JPH118231A - Heat treatment equipment - Google Patents
Heat treatment equipmentInfo
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- JPH118231A JPH118231A JP15964997A JP15964997A JPH118231A JP H118231 A JPH118231 A JP H118231A JP 15964997 A JP15964997 A JP 15964997A JP 15964997 A JP15964997 A JP 15964997A JP H118231 A JPH118231 A JP H118231A
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- metal pipe
- heat treatment
- corrosive gas
- treatment apparatus
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な電気絶縁耐圧を有するゲート酸化膜を
形成するようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置30は、金属配管18のガス
導入端20及びガス導出端22にそれぞれ設けられた開
閉弁24A、Bと、開閉弁24A、Bの間に分岐して接
続された分岐管32と、分岐管32の先端に設けられた
真空排気装置34とを備えている。分岐管32は、金属
配管18の近傍に開閉弁36を有している。熱処理装置
30のチャンバ内に腐食性ガスを輸送するには、開閉弁
24A、Bを何れも開にして腐食性ガスを輸送する。輸
送終了後、開閉弁24A、Bを閉にし、真空排気装置3
4を作動させ、開閉弁36を開にして金属配管18内を
真空吸引する。これにより、腐食性ガスの輸送後、金属
配管18内に腐食性ガスが残留することはない。
(57) Abstract: Provided is a heat treatment apparatus for forming a gate oxide film having good electric breakdown voltage. SOLUTION: A heat treatment apparatus 30 includes on-off valves 24A, B provided at a gas inlet end 20 and a gas outlet end 22 of a metal pipe 18, respectively, and a branch pipe branched and connected between the on-off valves 24A, B. 32, and a vacuum exhaust device 34 provided at the tip of the branch pipe 32. The branch pipe 32 has an on-off valve 36 near the metal pipe 18. In order to transport the corrosive gas into the chamber of the heat treatment apparatus 30, the corrosive gas is transported by opening both the open / close valves 24A and 24B. After the transportation, the on-off valves 24A and 24B are closed, and the evacuation device 3
4 is operated, the on-off valve 36 is opened, and the inside of the metal pipe 18 is evacuated. Thus, the corrosive gas does not remain in the metal pipe 18 after the transport of the corrosive gas.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを処理する
熱処理装置に関し、更に詳しくは、良質なゲート酸化膜
を形成するようにした熱処理装置に関するものである。The present invention relates to a heat treatment apparatus for processing a wafer, and more particularly, to a heat treatment apparatus for forming a high-quality gate oxide film.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造に用いる熱処理装置で
は、腐食性ガスを用いてチャンバ内でウエハ処理するこ
とが多い。例えば、チャンバ内のガス雰囲気に塩化水素
ガスを導入して、そのガス雰囲気内で酸化工程を行った
り、酸化工程後にチャンバ内を塩化水素ガス雰囲気にし
て更に熱処理工程を行ったりしている。このような熱処
理装置は、一般に、金属配管により腐食性ガスをチャン
バ内に輸送するようにした腐食性ガス輸送機構を備えて
いる。図4は、MOS型半導体素子にゲート酸化膜を形
成する従来の熱処理装置の一例を示す概念的側面図であ
る。従来の熱処理装置10は、ウエハを処理するチャン
バとして石英ガラス管12と、石英ガラス管12にテフ
ロン製チューブ14を介して接続された腐食性ガス輸送
機構16とを備えている。腐食性ガス輸送機構16は、
腐食性ガスを輸送する金属配管18と、金属配管18の
ガス導入端20及びガス導出端22にそれぞれ設けられ
た開閉弁24A、Bと、ガス導入端20に接続されたガ
スボンベ等のガス供給源26とを備えている。金属配管
18は、通常、ステンレス製である。尚、金属配管18
を全てテフロン製チューブに代えることは、配管を任意
の形状にして配設することができず、好ましくない。2. Description of the Related Art In a heat treatment apparatus used for manufacturing a semiconductor device, a wafer is often processed in a chamber using a corrosive gas. For example, a hydrogen chloride gas is introduced into a gas atmosphere in a chamber, and an oxidation step is performed in the gas atmosphere, or a heat treatment step is further performed in a hydrogen chloride gas atmosphere in the chamber after the oxidation step. Such a heat treatment apparatus generally includes a corrosive gas transport mechanism configured to transport a corrosive gas into a chamber by a metal pipe. FIG. 4 is a conceptual side view showing an example of a conventional heat treatment apparatus for forming a gate oxide film on a MOS type semiconductor device. The conventional heat treatment apparatus 10 includes a quartz glass tube 12 as a chamber for processing a wafer, and a corrosive gas transport mechanism 16 connected to the quartz glass tube 12 via a Teflon tube 14. The corrosive gas transport mechanism 16
