JPH1150256A - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ロードロック室のリーク、エバック動作の待ち
時間を有効に利用し稼働率を向上させることができる真
空処理装置および方法を提供する。 【解決手段】プロセスチャンバ群１０の搬入側にロード
ロック室３０、４０を並列に２つ設け、搬出側にもロー
ドロック室１３０、１４０を並列に２つ設ける。搬入側
の２つのロードロック室３０、４０を交互に動作させ、
また搬出側のロードロック室１３０、１４０も交互に動
作させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置およ
び真空処理方法に関し、特に、液晶パネル用のガラス基
板上にプラズマを利用してＣＶＤ薄膜を形成するための
真空処理装置および真空処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記液晶パネル用ガラス基板のサイズは
３７０×４７０が現在主流であるが、今後サイズ拡大の
一途にある。

【０００３】このようなガラス基板の真空処理を行うた
めの従来の真空処理装置は、例えば、図３に示すような
構成であった。

【０００４】すなわち、処理すべきガラス基板が、始め
カセットスタンド８０に設置される。ガラス基板は通常
２０枚が１つのカセット８２に収納され管理される。ガ
ラス基板は、カセットスタンド８０に設置され基板を搭
載しているカセット８２から、ロボット２５０により、
リーク後大気中に開放されたロードロック室２３０に投
入される。その後、ゲートバルブ２３２が閉じられロー
ドロック室２３０内が真空排気（エバック）され、ある
真空圧力に到達した後ゲートバルブ２３４が開放され、
その後搬送室２２０内のロボット（図示せず。）により
真空処理室（プロセスチャンバ）群１０の中の最初のプ
ロセスチャンバ１２にガラス基板が搬入され、処理が実
行される。プロセスチャンバ１２内における処理終了
後、プロセスチャンバ群１０の次のプロセスチャンバ
（図示せず。）に搬入され、そこで処理が行われ、その
後、プロセスチャンバ群１０において次々と処理が行わ
れ、最後にプロセスチャンバ群１０のプロセスチャンバ
１１２に搬入されそこで処理される。その後は上述した
搬入の際とは逆の工程によってガラス基板が空のカセッ
ト１８２に搬出される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この従来の真空処理装
置２００においては、図４に示すようにロードロック室
２３０のリーク、エバックを繰り返すことでガラス基板
をプロセスチャンバ群１０内へ搬入し、また、ロードロ
ック室３３０のリーク、エバックを繰り返すことで、ガ
ラス基板をプロセスチャンバ群１０から搬出するが、こ
のリーク、エバックの時間が真空処理装置２００の稼働
率の低下を引き起こしている。

【０００６】従って、本発明の目的は、ロードロック室
のリーク、エバック動作の待ち時間を有効に利用し稼働
率を向上させることができる真空処理装置および方法を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１によれば、被処
理物の搬入部および搬出部を備えた真空処理室と、少な
くとも２つの真空予備室であって、前記真空処理室の前
記搬入部および前記搬出部のうちのいずれか一方に、ま
たは前記搬入部と前記搬出部とが兼用されている場合に
は前記兼用されている前記搬入部および前記搬出部に、
並列に連通可能に設けられた前記少なくとも２つの真空
予備室と、を有することを特徴とする真空処理装置が提
供される。

【０００８】このように真空処理室に少なくとも２つの
真空予備室を並列に連通可能に設ければ、上記少なくと
も２つの真空予備室を交互にまたは順番に使用すること
ができ、装置の稼働率を高め、スループットやコストパ
フォーマンスを高めることができる。

【０００９】また、真空処理室の搬入部と搬出部とが異
なる場合には、搬入部および搬出部の両方にそれぞれ少
なくとも２つの真空予備室を並列に連通可能に設けるこ
とが好ましい。

【００１０】さらに、真空処理装置が複数の真空処理室
からなる真空処理室群を備える場合には、真空処理室群
の最初の真空処理室または最後の真空処理室の少なくと
もいずれか一方に、少なくとも２つの真空予備室を並列
に連通可能に設けることが好ましく、真空処理室群の最
初の真空処理室に少なくとも２つの真空予備室を並列に
連通可能に設けると共に真空処理室群の最後の真空処理
室にも少なくとも２つの真空予備室を並列に連通可能に
設けることがより好ましい。

