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JPH11326458A - Semiconductor testing device - Google Patents

Semiconductor testing device

Info

Publication number
JPH11326458A
JPH11326458A JP10139303A JP13930398A JPH11326458A JP H11326458 A JPH11326458 A JP H11326458A JP 10139303 A JP10139303 A JP 10139303A JP 13930398 A JP13930398 A JP 13930398A JP H11326458 A JPH11326458 A JP H11326458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
voltage
driver
pin
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10139303A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshitatsu Koyanagi
敏達 小柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP10139303A priority Critical patent/JPH11326458A/en
Publication of JPH11326458A publication Critical patent/JPH11326458A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pin electronics circuit of a semiconductor testing device in which a smooth change-over between a tester-pin driver and a high voltage driver circuit is realized. SOLUTION: In a pin electronics circuit of a semiconductor testing device, which is equipped with drivers of two systems, namely, a test waveform output from a high-speed tester-pin driver DR1 by which a normal test waveform is outputted and a high-voltage driver 50 by which a prescribed uniform high voltage is generated and outputted, and also which is equipped with an output form by which either of both drivers is switched on and supplied to an IC pin of DUT, a means, by which an output voltage, generated and outputted by the high-voltage driver 50 by which a prescribed uniform high voltage is generated and outputted, can be controlled from the outside, is installed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体試験装置
のピンエレクトロニクス回路において、当該ピンエレク
トロニクスに高電圧ドライバを備える半導体試験装置に
関する。特に、高電圧ドライバと通常の高速ドライバと
の切替えに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pin test circuit in a pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus having a high voltage driver in the pin electronics. In particular, it relates to switching between a high-voltage driver and a normal high-speed driver.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術について、図5の高電圧ドライ
バを備える1つのテスタチャンネルのピンエレクトロニ
クスであり、かつ高電圧ドライバを備える概念構成例
と、図6の制御スイッチの切替え動作を説明するタイム
チャートを参照して以下に説明する。尚、半導体試験装
置は公知であり技術的に良く知られている為、システム
全体の構成説明を省略する。
2. Description of the Related Art With regard to the prior art, an example of a conceptual configuration in which pin electronics of one tester channel having a high-voltage driver shown in FIG. 5 and a high-voltage driver are provided, and a switching operation of a control switch shown in FIG. This will be described below with reference to a chart. Since the semiconductor test apparatus is well-known and well-known in the art, the description of the configuration of the entire system is omitted.

【0003】図5の構成について説明する。図5の構成
例では、テスタピン・ドライバDR1と、マッチング抵
抗R1と、コンパレータCP2と、制御スイッチS2
と、高電圧ドライバ回路50で成る。尚、この図におい
て、テスタピン・ドライバDR1から出力される信号路
を第1線路L2とし、DUTのICピンへ接続される信
号路を第2線路L4とし、また、第1線路L2上の信号
を出力波形PAT1とし、第2線路L4上の信号を出力
波形PAT3とし、増幅器A11出力端の信号を出力波
形PAT2とする。
The configuration shown in FIG. 5 will be described. In the configuration example of FIG. 5, the tester pin driver DR1, the matching resistor R1, the comparator CP2, and the control switch S2
And a high-voltage driver circuit 50. In this figure, the signal path output from the tester pin driver DR1 is the first line L2, the signal path connected to the DUT IC pin is the second line L4, and the signal on the first line L2 is An output waveform PAT1, a signal on the second line L4 is an output waveform PAT3, and a signal at an output terminal of the amplifier A11 is an output waveform PAT2.

【0004】テスタピン・ドライバDR1は、半導体試
験装置にて周知のように、パターン発生器PGからの試
験パターンを受けて、DUTへ高速の所定パルス信号を
供給するものであり、VIHの設定で出力信号のハイレ
ベルを、VILの設定で出力信号のローレベルを規定し
た所定振幅の電圧波形信号を発生出力する。尚、出力端
に直列接続されているマッチング抵抗R1は、線路イン
ピーダンスと整合をとる為の抵抗であり、テスタピン・
ドライバDR1内に内蔵しているものもある。
A tester pin driver DR1 receives a test pattern from a pattern generator PG and supplies a high-speed predetermined pulse signal to a DUT, as is well known in a semiconductor test apparatus. A high-level signal is generated and a voltage waveform signal having a predetermined amplitude, which defines a low level of the output signal by setting VIL, is output. The matching resistor R1 connected in series to the output terminal is a resistor for matching with the line impedance.
Some are built into the driver DR1.

【0005】コンパレータCP2は、半導体試験装置に
て周知のように、DUTからの出力信号を受けて、所定
のスレッショルド電圧で論理レベルに変換したデータ信
号をデジタルコンパレータへ供給して、良否判定に使用
される。
The comparator CP2 receives an output signal from the DUT and supplies a data signal converted to a logic level at a predetermined threshold voltage to a digital comparator, as is well known in a semiconductor test apparatus, and uses the data signal for quality determination. Is done.

【0006】制御スイッチS2はON抵抗の条件と静電
容量の条件から、一般的にリードリレーが使用される。
A reed relay is generally used for the control switch S2 in consideration of the condition of the ON resistance and the condition of the capacitance.

