JPH1195194A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH1195194A JPH1195194A JP25849797A JP25849797A JPH1195194A JP H1195194 A JPH1195194 A JP H1195194A JP 25849797 A JP25849797 A JP 25849797A JP 25849797 A JP25849797 A JP 25849797A JP H1195194 A JPH1195194 A JP H1195194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶配向膜塗布前に形成する柱状突起がラビ
ング処理によっても剥離しにくい液晶表示素子を得る。 【解決手段】 電極１２、１７を対向して配置した２枚
の基板１、１６の間隙を保持する柱状突起１４を一方の
基板面に形成してから同面に液晶配向膜１５を塗布して
ラビング処理する液晶表示素子の製造において、柱状突
起の設置位置の面を紫外線照射によるオゾン発生などに
より酸化改質面１３として柱状突起が強固に固着するよ
うにした方法、およびそれにより得られる素子。
ング処理によっても剥離しにくい液晶表示素子を得る。 【解決手段】 電極１２、１７を対向して配置した２枚
の基板１、１６の間隙を保持する柱状突起１４を一方の
基板面に形成してから同面に液晶配向膜１５を塗布して
ラビング処理する液晶表示素子の製造において、柱状突
起の設置位置の面を紫外線照射によるオゾン発生などに
より酸化改質面１３として柱状突起が強固に固着するよ
うにした方法、およびそれにより得られる素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を挟
持し、２枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で
固定されていて液晶封入口が封止剤で封止された構成を
している。この２枚の基板間の距離を一定かつ所望の間
隙に保つためのスペーサとして粒径の均一なプラスティ
ックビーズ等を基板間に散在させている。
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を挟
持し、２枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で
固定されていて液晶封入口が封止剤で封止された構成を
している。この２枚の基板間の距離を一定かつ所望の間
隙に保つためのスペーサとして粒径の均一なプラスティ
ックビーズ等を基板間に散在させている。
【０００３】この中でカラー表示用の液晶表示素子は２
枚のガラス基板の内１枚にＲＧＢの着色層のついたカラ
ーフィルタが形成してある。例えば、単純マトリクス駆
動のカラー型ドットマトリクス液晶表示素子において
は、横（Ｙ）方向に帯状にパタ−ニングされたＹ電極を
有するＹ基板と縦（Ｘ）方向に帯状にパタ−ニングされ
たＸ電極の下に着色層を有するＸ基板とを、Ｙ電極とＸ
電極がほぼ直交するように対向設置し、その間に液晶組
成物を挟持した構成を持っている。
枚のガラス基板の内１枚にＲＧＢの着色層のついたカラ
ーフィルタが形成してある。例えば、単純マトリクス駆
動のカラー型ドットマトリクス液晶表示素子において
は、横（Ｙ）方向に帯状にパタ−ニングされたＹ電極を
有するＹ基板と縦（Ｘ）方向に帯状にパタ−ニングされ
たＸ電極の下に着色層を有するＸ基板とを、Ｙ電極とＸ
電極がほぼ直交するように対向設置し、その間に液晶組
成物を挟持した構成を持っている。
【０００４】液晶表示素子の表示方式としては、例えば
ＴＮ形、ＳＴ形、ＧＨ形、あるいはＥＣＢ形や強誘電性
液晶などが用いられる。封止剤としては、例えば熱また
は紫外線硬化型のアクリル系またはエポキシ系の接着剤
などが用いられる。また、カラー型アクティブマトリク
ス駆動液晶表示素子においては、例えば、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層とした薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）とそれに接続された表示電極と信号線電
極、ゲート電極が形成されたアクティブマトリクス基板
であるＴＦＴアレイ基板とそれに対向設置された対向電
極を有し、ＲＧＢカラーフィルタを対向基板上に形成
し、アクティブマトリクス基板上から対向基板へ電圧を
印加する電極転移材（トランスファー）として銀ペース
ト等を画面周辺部に配置し、この電極転移材で２枚の基
板を電気的に接続している。この２枚の間に液晶組成物
を挟持した構成をしている。この２枚の両側に偏光板を
挟持し、光シャッタとして、カラー画像として表示して
いる。
ＴＮ形、ＳＴ形、ＧＨ形、あるいはＥＣＢ形や強誘電性
液晶などが用いられる。封止剤としては、例えば熱また
は紫外線硬化型のアクリル系またはエポキシ系の接着剤
などが用いられる。また、カラー型アクティブマトリク
ス駆動液晶表示素子においては、例えば、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層とした薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）とそれに接続された表示電極と信号線電
極、ゲート電極が形成されたアクティブマトリクス基板
であるＴＦＴアレイ基板とそれに対向設置された対向電
極を有し、ＲＧＢカラーフィルタを対向基板上に形成
し、アクティブマトリクス基板上から対向基板へ電圧を
印加する電極転移材（トランスファー）として銀ペース
ト等を画面周辺部に配置し、この電極転移材で２枚の基
板を電気的に接続している。この２枚の間に液晶組成物
を挟持した構成をしている。この２枚の両側に偏光板を
挟持し、光シャッタとして、カラー画像として表示して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの液晶表示素子
では、２枚の基板間に散在させたスペーサ周辺の液晶の
配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れコントラスト
が低下してしまう。また、スペーサを基板上に散在させ
る工程で、スペーサの不均一な散布は表示不良となり歩
留まりの低下を招いていた。
では、２枚の基板間に散在させたスペーサ周辺の液晶の
配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れコントラスト
が低下してしまう。また、スペーサを基板上に散在させ
る工程で、スペーサの不均一な散布は表示不良となり歩
留まりの低下を招いていた。
【０００６】その対策として表示領域以外の位置にスペ
ーサをカラーフィルタの着色層を重ねて形成したりフォ
トレジスト等で柱状突起のスペーサを形成することが提
案されている。ところが、このような柱状スペーサを形
成した基板に配向膜を形成し、ラビングを行う場合、ラ
