JPH118111A - バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス - Google Patents
バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランスInfo
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- JPH118111A JPH118111A JP9176322A JP17632297A JPH118111A JP H118111 A JPH118111 A JP H118111A JP 9176322 A JP9176322 A JP 9176322A JP 17632297 A JP17632297 A JP 17632297A JP H118111 A JPH118111 A JP H118111A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
- H01F17/06—Fixed inductances of the signal type with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
- H01F17/062—Toroidal core with turns of coil around it
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ６００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できる
高特性のバルントランスを可能とするためのバルントラ
ンス用コア材料とバルントランス用コア、および、６０
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルントランス
を提供する。 【解決手段】 バルントランス用コア材料を非磁性体を
含有するものとし、このようなバルントランス用コア材
料を成形して焼成することによりバルントランス用コア
とし、このバルントランス用コアに巻線を施してバルン
トランスとする。
高特性のバルントランスを可能とするためのバルントラ
ンス用コア材料とバルントランス用コア、および、６０
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルントランス
を提供する。 【解決手段】 バルントランス用コア材料を非磁性体を
含有するものとし、このようなバルントランス用コア材
料を成形して焼成することによりバルントランス用コア
とし、このバルントランス用コアに巻線を施してバルン
トランスとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バルントランス用
コア材料、これを成形し焼成して得られるバルントラン
ス用コア、および、６００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使
用できるバルントランスに関する。
コア材料、これを成形し焼成して得られるバルントラン
ス用コア、および、６００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使
用できるバルントランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】バルントランス（Balance to Unbalance
transformerの頭文字をとってＢＡＬＵＮと略す）は、
不平衡回路と平衡回路との接続をスムーズに行うための
変換部品であり、各種電子機器、例えば、通信回路内の
アンテナ部等に用いられている。そして、近年の電子機
器の小型化、高周波化に伴い、電子機器の構成部品にお
いてもその対応が不可欠なものとなっており、バルント
ランスも例外ではない。
transformerの頭文字をとってＢＡＬＵＮと略す）は、
不平衡回路と平衡回路との接続をスムーズに行うための
変換部品であり、各種電子機器、例えば、通信回路内の
アンテナ部等に用いられている。そして、近年の電子機
器の小型化、高周波化に伴い、電子機器の構成部品にお
いてもその対応が不可欠なものとなっており、バルント
ランスも例外ではない。
【０００３】バルントランスは、通常、トロイダル状あ
るいはソレノイド状のバルントランス用コアに、金属か
らなる導体線を二重に巻き回して巻線（バイファイラル
巻線）を施した構造となっている。バルントランス用コ
アとしては、高透磁率のバルントランス用コア材料、例
えば、酸化物磁性体であるスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを成形し焼成したものが使用される。スピネ
ル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、透磁率と比抵抗が
比較的高く、バルントランス用コア材料に使用される他
に、高周波コイル等の種々の電子部品に非常に多く使用
されている。
るいはソレノイド状のバルントランス用コアに、金属か
らなる導体線を二重に巻き回して巻線（バイファイラル
巻線）を施した構造となっている。バルントランス用コ
アとしては、高透磁率のバルントランス用コア材料、例
えば、酸化物磁性体であるスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを成形し焼成したものが使用される。スピネ