A metal pipe 18 for transporting the corrosive gas, on-off valves 24A and 24B provided at a gas inlet 20 and a gas outlet 22 of the metal pipe 18, and a gas supply source such as a gas cylinder connected to the gas inlet 20. 26. The metal pipe 18 is usually made of stainless steel. In addition, metal piping 18
It is not preferable to replace all of them with Teflon tubes, since the pipes cannot be arranged in any shape.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の熱処理
装置を用いてウエハ処理を行うと、ゲート酸化膜に不純
物として鉄分が取り込まれ、ゲート酸化膜の電気絶縁耐
圧が低下すると言う問題があった。以上のような事情に
照らして、本発明の目的は、良好な電気絶縁耐圧を有す
るゲート酸化膜を形成するようにした熱処理装置を提供
することである。However, when wafer processing is performed using a conventional heat treatment apparatus, there is a problem that iron is taken in as an impurity in the gate oxide film and the electric breakdown voltage of the gate oxide film is reduced. . In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that forms a gate oxide film having a good electric withstand voltage.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の熱処
理装置10を用いると鉄分が不純物として取り込まれる
原因を検討し、金属配管18に着目した。更に、本発明
者は、腐食性ガス内に含まれる水蒸気などの種々の要因
により金属配管18内に水滴が付着することが多く、こ
のため、例えば塩化水素のような腐食性ガスが水滴に溶
解して、例えば塩酸のような腐食液が金属配管18内に
付着していることに着目した。そして、金属配管18は
ステンレス製で耐腐食性が良いものの、溶接部28等の
耐腐食性の弱い部位が金属配管18に形成されている場
合、この部位が腐食されて配管内に鉄分が放出され、ゲ
ート酸化膜内に取り込まれることを突き止めた。尚、溶
接部では、金属組成が溶接時の熱によって変化している
ため、耐腐食性が弱くなっている。そこで、本発明者
は、鋭意検討の結果、腐食性ガス輸送機構16により腐
食性ガスを輸送した後、金属配管18内を真空吸引する
ことにより残留している腐食性ガスを排気することを考
え付き、本発明を完成するに至った。Means for Solving the Problems The present inventor studied the cause of iron being taken in as an impurity when the conventional heat treatment apparatus 10 was used, and focused on the metal pipe 18. Further, the present inventor often finds that water droplets adhere to the metal pipe 18 due to various factors such as water vapor contained in the corrosive gas, so that a corrosive gas such as hydrogen chloride dissolves in the water droplets. Then, attention was paid to the fact that a corrosive liquid such as hydrochloric acid adhered to the metal pipe 18. Although the metal pipe 18 is made of stainless steel and has good corrosion resistance, when a part having low corrosion resistance such as the welded portion 28 is formed in the metal pipe 18, this part is corroded and iron is released into the pipe. And found that it is taken into the gate oxide film. In addition, in the welded portion, the corrosion resistance is weak because the metal composition is changed by the heat at the time of welding. Then, as a result of earnest examination, the present inventor considers that the corrosive gas is transported by the corrosive gas transport mechanism 16 and then the remaining corrosive gas is exhausted by vacuum-sucking the inside of the metal pipe 18. Thus, the present invention has been completed.
【0005】上記目的を達成するために、本発明に係る
熱処理装置は、ウエハを熱処理するチャンバと、チャン
バ内に腐食性ガスを輸送する金属配管と、金属配管のガ
ス導入端及びガス導出端にそれぞれ設けられた開閉弁と
を有している熱処理装置において、開閉弁付き排気管
が、金属配管の両開閉弁の間から分岐して真空排気系に
接続されていることを特徴としている。In order to achieve the above object, a heat treatment apparatus according to the present invention comprises a chamber for heat treating a wafer, a metal pipe for transporting a corrosive gas into the chamber, and a gas inlet and a gas outlet of the metal pipe. In a heat treatment apparatus having an on-off valve provided respectively, an exhaust pipe with an on-off valve is branched from between both on-off valves of a metal pipe and connected to a vacuum exhaust system.
