JPH1192966A - エッチング液濃度制御装置 - Google Patents
エッチング液濃度制御装置Info
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- JPH1192966A JPH1192966A JP9256609A JP25660997A JPH1192966A JP H1192966 A JPH1192966 A JP H1192966A JP 9256609 A JP9256609 A JP 9256609A JP 25660997 A JP25660997 A JP 25660997A JP H1192966 A JPH1192966 A JP H1192966A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
およびエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度
制御システムを提供する。 【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング装置
１１に、エッチング液の濃度測定ができるイオンクロマ
トグラフ１２と、その測定結果により添加量を算出する
ことのできる制御装置１３と、所定のエッチング液をエ
ッチング装置１１に供給するエッチング液添加装置１４
を設ける。これにより、燐酸と硝酸と酢酸と水混合系エ
ッチング液を設定濃度範囲に制御する。またスプレー式
エッチング装置のエッチング液の組成変化を硝酸と酢酸
を必要量添加することにより、エッチング液の組成を安
定化させることができ、エッチング液の濃度制御を行う
ことによりエッチング形状およびエッチング速度を所定
範囲内に制御し安定化させることができる。
およびエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度
制御システムを提供する。 【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング装置
１１に、エッチング液の濃度測定ができるイオンクロマ
トグラフ１２と、その測定結果により添加量を算出する
ことのできる制御装置１３と、所定のエッチング液をエ
ッチング装置１１に供給するエッチング液添加装置１４
を設ける。これにより、燐酸と硝酸と酢酸と水混合系エ
ッチング液を設定濃度範囲に制御する。またスプレー式
エッチング装置のエッチング液の組成変化を硝酸と酢酸
を必要量添加することにより、エッチング液の組成を安
定化させることができ、エッチング液の濃度制御を行う
ことによりエッチング形状およびエッチング速度を所定
範囲内に制御し安定化させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス板を基板と
して用い、その一主表面上に形成されるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加工す
る際、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御する
装置に関するものである。さらに詳しくは、液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）アレイ基板に用いられるゲート配線及
びソース配線のアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御
する装置に関するものである。
して用い、その一主表面上に形成されるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加工す
る際、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御する
装置に関するものである。さらに詳しくは、液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）アレイ基板に用いられるゲート配線及
びソース配線のアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜の断面を一定角度のテーパ形状に制御
する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェットエッチング方式によるア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜
のテーパ加工技術は、例えば特開平６−１２２９８２号
公報に示されている。以下に従来のウェットエッチング
方式によるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチ
ング液のテーパ加工技術について説明する。
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜
のテーパ加工技術は、例えば特開平６−１２２９８２号
公報に示されている。以下に従来のウェットエッチング
方式によるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属薄膜の燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチ
ング液のテーパ加工技術について説明する。
【０００３】図３はこの従来のテーパ加工技術のメカニ
ズムを各工程毎に示す断面図である。図３（Ａ）におい
て、基板として例えばガラス基板を用い、このガラス基
板１上にアルミニウム金属薄膜２を約３００ｎｍの膜厚
で全面に堆積する。堆積方法としてはスパッタリング法
や電子ビーム蒸着法などが用いられる。そして、通常の
フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウム金属薄膜
２の上に所望のレジストパターン３を形成する。この時
フォトレジストのポストベーク温度もエッチング形状に
大きな影響を与えるが、例えば約１３５℃でポストベー
クを行う。