【0007】高電圧ドライバ回路50の内部構成は、制
御スイッチS1、S3と、増幅器A11とで成る。これ
は、高電圧が要求されるDUTに対応して備えられるも
のであり、例えばフラッシュメモリ・デバイス試験等に
使用される。この高電圧ドライバ回路50は例えば+1
5Vの高電圧を発生可能なドライバであるが、発生電圧
のスルーレートは高速性が要求されない。一方、高速の
テスタピン・ドライバDR1による発生電圧は、例えば
+8V程度の低い電圧しか発生できないが超高速動作が
要求される高速ドライバである。増幅器A11は入力信
号を2倍に増幅してバッファ出力する増幅器であり、制
御スイッチS1、S3は第1線路L2及び第2線路L4
と増幅器A11とを切り離す為の制御スイッチである。
尚、2倍に増幅した高電圧をDUTへ供給する場合は、
制御スイッチS1、S3をONに制御し、制御スイッチ
S2をOFFに制御する。
The internal configuration of the high-voltage driver circuit 50 includes control switches S1 and S3 and an amplifier A11. This is provided corresponding to a DUT requiring a high voltage, and is used, for example, for a flash memory device test or the like. This high-voltage driver circuit 50 is, for example, +1
Although the driver can generate a high voltage of 5 V, the slew rate of the generated voltage does not require high speed. On the other hand, the voltage generated by the high-speed tester pin driver DR1 is a high-speed driver that can generate only a low voltage of, for example, about +8 V, but requires an ultra-high-speed operation. The amplifier A11 is an amplifier that amplifies the input signal by a factor of two and outputs the buffer, and the control switches S1 and S3 are connected to the first line L2 and the second line L4
And a control switch for separating the amplifier A11 from the amplifier A11.
When supplying a double amplified high voltage to the DUT,
The control switches S1 and S3 are turned on, and the control switch S2 is turned off.

【0008】次に、図6のタイムチャートを参照して切
替え動作と、切替え時の不具合について説明する。ここ
で、出力波形PAT1のハイレベルが6Vとし、高電圧
ドライバ回路50が12Vを発生する場合と仮定する。
また、初期状態として、制御スイッチS2がON状態、
制御スイッチS1、S3がOFF状態と仮定する。
Next, a switching operation and a problem at the time of switching will be described with reference to a time chart of FIG. Here, it is assumed that the high level of the output waveform PAT1 is 6V and the high voltage driver circuit 50 generates 12V.
Further, as an initial state, the control switch S2 is in an ON state,
It is assumed that the control switches S1 and S3 are off.

【0009】図6Aで、テスタピン・ドライバDR1は
出力波形PAT1をハイレベル(6V)を定常出力する
ようにパターン発生させる。
In FIG. 6A, the tester pin driver DR1 generates a pattern of the output waveform PAT1 so that a high level (6 V) is output constantly.

【0010】第1に、第2線路L4へ出力する電圧が6
Vから12Vへ切替え制御する場合について説明する。
ところで、テスタピン・ドライバDR1の出力と高電圧
ドライバ回路50の出力の両方が接続されてショート状
態になる条件は、大きな短絡電流が流れる為、好ましく
ない。従って、先に制御スイッチS2をONからOFF
となるように制御し(図6B参照)、所定時間、例えば
5ミリ秒後に制御スイッチS3をOFFからONとなる
ように制御する(図6E参照)。これによりショート条
件を回避している。制御スイッチS1は増幅器A11の
セットリングタイムを考慮して、制御スイッチS2の制
御よりも早い時点でOFFからONとなるように制御す
る(図6D参照)。この結果、増幅器A11の出力波形
PAT2は図6Cのように、セットリング時間後に2倍
振幅に立ち上がる。尚、図6B,D,Eは各制御スイッ
チの接点のON/OFF状態を示している。従って、各
制御スイッチの駆動制御は、例えばリードリレー等の時
間遅れを考慮した所定時間手前のタイミングで駆動する
ように制御することは言うまでもない。ところで、リー
ドリレー接点のON/OFF動作遷移時間は、部品個々
にばらつきを有していることは周知であり、例えば1〜
5ミリ秒程度である。従って、各接点の動作タイミング
を合わせることはできない。
First, when the voltage output to the second line L4 is 6
A case where switching control is performed from V to 12 V will be described.
The condition in which both the output of the tester pin driver DR1 and the output of the high-voltage driver circuit 50 are connected to cause a short-circuit state is not preferable because a large short-circuit current flows. Therefore, the control switch S2 is first turned off from ON.
(See FIG. 6B), and after a predetermined time, for example, 5 milliseconds, the control switch S3 is controlled to be turned from OFF to ON (see FIG. 6E). This avoids the short condition. The control switch S1 is controlled so as to be turned on from OFF at a time earlier than the control of the control switch S2 in consideration of the settling time of the amplifier A11 (see FIG. 6D). As a result, the output waveform PAT2 of the amplifier A11 rises to a double amplitude after the settling time as shown in FIG. 6C. 6B, 6D, and 6E show ON / OFF states of the contacts of each control switch. Therefore, it goes without saying that the drive control of each control switch is controlled so as to be driven at a timing before a predetermined time in consideration of a time delay of a reed relay or the like. By the way, it is well known that the ON / OFF operation transition time of the reed relay contact varies among individual components.
It is about 5 milliseconds. Therefore, the operation timing of each contact cannot be adjusted.

【0011】上記制御の結果、第2線路L4へ出力され
る出力波形PAT3は、図6Fの前半部に示すようにな
る。即ち、6Vから12Vに遷移する期間に不安定な不
定電圧、例えば両ドライバが無接続状態に伴う0V期間
(図6H参照)が発生する難点を生じることが判る。
As a result of the above control, the output waveform PAT3 output to the second line L4 is as shown in the first half of FIG. 6F. That is, it is found that there is a problem that an unstable indefinite voltage occurs during the transition from 6 V to 12 V, for example, a 0 V period (see FIG. 6H) in which both drivers are disconnected.

【0012】第2に、第2線路L4へ出力する電圧が1
2Vから6Vへ切替え制御する場合について説明する。
先ず、制御スイッチS3をONからOFFとなるように
制御し(図6E参照)、所定時間、例えば5ミリ秒後に
制御スイッチS2をOFFからONとなるように制御す
る(図6B参照)。制御スイッチS1は増幅器A11の
予期しない電圧が第2線路L4へ出力されないように、
制御スイッチS3の制御から所定時間待った後ONから
OFFとなるように制御する(図6D参照)。この結
果、増幅器A11の出力波形PAT2は図6Cのように
立ち下がる。
Second, when the voltage output to the second line L4 is 1
A case where switching control is performed from 2V to 6V will be described.
First, the control switch S3 is controlled to change from ON to OFF (see FIG. 6E), and after a predetermined time, for example, 5 milliseconds, the control switch S2 is controlled to change from OFF to ON (see FIG. 6B). The control switch S1 prevents the unexpected voltage of the amplifier A11 from being output to the second line L4.
After waiting for a predetermined time from the control of the control switch S3, control is performed so as to be changed from ON to OFF (see FIG. 6D). As a result, the output waveform PAT2 of the amplifier A11 falls as shown in FIG. 6C.

