JPH113802A - Resistance paste for low temperature firing - Google Patents
Resistance paste for low temperature firingInfo
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- JPH113802A JPH113802A JP9169470A JP16947097A JPH113802A JP H113802 A JPH113802 A JP H113802A JP 9169470 A JP9169470 A JP 9169470A JP 16947097 A JP16947097 A JP 16947097A JP H113802 A JPH113802 A JP H113802A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、直流型プラズマディスプレイバネ
ル(PDP)用途に対応出来る抵抗体の温度係数(TC
R)及び抵抗値のばらつきが小さく、耐静電気特性の極
めて安定した低温焼成用抵抗ペーストを提供することを
課題とする。
【解決手段】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が3
50℃〜550℃であるPbO−SiO2 −B2 O3 −
Al2 O3 系又はPbO−SiO2 −B2O3 −Al2
O3 −ZnO系のものを単独又は混合せるガラス粉末
と、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラ
セオジム粉末との混合物を用い、それら粉末の総てを、
有機ビヒクル中に分散させて抵抗ペーストとする。An object of the present invention is to provide a temperature coefficient (TC) of a resistor that can be used for a DC plasma display panel (PDP).
It is an object of the present invention to provide a low-temperature sintering resistance paste in which R) and the resistance value are small and the antistatic property is extremely stable. SOLUTION: One or more conductive particles selected from lead ruthenate powder, bismuth ruthenate powder, calcium ruthenate powder, strontium ruthenate powder and lanthanum ruthenate powder, and a softening point of 3 or more.
PbO—SiO 2 —B 2 O 3 — at 50 ° C. to 550 ° C.
Al 2 O 3 system or PbO-SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2
A glass powder in which an O 3 -ZnO-based material is used alone or mixed, and a mixture of a dysprosium oxide powder and a praseodymium oxide powder as a filler, all of the powders are
Dispersed in an organic vehicle to form a resistance paste.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種抵抗器など、
主として直流型プラズマディスプレイパネル、液晶表示
板、陰極線管などのガラス基材表面に焼成抵抗体の被膜
形成可能な抵抗ペーストに係り、スパッタ防止のための
電流制限用抵抗に用いる、500〜600℃で焼成可能
な低温焼成用抵抗ペーストの改良に関する。[0001] The present invention relates to various resistors and the like.
It mainly relates to a resistive paste capable of forming a film of a fired resistor on the surface of a glass substrate such as a DC plasma display panel, a liquid crystal display panel, and a cathode ray tube, and is used as a current limiting resistor for preventing spattering. The present invention relates to improvement of a low-temperature firing resistance paste that can be fired.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子工業用貴金属ペーストの用途
は急速に拡大してきており、多種にわたる貴金属が単一
又は複合してそれに活用されている。貴金属ペーストと
いっても、これを正確に定義することは難しいが、貴金
属ペーストとは、端的に言えば、導電機能材料としての
貴金属粉末や貴金属レジネートなどを、無機バインダー
であるガラスフリット、金属酸化物などを、粘性を付与
する有機ビヒクルに混合分散してペースト状にしたもの
である。2. Description of the Related Art In recent years, the use of noble metal pastes for the electronic industry has been rapidly expanding, and various kinds of noble metals are used singly or in combination. Although it is difficult to accurately define the noble metal paste, noble metal paste is, in short, a noble metal powder or a noble metal resinate as a conductive functional material, a glass frit as an inorganic binder, a metal oxide. An object is mixed and dispersed in a viscous organic vehicle to form a paste.
【0003】これらは、一般に非導電性の、例えばセラ
ミックスなどの基板材料に塗布、焼成、硬化させて導
電、抵抗回路機能を発揮する電子部品として利用される
ことにより、貴金属ペーストの概念ならびに価値を理解
することが出来る。それらに通常使用される金属及び貴
金属類としては、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、A
u、Ag、Cu、Cr、Niなどを挙げることが出来
る。[0003] These are generally applied to non-conductive substrate materials such as ceramics, for example, by being applied, baked and cured to be used as electronic components that exhibit a conductive and resistive circuit function. I can understand. The metals and noble metals commonly used for them include Pt, Pd, Ir, Rh, Ru, A
u, Ag, Cu, Cr, Ni and the like.
