JPH11326224A - Inspection method and inspection device - Google Patents
Inspection method and inspection deviceInfo
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- JPH11326224A JPH11326224A JP31933198A JP31933198A JPH11326224A JP H11326224 A JPH11326224 A JP H11326224A JP 31933198 A JP31933198 A JP 31933198A JP 31933198 A JP31933198 A JP 31933198A JP H11326224 A JPH11326224 A JP H11326224A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不透明でない物質の表面と内部に存在する微
細な欠陥等を精度よく検査する。
【解決手段】 同軸落射光源30から同軸落射光を対象
物に照射し、表面欠陥の像を得る。散乱光光源31を点
灯して対象物に散乱光を照射し、表面欠陥や内部欠陥の
像を含む画像を得る。散乱光による画像と同軸落射光に
よる画像とを比較し、同じ欠陥の画像を散乱光による画
像から除去すると、内部欠陥のみの画像が得られる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To precisely inspect fine defects and the like existing on the surface and inside of a non-opaque substance. An object is irradiated with coaxial incident light from a coaxial incident light source to obtain an image of a surface defect. The scattered light source 31 is turned on to irradiate the object with the scattered light to obtain an image including images of surface defects and internal defects. When the image due to the scattered light is compared with the image due to the coaxial incident light, and the image of the same defect is removed from the image due to the scattered light, an image of only the internal defect is obtained.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は検査方法及び検査装
置に関する。例えば同軸反射光(同軸落射)と散乱光を
用いて、不透明体でない物質の表面および内部の欠陥等
を検査することができる検査方法とその検査装置に関す
る。[0001] The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus. For example, the present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus capable of inspecting a surface and an internal defect of a non-opaque substance using coaxial reflected light (coaxial incident light) and scattered light.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示パネルに用いるガラス基板で
は、ガラス基板の内部にレンズ層があり、表面にITO
膜等の透明電極が形成されたものがある。例えば、図1
に示すものはプロジェクタ用マイクロレンズアレイ付き
ガラス基板1であって、カバーガラス2とベースガラス
3によってガラス基板を構成し、カバーガラス2とベー
スガラス3の間に屈折率の異なる2層の透明樹脂層4,
5を挟み込むことによって界面にレンズ層(マイクロレ
ンズアレイパターン)6を形成し、カバーガラス2の表
面に金属及び金属酸化物の薄膜からなる透明電極(IT
O膜)7を形成している。2. Description of the Related Art In a glass substrate used for a liquid crystal display panel, a lens layer is provided inside a glass substrate, and an ITO layer is provided on the surface.
Some have a transparent electrode such as a film. For example, FIG.
1 shows a glass substrate 1 with a microlens array for a projector, in which a cover glass 2 and a base glass 3 constitute a glass substrate, and two layers of transparent resin having different refractive indices between the cover glass 2 and the base glass 3. Layer 4,
A lens layer (microlens array pattern) 6 is formed at the interface by sandwiching the transparent electrode 5 and a transparent electrode (IT) made of a thin film of metal and metal oxide is formed on the surface of the cover glass 2.
O film) 7 is formed.
【0003】このようなガラス基板の製造工程において
も、製造されたガラス基板の製品検査が必要となるが、
プロジェクタ用マイクロレンズアレイ付きガラス基板の
ように表面の検査対象物(透明電極)と内部の検査対象
物(レンズ層)をもつガラス基板の場合には、製品検査
により欠陥を発見することは難しい。このような欠陥検
査が難しい理由は、要求されるスペックが透明電極の表
面に発生する欠陥では5μm以下、内部のレンズ層に発
生する欠陥では15μm以下とされ、微細な欠陥を検査
しなければならないこと、また表面と内部の欠陥のスペ
ックが大きく違うことに原因がある。つまり、その困難
さは、微細な欠陥(まず、この微細な欠陥を認識するこ
とが非常に困難である)を表面と内部に分離し、表面と
内部のうちいずれに存在している欠陥であるかを特定し
なければならない(実際、これを特定するのは困難であ
る)ことによる。In such a glass substrate manufacturing process, product inspection of the manufactured glass substrate is required.
In the case of a glass substrate having a surface inspection object (transparent electrode) and an internal inspection object (lens layer), such as a glass substrate with a microlens array for a projector, it is difficult to find defects by product inspection. The reason why such a defect inspection is difficult is that the required specifications are 5 μm or less for a defect occurring on the surface of the transparent electrode and 15 μm or less for a defect occurring on the internal lens layer, and a minute defect must be inspected. In addition, there is a great difference between the specifications of surface and internal defects. That is, the difficulty is a defect that separates a minute defect (it is very difficult to recognize the minute defect first) into a surface and an inside, and exists in either the surface or the inside. Must be specified (in fact, it is difficult to specify).
【0004】ちなみに、液晶表示パネル用のガラス基板
では、表面に透明電極やカラーフィルタが設けられてい
るが、主な用途であるノートパソコンなどのディスプレ
イ装置では、目視で画面を直接に見るので、欠陥のスペ
ックは0.1mm前後で判定されるレベルである(人の
目に見えないものは欠陥ではない)が、プロジェクタ用
の液晶表示パネルでは、スクリーンに拡大表示されるの
で、液晶と接するガラス基板の表面(透明電極)には直
径5μm程度の微細な欠陥すら許されない。つまり、こ
のような厳しいスペックの要求される製品では、欠陥の
ない製品を製造することも困難であるが、それを検査す
ることも困難である。Incidentally, a glass substrate for a liquid crystal display panel is provided with a transparent electrode and a color filter on the surface. However, in a display device such as a notebook personal computer, which is a main application, a screen is directly viewed with the naked eye. The spec of the defect is a level determined at around 0.1 mm (things that are not visible to the human eye are not defects), but in a liquid crystal display panel for a projector, since the image is enlarged and displayed on a screen, the glass in contact with the liquid crystal Even fine defects with a diameter of about 5 μm are not allowed on the surface (transparent electrode) of the substrate. In other words, it is difficult to manufacture a product free from defects in a product requiring such strict specifications, but it is also difficult to inspect the product.
【0005】(従来の検査方法)図2に示すものは、C
CDカメラ8を用いた従来の検査装置9であって、反射
光光源10で検査対象物11の表面を照らすと共に透過
光光源12によって検査対象物11を裏面側から照ら
し、検査対象物11の表面で拡散反射した反射光光源か
らの光と、検査対象物11を透過した透過光光源の光と
をCCDカメラ8で受光し、周辺部とは違う異形状の欠
陥部分を見つけるものである。(Conventional inspection method) FIG.
A conventional inspection apparatus 9 using a CD camera 8 illuminates the surface of an inspection object 11 with a reflected light source 10 and illuminates the inspection object 11 from the back side with a transmitted light source 12, and The CCD camera 8 receives the light from the reflected light source diffusely reflected by the above and the light from the transmitted light source transmitted through the inspection object 11, and finds a defective portion having a different shape from the peripheral portion.
【0006】また、主としてシリコンウエハの検査に用
いられている、レーザ光による検査方法を図3に示す。
これはレーザー発振器13から出力されたレーザー光を
検査対象物11に照射し、検査対象物11の表面で正反
射もしくは拡散反射したレーザー光を受光部14で受光
することにより、欠陥を検査するものである。FIG. 3 shows an inspection method using a laser beam, which is mainly used for inspection of a silicon wafer.
This is to inspect a defect by irradiating a laser beam output from a laser oscillator 13 to an inspection object 11 and receiving a laser beam specularly or diffusely reflected on a surface of the inspection object 11 by a light receiving unit 14. It is.