【0013】上記制御の結果、第2線路L4へ出力され
る出力波形PAT3は、図6Fの後半部に示すようにな
る。即ち、12Vから6Vに遷移する期間に不安定な不
定電圧、例えば両ドライバが無接続状態に伴う0V期間
(図6K参照)が発生する難点を生じることが判る。
As a result of the above control, the output waveform PAT3 output to the second line L4 is as shown in the latter half of FIG. 6F. That is, it can be seen that there is a problem that an unstable indefinite voltage occurs during the transition from 12 V to 6 V, for example, a 0 V period (see FIG. 6K) due to the non-connection state of both drivers.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上述説明したように従
来技術においては、第1にテスタピン・ドライバDR1
から高電圧ドライバ回路50へ切替えるときに無用な0
V期間(図6H参照)が発生し波形品質の観点で好まし
くない。また第2に、高電圧ドライバ回路50からテス
タピン・ドライバDR1へ切替えるときにも、同様に無
用な0V期間(図6K参照)が発生し波形品質の観点で
好ましくない。これらの観点から高電圧ドライバを備え
る従来のピンエレクトロニクス回路には、実用上の難点
がある。そこで、本発明が解決しようとする課題は、テ
スタピン・ドライバと高電圧ドライバ回路とのスムーズ
な切替えを実現する半導体試験装置のピンエレクトロニ
クス回路を提供することである。
As described above, in the prior art, first, a tester pin driver DR1 is used.
Useless 0 when switching from
A V period (see FIG. 6H) occurs, which is not preferable from the viewpoint of waveform quality. Secondly, when switching from the high voltage driver circuit 50 to the tester pin driver DR1, an unnecessary 0V period (see FIG. 6K) similarly occurs, which is not preferable from the viewpoint of waveform quality. From these viewpoints, conventional pin electronics circuits with high voltage drivers have practical difficulties. Therefore, an object of the present invention is to provide a pin electronics circuit of a semiconductor test device that realizes a smooth switching between a tester pin driver and a high voltage driver circuit.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】第1に、上記課題を解決
するために、本発明の構成では、通常の試験波形を出力
する高速のテスタピン・ドライバDR1からの試験波形
出力と、所定の一定高電圧を発生出力する高電圧ドライ
バとの2系統のドライバを備え、両ドライバの何れかを
切替えてDUTのICピンへ供給する出力形態を備える
半導体試験装置のピンエレクトロニクス回路において、
所定の一定高電圧を発生出力する高電圧ドライバが発生
出力する出力電圧を外部から制御可能な手段を備えるこ
とを特徴とする半導体試験装置である。上記発明によれ
ば、テスタピン・ドライバDR1と高電圧ドライバ回路
50とのスムーズな切替えを実現する半導体試験装置の
ピンエレクトロニクス回路が実現できる。
First, in order to solve the above-mentioned problems, in the configuration of the present invention, a test waveform output from a high-speed tester pin driver DR1 for outputting a normal test waveform and a predetermined constant A pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus including two types of drivers including a high-voltage driver that generates and outputs a high voltage, and an output configuration that switches one of the two drivers and supplies the output to an IC pin of a DUT.
A semiconductor test apparatus comprising means capable of externally controlling an output voltage generated and output by a high voltage driver that generates and outputs a predetermined constant high voltage. According to the above-mentioned invention, a pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus that realizes a smooth switching between the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 can be realized.

【0016】第1図は、本発明に係る解決手段を示して
いる。第2に、上記課題を解決するために、本発明の構
成では、通常の試験波形を出力するテスタピン・ドライ
バDR1と、前記テスタピン・ドライバDR1の出力端
とDUTのICピン間を開閉する制御スイッチS2を備
え、所定の一定高電圧を発生出力する高電圧ドライバで
ある増幅器A11と、前記増幅器A11の出力端とDU
TのICピン間を開閉する制御スイッチS3を備え、両
ドライバの出力端に備える両制御スイッチS2、S3を
切替えてDUTのICピンへ何れかの出力波形PAT
1、PAT2を供給する出力形態を備える半導体試験装
置のピンエレクトロニクス回路において、所定の一定高
電圧を発生出力する増幅器A11が発生出力する出力電
圧を外部から制御可能な手段(例えばDA変換器12)
を備えることを特徴とする半導体試験装置がある。
FIG. 1 shows a solution according to the present invention. Second, in order to solve the above problem, in the configuration of the present invention, a tester pin driver DR1 for outputting a normal test waveform, and a control switch for opening and closing between an output terminal of the tester pin driver DR1 and an IC pin of a DUT. S2, an amplifier A11 which is a high voltage driver for generating and outputting a predetermined constant high voltage, and an output terminal of the amplifier A11 and a DU.
A control switch S3 for opening and closing between IC pins of T is provided, and both control switches S2 and S3 provided at the output terminals of both drivers are switched to output any one of the output waveforms PAT to the IC pin of the DUT.
1. In a pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus having an output mode for supplying PAT2, means capable of externally controlling an output voltage generated and output by an amplifier A11 for generating and outputting a predetermined constant high voltage (for example, a DA converter 12)
There is a semiconductor test apparatus characterized by comprising:

【0017】第3図は、本発明に係る解決手段を示して
いる。また、両ドライバの出力端に備える制御スイッチ
S2、S3は高速の半導体スイッチ(例えば高速のMO
S型のトランジスタT2n、T2p、T3n、T3p)
であることを特徴とする上述半導体試験装置のピンエレ
クトロニクス回路がある。
FIG. 3 shows a solution according to the present invention. The control switches S2 and S3 provided at the output terminals of both drivers are high-speed semiconductor switches (for example, high-speed MO switches).
S-type transistors T2n, T2p, T3n, T3p)
There is a pin electronics circuit of the semiconductor test device described above.