【0006】金属配管の材質は、ステンレス製であるこ
とが多いが、特に限定しない。本発明に係る腐食性ガス
輸送用配管構造を用いて腐食性ガスを輸送するには、ガ
ス導入端及びガス導出端の開閉弁を何れも開にして腐食
性ガスを輸送する。輸送終了後、ガス導入端及びガス導
出端の開閉弁を閉にし、次いで、真空排気系統の開閉弁
を開にし、金属配管内を真空吸引する。これにより、腐
食性ガスの輸送後、金属配管内に腐食性ガスが残留する
ことはない。The material of the metal pipe is often made of stainless steel, but is not particularly limited. In order to transport the corrosive gas by using the corrosive gas transport piping structure according to the present invention, the corrosive gas is transported by opening both of the on-off valves at the gas inlet and the gas outlet. After the transportation is completed, the on-off valves at the gas introduction end and the gas outlet end are closed, then the on-off valves of the vacuum exhaust system are opened, and the inside of the metal pipe is evacuated. Thus, the corrosive gas does not remain in the metal pipe after the transport of the corrosive gas.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例は、MOS型半導体素子にゲート酸化膜を
形成するために用いる熱処理装置の例である。図1は、
本実施形態例の熱処理装置の側面図である。本実施形態
例では、従来と同じものには同じ符号を付してその説明
を省略する。本実施形態例の熱処理装置30は、従来の
熱処理装置10に比べ、金属配管18の開閉弁24A、
Bの間に接続された分岐管32と、分岐管32の先端に
設けられた真空排気装置34とを更に備えている。分岐
管32は、金属配管18の近傍に開閉弁36を有してい
る。開閉弁24A、B及び開閉弁36は、熱処理装置3
0を使用していないときは閉である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment This embodiment is an example of a heat treatment apparatus used for forming a gate oxide film on a MOS semiconductor device. FIG.
It is a side view of the heat processing apparatus of this example of an embodiment. In the present embodiment, the same components as those in the related art are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The heat treatment apparatus 30 of the present embodiment is different from the conventional heat treatment apparatus 10 in that the open / close valve 24A of the metal pipe 18 is provided.
Further, there is further provided a branch pipe 32 connected between B and an evacuation device 34 provided at the tip of the branch pipe 32. The branch pipe 32 has an on-off valve 36 near the metal pipe 18. The on-off valves 24A and 24B and the on-off valve 36
It is closed when 0 is not used.
【0008】図2及び図3は、本実施形態例での弁開閉
状態を示す図である。図2及び図3では、黒色の弁は
閉、白抜きの弁は開を意味する。熱処理装置30を用い
て腐食性ガスをチャンバ内に供給するには、図2に示す
ように、開閉弁24A、Bを開にして腐食性ガスを輸送
する。輸送を終了する際、開閉弁24A、Bを閉にし、
真空排気装置34を作動させ、更に、開閉弁36を開に
する(図3参照)。この結果、金属配管18内に残留し
ている腐食性ガスが排気される。FIG. 2 and FIG. 3 are views showing the valve opening / closing state in this embodiment. In FIGS. 2 and 3, a black valve means closed, and a white valve means open. In order to supply the corrosive gas into the chamber using the heat treatment apparatus 30, as shown in FIG. 2, the on-off valves 24A and 24B are opened to transport the corrosive gas. When ending the transportation, close the on-off valves 24A and B,
The evacuation device 34 is operated, and the on-off valve 36 is opened (see FIG. 3). As a result, the corrosive gas remaining in the metal pipe 18 is exhausted.
【0009】これにより、腐食性ガスの輸送後、金属配
管18内に腐食性ガスが残留しないので、金属配管18
内に付着した水滴に溶解する腐食性ガス量が大幅に低減
され、溶接部28等の耐腐食性の弱い部位の腐食量が大
幅に低減される。従って、金属配管18内に放出される
鉄分が大幅に低減されるので、純度の高い腐食性ガスが
輸送される。よって、MOS型半導体素子のゲート酸化
膜に混入する鉄分が大幅に低減するので、良好な電気絶
縁耐圧を有するゲート酸化膜を形成することができる。
尚、好ましくは、腐食性ガスを輸送する直前に、開閉弁
36を開にして金属配管18内を排気する。これによ
り、更に純度の高い腐食性ガスを輸送することができ
る。[0009] Thus, after the corrosive gas is transported, no corrosive gas remains in the metal pipe 18.