ビング材との摩擦により柱状スペーサが剥離し、基板間
間隙が不均一となり、表示不良になる。
ーサをカラーフィルタの着色層を重ねて形成したりフォ
トレジスト等で柱状突起のスペーサを形成することが提
案されている。ところが、このような柱状スペーサを形
成した基板に配向膜を形成し、ラビングを行う場合、ラ
ビング材との摩擦により柱状スペーサが剥離し、基板間
間隙が不均一となり、表示不良になる。
【０００７】本発明は上記問題を解決しようとするもの
であり、表示性能が良く歩留りが高い液晶表示素子の製
造方法および液晶表示素子を得るものである。
であり、表示性能が良く歩留りが高い液晶表示素子の製
造方法および液晶表示素子を得るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方の基板の１主面に表示電極と液晶配向膜を形成してい
る２枚の基板と、これらの２枚の基板のうち少なくとも
一方の基板の１主面に形成される絶縁膜と、この絶縁膜
上に設けられ前記２枚の基板を所定の間隙を一定に保つ
ための柱状突起と、前記間隙に挟持された液晶とからな
る液晶表示素子において、前記柱状突起の絶縁膜設置位
置に酸化改質面が形成され、その上に前記柱状突起が設
けられてなることを特徴とする液晶表示素子にある。
方の基板の１主面に表示電極と液晶配向膜を形成してい
る２枚の基板と、これらの２枚の基板のうち少なくとも
一方の基板の１主面に形成される絶縁膜と、この絶縁膜
上に設けられ前記２枚の基板を所定の間隙を一定に保つ
ための柱状突起と、前記間隙に挟持された液晶とからな
る液晶表示素子において、前記柱状突起の絶縁膜設置位
置に酸化改質面が形成され、その上に前記柱状突起が設
けられてなることを特徴とする液晶表示素子にある。
【０００９】また、少なくとも一方の基板の１主面に表
示電極と液晶配向膜を形成している２枚の基板と、これ
らの２枚の基板のうち少なくとも一方の基板の１主面に
形成される絶縁膜と、この絶縁膜上に金属層を介して設
けられ前記２枚の基板を所定の間隙を一定に保つための
柱状突起と、前記間隙に挟持された液晶とからなる液晶
表示素子において、前記柱状突起の設置される部位の金
属層面は酸化改質面に形成され、その上に前記柱状突起
が設けられてなることを特徴とする液晶表示素子にあ
る。
示電極と液晶配向膜を形成している２枚の基板と、これ
らの２枚の基板のうち少なくとも一方の基板の１主面に
形成される絶縁膜と、この絶縁膜上に金属層を介して設
けられ前記２枚の基板を所定の間隙を一定に保つための
柱状突起と、前記間隙に挟持された液晶とからなる液晶
表示素子において、前記柱状突起の設置される部位の金
属層面は酸化改質面に形成され、その上に前記柱状突起
が設けられてなることを特徴とする液晶表示素子にあ
る。
【００１０】さらに、２枚の基板のうち少なくとも一方
の基板の１主面に表示電極を形成する工程と、前記基板
のうち少なくとも一方の基板の１主面に前記２枚の基板
を所望の間隙にて一定に保つための柱状突起をフォトリ
ソグラフィー法にて形成する工程と、前記基板の柱状突
起を形成する一主面に液晶配向膜を形成する工程と、所
望の間隙に前記２枚の基板の１主面同士を対向させ、前
記間隙に液晶層を挟持させる工程からなる液晶表示素子
の製造方法において、前記フォトリソグラフィー法によ
り柱状突起を形成する工程の前に、少なくとも前記柱状
突起を形成する領域の基板表面を表面が無機質の場合は
酸化改質し、また表面が有機質の場合は酸化膜を形成す
る工程を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。を得るものである。
の基板の１主面に表示電極を形成する工程と、前記基板
のうち少なくとも一方の基板の１主面に前記２枚の基板
を所望の間隙にて一定に保つための柱状突起をフォトリ
ソグラフィー法にて形成する工程と、前記基板の柱状突
起を形成する一主面に液晶配向膜を形成する工程と、所
望の間隙に前記２枚の基板の１主面同士を対向させ、前
記間隙に液晶層を挟持させる工程からなる液晶表示素子
の製造方法において、前記フォトリソグラフィー法によ
り柱状突起を形成する工程の前に、少なくとも前記柱状
突起を形成する領域の基板表面を表面が無機質の場合は
酸化改質し、また表面が有機質の場合は酸化膜を形成す
る工程を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。を得るものである。
【００１１】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、紫外線照射法でありオゾンを含む環境
により酸化改質を行うことを特徴とする液晶表示素子の
製造方法にある。
形成する工程が、紫外線照射法でありオゾンを含む環境
により酸化改質を行うことを特徴とする液晶表示素子の
製造方法にある。
【００１２】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、オゾン灰化法であることを特徴とする
液晶表示素子の製造方法にある。
形成する工程が、オゾン灰化法であることを特徴とする
液晶表示素子の製造方法にある。
【００１３】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、酸素プラズマ法であることを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法にある。
形成する工程が、酸素プラズマ法であることを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法にある。
【００１４】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、過酸化水素水への浸漬法であることを
特徴とする液晶表示素子の製造方法にある。
形成する工程が、過酸化水素水への浸漬法であることを
特徴とする液晶表示素子の製造方法にある。
【００１５】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、オゾンを含む水溶液への浸漬法である
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法にある。
形成する工程が、オゾンを含む水溶液への浸漬法である
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法にある。
【００１６】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、陽極酸化法であることを特徴とする液
晶表示素子の製造方法にある。
形成する工程が、陽極酸化法であることを特徴とする液
晶表示素子の製造方法にある。
【００１７】また、基板表面の酸化改質または酸化膜を
形成する工程が、反応性スパッタ法を用いた連続成膜法
であることを特徴とする液晶表示素子の製造方法にあ
る。
形成する工程が、反応性スパッタ法を用いた連続成膜法
であることを特徴とする液晶表示素子の製造方法にあ
る。