【0018】また、高電圧ドライバ回路50としては、
高電圧ドライバである増幅器A11と、DA変換器12
と、高電圧ドライバの出力端を開閉する制御スイッチS
3を備えることを特徴とする上述半導体試験装置のピン
エレクトロニクス回路がある。
Further, as the high voltage driver circuit 50,
An amplifier A11 which is a high voltage driver and a DA converter 12
And a control switch S for opening and closing the output terminal of the high-voltage driver
3 is a pin electronic circuit of the semiconductor test apparatus described above.

【0019】第7図は、本発明に係る解決手段を示して
いる。また、高電圧ドライバ回路50としては、高電圧
ドライバでありゲインを可変可能な可変ゲイン増幅器B
11と、前記可変ゲイン増幅器B11の入力端を開閉す
る制御スイッチS1と、高電圧ドライバの出力端を開閉
する制御スイッチS3を備えることを特徴とする上述半
導体試験装置のピンエレクトロニクス回路がある。
FIG. 7 shows a solution according to the present invention. The high-voltage driver circuit 50 is a variable-voltage amplifier B that is a high-voltage driver and can vary the gain.
11, a control switch S1 for opening and closing the input terminal of the variable gain amplifier B11, and a control switch S3 for opening and closing the output terminal of the high-voltage driver.

【0020】また、所定の一定高電圧を発生出力する高
電圧ドライバである増幅器A11あるいは可変ゲイン増
幅器B11が発生出力する出力電圧をテスタピン・ドラ
イバDR1が発生出力する出力電圧と同じ電圧に設定制
御した状態で両ドライバの出力端に備える両制御スイッ
チS2、S3を両方ともON状態にする遷移期間を付与
する制御手段を備えることを特徴とする上述半導体試験
装置のピンエレクトロニクス回路がある。
The output voltage generated and output by the amplifier A11 or the variable gain amplifier B11 which is a high voltage driver for generating and outputting a predetermined constant high voltage is set and controlled to the same voltage as the output voltage generated and output by the tester pin driver DR1. There is provided a pin electronics circuit of the semiconductor test apparatus described above, further comprising control means for providing a transition period in which both control switches S2 and S3 provided at the output terminals of both drivers are in an ON state in a state.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を実施
例と共に図面を参照して詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings together with embodiments.

【0022】本発明について、図1の高電圧ドライバを
備えるピンエレクトロニクスの一構成例と、図2の制御
スイッチの切替え動作を説明するタイムチャートと、図
3、図4の制御スイッチS2、S3を半導体スイッチと
した場合の具体回路例を参照して以下に説明する。尚、
従来構成に対応する要素は同一符号を付す。
According to the present invention, an example of the configuration of the pin electronics provided with the high-voltage driver shown in FIG. 1, a time chart for explaining the switching operation of the control switch shown in FIG. 2, and the control switches S2 and S3 shown in FIGS. This will be described below with reference to a specific circuit example in the case of a semiconductor switch. still,
Elements corresponding to the conventional configuration are denoted by the same reference numerals.

【0023】図1の構成で、高電圧ドライバ回路50を
除き他は従来と同様である。本発明の高電圧ドライバ回
路50の内部構成は、制御スイッチS3と、DA変換器
(DAC)12と、増幅器A11とで成る。尚、制御ス
イッチS3と増幅器A11は従来と同様である。即ち、
制御スイッチS3はリードリレーを用いる場合であり、
また増幅器A11は2倍の増幅器とする高電圧ドライバ
である。尚、この増幅器A11は2倍の増幅器でなく、
所定倍の増幅器あるいはバッファ増幅器でも良い。
The configuration of FIG. 1 is the same as the conventional one except for the high voltage driver circuit 50. The internal configuration of the high-voltage driver circuit 50 according to the present invention includes a control switch S3, a DA converter (DAC) 12, and an amplifier A11. Note that the control switch S3 and the amplifier A11 are the same as those in the related art. That is,
The control switch S3 uses a reed relay,
The amplifier A11 is a high-voltage driver using a double amplifier. This amplifier A11 is not a double amplifier,
An amplifier or buffer amplifier of a predetermined number may be used.

【0024】DAC12は、外部から設定データにより
所望のアナログ電圧を発生出力するDA変換器である。
このアナログ電圧を増幅器A11の入力端へ供給する。
従って、従来のようにテスタピン・ドライバDR1から
の出力波形PAT1は入力信号として受けない。尚、こ
のDA変換器自体にバッファアンプを内蔵していて直接
第2線路L4端へ出力可能な場合は、増幅器A11を省
略しても良い。
The DAC 12 is a DA converter that generates and outputs a desired analog voltage according to setting data from the outside.
This analog voltage is supplied to the input terminal of the amplifier A11.
Therefore, unlike the prior art, the output waveform PAT1 from the tester pin driver DR1 is not received as an input signal. If the D / A converter itself has a built-in buffer amplifier and can output directly to the end of the second line L4, the amplifier A11 may be omitted.

