JPH119964A - アンモニア含有排ガスの除害方法 - Google Patents
アンモニア含有排ガスの除害方法Info
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- JPH119964A JPH119964A JP9162433A JP16243397A JPH119964A JP H119964 A JPH119964 A JP H119964A JP 9162433 A JP9162433 A JP 9162433A JP 16243397 A JP16243397 A JP 16243397A JP H119964 A JPH119964 A JP H119964A
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- ammonia
- exhaust gas
- nickel
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸素を含まない排ガス中のアンモニアを、比
較的低温での反応によって安全で無害な物質に分解す
る。 【解決手段】 ニッケル触媒に酸素含有ガスを接触させ
てニッケル触媒を酸化した後、酸化したニッケル触媒に
アンモニア含有排ガスを接触させて排ガス中のアンモニ
アを窒素と水とに分解する。
較的低温での反応によって安全で無害な物質に分解す
る。 【解決手段】 ニッケル触媒に酸素含有ガスを接触させ
てニッケル触媒を酸化した後、酸化したニッケル触媒に
アンモニア含有排ガスを接触させて排ガス中のアンモニ
アを窒素と水とに分解する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アンモニア含有排
ガスの除害方法に関し、詳しくは、酸素ガスを含まない
アンモニア含有ガス、例えばCVD装置から排出される
アンモニア含有排ガスのアンモニアを分解して除害する
方法に関する。
ガスの除害方法に関し、詳しくは、酸素ガスを含まない
アンモニア含有ガス、例えばCVD装置から排出される
アンモニア含有排ガスのアンモニアを分解して除害する
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ガリウム−窒素(GaN)のよ
うな窒素化合物半導体薄膜をCVD法(化学気相成長
法)によって製造する場合、CVD装置には、窒素源と
してのアンモニアガスを、水素ガスや窒素ガスのキャリ
アガスに同伴させて供給する。したがって、CVD装置
からは、未反応のアンモニアを含む排ガスが排出され
る。アンモニア(NH3 )は、爆発の危険がある可燃性
ガスであるとともに、人体に有害な毒性ガスでもあるた
め、許容濃度が25ppmと定められており、排ガスを
大気に放出する前に排ガス中のアンモニアを除害(除
去)する必要がある。
うな窒素化合物半導体薄膜をCVD法(化学気相成長
法)によって製造する場合、CVD装置には、窒素源と
してのアンモニアガスを、水素ガスや窒素ガスのキャリ
アガスに同伴させて供給する。したがって、CVD装置
からは、未反応のアンモニアを含む排ガスが排出され
る。アンモニア(NH3 )は、爆発の危険がある可燃性
ガスであるとともに、人体に有害な毒性ガスでもあるた
め、許容濃度が25ppmと定められており、排ガスを
大気に放出する前に排ガス中のアンモニアを除害(除
去)する必要がある。
【0003】このような排ガス中に含まれるアンモニア
を除害する方法としては、従来から、スクラバーによっ
てアンモニアを溶液に溶解させる湿式法や、アンモニア
を吸着剤に吸着させる乾式吸着法等が知られており、さ
らに、近年は、これらに比べて有利な方法として、触媒
を用いてアンモニア分子を無害な分子に分解して除去す
る触媒分解法が種々提案されている。
を除害する方法としては、従来から、スクラバーによっ
てアンモニアを溶液に溶解させる湿式法や、アンモニア
を吸着剤に吸着させる乾式吸着法等が知られており、さ
らに、近年は、これらに比べて有利な方法として、触媒
を用いてアンモニア分子を無害な分子に分解して除去す
る触媒分解法が種々提案されている。
【0004】例えば、特開平2−198638号公報に
は、ニッケル系触媒上で、300〜700℃で、アンモ