The amount of corrosive gas that dissolves in water droplets adhering to the inside is greatly reduced, and the amount of corrosion in a portion having low corrosion resistance such as the welded portion 28 is greatly reduced. Therefore, the iron content released into the metal pipe 18 is greatly reduced, so that highly corrosive gas is transported. Therefore, the amount of iron mixed into the gate oxide film of the MOS type semiconductor element is significantly reduced, so that a gate oxide film having good electric breakdown voltage can be formed.
Preferably, immediately before transporting the corrosive gas, the on-off valve 36 is opened and the inside of the metal pipe 18 is exhausted. Thereby, a corrosive gas with higher purity can be transported.
【0010】[0010]
【発明の効果】本発明によれば、熱処理装置は、腐食性
ガスを輸送する金属配管の両開閉弁の間に、真空吸引に
より排気するようにした開閉弁付き真空排気系統を分岐
して備えている。これにより、腐食性ガスを輸送した
後、金属配管内に腐食性ガスが残留しないようにするこ
とができるので、金属配管内に付着している水滴に溶解
する腐食性ガス量が大幅に低減され、金属配管内に生じ
る腐食液が大幅に低減する。従って、金属配管内に放出
される金属成分量は、従来に比べて遥かに低減する。よ
って、本発明に係る熱処理装置を用いることにより、良
好なゲート酸化膜を形成することができる。また、金属
配管の腐食量が従来に比べて大幅に低減されるので、金
属配管の交換頻度が下がる。According to the present invention, the heat treatment apparatus is provided with a vacuum exhaust system with an on-off valve which is evacuated by vacuum suction between both on-off valves of a metal pipe for transporting corrosive gas. ing. As a result, it is possible to prevent the corrosive gas from remaining in the metal pipe after transporting the corrosive gas, so that the amount of the corrosive gas dissolved in water droplets adhering to the metal pipe is greatly reduced. In addition, the corrosive liquid generated in the metal pipe is greatly reduced. Therefore, the amount of the metal component released into the metal pipe is much reduced as compared with the conventional case. Therefore, a favorable gate oxide film can be formed by using the heat treatment apparatus according to the present invention. Further, since the amount of corrosion of the metal pipe is significantly reduced as compared with the conventional case, the frequency of replacing the metal pipe is reduced.
【図1】実施形態例の熱処理装置の側面図である。FIG. 1 is a side view of a heat treatment apparatus according to an embodiment.
【図2】実施形態例での弁開閉状態を示す側面図であ
る。FIG. 2 is a side view showing a valve opening and closing state in the embodiment.
【図3】実施形態例での弁開閉状態を示す側面図であ
る。FIG. 3 is a side view showing a valve opening and closing state in the embodiment.
【図4】従来の熱処理装置の腐食性ガス輸送機構の一例
を示す概念的側面図である。FIG. 4 is a conceptual side view showing an example of a corrosive gas transport mechanism of a conventional heat treatment apparatus.
10……熱処理装置、12……石英ガラス管、14……
テフロン製チューブ、16……腐食性ガス輸送機構、1
8……金属配管、20……ガス導入端、22……ガス導
出端、24A、B……開閉弁、26……ガス供給源、2
8……溶接部、30……熱処理装置、32……分岐管、
34……真空排気装置、36……開閉弁。10 ... heat treatment apparatus, 12 ... quartz glass tube, 14 ...
Teflon tube, 16 Corrosive gas transport mechanism, 1
8 metal pipe, 20 gas inlet end, 22 gas outlet end, 24A, B ... on-off valve, 26 gas supply source, 2
8 ... welded part, 30 ... heat treatment apparatus, 32 ... branch pipe,
34 ... evacuation device, 36 ... open / close valve.
Claims (1)
バ内に腐食性ガスを輸送する金属配管と、金属配管のガ
ス導入端及びガス導出端にそれぞれ設けられた開閉弁と
を有している熱処理装置において、 開閉弁付き排気管が、金属配管の両開閉弁の間から分岐
して真空排気系に接続されていることを特徴とする熱処
理装置。1. A heat treatment apparatus having a chamber for heat treating a wafer, a metal pipe for transporting a corrosive gas into the chamber, and on-off valves provided at a gas inlet end and a gas outlet end of the metal pipe. 3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein an exhaust pipe with an on-off valve is branched from between the on-off valves of the metal pipe and connected to a vacuum exhaust system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964997A JPH118231A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964997A JPH118231A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Heat treatment equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118231A true JPH118231A (en) | 1999-01-12 |
Family
ID=15698332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15964997A Pending JPH118231A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Heat treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118231A (en) |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP15964997A patent/JPH118231A/en active Pending
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