JPH1197487A - 実装方法及びその装置及び異方性導電シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、例えばフリップチップなどの半導体
装置を基板に実装する実装方法及びその装置及び異方性
導電材に関する。 【解決手段】本発明の実装方法は、複数のバンプ電極を
有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端子に
接続する実装方法において、前記配線端子を包含する前
記基板上の領域に異方性導電膜を被着する異方性導電膜
被着工程と、前記異方性導電膜を囲繞する前記基板上の
領域及び前記異方性導電膜上の領域に導電性を有しない
絶縁性樹脂膜を被着する絶縁性樹脂膜被着工程と、ツー
ルにより前記電子部品を前記基板に対して加熱加圧し前
記異方性導電膜を介して前記バンプ電極を前記配線端子
に接続する圧着工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフリップチ
ップなどの半導体装置を基板に実装する実装方法及びそ
の装置及び異方性導電材に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、図９及び図１０に示すよう
に、基板８１に形成された電極８２に半導体素子８３を
異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）８４を介して、実装ヘッ
ドである加熱加圧ツール８５により実装している。すな
わち、基板８１の電極８２上に異方性導電膜８４を貼り
付け、その上から例えばフリップチップなどの半導体装
置８３の突起電極８３ａを位置決めし、半導体装置５３
を仮固定するために、圧縮空気をエアシリンダに注入
し、加熱加圧ツール８５を下降させて半導体装置８３を
加熱加圧しながら、仮圧着を行う。その後、位置ずれが
無いことを確認した後、異方性導電膜８４を完全に硬化
させるために、再度、加熱加圧ツール８５を下降させ
て、加熱加圧し本圧着する。なお、この場合、異方性導
電膜８４の代わりに、異方性導電ペースト（ＡＣＦ：Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓ
ｔｅ）又はクリームはんだを塗布してもよい。

【０００３】ところで、上記従来の実装方法において
は、次のような問題があった。まず、図１０に示すよう
に、異方性導電膜８４は、ツール８５による加圧・加熱
中に側方にはみ出すが、はみ出した異方性導電膜８４
は、導電粒子８６の充填率が低くなり、隣接する配線間
の絶縁性が低下する。

【０００４】さらに、はみ出した異方性導電膜８４が、
ツール８５に付着・硬化して基板５１を破壊するのを防
止するためのツール８５に付着・硬化した異方性導電膜
８４を除去する工程が入ることにより作業性が著しく低
下する。

【０００５】最後に、異方性導電膜８４の量を半導体装
置８３の実装面積より小さくすると、電極８２がむきだ
しのままになるため、絶縁性樹脂９０で封止する必要が
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術では、異方性導電膜８４は、ツール８５による加圧
・加熱中に側方にはみ出すが、はみ出した異方性導電膜
８４は、導電粒子８６の充填率が低くなり、隣接する配
線間の絶縁性が低下する。さらに、はみ出した異方性導
電膜８４が、ツール８５に付着・硬化して基板８１を破
壊するのを防止するためのツール８５に付着・硬化した
異方性導電膜８４を除去する工程が入ることにより作業
性が著しく低下する。最後に、異方性導電膜８４の量を
半導体装置８３の実装面積より小さくすると、電極８２
がむきだしのままになるため、絶縁性樹脂で封止する必
要がある。本発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、上記技術的課題を解決することのできる実装方法を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の実装方法は、
複数のバンプ電極を有する電子部品を基板上に形成され
た複数の配線端子に接続する実装方法において、前記配
線端子を包含する前記基板上の領域に異方性導電膜を被
着する異方性導電膜被着工程と、前記異方性導電膜を囲
繞する前記基板上の領域及び前記異方性導電膜上の領域
に導電性を有しない絶縁性樹脂膜を被着する絶縁性樹脂
膜被着工程と、ツールにより前記電子部品を前記基板に
対して加熱加圧し前記異方性導電膜を介して前記バンプ
電極を前記配線端子に接続する圧着工程とを具備する。