【００１８】本発明により、柱状突起を形成する部位に
例えば紫外線照射によるオゾンを含む環境下で金属層や
酸化ケイ素などの無機質膜面を処理すると、表層に緻密
な酸化膜が形成される。非処理面が酸化膜の場合、酸化
し改質する酸化改質面は、酸化膜の表層の酸化濃度が高
く緻密な酸化膜とすることであり、例えば酸化雰囲気下
で加熱処理を行うことにより処理前よりも酸化濃度が高
く緻密な表層に形成される。また、合成樹脂などの有機
質膜を表面処理した場合も、緻密な酸化膜が形成され
る。以下このような酸化膜を酸化改質面という。
例えば紫外線照射によるオゾンを含む環境下で金属層や
酸化ケイ素などの無機質膜面を処理すると、表層に緻密
な酸化膜が形成される。非処理面が酸化膜の場合、酸化
し改質する酸化改質面は、酸化膜の表層の酸化濃度が高
く緻密な酸化膜とすることであり、例えば酸化雰囲気下
で加熱処理を行うことにより処理前よりも酸化濃度が高
く緻密な表層に形成される。また、合成樹脂などの有機
質膜を表面処理した場合も、緻密な酸化膜が形成され
る。以下このような酸化膜を酸化改質面という。
【００１９】液晶表示素子では、表示電極下に無機質ま
たは有機質の層間絶縁膜や保護膜を形成しており、また
層間絶縁膜の一部領域に金属層や有機膜の遮光膜を形成
する場合がある。さらにこれらの面に柱状突起を間隙保
持のためのスペーサとして同領域の一部に散在するよう
に形成する。一般に上記面に液晶層を配向するための液
晶配向膜を塗布して、ラビング処理すめために柱状突起
が剥離するおそれがあり、設置位置は良好な接着面であ
ることが求められる。本発明者等は上記酸化改質面は樹
脂の柱状突起との接着作用が大きく、ラビング処理時の
擦り力によっても柱状突起の剥離が起こりにくいことを
見出だした。
たは有機質の層間絶縁膜や保護膜を形成しており、また
層間絶縁膜の一部領域に金属層や有機膜の遮光膜を形成
する場合がある。さらにこれらの面に柱状突起を間隙保
持のためのスペーサとして同領域の一部に散在するよう
に形成する。一般に上記面に液晶層を配向するための液
晶配向膜を塗布して、ラビング処理すめために柱状突起
が剥離するおそれがあり、設置位置は良好な接着面であ
ることが求められる。本発明者等は上記酸化改質面は樹
脂の柱状突起との接着作用が大きく、ラビング処理時の
擦り力によっても柱状突起の剥離が起こりにくいことを
見出だした。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００２１】（実施形態１）図１のように液晶表示素子
は、アレイ基板１と、これに電極同志が対向するように
対向基板１６を配置してその間隙に液晶層３０を挟持し
ている。
は、アレイ基板１と、これに電極同志が対向するように
対向基板１６を配置してその間隙に液晶層３０を挟持し
ている。
【００２２】アレイ基板１上にアモルファスシリコン膜
２とゲート絶縁膜３を積層し、その上にゲート電極とな
るゲート線４、層間絶縁膜５を形成し、スルーホールを
経てアモルファスシリコン２にドレイン電極６、ソース
電極７が接続される。以上により薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）８を構成している。
２とゲート絶縁膜３を積層し、その上にゲート電極とな
るゲート線４、層間絶縁膜５を形成し、スルーホールを
経てアモルファスシリコン２にドレイン電極６、ソース
電極７が接続される。以上により薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）８を構成している。
【００２３】さらに層間絶縁膜５にドレイン電極６に接
続される信号線９が配線される。層間絶縁膜５および信
号線９上に保護膜１０を被覆し、その上面の薄膜トラン
ジスタ８の領域に遮光膜１１が設けられ、画素表示領域
にはソース電極７に接続されたＩＴＯの透明表示電極１
２が配置される。
続される信号線９が配線される。層間絶縁膜５および信
号線９上に保護膜１０を被覆し、その上面の薄膜トラン
ジスタ８の領域に遮光膜１１が設けられ、画素表示領域
にはソース電極７に接続されたＩＴＯの透明表示電極１
２が配置される。
【００２４】保護膜１０はシリコンの低温酸化膜などの
無機質膜またはポリイミドなどの有機樹脂の有機質膜の
絶縁膜で形成され、遮光膜１１も同じく無機質膜または
有機質膜で形成される。
無機質膜またはポリイミドなどの有機樹脂の有機質膜の
絶縁膜で形成され、遮光膜１１も同じく無機質膜または
有機質膜で形成される。
【００２５】この保護膜１０または遮光膜１１上に多数
の微小柱状突起１４がアレイ基板１と対向基板１６間の
間隙を保持する間隙保持子として形成される。
の微小柱状突起１４がアレイ基板１と対向基板１６間の
間隙を保持する間隙保持子として形成される。
【００２６】本実施形態において、遮光膜１１は有機質
膜であり、その上面に酸化改質面をもつ酸化膜１３が形
成されて、その部位に柱状突起１４が固着配置される。
膜であり、その上面に酸化改質面をもつ酸化膜１３が形
成されて、その部位に柱状突起１４が固着配置される。
【００２７】最上層を液晶配向膜１５で覆い、配向処理
が施される。
が施される。
【００２８】また、対向基板１６の一面はＩＴＯの共通
電極１７と液晶配向膜１８が被着され、液晶配向膜の表
面に配向処理が施される。
電極１７と液晶配向膜１８が被着され、液晶配向膜の表
面に配向処理が施される。
【００２９】これらの基板１、１６を各電極形成側の面
が対向するようにして合わせ柱状突起により所定の間隙
をあけて封着される。この間隙に液晶組成物が充填され
て液晶層３０として挟持される。
が対向するようにして合わせ柱状突起により所定の間隙
をあけて封着される。この間隙に液晶組成物が充填され
て液晶層３０として挟持される。
【００３０】本実施形態は、アクティブマトリクス駆動
液晶表示素子としてスイッチング素子にＴＦＴを形成し
た構成であるが、スイッチング素子としてＴＦＴ以外の
ものを形成することができる。さらに液晶表示素子とし
てアクティブマトリクス駆動以外の例えばドットマトリ
クス液晶表示素子などに用いることができる。
液晶表示素子としてスイッチング素子にＴＦＴを形成し
た構成であるが、スイッチング素子としてＴＦＴ以外の
ものを形成することができる。さらに液晶表示素子とし
てアクティブマトリクス駆動以外の例えばドットマトリ
クス液晶表示素子などに用いることができる。
【００３１】図２、図３および図４により本発明の実施
形態１の製造方法を説明する。
形態１の製造方法を説明する。
【００３２】図２に示されるようにスイッチング素子
（ＴＦＴ）８などが形成されてアレイ基板となる基板１
上にアモルファスシリコン膜２、ゲート絶縁膜３、ゲー
ト線４、層間絶縁膜５、ドレイン電極６、信号線９、ソ
ース電極７、絶縁性保護膜１０を常法のプロセスにより
形成しＴＦＴを所定の位置に配置する。さらに遮光層１
１を形成する。保護膜１０、遮光層１１を形成後、純水
で洗浄を行った後、酸化改質工程として大気中で紫外線
照射を行う。
（ＴＦＴ）８などが形成されてアレイ基板となる基板１
