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JPH1166611A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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Publication number
JPH1166611A
JPH1166611A JP9240514A JP24051497A JPH1166611A JP H1166611 A JPH1166611 A JP H1166611A JP 9240514 A JP9240514 A JP 9240514A JP 24051497 A JP24051497 A JP 24051497A JP H1166611 A JPH1166611 A JP H1166611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric layer
layer
recording
recording medium
optical recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9240514A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Yoshinari
次郎 吉成
Hiroyasu Inoue
弘康 井上
Tatsuya Kato
達也 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP9240514A priority Critical patent/JPH1166611A/ja
Priority to US09/129,386 priority patent/US5978349A/en
Publication of JPH1166611A publication Critical patent/JPH1166611A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録マーク以外の領域（結晶状態）での記録
層の吸収率（Ａｃ）と記録マーク（非結晶状態）での記
録層の吸収率（Ａａ）との差が小さいか、Ａｃ＞Ａａで
あり、ＺｎＳとＳｉＯ2とを主成分とする誘電体層を記
録層の両側に有する相変化型光記録媒体において、オー
バーライト可能回数を増大させる。 【解決手段】 記録層の下側に第１誘電体層を、上側に
第２誘電体層を有し、Ａｃ／Ａａ≧０．９であること、
および／または、光透過率が１％以上であること、を満
足し、第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録
層側に誘電体層１ｂを含み、［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2）］が、誘電体層１ａにおいて２〜４０モル％
（４０モル％を含まず）、誘電体層１ｂにおいて４０〜
８０モル％、第２誘電体層において４０〜８０モル％で
あり、第２誘電体層の厚さが１０〜３５nmである光記録
媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】相変化型光記録媒体では、通常、記録層の
両側に誘電体層が形成されている。これらの誘電体層に
は、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各誘電体層の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できること などが求められる。
【０００６】このような条件を満足する誘電体層とし
て、屈折率の高いＺｎＳを主成分とするものが用いられ
ることが多い。例えば、特開昭６３−１０３４５３号公
報には、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物からなる誘電体層
を有する光学式情報記録部材が記載されている。同公報
では、記録時の照射パワーに対する感度の上昇と、誘電
体材料の記録消去の繰り返し回数の増大とを効果として
おり、感度の上昇は誘電体層の熱定数の最適化によるも
ので、記録消去の繰り返し回数の増大は、記録および消
去に要するレーザーパワーの低下によるものとしてい
る。同公報では、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０
〜３０モル％のときに、記録および消去に要するレーザ
ーエネルギーが最も少なくてすむので好ましいとしてい
る。
【０００７】しかし、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などから
構成される記録層の両側に、ＺｎＳを主成分とする誘電
体層を設けた相変化型光記録媒体では、オーバーライト
の繰り返しによりＣ／Ｎ低下が生じ、数千回程度でオー
バーライトが不可能となってしまう。オーバーライトに
よるＣ／Ｎ低下の原因としては、隣接する誘電体層との
間での元素拡散などに起因する記録層の組成変化の影響
が大きいと考えられる。
【０００８】特開平２−１７７１４１号公報には、記録
層と誘電体層との間の反応を抑える提案が記載されてい
る。同公報に記載された光学式情報記録媒体は、光を吸
収し、情報の書き込みおよび消去をする記録層と、この
記録層の少なくとも一方に、金属のカルコゲン化物と、
このカルコゲン化物と互いに固溶しない化合物を主成分
とした保護層とを有するものである。この保護層は、組
成比が膜厚方向に変化し、かつ記録層と接する界面付近
で上記化合物の割合を大きくしたものである。上記カル
コゲン化物としてはＺｎＳが、上記化合物としてはＳｉ
Ｏ2が例示されている。同公報では、保護層におけるＳ
ｉＯ2の割合を、記録層との界面付近で大きくすること
により、記録層と保護層との反応が抑えられ、記録層の
変質を防止でき、この結果、反射率の変化もなく数百万
サイクルの記録および消去が安定に行える、としてい
る。同公報の実施例１では、基板上に、まず、ＺｎＳに
ＳｉＯ2を２０％含有させた第１の誘電体層（厚さ１０
０nm）を形成し、この上に、ＳｉＯ2の割合が９０％以
上である保護層（厚さ２０nm）、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂから
なる記録層、上記保護層（厚さ２０nm）、第１の誘電体
層と同様な第２の誘電体層（厚さ２００nm）、ＮｉＣｒ
からなる反射層（厚さ４０nm）を形成している。また、
同公報の実施例２では、実施例１の「誘電体層＋保護
層」に替えて、記録層付近でＳｉＯ2の割合が高くなる
（９０％以上となる）傾斜組成の保護層を設けている。
【０００９】ところで、相変化型光記録媒体では、結晶
−非結晶間の反射率の違いを利用するため、記録マーク
以外の領域（結晶状態）における記録層の吸収率（Ａ
ｃ）と記録マーク（非結晶状態）における記録層の吸収
率（Ａａ）とが異なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａと
なっている。なお、ＡｃおよびＡａは、いずれも記録再
生用レーザー光の波長における値である。このため、オ
ーバーライト領域が結晶であったか非結晶であったかに
よって記録感度および消去率が異なることになる。この
結果、オーバーライトによって形成される記録マークに
長さおよび幅のばらつきが生じて、ジッターが大きくな
り、エラーとなることもある。高密度化のために記録マ
ークの両端に情報を担持させるマークエッジ記録を行っ
ている場合には、記録マークの長さの変動の影響を受け
やすいため、エラーがさらに多くなってしまう。この問
題を解決するためには、ＡａとＡｃとの差が小さいこと
が好ましく、潜熱の影響を考慮すると、Ａｃ＞Ａａとす
ることがより好ましい。このためには、記録層やそれを
挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、
通常の構造の媒体では、Ａｃ＞Ａａとすると、記録マー
ク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒｃ）と記録
マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）との差が小さ
くなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生じてしま
う。
【００１０】このような事情から、例えば特開平８−１
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
＞Ａａとすることが可能となる。本明細書では、Ａｃと
Ａａとの差が小さいか、Ａｃ＞Ａａである構造を、吸収
率補正構造という。
【００１１】このような吸収率補正構造の光記録媒体で
も、通常の光記録媒体と同様に誘電体層にはＺｎＳとＳ
ｉＯ2とを主成分とするものを用いることが好ましい。
しかし、この構造の光記録媒体においても、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2誘電体層を設けると繰り返しオーバーライトによ
りジッターが増大し、また、モジュレーション（結晶質
部の反射率と非結晶質部の反射率との差）の減少も生じ
る。その結果、オーバーライト可能回数が少なくなって
しまう。
【００１２】そこで、吸収率補正構造の光記録媒体のオ
ーバーライト可能回数の増大を目的として、本発明者ら
は上記特開平２−１７７１４１号公報の実施例に準じて
吸収率補正構造の光記録媒体を作製した。しかし、この
光記録媒体では、オーバーライトを繰り返したときにジ
ッターの増大が著しく、しかも、オーバーライト初期か
ら大きなジッターを示し、また、モジュレーション減少
も改善されないことがわかった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
マーク以外の領域（結晶状態）における記録層の吸収率
（Ａｃ）と記録マーク（非結晶状態）における記録層の
吸収率（Ａａ）との差が小さいか、Ａｃ＞Ａａであり、
硫化亜鉛と酸化ケイ素とを主成分とする誘電体層を記録
層の両側に有する相変化型光記録媒体において、オーバ
ーライト可能回数を増大させることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有し、記録層の下
側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電体層お
よび第２誘電体層を有する光記録媒体であって、 条件Ｉ：記録再生用のレーザー光波長における記録層の
吸収率を、結晶質部でＡｃとし、非結晶質部でＡａとし
たとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であること、 条件II：基体の下側から記録再生用のレーザー光を照射
したとき、透過率が１％以上であること、としたとき、
条件Ｉおよび／または条件IIを満足し、少なくとも１
０，０００回のオーバーライトを行った後、記録マーク
と消去領域との間の反射率差が、オーバーライト初期に
おける前記反射率差の８５％以上である光記録媒体。 （２） 基体上に相変化型の記録層を有し、記録層の下
側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電体層お
よび第２誘電体層を有する光記録媒体であって、 条件Ｉ：記録再生用のレーザー光波長における記録層の
吸収率を、結晶質部でＡｃとし、非結晶質部でＡａとし
たとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であること、 条件II：基体の下側から記録再生用のレーザー光を照射
したとき、透過率が１％以上であること、 としたとき、条件Ｉおよび／または条件IIを満足し、第
１誘電体層および第２誘電体層が硫化亜鉛および酸化ケ
イ素を主成分とするものであり、第１誘電体層が、基体
側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそれぞ
れ含み、 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉ
Ｏ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋
ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの酸化ケイ素
含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含まず）であ