ル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、透磁率と比抵抗が
比較的高く、バルントランス用コア材料に使用される他
に、高周波コイル等の種々の電子部品に非常に多く使用
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライトを含むスピネル型フェライトの透
磁率には周波数特性があり、フェライトが共鳴を始める
周波数よりも高い周波数帯域では透磁率が減少してしま
い、バルントランスとしての充分な特性が得られず、バ
ルントランスの高周波化に対応できないという問題があ
った。
Ｃｕ−Ｚｎフェライトを含むスピネル型フェライトの透
磁率には周波数特性があり、フェライトが共鳴を始める
周波数よりも高い周波数帯域では透磁率が減少してしま
い、バルントランスとしての充分な特性が得られず、バ
ルントランスの高周波化に対応できないという問題があ
った。
【０００５】このため、スピネル型フェライトの透磁率
を下げて共鳴の始まる周波数を高周波側に移動させるこ
とにより共鳴損失を低減させ、高周波で使用可能なバル
ントランスとすることが考えられる。しかし、フェライ
トには「スネークの限界線」という理論があり、共鳴の
始まる周波数をこの限界を超えた高周波帯域まで引き上
げることは不可能であり、高周波帯域で良好な特性を示
すバルントランスは未だ実現されていない。
を下げて共鳴の始まる周波数を高周波側に移動させるこ
とにより共鳴損失を低減させ、高周波で使用可能なバル
ントランスとすることが考えられる。しかし、フェライ
トには「スネークの限界線」という理論があり、共鳴の
始まる周波数をこの限界を超えた高周波帯域まで引き上
げることは不可能であり、高周波帯域で良好な特性を示
すバルントランスは未だ実現されていない。
【０００６】本発明は、上記のような実情に鑑みてなさ
れたものであり、６００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用
できる高特性のバルントランスを可能とするためのバル
ントランス用コア材料とバルントランス用コア、およ
び、６００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルン
トランスを提供することを目的とする。
れたものであり、６００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用
できる高特性のバルントランスを可能とするためのバル
ントランス用コア材料とバルントランス用コア、およ
び、６００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルン
トランスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のバルントランス用コア材料は、非磁
性体を含有するような構成とした。
るために、本発明のバルントランス用コア材料は、非磁
性体を含有するような構成とした。
【０００８】また、本発明のバルントランス用コア材料
は、前記非磁性体が酸化アルミニウムおよび酸化鉄のい
ずれかであるような構成とした。
は、前記非磁性体が酸化アルミニウムおよび酸化鉄のい
ずれかであるような構成とした。
【０００９】本発明のバルントランス用コアは、上記の
バルントランス用コア材料を成形し焼成した燒結体から
なるような構成とした。
バルントランス用コア材料を成形し焼成した燒結体から
なるような構成とした。
【００１０】本発明のバルントランスは、上記のバルン
トランス用コアに巻線を施してなるような構成とした。
トランス用コアに巻線を施してなるような構成とした。
【００１１】
【発明の実施の形態】バルントランス用コア材料 本発明のバルントランス用コア材料は、非磁性体を含有
することを特徴としている。本発明で用いる非磁性体と
しては、酸化アルミニウム、酸化鉄、フォルステライ
ト、ガラス等を挙げることができる。上記の非磁性体の
うち、酸化アルミニウムとしては、α−アルミナ粉末を
使用することができ、また、α−アルミナ粉末を主成分
としてβ−アルミナ粉末およびγ−アルミナ粉末等の１
種または２種以上を含有するものも使用することができ
る。また、酸化鉄としては、Ｆｅ2Ｏ3 粉末、Ｆｅ3 Ｏ4
（マグネタイト）粉末等の１種または２種以上の組み
合わせを使用することができる。これらの非磁性体は、
その平均粒径が０．１〜３０μｍの範囲にあることが好
ましい。バルントランス用コア 本発明のバルントランス用コアは、上述の本発明のバル
ントランス用コア材料とバインダーとを混合し、所定の
形状に成形した後、高温で焼成したものである。燒結体
であるバルントランス用コアの密度は、例えば、非磁性
体として酸化アルミニウムを用いた場合は３．５〜４．
０ｇ／ｃｃの範囲内、非磁性体として酸化鉄を用いた場
合は４．４〜５．３ｇ／ｃｃの範囲内であることが好ま
しい。また、バルントランス用コアの誘電率εは９〜２
３の範囲内にあることが好ましい。
することを特徴としている。本発明で用いる非磁性体と
しては、酸化アルミニウム、酸化鉄、フォルステライ
ト、ガラス等を挙げることができる。上記の非磁性体の
うち、酸化アルミニウムとしては、α−アルミナ粉末を
使用することができ、また、α−アルミナ粉末を主成分
としてβ−アルミナ粉末およびγ−アルミナ粉末等の１