上にアモルファスシリコン膜２、ゲート絶縁膜３、ゲー
ト線４、層間絶縁膜５、ドレイン電極６、信号線９、ソ
ース電極７、絶縁性保護膜１０を常法のプロセスにより
形成しＴＦＴを所定の位置に配置する。さらに遮光層１
１を形成する。保護膜１０、遮光層１１を形成後、純水
で洗浄を行った後、酸化改質工程として大気中で紫外線
照射を行う。
【００３３】大気中で紫外線を照射すると、大気中の酸
素の一部が紫外線によりオゾンになるので、保護膜１０
および遮光層１１が無機膜の場合、十分な紫外線照射
（５００ｍＪ／ｃｍ2 ）により保護膜１０およ遮光層１
１表面の不要な有機物はオゾンによる酸化と紫外線光に
よる分解により除去される。また、金属膜の遮光層９表
面が数Ａ程度酸化され酸化膜１３が形成される。
素の一部が紫外線によりオゾンになるので、保護膜１０
および遮光層１１が無機膜の場合、十分な紫外線照射
（５００ｍＪ／ｃｍ2 ）により保護膜１０およ遮光層１
１表面の不要な有機物はオゾンによる酸化と紫外線光に
よる分解により除去される。また、金属膜の遮光層９表
面が数Ａ程度酸化され酸化膜１３が形成される。
【００３４】保護膜１０および遮光層１１のどちらか一
方が有機樹脂の膜の場合、オゾンと有機樹脂膜の表面が
反応を起こし酸化され、また有機樹脂は紫外線により分
解が起こる。この２つ作用により保護膜１０が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応するように紫外線照射を調
整する（１００〜２００ｍＪ／ｃｍ2 ）ことで、保護膜
１０の表面を酸化改質できる。
方が有機樹脂の膜の場合、オゾンと有機樹脂膜の表面が
反応を起こし酸化され、また有機樹脂は紫外線により分
解が起こる。この２つ作用により保護膜１０が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応するように紫外線照射を調
整する（１００〜２００ｍＪ／ｃｍ2 ）ことで、保護膜
１０の表面を酸化改質できる。
【００３５】酸化改質処理後すぐにネガ型感光性有機樹
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起が
形成される。さらに、オーブンにより２００℃でキュア
を行い安定化させると図２に示されるように柱状突起ス
ペーサ１４が形成される。
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起が
形成される。さらに、オーブンにより２００℃でキュア
を行い安定化させると図２に示されるように柱状突起ス
ペーサ１４が形成される。
【００３６】さらに図３に示されるように、保護膜１０
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
【００３７】以上のように本発明の実施形態１に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作製された
アレイ基板においては、従米の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりも高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作製された
アレイ基板においては、従米の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりも高くなっ
た。
【００３８】（実施形態２）実施形態１と同様にＴＦＴ
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後フォトリソグラフィー
用のレジスト剥離で用いるのと同様のオゾン灰化法によ
り保護膜１０および遮光層９の酸化改質を行う。
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後フォトリソグラフィー
用のレジスト剥離で用いるのと同様のオゾン灰化法によ
り保護膜１０および遮光層９の酸化改質を行う。
【００３９】保護膜１０および遮光層１１が無機膜の場
合、レジスト剥離と同様にオゾンが十分に発生する条件
とすると保護膜１０および遮光層１１表面の有機物はオ
ゾンによる酸化作用により除去される。さらに金属膜の
遮光層９表面は数Ａ酸化され酸化膜１３が形成される。
合、レジスト剥離と同様にオゾンが十分に発生する条件
とすると保護膜１０および遮光層１１表面の有機物はオ
ゾンによる酸化作用により除去される。さらに金属膜の
遮光層９表面は数Ａ酸化され酸化膜１３が形成される。
【００４０】保護膜１０もしくは遮光層１１のうち少な
くとも一方が有機樹脂の膜の場合、オゾンと有機樹脂膜
の表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除
去されず表面数十Ａ（オングストローム）程度が反応す
るように酸素供給量、時間を最適化することで、保護膜
１０および遮光層１１の表面を酸化改質できる。
くとも一方が有機樹脂の膜の場合、オゾンと有機樹脂膜
の表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除
去されず表面数十Ａ（オングストローム）程度が反応す
るように酸素供給量、時間を最適化することで、保護膜
１０および遮光層１１の表面を酸化改質できる。
【００４１】酸化改質処理後すぐにネガ型感光性有機樹
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起１
４が形成される。
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起１
４が形成される。
【００４２】さらに、オーブンにより２００℃でキュア
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。
【００４３】さらに図３に示されるように、保護膜１０
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜からなる共通電
極１７および配向膜１８が形成されたものを用い、上記
アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組立、液晶層３０
を封入して図４に示される液晶表示素子が完成する。
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜からなる共通電
極１７および配向膜１８が形成されたものを用い、上記
アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組立、液晶層３０
を封入して図４に示される液晶表示素子が完成する。
【００４４】以上のように本発明の実施形態２に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
【００４５】（実施形態３）実施形態１と同様にＴＦＴ
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後、酸素プラズマ法によ
