[go: up one dir, main page]

JPH1187247A - 半導体装置の製造装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH1187247A
JPH1187247A JP9237144A JP23714497A JPH1187247A JP H1187247 A JPH1187247 A JP H1187247A JP 9237144 A JP9237144 A JP 9237144A JP 23714497 A JP23714497 A JP 23714497A JP H1187247 A JPH1187247 A JP H1187247A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
semiconductor device
manufacturing
reaction chamber
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9237144A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Chiwari
信浩 地割
Shinichi Imai
伸一 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP9237144A priority Critical patent/JPH1187247A/ja
Priority to US09/145,127 priority patent/US6669812B2/en
Publication of JPH1187247A publication Critical patent/JPH1187247A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H01J2237/0225—Detecting or monitoring foreign particles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ加工を行う際に、プラズマが消滅し
たときに微粒子が落下することに起因する被加工物への
微粒子の付着を防止する。 【解決手段】 反応室１の内部に電極５が設置されてお
り、メイン排気管３０に設けられたターボ分子ポンプ１
１とドライポンプ１２によって、反応室１は真空に維持
される。電極５の上に基板４を設置して反応室１内にガ
スを導入し、高周波電源８により電極５及び基板４に電
圧を印加して、反応室１内にプラズマを発生させる。プ
ラズマグロー領域２とプラズマシース３との境界部とほ
ぼ同一面上に多数の開口を有する排気管１４が設置さ
れ、この多数の開口は両者の境界部の周囲を取り囲んで
いる。プラズマグロー領域２とプラズマシース３の境界
部にトラップされている反応生成物等の微粒子は排気管
１４からすみやかに排出される。さらに、開口の全面に
集塵電極を設けてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
た半導体装置の製造装置及びその製造方法に係り、特に
微粒子の被加工物への付着の抑制対策に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体デバイスの製造に関する種
々の段階でプラズマプロセスが用いられているが、プラ
ズマプロセスにおいて、ソースガスの分解や被加工物と
の反応等により発生した反応生成物等の微粒子が発生す
ることが知られている。多くの微粒子は反応室の排気ポ
ートからガスとともに排気されるが、一部の微粒子が基
板に付着することにより、種々の加工不良を生ぜしめ、
半導体デバイスの不良品の大きな発生原因となってい
る。したがって、半導体デバイスの歩留りを上げるため
には、プロセス中に基板の表面にできるだけ微粒子や他
の汚染物質が付着しないように製造することが必要であ
る。
【０００３】そこで、従来より、プラズマ加工における
反応生成物等の微粒子の発生の抑制や基板への付着の防
止対策に関して多くの提案がなされているが、未だ根本
的な解決には至っていないのが現状であり、半導体デバ
イスの微細化，高集積化に伴い、ますます微粒子の付着
防止対策は重要性を増している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、プラズマ中に
発生した微粒子は、反応室内においてプラズマシースと
プラズマグロー領域の界面付近に捕捉されていることが
知られている(参考文献：T.Fukuzawa,et.al.,Jpn.J.App
l.Phys.,33,4212(1994).)。そして、例えばエッチング
装置を用いた場合、エッチングプロセスが終了し、プラ
ズマが消滅すると、プラズマシースとプラズマグロー領
域の界面付近に捕捉されていた微粒子が基板上に落下
し、デバイスの歩留りを下げるという問題があった。
【０００５】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、プラズマを利用した半導体装置の
製造装置において、プラズマシーズとプラズマグロー領
域の界面付近に捕捉されている微粒子の基板への落下を
抑制する手段を講ずることにより、被加工物の歩留まり
の向上を図ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１〜２に記載されている第１の
半導体装置の製造装置に関する手段と、請求項３〜５に
記載されている第２の半導体装置の製造装置に関する手
段と、請求項６〜８に記載されている第３の半導体装置