【0025】次に、図2のタイムチャートを参照して本
発明の動作を説明する。ここで、出力波形PAT1のハ
イレベルが6Vとし、高電圧ドライバ回路50が12V
を発生する場合と仮定する。また、初期状態として、制
御スイッチS2がON状態、制御スイッチS3がOFF
状態と仮定する。尚、図2B,Eは各制御スイッチの接
点のON/OFF状態を示している。従って、各制御ス
イッチの駆動制御は、例えばリードリレー等の時間遅れ
を考慮した手前のタイミングで駆動することは言うまで
もない。
Next, the operation of the present invention will be described with reference to the time chart of FIG. Here, the high level of the output waveform PAT1 is 6V, and the high voltage driver circuit 50 is 12V.
Is assumed to occur. Further, as an initial state, the control switch S2 is turned on, and the control switch S3 is turned off.
Assume state. 2B and 2E show ON / OFF states of the contacts of each control switch. Therefore, it goes without saying that the drive control of each control switch is driven at a timing before the time considering a time delay of, for example, a reed relay or the like.

【0026】図2Aで、テスタピン・ドライバDR1は
出力波形PAT1をハイレベル、即ち6Vを定常出力す
るようにパターン発生させる。
In FIG. 2A, the tester pin driver DR1 generates a pattern so that the output waveform PAT1 is at a high level, that is, 6V is constantly output.

【0027】第1に、第2線路L4へ出力する電圧が6
Vから12Vへ切替え制御する場合について説明する。
切替えに先立って、増幅器A11の出力波形PAT2は
6Vを発生出力されるように、DAC12の設定をV1
に設定しておく(図2D,C参照)。
First, when the voltage output to the second line L4 is 6
A case where switching control is performed from V to 12 V will be described.
Prior to the switching, the DAC 12 is set to V1 so that the output waveform PAT2 of the amplifier A11 generates and outputs 6V.
(See FIGS. 2D and 2C).

【0028】その所定時間後、制御スイッチS2はON
状態のまま、制御スイッチS3をOFFからONとなる
ように制御する(図2E参照)。即ち、両制御スイッチ
S2、S3は共にON状態にする。この結果、第2線路
L4へ出力される出力波形PAT3は、図2H部位に示
すように、両者出力電圧は同一の6Vであるが、合成さ
れる為、わずかに電圧上昇をする。しかし、このわずか
な電圧上昇はデバイス試験において実用上の支障とはな
らない。
After a predetermined time, the control switch S2 is turned on.
In the state, the control switch S3 is controlled to be turned from OFF to ON (see FIG. 2E). That is, both control switches S2 and S3 are turned on. As a result, as shown in FIG. 2H, the output waveform PAT3 output to the second line L4 has the same output voltage of 6 V, but slightly increases since it is combined. However, this slight rise in voltage does not hinder practical use in device testing.

【0029】その後、制御スイッチの動作ばらつき時間
を考慮した所定時間、例えば5ミリ秒経過後に制御スイ
ッチS2をONからOFFとなるように制御する(図2
B参照)。このことは、出力波形PAT1、PAT2の
うち、少なくとも一方の出力電圧が常に第2線路L4へ
接続される重複期間(図2P参照)が付与されることに
なる。即ち、従来のように、両ドライバが無接続状態に
なって、一時的に0Vになったりするような不定期間が
解消できる大きな利点が得られることが判る。従って、
制御スイッチの動作ばらつき時間を有していても支障と
ならないように実施可能となる。
Thereafter, the control switch S2 is controlled to be turned off from ON after a predetermined time, for example, 5 milliseconds, in consideration of the operation variation time of the control switch (FIG. 2).
B). This means that an overlap period (see FIG. 2P) in which at least one output voltage of the output waveforms PAT1 and PAT2 is always connected to the second line L4 is provided. That is, it can be seen that there is a great advantage that an indefinite period in which both drivers are disconnected and temporarily become 0 V as in the related art can be eliminated. Therefore,
Even if the control switch has an operation variation time, it can be implemented without causing any trouble.

【0030】その後、DAC12の設定をV1からV2
に設定する(図2D,C参照)ことで、所望の高電圧に
上昇した12Vが第2線路L4へ供給される(図2F参
照)。
Thereafter, the setting of the DAC 12 is changed from V1 to V2.
(See FIGS. 2D and 2C), 12 V that has been raised to a desired high voltage is supplied to the second line L4 (see FIG. 2F).

【0031】第2に、第2線路L4へ出力する電圧が1
2Vから6Vへ切替え制御する場合について説明する。
先ず、DAC12の設定をV2からV1に設定する(図
2C参照)ことで、第2線路L4は高電圧12Vから下
降して6Vになる。
Second, when the voltage output to the second line L4 is 1
A case where switching control is performed from 2V to 6V will be described.
First, by setting the setting of the DAC 12 from V2 to V1 (see FIG. 2C), the second line L4 drops from the high voltage 12V to 6V.

【0032】そして増幅器A11の出力端が安定した6
Vとなるセットリング時間後に、制御スイッチS3はO
N状態のままで、制御スイッチS2をOFFからONと
なるように制御する(図2B参照)。即ち、両制御スイ
ッチS2、S3は共にON状態にする。この結果、第2
線路L4へ出力される出力波形PAT3は、図2K部位
に示すように、両出力電圧は同一の6Vであるが、合成
される為、わずかに電圧上昇をする。しかし、このわず
かな電圧上昇は、上記同様に実用上の支障とはならな
い。このことは、出力波形PAT1、PAT2のうち、
少なくとも一方の出力電圧が常に第2線路L4へ接続さ
れる重複期間(図2Q参照)が付与されることとなる。
即ち、従来のように、両ドライバが無接続状態になっ
て、一時的に0Vになったりするような不定期間が解消
できる大きな利点が得られることが判る。従って、制御
スイッチの動作ばらつき時間を有していても支障となら
ないように実施可能となる。
Then, the output terminal of the amplifier A11 becomes stable 6
After the settling time to reach V, the control switch S3 becomes O
The control switch S2 is controlled to be turned from OFF to ON while keeping the N state (see FIG. 2B). That is, both control switches S2 and S3 are turned on. As a result, the second
As shown in FIG. 2K, the output waveform PAT3 output to the line L4 has the same output voltage of 6 V, but slightly increases since it is combined. However, this slight increase in voltage does not hinder practical use, as described above. This means that among the output waveforms PAT1 and PAT2,
An overlap period (see FIG. 2Q) in which at least one output voltage is always connected to the second line L4 is provided.
That is, it can be seen that there is a great advantage that an indefinite period in which both drivers are disconnected and temporarily become 0 V as in the related art can be eliminated. Therefore, the present invention can be implemented so as not to cause a problem even if the operation time of the control switch varies.