ズムを各工程毎に示す断面図である。図３（Ａ）におい
て、基板として例えばガラス基板を用い、このガラス基
板１上にアルミニウム金属薄膜２を約３００ｎｍの膜厚
で全面に堆積する。堆積方法としてはスパッタリング法
や電子ビーム蒸着法などが用いられる。そして、通常の
フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウム金属薄膜
２の上に所望のレジストパターン３を形成する。この時
フォトレジストのポストベーク温度もエッチング形状に
大きな影響を与えるが、例えば約１３５℃でポストベー
クを行う。
【０００４】そして、図３（Ｂ）に示すようにエッチン
グ液として、濃度８５重量％の燐酸と、濃度６１重量％
の硝酸と、酢酸と、水を、それぞれ１６部と４部と４部
と１部に容量混合し、４０℃にてアルミニウム金属膜を
パターニングする。エッチング装置としては、バッチ浸
漬式やスプレー式などが用いられる。約３００ｎｍの膜
厚のアルミニウム金属薄膜は、初期はウェットエッチン
グの特徴である縦方向と横方向に均一にエッチングが進
行するが、エッチングが進むに従い、エッチング液の成
分である硝酸がレジストとアルミニウム金属薄膜の界面
へしみこみ、レジストを膨潤させ、横方向のエッチング
が縦方向より進行する（矢印Ｘ、Ｘ´）。この間のエッ
チング終了時間は、一例として、ほぼ１分３０秒で３０
％のオーバーエッチング時間を加え２分間のエッチング
である。
グ液として、濃度８５重量％の燐酸と、濃度６１重量％
の硝酸と、酢酸と、水を、それぞれ１６部と４部と４部
と１部に容量混合し、４０℃にてアルミニウム金属膜を
パターニングする。エッチング装置としては、バッチ浸
漬式やスプレー式などが用いられる。約３００ｎｍの膜
厚のアルミニウム金属薄膜は、初期はウェットエッチン
グの特徴である縦方向と横方向に均一にエッチングが進
行するが、エッチングが進むに従い、エッチング液の成
分である硝酸がレジストとアルミニウム金属薄膜の界面
へしみこみ、レジストを膨潤させ、横方向のエッチング
が縦方向より進行する（矢印Ｘ、Ｘ´）。この間のエッ
チング終了時間は、一例として、ほぼ１分３０秒で３０
％のオーバーエッチング時間を加え２分間のエッチング
である。
【０００５】最後にフォトレジストを除去すると、図３
（Ｃ）に示すように約６０°のテーパ角度を持つアルミ
ニウム金属薄膜のパターン４が形成される。図４はこの
燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング液の硝酸濃
度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の関係を示す。
同図よりアルミニウム金属薄膜は、レジストの密着性が
硝酸濃度に依存するので、断面のテーパ形状が２０°か
ら８０°までの範囲で制御することができる。
（Ｃ）に示すように約６０°のテーパ角度を持つアルミ
ニウム金属薄膜のパターン４が形成される。図４はこの
燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング液の硝酸濃
度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の関係を示す。
同図よりアルミニウム金属薄膜は、レジストの密着性が
硝酸濃度に依存するので、断面のテーパ形状が２０°か
ら８０°までの範囲で制御することができる。
【０００６】図５（Ａ）は硝酸濃度５ｗｔ％と、図５
（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％と、図５（Ｃ）は硝酸濃度１
１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を観
察した電子顕微鏡写真を示す。
（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％と、図５（Ｃ）は硝酸濃度１
１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を観
察した電子顕微鏡写真を示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うなアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金
属薄薄膜のテーパ加工技術では、ウェットエッチング装
置の方式によりエッチング液の濃度変化に差が生じる。
この濃度変化は、従来のバッチ浸漬式エッチング装置よ
りも近年ガラス基板の大型化にともない、ウェットエッ
チングの主流になってきたスプレー式エッチング装置の
方が大きく、エッチング液のテーパ角度に相関のある硝
酸濃度変化にともない、テーパ角度が初期のエッチング
液供給時と比べ大きく変化してしまうという問題を有し
ていた。またエッチング速度に相関のある酢酸濃度変化
にともない、エッチング速度が初期のエッチング液供給
時と比べ大きく変化するという問題も有していた。
うなアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金
属薄薄膜のテーパ加工技術では、ウェットエッチング装
置の方式によりエッチング液の濃度変化に差が生じる。
この濃度変化は、従来のバッチ浸漬式エッチング装置よ
りも近年ガラス基板の大型化にともない、ウェットエッ
チングの主流になってきたスプレー式エッチング装置の
方が大きく、エッチング液のテーパ角度に相関のある硝
酸濃度変化にともない、テーパ角度が初期のエッチング
液供給時と比べ大きく変化してしまうという問題を有し
ていた。またエッチング速度に相関のある酢酸濃度変化
にともない、エッチング速度が初期のエッチング液供給
時と比べ大きく変化するという問題も有していた。
【０００８】本発明は、前記従来の技術の問題を解決す
るため、エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
及びエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度制
