JPH1197592A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 以下の(a)及び(b)を設け、半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いる熱消散装置：
   (a) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールに熱的に結合されている伝熱層；
   (b) 前記伝熱層に接続されたヒートシンク。
2. 前記ヒートシンクは以下の (b-1) 及び (b-2) を有することを特徴とする請求項１記載の熱消散装置：
   (b-1) 一連のヒートパイプ；
   (b-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を前記伝熱層から移すフィンスタック。
3. 前記伝熱層は前記ＣＰＵモジュールと前記電力変換器モジュールの間の電力接続のための通路を備えていることを特徴とする請求項１記載の熱消散装置。
4. 以下の (a) 及び (b) を設け、電力ケーブルとセンス線により電気的に接続されている半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いるヒートシンク組立体：
   (a) 前記半導体モジュールに及び前記電力変換器モジュールに結合され、前記電力変換器モジュールと前記半導体モジュールとの間で電力を伝達するための前記接続のための通路を備えている伝熱層；
   (b) 前記半導体モジュール、前記電力ケーブル及び前記センス線を取り囲み、ＥＭＩ放出を減衰させるチャンバ。
5. 前記伝熱層は以下の (a-1) 及び (a-2) と熱的に連絡していることを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体：
   (a-1) ヒートパイプ；
   (a-2) 前記ヒートパイプ及び前記伝熱層と協働して熱を消散するフィンスタック。
6. 前記伝熱層は熱伝導性インターフェースにより前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールに接触していることを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体。
7. 前記半導体モジュールはマイクロプロセッサモジュールであり、
   前記電力変換器モジュールは前記通路を通して電力を前記半導体モジュールに供給する、
   ことを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体。
8. 以下の (a) 及び (b) を設け、電力変換器モジュールに電気的に接続されている半導体モジュールのＥＭＩ放出を減らすための組立体：
   (a) 通路を有する共有取付け点；
   (b) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールを取り囲むＥＭＩ容器。
9. 前記共有取付け点は、前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールのための熱消散を行なう伝熱層であることを特徴とする請求項８記載の組立体。
10. 前記伝熱層は以下の (a-1) 及び (a-2) と熱的に連絡していることを特徴とする請求項８記載の組立体：
    (a-1) 一連のヒートパイプ；
    (a-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を消散するフィンスタック。
11. 前記ＥＭＩ容器は以下の (b-1) ないし (b-3) を有することを特徴とする請求項８記載の組立体：
    (b-1) 前記電力変換器モジュールを取り囲む前記共有取付け点に接続されたＥＭＩ缶；
    (b-2) 接地平面を有するプリント回路板；
    (b-3) 前記プリント回路板の前記接地平面と前記半導体モジュールを取り囲む前記共有取付け点との間に接続されたＥＭＩ減衰スリーブ。
12. 前記半導体モジュールはマイクロプロセッサモジュールを備えていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
13. 前記電力変換器モジュールは前記半導体モジュール用電力変換器モジュールを備えていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
14. 以下の (a) ないし (e) を設け、ＣＰＵモジュール、前記ＣＰＵモジュールが取り付けられているプリント回路板、電力コネクタ、センス線及び前記ＣＰＵモジュール用電力変換器モジュールに用いるヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体：
    (a) 前記電力変換器モジュールに熱的に接続され、前記ＣＰＵモジュールに熱的に接続され、前記電力変換器モジュールと前記ＣＰＵモジュールとの間に挟まれている等温層；
    (b) 前記等温層内にあり、前記ＣＰＵモジュールと前記電力変換器モジュールの間の前記電力コネクタ用の通路を有するスロット；
    (c) 前記等温層に挿入され、前記等温層と熱的に連絡している一連のヒートパイプ；
    (d) 前記一連のヒートパイプと熱的に連絡しているフィンスタック；
    (e) 前記プリント回路板に接続され、それによりファラデーケージを形成しているＥＭＩ容器。
15. 前記電力変換器モジュール及び前記ＣＰＵモジュールは、熱接触積層材料により前記等温層に接続されていることを特徴とする請求項１４記載のヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体。