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JPH11345816A - はんだバンプ形成方法および装置 - Google Patents

はんだバンプ形成方法および装置

Info

Publication number
JPH11345816A
JPH11345816A JP10150014A JP15001498A JPH11345816A JP H11345816 A JPH11345816 A JP H11345816A JP 10150014 A JP10150014 A JP 10150014A JP 15001498 A JP15001498 A JP 15001498A JP H11345816 A JPH11345816 A JP H11345816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
solder
hole
solder bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10150014A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Isogai
悟 磯貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP10150014A priority Critical patent/JPH11345816A/ja
Publication of JPH11345816A publication Critical patent/JPH11345816A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/01204
    • H10W72/01257

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極パッド上にはんだバンプを、簡易に、且
つ確実に形成することのできるはんだバンプ形成方法を
提供する。 【解決手段】 はんだバンプを形成すべき電極パッド1
を有するウェハ2と、はんだに濡れ難い表面性状を有
し、前記ウェハの電極パッドに対向する位置に貫通孔3
を設けたマスク4とを位置合わせして重ねた後、前記マ
スクの貫通孔内にはんだペースト6を充填し、しかる
後、所定の力を加えて前記マスクとウェハとを密着させ
た状態ではんだペーストを加熱溶融させて電極パッド部
に転写する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば回路基板上
に半導体チップ等を直接搭載する為に用いられるはんだ
バンプを、特に狭ピッチで小サイズの電極パッド部に形
成するに好適なはんだバンプ形成方法および装置に関す
る。
【0002】
【関連する背景技術】回路基板上に半導体チップ等を直
接搭載する場合、半導体チップの電極パッド部に予めは
んだバンプを形成しておき、該半導体チップを回路基板
上の所定の位置に搭載した状態で上記はんだバンプを加
熱溶融させ、これによってはんだ接合することが行われ
る。このようなはんだバンプは、例えば特開昭61−2
96728号公報に示されるように、電極パッド部に対
応する貫通孔を備えたマスクを用いて形成される。
【0003】このはんだバンプの形成技術は、図8にそ
の形成工程の概略的な流れを示すように、はんだバンプ
を形成する為の複数の電極パッド1を備えたウェハ(半
導体チップ等)2に対して、上記電極パッド1に対応す
る貫通孔3を備えたマスク4を準備し、これらのマスク
4とウェハ2とを位置合わせして図8(a)に示すように
重ね合わせる。この状態で図8(b)に示すようにスキー
ジ5を用いて前記マスク4の貫通孔3内にはんだペース
ト(はんだバンプ形成材料)6を充填した後、図8(c)
に示すように上記貫通孔3の形成領域を加熱し、はんだ
ペースト6を加熱溶融させる。そして貫通孔3内の溶融
はんだ6aが電極パッド1の表面に溶着した状態で、図
8(d)に示すように前記マスク4からウェハ2を離反さ
せ、これによって上記溶融はんだ6aを電極パッド1上
に転写することで、図8(e)に示すように前記電極パッ
ド1上にはんだバンプ6bを形成するものである。尚、
図中7はマスク4の外周部を支持する支持体である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのようにし
てはんだバンプを形成する場合、特にマスク4の貫通孔
3の形成領域を加熱してはんだペースト6を加熱溶融さ
せる際、図8(f)に示すように往々にして加熱によるマ