【００１１】なお、真空予備室としては、好ましくはロ
ードロック室が用いられる。

【００１２】また、請求項２によれば、被処理物の搬入
部分を備える真空処理室と前記真空処理室の前記搬入部
分に並列に接続して設けられた第１および第２の真空予
備室とを有する真空処理装置を用いて前記被処理物の真
空処理を行う真空処理方法であって、（１）大気圧下の
前記第１の真空予備室に第１の被処理物を搬入し、その
後前記第１の被処理物が搬入された前記第１の真空予備
室を真空排気し、その後真空排気された前記第１の真空
予備室から前記真空処理室に前記第１の被処理物を搬入
し、その後前記第１の真空予備室を大気圧にする第１の
搬送手順と、（２）大気圧下の前記第２の真空予備室に
第２の被処理物を搬入し、その後前記第２の被処理物が
搬入された前記第２の真空予備室を真空排気し、前記真
空処理室内で前記第１の真空予備室から搬入された被処
理物が所定の真空処理をされて前記真空処理室内に前記
第２の被処理物が搬入可能になるまでに前記第２の真空
予備室が所定の真空度に到達している場合には前記真空
処理室内に前記第２の被処理物が搬入可能になるまで前
記第２の被処理物を前記第２の真空予備室内に待機さ
せ、前記真空処理室内に前記第２の被処理物が搬入可能
になった後に前記第２の真空予備室から前記真空処理室
に前記第２の被処理物を搬入し、前記真空処理室内で前
記第１の真空予備室から搬入された被処理物が所定の真
空処理をされて前記真空処理室内に前記第２の被処理物
が搬入可能になるまでに前記第２の真空予備室が所定の
真空度に到達していない場合には前記第２の真空予備室
が所定の真空度に到達した後に前記第２の真空予備室か
ら前記真空処理室に前記第２の被処理物を搬入し、前記
第２の真空予備室から前記真空処理室に前記第２の被処
理物を搬入後、前記第２の真空予備室を大気圧にする第
２の搬送手順と、（３）大気圧下の前記第１の真空予備
室に第３の被処理物を搬入し、その後前記第３の被処理
物が搬入された前記第１の真空予備室を真空排気し、前
記真空処理室内で前記第２の真空予備室から搬入された
被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理室内に
前記第３の被処理物が搬入可能になるまでに前記第１の
真空予備室が所定の真空度に到達している場合には前記
真空処理室内に前記第３の被処理物が搬入可能になるま
で前記第３の被処理物を前記第１の真空予備室内に待機
させ、前記真空処理室内に前記第３の被処理物が搬入可
能になった後に前記第１の真空予備室から前記真空処理
室に前記第３の被処理物を搬入し、前記真空処理室内で
前記第２の真空予備室から搬入された被処理物が所定の
真空処理をされて前記真空処理室内に前記第３の被処理
物が搬入可能になるまでに前記第１の真空予備室が所定
の真空度に到達していない場合には前記第１の真空予備
室が所定の真空度に到達した後に前記第１の真空予備室
から前記真空処理室に前記第３の被処理物を搬入し、前
記第１の真空予備室から前記真空処理室に前記第３の被
処理物を搬入後、前記第１の真空予備室を大気圧にする
第３の搬送手順と、を有し、前記第２の搬送手順と前記
第３の搬送手順とを所定回数繰り返すことを特徴とする
真空処理方法が提供される。

【００１３】このような方法によれば、第１の真空予備
室と第２の真空予備室とを交互に利用して被処理物の搬
入を行うことができ、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができる。