り、誘電体層１ｂの酸化ケイ素含有率が４０〜８０モル
％であり、第２誘電体層の酸化ケイ素含有率が４０〜８
０モル％であり、第２誘電体層の厚さが１０〜３５nmで
ある光記録媒体。 （３） 誘電体層１ｂの厚さが５〜４０nmであって、か
つ、第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対する誘電体層１ｂ
の厚さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）が、０．０２〜０．
５である上記（２）の光記録媒体。 （４） 上記（１）の光記録媒体である上記（２）また
は（３）の光記録媒体。 （５） 第２誘電体層上に反射層を有し、この反射層
が、金属から構成された厚さ４０nm以下のものである
か、ＳｉまたはＧｅから構成された厚さ８０nm以下のも
のである上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。 （６） 反射層上に第３誘電体層を有する上記（５）の
光記録媒体。
【００１５】
【作用および効果】本発明が対象とする光記録媒体は、
吸収率補正構造のもの、すなわち、上記した条件Ｉ（Ａ
ｃ／Ａａ≧０．９）および／または条件II（透過率１％
以上）を満足するものである。
【００１６】本発明の光記録媒体は、図１に示すよう
に、基体２上に、第１誘電体層３１、相変化型の記録層
４および第２誘電体層３２を少なくとも有し、第１誘電
体層３１と第２誘電体層３２とが、ＺｎＳおよびＳｉＯ
2を主成分として含有するものである。
【００１７】第１誘電体層３１は、基体２近傍に誘電体
層１ａを、記録層４近傍に誘電体層１ｂをそれぞれ含
む。誘電体層１ａは相対的にＺｎＳ含有率が高く、誘電
体層１ｂは相対的にＳｉＯ2含有率が高い領域である。
そして、第２誘電体層は、ＳｉＯ2含有率が誘電体層１
ｂと同様であり、かつ、厚さが３５nm以下である。吸収
率補正構造の媒体をこの構成とすることにより、オーバ
ーライト初期からジッターを小さくでき、また、オーバ
ーライトの繰り返しによるジッターの増大を抑えること
ができ、モジュレーションの減少も抑制することができ
るので、オーバーライト可能回数を多くすることができ
る。
【００１８】本発明者らが上記特開平２−１７７１４１
号公報記載の実施例に準じて作製した光記録媒体では、
オーバーライト初期からジッターが著しく大きかった
が、これは、第２誘電体層の厚さを２２０nmとしたこと
によると考えられる。このように第２誘電体層が厚い
と、記録マーク形成の際に、記録層のレーザービーム照
射スポットから放散される熱が第２誘電体層の面内方向
に大きく広がってしまうため、記録マークのエッジ形状
がシャープにならなくなる。このため、ジッターが著し
く大きくなってしまう。これに対し本発明では、第２誘
電体層の厚さを３５nm以下とするので、オーバーライト
初期からジッターを小さくすることができる。
【００１９】また、本発明者らが、上記特開平２−１７
７１４１号公報記載の実施例に準じて作製した光記録媒
体では、第２誘電体層の厚さを薄くしても、繰り返しオ
ーバーライトによるジッターの増大およびモジュレーシ
ョンの低下を抑えることはできなかった。これに対し本
発明では、それぞれ記録層に接する誘電体層１ｂおよび
第２誘電体層のＳｉＯ2含有率を４０〜８０モル％に規
制することにより、繰り返しオーバーライトによるジッ
ター増大およびモジュレーション低下を抑えることを可
能とした。この理由は明らかではないが、理由の一つと
して、吸収率補正構造における熱移動の問題が考えられ
る。吸収率補正構造の媒体では、通常の媒体と異なり厚
い金属反射層を設けないため、第２誘電体層が冷却され
にくい。このため、上記特開平２−１７７１４１号公報
記載の実施例に準じて作製した光記録媒体では、記録層
の上側にあるＺｎＳ含有率の高い誘電体層からＺｎやＳ
が拡散しやすいと考えられる。したがって、記録層に接
してＳｉＯ2含有率の高い誘電体層を設けても、Ｚｎや
Ｓの記録層中への拡散を十分に抑えることができなかっ
たと考えられる。これに対し本発明では、第２誘電体層
全体においてＳｉＯ2含有率を４０モル％以上とするの
で、ＺｎやＳの拡散が少ないと考えられる。本発明にお
いて誘電体層１ｂおよび第２誘電体層のＳｉＯ2含有率
を８０モル％以下に規制するのは、吸収率補正構造にお
いて、上記特開平２−１７７１４１号公報記載の実施例
のように記録層に接する領域のＳｉＯ2含有率を９０モ
ル％以上と高くすると、ジッター増大およびモジュレー
ション低下を抑えることができなかったからである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
【００２１】本発明の光記録媒体は、上記した吸収率補
正構造のものであり、具体的には、下記の条件Ｉおよび
／または条件IIを満足する。
【００２２】条件Ｉ：記録再生用のレーザー光波長にお
ける記録層の吸収率を、結晶質部でＡｃとし、非結晶質
部でＡａとしたとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であること。
【００２３】なお、条件Ｉにおいて、好ましくはＡｃ＝
Ａａであり、潜熱の影響を考慮すると、さらに好ましく
はＡｃ＞Ａａである。ＡｃおよびＡａは、媒体を構成す
る各層の光学定数と記録再生用レーザー光の波長とか
ら、算出することができる。
【００２４】条件II：基体の下側から記録再生用のレー
ザー光を照射したとき、透過率が１％以上であること。
【００２５】なお、条件IIにおける透過率は、好ましく
は３％以上である。条件IIにおける透過率、すなわち入
射光に対する透過光の比率は、基体上に無機層だけが存
在する状態で測定した値である。すなわち、例えば図１
の構成では保護層６を除いた状態であり、記録層、誘電
体層、反射層等の無機層間での多重反射の結果としての
透過率を意味する。透過率がこのような範囲にあれば、
Ａａに対するＡｃの比率が向上する。そして、ＡｃとＡ
ａとを上記した望ましい関係とすることが容易となる。
【００２６】条件IIにおける透過率は、分光光度計で測
定すればよい。測定する領域は特に限定されず、結晶質
部であっても非晶質部であってもよいが、通常は、グル
ーブの存在しない結晶質領域（ミラー部）で測定すれば
よい。