【0007】図2及び図3に示した検査装置ないし検査
方法は、例えばLCD(液晶ディスプレイ装置)やPD
P(プラズマディスプレイパネル)などの、ガラス基板
やプラスチック基板などの表面に存在しているカラーフ
ィルタや回路電極等の欠陥、あるいはシリコンウエハの
表面に積層された回路パターンの欠陥等を発見するのに
は有効である。The inspection apparatus or inspection method shown in FIGS. 2 and 3 is, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) or a PD.
For finding defects such as color filters and circuit electrodes on the surface of glass substrates and plastic substrates such as P (plasma display panels), and defects in circuit patterns laminated on the surface of silicon wafers. Is valid.
【0008】しかしながら、図2又は図3に示したよう
に、透過光や反射光を用いて検査する方式では、例えば
樹脂層界面によるレンズ層が内部に形成されているガラ
ス基板を検査対象物とする場合には、内部の検査を行う
ことができないという欠点があった。また、プロジェク
タ用マイクロレンズアレイ付きガラス基板の検査では、
微細な欠陥を発見できないだけでなく、倍率を上げても
ピントの調整が厳しくなるために、欠陥の種類によって
は比較的大きな欠陥も見つけにくかった。However, as shown in FIG. 2 or FIG. 3, in the inspection method using transmitted light or reflected light, for example, a glass substrate in which a lens layer formed by a resin layer interface is formed as an object to be inspected. In this case, there is a disadvantage that the internal inspection cannot be performed. In the inspection of glass substrates with microlens arrays for projectors,
Not only can fine defects not be found, but also the focus adjustment becomes strict even when the magnification is increased, so that it is difficult to find relatively large defects depending on the type of defect.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、不透明でない物質の表面と内部に存在する微細
な欠陥等を精度よく検査することができる検査装置と検
査方法を提供することにある。さらに、複数の検査対象
物を検査する場合に、効率的に実施することができる検
査方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and has as its object to remove fine defects and the like existing on the surface and inside of a non-opaque substance. An object of the present invention is to provide an inspection apparatus and an inspection method capable of performing an inspection with high accuracy. Another object of the present invention is to provide an inspection method that can be efficiently performed when inspecting a plurality of inspection objects.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の検査方
法は、検査対象物の同一領域に、異なる照明方式で照明
光を照射して複数回の観察を行ない、これらの観察結果
を比較することによって検査対象物を検査することを特
徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided an inspection method, wherein the same area of an inspection object is irradiated a plurality of times by irradiating illumination light with different illumination methods, and these observation results are compared. The inspection object is inspected by performing the inspection.
【0011】請求項2に記載の実施態様は、請求項1に
記載の検査方法において、上記照明方式には、少なくと
も同軸落射照明と散乱光照明とを含むことを特徴として
いる。According to a second aspect of the present invention, in the inspection method according to the first aspect, the illumination system includes at least a coaxial incident illumination and a scattered light illumination.
【0012】また、請求項3に記載の実施態様は、請求
項1に記載の検査方法において、異なる照明方式で観察
した検査対象物の画像を記憶装置に保存し、これらの画
像を比較することによって特定種類の欠陥だけを分離す
ることを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the inspection method of the first aspect, images of the inspection object observed by different illumination methods are stored in a storage device, and these images are compared. In this case, only a specific type of defect is separated.
【0013】請求項4に記載の実施態様は、請求項1、
2又は3に記載の検査方法において、検査対象物に欠陥
を検出すると、欠陥の存在する箇所から所定箇所までの
検査を行なわないようにしたことを特徴としている。[0013] The embodiment described in claim 4 is claim 1.
In the inspection method described in 2 or 3, when a defect is detected in the inspection object, an inspection from a position where the defect exists to a predetermined position is not performed.
【0014】請求項5に記載の実施態様は、請求項1、
2又は3に記載の検査方法において、複数の製品領域を
有する複数の検査対象物を検査する場合に、異なる検査
対象物のほぼ同一箇所で欠陥が検出されるとその欠陥情
報を記録しておき、検査対象物を検査する際には欠陥情
報に記録されている前記欠陥の存在する製品領域では、
欠陥情報に記録されている前記欠陥位置をはじめに検査
することを特徴としている。An embodiment according to claim 5 is a device according to claim 1,
In the inspection method described in 2 or 3, when inspecting a plurality of inspection objects having a plurality of product areas, if a defect is detected at substantially the same location on different inspection objects, the defect information is recorded. When inspecting the inspection object, in the product area where the defect is recorded in the defect information,
The defect position recorded in the defect information is inspected first.
【0015】請求項6に記載の実施態様は、請求項1、
2又は3に記載の検査方法において、複数の製品領域を
有する複数の検査対象物を検査する場合に、異なる検査
対象物のほぼ同一箇所で欠陥が検出され、ほぼ同一箇所
で検出された欠陥を有する製品領域が所定数以上に達す
ると、報知するようにしたことを特徴としている。[0015] The embodiment described in claim 6 is the first embodiment.
In the inspection method according to 2 or 3, when inspecting a plurality of inspection objects having a plurality of product areas, a defect is detected at almost the same location of a different inspection object, and a defect detected at the approximately same location is detected. When the number of product areas has reached a predetermined number or more, a notification is given.
【0016】請求項7に記載の検査装置は、検査対象物
に検査用の光を照射するための、異なる照明方式の複数
の照明手段と、前記照明手段により照らされた検査対象
物の画像を得るための撮像装置とを備えたことを特徴と
している。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an inspection apparatus for irradiating an inspection object with light for inspection, a plurality of illumination units of different illumination systems, and an image of the inspection object illuminated by the illumination unit. And an imaging device for obtaining.
【0017】[0017]
【発明の作用及び効果】本発明の請求項1、2、3の検
査方法又は請求項7の検査装置は、異なる照明方式で照
明された検査対象物の画像を比較するものである。照明
方式が異なれば、その照明方式に特有の欠陥を検出する
ことができるが、1つの照明方式で得た画像には複数の
欠陥が含まれていることもある。しかし、複数の照明方
式で得た画像を比較すれば、特定種類の欠陥だけを検出
することが可能になる。The inspection method according to claims 1, 2 and 3 of the present invention or the inspection apparatus according to claim 7 compares images of an inspection object illuminated by different illumination systems. If the illumination method is different, a defect specific to the illumination method can be detected, but an image obtained by one illumination method may include a plurality of defects. However, comparing images obtained by a plurality of illumination methods makes it possible to detect only a specific type of defect.
【0018】特に、照明方式として同軸落射照明と散乱
照明を用いると、散乱照明では検査対象物の表面欠陥と
共に内部欠陥も観察されるが、同軸落射照明では表面欠
陥だけを観察することができるので、両照明方式で得た
画像を比較することにより、内部欠陥を検知することが
可能になる。すなわち、従来検査の難しかった内部欠陥
の検査を容易に行なうことが可能になる。In particular, when coaxial epi-illumination and scattered illumination are used as illumination methods, scattered illumination can observe internal defects as well as surface defects of the inspection object, but coaxial epi-illumination can observe only surface defects. By comparing images obtained by the two illumination methods, it becomes possible to detect an internal defect. That is, it is possible to easily perform the inspection of the internal defect, which has been difficult to inspect conventionally.
【0019】また、請求項4に記載の検査方法では、請
求項1、2又は3の検査方法によって検査対象物の欠陥
検査を行なうにあたり、検査対象物に欠陥を検出した場
合には、欠陥の存在する箇所から所定箇所までの検査を
行なわないようにしている。In the inspection method according to the fourth aspect, when performing a defect inspection of the inspection object by the inspection method of the first, second, or third aspect, if a defect is detected in the inspection object, the defect is detected. The inspection from the existing location to the predetermined location is not performed.