り保護膜１０およひ遮光層１１の酸化改質を行う。保護
膜１０および遮光層１１が無機膜の場合、酸素プラズマ
が十分に発生する条件（酸素供給量、圧力、時間）とす
ると保護膜１０および遮光層１１表面の有機物は酸素プ
ラズマにより除去される。
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後、酸素プラズマ法によ
り保護膜１０およひ遮光層１１の酸化改質を行う。保護
膜１０および遮光層１１が無機膜の場合、酸素プラズマ
が十分に発生する条件（酸素供給量、圧力、時間）とす
ると保護膜１０および遮光層１１表面の有機物は酸素プ
ラズマにより除去される。
【００４６】さらに遮光層１１の表面が数十Ａ程度酸化
され酸化膜１３が形成される。保護膜１０もしくは遮光
層１１のどちらか一方が有機樹脂の膜の場合、酸素プラ
ズマと有機樹脂膜の表面が反応を起こし酸化される。有
機樹脂膜が分解除去されず表面数十Ａ程度が反応するよ
うに酸素供給量、時間を最適化することで、保護膜１０
および遮光層１１の表面を酸化改質できる。
され酸化膜１３が形成される。保護膜１０もしくは遮光
層１１のどちらか一方が有機樹脂の膜の場合、酸素プラ
ズマと有機樹脂膜の表面が反応を起こし酸化される。有
機樹脂膜が分解除去されず表面数十Ａ程度が反応するよ
うに酸素供給量、時間を最適化することで、保護膜１０
および遮光層１１の表面を酸化改質できる。
【００４７】酸化改質処理後すぐにネガ型感光性有機樹
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起１
４が形成される。さらに、オーブンにより２００℃でキ
ュアを行い安定化させると図２に示されるように柱状ス
ペーサ（柱状突起１４）が形成される。
脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．０μ
ｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アルカリ
溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突起１
４が形成される。さらに、オーブンにより２００℃でキ
ュアを行い安定化させると図２に示されるように柱状ス
ペーサ（柱状突起１４）が形成される。
【００４８】さらに図３に示されるように、保護膜１０
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
【００４９】以上のように本発明の実施形態３に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
【００５０】（実施形態４）実施形態１と同様にＴＦＴ
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後過酸化水素水へ浸漬に
より保護膜１０および遮光層１１の酸化改質を行う。保
護膜１０および遮光層１１が無機膜の場合、保護膜１０
および遮光層１１表面の有機物が除去される過酸化水素
濃度（３０％）、浸漬時間（１０分）とした。
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後過酸化水素水へ浸漬に
より保護膜１０および遮光層１１の酸化改質を行う。保
護膜１０および遮光層１１が無機膜の場合、保護膜１０
および遮光層１１表面の有機物が除去される過酸化水素
濃度（３０％）、浸漬時間（１０分）とした。
【００５１】保護膜１０もしくは遮光層１１のどちらか
一方が有機樹脂の膜の場合、過酸化水素と有機樹脂膜の
表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応する過酸化水素水濃度（例
えば３０％）、浸漬時間（例えば２分）にすることで、
有機膜の表面を酸化改質できる。酸化改質処理後すぐに
ネガ型感光性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコー
ターにより６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光
を行い、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアン
モニウムハイドライド）０．５％水溶液）により現像を
行うと、柱状突起が形成される。さらに、オーブンによ
り２００℃でキュアを行い安定化させると図２に示され
るように柱状スペーサが形成される。
一方が有機樹脂の膜の場合、過酸化水素と有機樹脂膜の
表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応する過酸化水素水濃度（例
えば３０％）、浸漬時間（例えば２分）にすることで、
有機膜の表面を酸化改質できる。酸化改質処理後すぐに
ネガ型感光性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコー
ターにより６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光
を行い、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアン
モニウムハイドライド）０．５％水溶液）により現像を
行うと、柱状突起が形成される。さらに、オーブンによ
り２００℃でキュアを行い安定化させると図２に示され
るように柱状スペーサが形成される。
【００５２】さらに図３に示されるように、保護膜１０
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソグラ
フィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行って画
素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成する。対
向基板として対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
【００５３】以上のように本発明の実施形態４に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりぬくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりぬくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
【００５４】（実施形態５）実施形態１と同様にＴＦＴ
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後オゾンが溶解している
水溶液への浸漬により保護膜１０および遮光層１１の酸
化改質を行う。保護膜１０および遮光層１１が無機膜の
場合、保護膜１０および遮光層１１の表面の有機物が除
去されるオゾン濃度（ｐＨ２）、浸漬時間（１０分）と
した。
を所定の位置に配した後、保護膜１０および遮光層１１