【0004】また、電気メッキに代表される湿式メッキ
や、乾式メッキとして真空蒸着法、化学蒸着法、スパッ
タリングなどにより薄膜を形成させる方法等がある。Further, there are wet plating typified by electroplating, and a method of forming a thin film by vacuum deposition, chemical vapor deposition, sputtering or the like as dry plating.
【0005】薄膜法に対して厚膜法は、通常0.2μm
〜数十μmの膜を形成させるもので、貴金属ペースト、
有機金属メタル(メタルオーガニック MO)によるも
のである。その方法によって得られる製品は、精密導体
回路などに広く利用され、主なものを挙げると、ハイブ
リッドIC、ネットワーク抵抗、各種センサ、積層セラ
ミックコンデンサ、タンタルコンデンサ、厚膜感熱プリ
ントヘッド、等々である。The thick film method is generally 0.2 μm
Noble metal paste, which forms a film of
It is based on organometallic metal (Metal Organic MO). Products obtained by this method are widely used for precision conductor circuits and the like, and the main ones are hybrid ICs, network resistors, various sensors, multilayer ceramic capacitors, tantalum capacitors, thick-film thermal print heads, and the like.
【0006】本発明は、前記金属及び貴金属ペーストの
利用分野に属し、その応用技術の一貫として実施される
もので、そのうち厚膜ハイブリッドIC及び抵抗器用ペ
ーストとして用いられるものでも、導電体となるもの、
抵抗体となるものに分けられる。従来用いられていた抵
抗ペーストとしては、銀・パラジウムが主流を占めてい
たが、焼成中にパラジウムの酸化・還元過程において銀
との合金化など制御困難な反応が起こり、正確な抵抗値
を得るのが難しく、現在では殆ど使用されなくなった。The present invention belongs to the field of application of the above-mentioned metal and noble metal pastes, and is implemented as a part of the applied technology. Among them, those used as thick film hybrid ICs and pastes for resistors are also used as conductors. ,
It is divided into those that become resistors. Silver / palladium occupied the mainstream as the resistance paste used conventionally, but difficult control such as alloying with silver occurred during the oxidation / reduction process of palladium during firing, and an accurate resistance value was obtained. Difficult to use and is now rarely used.
【0007】それにひきかえ、近年着目されている酸化
ルテニウムは安定な酸化物で、この粉末とガラス粉末と
を有機ビヒクル中に分散させて用いるが、酸化物の抵抗
率が酸化パラジウムに比して小さく、抵抗体の温度係数
(TCR)も小さいので、一つの系列で低抵抗から高抵
抗まで幅広い効力を有する。On the other hand, ruthenium oxide, which has attracted attention in recent years, is a stable oxide, and this powder and glass powder are used by being dispersed in an organic vehicle. The resistivity of the oxide is smaller than that of palladium oxide. Since the temperature coefficient (TCR) of the resistor is small, one series has a wide range of effects from low resistance to high resistance.
【0008】酸化ルテニウム系ペーストには、導電物質
として通常RuO2 を用いるものと、Bi2 Ru2 O7
のようなパイロクロア形ルテニウム酸塩を用いるものと
があり、MnO2 、Cu2 O、Nb2 O5 などの金属酸
化物などを添加して、抵抗体の温度係数、耐電力、耐静
電気特性などの抵抗としての電気的特性を制御する方法
が採られている。[0008] Ruthenium oxide pastes usually use RuO 2 as a conductive material, and Bi 2 Ru 2 O 7
And pyrochlore-type ruthenates such as MnO 2 , Cu 2 O, Nb 2 O 5, etc., and adding a metal oxide or the like to the temperature coefficient, electric power resistance, anti-static property, etc. of the resistor. A method of controlling an electrical characteristic as a resistance of the semiconductor device has been adopted.