【0020】検査対象物に欠陥が検出された場合には、
その検査対象物の全体もしくは一部は不良品となるか
ら、欠陥が検出されたら所定箇所までは検査を行なわな
いようにすることにより、無駄な検査時間を省くことが
でき、検査工程を効率化することができる。When a defect is detected in the inspection object,
Since the whole or a part of the inspection object becomes a defective product, if a defect is detected, the inspection is not performed up to a predetermined position, so that a useless inspection time can be reduced and the inspection process can be made more efficient. can do.
【0021】検査対象物には、全体が1つの製品となる
場合や分割されて複数の製品となる場合がある。前者の
場合には、所定箇所まで検査を行なわないとは、欠陥を
検出した箇所以降で検査を行なわない場合も含む。後者
の場合には、通常は、欠陥の検出された製品領域の最後
まで検査をスキップするのが望ましい。The inspection object may be a single product as a whole or may be divided into a plurality of products. In the former case, the case where the inspection is not performed up to the predetermined location includes the case where the inspection is not performed after the location where the defect is detected. In the latter case, it is usually desirable to skip the inspection until the end of the product area where the defect is detected.
【0022】また、請求項5に記載の検査方法では、請
求項1、2又は3の検査方法によって複数の製品領域を
有する複数の検査対象物を検査するにあたり、異なる検
査対象物のほぼ同一箇所で欠陥が検出されるとその欠陥
情報を記録している。ほぼ同一箇所に欠陥が繰り返して
検出される場合には、その後の検査対象物にも同一箇所
に欠陥が検出される蓋然性が高い。スタンパ等の型によ
って複製される物品の場合には、特にその蓋然性が高
い。In the inspection method according to the fifth aspect, when inspecting a plurality of inspection objects having a plurality of product areas by the inspection method according to the first, second, or third aspect, substantially the same portions of different inspection objects are inspected. When a defect is detected in the, the defect information is recorded. When a defect is repeatedly detected at substantially the same location, it is highly probable that a defect will be detected at the same location in a subsequent inspection object. In the case of an article reproduced by a mold such as a stamper, the probability is particularly high.
【0023】そこで、検査対象物を検査する際には、欠
陥情報に記録されている前記欠陥の存在する製品領域で
は、欠陥情報に記録されている前記欠陥位置をはじめに
検査するようにしているので、そこで欠陥が検出された
場合にはその製品領域の検査を行なわないようにするこ
とにより無駄な検査を省くことができる。Therefore, when inspecting the inspection object, in the product area where the defect recorded in the defect information exists, the defect position recorded in the defect information is inspected first. If a defect is detected there, the inspection of the product area is not performed, so that useless inspection can be omitted.
【0024】なお、この処理を行なわせるための欠陥検
出回数としては、2回あるいは3回以上の所定回数とい
うように予め決めておくことができる。It should be noted that the number of times of defect detection for performing this process can be predetermined such as two or three or more predetermined times.
【0025】また、請求項6に記載の検査方法では、請
求項1、2又は3の検査方法によって検査対象物の欠陥
検査を行なうにあたり、欠陥を含んで不良品となる製品
領域が所定数に達した場合には、報知するようにしてい
るので、報知された場合には、その検査対象物の製造工
程を検査及びメンテナンスし、異常発生箇所を洗浄ある
いは清掃したり、製造設備の不良部品等を交換したりす
ることにより、繰り返し発生する欠陥を減らすことがで
きる。In the inspection method according to the sixth aspect, when performing the defect inspection of the inspection object by the inspection method according to the first, second, or third aspect, the number of defective product areas including defects becomes a predetermined number. When it is notified, it is notified.If notified, the inspection process of the inspection object is inspected and maintained, and the place where abnormality occurs is cleaned or cleaned, defective parts of manufacturing equipment, etc. By exchanging the components, it is possible to reduce repetitive defects.
【0026】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明を一実施形態により
具体的に説明する。本発明の検査方法にあっては、例え
ばプロジェクタ用マイクロレンズアレイ付きガラス基板
のような検査対象物を検査するのに、まず検査手段とし
てCCDカメラを採用し、表面検査には同軸落射照明を
用い、内部検査には散乱光照明を光源とする検査法を用
いた。ここに、同軸落射照明とは、顕微鏡などに用いら
れているものであって、ほぼ平行な光束を照射するもの
である。同軸落射光は、ITO膜のピンホール(ITO
膜のついていないところで、一般に円形をしている)の
ように欠陥のない部分と欠陥部分とで反射率の微妙な差
しかない欠陥でも良好にみることができる。散乱光照明
とは、観察位置に対して周囲から散乱光を照射するもの
であって、均一照明に近いものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to an embodiment. In the inspection method of the present invention, for inspecting an inspection object such as a glass substrate with a microlens array for a projector, a CCD camera is first employed as an inspection means, and coaxial incident illumination is used for surface inspection. For the internal inspection, an inspection method using scattered light illumination as a light source was used. Here, the coaxial epi-illumination is used for a microscope or the like, and irradiates a substantially parallel light beam. The coaxial incident light is transmitted through a pinhole (ITO) of the ITO film.
Even when there is no defect, as in the case where the film is not attached, and the defect is not delicate, it can be seen well. The scattered light illumination irradiates the observation position with scattered light from the surroundings, and is close to uniform illumination.
【0027】すなわち、シビアな表面欠陥の検査には、
表面欠陥だけが見えて、3〜5μm程度の微細な欠陥も
良好に見ることができる同軸落射照明を光源とする。一
方、表面に比べ比較的基準のゆるやかな内部欠陥の検査
には、散乱光を光源として行なう。散乱光照明では表面
欠陥も見えてしまうので、散乱光照明を用いる際には表
面欠陥に対して内部欠陥よりも倍率を小さく調整する
が、それでも見えてしまう表面欠陥は前もって(もしく
は、同時に)同軸落射照明により検査しておいた検査像
(CCDカメラで撮影した映像)と画像処理を行なって
比較することにより、表面欠陥を分離する。That is, for inspection of severe surface defects,
The light source is a coaxial epi-illumination that allows only surface defects to be seen and fine defects of about 3 to 5 μm to be seen well. On the other hand, for inspection of an internal defect having a comparatively gentle reference as compared with the surface, scattered light is used as a light source. Since surface defects can be seen with scattered light illumination, when using scattered light illumination, the magnification of surface defects is adjusted to be smaller than that of internal defects, but surface defects that can still be seen are coaxial in advance (or simultaneously). Surface defects are separated by performing image processing and comparing with an inspection image (image taken by a CCD camera) inspected by epi-illumination.