の製造装置に関する手段と、請求項９〜１０に記載され
ている上記第１〜第３の半導体装置の製造装置における
特殊な構造に関する手段と、請求項１１〜１２に記載さ
れている半導体装置の製造方法に関する手段とを講じて
いる。
【０００７】本発明の第１の半導体装置の製造装置は、
請求項１に記載されているように、被加工物を設置して
プラズマ処理を行うための反応室と、上記反応室内にお
ける被加工物が設置される領域の上方に、プラズマグロ
ー領域とその下方のプラズマシースとを有するプラズマ
を発生させるためのプラズマ発生装置と、上記プラズマ
グロー領域とプラズマシースの境界部付近に少なくとも
１つの開口を有する排気管と、上記排気管に介設された
排気装置とを備えている。
【０００８】これにより、プラズマ処理の進行に伴い反
応生成物等の微粒子がプラズマグロー領域とプラズマシ
ースとの境界部付近に捕捉されるが、この微粒子が開口
から排気管を介して排出される。したがって、プラズマ
が消滅したときには、プラズマグロー領域とプラズマシ
ースとの境界部付近に存在する微粒子の数が低減され、
被加工物への微粒子の付着が抑制されることになる。
【０００９】請求項２に記載されているように、請求項
１において、上記排気管の開口を上記プラズマグロー領
域とプラズマシースの境界部の外側を取り囲むように配
置しておくことが好ましい。
【００１０】これにより、さらに効果的に微粒子の数を
低減することが可能となる。
【００１１】本発明の第２の半導体装置の製造装置は、
請求項３に記載されているように、被加工物を設置して
プラズマ処理を行うための反応室と、上記反応室内にお
ける被加工物が設置される領域の上方にプラズマグロー
領域とその下方のプラズマシースとを有するプラズマを
発生させるためのプラズマ発生装置と、上記プラズマグ
ロー領域とプラズマシースの境界部付近に配設され、正
電位にバイアスされた集塵電極とを備えている。
【００１２】これにより、プラズマ処理の進行に伴い反
応生成物等の微粒子が負に帯電した状態でプラズマグロ
ー領域とプラズマシースとの境界部付近に捕捉される
が、この微粒子が正電位にバイアスされた集塵電極に集
められる。したがって、プラズマが消滅したときには、
プラズマグロー領域とプラズマシースとの境界部付近に
存在する微粒子の数が低減され、被加工物への微粒子の
付着が抑制されることになる。
【００１３】請求項４に記載されているように、請求項
２において、上記集塵電極を上記プラズマグロー領域と
プラズマシースの境界部の外側を取り囲むように配置す
ることが好ましい。
【００１４】これにより、さらに効果的に微粒子の数を
低減することが可能となる。
【００１５】請求項５に記載されているように、請求項
３又は４において、上記集塵電極の外方に開口を有する
排気管と、上記排気管に介設された排気装置とをさらに
備えることが好ましい。
【００１６】これにより、集塵電極に集められた微粒子
が排気管を介して外方に排出されるので、反応室全体に
おける微粒子の数が低減し、被加工物への微粒子の付着
が抑制されることになる。
【００１７】本発明の第３の半導体装置の製造装置は、
請求項６に記載されているように、被加工物を設置して
プラズマ処理を行うための反応室と、上記反応室内にお
ける被加工物が設置される領域の上方に、プラズマグロ
ー領域とその下方のプラズマシースとを有するプラズマ
を発生させるためのプラズマ発生装置と、上記プラズマ
グロー領域とプラズマシースの境界部付近に配設され、
上記被加工物が設置される領域の端部よりも内方の位置
に焦点を有する集光部材と、上記集光部材に光を照射す
るための光供給部材とを備えている。
【００１８】これにより、プラズマ処理の進行に伴い反
応生成物等の微粒子がプラズマグロー領域とプラズマシ
ースとの境界部付近に捕捉されるが、この微粒子が集光
部材の作用により、被加工物が設置される領域の外方に
移動させられる。したがって、プラズマが消滅したとき
には、プラズマグロー領域とプラズマシースとの境界部
付近に存在する微粒子の数が低減され、被加工物への微
粒子の付着が抑制されることになる。
【００１９】請求項７に記載されているように、請求項
６において、上記焦点の位置を、上記集光部材及び光照
射部材の制御により被加工物の径方向に移動可能に構成
することができる。
【００２０】これにより、確実に微粒子を除去すること
が可能になる。
【００２１】請求項８に記載されているように、請求項
６において、上記集光部材及び光照射部材の複数組を上
記プラズマグロー領域とプラズマシースの境界部の外側
を取り囲むように配置することが好ましい。
【００２２】これにより、さらに効果的に微粒子の付着
を抑制することができる。
【００２３】請求項９に記載されているように、請求項
６，７又は８において、上記集光部材の下方に上記反応
室内からガスを排出するための排気口を配置することが
好ましい。
【００２４】これにより、被加工物が設置される領域の
外方に移動させられた微粒子が速やかに排気口から排出
されるので、反応室全体における微粒子の数が速やかに
低減され、被加工物への微粒子の付着がより効果的に抑
制される。
【００２５】請求項１０に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つにおいて、上記プラズマ発
生装置として、容量結合型プラズマを発生させるものを
用いることができる。
【００２６】請求項１１に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つにおいて、上記プラズマ発
生装置として、マイクロ波共鳴プラズマを発生させるも