【０００８】請求項２の実装方法は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端子
に接続する実装方法において、前記配線端子上に介挿膜
を前記基板上に被着する介挿膜被着工程と、ツールによ
り前記電子部品を前記基板に対して加熱加圧し前記介挿
膜を介して前記バンプ電極を前記配線端子に接続する圧
着工程とを具備し、前記介挿膜は、前記配線端子を包含
する前記基板上の領域に被着される異方性導電部と、前
記異方性導電部を囲繞する前記基板上の領域に被着され
導電性を有しない絶縁性樹脂部とからなる。

【０００９】請求項３の実装方法は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端子
に接続する実装方法において、前記配線端子を包含する
前記基板上の領域に異方性導電ペーストを前記基板上に
塗布する異方性導電ペースト塗布工程と、前記異方性導
電ペーストを囲繞する前記基板上の領域に導電性を有し
ない絶縁性樹脂ペーストを被着する絶縁性樹脂ペースト
被着工程と、ツールにより前記電子部品を前記基板に対
して加熱加圧し前記異方性導電ペーストを介して前記バ
ンプ電極を前記配線端子に接続する圧着工程とを具備す
る。

【００１０】請求項４の実装装置は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を複数の配線端子が形成された基板に
対してツールにより加熱加圧し前記バンプ電極を異方性
導電膜を介して複数の配線端子に接続する実装装置にお
いて、前記ツールの表面にはフッ素樹脂からなる薄膜が
形成されている。

【００１１】請求項５の異方性導電シートは、バンプ電
極を対応する配線端子に電気的に接続する異方性導電シ
ートにおいて、配線端子を包含する領域に被着され且つ
前記バンプ電極と前記配線端子との間に電気的導通を付
与する導電粒子を分散状態にて含有する異方性導電部
と、前記異方性導電部を囲繞する位置に一体的に延設さ
れ前記バンプ電極と前記配線端子との間に電気的導通を
付与しない絶縁性樹脂部とを具備する。請求項６の異方
性導電シート、請求項５において、前記導電粒子を含有
しないか、又は、前記異方性導電部よりも含有量が小さ
い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して詳述する。図１は、この一実施形態の実装装
置を示している。この実装装置は、基板１を載置して位
置決めするテーブル部２と、このテーブル部２の上方に
配設され基板１に対して例えばフリップチップなどのバ
ンプ電極３ａを有する半導体素子３（図２参照）を異方
性導電膜４（図２参照）を介して基板１に形成された例
えば銅薄膜からなる電極１ａ（図２参照）に対して加熱
加圧するための加熱加圧ツール５を有するツール部６
と、このツール部６及びテーブル部２の作動を制御する
ボンディング制御部７とを有している。

【００１３】しかして、ツール部４は、加熱加圧ツール
５と、この加熱加圧ツール５を着脱自在に保持するチャ
ック８と、このチャック８を保持して昇降駆動する駆動
機構９と、チャック８の下端部に設けられ加熱加圧ツー
ル５と基板１との距離を計測する測距手段としてのレー
ザ変位計８ａとを有している。そして、加熱加圧ツール
５は、実際に半導体素子３を加熱加圧する横断面がコの
字状をなす一対の当接部５ａ（図２参照）と、この当接
部５ａに加熱電流を通電させる加熱電源５ｂとを有して
いる。そして、加熱加圧ツール５の当接部５ａ表面に
は、フッ素樹脂であるテフロン（商標名：米国デュポン
社製）薄膜５ｃが、被着されている。

【００１４】さらに、チャック８は、その下端部におい
て加熱加圧ツール５を挾圧・保持するとともに、上端部
において電気的絶縁材を介して駆動機構９に連結されて
いる。そして、チャック８は、前記加熱電源５ｂに電気
的に接続され、その下端部を介して当接部５ａに直流電
流を通電するようになっている。