【0009】その際、ペーストに用いるガラス粉末が、
焼成時に流動するのを制御するためフィラーを添加する
が、一般に使用されているものに酸化チタン粉末、酸化
アルミニウム粉末、酸化ジルコニウム粉末などがある。
それら抵抗ペーストに関し、二三の公知例を挙げる。At this time, the glass powder used for the paste is
Fillers are added to control the flow during firing, but titanium oxide powder, aluminum oxide powder, zirconium oxide powder, and the like are commonly used.
A few known examples of these resistance pastes are given.
【0010】まず、特公昭63−7585号には、抵抗
塗料として酸化ルテニウムと、ガラス、ランタン酸化物
及び/又はネオジム酸化物と、有機ビヒクルとからなる
ものがあり、それらのランタン酸化物及び/又はネオジ
ム酸化物が予めガラス中に包含され、また、酸化ルテニ
ウムとランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物とが予
めガラスに包含されていること、及びそれらの量比を規
定した発明が開示されている。First, JP-B-63-7585 discloses a resistive paint composed of ruthenium oxide, glass, lanthanum oxide and / or neodymium oxide, and an organic vehicle. Or, an invention is disclosed in which neodymium oxide is contained in glass in advance, and ruthenium oxide and lanthanum oxide and / or neodymium oxide are contained in glass in advance, and their quantitative ratios are specified. I have.
【0011】それと関連する抵抗塗料として、特公昭6
3−55844号には、(a)酸化ルテニウムと、
(b)ガラスと、(c)プラセオジム酸化物及び/又は
サマリウム酸化物と、(d)有機ベヒクルとから成るも
のがあり、それにさらにランタン酸化物及び/又はネオ
ジム酸化物を加えた塗料が開示されている。[0011] As a resistive paint related thereto, Japanese Patent Publication No. Sho 6
In 3-55844, (a) ruthenium oxide;
There is disclosed a paint comprising (b) glass, (c) praseodymium oxide and / or samarium oxide, and (d) an organic vehicle, and further adding lanthanum oxide and / or neodymium oxide. ing.
【0012】また、特開昭62−124164号には、
抵抗塗料及びそれより形成される抵抗体が記載され、そ
れらを形成する物質として、(a)酸化ルテニウム、
(b)ガラスと、(c)ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、(d)銅
酸化物と、(e)有機ビヒクルとからなる抵抗塗料、な
らびに、絶縁基板上に、(a)酸化ルテニウムと、
(b)ガラスと、(c)ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、(d)銅
酸化物とからなる抵抗被膜を形成してなる厚膜抵抗体が
開示されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-124164 discloses that
A resistive paint and a resistor formed therefrom are described, and (a) ruthenium oxide,
(B) glass; (c) one or more oxides selected from the group consisting of lanthanum oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, and samarium oxide; (d) copper oxide; A) a resistance paint comprising an organic vehicle, and (a) ruthenium oxide on an insulating substrate;
(B) glass; (c) one or more oxides selected from the group consisting of lanthanum oxide, neodymium oxide, praseodymium oxide, and samarium oxide; and (d) copper oxide A thick film resistor formed by forming a coating is disclosed.
【0013】上記従来例には、ガラスの軟化点ついての
記載はなく明らかではないが、軟化点は550〜850
℃のものを単独で使用しているものと推測される。直流
型プラズマディスプレイパネル(DC型PDP)に使用
される電流制限用抵抗に不可欠の特性、即ち抵抗値が5
00kΩ/□程度で、抵抗値のばらつきが小さく(CV
5%以内)、且つTCR(抵抗体の温度係数)も小さく
(−500ppm/℃以内)、同時にサイズが小さくと
も(0.3mm×0.3mm以内)、高電圧パルス(1
000V)に対して安定なもの(変化率が3%以内)が
要求されるところ、従来例のものは、それらの特性を総
合して満足するものではなかった。Although the softening point of the glass is not described in the above conventional examples, it is not clear, but the softening point is 550 to 850.