【００２７】本発明の光記録媒体は、条件Ｉおよび／ま
たは条件IIを満足し、かつ、記録層の下側および上側に
誘電体層を有する構造であればよいが、好ましくは、図
１に示す構造とする。
【００２８】図１に示す光記録媒体は、基体２上に、第
１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層
５、第３誘電体層３３および保護層６をこの順に設けた
片面記録型（単板型）媒体である。なお、この片面記録
型媒体を２枚用い、保護層６が内側になるように接着層
により接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用で
きる。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着層
により接着した媒体にも、本発明は適用できる。
【００２９】基体 本発明の光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビ
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００３０】本発明の光記録媒体は、特に高密度記録に
適し、特に、グルーブとランドとの両方を記録トラック
とする構成（ランド・グルーブ記録）に適する。この場
合の記録トラックピッチは、通常、０．３〜１．０μm
程度とすることが好ましい。
【００３１】第１誘電体層３１、第２誘電体層３２ 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
【００３２】第１誘電体層３１には、基体２側に誘電体
層１ａが存在し、記録層４側に誘電体層１ｂが存在す
る。
【００３３】誘電体層１ａの酸化ケイ素含有率は、２〜
４０モル％（４０モル％を含まず）、好ましくは１０〜
３０モル％である。誘電体層１ａの酸化ケイ素含有率が
高すぎると、屈折率が小さくなりすぎて高Ｃ／Ｎが得ら
れにくくなる。一方、酸化ケイ素含有率が低すぎると、
オーバーライト可能回数が少なくなってしまう。
【００３４】誘電体層１ｂの酸化ケイ素含有率は、４０
〜８０モル％、好ましくは４５〜７０モル％である。誘
電体層１ｂは、誘電体層１ａから記録層４へのＺｎやＳ
の拡散を抑えるために設けられる。誘電体層１ｂの酸化
ケイ素含有率が低すぎると、ＺｎやＳの拡散を十分に抑
えることができなくなり、オーバーライト可能回数が少
なくなってしまう。一方、酸化ケイ素含有率が高すぎて
もオーバーライト可能回数が少なくなってしまう。
【００３５】第２誘電体層の酸化ケイ素含有率は、４０
〜８０モル％、好ましくは４５〜７０モル％である。第
２誘電体層の酸化ケイ素含有率が低すぎると、ＺｎやＳ
の拡散によりオーバーライト可能回数が少なくなってし
まう。一方、酸化ケイ素含有率が高すぎてもオーバーラ
イト可能回数が少なくなってしまう。
【００３６】第１誘電体層は、均質な誘電体層を積層し
たものであってもよく、基体２側から記録層４側にかけ
て酸化ケイ素含有率が段階的または連続的に増大する傾
斜組成構造であってもよい。傾斜組成構造である場合、
誘電体層１ａに相当する領域と誘電体層１ｂに相当する
領域との境界は、上記した酸化ケイ素含有率によって決
定する。また、第２誘電体層は、酸化ケイ素含有率が上
記範囲内にあれば、複数の誘電体層の積層構造であって
もよく、傾斜組成構造であってもよい。
【００３７】なお、本明細書において、各誘電体層がそ
れぞれ満足すべき上記酸化ケイ素含有率は、層の平均値
としてだけでなく、層全体を通して満足される必要があ
る。
【００３８】本明細書における酸化ケイ素含有率は、硫
化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ
2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）により求
めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などにより求め
たＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。なお、例
えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに対しＳ
が過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他の化合
物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状態で存
在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際にはＺｎ
およびＳのうち少ないほうに合わせる。
【００３９】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは３
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
【００４０】誘電体層１ｂの厚さは、好ましくは５〜４
０nm、より好ましくは５〜３０nmである。また、第１誘
電体層の厚さ（ｔ1）に対する誘電体層１ｂの厚さ（ｔ
1b）の比（ｔ1b／ｔ1）は、好ましくは０．０２〜０．
５、より好ましくは０．０５〜０．４である。誘電体層
１ｂが薄すぎたり、ｔ1b／ｔ1が小さすぎたりすると、
オーバーライト可能回数の向上が不十分となる。一方、
誘電体層１ｂが厚すぎたり、ｔ1b／ｔ1が大きすぎたり
すると、誘電体層１ａを十分に厚くできなくなるため、
高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。
【００４１】第２誘電体層３２の厚さは、１０〜３５n
m、好ましくは１３〜２５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
【００４２】第１誘電体層および第２誘電体層には、０
〜１０００℃においてその硫化物生成標準自由エネルギ
ーがＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素（以
下、金属元素Ａという）を含有させることが好ましい。
誘電体層中に金属元素Ａを含有させることにより、繰り
返しオーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎの遊
離を抑制することができ、これによりジッター増大を防
ぐことができるので、オーバーライト可能回数を増やす
ことができる。
【００４３】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００４４】誘電体層中において、全金属元素に対する
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
【００４５】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００４６】なお、以上では誘電体層中に金属元素Ａを
含有させる構成について説明したが、誘電体層と記録層
との間に金属元素Ａを含有する中間層を設ける構成とし
てもよい。このような中間層としては、例えば、酸化セ
リウム（ＣｅＯ2）単体からなるもの、あるいはＺｎＳ
−ＣｅＯ2混合物からなるものなどが挙げられる。
【００４７】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。スパッタ法を用いて
傾斜組成構造とする場合には、例えば、ターゲットとし
てＳｉＯ2とＺｎＳとを用いる多元スパッタ法を利用
し、成膜初期から終期にかけて、各ターゲットへ投入す
るパワーの比を段階的または連続的に変化させればよ
い。
【００４８】誘電体層中に上記金属元素Ａを含有させる
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
【００４９】スパッタは、通常、Ａｒ雰囲気中で行う
が、上記金属元素Ａを含有させる場合には、好ましくは
ＡｒとＯ2との混合雰囲気中でスパッタを行う。スパッ
タ時のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上
記主ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有
効であるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主タ
ーゲットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合
物を含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰
囲気中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表
したとき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好
ましくは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、
記録パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、
消去パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好まし
くない。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させる
ためには、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ま
しくは１０％以上とする。
【００５０】第３誘電体層３３ 第３誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率
の高い材料から構成する。第３誘電体層は必須ではない
が、第３誘電体層を設けることにより、前記特開平８−
１２４２１８号公報記載の発明と同様に、記録マークと
それ以外の領域との間の反射率差を大きく保ったまま、
前記Ａｃ／Ａａを大きくすることができる。
【００５１】第３誘電体層の構成材料は、第１誘電体層
および第２誘電体層と同様に、ＺｎＳおよびＳｉＯ2を
主成分とするものが好ましいが、他の各種酸化物、窒化
物、これらの混合物などから適宜選択してもよい。
【００５２】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
【００５３】記録層４ 記録時に高温まで誘電体層が加熱される相変化型記録媒
体であれば、記録層の組成によらず本発明の効果は認め
られるので、記録層の組成は特に限定されない。ただ
し、以下に説明するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成やＩｎ−Ａ
ｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の
記録層を有する相変化型光記録媒体に対し、本発明は特
に有効である。
【００５４】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式Ｉ Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
【００５５】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
【００５６】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００５７】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１２〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００５８】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式II ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．１０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
【００５９】式IIにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。