【００１５】しかして、駆動機構９は、空気圧シリンダ
１３と、この空気圧シリンダ１３により昇降駆動される
作動杆１４と、空気圧シリンダ１３内に圧縮空気を導入
かつ導出する空気案内管１５と、前記空気案内管１５を
介して空気圧シリンダ１３に圧縮空気を供給する圧縮空
気源１６と、圧縮空気源１６から供給される圧縮空気の
空気圧シリンダ１３への注入速度を制御して作動杆１４
の昇降速度を制御するスピード制御器１７と、空気案内
管１５の中途に設けられ当接部５ａによる加圧力を検出
する加圧力検出器１８とを有している。

【００１６】さらに、ボンディング制御部７には、後述
する実装プロセスを実現するための操作プログラムが格
納されていて、レーザ変位計８ａからの出力信号ＳＤ及
び加圧力検出器１８からの出力信号ＳＰに基づいて、加
熱加圧ツール５の昇降及び加圧時間を制御するものであ
る。

【００１７】つぎに、上記構成の実装装置を用いて、こ
の一実施形態の実装方法について述べる。図２には、こ
の実施形態の実装方法にて基板１上に異方性導電膜４を
介して実装される半導体素子３が示されている。この半
導体素子３は、シリコン（Ｓｉ）製板状の本体３ｂと、
この本体３ｂに突設されたバンプ電極３ａとからなって
いる。このバンプ電極３ａの材質としては、例えば金
（Ａｕ）などが好適している。

【００１８】さらに、基板１上にあらかじめ配設される
異方性導電膜４は、図２に示すように、エポキシ樹脂系
のフィルム基材３１と、このフィルム基材３１中に分散
保持された導電粒子３２とを有している。この導電粒子
３２は、例えばニッケル（Ｎｉ），半田，カーボン，導
電めっき樹脂ボール等が好ましい。また、導電粒子３２
の粒径は、例えば数μｍ程度である。

【００１９】さて、まず基板１をテーブル部２上に位置
決めする。図２に示すように、この基板１上には、予め
例えば銅などからなる配線１ａが所定の回路パターンに
形成されている。そして、配線１ａの端子をなす半導体
素子３の接続領域１ｂに、例えば厚さ数１００μｍの異
方性導電膜４を被着する。つぎに、異方性導電膜４の上
から例えば厚さ数１００μｍの絶縁性樹脂膜４ａを積層
する。このとき、異方性導電膜４の形状は、半導体素子
３の形状とほぼ相似関係にあり、かつ、寸法は、半導体
素子３よりもわずかに大きい程度に設定する。一方、絶
縁性樹脂膜４ａは、半導体素子３の形状とほぼ相似関係
にあり、かつ、その寸法は、異方性導電膜４はもとよ
り、接続領域１ｂを囲繞する外辺領域１ｅを含む配線１
を完全に被覆する寸法に設定する。

【００２０】しかして、バンプ電極３ａが、異方性導電
膜４及び絶縁性樹脂膜４ａを介して、対応する配線１ａ
上になるように、半導体素子３を図示せぬ搬送・位置決
め機構により基板１上に位置決め・載置する。