のを用いることができる。
【００２７】請求項１２に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つにおいて、上記プラズマ発
生装置として、誘導結合プラズマを発生させるものを用
いることができる。
【００２８】請求項１３に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つにおいて、上記プラズマ発
生装置として、ヘリコン波プラズマを発生させるものを
用いることができる。
【００２９】本発明の半導体装置の製造方法は、請求項
１４に記載されているように、プラズマ処理を行うため
の反応室に被加工物を設置するステップと、上記反応室
内における被加工物が設置される領域の上方に、プラズ
マグロー領域とその下方のプラズマシースとを有するプ
ラズマを発生させるステップと、上記プラズマのプラズ
マグロー領域とプラズマシースの境界部に捕捉されてい
るプラズマ反応生成物等の微粒子を上記被加工物が設置
される領域の上方に位置する領域の外方まで移動させる
ステップとを備えている。
【００３０】この方法により、プラズマ処理の進行に伴
い反応生成物等の微粒子がプラズマグロー領域とプラズ
マシースとの境界部付近に捕捉されるが、この微粒子が
被加工物が設置される領域の外方に集められる。したが
って、プラズマが消滅したときには、プラズマグロー領
域とプラズマシースとの境界部付近に存在する微粒子の
数が低減され、被加工物への微粒子の付着が抑制される
ことになる。
【００３１】請求項１５に記載されているように、請求
項１４において、上記微粒子を反応室から排出するステ
ップをさらに備えることが好ましい。
【００３２】この方法により、被加工物が設置される領
域の外方に移動させられた微粒子が速やかに反応室の外
に排出されるので、反応室全体における微粒子の数が速
やかに低減され、被加工物への微粒子の付着がより効果
的に抑制される。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【００３４】（第１の実施形態）まず、本発明の第１の
実施形態について説明する。
【００３５】図１は本発明の第１の実施形態に係る半導
体装置の製造装置の構成を部分的に断面図で示すブロッ
ク図である。図１において、１は反応室、２はプラズマ
グロー領域、３はプラズマシース、４は被加工物である
基板、５は電極、６はコンデンサ、７は整合器、８は高
周波電源、９は高周波電力の給電線、１０はアース線、
１１はターボ分子ポンプ、１２はドライポンプ、１３は
ガス供給口、３０はメイン排気管、１４は微粒子除去用
排気管をそれぞれ示す。
【００３６】同図に示すように、反応室１の内部に電極
５が設置されており、メイン排気管３０に設けられたタ
ーボ分子ポンプ１１とドライポンプ１２によって、反応
室１は真空に維持できるように構成されている。そし
て、電極５の上に基板４を設置した状態でガス供給口１
３より反応室１の内部にガスを導入し、高周波電源８に
より、電極５及び基板４に電圧を印加すると、反応室１
内にプラズマが発生するように構成されている。
【００３７】上述のように、プラズマグロー領域２と基
板４の間にはプラズマシース３が発生するが、プラズマ
加工等によって生じた微粒子はプラズマグロー領域２と
プラズマシース３の境界部にトラップされている。
【００３８】ここで、本実施形態の特徴は、プラズマグ
ロー領域２とプラズマシース３との境界部とほぼ同一面
上に多数の開口を有する排気管１４が設置されている、
つまり、多数の開口は両者の境界部の周囲を取り囲むよ
うに反応室１の側壁全体に亘って所定間隔ごとに配置さ
れている。また、図示しないが、この排気管１４はメイ
ン排気管３０に設けられているターボ分子ポンプ１１，
ドライポンプ１２とは別の真空引き装置に接続されてい
る。
【００３９】このような構成により、プラズマグロー領
域２とプラズマシース３との境界部付近に捕捉されてい
る微粒子は、排気管１４からすみやかに排出される。よ
って、プラズマが消滅したときにはプラズマグロー領域
２とプラズマシース３の境界部付近の微粒子はほとんど
除去されており、基板４上への微粒子の落下が抑制され
ることになる。
【００４０】以上のように、第１の実施形態によれば、
プラズマグロー領域２とプラズマシース３の境界部付近
に開口を有する排気管１４が設置されていることによ
り、微粒子の付着が極めて少ない半導体装置の製造に適
した製造装置を提供できる。
【００４１】なお、本実施形態では、排気管１４の開口
を反応室１の側壁全体に亘って設けたが、２〜４カ所あ
るいは１カ所でも微粒子を除去する効果を発揮すること
は可能である。
【００４２】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。
【００４３】図２は、第２の実施形態に係る半導体装置
の製造装置の構成を部分的に断面図で示すブロック図で
ある。図２において、１は反応室、２はプラズマグロー
領域、３はプラズマシース、４は被加工物である基板、
５は電極、６はコンデンサ、７は整合器、８は高周波電
源、９は高周波電力の給電線、１０はアース線、１１は
ターボ分子ポンプ、１２はドライポンプ、１３はガス供
給口、３０はメイン排気管、１４は排気管、１５は電圧
源、１６は集塵電極、１７は集塵電極１６への電力の給
電線をそれぞれ示す。
【００４４】同図に示すように、反応室１の内部に電極
５が設置されており、ターボ分子ポンプ１１とドライポ
ンプ１２によって、反応室１は真空に維持できるように
構成されている。そして、電極５の上に基板４を設置し
た状態でガス供給口１３より反応室１の内部にガスを導