It is presumed that the product of C was used alone. A characteristic indispensable for a current limiting resistor used in a DC plasma display panel (DC PDP), that is, the resistance value is 5
Approximately 00 kΩ / □, the variation in resistance is small (CV
5%), the TCR (temperature coefficient of the resistor) is small (within -500 ppm / ° C.), and at the same time, the size is small (within 0.3 mm × 0.3 mm).
000 V) is required (change rate is within 3%), but the conventional example is not satisfactory in all of these characteristics.
【0014】また、フィラーに就いても、前三例は、ラ
ンタン酸化物及び/又はネオジム酸化物であり、プラセ
オジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物ランタン酸化
物であり、ネオジム酸化物、プラセオジム酸化物及びサ
マリウム酸化物からなる群より選ばれる一種又は二種以
上の酸化物であって、それらは何れも本発明で使用する
酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末を混合
したものと異なるものである。同時に、ガラス粉末に就
いても、本発明で使用する軟化点が350〜550℃と
低いガラス粉末とは異なっている。Regarding the filler, the first three examples are lanthanum oxide and / or neodymium oxide, praseodymium oxide and / or samarium oxide, lanthanum oxide, neodymium oxide and praseodymium oxide. And samarium oxide, one or more oxides selected from the group consisting of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder used in the present invention. At the same time, the glass powder used in the present invention differs from the glass powder having a low softening point of 350 to 550 ° C.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】直流型プラズマディス
プレイパネルの場合、一枚の基板に微細な抵抗体が数百
万個も形成されるので、電流制限用抵抗体の抵抗値のば
らつきが小さく、且つ基板の温度の変化や周囲環境温度
の変化を考慮すると、温度係数(TCR)が小さいこと
が重要な要件となる。また、200〜300Vの電圧パ
ルスが印加されることを考慮すれば、電圧パルスについ
ても安定を図ることも重要である。In the case of a DC plasma display panel, since millions of fine resistors are formed on a single substrate, the variation in the resistance of the current limiting resistor is small. In addition, considering a change in the temperature of the substrate and a change in the ambient environment temperature, it is an important requirement that the temperature coefficient (TCR) be small. Considering that a voltage pulse of 200 to 300 V is applied, it is also important to stabilize the voltage pulse.
【0016】前記のことを総合的に考えると、直流型プ
ラズマティスプレイパネルに適用可能な抵抗の特性とし
て要求される事項は、500kΩ/□程度で、抵抗値の
ばらつきが5%以下で、温度係数(TCR)が−500
ppm/℃以内、0.3mm×0.3mmサイズで10
00Vパルスでの変化率が5%以内の抵抗体とすること
であり、それらの改良を本発明の課題とする。Taking the above into consideration, the required characteristics of the resistor applicable to the DC plasma display panel are about 500 kΩ / □, the variation in the resistance value is 5% or less, and the temperature. Coefficient (TCR) is -500
Within ppm / ° C, 0.3mm × 0.3mm size 10
It is an object of the present invention to provide a resistor having a change rate of 5% or less with a 00V pulse.