【0028】図4は同軸落射照明と散乱光照明を併用す
る検査装置21の構成を示す概略図である。この検査装
置21にあっては、鏡筒22内の上部にCCDカメラの
ような撮像装置23が設けられている。この撮像装置2
3は、図5に示すように、レンズ系24を通して検査対
象物25の拡大画像をCCD素子26に結像させ、電気
回路27を通して画像信号を出力する。撮像装置23の
下方にはハーフミラー28と対物レンズ29が配置され
ている。また、ハーフミラー28の側方には、同軸落射
光源30が設けられている。同軸落射光源30を点灯す
ると、同軸落射光源30から出射された同軸落射光は、
ハーフミラー28で反射され、対物レンズ29を通過し
た後、検査対象物25の表面にほぼ垂直に照射される。
さらに、対物レンズ29の下方の検査対象物25に接近
した位置には、撮像装置23の光軸を囲むようにしてリ
ング状をした散乱光光源31が設けられている。散乱光
光源31はリング状をしているので、検査対象物25の
検査点には斜めに光が照射される。FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of an inspection apparatus 21 that uses both coaxial incident illumination and scattered light illumination. In the inspection device 21, an imaging device 23 such as a CCD camera is provided in an upper part in a lens barrel 22. This imaging device 2
3 forms an enlarged image of the inspection object 25 on the CCD element 26 through the lens system 24 and outputs an image signal through the electric circuit 27, as shown in FIG. A half mirror 28 and an objective lens 29 are arranged below the imaging device 23. A coaxial incident light source 30 is provided on the side of the half mirror 28. When the coaxial incident light source 30 is turned on, the coaxial incident light emitted from the coaxial incident light source 30 is:
After being reflected by the half mirror 28 and passing through the objective lens 29, it is irradiated on the surface of the inspection object 25 almost perpendicularly.
Further, a scattered light source 31 having a ring shape surrounding the optical axis of the imaging device 23 is provided at a position below the objective lens 29 and close to the inspection object 25. Since the scattered light source 31 has a ring shape, the inspection point of the inspection target 25 is irradiated with light obliquely.
【0029】このような検査装置21で、同軸落射光源
30を点灯し、検査対象物25に同軸落射光を照射し、
検査対象物25の表面で反射する同軸反射光を撮像装置
23で撮影しているときの様子を図6に示す。この同軸
落射光を用いた検査では、ほとんど表面(薄膜であるI
TO膜7の下くらいまで)しか見えず、表面の異物付着
やITO膜のピンホール等の表面欠陥32は検出するこ
とができるが、レンズ層のような内部欠陥33やガラス
基板の傷のような裏面欠陥34は検出されない。同軸落
射光を用いた検査像の一例を図8に示す。同軸落射像で
は、欠陥35は黒点で見える。ピンホール42の場合、
散乱光では、図16(b)のように反射光が散乱して光
るので検出できないが、同軸反射光では、図16(c)
のように真っ直ぐ反射されるので検出される。In such an inspection apparatus 21, the coaxial incident light source 30 is turned on, and the inspection object 25 is irradiated with coaxial incident light.
FIG. 6 shows a state in which coaxial reflected light reflected on the surface of the inspection object 25 is captured by the imaging device 23. In the inspection using the coaxial incident light, almost the surface (the thin film I
(To the bottom of the TO film 7), and surface defects 32 such as adhesion of foreign substances on the surface and pinholes of the ITO film can be detected. However, internal defects 33 such as a lens layer and scratches on a glass substrate can be detected. No back surface defect 34 is detected. FIG. 8 shows an example of an inspection image using coaxial incident light. In the coaxial incident image, the defect 35 appears as a black dot. In the case of pinhole 42,
The scattered light cannot be detected because the reflected light is scattered and radiated as shown in FIG. 16B, but the coaxial reflected light cannot be detected as shown in FIG.
It is detected because it is reflected straight like.
【0030】これに対し、散乱光光源を点灯し、検査対
象物25に散乱光を照射し、検査対象物25で反射した
散乱光を撮像装置23で撮影する検査では、図7に示す
ように、表面の異物付着やITO膜のピンホール等の表
面欠陥32、レンズ層のような内部欠陥33、ガラス基
板の傷のような裏面欠陥34のいずれもが検出される。
散乱光を用いた検査像の一例を図9に示す。散乱光を用
いた検査像では、表面欠陥も内部欠陥もすべて欠陥36
は輝点で見える。散乱光では、図16(b)のようにピ
ンホールは検出できないが、ピット42は図16(a)
のように散乱光により検出される。On the other hand, in an inspection in which the scattered light source is turned on, the inspection object 25 is irradiated with the scattered light, and the scattered light reflected by the inspection object 25 is photographed by the imaging device 23, as shown in FIG. In addition, surface defects 32 such as adhesion of foreign substances on the surface and pinholes of the ITO film, internal defects 33 such as a lens layer, and back surface defects 34 such as scratches on a glass substrate are all detected.
FIG. 9 shows an example of an inspection image using scattered light. In the inspection image using the scattered light, both the surface defect and the internal defect are defects 36.
Can be seen as bright spots. The scattered light cannot detect a pinhole as shown in FIG.
Is detected by scattered light.
【0031】こうして同軸落射光を用いた検査像と散乱
光を用いた検査像が得られると、そこから表面欠陥と内
部欠陥を分離する。表面欠陥と内部欠陥の分離法を図1
0に模式的に示す。散乱光照明では、図10(a)に示
すようにすべての欠陥が見えるので、同一の領域を同軸
落射光による画像を取り込み、同一位置で同一形状(散
乱光照明の画像では実際より大きく見えてしまうが、形
はほぼ同じとなる)である欠陥[図10(b)]は、表
面欠陥であると判断され、散乱光による画像から取り除
かれる。表面欠陥を取り除かれた画像37は、図10
(c)のようになり、これは内部欠陥だけを表わしてい
る。When an inspection image using coaxial incident light and an inspection image using scattered light are thus obtained, surface defects and internal defects are separated therefrom. Figure 1 shows a method for separating surface defects and internal defects.
0 schematically. In the scattered light illumination, all defects are visible as shown in FIG. 10 (a). Therefore, the same area is captured by the coaxial incident light image, and the same shape is obtained at the same position. (FIG. 10B) is a surface defect, and is removed from the image due to the scattered light. The image 37 with the surface defects removed is shown in FIG.
(C), which shows only internal defects.
【0032】なお、同軸落射照明で得られた画像中の欠
陥と散乱光照明で得られた画像中の欠陥とが同じである
かどうかを判別するには、上記のように同一位置かどう
か、同一形状かどうかにより判断される。例えば、図1
1に示すように、欠陥の位置は、X軸方向における欠陥
の縁のX方向座標がX1、X2であったとすると、その
中心はXC=(X1+X2)/2で求めることができ、
欠陥の縁のY方向座標がY1、Y2であったとすると、
その中心はYC=(Y1+Y2)/2で求めることがで
きる。よって、中心(XC、YC)が一致すれば、同一位
置であると判断する。ただし、欠陥が微細なものである
ので、中心(XC、YC)の例えば50%くらいのずれ量
は同一の座標と判断してよい。In order to determine whether the defect in the image obtained by the coaxial epi-illumination and the defect in the image obtained by the scattered light illumination are the same, as described above, it is necessary to determine whether the defect is at the same position. Judgment is made based on whether they have the same shape. For example, FIG.
As shown in FIG. 1, if the X-direction coordinates of the edge of the defect in the X-axis direction are X1 and X2, the center of the defect can be obtained by XC = (X1 + X2) / 2,
Assuming that the Y-direction coordinates of the edge of the defect are Y1 and Y2,
The center can be obtained by YC = (Y1 + Y2) / 2. Therefore, if the centers (XC, YC) match, it is determined that they are at the same position. However, since the defect is minute, a shift amount of, for example, about 50% of the center (XC, YC) may be determined to be the same coordinate.
【0033】また、欠陥の形状が図12(a)であった
とするとき、X軸をX1軸からX2軸へ向けて移動さ
せ、X軸とX1軸の間にある欠陥の面積を横軸にとり、
Y軸をY1軸からY2軸へ向けて移動させ、Y軸とY1
軸の間にある欠陥の面積を縦軸にとったとき、図12
(b)のような曲線が得られたとする。この曲線がほぼ
一致したとき、両欠陥は同一形状であると判断される。
ただし、分割面積要素(マトリクス)は、精度に応じて
適正な大きさまで小さくする必要がある。When the shape of the defect is as shown in FIG. 12A, the X axis is moved from the X1 axis to the X2 axis, and the area of the defect between the X axis and the X1 axis is plotted on the horizontal axis. ,
Move the Y axis from the Y1 axis to the Y2 axis, and
When the area of the defect between the axes is plotted on the ordinate, FIG.