【００２１】つぎに、ボンディング制御部７からは、あ
らかじめ設定されているプログラムに従って駆動機構９
のスピード制御器１７に制御信号ＳＣが印加される。こ
れに伴って、スピード制御器１７にては、下降速度Ｖ１
で作動杆１４が下降するように、圧縮空気を圧縮空気源
１６から空気圧シリンダ１３に注入する。これにともな
って、加熱加圧ツール５は、基板１に向かって接近する
（図２参照）。このとき、レーザ変位計８ａからは加熱
加圧ツール５と基板１との距離Ｄを示す信号ＳＤがボン
ディング制御部７に入力する。しかして、ボンディング
制御部７にては、この信号ＳＤが示す距離Ｄが予め設定
されているＤ０（例えば１０ｍｍ）になったとき、スピ
ード制御器１７に制御信号ＳＣを印加し、下降速度Ｖ２
で作動杆１４が下降するように、注入している圧縮空気
の圧力を減圧する。ここで、下降速度Ｖ１は、例えば６
０ｍｍ／秒、及び、下降速度Ｖ２は、例えば１０ｍｍ／
秒である。すなわち、下降速度Ｖ２は、下降速度Ｖ１の
ほぼ６分の１のように微速で下降する。このように減速
した状態で加熱加圧ツール５の当接体１１を半導体素子
３に当接させるとともに、加熱加圧する。その結果、バ
ンプ電極３ａは、異方性導電膜４及び絶縁性樹脂膜４ａ
を変形させながら侵入し、異方性導電膜４中の導電粒子
３２を介して配線１ａに電気的に接続される（図３参
照）。

【００２２】一方、異方性導電膜４及び絶縁性樹脂膜４
ａは、加熱加圧ツール５による加熱により硬化し、半導
体素子３は、基板１に固着される。このとき、加熱加圧
ツール５の当接部５ａ表面には、テフロン薄膜５ｃが施
されているため、異方性導電膜４及び絶縁性樹脂膜４ａ
が付着・硬化しても簡単に剥がすことができ、生産性向
上に寄与できる。

【００２３】また、絶縁性樹脂膜４ａは、半導体素子３
の形状とほぼ相似関係にあり、かつ、その寸法は、異方
性導電膜４はもとより、配線１を完全に被覆する寸法に
設定されているので、加圧加熱による硬化後において
も、半導体素子３と基板１との間に十分な量が介在する
こととなり、配線１及びバンプ電極３ａを完全に封止す
ることができ、従来のように、封止剤を追加する工程が
必要となることはなく、生産性向上に寄与できる。

【００２４】つぎに、本発明の他の実施形態について図
４乃至図６に基づいて述べる。なお、前記実施例の説明
と同一部分には、同一記号を付し、詳細な説明を省略す
る。この実施形態においては、まず基板１をテーブル部
２上に位置決め・載置する。そして、配線１ａの半導体
素子３の接続領域に、例えば厚さ数１０μｍの異方性導
電シート４０（図６参照）を被着させる。この異方性導
電シート４０は、例えばニッケル（Ｎｉ）やカーボン
（Ｃ）などの粒径数μｍ程度の導電粒子３２を含有し接
続領域１ｂを被覆する導電部位４０−１と、この導電部
位４０−１の周辺である外辺領域１ｅを被覆し且つ導電
粒子３２を含有しない絶縁部位４０−２とからなってい
る。これら導電部位４０−１及び絶縁部位４０−２は、
エポキシ樹脂系のフィルム基材３１を共通基材としてい
る。

【００２５】このとき、異方性導電シート４０の導電部
位４０−１の形状は、半導体素子３の形状とほぼ相似関
係にあり、かつ、寸法は、半導体素子３よりもわずかに
大きい程度に設定する。一方、異方性導電シート４０の
絶縁部位４０−２の外形寸法は、異方性導電シート４０
はもとより、配線１を完全に被覆する寸法に設定する。

【００２６】しかして、半導体素子３を図示せぬ搬送・
位置決め機構により異方性導電シート４０上に位置決め
・載置し、バンプ電極３ａが、異方性導電シート４０を
介して、対応する配線１ａ上になるようにする。そし
て、加熱加圧ツール５の当接部５ａを半導体素子３に当
接させるとともに、加熱加圧する。その結果、バンプ電
極３ａは、異方性導電シート４０を変形させながら侵入
し、異方性導電シート４０の導電部位４０−１中の導電
粒子３２を介して配線１ａに電気的に接続される（図５
参照）。