【００１４】また、請求項３によれば、被処理物の搬出
部分を備える真空処理室と前記真空処理室の前記搬出部
分に並列に接続して設けられた第１および第２の真空予
備室とを有する真空処理装置を用いて前記被処理物の真
空処理を行う真空処理方法であって、（１）前記真空処
理装置によって真空処理された第１の被処理物を真空下
の前記第１の真空予備室に搬出し、その後前記第１の被
処理物が搬出された前記第１の真空予備室を大気圧に
し、その後大気圧下の前記第１の真空予備室から前記第
１の被処理物を搬出し、その後前記第１の真空予備室を
真空排気する第１の搬送手順と、（２）前記真空処理室
から前記第１の真空予備室に被処理物が搬出された後
に、前記第２の真空予備室が所定の真空度に到達してい
る場合には前記真空処理装置によって真空処理された第
２の被処理物を前記第２の真空予備室に搬出し、前記第
２の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合に
は前記第２の真空予備室が所定の真空度に到達した後に
前記真空処理装置によって真空処理された第２の被処理
物を前記第２の真空予備室に搬出し、前記第２の被処理
物を前記第２の真空予備室に搬出後、前記第２の真空予
備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記第２の真空予
備室から前記第２の被処理物を搬出し、その後前記第２
の真空予備室を真空排気する第２の搬送手順と、（３）
前記真空処理室から前記第２の真空予備室に被処理物が
搬出された後に、前記第１の真空予備室が所定の真空度
に到達している場合には前記真空処理装置によって真空
処理された第３の被処理物を前記第１の真空予備室に搬
出し、前記第１の真空予備室が所定の真空度に到達して
いない場合には前記第１の真空予備室が所定の真空度に
到達した後に前記真空処理装置によって真空処理された
第３の被処理物を前記第１の真空予備室に搬出し、前記
第３の被処理物を前記第１の真空予備室に搬出後、前記
第１の真空予備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記
第１の真空予備室から前記第３の被処理物を搬出し、そ
の後前記第１の真空予備室を真空排気する第３の搬送手
順と、を有し、前記第２の搬送手順と前記第３の搬送手
順とを所定回数繰り返すことを特徴とする真空処理方法
が提供される。

【００１５】このような方法によれば、第１の真空予備
室と第２の真空予備室とを交互に利用して被処理物の搬
出を行うことができ、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができる。

【００１６】なお、上記請求項２、３の方法において、
第１、第２の真空予備室を大気圧とする際には、不活性
ガスが好ましく使用される。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施の形態の真空処理
装置を説明するための模式的ブロック図であり、図２
は、本発明の一実施の形態の真空処理装置におけるガラ
ス基板のローディング方法を説明するためのシーケンス
図である。

【００１９】本発明の真空処理装置１００は、プロセス
チャンバ群１０と、搬送室２０、１２０と、ロードロッ
ク室３０、４０、１３０、１４０と、ロボット５０、１
５０と、カセットスタンド８０とを備えている。

【００２０】プロセスチャンバ群１０は最初のプロセス
チャンバ１２と最後のプロセスチャンバ１１２とその間
の少なくとも１つのプロセスチャンバ（図示せず。）を
備え、最初のプロセスチャンバ１２から最後のプロセス
チャンバ１１２に到るまで、連続してガラス基板のプラ
ズマＣＶＤ等の真空処理が行われる。

【００２１】最初のプロセスチャンバ１２にはゲートバ
ルブ１４を介して搬送室２０が接続されており、搬送室
２０内には搬送ロボット（図示せず。）が設けられてい
る。搬送室２０には、ロードロック室３０およびロード
ロック室４０が並列に接続されている。ロードロック室
３０およびロードロック室４０の両方にアクセス可能に
ロボット５０が設けられている。ロードロック室３０の
ロボット５０側および搬送室側にはゲートバルブ３２、
３４がそれぞれ設けられ、ロードロック室４０のロボッ
ト５０側および搬送室２０側にはゲートバルブ４２、４
４がそれぞれ設けられている。

【００２２】最後のプロセスチャンバ１１２にはゲート
バルブ１１４を介して搬送室１２０が接続されており、
搬送室１２０内には搬送ロボット（図示せず。）が設け
られている。搬送室１２０には、ロードロック室１３０
およびロードロック室１４０が並列に接続されている。
ロードロック室１３０およびロードロック室１４０の両
方にアクセス可能にロボット１５０が設けられている。
ロードロック室１３０のロボット１５０側および搬送室
１２０側にはゲートバルブ１３２、１３４がそれぞれ設
けられ、ロードロック室１４０のロボット１５０側およ
び搬送室１２０側にはゲートバルブ１４２、１４４がそ
れぞれ設けられている。