入し、高周波電源８により、電極５及び基板４に電圧を
印加すると、反応室１内にプラズマが発生するように構
成されている。
【００４５】上述のように、プラズマグロー領域２と基
板４の間にはプラズマシース３が発生するが、プラズマ
加工等によって生じた微粒子はプラズマグロー領域２と
プラズマシース３の境界部にトラップされている。
【００４６】ここで、本実施形態においても、上記第１
の実施形態と同様に、プラズマグロー領域２とプラズマ
シース３との境界部とほぼ同一面上に多数の開口を有す
る排気管１４が設置されている、つまり、多数の開口は
両者の境界部の周囲を取り囲むように反応室１の側壁全
体に亘って一定間隔で形成されている。それに加え、本
実施形態では、排気管１４の開口の前方でプラズマグロ
ー領域２とプラズマシース３との境界部を取り囲むよう
にメッシュ状の集塵電極１６が設置されており、この集
塵電極１６は給電線１７を介して電圧源１５に接続され
正電位にバイアスされている。
【００４７】このような構成により、プラズマグロー領
域２とプラズマシース３との境界部付近に捕捉されてい
る微粒子は負に帯電しているので、集塵電極１６に捕捉
され、その後排気管１４から排出される。よって、プラ
ズマが消滅したときにはプラズマグロー領域２とプラズ
マシース３の境界部付近の微粒子はほとんど除去されて
おり、基板４上への微粒子の落下が抑制されることにな
る。
【００４８】図３は、第２の実施形態に係る半導体装置
の製造装置の微粒子の動きを説明するための図であっ
て、図２のうち集塵電極１６が設置されている領域の付
近を拡大して示す図である。ただし、２０は微粒子を示
す。
【００４９】同図に示すように、プラズマグロー領域２
とプラズマシース３の境界部に捕獲されている負に帯電
した微粒子２０は、電圧源１５により正電位にバイアス
された集塵電極１６にクーロン力によって引き寄せら
れ、その後、集塵電極１６の穴を通って排気管１４から
排出される。
【００５０】以上のように、第２の実施形態によれば、
電極５の周辺に集塵電極１６が設置されていることによ
り、微粒子の付着が極めて少ない半導体装置の製造に適
した製造装置を提供できる。
【００５１】なお、本実施形態では、排気管１４の開口
を反応室１の側壁全体に亘って設けたが、２〜４カ所あ
るいは１カ所でも微粒子を除去する効果を発揮すること
は可能である。
【００５２】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。
【００５３】図４は、本発明の第３の実施形態に係る半
導体装置の製造装置の構成を部分的に断面図で示すブロ
ック図である。図４において、１は反応室、２はプラズ
マグロー領域、３はプラズマシース、４は被加工物であ
る基板、５は電極、６はコンデンサ、７は整合器、８は
高周波電源、９は高周波電力の給電線、１０はアース
線、１１はターボ分子ポンプ、１２はドライポンプ、１
３はガス供給口、３０はメイン排気管、１８は集光部材
であるレンズ、１９は光照射部材であるレーザー照射口
をそれぞれ示す。
【００５４】同図に示すように、反応室１の内部に電極
５が設置されており、ターボ分子ポンプ１１とドライポ
ンプ１２によって、反応室１は真空に維持できるように
構成されている。そして、電極５の上に基板４を設置し
た状態でガス供給口１３より反応室１の内部にガスを導
入し、高周波電源８により、電極５及び基板４に電圧を
印加すると、反応室１内にプラズマが発生するように構
成されている。
【００５５】上述のように、プラズマグロー領域２と基
板４の間にはプラズマシース３が発生するが、プラズマ
加工等によって生じた微粒子はプラズマグロー領域２と
プラズマシース３の境界部にトラップされている。
【００５６】ここで、本実施形態の特徴は、プラズマグ
ロー領域２とプラズマシース３の境界部と同一面上で、
かつ排気管３０の開口の上方付近にレーザー照射口１９
が設置されており、レンズ１８を介して両者の境界部付
近にレーザー光が導入される点である。この構成によ
り、プラズマグロー領域２とプラズマシース３の境界部
付近に捕捉されている微粒子は、レーザー光の作用によ
り、レンズ１８側に移動させられ、その後、メイン配管
３０の排気口から排出される。ただし、レンズ１８の焦
点の位置は、レーザー制御部（図示せず）を操作するこ
とで、基板４の直径方向に移動可能に構成されている。
よって、プラズマが消滅したときにはプラズマグロー領
域２とプラズマシース３の境界部付近の基板４の表面の
微粒子はほとんど除去されており、基板４上への微粒子
の落下が抑制されることになる。
【００５７】図５（ａ），（ｂ）は、本実施形態におけ
るレーザー光によって微粒子を移動させる原理を示す図
であって、図４のレンズ１８が設置されている領域の付
近を拡大して示す図である。ただし、２０は微粒子、２
１はレーザー光の行路である。レーザー光はｎ１・Ｉ／
ｃ（ｎ１は屈折率、Ｉは光強度、ｃは光速度）の運動量
を持っているので、異なる屈折率ｎ２を有する微粒子２
０に入ると運動量が変化して、微粒子２０に力が作用す
る。この場合、屈折率が変化する４つの部分Ａ１，Ａ
２，Ｂ１，Ｂ２で４つの力Ｆa1，Ｆa2，Ｆb1，Ｆb2が微
粒子２０に作用する。
【００５８】図５（ｂ）に示すように、４つの力Ｆa1，
Ｆa2，Ｆb1，Ｆb2の合力Ｆはレンズ１８の側に微粒子２
０を動かすように作用する。また、レンズ１８の焦点の
位置を直径方向に移動させることも考慮すると、微粒子
２０を基板上に落下させることなく、基板４の全面上の
排気管３０の開口直上の位置まで移動させることができ
るので、微粒子が基板に付着するのを防ぐことができ
る。
【００５９】以上のように、第３の実施形態によれば、
