JPH11330000A - 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 - Google Patents
非単結晶薄膜のレーザーアニール方法Info
- Publication number
- JPH11330000A JPH11330000A JP10129365A JP12936598A JPH11330000A JP H11330000 A JPH11330000 A JP H11330000A JP 10129365 A JP10129365 A JP 10129365A JP 12936598 A JP12936598 A JP 12936598A JP H11330000 A JPH11330000 A JP H11330000A
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- JP
- Japan
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- thin film
- laser beam
- crystal thin
- irradiation
- annealing method
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルスレーザービームの強度ムラに起因して
結晶化薄膜の結晶性ムラが生じて、この結晶化薄膜を用
いて作製する素子の均一性及び歩留まりの向上が困難で
あった。 【解決手段】 基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレ
ーザービームを走査させて重畳照射することにより結晶
化する方法であって、前記パルスレーザービームの長軸
方向とその走査方向とのなす角度αを５〜８５度にして
照射して結晶化させる。
結晶化薄膜の結晶性ムラが生じて、この結晶化薄膜を用
いて作製する素子の均一性及び歩留まりの向上が困難で
あった。 【解決手段】 基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレ
ーザービームを走査させて重畳照射することにより結晶
化する方法であって、前記パルスレーザービームの長軸
方向とその走査方向とのなす角度αを５〜８５度にして
照射して結晶化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用の
薄膜トランジスタ、イメージセンサ、あるいはＳＲＡＭ
等の製造工程に用いられる非単結晶薄膜のレーザーアニ
ール方法に関するものである。
薄膜トランジスタ、イメージセンサ、あるいはＳＲＡＭ
等の製造工程に用いられる非単結晶薄膜のレーザーアニ
ール方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置はノートパソコンや
ビデオカメラのモニター等の需要により、大型化、高精
細化の要求がますます高まっている。この要求に答える
ものとして低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイを
用いた液晶表示装置は、最近の製造技術の進展により量
産化への動きが本格化してきた。
ビデオカメラのモニター等の需要により、大型化、高精
細化の要求がますます高まっている。この要求に答える
ものとして低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイを
用いた液晶表示装置は、最近の製造技術の進展により量
産化への動きが本格化してきた。
【０００３】低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイ
に用いられるポリシリコン層の形成には、一般に非晶質
Ｓｉ薄膜をエキシマレーザー照射によるアニール（以
下、エキシマレーザーアニールとする）する方法が用い
られる。
に用いられるポリシリコン層の形成には、一般に非晶質
Ｓｉ薄膜をエキシマレーザー照射によるアニール（以
下、エキシマレーザーアニールとする）する方法が用い
られる。
【０００４】図５〜図７に従来のレーザーアニール方法
を示す。この従来のレーザーアニール方法は、基板４の
上の非晶質Ｓｉ薄膜２に対してパルスレーザービーム１
ａを照射して照射領域に多結晶Ｓｉ薄膜３を形成する。
続いてパルスレーザービーム１ａの照射領域に重畳する
ようにパルスレーザービーム１ｂを矢印Ｂ方向に走査し
て照射する。同様の過程を繰り返すことによって基板全
面に隙間なく多結晶Ｓｉ薄膜を形成する。
を示す。この従来のレーザーアニール方法は、基板４の
上の非晶質Ｓｉ薄膜２に対してパルスレーザービーム１
ａを照射して照射領域に多結晶Ｓｉ薄膜３を形成する。
続いてパルスレーザービーム１ａの照射領域に重畳する
ようにパルスレーザービーム１ｂを矢印Ｂ方向に走査し
て照射する。同様の過程を繰り返すことによって基板全
面に隙間なく多結晶Ｓｉ薄膜を形成する。
【０００５】ここでパルスレーザービーム１ａ，１ｂの
長軸径は２００ｍｍ、短軸径は４００μｍ、平均ビーム
強度は３００ｍＪ／ｃｍ2であり、ビーム重畳照射方向
はビーム長軸方向に対して９０度をなす方向で２０μｍ
ピッチで重畳照射している。
長軸径は２００ｍｍ、短軸径は４００μｍ、平均ビーム
強度は３００ｍＪ／ｃｍ2であり、ビーム重畳照射方向
はビーム長軸方向に対して９０度をなす方向で２０μｍ
ピッチで重畳照射している。
【０００６】また、一般にライン状のレーザービームは
一軸方向のみの重畳照射で基板全面の結晶化が可能であ
るため、主にレーザーアニール工程時間の短縮の観点か
ら用いられることが多い。
一軸方向のみの重畳照射で基板全面の結晶化が可能であ
るため、主にレーザーアニール工程時間の短縮の観点か
ら用いられることが多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す基板４の面
内の定点Ａ−Ａ’線上のパルスレーザービーム毎の照射
強度履歴の例を図７に示す。
内の定点Ａ−Ａ’線上のパルスレーザービーム毎の照射
強度履歴の例を図７に示す。
【０００８】現有するライン状レーザービームの成形光
学系の性能では、ビームの長軸上でピーク−ピーク値幅
が数％の強度ムラが存在しており、ビーム長軸方向に対