を形成後、純水で洗浄を行った後オゾンが溶解している
水溶液への浸漬により保護膜１０および遮光層１１の酸
化改質を行う。保護膜１０および遮光層１１が無機膜の
場合、保護膜１０および遮光層１１の表面の有機物が除
去されるオゾン濃度（ｐＨ２）、浸漬時間（１０分）と
した。
【００５５】保護膜１０もしくは遮光層１１のどちらか
一方が有機樹脂の膜の場合、過酸化水素と有機樹脂膜の
表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応するようにオゾン濃度（ｐ
Ｈ２）、浸漬時間（３分）を最適化することで、有機膜
の表面を酸化改質できる。酸化改質処理後すぐにネガ型
感光性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターに
より６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行
い、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドライド）０．５％水溶液）により現像を行う
と、柱状突起１４が形成される。
一方が有機樹脂の膜の場合、過酸化水素と有機樹脂膜の
表面が反応を起こし酸化される。有機樹脂膜が分解除去
されず表面数十Ａ程度が反応するようにオゾン濃度（ｐ
Ｈ２）、浸漬時間（３分）を最適化することで、有機膜
の表面を酸化改質できる。酸化改質処理後すぐにネガ型
感光性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターに
より６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行
い、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドライド）０．５％水溶液）により現像を行う
と、柱状突起１４が形成される。
【００５６】さらに、オーブンにより２００℃でキュア
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。さらに図３に示されるように、保護膜
１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソ
グラフィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行っ
て画素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成す
る。
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。さらに図３に示されるように、保護膜
１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソ
グラフィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行っ
て画素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成す
る。
【００５７】対向基板として対向基板として透明基板１
６上にＩＴＯ膜からなる共通電極１７および配向膜１８
が形成されたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせ
て液晶セルを組立、液晶層３０を封入して図４に示され
る液晶表示素子が完成する。
６上にＩＴＯ膜からなる共通電極１７および配向膜１８
が形成されたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせ
て液晶セルを組立、液晶層３０を封入して図４に示され
る液晶表示素子が完成する。
【００５８】以上のように本発明の実施形態５に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
【００５９】（実施形態６）実施の形態１と同様にＴＦ
Ｔを所定の位置に配した後、保護膜１０を形成後スパッ
タリング法により、膜厚１０００Ａの金属膜を形成す
る。既知のフォトリソグラフィー法およびエッチング法
のより遮光層１１のパタ−ニングを行う。その後陽極酸
化法により酸化改質および酸化膜１５の形成を行う。例
えば遮光層１１がＴａ薄膜の場合、Ｔａ薄膜を陽極と
し、Ｐｔめっきを施したＴｉメッシュを陰極とし、１重
量％ほう酸アンモニウム水溶液を電解液とする。上記陰
陽両極間に１０〜５０Ｖの電圧を印加して、膜厚１００
〜８００Ａの均一なＴａの酸化膜１５を形成することが
できる。
Ｔを所定の位置に配した後、保護膜１０を形成後スパッ
タリング法により、膜厚１０００Ａの金属膜を形成す
る。既知のフォトリソグラフィー法およびエッチング法
のより遮光層１１のパタ−ニングを行う。その後陽極酸
化法により酸化改質および酸化膜１５の形成を行う。例
えば遮光層１１がＴａ薄膜の場合、Ｔａ薄膜を陽極と
し、Ｐｔめっきを施したＴｉメッシュを陰極とし、１重
量％ほう酸アンモニウム水溶液を電解液とする。上記陰
陽両極間に１０〜５０Ｖの電圧を印加して、膜厚１００
〜８００Ａの均一なＴａの酸化膜１５を形成することが
できる。
【００６０】酸化改質処理後すぐにネガ型感光性有機樹
脂１１（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．
０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アル
カリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイド
ライド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突
起が形成される。
脂１１（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより６．
０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱アル
カリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイド
ライド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱状突
起が形成される。
【００６１】さらに、オーブンにより２００℃でキュア
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。さらに図３に示されるように、保護膜
１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソ
グラフィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行っ
て画素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成す
る。
を行い安定化させると図２に示されるように柱状スペー