【００２３】このように、本実施の形態では、プロセス
チャンバ群１０の搬入側および搬出側の両方において、
ロードロック室を１つ追加した。そして２つのロードロ
ック室を交互に動作させる方式を採用した。

【００２４】具体的に説明すると次のような手順で行
う。

【００２５】（Ｉ）まず、プロセスチャンバ群１０にガ
ラス基板を搬入する場合について説明する。

【００２６】（Ｉ−１）２０枚のガラス基板を収容した
カセット８２をカセットスタンド８０に設置する。次
に、カセットスタンド８０に設置され、ガラス基板を搭
載しているカセット８２から、まず１枚目のガラス基板
を、ロボット５０によりカセット８２から取り出し、大
気圧下のロードロック室３０に搬入する。その後、ゲー
トバルブ３２を閉じ、ロードロック室３０内を設定され
た圧力まで真空排気する。その後、ゲートバルブ３４を
開放し、搬送室２０内の搬送ロボット（図示せず。）に
よりガラス基板をロードロック室３０から搬出する。そ
の後ゲートバルブ３４を閉じ、その後ロードロック室３
０内を不活性ガスにより大気圧に戻す。一方、ロードロ
ック室３０から搬出されたガラス基板を搬送室２０内の
搬送ロボット（図示せず。）により真空処理室（プロセ
スチャンバ）群１０の中の最初のプロセスチャンバ１２
に搬入し、その後、ゲートバルブ１４を閉じる。プロセ
スチャンバ１２内に搬入されたガラス基板に対して、プ
ロセスチャンバ１２内においてプラズマＣＶＤ等の所定
の真空処理を行う。プロセスチャンバ１２内における処
理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群１０の次の
プロセスチャンバ（図示せず。）に搬入し、そこで処理
を行う。

【００２７】（Ｉ−２）一方では、このようにロードロ
ック室３０を真空排気しその後ガラス基板をロードロッ
ク室３０からプロセスチャンバ１２に搬入している間
に、ロードロック室４０が大気圧でない場合にはロード
ロック室４０を大気圧にし、２枚目のガラス基板をロボ
ット５０によりカセット８２から取り出し大気圧下のロ
ードロック室４０に搬入する。その後、ゲートバルブ４
２を閉じ、ロードロック室４０内を設定された圧力まで
真空排気する。その後、ゲートバルブ４４を開放し、搬
送室２０内の搬送ロボット（図示せず。）によりガラス
基板をロードロック室４０から搬出する。その後ゲート
バルブ４４を閉じ、その後ロードロック室４０内を不活
性ガスにより大気圧に戻す。一方、ロードロック室４０
から搬出されたガラス基板を搬送室２０内の搬送ロボッ
ト（図示せず。）により真空処理室（プロセスチャン
バ）群１０の中の最初のプロセスチャンバ１２に搬入
し、その後、ゲートバルブ１４を閉じる。プロセスチャ
ンバ１２内に搬入されたガラス基板に対して、プロセス
チャンバ１２内においてプラズマＣＶＤ等の所定の真空
処理を行う。プロセスチャンバ１２内における処理終了
後、ガラス基板をプロセスチャンバ群１０の次のプロセ
スチャンバ（図示せず。）に搬入し、そこで処理を行
う。