It is assumed that a curve as shown in FIG. When the curves substantially match, it is determined that the two defects have the same shape.
However, the divided area element (matrix) needs to be reduced to an appropriate size according to the accuracy.
【0034】なお、これ以外にも、要求精度に応じて、
一般に画像処理で用いられる、種々の画像判別方法を用
いることができる。例えば、2つの欠陥の像を重ね合わ
せることによって同一か否か判断するようにしてもよ
い。In addition to the above, according to the required accuracy,
Various image discrimination methods generally used in image processing can be used. For example, it may be determined whether or not the two images are the same by superimposing images of two defects.
【0035】図13はモニター38への表示の仕方を示
す図である。この例では、検査対象物の同一領域におけ
る散乱光照明の像と同軸落射光照明の像を同一モニター
に並べて表示しているが、内部欠陥のみの像をモニター
38に表示させることもでき、あるいは表面欠陥のみの
像と内部欠陥のみの像を同一モニターに並べて表示する
こともでき、目視による判断の手助けとすることができ
る。FIG. 13 is a diagram showing a way of displaying on the monitor 38. In this example, the image of the scattered light illumination and the image of the coaxial incident light illumination in the same region of the inspection object are displayed side by side on the same monitor, but the image of only the internal defect can be displayed on the monitor 38, or An image of only a surface defect and an image of only an internal defect can be displayed side by side on the same monitor, which can assist visual judgment.
【0036】図15は検査装置による処理方法の手順を
示すフロー図である。まず、散乱光光源を点灯して散乱
光を検査対象物に照射し、散乱光を光源とした画像を取
り込む(S1)。この画像を画像P1と呼ぶ。ついで、
同軸落射光源を点灯し、同軸落射光を光源とした画像を
取り込む(S2)。この画像を画像P2と呼ぶ。この
後、散乱光による画像P1を検査し、同一座標の欠陥が
画像P2にあるか否かを調べる(S3)。同一座標の欠
陥が画像P2にない場合には、その欠陥は内部欠陥であ
ると判断する(S4)。FIG. 15 is a flowchart showing a procedure of a processing method by the inspection apparatus. First, a scattered light source is turned on to irradiate the inspection object with the scattered light, and an image using the scattered light as a light source is captured (S1). This image is called an image P1. Then
The coaxial incident light source is turned on, and an image using the coaxial incident light as a light source is captured (S2). This image is called an image P2. Thereafter, the image P1 due to the scattered light is inspected to determine whether or not a defect having the same coordinates exists in the image P2 (S3). If there is no defect having the same coordinates in the image P2, it is determined that the defect is an internal defect (S4).
【0037】これに対し、同一座標の欠陥が画像P2に
ある場合には、さらにその欠陥は同一形状であるかどう
か調べる(S5)。同一形状でない場合には、やはり内
部欠陥であると判断する。同一形状であった場合には、
同じ欠陥であるから、その欠陥は表面欠陥であると判断
する(S6)。そして、検査している欠陥が表面欠陥で
あると判定した場合には、散乱光による画像P1から当
該欠陥の像を消去する(S7)。On the other hand, if a defect having the same coordinates exists in the image P2, it is further checked whether the defect has the same shape (S5). If the shapes are not the same, it is also determined to be an internal defect. If they have the same shape,
Since the defects are the same, it is determined that the defect is a surface defect (S6). If it is determined that the defect being inspected is a surface defect, the image of the defect is deleted from the image P1 due to the scattered light (S7).
【0038】このようにして散乱光による画像P1に含
まれている欠陥について順次調べ、表面欠陥と判断した
ものについては、画像P1から消去する作業(S1〜S
7)を繰り返す。こうして画像P1の全ての欠陥につい
て処理すると(S8)、画像P1には内部欠陥だけが残
る。よって、画像P1は内部欠陥の像としてモニターに
表示し、画像P2は表面欠陥の像としてモニターに表示
する(S9)。In this way, the defects contained in the image P1 due to the scattered light are sequentially examined, and those determined as surface defects are deleted from the image P1 (S1 to S5).
Repeat step 7). When all the defects of the image P1 are processed in this way (S8), only the internal defects remain in the image P1. Therefore, the image P1 is displayed on the monitor as an image of the internal defect, and the image P2 is displayed on the monitor as an image of the surface defect (S9).
【0039】なお、これまでは、裏面欠陥については考
えなかったが、裏面欠陥については、検査対象物を裏面
側から同軸落射光で検査することにより、検出すること
ができる。従って、図14に示すように、散乱光照明を
用いた検査像36[図14(a)]から、表面側と裏面
側でそれぞれ同軸落射により得た表面欠陥の像35[図
14(b)]と裏面欠陥の像39[図14(c)]を除
去することにより、表面欠陥と裏面欠陥を含まない内部
欠陥のみの像40[図14(d)]を得ることができ
る。Although back side defects have not been considered so far, back side defects can be detected by inspecting the inspection object from the back side with coaxial incident light. Therefore, as shown in FIG. 14, an inspection image 36 using scattered light illumination [FIG. 14 (a)] is converted into a surface defect image 35 [FIG. 14 (b)] obtained by coaxial irradiation on the front side and the back side, respectively. ] And the image 39 of the back surface defect [FIG. 14 (c)], an image 40 [FIG. 14 (d)] of only the internal defect which does not include the surface defect and the back surface defect can be obtained.
【0040】(本発明の効果)以上述べた実施形態で
は、同軸落射照明と散乱光照明を用いて不透明でない物
質の同一面を同軸落射光と散乱光を使って2度みるとい
う構成にしたので、その表面と内部の欠陥を精度よく良
好に検査及び観察を行なえた。特に、透明体の内部に屈
折率の異なる層があったり、表面に透明な例えば金属酸
化物などの金属化合物の薄膜がある場合にこの検査方法
は有効である。以下に、本発明の原理と効果等を詳細に
説明する。(Effects of the present invention) In the embodiment described above, the same surface of a non-opaque substance is viewed twice by using coaxial incident light and scattered light by using coaxial incident light and scattered light illumination. The surface and inside defects could be inspected and observed accurately and favorably. In particular, this inspection method is effective when there is a layer having a different refractive index inside the transparent body, or when there is a transparent thin film of a metal compound such as a metal oxide on the surface. Hereinafter, the principles and effects of the present invention will be described in detail.
【0041】まず、本発明は、不透明でない物質、特に
内部に屈折率の異なる層がある場合の異物(欠陥)の検
査に有効である。内部に屈折率の異なる層があると、そ
の形状にもよるが、一般にレンズ層となることが多い。
レンズ層があると、透過光が集光されてしまうので、ピ
ントの合わせ方によってはどうしても見えなくなる層が
ある。レンズ層の欠陥(レンズ層の形成不良)でも、レ
ンズ層がある程度形成されていれば透過光は集光されて
しまうので、透過光ではレンズが良好に形成されている
かの検査にも適していない。ちなみに、透過光に反射光
を混ぜると、内部欠陥のなかには見えるものもあるが、
内部欠陥のほとんどは透過光、反射光あるいは透過光と
反射光の組み合わせでは見ることができない。First, the present invention is effective for inspection of a non-opaque substance, particularly a foreign substance (defect) when there is a layer having a different refractive index inside. If there is a layer having a different refractive index inside, it often becomes a lens layer in general, depending on the shape.