種または２種以上を含有するものも使用することができ
る。また、酸化鉄としては、Ｆｅ2Ｏ3 粉末、Ｆｅ3 Ｏ4
（マグネタイト）粉末等の１種または２種以上の組み
合わせを使用することができる。これらの非磁性体は、
その平均粒径が０．１〜３０μｍの範囲にあることが好
ましい。バルントランス用コア 本発明のバルントランス用コアは、上述の本発明のバル
ントランス用コア材料とバインダーとを混合し、所定の
形状に成形した後、高温で焼成したものである。燒結体
であるバルントランス用コアの密度は、例えば、非磁性
体として酸化アルミニウムを用いた場合は３．５〜４．
０ｇ／ｃｃの範囲内、非磁性体として酸化鉄を用いた場
合は４．４〜５．３ｇ／ｃｃの範囲内であることが好ま
しい。また、バルントランス用コアの誘電率εは９〜２
３の範囲内にあることが好ましい。
【００１２】上記のバインダーとしては、ポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）等の水溶液、または、水を用いることができる。さ
らに、ＰＶＡは重合度の異なるものを２種以上混合した
ものを用いることができる。水溶液にした場合のＰＶＡ
等の固形分の割合は、０．５〜１５重量％の範囲が好ま
しい。このようなバインダーとバルントランス用コア材
料の混合割合は、例えば、バルントランス用コア材料バ
インダー１００重量部に対してバインダーが１〜１５重
量部となるような範囲で設定することができる。尚、バ
インダーは、カルボン酸系およびスルホン酸系等の分散
剤の１種以上を０〜２．０重量％の範囲で含有するもの
でもよい。
ルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）等の水溶液、または、水を用いることができる。さ
らに、ＰＶＡは重合度の異なるものを２種以上混合した
ものを用いることができる。水溶液にした場合のＰＶＡ
等の固形分の割合は、０．５〜１５重量％の範囲が好ま
しい。このようなバインダーとバルントランス用コア材
料の混合割合は、例えば、バルントランス用コア材料バ
インダー１００重量部に対してバインダーが１〜１５重
量部となるような範囲で設定することができる。尚、バ
インダーは、カルボン酸系およびスルホン酸系等の分散
剤の１種以上を０〜２．０重量％の範囲で含有するもの
でもよい。
【００１３】バルントランス用コアの形状は、トロイダ
ル形状、ソレノイド形状、メガネ形状等の従来のバルン
トランス用コア形状と同様であってよい。
ル形状、ソレノイド形状、メガネ形状等の従来のバルン
トランス用コア形状と同様であってよい。
【００１４】本発明のバルントランス用コアは透磁率を
有さず、比抵抗は１０6 Ω・ｃｍ以上でスピネル型Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを用いた従来のバルントランス
用コアと同程度である。バルントランス用コアの比抵抗
が低い場合（１０4 Ω・ｃｍ以下）、コアと巻線間、お
よび、コアの電極間の絶縁が保てなくなり好ましくな
い。バルントランス 本発明のバルントランスは、上述の本発明のバルントラ
ンス用コアに金属からなる導体線を二重に巻き回して巻
線（バイファイラル巻線）を施した構造となっている。
有さず、比抵抗は１０6 Ω・ｃｍ以上でスピネル型Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを用いた従来のバルントランス
用コアと同程度である。バルントランス用コアの比抵抗
が低い場合（１０4 Ω・ｃｍ以下）、コアと巻線間、お
よび、コアの電極間の絶縁が保てなくなり好ましくな
い。バルントランス 本発明のバルントランスは、上述の本発明のバルントラ
ンス用コアに金属からなる導体線を二重に巻き回して巻
線（バイファイラル巻線）を施した構造となっている。
【００１５】本発明のバルントランスの実施形態を図１
〜図３に示す。図１に示される本発明のバルントランス
１は、トロイダル形状の本発明のバルントランス用コア
２にペア線３を巻き回して巻線を施したものであり、図
２に示される本発明のバルントランス１１は、トロイダ
ル形状の本発明のバルントランス用コア１２に同軸線１
３を巻き回して巻線を施したものである。さらに、図３
に示される本発明のバルントランス２１は、貫通孔２２
ａ，２２ｂを備えたメガネ形状の本発明のバルントラン
ス用コア２２に同軸線２３を図示のように配設して巻線
を施したものである。
〜図３に示す。図１に示される本発明のバルントランス
１は、トロイダル形状の本発明のバルントランス用コア
２にペア線３を巻き回して巻線を施したものであり、図
２に示される本発明のバルントランス１１は、トロイダ
ル形状の本発明のバルントランス用コア１２に同軸線１
３を巻き回して巻線を施したものである。さらに、図３
に示される本発明のバルントランス２１は、貫通孔２２
ａ，２２ｂを備えたメガネ形状の本発明のバルントラン
ス用コア２２に同軸線２３を図示のように配設して巻線
を施したものである。
【００１６】本発明のバルントランスにおける巻線数
は、バルントランスの使用目的、バルントランス用コア
の形状、使用する導体線等に応じて適宜設定することが
でき、例えば、１〜３ターン程度とすることができる。
は、バルントランスの使用目的、バルントランス用コア
の形状、使用する導体線等に応じて適宜設定することが