ニア分子を水素分子と窒素分子とに分解する方法が記載
されている。ここで用いられているニッケル系触媒は、
ニッケルを反応主成分として、これに銅族,クロム族,
鉄族の金属あるいは金属化合物を添加したものである。
このような遷移金属を添加したニッケル系触媒は市販さ
れており、例えば、日揮化学(株)製耐硫黄性ニッケル
触媒N111やN112がこれに相当し、ベンゼンやフ
ェノール等の有機化合物の水素化に用いられるほか、水
素,アルゴンあるいは窒素中に含まれる酸素の除去、水
素中の一酸化炭素や炭酸ガスのメタン化による精製にも
用いられている。
は、ニッケル系触媒上で、300〜700℃で、アンモ
ニア分子を水素分子と窒素分子とに分解する方法が記載
されている。ここで用いられているニッケル系触媒は、
ニッケルを反応主成分として、これに銅族,クロム族,
鉄族の金属あるいは金属化合物を添加したものである。
このような遷移金属を添加したニッケル系触媒は市販さ
れており、例えば、日揮化学(株)製耐硫黄性ニッケル
触媒N111やN112がこれに相当し、ベンゼンやフ
ェノール等の有機化合物の水素化に用いられるほか、水
素,アルゴンあるいは窒素中に含まれる酸素の除去、水
素中の一酸化炭素や炭酸ガスのメタン化による精製にも
用いられている。
【0005】また、特開平8−961号公報には、銅酸
化物を含有する金属酸化物からなる銅酸化物系触媒によ
りアンモニアを酸化して分解する方法が記載されてい
る。この方法は、アンモニアと酸素ガスとが共存する排
ガスを20〜500℃で前記銅酸化物系触媒に接触さ
せ、ガス中の酸素によってアンモニア分子を水分子と窒
素分子とに分解するものである。
化物を含有する金属酸化物からなる銅酸化物系触媒によ
りアンモニアを酸化して分解する方法が記載されてい
る。この方法は、アンモニアと酸素ガスとが共存する排
ガスを20〜500℃で前記銅酸化物系触媒に接触さ
せ、ガス中の酸素によってアンモニア分子を水分子と窒
素分子とに分解するものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記ニッケル
系触媒を使用した場合、操作温度が500℃未満ではア
ンモニアの分解率が低いため、操作温度を500℃以上
にしなければならなかった。さらに、この方法では、ア
ンモニアの分解によって発火性の強い水素が発生するの
で、水素の発火を防止するために処理装置の材質や構造
に特別の配慮が必要となる。
系触媒を使用した場合、操作温度が500℃未満ではア
ンモニアの分解率が低いため、操作温度を500℃以上
にしなければならなかった。さらに、この方法では、ア
ンモニアの分解によって発火性の強い水素が発生するの
で、水素の発火を防止するために処理装置の材質や構造
に特別の配慮が必要となる。
【0007】また、CVD装置のキャリアガスとして水
素ガスを使用すると、排ガス中に水素ガスが存在するこ
とになるため、アンモニアの除害処理は、できるだけ低
温で行うことが好ましく、低温で処理することにより、
装置に対する各種配慮が軽減できるとともに、加熱に要
するエネルギーも低減できるというメリットがある。
素ガスを使用すると、排ガス中に水素ガスが存在するこ
とになるため、アンモニアの除害処理は、できるだけ低
温で行うことが好ましく、低温で処理することにより、
装置に対する各種配慮が軽減できるとともに、加熱に要
するエネルギーも低減できるというメリットがある。
【0008】一方、前記銅酸化物系触媒を用いた場合
は、350℃以下という低温域で除害処理を行えるの
で、上述のような水素に対する配慮は不要になるが、ア
ンモニアを酸化分解するための酸素が必要であり、前記
CVD装置からの排ガスのように酸素を含まないガスを
処理する場合は、排ガス中に酸素ガスを添加する必要が
ある。また、この方法では、窒素酸化物(NOX)が生
成し易く、特に、300℃を超えるとNOXの発生量が
増加するという問題がある。
は、350℃以下という低温域で除害処理を行えるの
で、上述のような水素に対する配慮は不要になるが、ア
ンモニアを酸化分解するための酸素が必要であり、前記
CVD装置からの排ガスのように酸素を含まないガスを
処理する場合は、排ガス中に酸素ガスを添加する必要が
ある。また、この方法では、窒素酸化物(NOX)が生
成し易く、特に、300℃を超えるとNOXの発生量が