して９０度をなす方向に重畳照射しているため同一強度
のビーム部分が重畳照射されることになる。
学系の性能では、ビームの長軸上でピーク−ピーク値幅
が数％の強度ムラが存在しており、ビーム長軸方向に対
して９０度をなす方向に重畳照射しているため同一強度
のビーム部分が重畳照射されることになる。
【０００９】この図７から分かるように、ビーム長軸上
の強度の小さい部分が最初照射される領域はそれ以降も
強度の小さい部分のみ重畳照射され、同様に最初強度の
大きい部分はそれ以降も強度の大きい部分のみ重畳照射
されている。
の強度の小さい部分が最初照射される領域はそれ以降も
強度の小さい部分のみ重畳照射され、同様に最初強度の
大きい部分はそれ以降も強度の大きい部分のみ重畳照射
されている。
【００１０】したがって、レーザーアニールにより形成
する多結晶Ｓｉ薄膜の結晶化率はビーム強度に依存する
ことから、ビーム強度ムラの重畳照射部分が直線状の結
晶化ムラを生じさせることになる。
する多結晶Ｓｉ薄膜の結晶化率はビーム強度に依存する
ことから、ビーム強度ムラの重畳照射部分が直線状の結
晶化ムラを生じさせることになる。
【００１１】本発明者らの実験によれば、従来のレーザ
ーアニール方法にて形成した多結晶Ｓｉ薄膜を用いて薄
膜トランジスタアレイを作製したところ、ビーム走査軸
の平行方向に直線状の特性が不良あるいは劣るトランジ
スタ群が数箇所見られた。
ーアニール方法にて形成した多結晶Ｓｉ薄膜を用いて薄
膜トランジスタアレイを作製したところ、ビーム走査軸
の平行方向に直線状の特性が不良あるいは劣るトランジ
スタ群が数箇所見られた。
【００１２】そこで本発明は、現行のパルスレーザービ
ームを用いながら結晶化のムラを低減して、この結晶化
後の薄膜を用いて作製される素子の歩留まりを向上する
ことを目的とする。
ームを用いながら結晶化のムラを低減して、この結晶化
後の薄膜を用いて作製される素子の歩留まりを向上する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、パルスレーザ
ービームの走査方向に対して長軸方向を傾けて基板に照
射することを特徴とする。
ービームの走査方向に対して長軸方向を傾けて基板に照
射することを特徴とする。
【００１４】この本発明によれば、仮に１ショットだけ
平均ビーム強度に対して大きく外れた強度にて照射した
領域においても、パルスレーザービームは基板に対して
長軸方向に照射位置がずれて他ショットは平均ビーム強
度近傍の強度部分最も頻繁に重畳照射されることから、
基板面内において平均的な結晶化率にほぼ収束して結晶
化のムラが低減され、この結晶化膜を用いて作製される
素子の歩留まりを向上することが可能である。
平均ビーム強度に対して大きく外れた強度にて照射した
領域においても、パルスレーザービームは基板に対して
長軸方向に照射位置がずれて他ショットは平均ビーム強
度近傍の強度部分最も頻繁に重畳照射されることから、
基板面内において平均的な結晶化率にほぼ収束して結晶
化のムラが低減され、この結晶化膜を用いて作製される
素子の歩留まりを向上することが可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の非単結晶薄膜のレーザー
アニール方法は、基板上の非単結晶薄膜に対してパルス
レーザービームを走査させて照射して結晶化するに際
し、パルスレーザービームを前記走査の方向に対して長
軸方向を傾けて照射することを特徴とする。
アニール方法は、基板上の非単結晶薄膜に対してパルス
レーザービームを走査させて照射して結晶化するに際
し、パルスレーザービームを前記走査の方向に対して長
軸方向を傾けて照射することを特徴とする。
【００１６】具体的には、パルスレーザービームの長軸
方向とその走査方向とのなす角度を５〜８５度にして照
射する。パルスレーザービームの長軸径と短軸径との比
が１００以上、パルスレーザービームの照射毎の走査ピ
ッチをｄ、前記角度をαとしたとき、ｄ・ｃｏｓαが２
μｍ以上である。また、パルスレーザービームの空間平
均強度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2である。
方向とその走査方向とのなす角度を５〜８５度にして照
射する。パルスレーザービームの長軸径と短軸径との比
が１００以上、パルスレーザービームの照射毎の走査ピ
ッチをｄ、前記角度をαとしたとき、ｄ・ｃｏｓαが２
μｍ以上である。また、パルスレーザービームの空間平
均強度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００１７】以下、本発明の非単結晶薄膜のレーザーア
ニール方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態）図１〜図４は本発明の実施の形態を示し
ている。
ニール方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態）図１〜図４は本発明の実施の形態を示し
ている。
【００１８】図１に示すように基板４の面上の非単結晶
薄膜２に対してパルスレーザービーム１を走査させて照
射して結晶化するに際し、パルスレーザービーム１の長
軸方向Ｌを走査方向Ｂに対して傾けて照射した。具体的
には、パルスレーザービーム１の長軸方向Ｌと走査方向
Ｂのなす角度αを４５度に設定して重畳照射して多結晶
Ｓｉ薄膜３を形成した。
薄膜２に対してパルスレーザービーム１を走査させて照
射して結晶化するに際し、パルスレーザービーム１の長
軸方向Ｌを走査方向Ｂに対して傾けて照射した。具体的
には、パルスレーザービーム１の長軸方向Ｌと走査方向
Ｂのなす角度αを４５度に設定して重畳照射して多結晶
Ｓｉ薄膜３を形成した。
【００１９】ここで、ビームの短軸径は４００μｍ、長
軸径は２００ｍｍ、平均ビーム強度は３００ｍＪ／ｃｍ
2であり、約１ｍｍ間隔で最大±１０％の強度ムラがあ
る。また１ショット毎のビームの走査ピッチｄは２０μ
ｍである。
軸径は２００ｍｍ、平均ビーム強度は３００ｍＪ／ｃｍ
2であり、約１ｍｍ間隔で最大±１０％の強度ムラがあ
る。また１ショット毎のビームの走査ピッチｄは２０μ
ｍである。
【００２０】図１に示す基板４の面内の定点Ａ−Ａ’線