でき、例えば、１〜３ターン程度とすることができる。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００１８】非磁性体としてのα−アルミナ粉末（平均
粒径０．５μｍ）からなるバルントランス用コア材料を
用いて下記組成のペーストを調製し、このペーストを用
いて図４に示されるように３つのブロック体３３ａ，３
３ａ，３３ｂを２つのブロック体３４で連結したような
Ｅ型形状のバルントランス用コア３１、および、ディス
ク形状の試験片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ2 ）し、下記
表１に示される温度で空気雰囲気中で２時間焼成した。
粒径０．５μｍ）からなるバルントランス用コア材料を
用いて下記組成のペーストを調製し、このペーストを用
いて図４に示されるように３つのブロック体３３ａ，３
３ａ，３３ｂを２つのブロック体３４で連結したような
Ｅ型形状のバルントランス用コア３１、および、ディス
ク形状の試験片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ2 ）し、下記
表１に示される温度で空気雰囲気中で２時間焼成した。
【００１９】 ペースト組成 ・バルントランス用コア材料 … ９０重量部 ・バインダー … １０重量部 ＰＶＡ（クラレ（株）製ＰＶＡ１２４）６％水溶液 得られたバルントランス用コア（試料１〜３）の密度、
誘電率および比抵抗を測定して下記の表１に示した。
尚、誘電率と比抵抗は下記の方法で測定した。
誘電率および比抵抗を測定して下記の表１に示した。
尚、誘電率と比抵抗は下記の方法で測定した。
【００２０】誘電率の測定方法 ディスク形状の試験片の端面にＩｎ−Ｇａ電極を設け、
ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製 ４２７５
Ａ）にて１ＭＨｚの容量を測定し、試料の外形寸法から
誘電率を算出する。
ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製 ４２７５
Ａ）にて１ＭＨｚの容量を測定し、試料の外形寸法から
誘電率を算出する。
【００２１】比抵抗の測定方法 ディスク形状の試験片の端面にＩｎ−Ｇａ電極を設け、
絶縁抵抗計（東亜電波工業（株）製 SUPER MEG OHM ME
TER SM-5E ）にて絶縁抵抗を測定し、試料の外形寸法か
ら比抵抗を算出する。
絶縁抵抗計（東亜電波工業（株）製 SUPER MEG OHM ME
TER SM-5E ）にて絶縁抵抗を測定し、試料の外形寸法か
ら比抵抗を算出する。
【００２２】
【表１】 バルントランス用コア（試料１〜３）は、いずれも密度
が３．８〜４．０ｇ／ｃｃの範囲内、誘電率εが９〜１
０の範囲内、比抵抗が１０10Ω・ｃｍレベルにあること
が確認された。
が３．８〜４．０ｇ／ｃｃの範囲内、誘電率εが９〜１
０の範囲内、比抵抗が１０10Ω・ｃｍレベルにあること
が確認された。
【００２３】また、非磁性体としての酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ
3 粉末、平均粒径０．８μｍ）からなるバルントランス
用コア材料を用いて下記組成のペーストを調製し、この
ペーストを用いて図４に示されるように３つのブロック
体３３ａ，３３ａ，３３ｂを２つのブロック体３４で連
結したようなＥ型形状のバルントランス用コア３２、お
よび、ディスク形状の試験片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ
2 ）し、下記表２に示される温度で空気雰囲気中で２時
間焼成した。
3 粉末、平均粒径０．８μｍ）からなるバルントランス
用コア材料を用いて下記組成のペーストを調製し、この
ペーストを用いて図４に示されるように３つのブロック
体３３ａ，３３ａ，３３ｂを２つのブロック体３４で連
結したようなＥ型形状のバルントランス用コア３２、お
よび、ディスク形状の試験片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ
2 ）し、下記表２に示される温度で空気雰囲気中で２時
間焼成した。
【００２４】 ペースト組成 ・バルントランス用コア材料 … ９０重量部 ・バインダー … １０重量部 ＰＶＡ（クラレ（株）製ＰＶＡ１２４）６％水溶液 得られたバルントランス用コア（試料４〜７）につい
て、密度、誘電率および比抵抗を上記と同様に測定して
下記の表２に示した。
て、密度、誘電率および比抵抗を上記と同様に測定して
下記の表２に示した。
【００２５】
【表２】 バルントランス用コア（試料４〜７）は、いずれも密度
が４．５〜５．０ｇ／ｃｃの範囲内、誘電率εが１７〜
２３の範囲内、比抵抗が１０7 〜１０10Ω・ｃｍの範囲
内にあることが確認された。
が４．５〜５．０ｇ／ｃｃの範囲内、誘電率εが１７〜
２３の範囲内、比抵抗が１０7 〜１０10Ω・ｃｍの範囲
内にあることが確認された。
【００２６】また、比較として、ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｚｎ
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 を酸化物換算組成（モル％）で４２Ｎｉ
Ｏ・４ＣｕＯ・６ＺｎＯ・４８Ｆｅ2 Ｏ3 となるように
秤量し、ボールミルにて湿式配合した後、９００℃の温
度で空気雰囲気中で２時間仮焼成し、その後、ボールミ