スク4の熱膨張に起因してマスク4の反りが発生し、こ
れに起因してマスク4とウェハ2との間に隙間が生じる
ことがある。このような隙間が生じると、貫通孔3内の
溶融はんだ6aと電極パッド1と溶着性が悪くなり、該
ウェハ2をマスク4から離反させた際、図8(g)に示す
ように電極パッド1上に溶融はんだ6aが転写されず
に、前記貫通孔3内に溶融はんだ6aが残り易くなる。
【0005】換言すれば電極パッド1に対するマスク4
からの溶融はんだ6aの転写を確実に行うことが損なわ
れ、この結果、電極パッド1上にはんだバンプ6bを良
好に形成することが困難となる。このような問題は、特
に電極パッド1の配列ピッチが狭く、また電極パッド1
自体が小さい場合に発生し易い。
【0006】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、電極パッドの配列ピッチが狭
く、また電極パッド自体が小さい場合であっても、該電
極パッド上にはんだバンプを、簡易に、且つ確実に形成
することのできるはんだバンプ形成方法およびはんだバ
ンプ形成装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係るはんだバンプ形成方法は、請求項1に
記載するようにはんだバンプを形成すべき電極パッド部
を有するウェハと、はんだに濡れ難い表面性状を有し、
前記ウェハの電極パッド部に対向する位置に貫通孔を設
けたマスクとを位置合わせして重ねた後、前記マスクの
貫通孔内にはんだバンプ形成材料を充填し、しかる後、
所定の力を加えて前記マスクとウェハとを密着させた状
態で前記はんだバンプ形成材料を加熱溶融させて該バン
プ形成材料を前記電極パッド部に転写することを特徴と
している。
【0008】即ち、本発明は前記マスクとウェハとの間
に所定の力を加えることで該マスクとウェハとを密着さ
せ、この状態で前記貫通孔内に充填されたはんだバンプ
形成材料を加熱溶融させることで、貫通孔内の溶融はん
だと電極パッド部との溶着性を高め、該マスクからウェ
ハを離反させた際、前記溶融はんだが前記電極パッド部
に確実に転写されるようにしたことを特徴としている。
【0009】また本発明の好ましい態様は、請求項2に
記載するように前記はんだバンプ形成材料の加熱溶融
を、前記マスクにおける前記貫通孔の形成領域の局所的
な加熱により行うことで、マスクの不本意な熱膨張をで
きる限り小さく抑えることを特徴としている。
【0010】更に本発明の好ましい態様は、請求項3に
記載するように、前記マスクにおける貫通孔の径を、前
記貫通孔に充填されたはんだバンプ形成材料の加熱溶融
により形成されるはんだの溶融ボールの径が、該マスク
の厚みよりも大きくなるように設定することで、仮にマ
スクとウェハとの間に僅かな隙間が生じた場合であって
も、該溶融はんだ(溶融ボール)が確実に電極パッド部
の表面に溶着し、その転写が確実に行われるようにした
ことを特徴としている。更に請求項4に記載するように
前記マスクの前記貫通孔の形成領域の外周に、その厚み
を薄くした撓み領域を設けておくことで、該マスクの熱
膨張を吸収し、その反りを防ぐことを特徴としている。
【0011】更には本発明は請求項5に記載するよう
に、前記加熱溶融させたはんだバンプ形成材料の前記電
極パッド部への転写を、該はんだバンプ形成材料に、例
えば超音波振動や空気による圧力(正圧による押出し
力、または負圧による吸引力)等の外力を加えながら円
滑に行うことを特徴としている。
【0012】また上述した目的を達成するべく本発明に
係るはんだバンプ形成装置は、請求項6に記載するよう
に、はんだバンプを形成すべき電極パッド部を有するウ
ェハを保持するテーブルと、前記ウェハの上記電極パッ
ド部に対向する位置に貫通孔を備え、はんだに濡れ難い
表面性状を有するマスクを保持するマスク保持部と、前
記テーブルを移動させて該テーブルに保持されたウェハ
を上記マスク保持部に保持されたマスクに対して位置合
わせすると共に、上記ウェハを前記マスクに対して接離
させて重ね合わせ可能に設けたテーブル移動機構と、前
記ウェハが重ね合わせられた前記マスクの貫通孔内には
んだバンプ形成材料を充填するバンプ材料充填機構とを
備え、更に上記テーブル移動機構により前記マスクに重
ね合わせられたウェハと該マスクとの間に所定の力を加
えて該マスクとウェハとを密着させる加圧手段と、前記
マスク保持部に保持された前記マスクにおける前記貫通
孔の形成領域に対向配置され、前記加圧手段の作動時に
駆動されて前記マスクを局所的に加熱して前記貫通孔内
に充填されたバンプ形成材料を加熱溶融するヒータ機構
