JPS59181038A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59181038A JPS59181038A JP58056259A JP5625983A JPS59181038A JP S59181038 A JPS59181038 A JP S59181038A JP 58056259 A JP58056259 A JP 58056259A JP 5625983 A JP5625983 A JP 5625983A JP S59181038 A JPS59181038 A JP S59181038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- phenol
- semiconductor device
- resin
- acid ester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐湿性の良好な半導体装置に関するものである
。
。
工０．ＬＳＩ、トランジスター等の半導体素子を樹脂封
止するために低圧成形用エポキシ樹脂成形材料を用いる
ことはよく知られている。
止するために低圧成形用エポキシ樹脂成形材料を用いる
ことはよく知られている。
しかしながら従来の成形材料によって半導体素子をモー
ルドして得られた半導体装置では、特に高湿雰囲気下で
使用されると、該素子上に形成されたアルミニー−ム等
の金属蒸着膜を腐食劣化させ、装置としての耐湿性に劣
る欠点を有していた０本発明はこのような欠点を改良し
てなるもので（Ａｌノボラック型エポキシ樹脂、 ｆＢｌフェノール性水性基酸基なくとも２ケ有するフェ
ノール樹脂、 ｔｅｌ第３級アミン、第３級アミン塩、イミダゾール系
化合物より選ばれる少なくとも一種の適量の硬化促進剤
、 （Ｄｌ前記（ＡＬ （Ｂｌおよびｔａｒの合計量の０．
００１〜１．００重量％のリン酸エステル、リン酸エス
テル金属塩、第３級ホスファイト、赤リンより選ばれる
少なくとも一種のリン化合物、 を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をモール
ドしてなる半導体装置に関するものである〇 本発明におけるノボラック型エポキシ樹脂としては、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノ
ボランク型エポキシ樹脂を挙げることができる。
ルドして得られた半導体装置では、特に高湿雰囲気下で
使用されると、該素子上に形成されたアルミニー−ム等
の金属蒸着膜を腐食劣化させ、装置としての耐湿性に劣
る欠点を有していた０本発明はこのような欠点を改良し
てなるもので（Ａｌノボラック型エポキシ樹脂、 ｆＢｌフェノール性水性基酸基なくとも２ケ有するフェ
ノール樹脂、 ｔｅｌ第３級アミン、第３級アミン塩、イミダゾール系
化合物より選ばれる少なくとも一種の適量の硬化促進剤
、 （Ｄｌ前記（ＡＬ （Ｂｌおよびｔａｒの合計量の０．
００１〜１．００重量％のリン酸エステル、リン酸エス
テル金属塩、第３級ホスファイト、赤リンより選ばれる
少なくとも一種のリン化合物、 を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をモール
ドしてなる半導体装置に関するものである〇 本発明におけるノボラック型エポキシ樹脂としては、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノ
ボランク型エポキシ樹脂を挙げることができる。
ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量
１６０〜２５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れる。
１６０〜２５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れる。
さらにクレゾールノボラック型エポキシ樹脂では、好適
にはエポキシ当量１８０〜２３０、軟化点６０〜１１０
℃のものが用いられる。
にはエポキシ当量１８０〜２３０、軟化点６０〜１１０
℃のものが用いられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂では、好適には、
エポキシ当量１６０〜２００、軟化点６０〜１１０℃の
ものが用いられる。
エポキシ当量１６０〜２００、軟化点６０〜１１０℃の
ものが用いられる。
フェノール性水酸基を少なくとも２ケ有するフェノール
樹脂としては水酸基当量９０〜１２０、軟化点６０〜１
００のものが一般的に使用されるが、好ましくはノポラ
ｙり型フェノール系樹脂が好適に用いられる。
樹脂としては水酸基当量９０〜１２０、軟化点６０〜１
００のものが一般的に使用されるが、好ましくはノポラ
ｙり型フェノール系樹脂が好適に用いられる。
ノボラック型フェノール系樹脂としては、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂あるいはビス
フェノールＡノボラック樹脂を挙げることができ、通常
、軟化点５０〜１３０℃のものを用いる。
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂あるいはビス
フェノールＡノボラック樹脂を挙げることができ、通常
、軟化点５０〜１３０℃のものを用いる。
との鍾ノボラック樹脂は、フ、ノール、クレゾール、ビ
スフェノールＡの如きフェノール類とホルアルデヒド等
のアルデヒド類を酸性触媒下で縮合することにより得る
ことができる。
スフェノールＡの如きフェノール類とホルアルデヒド等
のアルデヒド類を酸性触媒下で縮合することにより得る
ことができる。
本発明においてフェノール樹脂は、エポキシ樹脂の１エ
ポキシ当量当り０．８〜１２水酸基当量用いるのが好ま
しい。
ポキシ当量当り０．８〜１２水酸基当量用いるのが好ま
しい。
硬化促進剤として用いる第３級アミン、第３級アミン塩