【００２８】（Ｉ−３）また、一方では、このようにロ
ードロック室４０を真空排気しその後ガラス基板をロー
ドロック室４０からプロセスチャンバ１２に搬入してい
る間に、ロードロック室３０を大気圧にし、３枚目のガ
ラス基板をロボット５０によりカセット８２から取り出
し大気圧下のロードロック室３０に搬入する。その後、
ゲートバルブ３２を閉じ、ロードロック室３０内を設定
された圧力まで真空排気する。その後、ゲートバルブ３
４を開放し、搬送室２０内の搬送ロボット（図示せ
ず。）によりガラス基板をロードロック室３０から搬出
する。その後ゲートバルブ３４を閉じ、その後ロードロ
ック室３０内を不活性ガスにより大気圧に戻す。一方、
ロードロック室３０から搬出されたガラス基板を搬送室
２０内の搬送ロボット（図示せず。）により真空処理室
（プロセスチャンバ）群１０の中の最初のプロセスチャ
ンバ１２に搬入し、その後、ゲートバルブ１４を閉じ
る。プロセスチャンバ１２内に搬入されたガラス基板に
対して、プロセスチャンバ１２内においてプラズマＣＶ
Ｄ等の所定の真空処理を行う。プロセスチャンバ１２内
における処理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群
１０の次のプロセスチャンバ（図示せず。）に搬入し、
そこで処理を行う。

【００２９】（Ｉ−４）以下、上記（Ｉ−２）、（Ｉ−
３）の手順を所定回数繰り返す。

【００３０】図２に、上記（Ｉ−１）乃至（Ｉ−３）の
手順の一部を示す。

【００３１】なお、上記（Ｉ−２）の手順を行う場合に
は、好ましくは、ロードロック室３０から搬入されたガ
ラス基板が処理されプロセスチャンバ１２から搬出等さ
れて、プロセスチャンバ１２内に次のガラス基板が搬入
可能となるまでにロードロック室４０が所定の真空度に
達している場合にはプロセスチャンバ１２内に次のガラ
ス基板が搬入可能になるまでにガラス基板をロードロッ
ク室４０内に待機させ、プロセスチャンバ１２内に次の
ガラス基板が搬入可能になった後にゲートバルブ４４と
ゲートバルブ１４とを開け、ガラス基板を搬送室２０内
の搬送ロボット（図示せず。）によりロードロック室４
０からプロセスチャンバ１２に搬送し、その後、ゲート
バルブ４４、１４を閉じ、ロードロック室３０から搬入
されたガラス基板が処理されプロセスチャンバ１２から
搬出等されて、プロセスチャンバ１２内に次のガラス基
板が搬入可能となるまでにロードロック室４０が所定の
真空度に達していない場合には、ロードロック室４０内
が所定の真空度に到達した後に、ゲートバルブ４４とゲ
ートバルブ１４とを開け、ガラス基板を搬送室２０内の
搬送ロボット（図示せず。）によりロードロック室４０
からプロセスチャンバ１２に搬送し、その後、ゲートバ
ルブ４４、１４を閉じる。

【００３２】なお、上記においては、ロードロック室４
０からプロセスチャンバ１２にガラス基板を搬送する上
記（Ｉ−２）の手順の場合について述べたが、ロードロ
ック室３０からプロセスチャンバ１２にガラス基板を搬
送する上記（Ｉ−３）の手順の場合についても同様であ
る。

【００３３】（ＩＩ）プロセスチャンバ１２内における
処理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群１０の次
のプロセスチャンバ（図示せず。）に搬入し、そこで処
理を行い、その後、プロセスチャンバ群１０の後続のプ
ロセスチャンバ（図示せず。）において次々と処理を行
い、最後にプロセスチャンバ群１０のプロセスチャンバ
１１２に搬入しそこで処理する。

【００３４】（ＩＩＩ）プロセスチャンバ１１２におい
て処理が行われたガラス基板は次のようにしてカセット
１８２まで搬送される。

【００３５】（ＩＩＩ−１）まず、プロセスチャンバ１
１２においてプラズマＣＶＤ等の真空処理が行われた後
に、ゲートバルブ１１４、１３４を開き、搬送室１２０
内の搬送ロボット（図示せず。）により、処理が終わっ
た１枚目のガラス基板を真空下のロードロック室１３０
内に搬送する。その後、ゲートバルブ１１４、１３４を
閉じ、１枚目のガラス基板が搬出されたロードロック室
１３０を不活性ガスにより大気圧にし、その後ゲートバ
ルブ１３２を開いて大気圧下のロードロック室１３０か
らロボット１５０によりガラス基板を搬出する。その
後、ゲートバルブ１３２を閉じ、ロードロック室１３０
を真空排気する。なお、ロードロック室１３０から搬出
されたガラス基板はロボット１５０によりカセット１８
２に搬送される。