If there is a lens layer, transmitted light is collected, and there are layers that cannot be seen depending on the focusing method. Even if there is a defect in the lens layer (defective formation of the lens layer), if the lens layer is formed to some extent, the transmitted light is condensed. Therefore, the transmitted light is not suitable for inspection of whether the lens is formed well. . By the way, if you mix the transmitted light with the reflected light, some of the internal defects can be seen,
Most of the internal defects cannot be seen with transmitted light, reflected light or a combination of transmitted light and reflected light.
【0042】本発明では、一般にリング照明などいわれ
る散乱光照明等を使用すれば、検査領域のあらゆる方向
から照射される光が、異物や欠陥にあたり、その異物や
欠陥の表面で乱反射する。この乱反射により異物や欠陥
の存在を知ることができる。実際には乱反射光により異
物や欠陥が1まわりから2まわりほど大きく光って(輝
点として)見える。よって、散乱光は多層構造の基板な
どを検査するのに有効である。In the present invention, if scattered light illumination or the like, which is generally called ring illumination, is used, light irradiated from all directions in the inspection area hits a foreign substance or defect, and is irregularly reflected on the surface of the foreign substance or defect. The presence of foreign matter and defects can be known from the irregular reflection. Actually, the foreign matter and the defect appear as large as about one to two circumferences (as bright spots) due to the irregularly reflected light. Therefore, the scattered light is effective for inspecting a substrate having a multilayer structure.
【0043】ただし、散乱光は表面欠陥まで見えてしま
う。表面欠陥と内部欠陥を同じ基準(判定基準となる例
えば大きさが同じ)で検査する場合には、散乱光だけで
もよいが、表面欠陥と内部欠陥の基準が異なる場合には
やっかいである。反射光は一般に表面を見る検査の光源
として有効であるが、本発明の検査対象のような微細な
欠陥には適しておらず、微細な欠陥の中には、種類によ
り見えにくいものがあった。具体的にいうと、異物は比
較的まだ良好に見ることができるが、一般にピンホール
と呼ばれる、膜の一部が欠落した円形の欠陥がよく見え
なかった。そこで我々は、一般に同軸落射光と呼ばれる
光源により、ピット(膜の窪み)まで良好に見えること
を見出した。この同軸落射光では、表面に形成された薄
膜(例えばlTO膜)の下まで位しか見えないので、ガ
ラス基板(多層ガラス基板)の表面検査に適している。However, the scattered light is visible even to surface defects. When inspecting a surface defect and an internal defect with the same reference (for example, the same size as a criterion), only the scattered light may be used, but it is troublesome when the reference of the surface defect and the internal defect is different. Although the reflected light is generally effective as a light source for inspection for observing the surface, it is not suitable for minute defects such as the inspection object of the present invention, and some of the minute defects are hardly visible depending on the type. . Specifically, the foreign matter can be seen relatively well, but a circular defect, generally called a pinhole, in which a part of the film is missing, was not well seen. Thus, we have found that a light source, commonly referred to as coaxial incident light, allows the pit (hollow) to look good. This coaxial incident light is suitable only for surface inspection of a glass substrate (multilayer glass substrate) because it can be seen only below a thin film (for example, an lTO film) formed on the surface.
【0044】つぎに、本発明では、「散乱光による画
像」と「同軸落射光による画像」を比較することによ
り、内部欠陥と表面欠陥を分離できる。散乱光による検
査では、内部欠陥も表面欠陥も見えてしまうが、表面欠
陥しか見えない同軸落射光による画像と比較すること
で、内部欠陥のみを特定することができる。比較は同一
領域を例えばモニタを2分割して目視でも十分観察でき
る。Next, in the present invention, the internal defect and the surface defect can be separated by comparing the "image by scattered light" and the "image by coaxial incident light". Inspection using scattered light allows both internal defects and surface defects to be seen, but by comparing the image with coaxial incident light, which only shows surface defects, it is possible to identify only internal defects. In the comparison, the same area can be sufficiently observed visually, for example, by dividing the monitor into two parts.
【0045】従って、上記検査方法の原理にもとづいた
検査装置を用いれば、多層ガラス基板の検査装置として
有効である。装置化するには、同一の領域を「散乱光」
と「同軸落射光」の2種類の光源で見て画像化すればよ
い。同一領域もしくは同一座標かを判断するには検査対
象に基準をあらかじめ設けておき、その基準をもとに、
取り込んだ画像を同期させればよい。Therefore, if an inspection apparatus based on the principle of the above inspection method is used, it is effective as an inspection apparatus for a multilayer glass substrate. In order to make it a device, the same area is scattered light
What is necessary is just to image by seeing with two kinds of light sources, and "coaxial incident light". In order to determine the same area or the same coordinates, a standard is set in advance for the inspection object, and based on the standard,
What is necessary is just to synchronize the captured image.
【0046】そして、散乱光の画像と同軸落射光の画像
を同一領域で処理すると表面欠陥と内部欠陥を分離でき
る自動検査装置となる。自動検査装置で処理をするに
は、例えば前記フローチャート(図15)のように、同
一領域を2種類の光源でみた2つの画像の欠陥につい
て、同一座標かどうか、同一形状かどうかで判断すれ
ば、欠陥を分離できる。散乱光の欠陥画像は実際より大
きく見えるので、散乱光の画像を一定割合で小さくする
か、同軸落射の画像を一定割合で大きくするか、いずれ
かの処理を施して重ね合わせればよい。また大きさは無
視して形状のみの判断とすることもできる。When an image of the scattered light and an image of the coaxial incident light are processed in the same region, an automatic inspection apparatus capable of separating a surface defect from an internal defect is obtained. In order to perform processing by the automatic inspection apparatus, for example, as shown in the above-described flowchart (FIG. 15), it is determined whether defects in two images of the same area viewed by two types of light sources are the same coordinates or the same shape. , Can isolate defects. Since the defect image of the scattered light looks larger than it actually is, the image of the scattered light may be reduced at a fixed rate, or the image of the coaxial incident light may be increased at a fixed rate, or may be subjected to one of the processes and superimposed. In addition, it is possible to ignore the size and determine only the shape.
【0047】また、本発明の検査方法では、裏面欠陥を
分離することもできる。裏面については、表面と同様の
処理(検査対象を同軸落射光で両側から見て、3つの画
像を比較する)を実行すれば、裏面欠陥も分離できる。In the inspection method of the present invention, a back surface defect can be separated. For the back surface, if the same processing as that for the front surface (the inspection object is viewed from both sides with coaxial incident light and three images are compared), the back surface defect can also be separated.
【0048】なお、上記実施形態では、照明方式とし
て、同軸落射照明と散乱光照明とを用いたが、これ以外
にも、面光源による透過照明(対象物の外形だけとれば
よい場合に適する)、斜光照明(金属で凹凸のあるもの
に適する)、間接照明(透過方式又は反射方式)、輻射
光による照明などの照明方式があり、これらのうちから
2又は3以上の照明方式を用いても良い。In the above embodiment, the coaxial epi-illumination and the scattered light illumination are used as the illumination method. However, other than this, the transmitted illumination by the surface light source (suitable when only the outer shape of the object is required). , Oblique illumination (suitable for those having metal irregularities), indirect illumination (transmission type or reflection type), illumination by radiant light, and the like. good.