御装置を提供することを目的とする。
るため、エッチング液の濃度制御を行いエッチング形状
及びエッチング速度の制御を行えるエッチング液濃度制
御装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のエッチング液濃度制御装置は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング手段と、エッチング液の濃度
測定を自動測定する手段と、その測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度からエッチ
ング液の添加量を算出するための制御手段と、所定のエ
ッチング液をエッチング装置へ供給するエッチング液添
加手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。
め、本発明のエッチング液濃度制御装置は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング手段と、エッチング液の濃度
測定を自動測定する手段と、その測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度からエッチ
ング液の添加量を算出するための制御手段と、所定のエ
ッチング液をエッチング装置へ供給するエッチング液添
加手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１０】前記装置においては、エッチング液添加手
段が、制御手段からの電気信号により硝酸及び酢酸をエ
ッチング手段に自動添加することが好ましい。また前記
装置においては、エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と
水との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水であることが好ましい。
段が、制御手段からの電気信号により硝酸及び酢酸をエ
ッチング手段に自動添加することが好ましい。また前記
装置においては、エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と
水との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水であることが好ましい。
【００１１】また前記装置においては、エッチング液の
濃度測定を自動測定する手段が、イオンクロマトグラフ
であることが好ましい。本発明は前記した構成により、
エッチング装置のエッチング液の濃度測定を自動測定し
その結果を電気信号処理により、設定濃度範囲内にエッ
チング液の各成分が入るようにエッチング成分を自動添
加しエッチング濃度を制御することにより、エッチング
形状及びエッチング速度を所定範囲内に制御し安定化す
ることができる。
濃度測定を自動測定する手段が、イオンクロマトグラフ
であることが好ましい。本発明は前記した構成により、
エッチング装置のエッチング液の濃度測定を自動測定し
その結果を電気信号処理により、設定濃度範囲内にエッ
チング液の各成分が入るようにエッチング成分を自動添
加しエッチング濃度を制御することにより、エッチング
形状及びエッチング速度を所定範囲内に制御し安定化す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例における
エッチング液濃度制御システムの構成図を示すものであ
る。図１において、１１はガラス基板上のアルミニウム
またはアルミミウムを主成分とする金属薄膜をウェット
エッチングするスプレー式エッチング装置、１２はエッ
チング液の濃度測定を行うイオンクロマトグラフ、１３
は１２のイオンクロマトグラフの測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し必要イオン濃度からエッチン
グ液添加量を算出できる制御装置、１４は制御装置１３
からの電気信号により添加必要なエッチング液をエッチ
ング装置１１に自動添加できるエッチング液添加装置で
ある。
エッチング液濃度制御システムの構成図を示すものであ
る。図１において、１１はガラス基板上のアルミニウム
またはアルミミウムを主成分とする金属薄膜をウェット
エッチングするスプレー式エッチング装置、１２はエッ
チング液の濃度測定を行うイオンクロマトグラフ、１３
は１２のイオンクロマトグラフの測定結果を電気信号に
変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲と比較しそ
の差異を電気信号に変換し必要イオン濃度からエッチン
グ液添加量を算出できる制御装置、１４は制御装置１３
からの電気信号により添加必要なエッチング液をエッチ
ング装置１１に自動添加できるエッチング液添加装置で
ある。
【００１３】以上のように構成されたこの実施例のエッ
チング液濃度制御システムにおいて、以下その動作を説
明する。スプレー式エッチング装置１１は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング装置である。エッチング液
は、燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液であり、濃度が８５
重量％の燐酸と、６１重量％の硝酸と、９９．８重量％
酢酸と、残りが水で、それぞれ１６部と４部と４部と１
部に容量混合した溶液である。このエッチング液を用い
て、４０℃にてアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を、図３に示すテーパエッチング加工
技術を用いてパターニングした。イオンクロマトグラフ
１２は、エッチング装置１１のエッチングタンクからイ
ンラインでエッチング液を取り込み、任意に設定可能な
測定間隔により、燐酸と硝酸と酢酸の濃度測定を行っ
た。本実施例では、測定間隔を８時間毎に設定した。制
御装置１３は、イオンクロマトグラフ１２からの測定結
果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度