プラズマグロー領域２とプラズマシース３との境界部と
同一線上にレーザー照射口１４が設置され、集光部材及
び光照射部材を制御することにより、焦点の位置を比較
物表面の径方向に移動可能にすること、微粒子の少ない
半導体装置の製造装置を提供できる。
【００６０】なお、本実施形態では、メイン排気管３０
の開口を１カ所とし、それに対応させて、レーザー光の
照射口１９及びレンズ１８も１カ所にしか配設されてい
ないが、本発明は斯かる実施形態に限定されるものでは
ない。例えば、メイン配管３０又は第１の実施形態のよ
うな別の真空装置による排気管の開口を数カ所に設け、
その上方に同じ個数のレーザー光の照射口１９及びレン
ズ１８を設けてもよい。また、排気管の開口の位置とは
一致しない位置に排気管の開口の数とは一致しない個数
のレーザー光の照射口１９及びレンズ１８を配置して
も、基板の外方に微粒子を移動させることは可能である
ので、本実施形態と同様の効果を発揮することができ
る。
【００６１】また、本実施形態のような凸レンズに代え
て、凹面鏡，フレネルレンズ等の均等部材を設置するこ
とができる。さらに、レーザー光に代えて、白色光等を
使用することも可能である。
【００６２】なお、本発明においては、プラズマ発生装
置として、容量結合型プラズマ，マイクロ波共鳴プラズ
マ，誘導結合プラズマ，ヘリコン波プラズマ等のいずれ
を用いてもよい。
【００６３】
【発明の効果】請求項１〜２及びこれらを引用した請求
項１０〜１３によれば、プラズマ処理を行う半導体装置
の製造装置として、反応室内におけるプラズマグロー領
域とプラズマシースの境界部付近に少なくとも１つの開
口を有する排気管を設けたので、プラズマグロー領域と
プラズマシースとの境界部付近に捕捉されている反応生
成物等の微粒子を開口から排気管を介して排出すること
により、プラズマが消滅したときにおける微粒子の被加
工物への落下を抑制することができる。
【００６４】請求項３〜５及びこれらを引用した請求項
１０〜１３によれば、プラズマ処理を行う半導体装置の
製造装置として、反応室内におけるプラズマグロー領域
とプラズマシースの境界部付近に、正電位にバイアスさ
れた集塵電極を設けたので、プラズマグロー領域とプラ
ズマシースとの境界部付近に捕捉されている反応生成物
等の微粒子を被加工物が設置される領域の外方に集める
ことにより、プラズマが消滅したときにおける微粒子の
被加工物への落下を抑制することができる。
【００６５】請求項６〜９及びこれらを引用した請求項
１０〜１３によれば、プラズマ処理を行う半導体装置の
製造装置として、反応室内におけるプラズマグロー領域
とプラズマシースの境界部付近に、被加工物が設置され
る領域の端部よりも内方の位置に焦点を有する集光部材
と光供給部材とを設けたので、プラズマグロー領域とプ
ラズマシースとの境界部付近に捕捉されている反応生成
物等の微粒子を被加工物が設置される領域の外方に移動
させることにより、プラズマが消滅したときにおける微
粒子の被加工物への落下を抑制することができる。
【００６６】請求項１４〜１５によれば、プラズマ処理
を伴う半導体装置の製造方法として、プラズマグロー領
域とプラズマシースとの境界部付近に捕捉されている反
応生成物等の微粒子を被加工物が設置される領域の外方
に移動させるようにしたので、プラズマが消滅したとき
における微粒子の被加工物への落下を抑制することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製
造装置の構成を部分的に断面図で示すブロック図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製
造装置の構成を部分的に断面図で示すブロック図であ
る。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製
造装置を使用したときの微粒子の動きを示す図２の部分
拡大図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製
造装置の構成を部分的に断面図で示すブロック図であ
る。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製
造装置をしようしたときのレーザー光による微粒子移動
の原理を示す図４の部分拡大図である。
【符号の説明】
１ 反応室 ２ プラズマグロー領域 ３ プラズマシース ４ 基板 ５ 電極 ６ コンデンサ ７ 整合器 ８ 高周波電源 ９ 給電線 １０ アース線 １１ ターボ分子ポンプ １２ ドライポンプ １３ ガス供給口 １４ 排気管 １５ 電圧源 １６ 集塵電極 １７ 給電線 １８ レンズ（集光部材） １９ レーザー照射口（光照射部材） ２０ 微粒子 ２１ レーザー光の行路 ３０ メイン排気管

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被加工物を設置してプラズマ処理を行う
    ための反応室と、 上記反応室内における被加工物が設置される領域の上方
    に、プラズマグロー領域とその下方のプラズマシースと
    を有するプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置
    と、 上記プラズマグロー領域とプラズマシースの境界部付近
    に少なくとも１つの開口を有する排気管と、 上記排気管に介設された排気装置とを備えている半導体
    装置の製造装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造装置