【0049】(連続検査工程)つぎに、製造工程におい
て、検査対象物を連続的に、かつ効率良く検査するため
の処理方法を説明する。まず、この説明をする前に、検
査対象物となるマイクロレンズアレイ付きガラス基板の
製造工程を図17〜図19により説明する。マイクロレ
ンズアレイ付きガラス基板の製造にあたっては、図17
(a)に示すように、マイクロレンズアレイ付きガラス
基板の複数枚分の大きさを有する透明なベースガラス5
2の上に未硬化の紫外線硬化型樹脂(UV硬化型レンズ
樹脂)53を滴下し、ベースガラス52の上方からスタ
ンパ(型)54を下降させてスタンパ54とベースガラ
ス52の間に紫外線硬化型樹脂53を挟み込み、スタン
パ54をベースガラス52に押圧させて紫外線硬化型樹
脂53をスタンパ54とベースガラス52の間に押し広
げる。このスタンパ54の下面には、レンズ層(マイク
ロレンズアレイパターン)の反転型55が形成されてい
る。ついで、図17(b)に示すように、ベースガラス
52を通して紫外線硬化型樹脂53に紫外線を照射し、
紫外線硬化型樹脂53を硬化させる。スタンパ54を剥
離させると、図17(c)のように、硬化した紫外線硬
化型樹脂53の上面にレンズ層のパターン56が形成さ
れる。(Continuous Inspection Step) Next, a processing method for continuously and efficiently inspecting an inspection object in a manufacturing process will be described. First, before this description, a manufacturing process of a glass substrate with a microlens array to be inspected will be described with reference to FIGS. When manufacturing a glass substrate with a microlens array, FIG.
As shown in (a), a transparent base glass 5 having a size of a plurality of glass substrates with a microlens array is provided.
An uncured UV-curable resin (UV-curable lens resin) 53 is dropped on the base 2, and a stamper (mold) 54 is lowered from above the base glass 52 so that the UV-curable resin is between the stamper 54 and the base glass 52. The resin 53 is sandwiched, and the stamper 54 is pressed against the base glass 52 to spread the ultraviolet curable resin 53 between the stamper 54 and the base glass 52. On the lower surface of the stamper 54, an inversion mold 55 of a lens layer (microlens array pattern) is formed. Next, as shown in FIG. 17B, ultraviolet rays are applied to the ultraviolet curing resin 53 through the base glass 52,
The ultraviolet curing resin 53 is cured. When the stamper 54 is peeled off, a lens layer pattern 56 is formed on the upper surface of the cured ultraviolet curable resin 53 as shown in FIG.
【0050】さらに、図17(d)のように、この紫外
線硬化型樹脂53の上に、当該紫外線硬化型樹脂53と
屈折率の異なる未硬化の紫外線硬化型樹脂57を滴下
し、紫外線硬化型樹脂57の上方からカバーガラス58
を下降させて下層の紫外線硬化型樹脂53とカバーガラ
ス58の間に未硬化の紫外線硬化型樹脂57を挟み込
み、カバーガラス58を紫外線硬化型樹脂57に押圧さ
せて紫外線硬化型樹脂57を下層の紫外線硬化型樹脂5
3とカバーガラス58の間に押し広げる。ついで、図1
8(e)に示すように、ベースガラス52及び紫外線硬
化型樹脂53を通して紫外線硬化型樹脂57に紫外線を
照射し、紫外線硬化型樹脂57を硬化させる。この結
果、マイクロレンズアレイ付きガラス基板が複数枚分の
マイクロレンズアレイウエハ(以下、MLAウエハとい
う)59が製作され、屈折率の異なる2つの紫外線硬化
型樹脂53、57の界面にレンズ層60が形成される。Further, as shown in FIG. 17D, an uncured UV-curable resin 57 having a different refractive index from the UV-curable resin 53 is dropped on the UV-curable resin 53, Cover glass 58 from above resin 57
Is lowered to sandwich the uncured UV-curable resin 57 between the lower UV-curable resin 53 and the cover glass 58, and the cover glass 58 is pressed against the UV-curable resin 57 so that the UV-curable resin 57 is UV curable resin 5
3. Spread between 3 and cover glass 58. Next, FIG.
As shown in FIG. 8E, the ultraviolet-curable resin 57 is irradiated with ultraviolet light through the base glass 52 and the ultraviolet-curable resin 53 to cure the ultraviolet-curable resin 57. As a result, a microlens array wafer (hereinafter, referred to as an MLA wafer) 59 of a plurality of glass substrates with a microlens array is manufactured, and a lens layer 60 is provided at the interface between two ultraviolet curable resins 53 and 57 having different refractive indexes. It is formed.
【0051】MLAウエハ59が製作されると、図18
(f)のように、研磨装置61によりベースガラス52
の下面とカバーガラス58の上面を研磨して表面を平滑
にすると共にMLAウエハ59の表裏の平行度を得る。
この後、図18(g)に示すように、カバーガラス58
の上面に蒸着法によって透明電極(ITO膜)62を形
成する。When the MLA wafer 59 is manufactured, FIG.
As shown in FIG.
Is ground and the upper surface of the cover glass 58 is polished to smooth the surface, and the parallelism between the front and back of the MLA wafer 59 is obtained.
Thereafter, as shown in FIG.
A transparent electrode (ITO film) 62 is formed on the upper surface of the substrate by an evaporation method.
【0052】こうして検査が終了すると、図19に示す
ように、アライメントマーク63によってMLAウエハ
59を位置決めした後、カットラインCでMLAウエハ
59をカットして個々のマイクロレンズアレイ付きガラ
ス基板51a、51b、51c、…を得る(図19で
は、14枚取りの場合を示している。)。When the inspection is completed in this way, as shown in FIG. 19, the MLA wafer 59 is positioned by the alignment mark 63, and then the MLA wafer 59 is cut along the cut line C, and the individual glass substrates 51a and 51b with microlens arrays are cut. , 51c,... (FIG. 19 shows a case of taking 14 sheets).
【0053】しかし、このような方法でMLAウエハ5
9ないしマイクロレンズアレイ付きガラス基板51a、
51b、51c、…を製作していると、図20(a)に
示すように、スタンパ54の下面(パターン面)にゴミ
やホコリ等の異物64が付着したりパターン面に欠損6
5が生じたりすると、図20(b)(c)のように異物
64や欠損65が紫外線硬化型樹脂53に転写される結
果、製造されたMLAウエハ59には、図20(d)
(e)に示すような定点欠陥66a、66bが生じるこ
とになる。However, the MLA wafer 5 is
9 to a glass substrate 51a with a microlens array,
.. Are manufactured, foreign matter 64 such as dust or dust adheres to the lower surface (pattern surface) of the stamper 54 or the pattern surface has a defect 6 as shown in FIG.
20B, the foreign matter 64 and the defect 65 are transferred to the ultraviolet-curing resin 53 as shown in FIGS. 20B and 20C. As a result, the manufactured MLA wafer 59 has the structure shown in FIG.
Fixed point defects 66a and 66b as shown in FIG.
【0054】そのため、従来においては、MLAウエハ
59をカットして各マイクロレンズアレイ付きガラス基
板51a、51b、51c、…に分割した後、各マイク
ロレンズアレイ付きガラス基板51a、51b、51
c、…毎に欠陥検査を行なっていた。さらに、マイクロ
レンズアレイ付きガラス基板51a、51b、51c、
…のパターンは微細であるため、1枚のマイクロレンズ
アレイ付きガラス基板51a、51b、51c、…を複
数(例えば、12領域)の検査領域に仮想的に分割して
(つまり、拡大して)欠陥検査を行なっていた。Therefore, conventionally, the MLA wafer 59 is cut and divided into glass substrates 51a, 51b, 51c,... With microlens arrays, and then the glass substrates 51a, 51b, 51 with microlens arrays are cut.
c,... each time a defect inspection was performed. Further, glass substrates 51a, 51b, 51c with microlens array,
.. Are minute, one glass substrate 51a, 51b, 51c,... With a microlens array is virtually divided into a plurality of (for example, 12) inspection areas (that is, enlarged). A defect inspection was being performed.