ルにて湿式粉砕してスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イトからなるバルントランス用コア材料とし、このバル
ントランス用コア材料を用いて上記と同様にペーストを
調製し、Ｅ型形状のバルントランス用コア３２（比較試
料）を作製した。
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 を酸化物換算組成（モル％）で４２Ｎｉ
Ｏ・４ＣｕＯ・６ＺｎＯ・４８Ｆｅ2 Ｏ3 となるように
秤量し、ボールミルにて湿式配合した後、９００℃の温
度で空気雰囲気中で２時間仮焼成し、その後、ボールミ
ルにて湿式粉砕してスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イトからなるバルントランス用コア材料とし、このバル
ントランス用コア材料を用いて上記と同様にペーストを
調製し、Ｅ型形状のバルントランス用コア３２（比較試
料）を作製した。
【００２７】次に、試料２（α−アルミナ粉末使用）、
試料６（Ｆｅ2 Ｏ3 粉末使用）および比較試料のＥ型形
状バルントランス用コア３２のブロック体３４にペア線
を巻き回して巻線（１ターン）を施してバルントランス
とし、作製したバルントランスについて、図５に示され
る測定回路でネットワークアナライザ（ヒューレットパ
ッカード社製 ＨＰ−８７５３）にて挿入損失を測定
し、結果を図６に示した。尚、図５に示される測定回路
は、測定精度を高めるために作製したバルントランスを
２個直列に接続しているので、図６に示される挿入損失
は２倍の値となっている。したがって、図６において挿
入損失が−３ｄＢの場合、バルントランス１個の挿入損
失は−１．５ｄＢとなり、挿入損失が０ｄＢに近いほど
バルントランスの特性は優れたものとなる。
試料６（Ｆｅ2 Ｏ3 粉末使用）および比較試料のＥ型形
状バルントランス用コア３２のブロック体３４にペア線
を巻き回して巻線（１ターン）を施してバルントランス
とし、作製したバルントランスについて、図５に示され
る測定回路でネットワークアナライザ（ヒューレットパ
ッカード社製 ＨＰ−８７５３）にて挿入損失を測定
し、結果を図６に示した。尚、図５に示される測定回路
は、測定精度を高めるために作製したバルントランスを
２個直列に接続しているので、図６に示される挿入損失
は２倍の値となっている。したがって、図６において挿
入損失が−３ｄＢの場合、バルントランス１個の挿入損
失は−１．５ｄＢとなり、挿入損失が０ｄＢに近いほど
バルントランスの特性は優れたものとなる。
【００２８】図６に示されるように、−５ｄＢ以上の挿
入損失が得られる周波数帯域は、本発明のバルントラン
ス試料２では５８０ＭＨｚ〜２ＧＨｚ、バルントランス
試料６では７００ＭＨｚ〜２．８ＧＨｚであり、また、
−２ｄＢ以上の挿入損失が得られる周波数帯域は、本発
明のバルントランス試料２では８５０ＭＨｚ〜１．４Ｇ
Ｈｚ、バルントランス試料６では１．１〜２．５ＧＨｚ
であり、比較試料のバルントランスに比べて高周波帯域
での挿入損失が大幅に少なく、６００ＭＨｚ以上の高周
波帯域での使用が可能であることが確認された。
入損失が得られる周波数帯域は、本発明のバルントラン
ス試料２では５８０ＭＨｚ〜２ＧＨｚ、バルントランス
試料６では７００ＭＨｚ〜２．８ＧＨｚであり、また、
−２ｄＢ以上の挿入損失が得られる周波数帯域は、本発
明のバルントランス試料２では８５０ＭＨｚ〜１．４Ｇ
Ｈｚ、バルントランス試料６では１．１〜２．５ＧＨｚ
であり、比較試料のバルントランスに比べて高周波帯域
での挿入損失が大幅に少なく、６００ＭＨｚ以上の高周
波帯域での使用が可能であることが確認された。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればバ
ルントランス用コア材料が含有する非磁性体は透磁率を
有しないので、従来のスピネル型フェライトにおいて高
周波帯域で問題となっていた透磁率の周波数特性の影響
を受けることがなく、このバルントランス用コア材料を
成形し焼成したバルントランス用コアは比抵抗が高く、
このようなバルントランス用コアに巻線を施したバルン
トランスは、従来のスピネル型フェライトを用いたバル
ントランスの特性低下が生じる６００ＭＨｚ以上の高周
波帯域にて優れた特性を備えるとともに、その小型高特
性化によるチップ化への可能性を開くものである。
ルントランス用コア材料が含有する非磁性体は透磁率を
有しないので、従来のスピネル型フェライトにおいて高
周波帯域で問題となっていた透磁率の周波数特性の影響
を受けることがなく、このバルントランス用コア材料を
成形し焼成したバルントランス用コアは比抵抗が高く、
このようなバルントランス用コアに巻線を施したバルン
トランスは、従来のスピネル型フェライトを用いたバル
ントランスの特性低下が生じる６００ＭＨｚ以上の高周
波帯域にて優れた特性を備えるとともに、その小型高特
性化によるチップ化への可能性を開くものである。
【図１】本発明のバルントランスの一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明のバルントランスの他の例を示す平面図
である。
である。
【図３】本発明のバルントランスの他の例を示す斜視図
である。
である。
【図４】実施例のバルントランスコアの形状を示す斜視
図である。
図である。
【図５】実施例での挿入損失の測定回路を示す図であ