サが形成される。さらに図３に示されるように、保護膜
１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しフォトリソ
グラフィおよびエッチング法によりパタ−ニングを行っ
て画素電極１２を形成し、さらに配向膜１５を形成す
る。
【００６２】対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
からなる共通電極１７および配向膜１８が形成されたも
のを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組
立、液晶層３０を封入して図４に示される液晶表示素子
が完成する。
【００６３】以上のように本発明の実施形態５に係る電
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
極基板および液晶表示素子の製造方法により作成された
アレイ基板においては、従来の酸化改質を行わない場合
よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、基板間
間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高くなっ
た。
【００６４】（実施形態７）第１の実施の形態と同様に
ＴＦＴを所定の位置に配した後、保護膜１０を形成後、
スパッタリング法により金属膜を１０００Ａ厚に成膜す
る。金属膜成膜に引き続き、スパッタリング中に酸素を
添加する反応性スパッタリング法により金属酸化膜を５
０〜１００Ａ成膜する。
ＴＦＴを所定の位置に配した後、保護膜１０を形成後、
スパッタリング法により金属膜を１０００Ａ厚に成膜す
る。金属膜成膜に引き続き、スパッタリング中に酸素を
添加する反応性スパッタリング法により金属酸化膜を５
０〜１００Ａ成膜する。
【００６５】続いて純水既知のフォトリソグラフィーお
よびエッチング法により遮光層１１および酸化膜１３の
パタ−ニングを行う。例えば、遮光膜がＴａの場合、ス
パッタリング法により１０００Ａの厚さに成膜した後、
スパッタリング中に不活性ガスとして添加する例えばＡ
ｒに対し１％程度の酸素を添加しＴａの酸化膜を成膜す
ることができる。フォトリソグラフィー及びエッチング
法により所定の形状にパタ−ニングを行う。ネガ型感光
性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより
６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱
アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドライド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱
状突起１４が形成される。さらに、オーブンにより２０
０℃でキュアを行い安定化させると図２に示されるよう
に柱状スペーサが形成される。さらに図３に示されるよ
うに、保護膜１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜
しフォトリソグラフィおよびエッチング法によりパタ−
ニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配向膜１
５を形成する。
よびエッチング法により遮光層１１および酸化膜１３の
パタ−ニングを行う。例えば、遮光膜がＴａの場合、ス
パッタリング法により１０００Ａの厚さに成膜した後、
スパッタリング中に不活性ガスとして添加する例えばＡ
ｒに対し１％程度の酸素を添加しＴａの酸化膜を成膜す
ることができる。フォトリソグラフィー及びエッチング
法により所定の形状にパタ−ニングを行う。ネガ型感光
性有機樹脂（日本合成ゴム製）をスピンコーターにより
６．０μｍの厚さに塗布しＵＶ光により露光を行い、弱
アルカリ溶液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドライド）０．５％水溶液）により現像を行うと、柱
状突起１４が形成される。さらに、オーブンにより２０
０℃でキュアを行い安定化させると図２に示されるよう
に柱状スペーサが形成される。さらに図３に示されるよ
うに、保護膜１０上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜
しフォトリソグラフィおよびエッチング法によりパタ−
ニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配向膜１
５を形成する。
【００６６】対向基板として対向基板として透明基板１
６上にＩＴＯ膜からなる共通電極１５および配向膜１４
が形成されたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせ
て液晶セルを組立、液晶層３０を封入して図４に示され
る液晶表示素子が完成する。以上のように本実施形態に
係る電極基板および液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来の酸化改質を行わな
い場合よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、
基板間間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高く
なった。
６上にＩＴＯ膜からなる共通電極１５および配向膜１４
が形成されたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせ
て液晶セルを組立、液晶層３０を封入して図４に示され
る液晶表示素子が完成する。以上のように本実施形態に
係る電極基板および液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来の酸化改質を行わな
い場合よりも柱状スペーサの剥離が起こりにくくなり、
基板間間隙の不均一の発生も少なくなり歩留まりの高く
なった。
【００６７】
【発明の効果】本発明に係る電極基板および液晶表示素
子の製造方法によれば、表示領域外に柱状スペーサを形
成する場合の前処理として基板表面を酸化改質または酸
化膜を形成することにより、基板表面と柱状スペーサと
の密着性が向上し、、柱状スペーサ形成以降の工程での
柱状スペーサの剥がれが減少する。特にラビングを行う
場合にラビング材との摩擦による柱状スペーサの剥がれ
が減少する。
子の製造方法によれば、表示領域外に柱状スペーサを形
成する場合の前処理として基板表面を酸化改質または酸
化膜を形成することにより、基板表面と柱状スペーサと
の密着性が向上し、、柱状スペーサ形成以降の工程での
柱状スペーサの剥がれが減少する。特にラビングを行う
場合にラビング材との摩擦による柱状スペーサの剥がれ
が減少する。
【００６８】その結果、柱状スペーサが剥がれることで
発生する基板間間隙の不均一、剥がれた柱状スペーサの
開口部への再付着などによる表示不良を減少させること