【0033】その後、制御スイッチS3をONからOF
Fとなるように制御(図2E参照)して、テスタピン・
ドライバDR1から通常の出力波形PAT1がDUTに
供給されるようになる。
Thereafter, the control switch S3 is turned from ON to OF.
F (see FIG. 2E),
The normal output waveform PAT1 is supplied from the driver DR1 to the DUT.

【0034】上述発明構成によれば、テスタピン・ドラ
イバDR1と高電圧ドライバ回路50との切替え時に両
方の出力電圧を同一電圧にした状態で両制御スイッチS
2、S3を共にON状態にする重複期間を持たせる手段
としたことにより、波形歪み無く、テスタピン・ドライ
バDR1と高電圧ドライバ回路50とのスムーズな切替
えを実現する半導体試験装置のピンエレクトロニクス回
路が実現できる大きな利点が得られる。
According to the configuration of the present invention described above, when the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 are switched, both control switches S are set in a state where both output voltages are set to the same voltage.
The pin electronics circuit of the semiconductor test apparatus that realizes a smooth switching between the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 without waveform distortion by providing a means for providing an overlap period in which both S2 and S3 are turned on. There are significant benefits that can be realized.

【0035】次に、制御スイッチS2、S3として半導
体スイッチを用いる場合について、図3を参照して説明
する。
Next, a case where semiconductor switches are used as the control switches S2 and S3 will be described with reference to FIG.

【0036】図3の制御スイッチS2はソース電流用と
するNMOS型のトランジスタT2nと、シンク電流用
とするPMOS型のトランジスタT2pを並列接続した
構成で成る。これらトランジスタはテスタピン・ドライ
バDR1から出力する高速の出力波形PAT1がこのト
ランジスタの挿入による通過特性の劣化を最小限となる
ものを使用する。即ち、高周波数特性が良く、かつトラ
ンジスタのソース、ドレイン端間と回路アース端におけ
る静電容量が極力小さなものを使用する。またOFF時
におけるソース、ドレイン端間のリーク電流、及びゲー
ト端へのリーク電流は極力少ないものを使用する。尚、
トランジスタがON状態におけるON抵抗は数Ω程度存
在するので、図1のマッチング抵抗R1の値はトランジ
スタのON抵抗値に対応して低い抵抗値のものを使用し
て線路の特性インピーダンスにマッチングできるように
する。
The control switch S2 of FIG. 3 has a configuration in which an NMOS transistor T2n for a source current and a PMOS transistor T2p for a sink current are connected in parallel. These transistors use a high-speed output waveform PAT1 output from the tester pin driver DR1 so as to minimize the deterioration of the pass characteristics due to the insertion of the transistor. That is, a transistor having good high-frequency characteristics and having the smallest possible capacitance between the source and drain terminals of the transistor and the circuit ground terminal is used. In addition, the leakage current between the source and drain terminals and the leakage current to the gate terminal when turned off are minimized. still,
Since the ON resistance of the transistor in the ON state is on the order of several ohms, the value of the matching resistor R1 in FIG. 1 can be matched to the characteristic impedance of the line by using a resistor having a low resistance corresponding to the ON resistance of the transistor. To

【0037】レベル変換手段60は駆動手段61、6
2、63、64で成り、トランジスタのゲート端子を駆
動する。これは、正負の反転制御電圧を各トランジスタ
T2n、T2p、T3n、T3pのゲート端へ供給す
る。駆動手段61、62は外部からの切替え信号65を
受けて、所定のハイレベル、ローレベルをトランジスタ
T2n、T2pの対応するゲート端子へ供給する。出力
波形PAT1の出力レベルが−3V〜+8Vの場合、ゲ
ート端子へ供給するハイレベルの制御電圧は、例えば+
10Vを供給し、ローレベルの制御電圧は、例えば−5
Vを供給可能な駆動手段61、62である。
The level converting means 60 includes driving means 61 and 6
2, 63 and 64, which drive the gate terminals of the transistors. This supplies positive and negative inversion control voltages to the gate terminals of the transistors T2n, T2p, T3n, T3p. The driving units 61 and 62 receive a switching signal 65 from the outside and supply predetermined high level and low level to the corresponding gate terminals of the transistors T2n and T2p. When the output level of the output waveform PAT1 is −3 V to +8 V, the high-level control voltage supplied to the gate terminal is, for example, +
10V is supplied, and the low-level control voltage is, for example, −5.
Drive means 61 and 62 capable of supplying V.

【0038】他方の制御スイッチS3はNMOS型のト
ランジスタT3nとPMOS型のトランジスタT3pを
並列接続した構成で成る。他は上述と同様である。但
し、駆動手段63,64はトランジスタT3n、T3p
のゲート端子へ供給する制御電圧が高電圧であるから、
これに対応する制御電圧を供給する。尚、高電圧の出力
波形PAT2は、通常の使用ではソース電流の供給のみ
の利用形態であるので、所望により、図4に示すように
PMOS型のトランジスタT3p側を削除した構成とし
ても実用可能である。
The other control switch S3 has a configuration in which an NMOS transistor T3n and a PMOS transistor T3p are connected in parallel. Others are the same as above. However, the driving means 63 and 64 are transistors T3n and T3p
Since the control voltage supplied to the gate terminal is high,
A corresponding control voltage is supplied. Since the high-voltage output waveform PAT2 is used only for supplying the source current in normal use, it can be practically used as a configuration in which the PMOS transistor T3p is omitted as shown in FIG. is there.