【００６０】式IIにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００６１】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００６２】式IIにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００６３】式IIにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、
ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素であ
る。元素Ｍは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素ＭのうちＶ、Ｔａ、Ｃｅ、ＧｅおよびＹの少な
くとも１種が好ましく、ＶおよびＴａの少なくとも１種
がより好ましく、Ｖが特に好ましい。
【００６４】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００６５】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
【００６６】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００６７】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００６８】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００６９】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００７０】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。
【００７１】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００７２】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００７３】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００７４】反射層５ 反射層５は、光透過率が高い極薄の金属層から構成され
るか、記録・再生波長が含まれる近赤外から赤外域にか
けての透過性が高いＳｉやＧｅ等から構成されることが
好ましい。反射層の厚さは、記録層の記録マーク以外の
領域と記録マークとの間での吸収率差を補正できるよう
に適宜決定すればよい。反射層の好ましい厚さ範囲は構
成材料によって大きく異なるので、構成材料に応じて厚
さを適宜決定すればよい。例えばＡｕ等の金属を用いる
場合には、反射層の厚さを好ましくは４０nm以下、より
好ましくは１０〜３０nmとし、ＳｉまたはＧｅを用いる
場合には、反射層の厚さを好ましくは８０nm以下、より
好ましくは４０〜７０nmとする。反射層が薄すぎるとＣ
／Ｎの低下を招き、反射層が厚すぎると前述した吸収率
補正効果が不十分となる。
【００７５】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
【００７６】反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成
長法により形成することが好ましい。
【００７７】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００７８】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００７９】記録再生方法 本発明の光記録媒体へのオーバーライトは、従来の相変
化型光記録媒体へのオーバーライトと同様にして行うこ
とができる。
【００８０】本発明では、少なくとも１０，０００回の
オーバーライトを行った後の記録マーク（非晶質）と消
去領域（結晶質）との間の反射率差を、オーバーライト
初期における前記反射率差の８５％以上とでき、９０％
以上とすることもできる。なお、本明細書においてオー
バーライト初期とは、オーバーライトを少なくとも１０
回繰り返した後の状態を意味する。
【００８１】本発明の光記録媒体にオーバーライトを行
う際に、レーザービームに対する記録層の線速度は特に
限定されないが、記録層を上記組成とした場合には、線
速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
【００８２】上記組成の記録層を有する光記録媒体で
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
【００８３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
【００８４】射出成形によりグルーブ（幅０．６０μ
m、深さ６５nm、ピッチ１．２０μm）を同時形成した直
径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネー
ト基体２の表面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２
誘電体層３２、反射層５、第３誘電体層３３および保護
層６を以下に示す手順で形成し、図１の構成を有する光
記録ディスクサンプルとした。
【００８５】第１誘電体層３１を構成する各誘電体層お
よび第２誘電体層３２は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2またはＳｉＯ2を用いた。各誘電体層の組成および厚さ
を表１に示す。なお、比較のために第１誘電体層を単層
構造としたサンプルでは、第１誘電体層の組成および厚
さを表１の誘電体層１ａの欄に記載してある。
【００８６】記録層４は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。記録層の組成および厚さを表１に
示す。
【００８７】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＳｉを用いた。反
射層の厚さは５０nmとした。
【００８８】第３誘電体層３３は、Ａｒ雰囲気中におい
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2を用いた。第３誘電体層の組成および厚さを
表１に示す。
【００８９】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００９０】このようにして作製した各サンプルを、バ