とを具備して構成される。
【0013】本発明の好ましい態様は、請求項7に記載
するように、前記マスク保持部においては前記マスクに
おける前記貫通孔の形成領域から外れた位置を保持し、
更に前記バンプ材料充填機構により前記貫通孔内に充填
したはんだバンプ形成材料を残りを退避させる領域の下
面側に、該マスクを冷却する冷却機構を備えることを特
徴としている。
【0014】更に本発明の好ましい態様は、請求項8に
記載するように、前記ヒータ機構を前記マスク保持部に
保持された前記マスクにおける前記貫通孔の形成領域に
対して、その対向間距離を可変可能に設けることを特徴
とし、また請求項9に記載するように前記加圧手段を、
前記テーブルに組み込まれて該テーブルに保持されたウ
ェハを介して前記マスクを吸着する磁石機構として実現
することを特徴としている。
【0015】また本発明の好ましい態様は、請求項10
に記載するように、上述した装置構成に加えて、更に前
記ヒータ機構による前記バンプ形成材料の加熱溶融時
に、該はんだバンプ形成材料に外力を加える外力負荷手
段を更に備えることを特徴としている。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係るはんだバンプ形成方法と、この形成方法
を実施するに好適なはんだバンプ形成装置について説明
する。
【0017】図1ははんだバンプ形成装置の概略構成を
示す図で、11ははんだバンプの形成に供されるウェハ
2をその上面に保持するテーブルであり、12はマスク
4を保持するマスク保持部である。マスク4は、前記ウ
ェハ2のはんだバンプを形成すべき電極パッド1に対応
する貫通孔3を備えたもので、はんだに対して濡れ難い
表面性状を有する部材からなる。ちなみに前記マスク4
は、例えば厚さ100μmのコバール材(Ni;29%,
Co;17%,Mn;0.5%,他Fe等)からなる基板をエ
ッチング処理することで前記ウェハ2の電極パッド1に
対応する位置にそれぞれ180μmの貫通孔3を形成
し、その表面および該貫通孔3の内部に2μm厚のCr
メッキを施したものからなる。尚、マスク4は、その表
面をテフロンコーティングすることではんだに濡れ難い
表面性状を持たせたものであっても良く、或いはクロム
(Cr)等のはんだに濡れ難い基板材料そのものを加工
して形成されるものであっても良い。
【0018】しかしてマスク保持部12は、上記マスク
4における前記貫通孔3の形成領域である中央部分から
外れた縁部(両端部)を、例えばその下面側から支持す
る2つの冷却ブロック体13,13からなり、上記貫通
孔3の形成領域の上下面をそれぞれ開放して該マスク4
を図示しない筐体部に対して一定位置に保持するものと
なっている。尚、冷却ブロック体13,13により支持
されたマスク4の両端部上面は、後述するように該マス
ク4上に供給されるはんだバンプ形成材料(はんだペー
スト)6の待機部および退避部としてそれぞれ用いられ
る。
【0019】一方、前記ウェハ2を保持するテーブル1
1は、XYZθステージ(テーブル移動機構)14に支
持されて位置調整自在に設けられている。特に上記XY
Zθステージ14は、ガイドレール15に沿って前記マ
スク保持部12に支持されたマスク4の下方位置である
転写位置と、前記マスク保持部12の側方の前記マスク
4との対向位置から外れた待機位置との間をスライド自
在に設けられている。テーブル11に対する前記ウェハ
2の装脱は、XYZθステージ14と共にテーブル11
を待機位置に移動させて行われ、該XYZθステージ1
4を転写位置に移動させることにより、上記テーブル1
1上に保持されたウェハ2が前記マスク4の下面側に対
向配置される。
【0020】しかして前記XYZθステージ14は、例
えばパルスモータにより各軸を独立に変位駆動可能なも
ので、前記テーブル11をX軸方向およびY軸方向から
なる水平面内で位置変位させると共に、Z軸方向である
上下方向、および該Z軸を回転中心とするθ方向に上記
テーブル11を変位させ得るように構成されている。こ
のようなXYZθステージ14を駆動することで、該テ
ーブル11上に保持されたウェハ2の前記マスク4に対
する位置合わせ(位置調整)が行われる。尚、このXY
Zθステージ14については、従来より種々提唱されて
いる駆動方式の可動テーブル機構やリフト機構等を適宜
組み合わせて実現することも勿論可能である。
【0021】ちなみに上記XYZθステージ14の駆動
による前記ウェハ2の前記マスク4に対する位置合わせ
は、例えば前記マスク4とウェハ2との間の空間部に水
平面内を移動自在に設けられ、その上下をZ軸方向に同