範囲と比較し、その差異を電気信号に変換し、必要イオ
ン濃度からエッチング液添加量を算出した。エッチング
液添加装置１４は、制御装置１３からの計算結果により
７０重量％硝酸と９９．８重量％酢酸をそれぞれ必要量
エッチング装置１１のエッチングタンク内に供給した。
チング液濃度制御システムにおいて、以下その動作を説
明する。スプレー式エッチング装置１１は、アルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微細加
工するウェットエッチング装置である。エッチング液
は、燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液であり、濃度が８５
重量％の燐酸と、６１重量％の硝酸と、９９．８重量％
酢酸と、残りが水で、それぞれ１６部と４部と４部と１
部に容量混合した溶液である。このエッチング液を用い
て、４０℃にてアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を、図３に示すテーパエッチング加工
技術を用いてパターニングした。イオンクロマトグラフ
１２は、エッチング装置１１のエッチングタンクからイ
ンラインでエッチング液を取り込み、任意に設定可能な
測定間隔により、燐酸と硝酸と酢酸の濃度測定を行っ
た。本実施例では、測定間隔を８時間毎に設定した。制
御装置１３は、イオンクロマトグラフ１２からの測定結
果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度
範囲と比較し、その差異を電気信号に変換し、必要イオ
ン濃度からエッチング液添加量を算出した。エッチング
液添加装置１４は、制御装置１３からの計算結果により
７０重量％硝酸と９９．８重量％酢酸をそれぞれ必要量
エッチング装置１１のエッチングタンク内に供給した。
【００１４】図２は本実施例と従来例のエッチング液の
液交換前後の変化を示すグラフで、図２（Ａ）硝酸濃度
変化、図２（Ｂ）酢酸濃度変化、図２（Ｃ）燐酸濃度変
化、図２（Ｄ）エッチング完了時間変化を示す。
液交換前後の変化を示すグラフで、図２（Ａ）硝酸濃度
変化、図２（Ｂ）酢酸濃度変化、図２（Ｃ）燐酸濃度変
化、図２（Ｄ）エッチング完了時間変化を示す。
【００１５】以上のようにこの実施例によれば、アルミ
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微
細加工するウェットエッチング装置に、エッチング液の
濃度測定が自動測定できるイオンクロマトグフと、その
測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設
定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換し必要イ
オン濃度からエッチング液の添加量を算出することがで
きる制御装置と、所定のエッチング液をエッチング装置
へ供給するエッチング液添加装置を設けることにより、
枚葉スプレー式エッチング装置の液組成変化を硝酸と酢
酸を必要量添加することによりエッチング液の組成を安
定化することができ、エッチング液の濃度制御を行うこ
とによりエッチング形状及びエッチング速度の制御及び
安定化を実施することができる。また、イオンクロマト
１２の測定結果がエッチング液の所定濃度範囲を越えた
場合は、硝酸と酢酸を任意に設定可能な添加量により任
意の添加間隔でエッチングタンクに供給することができ
る。
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄膜を微
細加工するウェットエッチング装置に、エッチング液の
濃度測定が自動測定できるイオンクロマトグフと、その
測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設
定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換し必要イ
オン濃度からエッチング液の添加量を算出することがで
きる制御装置と、所定のエッチング液をエッチング装置
へ供給するエッチング液添加装置を設けることにより、
枚葉スプレー式エッチング装置の液組成変化を硝酸と酢
酸を必要量添加することによりエッチング液の組成を安
定化することができ、エッチング液の濃度制御を行うこ
とによりエッチング形状及びエッチング速度の制御及び
安定化を実施することができる。また、イオンクロマト
１２の測定結果がエッチング液の所定濃度範囲を越えた
場合は、硝酸と酢酸を任意に設定可能な添加量により任
意の添加間隔でエッチングタンクに供給することができ
る。
【００１６】なお、この実施例において濃度測定装置１
２はイオンクロマトグラフとしたが、吸光度法を用いた
濃度測定装置としてもよい。また、エッチング液添加装
置１４は硝酸と酢酸を添加したが、燐酸と硝酸と酢酸を
それぞれ個別にする添加装置及び硝酸と酢酸などの混合
液の添加装置としてもよい。
２はイオンクロマトグラフとしたが、吸光度法を用いた
濃度測定装置としてもよい。また、エッチング液添加装
置１４は硝酸と酢酸を添加したが、燐酸と硝酸と酢酸を
それぞれ個別にする添加装置及び硝酸と酢酸などの混合
液の添加装置としてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄
膜を微細加工するウェットエッチング手段と、エッチン
グ液の濃度測定を自動測定する手段と、その測定結果を
電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲
と比較しその差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度
からエッチング液の添加量を算出するための制御手段
と、所定のエッチング液をエッチング装置へ供給するエ
ッチング液添加手段とを少なくとも備えたことにより、
エッチング液の組成を安定化することができ、エッチン
グ液の濃度制御を行うことによりエッチング形状及びエ