【0017】[0017]
1 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビスマス粉末、
ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸ストロンチ
ウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中から選ばれた
一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が350℃〜5
50℃であるPbO−SiO2 −B2 O3 −Al2 O3
系又はPbO−SiO2 −B2 O3 −Al2 O3 −Zn
O系のものを単独又は混合せるガラス粉末と、フィラー
として酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末
との混合物を用い、それら粉末の総てを、有機ビヒクル
中に分散させることを特徴とする低温焼成用抵抗ペース
ト。 2 酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末と
の混合物の重量和は、導電粒子とガラス粉末との重量和
の5重量%〜35重量%の範囲である前項1記載の低温
焼成用抵抗ペースト。1 Lead ruthenate powder, bismuth ruthenate powder,
One or more conductive particles selected from calcium ruthenate powder, strontium ruthenate powder, and lanthanum ruthenate powder;
PbO-SiO 2 is 50 ℃ -B 2 O 3 -Al 2 O 3
System or PbO-SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -Zn
A low-temperature firing resistor characterized in that a glass powder in which an O-based powder is used alone or mixed, and a mixture of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder as a filler, and all of the powders are dispersed in an organic vehicle. paste. 2. The resistance paste for low-temperature firing according to the above item 1, wherein the weight sum of the mixture of the dysprosium oxide powder and the praseodymium oxide powder is in the range of 5% by weight to 35% by weight of the total weight of the conductive particles and the glass powder.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】本発明によって作られた抵抗体
が、耐電圧特性において、従来品に比し数段向上させ得
たことについて特筆すべき点は、フィラーとして酸化ジ
スプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を
用いたことにある。また、抵抗ペーストの一成分である
ガラス粉末について、軟化点が350〜550℃のもの
を用いたから低温下での焼結が可能で、焼成固着した抵
抗体の均一性がよく、ガラス基板が使用されている直流
型プラズマディスプレイパネルに応用可能なほか、省エ
ネに寄与出来る長所がある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The resistor made according to the present invention can be improved in withstand voltage characteristics by several steps as compared with conventional products. It is worth noting that dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder are used as fillers. Have been used. In addition, the glass powder, which is a component of the resistance paste, having a softening point of 350 to 550 ° C., can be sintered at a low temperature, the fired and fixed resistor has good uniformity, and a glass substrate is used. In addition to being applicable to the direct current type plasma display panel, there is an advantage that it can contribute to energy saving.
【0019】ガラス組成は、PbO75.0〜81.0
重量%、SiO2 6.0〜10.0重量%、B2 O
3 3.0〜5.0重量%、Al2 O3 8.0〜12.0
重量%、からなるもの、又はPbO70.3〜76.4
重量%、SiO2 0.9〜3.0重量%、B2 O3 1
4.8〜18.9重量%、Al2 O3 1.7〜3.7重
量%、ZnO4.1〜6.2重量%からなる平均粒子径
1μm以下のものを用いる。The glass composition is 75.0 to 81.0 PbO.
Wt%, SiO 2 6.0 to 10.0 wt%, B 2 O
3 3.0 to 5.0 wt%, Al 2 O 3 8.0~12.0
% By weight, or 70.3 to 76.4 of PbO
Wt%, SiO 2 0.9 to 3.0 wt%, B 2 O 3 1
4.8 to 18.9 wt%, Al 2 O 3 1.7 to 3.7 wt%, using the following average particle diameter of 1μm consisting ZnO4.1~6.2 wt%.
【0020】さらに具体的には、軟化点510℃のPb
O78.0重量%、SiO2 8.0重量%、B2 O
3 4.0重量%、Al2 O3 10.0重量%のガラス粉
末、及び/又は軟化点430℃のPbO73.3重量
%、SiO2 2.0重量%、B2 O3 16.9重量%、
Al2 O3 2.7重量%、ZnO5.2重量%のガラス
粉末を単独又は混合して用いる。More specifically, Pb having a softening point of 510 ° C.
O 78.0% by weight, SiO 2 8.0% by weight, B 2 O
3 4.0% by weight, glass powder of 10.0% by weight of Al 2 O 3 and / or 73.3% by weight of PbO having a softening point of 430 ° C., 2.0% by weight of SiO 2 , 16.9% by weight of B 2 O 3 %,
A glass powder of 2.7% by weight of Al 2 O 3 and 5.2% by weight of ZnO is used alone or in combination.
【0021】[0021]
【実施例】まず、PbO73.3重量%、SiO2 2.