軸に視野するカメラユニット16を用い、前記ウェハ2
およびマスク4にそれぞれ付された所定の位置決めマー
クや、特定の電極パッド1と貫通孔3の各画像取り込み
位置を検出しながら行われる。そしてテーブル11のX
軸方向およびY軸方向への位置調整とθ方向への回転に
よる向きの調整とにより、前記マスク4の貫通孔3に対
して前記ウェハ2の電極パッド1がそれぞれ対向して位
置付けられたとき、前記カメラユニット16を前記マス
ク4の下面側(転写位置)から退避させた後、前記XY
Zθステージ14をZ軸方向に上昇移動させることで前
記テーブル11上に保持されたウェハ2の前記マスク4
への重ね合わせが行われる。
【0022】尚、マスク4へのウェハ2の重ね合わせ
は、例えばXYZθステージ14におけるZ軸方向への
上昇変位力を以て、前記マスク4とウェハ2とを密着さ
せる力を加えながら行うようにしても良く、或いは後述
するように前記テーブル11に組み込まれた磁石装置の
磁気力を利用し、ウェハ2を介してマスク4を磁気的に
吸着(吸引)することで、前記マスク4とウェハ2とを
密着させる等して行われる(加圧手段)。また空気力を
利用してマスク4に下向きの変位力を加えることで、該
マスク4の下面に重ね合わせられるウェハ2との間に密
着力を加えるように、その加圧手段を構成することも可
能である。
【0023】ところで前記マスク保持部12に保持され
たマスク4の上面位置には、前記貫通孔3内にバンプ形
成材料(はんだペースト)6を充填する為のバンプ材料
充填機構が設けられている。このバンプ材料充填機構
は、該マスク4の一端部上面である待機部にバンプ形成
材料(はんだペースト)6を供給するはんだペースト供
給機構(図示せず)と、前記マスク4の上面に沿って移
動可能に設けられて上記待機部に供給されたはんだペー
スト6を押し出しながら、該はんだペースト6を前記貫
通孔3内に充填していくスキージ17とを主体として構
成される。特にスキージ17はマスク4の略全幅に亘っ
て移動することで、前記貫通孔3内充填されなかった余
分なはんだペースト6を、前記マスク4の反対側の端部
である退避部に移動させる役割も果たす。このようなス
キージ17の移動により前記はんだペースト6は貫通孔
3内にのみ確実に充填され、余分なはんだペースト6が
マスク4上に、特に貫通孔3の形成領域に残されること
なく、退避部に排出されるようになっている。
【0024】尚、スキージ17の移動による貫通孔3内
へのはんだペースト6の充填を一方向にだけ行うことな
く、1回のはんだバンプの形成処理が行われる都度、前
記スキージ17を逆向きに移動させることで前記はんだ
ペースト6の貫通孔3内への充填を行うようにしても良
い。このようにスキージ17を往復移動させながら、そ
の都度、貫通孔3内にはんだペースト6を充填するよう
にすれば、スキージ17の無駄な動きを防止して、効率
的にはんだバンプの形成作業を進めることが可能とな
る。
【0025】一方、前記マスク保持部12に保持された
マスク4の上方位置には、該マスク4における貫通孔3
の形成領域を局部的に、且つ非接触に加熱し、該貫通孔
3内に充填されたはんだペースト6を加熱溶融させるた
めのヒータ機構18が設けられている。このヒータ機構
18は、例えば横方向に並べて配置された複数本のハロ
ゲンヒータ18aと、その上面側を覆って該ハロゲンヒ
ータ18aから発せられる熱を下面側にだけ放射させる
熱反射板18bとからなる。特にこのように構成された
ヒータ機構18は上下動可能に設けられ、前記マスク4
の上面に対する離間距離を変えることで、前記はんだペ
ースト6に対する加熱温度を調整し得るようになってい
る。ちなみにヒータ機構18を上昇させ、マスク4から
遠く離した状態においては、前記はんだペースト6を含
むマスク4の予備加熱だけが可能であり、ヒータ機構1
8を下降させてマスク4に近接させて位置付けることに
より、前記貫通孔3内に充填したはんだペースト6が溶
融する温度まで加熱し得るようになっている。この際、
ハロゲンヒータ18aの通電電流を制御することで、そ
の発熱温度(加熱温度)制御しても良いことは勿論のこ
とである。
【0026】尚、ヒータ機構18とマスク4との間に熱
遮蔽板を挿入可能に設け、この熱遮蔽板によりマスク
4、ひいてははんだペースト6の加熱温度を調整可能に
構成することも可能である。またヒータ機構18を下降
させてマスク4に近接させるに際しては、予め前記スキ
ージ17を移動させて貫通孔3内にはんだペースト6を
充填しておくことは当然のことであり、またスキージ1
7をマスク4における貫通孔3の形成領域から退避させ
ることで、ヒータ機構18とスキージ17との衝突を防