ルクイレーザーにより初期化した。初期化後、保護層６
を除いた状態で基体２側から波長６３８nmのレーザー光
を照射し、ミラー部（結晶質）における透過率を分光光
度計で測定したところ、５〜１０％であった。なお、各
サンプルの波長６３８nmにおけるＡｃ／Ａａは、０．９
〜１．２となる。
【００９１】初期化後の各サンプルを、光記録媒体評価
装置（波長６３８nm、開口率ＮＡ＝０．６、線速度１２
m/s）に載せ、繰り返しオーバーライトにおける特性評
価を行った。記録パワーおよび消去パワーは、それぞれ
ジッターが最小となる値に設定した。
【００９２】各サンプルについて、オーバーライト初期
（以下、初期という）とオーバーライト１０，０００回
後（以下、オーバーライト後という）のそれぞれにおい
て、記録マークと消去領域との間の反射率差と、ジッタ
ーとを測定した。初期の反射率差△Ｒiに対するオーバ
ーライト後の反射率差△Ｒowの比（△Ｒow／△Ｒi）
と、初期およびオーバーライト後のジッターとを表１に
示す。
【００９３】なお、ジッターは、１−７ＲＬＬ信号を記
録し、その再生信号をタイム・インターバル・アナライ
ザ（ＴＩＡ）により測定し、ウインドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ（％） により算出した。
【００９４】
【表１】
【００９５】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、本発明サンプルであるNo.１およびNo.２で
は、繰り返しオーバーライトによる反射率差減少および
ジッター悪化は認められなかった。これに対し、第１誘
電体層を単層構成とし、かつ第１誘電体層および第２誘
電体層のＳｉＯ2含有率を低くしたサンプルNo.３では、
繰り返しオーバーライトにより反射率差が消失してしま
い、ジッターの測定が不可能となった。また、記録層に
接する誘電体層をＳｉＯ2から構成したサンプルNo.４で
は、バルクイレーザーによる初期化が不可能であった。
また、誘電体層１ｂや第２誘電体層のＳｉＯ2含有率の
低すぎるサンプルNo.５〜７では、繰り返しオーバーラ
イトにより反射率差が大きく減少し、ジッターが著しく
悪化した。
【００９６】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【符号の説明】
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に相変化型の記録層を有し、記録
    層の下側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電
    体層および第２誘電体層を有する光記録媒体であって、 条件Ｉ：記録再生用のレーザー光波長における記録層の
    吸収率を、結晶質部でＡｃとし、非結晶質部でＡａとし
    たとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であること、 条件II：基体の下側から記録再生用のレーザー光を照射
    したとき、透過率が１％以上であること、としたとき、
    条件Ｉおよび／または条件IIを満足し、少なくとも１
    ０，０００回のオーバーライトを行った後、記録マーク
    と消去領域との間の反射率差が、オーバーライト初期に
    おける前記反射率差の８５％以上である光記録媒体。
  2. 【請求項２】 基体上に相変化型の記録層を有し、記録
    層の下側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電
    体層および第２誘電体層を有する光記録媒体であって、 条件Ｉ：記録再生用のレーザー光波長における記録層の
    吸収率を、結晶質部でＡｃとし、非結晶質部でＡａとし
    たとき、 Ａｃ／Ａａ≧０．９ であること、 条件II：基体の下側から記録再生用のレーザー光を照射
    したとき、透過率が１％以上であること、としたとき、
    条件Ｉおよび／または条件IIを満足し、 第１誘電体層および第２誘電体層が硫化亜鉛および酸化
    ケイ素を主成分とするものであり、第１誘電体層が、基
    体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂをそれ
    ぞれ含み、 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉ
    Ｏ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋
    ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの酸化ケイ素
    含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含まず）であ
    り、誘電体層１ｂの酸化ケイ素含有率が４０〜８０モル
    ％であり、第２誘電体層の酸化ケイ素含有率が４０〜８
    ０モル％であり、第２誘電体層の厚さが１０〜３５nmで
    ある光記録媒体。
  3. 【請求項３】 誘電体層１ｂの厚さが５〜４０nmであっ
    て、かつ、第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対する誘電体
    層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）が、０．０２
    〜０．５である請求項２の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１の光記録媒体である請求項２ま
    たは３の光記録媒体。
  5. 【請求項５】 第２誘電体層上に反射層を有し、この反
    射層が、金属から構成された厚さ４０nm以下のものであ
    るか、ＳｉまたはＧｅから構成された厚さ８０nm以下の
    ものである請求項１〜４のいずれかの光記録媒体。
  6. 【請求項６】 反射層上に第３誘電体層を有する請求項
    ５の光記録媒体。
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