ッチング速度の制御及び安定化を実施することができ、
その実用的効果は大きい。
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属薄
膜を微細加工するウェットエッチング手段と、エッチン
グ液の濃度測定を自動測定する手段と、その測定結果を
電気信号に変換しコンピュータに伝達し、設定濃度範囲
と比較しその差異を電気信号に変換し、必要イオン濃度
からエッチング液の添加量を算出するための制御手段
と、所定のエッチング液をエッチング装置へ供給するエ
ッチング液添加手段とを少なくとも備えたことにより、
エッチング液の組成を安定化することができ、エッチン
グ液の濃度制御を行うことによりエッチング形状及びエ
ッチング速度の制御及び安定化を実施することができ、
その実用的効果は大きい。
【図１】 本発明の実施例におけるエッチング液濃度制
御システムの構成図。
御システムの構成図。
【図２】 （Ａ）は本発明の実施例と従来例のエッチン
グ液の液交換前後の硝酸濃度変化を示すグラフ、（Ｂ）
は同、酢酸濃度変化を示すグラフ、（Ｃ）は同、燐酸濃
度変化を示すグラフ、（Ｄ）は同、エッチング完了時間
変化を示すグラフである。
グ液の液交換前後の硝酸濃度変化を示すグラフ、（Ｂ）
は同、酢酸濃度変化を示すグラフ、（Ｃ）は同、燐酸濃
度変化を示すグラフ、（Ｄ）は同、エッチング完了時間
変化を示すグラフである。
【図３】 従来例のテーパ加工技術のメカニズムを各工
程毎に示す断面図で、（Ａ）はガラス基板の上にＡｌ金
属薄膜を形成し、その上にフォトレジストを形成した
図、（Ｂ）はエッチング途中の図、（Ｃ）はエッチング
が完了した図である。
程毎に示す断面図で、（Ａ）はガラス基板の上にＡｌ金
属薄膜を形成し、その上にフォトレジストを形成した
図、（Ｂ）はエッチング途中の図、（Ｃ）はエッチング
が完了した図である。
【図４】 燐酸と硝酸と酢酸と水の混合液のエッチング
液の硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の相
関図。
液の硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ角度の相
関図。
【図５】 硝酸濃度とアルミニウム金属薄膜のテーパ形
状を観察した電子顕微鏡写真図で、（Ａ）は硝酸濃度５
ｗｔ％、（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％、（Ｃ）は硝酸濃度
１１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を
観察した図である。
状を観察した電子顕微鏡写真図で、（Ａ）は硝酸濃度５
ｗｔ％、（Ｂ）は硝酸濃度９ｗｔ％、（Ｃ）は硝酸濃度
１１ｗｔ％の時のアルミニウム金属薄膜のテーパ形状を
観察した図である。
１ ガラス基板 ２ Ａｌ金属薄膜 ３ フォトレジスト １１ スプレー式エッチング装置 １２ イオンクロマトグラフ １３ 制御装置 １４ エッチング液添加装置
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする金属薄膜を微細加工するウェットエッチング手
段と、エッチング液の濃度測定を自動測定する手段と、
その測定結果を電気信号に変換しコンピュータに伝達
し、設定濃度範囲と比較しその差異を電気信号に変換
し、必要イオン濃度からエッチング液の添加量を算出す
るための制御手段と、所定のエッチング液をエッチング
装置へ供給するエッチング液添加手段とを少なくとも備
えたことを特徴とするエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項２】 エッチング液添加手段が、制御手段から
の電気信号により硝酸及び酢酸をエッチング手段に自動
添加する請求項１に記載のエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項３】 エッチング液が、燐酸と硝酸と酢酸と水
との混合液であり、その割合が、燐酸３０〜８０重量
％、硝酸０〜３０重量％、酢酸０〜３０重量％、残りが
水である請求項１に記載のエッチング液濃度制御装置。 - 【請求項４】 エッチング液の濃度測定を自動測定する
手段が、イオンクロマトグラフである請求項１に記載の
エッチング液濃度制御装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP9256609A JPH1192966A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | エッチング液濃度制御装置 |
| TW087113439A TW432122B (en) | 1997-09-22 | 1998-08-14 | Etching apparatus, etching method, and wiring board manufactured by the same method |
| KR1019980038933A KR100313632B1 (ko) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | 에칭장치및에칭방법및그방법에의해작성된배선기판 |
| CNB98119690XA CN1196809C (zh) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | 浸蚀装置、浸蚀方法及用该方法制得的线路板 |
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| JP9256609A JPH1192966A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | エッチング液濃度制御装置 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH1192966A (ja) |
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