    において、 上記排気管の開口は、上記プラズマグロー領域とプラズ
    マシースの境界部の外側を取り囲むように配置されてい
    ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  3. 【請求項３】 被加工物を設置してプラズマ処理を行う
    ための反応室と、 上記反応室内における被加工物が設置される領域の上方
    に、プラズマグロー領域とその下方のプラズマシースと
    を有するプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置
    と、 上記プラズマグロー領域とプラズマシースの境界部付近
    に配設され、正電位にバイアスされた集塵電極とを備え
    ている半導体装置の製造装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体装置の製造装置
    において、 上記集塵電極は、上記プラズマグロー領域とプラズマシ
    ースの境界部の外側を取り囲むように配置されているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造装置。
  5. 【請求項５】 請求項３又は４に記載の半導体装置の製
    造装置において、 上記集塵電極の外方に開口を有する排気管と、 上記排気管に介設された排気装置とをさらに備えている
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  6. 【請求項６】 被加工物を設置してプラズマ処理を行う
    ための反応室と、 上記反応室内における被加工物が設置される領域の上方
    に、プラズマグロー領域とその下方のプラズマシースと
    を有するプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置
    と、 上記プラズマグロー領域とプラズマシースの境界部付近
    に配設され、上記被加工物が設置される領域の端部より
    も内方の位置に焦点を有する集光部材と、 上記集光部材に光を照射するための光照射部材とを備え
    ている半導体装置の製造装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体装置の製造装置
    において、 上記焦点の位置が、上記集光部材及び光照射部材の制御
    により被加工物の径方向に移動可能に構成されているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造装置。
  8. 【請求項８】 請求項６に記載の半導体装置の製造装置
    において、 上記集光部材及び光照射部材の複数組が、上記プラズマ
    グロー領域とプラズマシースの境界部の外側を取り囲む
    ように配置されていることを特徴とする半導体装置の製
    造装置。
  9. 【請求項９】 請求項６，７又は８に記載の半導体装置
    の製造装置において、 上記集光部材の下方に、上記反応室内からガスを排出す
    るための排気口が配置されていることを特徴とする半導
    体装置の製造装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記プラズマ発生装置は、容量結合型プラズマを発生さ
    せるものであることを特徴とする半導体装置の製造装
    置。
  11. 【請求項１１】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記プラズマ発生装置は、マイクロ波共鳴プラズマを発
    生させるものであることを特徴とする半導体装置の製造
    装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記プラズマ発生装置は、誘導結合プラズマを発生させ
    るものであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
    載の半導体装置の製造装置において、 上記プラズマ発生装置は、ヘリコン波プラズマを発生さ
    せるものであることを特徴とする半導体装置の製造装
    置。
  14. 【請求項１４】 プラズマ処理を行うための反応室に被
    加工物を設置するステップと、 上記反応室内における被加工物が設置される領域の上方
    に、プラズマグロー領域とその下方のプラズマシースと
    を有するプラズマを発生させるステップと、 上記プラズマのプラズマグロー領域とプラズマシースの
    境界部に捕捉されているプラズマ反応生成物等の微粒子
    を、上記被加工物が設置される領域の上方に位置する領
    域の外方まで移動させるステップとを備えている半導体
    装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体装置の製造方
    法において、 上記微粒子を反応室から排出するステップをさらに備え
    ていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP9237144A 1997-09-02 1997-09-02 半導体装置の製造装置及びその製造方法 Withdrawn JPH1187247A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9237144A JPH1187247A (ja) 1997-09-02 1997-09-02 半導体装置の製造装置及びその製造方法