る。
る。
【図６】バルントランスの挿入損失の測定結果を示す図
である。
である。
１，１１，２１…バルントランス ２，１２，２２，３２…バルントランス用コア ３…ペア線（導体線） １３，２３…同軸線（導体線）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 綱 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性体を含有することを特徴とするバ
ルントランス用コア材料。 - 【請求項２】 前記非磁性体は酸化アルミニウムおよび
酸化鉄のいずれかであることを特徴とする請求項１に記
載のバルントランス用コア材料。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のバルン
トランス用コア材料を成形し焼成した燒結体からなるこ
とを特徴とするバルントランス用コア。 - 【請求項４】 請求項３に記載のバルントランス用コア
に巻線を施してなることを特徴とするバルントランス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176322A JPH118111A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
| US09/094,473 US6114940A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-10 | BALUN transformer core material, BALUN transformer core and BALUN transformer |
| CNB981147917A CN1177337C (zh) | 1997-06-17 | 1998-06-17 | 平衡-不平衡变压器用铁心材料、铁心及变压器 |
| HK99101978.6A HK1017131B (en) | 1997-06-17 | 1999-05-03 | Balun transformer core material, balun transformer core and balun transformer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176322A JPH118111A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118111A true JPH118111A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=16011566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9176322A Pending JPH118111A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114940A (ja) |
| JP (1) | JPH118111A (ja) |
| CN (1) | CN1177337C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005041221A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Chang Sung Corporation | Unit block used in manufacturing core with soft magnetic metal powder, and method for manufacturing core with high current dc bias characteristics using the unit block |
| US9406865B2 (en) | 2011-08-19 | 2016-08-02 | Qualcomm Incorporated | Composite piezoelectric laterally vibrating resonator |
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| JP4684461B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | 磁性素子の製造方法 |
| US6531943B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-03-11 | Chung Shan Institute Of Science And Technology | Balun-transformer |
| US6927647B2 (en) * | 2002-06-11 | 2005-08-09 | Ernesto G. Starri | Two channels, high speed, RF switch |
| US6838954B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-01-04 | Harris Corporation | High efficiency quarter-wave transformer |