0重量%、B2 O3 16.9重量%、Al2 O3 2.7
重量%、ZnO5.2重量%を混合して約1300℃で
溶融した後冷却し、これをボールミルにて粉砕し、軟化
点430℃で平均粒子径1μm以下のガラス粉末を用意
した。別に導電粒子として、平均粒子径1μm以下のル
テニウム酸鉛粉末、及びフィラーとして平均粒子径1μ
m以下の酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉
末との混合物を用意した。[Example] First, PbO73.3 wt%, SiO 2 2.
0 wt%, B 2 O 3 16.9 wt%, Al 2 O 3 2.7
% Of ZnO and 5.2% by weight of ZnO were mixed, melted at about 1300 ° C., cooled, and pulverized by a ball mill to prepare glass powder having a softening point of 430 ° C. and an average particle diameter of 1 μm or less. Separately, lead ruthenate powder having an average particle diameter of 1 μm or less as conductive particles, and an average particle diameter of 1 μm as a filler.
A mixture of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder of m or less was prepared.
【0022】上記の材料を用い、ルテニウム酸鉛粉末2
4.1重量%、ガラス粉末59.2重量%、酸化ジスプ
ロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物(1
5:5、10:10、5:15、表1、実施例1〜3参
照)16.7重量%の割合で調合した粉末を、エチルセ
ルロース15重量部とターピネオール85重量部からな
る有機ビヒクルと混合し、遊星ブレンダーで予備混練し
たのち、回転比の異なる三本ロールを通して三者を均一
に分散させて、低温焼成用抵抗ペーストとした。Using the above materials, lead ruthenate powder 2
4.1 wt%, glass powder 59.2 wt%, a mixture of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder (1
5: 5, 10:10, 5:15; see Table 1, Examples 1 to 3) Mix powder at 16.7% by weight with an organic vehicle consisting of 15 parts by weight of ethylcellulose and 85 parts by weight of terpineol. Then, after preliminary kneading with a planetary blender, the three components were uniformly dispersed through three rolls having different rotation ratios to obtain a low-temperature firing resistance paste.
【0023】かくして得たペーストで抵抗体を作成した
ものの、抵抗値のばらつきを評価するため、予め、ガラ
ス板の中央部に直線状の共通電極を設け、この共通電極
の両側に振り分けて各16個の試験電極を設けた評価基
板2枚を用意した。これらの評価基板の各電極は、それ
ぞれガラス板上に予め銀を主成分とする導体ペーストを
スクリーン印刷してから焼成を行った。この評価基板上
の共通電極と試験電極とを橋絡するように、本発明に係
る低温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷して、焼成
炉中580℃ピーク値10分でトータル1時間焼成して
抵抗体とした。Although a resistor was prepared from the paste thus obtained, a linear common electrode was provided in advance at the center of the glass plate to evaluate the variation in the resistance value. Two evaluation substrates provided with the test electrodes were prepared. Each electrode of these evaluation substrates was fired after screen printing a conductor paste containing silver as a main component on a glass plate in advance. The resistive paste for low-temperature firing according to the present invention was screen-printed so as to bridge the common electrode and the test electrode on the evaluation substrate, and was fired in a firing furnace at 580 ° C. with a peak value of 10 minutes for a total of 1 hour. Body.
【0024】評価基板一枚当たり32の試料の0.25
mm×0.25mmで厚さ5.5μmの抵抗体を焼成形
成した。この評価基板を二枚作成し、合計64サンプル
の焼成抵抗体を作成して評価したところ、平均抵抗値は
1.17MΩ、抵抗値ばらつきの指標である抵抗値変動
係数CV=σ/X ×100(%)(σは標準偏差、Xは
平均抵抗値)は表1に示す通り、実施例1は3.2、実
施例2は4.4、実施例3は3.8と低かった。0.25 of 32 samples per evaluation substrate
A resistor having a size of mm × 0.25 mm and a thickness of 5.5 μm was formed by firing. When two evaluation substrates were prepared and a total of 64 samples of fired resistors were prepared and evaluated, the average resistance value was 1.17 MΩ, and the resistance value variation coefficient CV = σ / X × 100 as an index of resistance value variation. As shown in Table 1, (%) (σ is the standard deviation, X is the average resistance value) was as low as 3.2 in Example 1, 4.4 in Example 2, and 3.8 in Example 3.