US09/145,127 US6669812B2 (en) 1997-09-02 1998-09-01 Apparatus and method for fabricating semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9237144A JPH1187247A (ja) 1997-09-02 1997-09-02 半導体装置の製造装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1187247A true JPH1187247A (ja) 1999-03-30

Family

ID=17011067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9237144A Withdrawn JPH1187247A (ja) 1997-09-02 1997-09-02 半導体装置の製造装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6669812B2 (ja)
JP (1) JPH1187247A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184489B1 (en) * 1998-04-13 2001-02-06 Nec Corporation Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles
KR100446875B1 (ko) * 2000-01-12 2004-09-04 동경 엘렉트론 주식회사 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
AU2002218653A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus for measuring temperatures of a wafer using specular reflection spectroscopy
KR100506259B1 (ko) * 2002-01-14 2005-08-05 주성엔지니어링(주) 액정표시장치의 제조장치
JP4294976B2 (ja) * 2003-02-27 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20080142481A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 White John M In-situ particle collector
JP4838736B2 (ja) * 2007-01-25 2011-12-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR20080105617A (ko) * 2007-05-31 2008-12-04 삼성모바일디스플레이주식회사 화학기상증착장치 및 플라즈마강화 화학기상증착장치
JP5397215B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 ソニー株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59207620A (ja) * 1983-05-10 1984-11-24 Zenko Hirose アモルフアスシリコン成膜装置
US4664938A (en) * 1985-05-06 1987-05-12 Phillips Petroleum Company Method for deposition of silicon
JPS62262433A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Hitachi Ltd 表面処理方法
JP2701363B2 (ja) * 1988-09-12 1998-01-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びそれに使用する薄膜形成装置
JPH02258048A (ja) * 1989-03-31 1990-10-18 Hitachi Ltd 真空処理方法及び装置
US5015492A (en) * 1989-04-03 1991-05-14 Rutgers University Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films
JP3301152B2 (ja) * 1993-04-01 2002-07-15 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
US5347138A (en) * 1993-04-01 1994-09-13 High Yield Technology In situ real time particle monitor for a sputter coater chamber
US5366559A (en) * 1993-05-27 1994-11-22 Research Triangle Institute Method for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect
US5456796A (en) 1993-06-02 1995-10-10 Applied Materials, Inc. Control of particle generation within a reaction chamber