、イミダゾール系化合物としては、通常、分子量８０〜
８００程度のものが用いられ、これらの具体例としては
、たとえば、ベンジルジメチルアミン、２．４・６−ト
リス（ジメチルアミンメチル）フェノール（するいはそ
のトリー２−エチルヘキシル酸塩）、１・８−ジアザ−
ビシクロ（５・４・０）ウンデセン−７，２−メチルイ
ミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４
−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾールを挙げることができる。
、イミダゾール系化合物としては、通常、分子量８０〜
８００程度のものが用いられ、これらの具体例としては
、たとえば、ベンジルジメチルアミン、２．４・６−ト
リス（ジメチルアミンメチル）フェノール（するいはそ
のトリー２−エチルヘキシル酸塩）、１・８−ジアザ−
ビシクロ（５・４・０）ウンデセン−７，２−メチルイ
ミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４
−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾールを挙げることができる。
硬化促進剤は、用いたエポキシ樹脂の０．２〜３重量％
使用するのが好ましい。
使用するのが好ましい。
本発明で使用するリン化合物としては、２−エチルへキ
シルアシッドホスフェイト、インデシルアシッドホスフ
ェイト、トリデシルアシッドホス７エイト、ステアリル
アシッドホスフェイト、オレイルアシッドホスフェイト
、ジー２−エチルへキシルホスフェイトの如きリン酸エ
ステル、マグネシウムステアリルホスフェイト、アルミ
ニウムステアリルホスフェイト、カルシウムステアリル
ホス７エイト、ジンクステアリルホスフェイト、バリウ
ムステアリルホスフェイト、の如きリン酸エステルの金
属塩、トリフェニルホスファイト、トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト、トリイノオクチルホスファイト、
ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデ
シルホスファイト、トリイソデシルホス７１イト、トリ
ステアリルホスファイト、トリオレイルホスファイト、
トリラウリルトリチオホスフェイトの如き第三級ホスフ
ェイト、及び赤リンを挙げることができるＯ本発明にお
いて上記リン化合物は、上記＋Ａ１％ ＣＢ＋および（
Ｃ）、即ちノボラ、り型エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、硬化促進剤の合計量の０．００１〜１．００重量係を
用いるのが好ましい。
シルアシッドホスフェイト、インデシルアシッドホスフ
ェイト、トリデシルアシッドホス７エイト、ステアリル
アシッドホスフェイト、オレイルアシッドホスフェイト
、ジー２−エチルへキシルホスフェイトの如きリン酸エ
ステル、マグネシウムステアリルホスフェイト、アルミ
ニウムステアリルホスフェイト、カルシウムステアリル
ホス７エイト、ジンクステアリルホスフェイト、バリウ
ムステアリルホスフェイト、の如きリン酸エステルの金
属塩、トリフェニルホスファイト、トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト、トリイノオクチルホスファイト、
ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデ
シルホスファイト、トリイソデシルホス７１イト、トリ
ステアリルホスファイト、トリオレイルホスファイト、
トリラウリルトリチオホスフェイトの如き第三級ホスフ
ェイト、及び赤リンを挙げることができるＯ本発明にお
いて上記リン化合物は、上記＋Ａ１％ ＣＢ＋および（
Ｃ）、即ちノボラ、り型エポキシ樹脂、フェノール樹脂
、硬化促進剤の合計量の０．００１〜１．００重量係を
用いるのが好ましい。
その理由は、０．００１重量−以下では、得られる半導
体装置の耐湿性が改善されず、一方１．００重ｔｉｔ％
以上では、かえって耐湿性の低下を来たすようになるか
らである。
体装置の耐湿性が改善されず、一方１．００重ｔｉｔ％
以上では、かえって耐湿性の低下を来たすようになるか
らである。
本発明において、エポキシ樹脂組成物を製造するには、
たとえば前記各成分を均一に配合混線、好ましくは熱混
練することによって得ることができるＯ さらに本発明においては、上記各成分に、シリカ粉、ク
レー、タルクの如き無機質充填剤、酸化アンチモン、ハ
ロゲン化物のような難燃剤、シランカップリング剤、離
型剤、顔料等の各種添加剤を添加してエポキシ樹脂組成
物とすることもできる。
たとえば前記各成分を均一に配合混線、好ましくは熱混
練することによって得ることができるＯ さらに本発明においては、上記各成分に、シリカ粉、ク
レー、タルクの如き無機質充填剤、酸化アンチモン、ハ
ロゲン化物のような難燃剤、シランカップリング剤、離
型剤、顔料等の各種添加剤を添加してエポキシ樹脂組成
物とすることもできる。
全エポキシ樹脂組成物中の５０〜８０重量％とされる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例中の部は重量部である。
実施例１
クレゾールノボラックエポキシ樹脂、、１００部（エポ
キシ当量２２０） フェノールノボランク・・・・・・・・・・・・・・・
５０部（水酸基当量１０５、軟化点７０℃） ２−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・・ ０
．８部インデシルアシッドホス７エイト・・・・ ０．
５部カルナバワックス・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ ２，５部溶融シリカ粉・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・３５０５０部シランカフブリング
・・・・・・・・・・・・ １．８部上記配合成分を８