ぐようにすることは言うまでもない。
【0027】ここで上述した如く構成されたはんだバン
プ形成装置を用いて実施されるウェハ2の電極パッド1
上へのはんだバンプの形成手順(本発明の実施形態に係
るはんだバンプ形成方法)について説明する。
【0028】この処理は、基本的には図2にその概略的
な手順を示すように、先ずXYZθステージ14を駆動
してテーブル11上に保持されたウェハ2をマスク4に
対して位置合わせし、ウェハ2とマスク4とを重ね合わ
せることから開始される。この状態で前記バンプ材料充
填機構(スキージ17)を作動させてマスク4の貫通孔
3内にはんだペースト6を充填する。
【0029】しかる後、図2(a)に示すように、前記加
圧手段を作動させて前記マスク4とウェハ2とが密着す
るように所定の力を加える。そして上記力を受けてこれ
らのマスク4とウェハ2とが密着した状態で前記ヒータ
機構18を作動させ、マスク4の貫通孔3の形成領域を
局所的に、且つ非接触に加熱し、該貫通孔3内に充填さ
れたはんだペースト6を加熱溶融させる。するとこの加
熱によって溶融したはんだペースト6は、溶融はんだ6
aとして該貫通孔3の下部に重ね合わせられた前記ウェ
ハ2の電極パッド1に濡れ、該電極パッド1の表面に溶
着する。特にマスク4がはんだに対して濡れ難い表面性
状を有しおり、且つマスク4の下面に密着させたウェハ
2の電極パッド1が貫通孔3の下部開口部を覆うように
位置付けられていることから、貫通孔3内の溶融はんだ
6aは電極パッド1の表面に確実に溶着する。
【0030】この状態で図2(b)に示すように前記テー
ブル11を下降させ、ウェハ2をマスク4の下面側から
離反させると、前述したようにマスク4がはんだに対し
て濡れ難い表面性状を有することから、溶融はんだ6a
は電極パッド1上に転写されて該ウェハ2と共に下降す
る。その後、前記ヒータ機構18による加熱を停止すれ
ば、或いはヒータ機構18からウェハ2を遠避ければ、
これによって電極パッド1上に転写された溶融はんだ6
aが冷えて固化するので、図2(c)に示すように前記電
極パッド1上にはんだパンプ6bが形成されることにな
る。
【0031】特に上述した如くして貫通孔3内に充填し
たはんだペースト6を加熱溶融して電極パッド1に転写
する際、マスク4の貫通孔3の形成領域だけを局部的に
加熱すると共に、該マスク4の両端部を冷却ブロック体
13,13により冷却しているので、該マスク4の端部
上面である退避部に集められたはんだペースト6が加熱
されることがなく、はんだペースト6に不本意な熱的影
響が加わることを効果的に防止することができる。また
マスク4の局部的な加熱により該マスク4に熱膨張に起
因する反りが生じる場合であっても、前述した如くマス
ク4とウェハ2との間に加えられる力により該マスク4
とウェハ2との密着性が維持されるので、貫通孔3内の
溶融はんだ6aを電極パッド1の表面に確実に溶着させ
ることができる。従ってマスク4の反りに起因するウェ
ハ2との隙間が災いして上記溶融はんだ6aの電極パッ
ド1への転写が妨げられる等の不具合を効果的に防止す
ることができる。
【0032】尚、本発明を実施するに際して、例えば図
3に示すようにヒータ機構18を構成することもでき
る。この例は、例えば8インチ径の半導体ウェハ2には
んだパンプ6bを直接形成する上で好適なもので、直径
220mmの鉄製またはアルミ製からなるヒータブロッ
ク21内にカートリッジヒータ22を埋め込み、該ヒー
タブロック21を250℃に加熱するように構成する。
またヒータブロック21の下面側に、図3(a)に示すよ
うに前記マスク4との間に位置して熱遮蔽板23を挿脱
自在に設け、常時は熱遮蔽板23によりヒータブロック
21からの熱がその下部(マスク4側)に伝わらないよ
うにする。そしてマスク4の貫通孔3内に充填したはん
だペースト6の加熱溶融時には、図3(b)に示すように
熱遮蔽板23を外側に退避させ、ヒータブロック21を
下降させてマスク4の上面に接触させてマスク4におけ
る貫通孔3の形成領域を局部的に加熱するようにする。
同時にヒータブロック21のマスク4への押し付け力に
より、該マスク4の下面に位置合わせして重ね合わせら
れたウェハ2と該マスク4とを互いに密着させる。
【0033】尚、ヒータブロック21が鉄合金等の強磁
性材料からなる場合には、ウェハ2を載置するテーブル
11内に組み込まれた磁石を用いて前記ヒータブロック
21に対して下向きの吸引力を作用させ、この吸引力に
よりヒータブロック21にてマスク4をその上面から押
圧し、これによって前記マスク4とウェハ2とを密着さ
せるようにしても良い。またマスク4自体が強磁性材料