JPH07211645A (ja) * 1994-01-12 1995-08-11 Nissin Electric Co Ltd プラズマ処理装置
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
US6037313A (en) * 1994-09-16 2000-03-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method and apparatus for depositing superconducting layer onto the substrate surface via off-axis laser ablation
US5985032A (en) * 1995-05-17 1999-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus
US5968379A (en) * 1995-07-14 1999-10-19 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods
JPH09213679A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Kansai Ltd 真空装置
US5993678A (en) * 1996-07-31 1999-11-30 Toyo Technologies Inc. Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate
JPH10158842A (ja) * 1996-12-03 1998-06-16 Toshiba Corp 成膜装置
US5904800A (en) * 1997-02-03 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor wafer processing chamber for reducing particles deposited onto the semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US20010047849A1 (en) 2001-12-06
US6669812B2 (en) 2003-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5328555A (en) Reducing particulate contamination during semiconductor device processing
KR101204175B1 (ko) 구성부품의 세정 방법 및 기억 매체
US6500268B1 (en) Dry cleaning method
US5472550A (en) Method and apparatus for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect
JP4504061B2 (ja) プラズマ処理方法
TWI611457B (zh) 電漿處理設備、其清洗系統以及控制方法
JPH1187247A (ja) 半導体装置の製造装置及びその製造方法
US20090241992A1 (en) Cleaning substrate and cleaning method
US20080057222A1 (en) Plasma processing apparatus of substrate and plasma processing method thereof
CN1606145B (zh) 防止微粒附着装置和等离子体处理装置
EP3129833B1 (en) Apparatus for cleaning an object
JP2000003902A (ja) 半導体製造装置のパ―ティクル除去装置及びパ―ティクルの除去方法
JP3194552B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
TW202331926A (zh) 用於晶圓去吸附及健康監控的系統
JPH0684837A (ja) プラズマ処理装置
JP5101438B2 (ja) パーティクルモニタ及びそれを備えた基板処理装置
CN112192323A (zh) 一种无亚表面损伤抛光设备及方法
JPH07106307A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH04171918A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005116821A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ生成方法
KR20230049965A (ko) 기판의 모니터링 방법, 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 및 그를 이용한 기판 처리 시스템
KR20070070866A (ko) 플라즈마 처리장치 및 이의 세정 방법
JP2885150B2 (ja) ドライエッチング装置のドライクリーニング方法
JPS59117227A (ja) ウエハ処理装置
KR100741916B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 그 세정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041102