【００３６】（ＩＩＩ−２）一方では、このようにロー
ドロック室１３０を大気圧にし、その後ロードロック室
１３０からガラス基板をカセット１８２に搬送している
間に、ゲートバルブ１１４、１４４を開き、搬送室１２
０内の搬送ロボット（図示せず。）により、処理が終わ
った２枚目のガラス基板を真空下のロードロック室１４
０内に搬送する。その後、ゲートバルブ１１４、１４４
を閉じ、２枚目のガラス基板が搬出されたロードロック
室１４０を不活性ガスにより大気圧にし、その後ゲート
バルブ１４２を開いて大気圧下のロードロック室１４０
からロボット１５０によりガラス基板を搬出する。その
後、ゲートバルブ１４２を閉じ、ロードロック室１４０
を真空排気する。なお、ロードロック室１４０から搬出
されたガラス基板はロボット１５０によりカセット１８
２に搬送される。

【００３７】（ＩＩＩ−３）また、一方では、このよう
にロードロック室１４０を大気圧にし、その後ロードロ
ック室１４０からガラス基板をカセット１８２に搬送し
ている間に、ゲートバルブ１１４、１３４を開き、搬送
室１２０内の搬送ロボット（図示せず。）により、処理
が終わった３枚目のガラス基板を真空下のロードロック
室１３０内に搬送する。その後、ゲートバルブ１１４、
１３４を閉じ、３枚目のガラス基板が搬出されたロード
ロック室１３０を不活性ガスにより大気圧にし、その後
ゲートバルブ１３２を開いて大気圧下のロードロック室
１３０からロボット１５０によりガラス基板を搬出す
る。その後、ゲートバルブ１３２を閉じ、ロードロック
室１３０を真空排気する。なお、ロードロック室１３０
から搬出されたガラス基板はロボット１５０によりカセ
ット１８２に搬送される。

【００３８】（ＩＩＩ−４）以下、上記（ＩＩＩ−
２）、（ＩＩＩ−３）の手順を所定回数繰り返す。

【００３９】なお、上記（ＩＩＩ−２）の手順を行う場
合には、好ましくは、プロセスチャンバ１１２からロー
ドロック室１３０にガラス基板が搬出された後に、ロー
ドロック室１４０が所定の真空度に到達している場合に
はプロセスチャンバ１１２によって真空処理された次の
ガラス基板をロードロック室１４０に搬出し、ロードロ
ック室１４０が所定の真空度に到達していない場合には
ロードロック室１４０が所定の真空度に到達した後にプ
ロセスチャンバ１１２によって真空処理された次のガラ
ス基板をロードロック室１４０に搬出する。なお、プロ
セスチャンバ１１２からロードロック室１３０にガラス
基板を搬送する上記（ＩＩＩ−３）の手順の場合につい
ても同様である。

【００４０】上述のように、本実施の形態においては、
プロセスチャンバ群１０の最初のプロセスチャンバ１２
に並列にロードロック室３０、４０を搬送室２０を介し
て連通可能に設け、プロセスチャンバ群１０の最後のプ
ロセスチャンバ１１２に並列にロードロック室１３０、
１４０を搬送室１２０を介して連通可能に設けているの
で、プロセスチャンバ群１０内にガラス基板を搬入する
際には、ロードロック室３０、４０を交互に使用でき、
装置の稼働率を高め、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができ、また、プロセスチャンバ群１
０からガラス基板を搬出する際には、ロードロック室１
３０、１４０を交互に使用でき、装置の稼働率を高め、
スループットやコストパフォーマンスを高めることがで
きる。

【００４１】ここで、スループットおよびコストパフォ
ーマンスを本実施の形態の真空処理装置１００と従来の
真空処理装置２００と間で比較するとつぎの表１のよう
になる。