【0025】[0025]
【比較例】フィラーを各々単独で用いた他は、総て実施
例と同様に行った。その抵抗値変動係数は、表2の比較
例1〜7に示すように一部を除き全体にばらつきが激し
く、一部、抵抗値変動係数は酸化プラセオジム4.3、
酸化チタン4.2と実施例に近いが、他方、温度係数
−313、−2071、高電圧パルス1000VでのΔ
Rが−12.5、−0.1と、三要素を満足させるもの
はなく、本発明のフィラー混合物が予期できない作用効
果を奏していることが判る。幾つかの例は、次葉の評価
結果として、実施例を表1に、又比較例は次の表2に示
した。[Comparative Examples] Except that each filler was used alone, the procedure was the same as in Examples. As shown in Comparative Examples 1 to 7 in Table 2, the variation coefficient of the resistance value is largely varied except for a part, and the variation coefficient of the resistance value is partially praseodymium oxide 4.3.
Titanium oxide 4.2 and close to the example, but on the other hand, temperature coefficient
-313, -2071, Δ at high voltage pulse 1000V
R is -12.5 and -0.1, satisfying the three factors, indicating that the filler mixture of the present invention has an unexpected effect. Some examples are shown in Table 1 as an evaluation result of the next leaf, and Table 2 below shows a comparative example.
【0026】表1及び表2において、 Ω/□はシート抵抗値 CV%は抵抗値変動係数 ppm/℃は1℃当たりの抵抗値の変化率 ΔR%は高電圧パルスでの抵抗値の変化率(R2 −R1
/R1 ×100) R1 :試験前の抵抗値 R2 :試験後の抵抗値 を表す。In Tables 1 and 2, Ω / □ is the sheet resistance value CV% is the coefficient of variation of the resistance value ppm / ° C. is the rate of change of the resistance value per 1 ° C. ΔR% is the rate of change of the resistance value at the high voltage pulse (R 2 -R 1
/ R 1 × 100) R 1 : resistance value before test R 2 : resistance value after test
【0027】 表中、フィラー量は導電粒子+ガラス粉末100重量和に対する重量%[0027] In the table, the filler amount is% by weight based on 100% by weight of conductive particles + glass powder.
【0028】 表中、フィラー量は導電粒子+ガラス粉末100重量和に対する重量%[0028] In the table, the filler amount is% by weight based on 100% by weight of conductive particles + glass powder.
【0029】上記、実施例表1及び比較例表2から明ら
かなように、本発明が、フィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末とを混合使用したこと
により、それらを単独で使用した場合及びその他の化合
物を使用した場合に比して、抵抗値のばらつきや抵抗体
の温度係数の低さ、耐電圧特性の各要件を満たしてい
る。例えば、実施例2のフィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を使用した
場合と、比較例1の酸化ジスプロシウム粉末を単独で使
用した場合とを比較すると、抵抗値、そのばらつきは実
施例も比較例も共に近い値を示すが、耐電圧特性におい
て格段の差があり、実施例1〜3のものは全体のバラン
スが均一に保て、総ての数値が安定しているのが判る。As is clear from the above-mentioned Example Table 1 and Comparative Example Table 2, the present invention uses a mixture of a dysprosium oxide powder and a praseodymium oxide powder as fillers. Compared to the case where the compound of the above is used, the requirements of the variation of the resistance value, the low temperature coefficient of the resistor, and the withstand voltage characteristics are satisfied. For example, comparing the case of using a mixture of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder as the filler of Example 2 with the case of using the dysprosium oxide powder of Comparative Example 1 alone, the resistance value and the variation thereof were as in Example 1. Both the comparative examples and the comparative examples show similar values, but there is a remarkable difference in the withstand voltage characteristics, and it can be seen that all of the numerical values are stable in Examples 1 to 3 because the overall balance is kept uniform. .