ができた。液晶表示素子の表示性能が良く、歩留まりを
向上させることができた。
発生する基板間間隙の不均一、剥がれた柱状スペーサの
開口部への再付着などによる表示不良を減少させること
ができた。液晶表示素子の表示性能が良く、歩留まりを
向上させることができた。
【図１】本発明の第一の実施形態に係る電極基板および
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
【図２】本発明の第一の実施形態に係る電極基板および
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
【図３】本発明の第一の実施形態に係る電極基板および
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
液晶表示素子の製造方法の製造途中の一状態を表した説
明図、
【図４】本発明に係る液晶表示素子の製造方法により作
製された液晶表示素子の概略断面図。
製された液晶表示素子の概略断面図。
１、１６ 透明基板 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート線 ５ 層間絶縁膜 ６ ドレイン電極 ７ ソース電極 ８ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ９ 信号線 １０ 保護膜 １１ 遮光層 １２ 画素電極 １３ 酸化改質層または酸化膜 １４ 柱状突起（柱状スペーサ） １５、１８ 配向膜 １７ 共通電極 ３０ 液晶層
フロントページの続き (72)発明者 岡本 ますみ 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 緑川 輝行 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも一方の基板の１主面に表示電
極と液晶配向膜を形成している２枚の基板と、これらの
２枚の基板のうち少なくとも一方の基板の１主面に形成
される絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられ前記２枚の基
板を所定の間隙を一定に保つための柱状突起と、前記間
隙に挟持された液晶とからなる液晶表示素子において、
前記柱状突起の絶縁膜設置位置に酸化改質面が形成さ
れ、その上に前記柱状突起が設けられてなることを特徴
とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 少なくとも一方の基板の１主面に表示電
極と液晶配向膜を形成している２枚の基板と、これらの
２枚の基板のうち少なくとも一方の基板の１主面に形成
される絶縁膜と、この絶縁膜上に金属層を介して設けら
れ前記２枚の基板を所定の間隙を一定に保つための柱状
突起と、前記間隙に挟持された液晶とからなる液晶表示
素子において、前記柱状突起の設置される部位の金属層
面は酸化改質面に形成され、その上に前記柱状突起が設
けられてなることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項３】 ２枚の基板のうち少なくとも一方の基板
の１主面に表示電極を形成する工程と、前記基板のうち
少なくとも一方の基板の１主面に前記２枚の基板を所望
の間隙にて一定に保つための柱状突起をフォトリソグラ
フィー法にて形成する工程と、前記基板の柱状突起を形
成する一主面に液晶配向膜を形成する工程と、所望の間
隙に前記２枚の基板の１主面同士を対向させ、前記間隙
に液晶層を挟持させる工程からなる液晶表示素子の製造
方法において、前記フォトリソグラフィー法により柱状
突起を形成する工程の前に、少なくとも前記柱状突起を
形成する領域の基板表面を表面が無機質の場合は酸化改
質し、また表面が有機質の場合は酸化膜を形成する工程
を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項４】 基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、紫外線照射法でありオゾンを含む環境によ
り酸化改質を行うことを特徴とする請求項３記載の液晶
表示素子の製造方法。 - 【請求項５】 基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、オゾン灰化法であることを特徴とする請求
項３記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項６】 基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、酸素プラズマ法であることを特徴とする請
求項３記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項７】 基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、過酸化水素水への浸漬法であることを特徴
とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、オゾンを含む水溶液への浸漬法であること
を特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項９】基板表面の酸化改質または酸化膜を形成す
る工程が、陽極酸化法であることを特徴とする請求項３
記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】基板表面の酸化改質または酸化膜を形成
する工程が、反応性スパッタ法を用いた連続成膜法であ
ることを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25849797A JPH1195194A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25849797A JPH1195194A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195194A true JPH1195194A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17321036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25849797A Pending JPH1195194A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195194A (ja) |
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- 1997-09-24 JP JP25849797A patent/JPH1195194A/ja active Pending
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