【００４２】

【表１】 従来 本実施の形態 スループット Ａ ＫＡ 真空処理装置本体価格 Ｂ Ｂ’ 稼働率 α α コストパフォーマンス αＡ／Ｂ ＫαＡ／Ｂ’ コストパフォーマンス比 １ Ｋ・（Ｂ／Ｂ’）

【００４３】すなわち、本実施の形態においては、搬入
側および搬出側においてロードロック室をそれぞれ１つ
追加したので、その分真空処理装置本体の価格がＢ’と
なり従来の真空処理装置本体の価格Ｂよりも高くなる
が、スループットが従来のＫ（Ｋ＞１）倍となるので、
真空処理装置本体の価格の上昇を十分に打ち消し、その
結果、従来に比べて格段に高いコストパフォーマンスが
得られる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の真空処理装置によれば、真空処
理室に少なくとも２つの真空予備室を並列に連通可能に
設けているので、上記少なくとも２つの真空予備室を交
互にまたは順番に使用することができ、装置の稼働率を
高め、スループットやコストパフォーマンスを高めるこ
とができる。

【００４５】本発明の真空処理方法によれば、第１の真
空予備室と第２の真空予備室とを交互に利用して被処理
物の搬入／搬出を行うことができ、装置の稼働率を高
め、スループットやコストパフォーマンスを高めること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の真空処理装置を説明す
るための模式的ブロック図である。