増加するという問題がある。
【0009】上述のように、アンモニア分子を触媒反応
によって無害な分子に分解する方法として従来から提案
されている方法は、CVD装置から排出される排ガスの
ように、酸素を含まない排ガス中のアンモニアを除害す
る方法としては不適当な面が多かった。
によって無害な分子に分解する方法として従来から提案
されている方法は、CVD装置から排出される排ガスの
ように、酸素を含まない排ガス中のアンモニアを除害す
る方法としては不適当な面が多かった。
【0010】そこで本発明は、酸素を含まない排ガス中
のアンモニアを、比較的低温での反応によって無害な分
子に分解することができ、有害あるいは発火性の物質が
発生することもないアンモニア含有排ガスの除害方法を
提供することを目的としている。
のアンモニアを、比較的低温での反応によって無害な分
子に分解することができ、有害あるいは発火性の物質が
発生することもないアンモニア含有排ガスの除害方法を
提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のアンモニア含有排ガスの除害方法は、酸素
を含まないアンモニア含有排ガス中のアンモニアをニッ
ケル触媒より分解して除去するアンモニア含有排ガスの
除害方法であって、前記ニッケル触媒に酸素含有ガスを
接触させてニッケル触媒を酸化させた後、酸化したニッ
ケル触媒に前記アンモニア含有排ガスを接触させて排ガ
ス中のアンモニアを窒素と水とに分解することを特徴と
している。
め、本発明のアンモニア含有排ガスの除害方法は、酸素
を含まないアンモニア含有排ガス中のアンモニアをニッ
ケル触媒より分解して除去するアンモニア含有排ガスの
除害方法であって、前記ニッケル触媒に酸素含有ガスを
接触させてニッケル触媒を酸化させた後、酸化したニッ
ケル触媒に前記アンモニア含有排ガスを接触させて排ガ
ス中のアンモニアを窒素と水とに分解することを特徴と
している。
【0012】さらに、本発明は、前記ニッケル触媒を酸
化するニッケル酸化工程と、前記アンモニアを分解する
アンモニア分解工程とを、交互に繰り返して行うことを
特徴とし、また、前記ニッケル触媒が、反応主成分であ
るニッケルに、鉄,コバルト,マンガン,クロム,銅及
び亜鉛の中から選ばれた少なくとも1種の金属成分を含
むこと、さらに、前記アンモニア分解工程を、330〜
370℃の温度範囲で行うことを特徴としている。
化するニッケル酸化工程と、前記アンモニアを分解する
アンモニア分解工程とを、交互に繰り返して行うことを
特徴とし、また、前記ニッケル触媒が、反応主成分であ
るニッケルに、鉄,コバルト,マンガン,クロム,銅及
び亜鉛の中から選ばれた少なくとも1種の金属成分を含
むこと、さらに、前記アンモニア分解工程を、330〜
370℃の温度範囲で行うことを特徴としている。
【0013】本発明で使用する前記ニッケル触媒は、周
知の製造方法、例えば、ニッケルの硝酸塩を焼成した
り、ニッケル塩の水溶液から沈殿させて得られた酸化物
を水素還元したりして得たものや、ニッケル触媒として
市販されている各種ニッケル触媒(ニッケル系触媒を含
む)を使用することができる。このニッケル触媒は、通
常の使用態様では、空気中の酸素で酸化して触媒活性が
低下することがあるため、保存中の酸化を防止するため
に注意が払われている。また、酸化が進まないように、
あらかじめ表面を酸化させた状態で保存し、使用前に水
素還元することも行われている。さらに、触媒毒作用に
耐性をもたせるため、反応主成分であるニッケルに遷移
金属を添加した多成分系のニッケル系触媒も種々知られ
ており、本発明では、これらのニッケル系触媒も使用可
能である。
知の製造方法、例えば、ニッケルの硝酸塩を焼成した
り、ニッケル塩の水溶液から沈殿させて得られた酸化物
を水素還元したりして得たものや、ニッケル触媒として
市販されている各種ニッケル触媒(ニッケル系触媒を含
む)を使用することができる。このニッケル触媒は、通
常の使用態様では、空気中の酸素で酸化して触媒活性が
低下することがあるため、保存中の酸化を防止するため
に注意が払われている。また、酸化が進まないように、
あらかじめ表面を酸化させた状態で保存し、使用前に水
素還元することも行われている。さらに、触媒毒作用に