| US6963259B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-11-08 | Harris Corporation | High efficiency resonant line |
| US6731246B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-04 | Harris Corporation | Efficient loop antenna of reduced diameter |
| US6731244B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-04 | Harris Corporation | High efficiency directional coupler |
| US6727785B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-04-27 | Harris Corporation | High efficiency single port resonant line |
| US6750740B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-06-15 | Harris Corporation | High efficiency interdigital filters |
| US6794952B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-09-21 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
| US6753814B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-06-22 | Harris Corporation | Dipole arrangements using dielectric substrates of meta-materials |
| US6750820B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-06-15 | Harris Corporation | High efficiency antennas of reduced size on dielectric substrate |
| US6753744B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-06-22 | Harris Corporation | High efficiency three port circuit |
| US6720926B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-04-13 | Harris Corporation | System for improved matching and broadband performance of microwave antennas |
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| US6737932B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-18 | Harris Corporation | Broadband impedance transformers |
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| US6734827B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-11 | Harris Corporation | High efficiency printed circuit LPDA |
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| CN101567248B (zh) * | 2008-02-29 | 2012-07-25 | Tdk株式会社 | 使用鼓形芯的平衡-不平衡变压器 |
| CN101882503A (zh) * | 2010-06-21 | 2010-11-10 | 贵州航天电器股份有限公司 | 一种耦合变压器 |
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1997
- 1997-06-17 JP JP9176322A patent/JPH118111A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-10 US US09/094,473 patent/US6114940A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-17 CN CNB981147917A patent/CN1177337C/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN1177337C (zh) | 2004-11-24 |
| HK1017131A1 (en) | 1999-11-12 |
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