からなる場合には、上記磁石を用いてマスク4自体を吸
引し、これによってマスク4とウェハ2とを密着させる
ことが可能である。特にこの場合には、上述したヒータ
ブロック21に代わるヒータ機構を採用することが可能
となる。
【0034】しかしてこのようにしてマスク4の上面に
ヒータブロック21を接触させた場合、マスク4の上記
ヒータブロック21との接触部位が220℃程度に加熱
されて貫通孔3内に充填されたはんだペースト6が加熱
溶融されることになる。この際、マスク4の両端部は前
述した冷却ブロック13,13によって冷却されてその
温度上昇が抑えられるので、マスク4の端部上面(退避
部)に寄せ集められたはんだペースト6は上記ヒータブ
ロック21の影響を受けることがない。即ち、図3に例
示するようなヒータ機構18を採用することで、該ヒー
タ機構18(ヒータブロック21)に前記ウェハ2とマ
スク4とを密着させる為の加圧手段として機能を持たせ
てはんだパンプ形成装置を構成することもできる。
【0035】また上述した如くしてマスク4を局部的に
加熱し、貫通孔3内に充填したはんだペースト6を加熱
溶融する際、溶融はんだ6aに対して外力を加え、該溶
融はんだ6aの貫通孔3内からの落下を促進するように
しても良い。具体的には図4(a)に例示するように、テ
ーブル11に内蔵した磁石24による吸引力を利用して
マスク4とウェハ2とを密着させ、該マスク4を局部的
に加熱してはんだペースト6を加熱溶融した状態におい
て、例えば図4(b)に示すようにマスク4に超音波振動
を加え、これによって貫通孔3内の溶融はんだ6aを強
制的に落下させてウェハ2の電極パッド1に溶着させる
ようにすれば良い。或いは図4(c)に示すようにマスク
4の上面側から前記貫通孔3内に加圧空気(正圧)を吹
き込んで貫通孔3内の溶融はんだ6aをその下面側に押
し出したり、また図4(d)に示すように貫通孔3の下部
を負圧吸引して、貫通孔3内の溶融はんだ6aを下側に
吸い出し、これによって溶融はんだ6aを電極パッド1
に溶着させるように構成することもできる。このような
外力負荷手段を備えることにより、溶融はんだ6aの電
極パッド1への転写をより確実に行うことが可能とな
る。
【0036】ところで上述した如くして用いられるマス
ク4を実現するに際して、例えば図5(a)に示すように
マスク4における貫通孔3の形成領域の外周部に、その
厚みを薄くした撓み部4aを設け、仮にマスク4の局部
的な加熱により該マスク4が熱膨張した場合、図5(b)
に示すように上記撓み部4aの撓みにより上記熱膨張を
吸収するように構成することもできる。具体的には、例
えば厚みが100μmのコバール材からなる基板を用い
てマスク4bを構成する場合、貫通孔3の形成領域を囲
んで幅20mm、深さ50μmの溝を形成し、厚みが5
0μmの肉薄部として撓み部4aを形成するようにすれ
ば良い。
【0037】マスク4にこのような撓み部4aを備えた
マスク4によれば、該撓み部4aの撓みによりマスク4
の反りが防止されるので、マスク4とウェハ2との密着
性をより効果的に維持することが可能となる。従って外
力によるマスク4とウェハ2との密着力が弱い場合であ
っても、マスク4の熱膨張に起因して該マスク4とウェ
ハ2との間に隙間が生じることを効果的に防止すること
が可能となる。
【0038】また貫通孔3内の溶融はんだ6aの電極パ
ッド1に対して容易に、且つ確実に転写する上で、マス
ク4における貫通孔3の径を、前記貫通孔3に充填され
たはんだペースト6の加熱溶融により形成される溶融は
んだ6aのボール径(はんだの溶融ボールの径)が、該
マスク4の厚みよりも大きくなるように設定することも
有効である。即ち、図6(a)に示すように、例えばマス
ク4の厚みが60μmである場合、このマスク4に形成
する貫通孔3の直径(開口径)を140μmとする。こ
のような開口径の貫通孔3内に図6(b)に示すようには
んだペースト6を充填し、これを加熱した場合、図6
(c)に示すように貫通孔3内に形成される溶融はんだ6
aのボール径が略96μmとなり、マスク4の厚みを上
回ることになる。この結果、上記加熱によってマスク4
に反りが生じ、この反りに起因してマスク4とウェハ2
との間に、仮に隙間が生じたとしても、ボール状の溶融
はんだ6aが貫通孔3内からマスク4の上下にはみ出す
のでウェハ2の電極パッド1の表面に確実に溶着し、該
電極パッド1に転写される。この結果、図6(d)に示す
ように前記電極パッド1上に高さ略70μmのはんだバ
ンプ6bが形成されることになる。
【0039】尚、このような貫通孔3の開口径に関する
工夫は、前述したように所定の力を加えてマスク4とウ