【００２７】一方、異方性導電シート４０全体を構成し
ているフィルム基材３１は、加熱加圧ツール５による加
熱により硬化し、半導体素子３は、基板１に固着される
が、異方性導電シート４０の絶縁部位４０−２の外形寸
法は、配線１を完全に被覆する大きさに設定されている
ので、加圧加熱による硬化後においても、半導体素子３
と基板１との間にフィルム基材３１ａが十分な量だけ介
在することとなり、配線１及びバンプ電極３ａを完全に
封止することができ、従来のように、封止剤を追加する
工程が必要となることはなく、生産性向上に寄与でき
る。

【００２８】つぎに、本発明の第３の実施形態について
図７及び図８に基づいて述べる。なお、第１の実施例の
説明と同一部分には、同一記号を付し、詳細な説明を省
略する。

【００２９】この実施形態においては、まず基板１をテ
ーブル部２上に位置決めする。そして、配線１ａの半導
体素子３の接続領域１ｂに、図示せぬシリンジ機構によ
り、例えば厚さ数１０μｍ程度に異方性導電ペースト５
０を塗布させる。この異方性導電ペースト５０は、例え
ばニッケル（Ｎｉ）やカーボン（Ｃ）などの粒径数μｍ
程度の導電粒子３２を含有する例えばエポキシ樹脂など
の材質からなるペースト５２からなっている。このと
き、被着している異方性導電ペースト５０の形状は、半
導体素子３の形状とほぼ相似関係にあり、かつ、寸法
は、半導体素子３よりもわずかに大きい程度に設定す
る。

【００３０】つぎに、異方性導電ペースト５０を囲繞す
るようにエポキシ樹脂系の接着剤のみからなっている絶
縁性ペースト５３を図示せぬシリンジ機構により外辺領
域１ｅに塗布する。この絶縁性ペースト５３には導電粒
子３２は含有しない絶縁性の例えばエポキシ樹脂などの
材質からなっていて、その外形寸法は、異方性導電ペー
スト５０はもとより、配線１を完全に被覆する大きさに
設定する。

【００３１】しかして、バンプ電極３ａが、異方性導電
ペースト５０を介して、対応する配線１ａ上になるよう
に、半導体素子３を図示せぬ搬送・位置決め機構により
基板１上に位置決めする。そして、加熱加圧ツール５の
当接部５ａを半導体素子３に当接させるとともに、加熱
加圧する。その結果、バンプ電極３ａは、異方性導電ペ
ースト５０を変形させながら侵入し、異方性導電ペース
ト５０を介して配線１ａに電気的に接続されるが、絶縁
性ペースト５３の外形寸法は、配線１を完全に被覆する
大きさに設定されているので、加圧加熱による硬化後に
おいても、半導体素子３と基板１との間にエポキシ樹脂
が十分な量だけ介在することとなり、配線１及びバンプ
電極３ａを完全に封止することができ、従来のように、
封止剤を追加する工程が必要となることはなく、生産性
向上に寄与できる。

【００３２】なお、上記第３の実施形態において、絶縁
性ペースト５３の代わりに、エポキシ樹脂系のフィルム
基材３１を被着させても同様の効果を得ることができ
る。また、上記第３の実施形態において、異方性導電ペ
ースト５０の代わりにエポキシ樹脂系のフィルム基材か
らなり例えばニッケル（Ｎｉ）やカーボン（Ｃ）などの
導電粒子を含有する異方性導電フィルムを被着させるよ
うにしてもよい。

【００３３】

【発明の効果】請求項１の実装方法は、複数のバンプ電
極を有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端
子に接続する実装方法において、前記配線端子を包含す
る前記基板上の領域に異方性導電膜を前記基板上に被着
する異方性導電膜被着工程と、前記異方性導電膜を囲繞
する前記基板上の領域及び前記異方性導電膜上の領域に
導電性を有しない絶縁性樹脂膜を被着する絶縁性樹脂膜
被着工程と、ツールにより前記電子部品を前記基板に対
して加熱加圧し前記異方性導電膜を介して前記バンプ電
極を前記配線端子に接続する圧着工程とを具備する。