【図２】本発明の一実施の形態の真空処理装置における
ガラス基板のローディング方法を説明するためのシーケ
ンス図である。

【図３】従来の真空処理装置を説明するための模式的ブ
ロック図である。

【図４】従来の真空処理装置におけるガラス基板のロー
ディング方法を説明するためのシーケンス図である。

【符号の説明】

８０…カセットスタンド ８２、１８２…カセット ２０、１２０、２２０、３２０…搬送室 ３０、４０、１３０、１４０、２３０、３３０、…ロー
ドロック室 １４、３２、３４、４２、４４、１１４、１３２、１３
４、１４２、１４４…ゲートバルブ ５０、１５０、２５０、３５０…ロボット １２、１１２…真空処理室（プロセスチャンバ） １０…真空処理室群（プロセスチャンバ群）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理物の搬入部および搬出部を備えた真
   空処理室と、 少なくとも２つの真空予備室であって、前記真空処理室
   の前記搬入部および前記搬出部のうちのいずれか一方
   に、または前記搬入部と前記搬出部とが兼用されている
   場合には前記兼用されている前記搬入部および前記搬出
   部に、並列に連通可能に設けられた前記少なくとも２つ
   の真空予備室と、 を有することを特徴とする真空処理装置。
2. 【請求項２】被処理物の搬入部分を備える真空処理室と
   前記真空処理室の前記搬入部分に並列に接続して設けら
   れた第１および第２の真空予備室とを有する真空処理装
   置を用いて前記被処理物の真空処理を行う真空処理方法
   であって、（１）大気圧下の前記第１の真空予備室に第
   １の被処理物を搬入し、その後前記第１の被処理物が搬
   入された前記第１の真空予備室を真空排気し、その後真
   空排気された前記第１の真空予備室から前記真空処理室
   に前記第１の被処理物を搬入し、その後前記第１の真空
   予備室を大気圧にする第１の搬送手順と、（２）大気圧
   下の前記第２の真空予備室に第２の被処理物を搬入し、
   その後前記第２の被処理物が搬入された前記第２の真空
   予備室を真空排気し、前記真空処理室内で前記第１の真
   空予備室から搬入された被処理物が所定の真空処理をさ
   れて前記真空処理室内に前記第２の被処理物が搬入可能
   になるまでに前記第２の真空予備室が所定の真空度に到
   達している場合には前記真空処理室内に前記第２の被処
   理物が搬入可能になるまで前記第２の被処理物を前記第
   ２の真空予備室内に待機させ、前記真空処理室内に前記
   第２の被処理物が搬入可能になった後に前記第２の真空
   予備室から前記真空処理室に前記第２の被処理物を搬入
   し、前記真空処理室内で前記第１の真空予備室から搬入
   された被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理
   室内に前記第２の被処理物が搬入可能になるまでに前記
   第２の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合
   には前記第２の真空予備室が所定の真空度に到達した後
   に前記第２の真空予備室から前記真空処理室に前記第２
   の被処理物を搬入し、 前記第２の真空予備室から前記真空処理室に前記第２の
   被処理物を搬入後、前記第２の真空予備室を大気圧にす
   る第２の搬送手順と、（３）大気圧下の前記第１の真空
   予備室に第３の被処理物を搬入し、 その後前記第３の被処理物が搬入された前記第１の真空
   予備室を真空排気し、前記真空処理室内で前記第２の真
   空予備室から搬入された被処理物が所定の真空処理をさ
   れて前記真空処理室内に前記第３の被処理物が搬入可能
   になるまでに前記第１の真空予備室が所定の真空度に到
   達している場合には前記真空処理室内に前記第３の被処
   理物が搬入可能になるまで前記第３の被処理物を前記第
   １の真空予備室内に待機させ、前記真空処理室内に前記
   第３の被処理物が搬入可能になった後に前記第１の真空
   予備室から前記真空処理室に前記第３の被処理物を搬入
   し、前記真空処理室内で前記第２の真空予備室から搬入
   された被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理
   室内に前記第３の被処理物が搬入可能になるまでに前記
   第１の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合
   には前記第１の真空予備室が所定の真空度に到達した後
   に前記第１の真空予備室から前記真空処理室に前記第３
   の被処理物を搬入し、 前記第１の真空予備室から前記真空処理室に前記第３の
   被処理物を搬入後、前記第１の真空予備室を大気圧にす
   る第３の搬送手順と、を有し、前記第２の搬送手順と前
   記第３の搬送手順とを所定回数繰り返すことを特徴とす
   る真空処理方法。
3. 【請求項３】被処理物の搬出部分を備える真空処理室と
   前記真空処理室の前記搬出部分に並列に接続して設けら
   れた第１および第２の真空予備室とを有する真空処理装
   置を用いて前記被処理物の真空処理を行う真空処理方法
   であって、（１）前記真空処理装置によって真空処理さ
   れた第１の被処理物を真空下の前記第１の真空予備室に
   搬出し、その後前記第１の被処理物が搬出された前記第
   １の真空予備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記第
   １の真空予備室から前記第１の被処理物を搬出し、その
   後前記第１の真空予備室を真空排気する第１の搬送手順
   と、（２）前記真空処理室から前記第１の真空予備室に
   被処理物が搬出された後に、前記第２の真空予備室が所
   定の真空度に到達している場合には前記真空処理装置に
   よって真空処理された第２の被処理物を前記第２の真空
   予備室に搬出し、前記第２の真空予備室が所定の真空度
   に到達していない場合には前記第２の真空予備室が所定
   の真空度に到達した後に前記真空処理装置によって真空
   処理された第２の被処理物を前記第２の真空予備室に搬
   出し、 前記第２の被処理物を前記第２の真空予備室に搬出後、
   前記第２の真空予備室を大気圧にし、 その後大気圧下の前記第２の真空予備室から前記第２の
   被処理物を搬出し、 その後前記第２の真空予備室を真空排気する第２の搬送
   手順と、（３）前記真空処理室から前記第２の真空予備
   室に被処理物が搬出された後に、前記第１の真空予備室
   が所定の真空度に到達している場合には前記真空処理装
   置によって真空処理された第３の被処理物を前記第１の
   真空予備室に搬出し、前記第１の真空予備室が所定の真
   空度に到達していない場合には前記第１の真空予備室が
   所定の真空度に到達した後に前記真空処理装置によって
   真空処理された第３の被処理物を前記第１の真空予備室
   に搬出し、 前記第３の被処理物を前記第１の真空予備室に搬出後、
   前記第１の真空予備室を大気圧にし、 その後大気圧下の前記第１の真空予備室から前記第３の
   被処理物を搬出し、 その後前記第１の真空予備室を真空排気する第３の搬送
   手順と、を有し、前記第２の搬送手順と前記第３の搬送
   手順とを所定回数繰り返すことを特徴とする真空処理方
   法。