ェハ2とを密着させることなく、つまりマスク4とウェ
ハ2とを重ね合わせた状態のまま該マスク4を局部的に
加熱して貫通孔3内の溶融はんだ6aを電極パッド1に
転写する場合にも有効である。しかし転写の確実性を考
慮した場合には、前述した加圧手段等を併用してはんだ
バンプを形成するようにした方がより効果的である。
【0040】ところで前述したマスク保持部12をな
し、マスク4の両端部をそれぞれ冷却する冷却ブロック
13,13については、例えば図7(a)に示すように、
その下部に放熱フィン26を備えたアルミニウム製の部
品として実現れば、その放熱効果を高めることができ
る。更には図7(b)に示すように前記放熱フィン26に
冷却ファン27を組み込み、該冷却ブロック13,13
を強制的に空冷することも有効である。またこのような
冷却ブロック13,13の空冷に代えて、図7(c)に示
すように冷却ブロック13,13の内部に冷却水を通流
させる構造とし、これを水冷するように構成することも
可能である。
【0041】更にはウェハ2を保持するステージ11に
ついても、図7(d)に示すように水冷構造とし、前述し
たマスク4の局部的な加熱に伴うステージ11の温度上
昇を防ぐようにしても良い。このような構造のステージ
11とすれば、複数のウェハ2に対して順次繰り返しは
んだバンプ6bを形成するような場合、ステージ11の
自然冷却による温度低下を待つ必要がなくなるので、効
率的にバンプ形成処理を実行することが可能となる。
【0042】その他、本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができ、また上述した各
種の技術的手段を、はんだバンプ形成に対する仕様に応
じて適宜組み合わせて実施することができる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクの貫通孔内に充填したはんだバンプ形成材料を加熱
溶融して、その溶融はんだをウェハの電極バッドに転写
するに際し、マスクの熱膨張に起因する反りに伴うマス
クとウェハとの離反を防ぎ、該マスクとウェハとを密着
させた状態で上記溶融はんだの転写を行わせることがで
きるので、簡易にして確実にはんだバンプを形成するこ
とができる。特に電極パッドの配列ピッチが狭く、また
電極パッド自体が小さい場合であっても、該電極パッド
に対するはんだバンプの形成を確実に行うことができる
等の実用上多大なる効果が奏せられる。
【0044】特に請求項2によれば、貫通孔に充填され
たはんだバンプ形成材料だけを加熱溶融することでで
き、マスク上の余分なはんだバンプ形成材料に対する不
本意な熱的影響を防ぐことができる。また請求項3によ
れば簡易にして効果的に溶融はんだの電極パッドに対す
る溶着性を高めることができる。また請求項4によれば
マスクの熱膨張に起因する反りの発生を効果的に防ぐこ
とができ、更に請求項5によれば貫通孔内からの溶融は
んだの落下を効果的に行わせ得る。
【0045】また請求項6に示すようにはんだパンプ形
成装置を簡易な構成で実現することができ、また請求項
7によれば、マスクの側部に退避させたはんだバンプ形
成材料に熱的影響が加わることを簡易にして効果的に防
止することができる。更に請求項8によればはんだバン
プ形成材料の加熱溶融を簡易に制御することができ、請
求項9によればマスクとウェハとを簡単に密着させ得
る。また請求項10によれば、簡易にして貫通孔内から
溶融はんだを離脱させ、電極パッドに確実に転写させ得
る等の実用上多大なる効果が奏せられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成装
置の概略構成図。
【図2】本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成方
法の手順を模式的に示す図。
【図3】マスクの局部的な加熱手段、およびマスクとウ
ェハとを密着させる為の加圧手段とを同時に実現するこ
とを示す図。
【図4】貫通孔内の溶融はんだに外力を加える外部負荷
手段の実現例を示す図。
【図5】マスクの構成例を示す図。
【図6】マスクに設ける貫通孔の径とマスクの厚みとの
関係、およびその作用を模式的に示す図。
【図7】マスク保持部に組み込まれる冷却ブロックの構
成例と、テーブルの冷却構造を示す図。
【図8】ウェハの電極パッドに対するマスクを用いたは
んだバンプの形成手順と、従来の問題点を模式的に示す
図。
【符号の説明】