【0030】[0030]
【発明の効果】本発明に係る低温焼成用抵抗ペーストに
よれば、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化
プラセオジム粉末との混合物を使用したことにより、約
500kΩ/□もの高抵抗で、かつ0.3mm×0.3
mm以下の微小な抵抗体においても、前記のとおり抵抗
値のばらつき及び抵抗体の温度係数が小さく、然も高電
圧パルスに対して安定であるため、直流型プラズマディ
スプレイパネルにおいて、スパッタ防止のための電流制
限用抵抗に、十二分に対応出来るという特別顕著な作用
効果を奏するものである。According to the resistance paste for low-temperature firing according to the present invention, since a mixture of dysprosium oxide powder and praseodymium oxide powder is used as a filler, the resistance is as high as about 500 kΩ / □ and 0.3 mm × 0.3
mm or less, the resistance variation and the temperature coefficient of the resistor are small as described above, and are stable against high-voltage pulses. The current limiting resistor has a particularly remarkable effect of being able to cope with it more than enough.
Claims (2)
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が3
50℃〜550℃であるPbO−SiO2 −B2 O3 −
Al2 O3 系又はPbO−SiO2 −B2 O3 −Al2
O3 −ZnO系のものを単独又は混合せるガラス粉末
と、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラ
セオジム粉末との混合物を用い、それら粉末の総てを、
有機ビヒクル中に分散させることを特徴とする低温焼成
用抵抗ペースト。1. One or more conductive particles selected from lead ruthenate powder, bismuth ruthenate powder, calcium ruthenate powder, strontium ruthenate powder and lanthanum ruthenate powder, and a softening point of 3 or more.
PbO—SiO 2 —B 2 O 3 — at 50 ° C. to 550 ° C.
Al 2 O 3 system or PbO-SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2
A glass powder in which an O 3 -ZnO-based material is used alone or mixed, and a mixture of a dysprosium oxide powder and a praseodymium oxide powder as a filler, all of the powders are
A low-temperature baking resistance paste characterized by being dispersed in an organic vehicle.
と酸化プラセオジム粉末との混合物の重量和は、導電粒
子とガラス粉末との重量和の5重量%〜35重量%の範
囲である請求項1記載の低温焼成用抵抗ペースト。2. The low-temperature firing according to claim 1, wherein the weight sum of the mixture of the dysprosium oxide powder and the praseodymium oxide powder as the filler is in the range of 5% by weight to 35% by weight of the total weight of the conductive particles and the glass powder. For resistance paste.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169470A JPH113802A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Resistance paste for low temperature firing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169470A JPH113802A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Resistance paste for low temperature firing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113802A true JPH113802A (en) | 1999-01-06 |
Family
ID=15887162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169470A Pending JPH113802A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Resistance paste for low temperature firing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113802A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693080A (en) * | 1984-09-21 | 1987-09-15 | Van Rietschoten & Houwens Technische Handelmaatschappij B.V. | Hydraulic circuit with accumulator |
| US4707988A (en) * | 1983-02-03 | 1987-11-24 | Palmers Goeran | Device in hydraulically driven machines |
| US4832993A (en) * | 1987-03-09 | 1989-05-23 | Alsthom | Method of applying a protective coating to a titanium alloy blade, and a blade obtained thereby |
| WO2013157339A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | セントラル硝子株式会社 | Glass paste |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9169470A patent/JPH113802A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4707988A (en) * | 1983-02-03 | 1987-11-24 | Palmers Goeran | Device in hydraulically driven machines |
| US4693080A (en) * | 1984-09-21 | 1987-09-15 | Van Rietschoten & Houwens Technische Handelmaatschappij B.V. | Hydraulic circuit with accumulator |
| US4832993A (en) * | 1987-03-09 | 1989-05-23 | Alsthom | Method of applying a protective coating to a titanium alloy blade, and a blade obtained thereby |
| WO2013157339A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | セントラル硝子株式会社 | Glass paste |
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