプラズマＣＶＤ装置を用いた場合は
、基板電極１２に印加さｎる高周波電力が］、、 ５
Ｋｌｌになった時点で基板電極１２と対向電極１１との
間に異常放電が生じて放電空間１３で生じている放電を
安定に維持できなくなり、シリコンウェハ内及びシリコ
ンウェハ相互間での窒化硅素の薄膜の厚さは、例えば、
高周波電力を２．０Ｋｌｖとした場合、±２５φにバラ
ツキ不均一となった。これに対し木実験例のようなプラ
ズマＣＶＤ装置を用いた場合は、基板型ｆ！１２に印加
される高周波電力が約１．、５ ｆｆになった時点で基
板電極１２と補助電極４０との間でｐ、常放電が生じる
ようになるが、し力）し、基板電極１２と対向型ｆｆ！
ｌｌとの間には異常放電は認められず、放電空間】３で
生じている放電は安定に維持された。更に、基板電極１
２に印加される高周波電、力を２５牌と大きくしたが、
この場合でも、放電空間を生じている放電は安定に維持
された。
、基板電極１２に印加さｎる高周波電力が］、、 ５
Ｋｌｌになった時点で基板電極１２と対向電極１１との
間に異常放電が生じて放電空間１３で生じている放電を
安定に維持できなくなり、シリコンウェハ内及びシリコ
ンウェハ相互間での窒化硅素の薄膜の厚さは、例えば、
高周波電力を２．０Ｋｌｖとした場合、±２５φにバラ
ツキ不均一となった。これに対し木実験例のようなプラ
ズマＣＶＤ装置を用いた場合は、基板型ｆ！１２に印加
される高周波電力が約１．、５ ｆｆになった時点で基
板電極１２と補助電極４０との間でｐ、常放電が生じる
ようになるが、し力）し、基板電極１２と対向型ｆｆ！
ｌｌとの間には異常放電は認められず、放電空間】３で
生じている放電は安定に維持された。更に、基板電極１
２に印加される高周波電、力を２５牌と大きくしたが、
この場合でも、放電空間を生じている放電は安定に維持
された。
尚、上記と同様、基板電極１２に印加される高周波電力
を２．０１３’ｌとした場合、シリコンウェハ内及びシ
リコンウェハ相互間での窒化硅素の薄膜の厚さのバラツ
キは±１０チに抑制され明らかな効果が認められた。
を２．０１３’ｌとした場合、シリコンウェハ内及びシ
リコンウェハ相互間での窒化硅素の薄膜の厚さのバラツ
キは±１０チに抑制され明らかな効果が認められた。
即ち、本実施例のＪ、うなプラズマＣＶＤ装置を用いる
ことにより、従来のプラズマＣＶＤ装置では膜厚均−化
七採用困難であった範囲の高ｊ司波電力を膜厚均一化を
損うことないこ基板型ｔｔｉ ｔこ口」九１できるため
、膜の形成速度を増大させることカタできる。
ことにより、従来のプラズマＣＶＤ装置では膜厚均−化
七採用困難であった範囲の高ｊ司波電力を膜厚均一化を
損うことないこ基板型ｔｔｉ ｔこ口」九１できるため
、膜の形成速度を増大させることカタできる。
本発明は、以」−説明したよ沖こ、基板゛電極のＪ剤囲
に基板霜、極と非接かで（Ｕｉ助１ｕ撞を配設したこと
で、基板電極に印加される乱周波゛屯力を大きくしても
放電空間で牛している放電を安定１こ肩り持できるので
、多数枚バッチ処理での膜の形成速度を膜厚均一化を損
う二となしに増大できるとし１う効果がある。
に基板霜、極と非接かで（Ｕｉ助１ｕ撞を配設したこと
で、基板電極に印加される乱周波゛屯力を大きくしても
放電空間で牛している放電を安定１こ肩り持できるので
、多数枚バッチ処理での膜の形成速度を膜厚均一化を損
う二となしに増大できるとし１う効果がある。
第１図は、従来のプラズマ（： Ｖ ｌ）装晶゛の縦ｔ
ｔＪｉ血大断面図である。 〕０・・・・・処理室、１１・・・対向電極、１２・・
・・・基板電極、１３・・・・放電空間、２０・・高周
波電源、４０ ・・・補助電極、４１・・・・；０／、
い板 ４′１図 １′２図
ｔＪｉ血大断面図である。 〕０・・・・・処理室、１１・・・対向電極、１２・・
・・・基板電極、１３・・・・放電空間、２０・・高周
波電源、４０ ・・・補助電極、４１・・・・；０／、
い板 ４′１図 １′２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平行平板形のプラズマＣＶＤ装置において、前記装
置の処理室に対向電極と放電空間を有し対向して内設さ
れた基板電極の周囲に該電極と非接触で補助電極を配設
し、たことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 ２ 前記補助電極を該電極の表面が前記基板電極の表面
より上方に突出しないように配設した特許請求の範囲第
】項記載のプラズマＣＶＤ装置１３ 前記補助電極を該
電極の放電を生じる側の面を電気絶Ｒ相で形成された遮
へい板で覆われた補助電極とした特許請求の範囲第１項
又は第２項記載のプラズマＣＶＤ装置。 ４ 前記遮へい板の幅を前記補助電極の放電を生じる側
の面の広さよりも広（した特許請求の範囲第３項記載の
プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16496983A JPS6057613A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16496983A JPS6057613A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057613A true JPS6057613A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15803312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16496983A Pending JPS6057613A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5044311A (en) * | 1988-11-04 | 1991-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US11732391B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-08-22 | Under Armour, Inc. | Method of making article with ribbon structure and embroidered edges |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16496983A patent/JPS6057613A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5044311A (en) * | 1988-11-04 | 1991-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US11732391B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-08-22 | Under Armour, Inc. | Method of making article with ribbon structure and embroidered edges |
| US11753757B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-09-12 | Under Armour, Inc. | Method of making article with ribbon structure and embroidered edges |
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