【００３４】しかして、請求項１の実装方法は、加圧加
熱による硬化後においても、電子部品基板との間に十分
な量の封止樹脂が介在することとなり、配線端子及びバ
ンプ電極を完全に封止することができ、従来のように、
封止剤を追加する工程が必要となることはなく、生産性
向上に寄与できる。

【００３５】請求項２の実装方法は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端子
に接続する実装方法において、前記配線端子上に介挿膜
を前記基板上に被着する介挿膜被着工程と、ツールによ
り前記電子部品を前記基板に対して加熱加圧し前記介挿
膜を介して前記バンプ電極を前記配線端子に接続する圧
着工程とを具備し、前記介挿膜は、前記配線端子を包含
する前記基板上の領域に被着される異方性導電部と、前
記異方性導電部を囲繞する前記基板上の領域に被着され
導電性を有しない絶縁性樹脂部とからなる。

【００３６】しかして、請求項２の実装方法は、加圧加
熱による硬化後においても、電子部品と基板との間に封
止樹脂が十分な量だけ介在することとなり、配線端子及
びバンプ電極を完全に封止することができ、従来のよう
に、封止剤を追加する工程が必要となることはなく、生
産性向上に寄与できる。

【００３７】請求項３の実装方法は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を基板上に形成された複数の配線端子
に接続する実装方法において、前記配線端子を包含する
前記基板上の領域に異方性導電ペーストを前記基板上に
塗布する異方性導電ペースト塗布工程と、前記異方性導
電ペーストを囲繞する前記基板上の領域に導電性を有し
ない絶縁性樹脂ペーストを被着する絶縁性樹脂ペースト
被着工程と、ツールにより前記電子部品を前記基板に対
して加熱加圧し前記異方性導電ペーストを介して前記バ
ンプ電極を前記配線端子に接続する圧着工程とを具備す
る。

【００３８】しかして、請求項３の実装方法は、加圧加
熱による硬化後においても、電子部品と基板との間に封
止樹脂が十分な量だけ介在することとなり、配線端子及
びバンプ電極を完全に封止することができ、従来のよう
に、封止剤を追加する工程が必要となることはなく、生
産性向上に寄与できる。

【００３９】請求項４の実装装置は、複数のバンプ電極
を有する電子部品を複数の配線端子が形成された基板に
対してツールにより加熱加圧し前記バンプ電極を異方性
導電膜を介して複数の配線端子に接続する実装装置にお
いて、前記ツールの表面にはフッ素樹脂からなる薄膜が
形成されている。

【００４０】しかして、請求項４の実装装置は、加熱加
圧用のツールの表面にテフロン処理が施されているた
め、封止樹脂が付着・硬化しても簡単に剥がすことがで
き、生産性向上に寄与できる。

【００４１】請求項５の異方性導電シートは、バンプ電
極を対応する配線端子に電気的に接続する異方性導電シ
ートにおいて、配線端子を包含する領域に被着され且つ
前記バンプ電極と前記配線端子との間に電気的導通を付
与する導電粒子を分散状態にて含有する異方性導電部
と、前記異方性導電部を囲繞する位置に一体的に延設さ
れ前記バンプ電極と前記配線端子との間に電気的導通を
付与しない絶縁性樹脂部とを具備する。

【００４２】また、請求項６の異方性導電シート、請求
項５において、前記導電粒子を含有しないか、又は、前
記異方性導電部よりも含有量が小さい。しかして、請求
項５及び請求項６の異方性導電シートは、加圧加熱によ
る硬化後においても、電子部品と基板との間に封止樹脂
が十分な量だけ介在することとなり、配線端子及びバン
プ電極を完全に封止することができ、従来のように、封
止剤を追加する工程が必要となることはなく、生産性向
上に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の実装装置の全体構成図で
ある。