耐性をもたせるため、反応主成分であるニッケルに遷移
金属を添加した多成分系のニッケル系触媒も種々知られ
ており、本発明では、これらのニッケル系触媒も使用可
能である。
【0014】上記ニッケル触媒は、高温で下記反応式に
示すようにしてアンモニアを窒素と水素とに分解するこ
とが広く知られているが、この触媒反応では、前述のよ
うに、水素が生成するという不都合がある。 2NH3 → N2 + 3H2
示すようにしてアンモニアを窒素と水素とに分解するこ
とが広く知られているが、この触媒反応では、前述のよ
うに、水素が生成するという不都合がある。 2NH3 → N2 + 3H2
【0015】一方、本発明のように、あらかじめニッケ
ル触媒に酸素含有ガスを接触させてニッケル触媒を酸化
した後、酸化したニッケル触媒にアンモニアを接触させ
ると、下記の反応式に示すように、酸化ニッケルとアン
モニアとが反応し、酸化ニッケルが還元されて金属ニッ
ケルが生成するとともに、アンモニアが窒素と水とに分
解する。 3NiO + 2NH3 → N2 + 3H2 O +
3Ni
ル触媒に酸素含有ガスを接触させてニッケル触媒を酸化
した後、酸化したニッケル触媒にアンモニアを接触させ
ると、下記の反応式に示すように、酸化ニッケルとアン
モニアとが反応し、酸化ニッケルが還元されて金属ニッ
ケルが生成するとともに、アンモニアが窒素と水とに分
解する。 3NiO + 2NH3 → N2 + 3H2 O +
3Ni
【0016】上記アンモニアの分解反応は、150℃程
度の低温でも進行するが、330〜370℃の温度範囲
で行うことが好ましい。すなわち、330℃より低い温
度では反応性が低く、330℃以上で高い反応性が得ら
れる。一方、370℃を超えると、還元された金属ニッ
ケルがアンモニア分解触媒として作用し、前述のように
アンモニアが分解して水素が発生してしまう。
度の低温でも進行するが、330〜370℃の温度範囲
で行うことが好ましい。すなわち、330℃より低い温
度では反応性が低く、330℃以上で高い反応性が得ら
れる。一方、370℃を超えると、還元された金属ニッ
ケルがアンモニア分解触媒として作用し、前述のように
アンモニアが分解して水素が発生してしまう。
【0017】また、前記反応式により還元されてアンモ
ニアの酸化分解能を失った金属ニッケルは、再度酸素含
有ガスに接触させることにより、下記反応式に示すよう
にして酸化ニッケルとなり、アンモニアの酸化分解能が
回復して繰り返し使用することが可能となる。このとき
の温度は特に限定されるものではなく、室温でも行うこ
とができる。 2Ni + O2 → 2NiO
ニアの酸化分解能を失った金属ニッケルは、再度酸素含
有ガスに接触させることにより、下記反応式に示すよう
にして酸化ニッケルとなり、アンモニアの酸化分解能が
回復して繰り返し使用することが可能となる。このとき
の温度は特に限定されるものではなく、室温でも行うこ
とができる。 2Ni + O2 → 2NiO
【0018】上述のように、ニッケル触媒に酸素含有ガ
スを接触させてニッケル触媒を酸化するニッケル酸化工
程を行った後、このニッケル酸化工程で酸化したニッケ
ル触媒(酸化ニッケル)に、酸素を含まないアンモニア
含有排ガスを接触させるアンモニア分解工程を行うこと
により、排ガス中のアンモニアを安全な窒素と水とに分
解することができる。しかも、比較的低温で処理するこ
とができるので、加熱用の熱エネルギーも少なくて済
み、アンモニア含有排ガス中に水素が含まれている場合
の処理装置に対する配慮も僅かで済む。
スを接触させてニッケル触媒を酸化するニッケル酸化工
程を行った後、このニッケル酸化工程で酸化したニッケ
ル触媒(酸化ニッケル)に、酸素を含まないアンモニア
含有排ガスを接触させるアンモニア分解工程を行うこと
により、排ガス中のアンモニアを安全な窒素と水とに分
解することができる。しかも、比較的低温で処理するこ
とができるので、加熱用の熱エネルギーも少なくて済
み、アンモニア含有排ガス中に水素が含まれている場合
の処理装置に対する配慮も僅かで済む。
【0019】さらに、上記ニッケル酸化工程とアンモニ
ア分解工程とを交互に繰り返して行うことにより、ニッ
ケル触媒を充填筒に充填したままの状態で半永久的に使
用することができる。また、ニッケル酸化工程とアンモ