上のパルスレーザービーム毎の照射強度履歴の例を図２
に示す。この図２と従来例を示した図７とを比較して分
かるように、この実施の形態では従来例とは異なり、図
２に示すように１ショット毎に２０・ｃｏｓ４５゜＝１
４．１μｍだけ長軸方向にずれながら重畳照射されるこ
とになる。ここで、ｄ・ｃｏｓαが２μｍ以上であれば
同様の効果が得られる。
上のパルスレーザービーム毎の照射強度履歴の例を図２
に示す。この図２と従来例を示した図７とを比較して分
かるように、この実施の形態では従来例とは異なり、図
２に示すように１ショット毎に２０・ｃｏｓ４５゜＝１
４．１μｍだけ長軸方向にずれながら重畳照射されるこ
とになる。ここで、ｄ・ｃｏｓαが２μｍ以上であれば
同様の効果が得られる。
【００２１】図３と図４に、基板４上の非晶質Ｓｉ薄膜
２に対してビーム強度３００ｍＪ／ｃｍ2の多重ショッ
トに加えて、一定数の２７０ｍＪ／ｃｍ2あるいは３３
０ｍＪ／ｃｍ２のショットを混在させてスポット照射し
た領域の結晶化率を示す。
２に対してビーム強度３００ｍＪ／ｃｍ2の多重ショッ
トに加えて、一定数の２７０ｍＪ／ｃｍ2あるいは３３
０ｍＪ／ｃｍ２のショットを混在させてスポット照射し
た領域の結晶化率を示す。
【００２２】この図３と図４から分かるように、多重シ
ョットに加えて異なる強度のショットが少数混在する場
合でも、同一強度でショット（重畳照射）を重ねていく
とショットの強度が一定であれば結晶化率はある一定の
値Ｃ0に飽和する傾向がある。 ここで多重ショットの
強度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であれば同様
の効果が得られる。
ョットに加えて異なる強度のショットが少数混在する場
合でも、同一強度でショット（重畳照射）を重ねていく
とショットの強度が一定であれば結晶化率はある一定の
値Ｃ0に飽和する傾向がある。 ここで多重ショットの
強度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であれば同様
の効果が得られる。
【００２３】したがって、本発明のレーザーアニール方
法であれば最初のビーム内の最小２７０ｍＪ／ｃｍ2あ
るいは最大３３０ｍＪ／ｃｍ2である照射領域において
も、次ショット以降においてビーム強度３００ｍＪ／ｃ
ｍ2近傍で重畳照射されるため、照射領域の結晶化率は
ほぼＣ0に収束される。
法であれば最初のビーム内の最小２７０ｍＪ／ｃｍ2あ
るいは最大３３０ｍＪ／ｃｍ2である照射領域において
も、次ショット以降においてビーム強度３００ｍＪ／ｃ
ｍ2近傍で重畳照射されるため、照射領域の結晶化率は
ほぼＣ0に収束される。
【００２４】上記実施の形態では、角度α＝４５°であ
ったが、α＝９０°の従来の方法と比べると、８５度〜
５度の範囲で良好な結果が得られた。上記実施の形態で
は、ビームの短軸径が４００μｍ、長軸径が２００ｍｍ
であったが、ビームの長軸径と短軸径との比が１００以
上であれば同様の結果が得られた。
ったが、α＝９０°の従来の方法と比べると、８５度〜
５度の範囲で良好な結果が得られた。上記実施の形態で
は、ビームの短軸径が４００μｍ、長軸径が２００ｍｍ
であったが、ビームの長軸径と短軸径との比が１００以
上であれば同様の結果が得られた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、現行のパ
ルスレーザービームを用いながら、容易に形成されるべ
き多結晶薄膜の結晶化ムラを低減することができ、この
結晶化後の薄膜を用いて作製される素子の歩留まり向上
に有効である。
ルスレーザービームを用いながら、容易に形成されるべ
き多結晶薄膜の結晶化ムラを低減することができ、この
結晶化後の薄膜を用いて作製される素子の歩留まり向上
に有効である。
【図１】本発明の非単結晶薄膜のレーザーアニール方法
のレーザーアニールの照射状態を示す平面図
のレーザーアニールの照射状態を示す平面図
【図２】同実施の形態の定点Ａ−Ａ’におけるレーザー
ビームの照射履歴の説明図
ビームの照射履歴の説明図
【図３】同実施の形態のパルスレーザービームを同一強
度の多重ショットに異なる強度のショットを混在させて
スポット照射した比と結晶化率の測定結果図
度の多重ショットに異なる強度のショットを混在させて
スポット照射した比と結晶化率の測定結果図
【図４】パルスレーザービーム重畳照射による非晶質Ｓ
ｉ薄膜のレーザーアニール工程を説明する模式図
ｉ薄膜のレーザーアニール工程を説明する模式図
【図５】従来のレーザービームの照射状態の斜視図
【図６】同従来例の平面図
【図７】同従来例の定点Ａ−Ａ’におけるレーザービー
ムの照射履歴の説明図
ムの照射履歴の説明図
１ パルスレーザービーム １ａ 照射パルスレーザービーム １ｂ 次照射パルスレーザービーム ２ 非晶質Ｓｉ薄膜 ３ 多結晶Ｓｉ薄膜 ４ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレー
ザービームを走査させて照射して結晶化するに際し、 パルスレーザービームを前記走査の方向に対して長軸方
向を傾けて照射する非単結晶薄膜のレーザーアニール方
法。 - 【請求項２】パルスレーザービームの長軸方向とその走
査方向とのなす角度を５〜８５度にして照射する請求項
１記載の非単結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項３】前記パルスレーザービームの長軸径と短軸
径との比が１００以上であることを特徴とする請求項１
または請求項２記載の非単結晶薄膜のレーザーアニール
方法。 - 【請求項４】前記パルスレーザービームの照射毎の走査
ピッチをｄ、前記角度をαとしたとき、ｄ・ｃｏｓαが
２μｍ以上であることを特徴とする請求項３記載の非単
結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項５】前記パルスレーザービームの空間平均強度
が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2であることを特徴とする