【図２】本発明の一実施形態の実装方法の説明図であ
る。

【図３】本発明の一実施形態の実装方法の説明図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施形態の実装方法の説明図で
ある。

【図５】本発明の第２の実施形態の実装方法の説明図で
ある。

【図６】本発明の異方性導電シートの説明図である。

【図７】本発明の第３の実施形態の実装方法の説明図で
ある。

【図８】本発明の第３の実施形態の実装方法の説明図で
ある。

【図９】従来技術の説明図である。

【図１０】従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１：基板，３：半導体素子，３ａ：バンプ電極，４：異
方性導電膜，５：加熱加圧ツール。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のバンプ電極を有する電子部品を基板
   上に形成された複数の配線端子に接続する実装方法にお
   いて、前記配線端子を包含する前記基板上の領域に異方
   性導電膜を被着する異方性導電膜被着工程と、前記異方
   性導電膜を囲繞する前記基板上の領域及び前記異方性導
   電膜上の領域に導電性を有しない絶縁性樹脂膜を被着す
   る絶縁性樹脂膜被着工程と、ツールにより前記電子部品
   を前記基板に対して加熱加圧し前記異方性導電膜を介し
   て前記バンプ電極を前記配線端子に接続する圧着工程と
   を具備することを特徴とする実装方法。
2. 【請求項２】複数のバンプ電極を有する電子部品を基板
   上に形成された複数の配線端子に接続する実装方法にお
   いて、前記配線端子上に介挿膜を前記基板上に被着する
   介挿膜被着工程と、ツールにより前記電子部品を前記基
   板に対して加熱加圧し前記介挿膜を介して前記バンプ電
   極を前記配線端子に接続する圧着工程とを具備し、前記
   介挿膜は、前記配線端子を包含する前記基板上の領域に
   被着される異方性導電部と、前記異方性導電部を囲繞す
   る前記基板上の領域に被着され導電性を有しない絶縁性
   樹脂部とからなることを特徴とする実装方法。
3. 【請求項３】複数のバンプ電極を有する電子部品を基板
   上に形成された複数の配線端子に接続する実装方法にお
   いて、前記配線端子を包含する前記基板上の領域に異方
   性導電ペーストを前記基板上に塗布する異方性導電ペー
   スト塗布工程と、前記異方性導電ペーストを囲繞する前
   記基板上の領域に導電性を有しない絶縁性樹脂ペースト
   を被着する絶縁性樹脂ペースト被着工程と、ツールによ
   り前記電子部品を前記基板に対して加熱加圧し前記異方
   性導電ペーストを介して前記バンプ電極を前記配線端子
   に接続する圧着工程とを具備することを特徴とする実装
   方法。
4. 【請求項４】複数のバンプ電極を有する電子部品を複数
   の配線端子が形成された基板に対してツールにより加熱
   加圧し前記バンプ電極を異方性導電膜を介して複数の配
   線端子に接続する実装装置において、前記ツールの表面
   にはフッ素樹脂からなる薄膜が形成されていることを特
   徴とする実装装置。
5. 【請求項５】バンプ電極を対応する配線端子に電気的に
   接続する異方性導電シートにおいて、配線端子を包含す
   る領域に被着され且つ前記バンプ電極と前記配線端子と
   の間に電気的導通を付与する導電粒子を分散状態にて含
   有する異方性導電部と、前記異方性導電部を囲繞する位
   置に一体的に延設され前記バンプ電極と前記配線端子と
   の間に電気的導通を付与しない絶縁性樹脂部とを具備す
   ることを特徴とする異方性導電シート。
6. 【請求項６】前記絶縁性樹脂部は、前記導電粒子を含有
   しないか、又は、前記異方性導電部よりも含有量が小さ
   いことを特徴とする請求項５記載の異方性導電シート。