【0039】制御スイッチS2、S3として上記説明の
半導体スイッチを用いる場合には、トランジスタのスイ
ッチング切替え時間は数十ナノ秒程度のものを用いる。
この為、所望により、上述図2で説明した両制御スイッ
チS2、S3を共にON状態にする重複期間を付与する
制御を行わなくても良い。即ち、両制御スイッチS2、
S3を同時に切替え制御する。この同時切替えに伴っ
て、第1に、両ドライバが一瞬、例えば数十ナノ秒の期
間ショートする場合があるが、極めて短時間である為に
ドライバを劣化させるような支障とはならないからであ
る。また、第2に、両ドライバが一瞬オープンとなる場
合があるが、極めて短時間である為にデバイス試験にお
いて実用上の支障とはならないからである。実用的に
は、両ドライバが一瞬ショートするように駆動する手法
が望ましい。
When the semiconductor switches described above are used as the control switches S2 and S3, the switching time of the transistors is about several tens of nanoseconds.
For this reason, if necessary, the control for giving the overlap period in which both the control switches S2 and S3 described in FIG. That is, both control switches S2,
S3 is simultaneously switched and controlled. First, both drivers may be short-circuited for a moment, for example, for several tens of nanoseconds, due to the simultaneous switching. However, since they are extremely short, there is no problem that the drivers are deteriorated. . Second, both drivers may be open momentarily, but because they are extremely short, they do not hinder practical use in device testing. Practically, it is desirable to use a method in which both drivers are driven so as to be short-circuited for a moment.

【0040】上述説明したように、制御スイッチS2、
S3として半導体スイッチを用いる場合には、テスタピ
ン・ドライバDR1と高電圧ドライバ回路50との切替
え時に両方がショートあるいはオープンする時間は一瞬
である。従って、テスタピン・ドライバDR1と高電圧
ドライバ回路50とを実用的にスムーズな切替えを実現
する半導体試験装置のピンエレクトロニクス回路が実現
できる利点が得られる。
As described above, the control switch S2,
When a semiconductor switch is used as S3, the time when both the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 are short-circuited or opened when switching is performed is instantaneous. Therefore, there is obtained an advantage that a pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus that realizes practically smooth switching between the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 can be realized.

【0041】尚、本発明の構成は、上述実施の形態に限
るものではない。例えば、図1において、制御スイッチ
S2、S3の何れか一方を半導体スイッチに代えても良
い。また、図7の構成に示すように、従来の増幅器A1
1を可変ゲイン増幅器B11に置換え、上述した図2の
タイムチャートに示すように、テスタピン・ドライバD
R1側の出力波形PAT1のハイレベル6Vと同一とな
るように可変ゲイン増幅器B11を制御するようにする
ことで、同様にしてスムーズな切替えが実現できる。
The configuration of the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in FIG. 1, one of the control switches S2 and S3 may be replaced with a semiconductor switch. Further, as shown in the configuration of FIG.
1 is replaced with a variable gain amplifier B11, and as shown in the time chart of FIG.
By controlling the variable gain amplifier B11 to be the same as the high level 6V of the output waveform PAT1 on the R1 side, a smooth switching can be realized in the same manner.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明は、上述の説明内容から、下記に
記載される効果を奏する。上述説明したように本発明に
よれば、図2のタイムチャートに示すように、テスタピ
ン・ドライバDR1と高電圧ドライバ回路50との切替
え時に両方の出力電圧を同一電圧にした状態で両制御ス
イッチS2、S3を共にON状態にする重複期間を持た
せる手段とする結果、DUTへ供給する波形品質が良好
となり、テスタピン・ドライバDR1と高電圧ドライバ
回路50とのスムーズな切替えが実現可能な半導体試験
装置のピンエレクトロニクス回路が実現できる大きな利
点が得られる。また、制御スイッチS2、S3として高
速切替えが可能な半導体スイッチを用いることにより、
DUTへ供給する波形品質が良好となり、実用的にスム
ーズな切替えを実現可能となる利点が得られる。この場
合は、切替えの時間が大幅に短縮される結果、この時間
分のデバイス試験のスループット向上ができる利点も得
られる。また、図7の構成例に示すように、可変ゲイン
増幅器B11を備えて、上記同様に、両制御スイッチS
2、S3を共にON状態にする重複期間を持たせる構成
手段とする結果、同様にDUTへ供給する波形品質が良
好となり、テスタピン・ドライバDR1と高電圧ドライ
バ回路50とのスムーズな切替えが実現可能となる利点
が得られる。従って、本発明の技術的効果は大であり、
産業上の経済効果も大である。
According to the present invention, the following effects can be obtained from the above description. As described above, according to the present invention, as shown in the time chart of FIG. 2, when the tester pin driver DR1 and the high-voltage driver circuit 50 are switched, both control switches S2 are set in a state where both output voltages are set to the same voltage. , S3 as a means for providing an overlap period in which both are turned ON, the waveform quality supplied to the DUT is improved, and a smooth switching between the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 can be realized. There is a great advantage that the pin electronics circuit can be realized. Further, by using semiconductor switches capable of high-speed switching as the control switches S2 and S3,
The waveform quality to be supplied to the DUT is improved, and the advantage that practically smooth switching can be realized is obtained. In this case, as a result of the switching time being significantly shortened, there is obtained an advantage that the throughput of the device test can be improved by the time. Further, as shown in the configuration example of FIG. 7, a variable gain amplifier B11 is provided, and both control switches S
As a result of the configuration means having an overlap period in which both S3 and S3 are turned on, the waveform quality supplied to the DUT is similarly improved, and smooth switching between the tester pin driver DR1 and the high voltage driver circuit 50 can be realized. The following advantages are obtained. Therefore, the technical effect of the present invention is great,
Industrial economic effects are also great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の、高電圧ドライバを備えるピンエレク
トロニクスの一構成例である。
FIG. 1 is a configuration example of pin electronics including a high-voltage driver according to the present invention.