1 電極バッド 2 ウェハ 3 貫通孔 4 マスク 4a 撓み部 6 はんだペースト(はんだバンプ形成材料) 6a 溶融はんだ 6b はんだバンプ 11 テーブル 12 マスク保持部 13 冷却ブロック 14 XYZθステージ(テーブル移動機構) 15 ガイドレール 16 カメラユニット 17 スキージ(バンプ材料充填機構) 18 ヒータ機構 21 ヒータブロック(加圧手段) 23 熱遮蔽板 24 磁石(加圧手段)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 はんだバンプを形成すべき電極パッド部
    を有するウェハと、はんだに濡れ難い表面性状を有し、
    前記ウェハの電極パッド部に対向する位置に貫通孔を設
    けたマスクとを位置合わせして重ねた後、 前記マスクの貫通孔内にはんだバンプ形成材料を充填
    し、 所定の力を加えて前記マスクとウェハとを密着させた状
    態で前記はんだバンプ形成材料を加熱溶融させて該バン
    プ形成材料を前記電極パッド部に転写してなることを特
    徴とするはんだバンプ形成方法。
  2. 【請求項2】 前記はんだバンプ形成材料の加熱溶融
    は、前記マスクにおける前記貫通孔の形成領域を局所的
    に加熱して行われることを特徴とする請求項1に記載の
    はんだバンプ形成方法。
  3. 【請求項3】 前記マスクにおける貫通孔の径は、該貫
    通孔に充填されたはんだバンプ形成材料の加熱溶融によ
    り形成されるはんだの溶融ボールの径が、該マスクの厚
    みよりも大きくなるように設定されることを特徴とする
    請求項1に記載のはんだパンプ形成方法。
  4. 【請求項4】 前記マスクは、前記貫通孔の形成領域の
    外周にその厚みを薄くした撓み領域を有することを特徴
    とする請求項1に記載のはんだバンプ形成方法。
  5. 【請求項5】 前記加熱溶融させたはんだバンプ形成材
    料の前記電極パッド部への転写は、該はんだバンプ形成
    材料に外力を加えながら行われることを特徴とする請求
    項1に記載のはんだバンプ形成方法。
  6. 【請求項6】 はんだバンプを形成すべき電極パッド部
    を有するウェハを保持するテーブルと、 前記ウェハの上記電極パッド部に対向する位置に貫通孔
    を備え、はんだに濡れ難い表面性状を有するマスクを保
    持するマスク保持部と、 前記テーブルを移動させて該テーブルに保持されたウェ
    ハを上記マスク保持部に保持されたマスクに対して位置
    合わせすると共に、上記ウェハを前記マスクに対して接
    離させて重ね合わせ可能に設けたテーブル移動機構と、 このテーブル移動機構により前記マスクに重ね合わせら
    れたウェハと該マスクとの間に所定の力を加えて該マス
    クとウェハとを密着させる加圧手段と、 前記ウェハが重ね合わせられた前記マスクの貫通孔内に
    はんだバンプ形成材料を充填するバンプ材料充填機構
    と、 前記マスク保持部に保持された前記マスクにおける前記
    貫通孔の形成領域に対向配置され、前記加圧手段の作動
    時に駆動されて前記マスクを局所的に加熱して前記貫通
    孔内に充填されたバンプ形成材料を加熱溶融するヒータ
    機構とを具備したことを特徴とするはんだバンプ形成装
    置。
  7. 【請求項7】 前記マスク保持部は、前記マスクにおけ
    る前記貫通孔の形成領域から外れた位置を保持するもの
    であって、 前記バンプ材料充填機構により前記貫通孔内に充填した
    はんだバンプ形成材料を残りを退避させる領域の下面側
    に、該マスクを冷却する冷却機構を備えることを特徴と
    する請求項6に記載のはんだバンプ形成装置。
  8. 【請求項8】 前記ヒータ機構は、前記マスク保持部に
    保持された前記マスクにおける前記貫通孔の形成領域に
    対して、その対向間距離を可変可能に設けられることを
    特徴とする請求項6に記載のはんだバンプ形成装置。
  9. 【請求項9】 前記加圧手段は、前記テーブルに組み込
    まれて該テーブルに保持されたウェハを介して前記マス
    ク、または該マスクの上方に設けられるヒータブロック
    を吸着する磁石機構からなることを特徴とする請求項6
    に記載のはんだバンプ形成装置。
  10. 【請求項10】 前記ヒータ機構による前記バンプ形成
    材料の加熱溶融時に、該はんだバンプ形成材料に外力を
    加える外力負荷手段を更に備えることを特徴とする請求
    項6に記載のはんだパンプ形成装置。
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