ニア分解工程とは、別個の場所でそれぞれ単独に行って
もよいが、通常は、ニッケル触媒を充填した充填筒に酸
素含有ガスとアンモニア含有排ガスとを交互に流すよう
にすればよい。特に、ニッケル触媒を充填した充填筒を
複数設置し、各充填筒について、ニッケル酸化工程とア
ンモニア分解工程とを順次切換えて行うことにより、ア
ンモニア含有排ガスの除害処理を連続的に行うことがで
きる。
ア分解工程とを交互に繰り返して行うことにより、ニッ
ケル触媒を充填筒に充填したままの状態で半永久的に使
用することができる。また、ニッケル酸化工程とアンモ
ニア分解工程とは、別個の場所でそれぞれ単独に行って
もよいが、通常は、ニッケル触媒を充填した充填筒に酸
素含有ガスとアンモニア含有排ガスとを交互に流すよう
にすればよい。特に、ニッケル触媒を充填した充填筒を
複数設置し、各充填筒について、ニッケル酸化工程とア
ンモニア分解工程とを順次切換えて行うことにより、ア
ンモニア含有排ガスの除害処理を連続的に行うことがで
きる。
【0020】
実施例1 硝酸ニッケル(Ni(NO3 )2 ・6H2 O)600g
を溶融し、ここに軽石粉末150gを加えて混合し、蒸
発乾固させた。これを直径3mm、長さ3mmのペレッ
トに成形し、400℃で4時間仮焼した後、650℃で
4時間焼成した。
を溶融し、ここに軽石粉末150gを加えて混合し、蒸
発乾固させた。これを直径3mm、長さ3mmのペレッ
トに成形し、400℃で4時間仮焼した後、650℃で
4時間焼成した。
【0021】得られた焼成物を、内径43mmのステン
レス製のカラムに166g充填した(充填高さ100m
m)。このカラムに水素ガスを流しながら、180℃で
10時間活性化処理を行ってニッケル触媒とした後、窒
素ガスで8時間パージを行って室温とした。引き続き、
酸素含有ガスとして5%の酸素ガスを含む窒素ガスを、
空筒速度毎秒1cmで16時間流してニッケルを酸化し
た後、窒素ガスによるパージを8時間行って反応剤とし
た。
レス製のカラムに166g充填した(充填高さ100m
m)。このカラムに水素ガスを流しながら、180℃で
10時間活性化処理を行ってニッケル触媒とした後、窒
素ガスで8時間パージを行って室温とした。引き続き、
酸素含有ガスとして5%の酸素ガスを含む窒素ガスを、
空筒速度毎秒1cmで16時間流してニッケルを酸化し
た後、窒素ガスによるパージを8時間行って反応剤とし
た。
【0022】アンモニア含有ガスとしては窒素ガス中に
1モル%のアンモニアを含む窒素ガスを使用し、これを
空筒速度毎秒1cmでカラムに流し、カラム出口のアン
モニア,水分及び水素の濃度を測定した。測定器とし
て、アンモニアにはバイオニクス機器(株)製アンモニ
アモニターTG2400を、水分には(株)ガステック
製水蒸気検知器を、水素には(株)ガステック製ガスク
ロマトグラフGGC−01を、それぞれ使用した。
1モル%のアンモニアを含む窒素ガスを使用し、これを
空筒速度毎秒1cmでカラムに流し、カラム出口のアン
モニア,水分及び水素の濃度を測定した。測定器とし
て、アンモニアにはバイオニクス機器(株)製アンモニ
アモニターTG2400を、水分には(株)ガステック
製水蒸気検知器を、水素には(株)ガステック製ガスク
ロマトグラフGGC−01を、それぞれ使用した。
【0023】カラムの加熱温度を種々設定して上記アン
モニアの除害実験を行い、カラム出口のアンモニア濃度
が25ppmに達するまでの時間から、各温度における
反応剤1kg当たりのアンモニア処理量(リットル)を
算出した。その結果を図1に示す。
モニアの除害実験を行い、カラム出口のアンモニア濃度
が25ppmに達するまでの時間から、各温度における
反応剤1kg当たりのアンモニア処理量(リットル)を
算出した。その結果を図1に示す。
【0024】図1から、カラム温度が300℃までは処
理量が少なく、330℃以上になると処理量が急激に増
加することがわかる。しかし、カラム温度を380℃に
すると、カラム出口で水素が検出された。これは、アン
モニアと反応して還元された金属ニッケルが本来のアン
モニア分解触媒として作用し、前述のようにアンモニア
を分解して窒素と水素とが生成するためと思われる。
理量が少なく、330℃以上になると処理量が急激に増
加することがわかる。しかし、カラム温度を380℃に