【図2】図1の制御スイッチの切替え動作を説明するタ
イムチャートである。
FIG. 2 is a time chart for explaining a switching operation of a control switch of FIG. 1;

【図3】本発明の、制御スイッチS2、S3を半導体ス
イッチとした場合の具体回路例である。
FIG. 3 is a specific circuit example of the present invention when the control switches S2 and S3 are semiconductor switches.

【図4】本発明の、制御スイッチS2、S3を半導体ス
イッチとした場合の他の具体回路例である。
FIG. 4 is another specific circuit example of the present invention where the control switches S2 and S3 are semiconductor switches.

【図5】従来の、高電圧ドライバを備えるピンエレクト
ロニクスの概念構成例である。
FIG. 5 is a conceptual configuration example of a conventional pin electronics including a high-voltage driver.

【図6】図5の制御スイッチの切替え動作を説明するタ
イムチャートである。
FIG. 6 is a time chart for explaining a switching operation of the control switch of FIG. 5;

【図7】本発明の、高電圧ドライバを備えるピンエレク
トロニクスの他の一構成例である。
FIG. 7 is another configuration example of the pin electronics including the high-voltage driver according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

DR1 テスタピン・ドライバ R1 マッチング抵抗 S1,S2,S3 制御スイッチ CP2 コンパレータ A11 増幅器 B11 可変ゲイン増幅器 12 DAC(DA変換器) 50 高電圧ドライバ回路 60 レベル変換手段 T2n,T3n NMOS型のトランジスタ T2p,T3p PMOS型のトランジスタ DR1 Tester pin driver R1 Matching resistor S1, S2, S3 Control switch CP2 Comparator A11 Amplifier B11 Variable gain amplifier 12 DAC (DA converter) 50 High voltage driver circuit 60 Level conversion means T2n, T3n NMOS type transistor T2p, T3p PMOS type Transistor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 通常の試験波形を出力する高速のテスタ
ピン・ドライバからの試験波形出力と、所定の一定高電
圧を発生出力する高電圧ドライバとの2系統のドライバ
を備え、両ドライバの何れかを切替えてDUTのICピ
ンへ供給する出力形態を備える半導体試験装置のピンエ
レクトロニクス回路において、 所定の一定高電圧を発生出力する高電圧ドライバが発生
出力する出力電圧を外部から制御可能な手段を備えるこ
とを特徴とする半導体試験装置。
1. A high-speed driver that outputs a test waveform from a high-speed tester pin driver that outputs a normal test waveform and a high-voltage driver that generates and outputs a predetermined constant high voltage. In a pin electronics circuit of a semiconductor test apparatus having an output mode for switching and supplying to a DUT IC pin, a means for externally controlling an output voltage generated and output by a high voltage driver for generating and outputting a predetermined constant high voltage is provided. A semiconductor test apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 通常の試験波形を出力するテスタピン・
ドライバと、該テスタピン・ドライバの出力端とDUT
ICピン間を開閉する制御スイッチを備え、 所定の一定高電圧を発生出力する高電圧ドライバである
増幅器と、該増幅器の出力端とDUTのICピン間を開
閉する制御スイッチを備え、 両ドライバの出力端に備える該両制御スイッチを切替え
てDUTのICピンへ何れかの出力波形を供給する出力
形態を備える半導体試験装置のピンエレクトロニクス回
路において、 該増幅器が発生出力する出力電圧を外部から制御可能な
手段を備えることを特徴とする半導体試験装置。
2. A tester pin for outputting a normal test waveform.
Driver, output terminal of the tester pin driver and DUT
An amplifier which is a high voltage driver for generating and outputting a predetermined constant high voltage, comprising a control switch for opening and closing between IC pins, and a control switch for opening and closing between an output terminal of the amplifier and an IC pin of the DUT. In a pin electronics circuit of a semiconductor test device having an output mode for supplying either output waveform to an IC pin of a DUT by switching both control switches provided at an output terminal, an output voltage generated and output by the amplifier can be externally controlled. A semiconductor test apparatus characterized by comprising various means.
【請求項3】 両ドライバの出力端に備える該制御スイ
ッチは半導体スイッチであることを特徴とする請求項2
記載の半導体試験装置。
3. The control switch provided at the output terminals of both drivers is a semiconductor switch.
The semiconductor test apparatus according to the above.
【請求項4】 高電圧ドライバ回路は、高電圧ドライバ
である増幅器と、DA変換器と、該高電圧ドライバの出
力端を開閉する制御スイッチを備えることを特徴とする
請求項2記載の半導体試験装置。
4. The semiconductor test according to claim 2, wherein the high-voltage driver circuit includes an amplifier that is a high-voltage driver, a D / A converter, and a control switch that opens and closes an output terminal of the high-voltage driver. apparatus.
【請求項5】 高電圧ドライバ回路は、高電圧ドライバ
でありゲインを可変可能な可変ゲイン増幅器と、該可変
ゲイン増幅器の入力端を開閉する制御スイッチと、該高
電圧ドライバの出力端を開閉する制御スイッチを備える
ことを特徴とする請求項2記載の半導体試験装置。
5. The high-voltage driver circuit is a high-voltage driver and a variable gain amplifier capable of changing a gain, a control switch for opening and closing an input terminal of the variable gain amplifier, and opening and closing an output terminal of the high-voltage driver. 3. The semiconductor test apparatus according to claim 2, further comprising a control switch.
【請求項6】 高電圧ドライバである増幅器が発生出力
する出力電圧をテスタピン・ドライバが発生出力する出
力電圧と同じ電圧に設定制御した状態で両ドライバの出
力端に備える両制御スイッチを両方ともON状態にする
制御手段を備えることを特徴とする請求項2記載の半導
体試験装置。
6. Both control switches provided at the output terminals of both drivers are turned on in a state where the output voltage generated and output by the amplifier which is a high voltage driver is set and controlled to the same voltage as the output voltage generated and output by the tester pin driver. 3. The semiconductor test apparatus according to claim 2, further comprising control means for setting a state.
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