請求項４記載の非単結晶薄膜のレーザーアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129365A JPH11330000A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129365A JPH11330000A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330000A true JPH11330000A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15007791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10129365A Pending JPH11330000A (ja) | 1998-05-13 | 1998-05-13 | 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330000A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332493A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
| US8278659B2 (en) | 1996-05-28 | 2012-10-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8411713B2 (en) | 2002-08-19 | 2013-04-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
| US8415670B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-04-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films |
| US8426296B2 (en) | 2007-11-21 | 2013-04-23 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
| US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
| US8871022B2 (en) | 2007-11-21 | 2014-10-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films |
| US8883656B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-11-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US9012309B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-04-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US9466402B2 (en) | 2003-09-16 | 2016-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
-
1998
- 1998-05-13 JP JP10129365A patent/JPH11330000A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8278659B2 (en) | 1996-05-28 | 2012-10-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8859436B2 (en) | 1996-05-28 | 2014-10-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| JP2001332493A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
| US8883656B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-11-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US8411713B2 (en) | 2002-08-19 | 2013-04-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
| US9466402B2 (en) | 2003-09-16 | 2016-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US9012309B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-04-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
| US8415670B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-04-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films |
| US8871022B2 (en) | 2007-11-21 | 2014-10-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films |
| US8426296B2 (en) | 2007-11-21 | 2013-04-23 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
| US8889569B2 (en) | 2009-11-24 | 2014-11-18 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral soldification |
| US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
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