すると、カラム出口で水素が検出された。これは、アン
モニアと反応して還元された金属ニッケルが本来のアン
モニア分解触媒として作用し、前述のようにアンモニア
を分解して窒素と水素とが生成するためと思われる。
【0025】実施例2 ニッケル系触媒として、日揮化学(株)製耐硫黄性ニッ
ケル触媒N112を使用した。この触媒の組成は、ニッ
ケル45〜47%,クロム2〜3%,銅2〜3%,ケイ
ソウ土27〜29%,黒鉛4〜5%である。この触媒
を、内径43mmのステンレス製のカラムに166g充
填した(充填高さ100mm)。また、カラム出口に
は、実施例1と同じ測定器を設けた。
ケル触媒N112を使用した。この触媒の組成は、ニッ
ケル45〜47%,クロム2〜3%,銅2〜3%,ケイ
ソウ土27〜29%,黒鉛4〜5%である。この触媒
を、内径43mmのステンレス製のカラムに166g充
填した(充填高さ100mm)。また、カラム出口に
は、実施例1と同じ測定器を設けた。
【0026】上記カラムについて、下記の〜の操作
を繰り返して行った。 室温の窒素ガスによるパージを15時間行う。 室温で5%の酸素ガスを含む窒素ガスを15時間流す
(ニッケル酸化工程)。 窒素ガスによるパージを15時間行うとともにカラム
を予熱する。 カラムを350℃に加熱し、1モル%のアンモニアを
含む窒素ガスを空筒速度毎秒1cmで流す(アンモニア
分解工程)。 カラム出口のアンモニア濃度が25ppmに達した時
点を破過点としてアンモニアの除害操作を終了し、の
操作に戻る。
を繰り返して行った。 室温の窒素ガスによるパージを15時間行う。 室温で5%の酸素ガスを含む窒素ガスを15時間流す
(ニッケル酸化工程)。 窒素ガスによるパージを15時間行うとともにカラム
を予熱する。 カラムを350℃に加熱し、1モル%のアンモニアを
含む窒素ガスを空筒速度毎秒1cmで流す(アンモニア
分解工程)。 カラム出口のアンモニア濃度が25ppmに達した時
点を破過点としてアンモニアの除害操作を終了し、の
操作に戻る。
【0027】上記〜の操作を6回繰り返し、各回の
の操作時間と、この操作時間から算出した反応剤1k
g当たりのアンモニア処理量を以下に示す。 時間[分] アンモニア処理量[リットル] 1回目 587 30.6 2回目 562 29.3 3回目 559 29.1 4回目 571 29.8 5回目 565 29.5 6回目 558 29.1
の操作時間と、この操作時間から算出した反応剤1k
g当たりのアンモニア処理量を以下に示す。 時間[分] アンモニア処理量[リットル] 1回目 587 30.6 2回目 562 29.3 3回目 559 29.1 4回目 571 29.8 5回目 565 29.5 6回目 558 29.1
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のアンモニ
ア含有排ガスの除害方法によれば、酸素を含まないアン
モニア含有排ガス中のアンモニアを、比較的低温の条件
下で安全な水と窒素とに分解することができる。また、
アンモニア分解能を失った場合でも、酸素含有ガスに接
触させるだけでアンモニア分解能を回復させることがで
きる。
ア含有排ガスの除害方法によれば、酸素を含まないアン
モニア含有排ガス中のアンモニアを、比較的低温の条件
下で安全な水と窒素とに分解することができる。また、
アンモニア分解能を失った場合でも、酸素含有ガスに接
触させるだけでアンモニア分解能を回復させることがで
きる。
【図1】 カラム温度とアンモニア処理量との関係を示
す図である。
す図である。
フロントページの続き (72)発明者 小関 修一 東京都港区西新橋1−16−7 日本酸素株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 酸素を含まないアンモニア含有排ガス中
のアンモニアをニッケル触媒により分解して除去するア
ンモニア含有排ガスの除害方法であって、前記ニッケル
触媒に酸素含有ガスを接触させてニッケル触媒を酸化さ
せた後、酸化したニッケル触媒に前記アンモニア含有排
ガスを接触させて排ガス中のアンモニアを窒素と水とに
分解することを特徴とするアンモニア含有排ガスの除害
方法。 - 【請求項2】 前記ニッケル触媒を酸化するニッケル酸