０℃の熱ロールで２分間混練し、冷却後微粉砕して樹脂
粉末を得た。
キシ当量２２０） フェノールノボランク・・・・・・・・・・・・・・・
５０部（水酸基当量１０５、軟化点７０℃） ２−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・・ ０
．８部インデシルアシッドホス７エイト・・・・ ０．
５部カルナバワックス・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ ２，５部溶融シリカ粉・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・３５０５０部シランカフブリング
・・・・・・・・・・・・ １．８部上記配合成分を８
０℃の熱ロールで２分間混練し、冷却後微粉砕して樹脂
粉末を得た。
得られた樹脂粉末を用い半導体素子（アルミ蒸着配線を
表面に施したシリコンチップ）を７０ｋｇ／ｍ １８０
℃、２分間の条件でトランスファーモー実施例２ イソデシルアシッドホスフェ、・「トの代りにジンクス
テアリルホスフェ１トを０．１部用いる以外は、実施例
１と同様の要領により半導体装置を得た。
表面に施したシリコンチップ）を７０ｋｇ／ｍ １８０
℃、２分間の条件でトランスファーモー実施例２ イソデシルアシッドホスフェ、・「トの代りにジンクス
テアリルホスフェ１トを０．１部用いる以外は、実施例
１と同様の要領により半導体装置を得た。
実施例３
イソデシルアシッドホスフェイトに代えて、トリフェニ
ルホスファイト０．１重量部を用いる以外は、実施例１
と同様の要領により半導体装置を得た０ 実施例４ イソデシルアシッドホスフェ・１トに代えて赤リン０．
１部を用いる以外は、実施例１と同様の要領により半導
体装置を得た。
ルホスファイト０．１重量部を用いる以外は、実施例１
と同様の要領により半導体装置を得た０ 実施例４ イソデシルアシッドホスフェ・１トに代えて赤リン０．
１部を用いる以外は、実施例１と同様の要領により半導
体装置を得た。
比較例
インデシルアシッドホスフェイトを用いない以外は実施
例１と同様の要領により半導体装置を得た。
例１と同様の要領により半導体装置を得た。
実施例１〜４および比較例により得られた半導体装置を
用いてプレッシャクツカーテストを行なった。その結果
を下記第１表に記載する０プレツシヤークツカーテスト
は、半導体装置の各１００グを１２１℃、２気圧の水蒸
気圧下に第１表に示す時間放置し、チップ上のアルミニ
ウム配線の抵抗値が１００Ωをこえたものを不良とし、
その個数を第１表に記載した０ 上記実施例より明らかな如く本発明の半導体装置は耐湿
性にすぐれていることがわかる０特許出願人 日東電気工業株式会社 代表者土方三部
用いてプレッシャクツカーテストを行なった。その結果
を下記第１表に記載する０プレツシヤークツカーテスト
は、半導体装置の各１００グを１２１℃、２気圧の水蒸
気圧下に第１表に示す時間放置し、チップ上のアルミニ
ウム配線の抵抗値が１００Ωをこえたものを不良とし、
その個数を第１表に記載した０ 上記実施例より明らかな如く本発明の半導体装置は耐湿
性にすぐれていることがわかる０特許出願人 日東電気工業株式会社 代表者土方三部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａｌノボラック型エポキシ樹脂、 （Ｂ）フェノール性水酸基を少なくとも２ケ有するフェ
ノール樹脂、 （Ｃ１第３級アミン、第３級アミン塩、イミダゾール系
化合物より選ばれる少なくとも一種の適量の硬化促進剤
、 ｆＤｌ前記（Ａｔ、ＦＢ＋およびｔａｒの合計量の０．
００１〜１．００重量％の、リン酸エステル、リン酸エ
ステル金属塩、第３級ホスファイト、赤リンより選ばれ
る少なくとも一種のリン化合物、 を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をモール
ドしてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056259A JPS59181038A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056259A JPS59181038A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181038A true JPS59181038A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=13022080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056259A Pending JPS59181038A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194756A (ja) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2003514958A (ja) * | 1999-11-09 | 2003-04-22 | キング インダストリーズ インコーポレイテッド | 架橋触媒としてのリン酸エステル類の金属塩 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58056259A patent/JPS59181038A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194756A (ja) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2003514958A (ja) * | 1999-11-09 | 2003-04-22 | キング インダストリーズ インコーポレイテッド | 架橋触媒としてのリン酸エステル類の金属塩 |
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