化工程と、前記アンモニアを分解するアンモニア分解工
程とを、交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項
1記載のアンモニア含有排ガスの除害方法。 - 【請求項3】 前記ニッケル触媒は、反応主成分である
ニッケルに、鉄,コバルト,マンガン,クロム,銅及び
亜鉛の中から選ばれた少なくとも1種の金属成分を含む
ことを特徴とする請求項1記載のアンモニア含有排ガス
の除害方法。 - 【請求項4】 前記アンモニア分解工程は、330〜3
70℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項1記載
のアンモニア含有排ガスの除害方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9162433A JPH119964A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | アンモニア含有排ガスの除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9162433A JPH119964A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | アンモニア含有排ガスの除害方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH119964A true JPH119964A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=15754527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9162433A Pending JPH119964A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | アンモニア含有排ガスの除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH119964A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785794A (en) * | 1986-01-17 | 1988-11-22 | Institut National Polytechnique De Toulouse | Method for processing aqueous sugar juice for separating ketose |
| JP2008132475A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Japan Pionics Co Ltd | ガスの処理方法 |
| JP2012196620A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス分解素子及びその製造方法並びにアンモニア分解方法 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP9162433A patent/JPH119964A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785794A (en) * | 1986-01-17 | 1988-11-22 | Institut National Polytechnique De Toulouse | Method for processing aqueous sugar juice for separating ketose |
| JP2008132475A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Japan Pionics Co Ltd | ガスの処理方法 |
| JP2012196620A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス分解素子及びその製造方法並びにアンモニア分解方法 |
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