【0055】マイクロレンズアレイ付きガラス基板51
a、51b、51c、…は、上記のようにして検査され
ていたが、このような検査対象物は微細な光学パターン
を有しているから、検査に時間が掛かり、検査効率の向
上が望まれている。特に、スタンパによって複製される
マイクロレンズアレイ付きガラス基板では、スタンパに
異物等が付着したりパターン面が欠損したりして欠陥が
生じると、同一場所における同一形状の欠陥すなわち定
点欠陥が継続して生じるので、不良品発生率を低下させ
るためには、このような定点欠陥は早期に発見して対処
できるようにしたい。Glass substrate 51 with microlens array
a, 51b, 51c,... have been inspected as described above. However, since such an inspection object has a fine optical pattern, it takes a long time to inspect, and improvement in inspection efficiency is expected. It is rare. In particular, in a glass substrate with a microlens array replicated by a stamper, if a foreign matter or the like adheres to the stamper or the pattern surface is lost and a defect occurs, a defect of the same shape at a same place, that is, a fixed point defect, continues. Therefore, in order to reduce the defective product occurrence rate, it is desired that such a fixed point defect can be found and dealt with at an early stage.
【0056】ここで説明する本発明の検査方法は、この
ような見地から工夫されたものであって、マイクロレン
ズアレイ付きガラス基板51a、51b、51c、…の
ような検査対象物の外観検査において、スタンパ54の
欠陥によって検査対象物に繰り返し発生する定点欠陥を
早期に検出し、定点欠陥のある検査対象物には、それ以
後の検査をスキップさせることにより検査時間を短縮
し、かつ定点欠陥のある検査対象物の数があるレベルを
越えた場合には、スタンパ54のメンテナンス(洗浄、
交換等)を促すようにするものである。The inspection method of the present invention described here is devised from such a point of view, and is used in the appearance inspection of an inspection object such as a glass substrate with microlens array 51a, 51b, 51c,. A fixed-point defect that repeatedly occurs in the inspection object due to the defect of the stamper 54 is detected early, and the inspection object having the fixed-point defect is skipped after that, thereby shortening the inspection time, and If the number of inspection objects exceeds a certain level, maintenance (cleaning,
Exchange, etc.).
【0057】図21及び図22は、効率的に検査を実行
するための検査方法を説明するフロー図である。また、
図23はこの検査システムを説明する概略図である。検
査対象物となるMLAウエハ59は検査テーブル67の
上に載置されており、静止状態に保たれている。本発明
の検査装置(撮像装置や光源等)68は移動テーブル6
9に設置されており、移動テーブル69はレール(図示
せず)に沿って検査テーブル67と平行に走行可能とな
っている。移動テーブル69は駆動装置70によって走
行し、検査装置68の移動方向及び移動距離等はテーブ
ル駆動制御部71によって精密に数値制御されている。
検査装置68で得られたデータは、判定処理部72によ
って処理され、欠陥の位置や種類が判定される。判定処
理部72で検出された欠陥の位置、種類等のデータは書
込可能なメモリからなる記憶装置73に記憶される。さ
らに、判定出力部74は、判定処理部72の検出結果を
総合的に判断していずれのマイクロレンズアレイ付きガ
ラス基板51a、51b、51c、…に欠陥が存在する
か判断し、その結果を出力する。なお、これとは逆に、
MLAウエハ59を検査テーブル67上に置き、静止し
ている検査装置68に対して検査テーブル67上のML
Aウエハ59を移動させて検査を行なうようにしてもよ
い。FIGS. 21 and 22 are flowcharts for explaining an inspection method for efficiently executing an inspection. Also,
FIG. 23 is a schematic diagram illustrating this inspection system. The MLA wafer 59 to be inspected is placed on the inspection table 67 and kept stationary. The inspection device (image pickup device, light source, etc.) 68 of the present invention is
9, and the movable table 69 can travel along a rail (not shown) in parallel with the inspection table 67. The moving table 69 is driven by the driving device 70, and the moving direction and the moving distance of the inspection device 68 are precisely numerically controlled by the table drive control unit 71.
The data obtained by the inspection device 68 is processed by the determination processing section 72 to determine the position and type of the defect. Data such as the position and type of the defect detected by the determination processing unit 72 is stored in a storage device 73 composed of a writable memory. Further, the determination output section 74 comprehensively determines the detection results of the determination processing section 72 to determine which of the glass substrates with microlens arrays 51a, 51b, 51c,... Has a defect, and outputs the result. I do. In addition, on the contrary,
The MLA wafer 59 is placed on the inspection table 67, and the ML on the inspection table 67 is
The inspection may be performed by moving the A wafer 59.
【0058】以下、上記フロー図に従ってMLAウエハ
59の検査方法を説明する。まず、図24に示すMLA
ウエハ59のように、欠陥のないMLAウエハ59の検
査が行なわれる場合を説明する。透明電極付きの1枚の
MLAウエハ59は、14枚のマイクロレンズアレイ付
きガラス基板(以下、チップという)51a、51b、
51c、…を含み、各チップ51a、51b、51c、
…は、12個の検査領域75a、75b、75c、…に
分割して検査されるものとする。MLAウエハ59の検
査が開始すると、検査装置68はテーブル駆動制御部7
1により先頭のチップ51aへ送られる(S33)。つ
いで、判定処理部72が記憶装置73からそれ以前に検
査されたMLAウエハ59(以下、「前ウエハ」という
ことがある)の定点欠陥情報を読み出し(S12)、当
該位置のチップ51aに定点欠陥が記録されているか否
かを調べる(S13)。Hereinafter, a method of inspecting the MLA wafer 59 will be described with reference to the above flow chart. First, the MLA shown in FIG.
A case where the inspection of the MLA wafer 59 having no defect like the wafer 59 is performed will be described. One MLA wafer 59 with a transparent electrode is made up of 14 glass substrates with microlens arrays (hereinafter referred to as chips) 51a, 51b,
, Each chip 51a, 51b, 51c,
Are divided into twelve inspection areas 75a, 75b, 75c, and are inspected. When the inspection of the MLA wafer 59 is started, the inspection device 68
1 is sent to the first chip 51a (S33). Next, the determination processing section 72 reads out fixed-point defect information of the MLA wafer 59 (hereinafter, sometimes referred to as a “previous wafer”) inspected earlier from the storage device 73 (S12), and fixes the fixed-point defect to the chip 51a at that position. It is checked whether or not is recorded (S13).
【0059】この結果、当該位置のチップ51aに定点
欠陥が記録されていなかった場合には、検査装置68を
当該チップ51aの先頭の検査領域75aへ移動させ
(S20)、その検査領域75aで欠陥検査を実行し
(S21)、欠陥の有無を調べる(S22)。検査の結
果、この検査領域75aに欠陥がなければ、検査装置6
8を次の検査領域75bへ送り(S29、S30)、同
様にしてそこの検査領域75bで欠陥検査を実行し(S
21)、欠陥の有無を調べる(S22)。As a result, if the fixed point defect is not recorded on the chip 51a at the position, the inspection device 68 is moved to the inspection area 75a at the head of the chip 51a (S20), and the defect is detected in the inspection area 75a. An inspection is performed (S21), and the presence or absence of a defect is checked (S22). As a result of the inspection, if there is no defect in the inspection area 75a, the inspection device 6
8 is sent to the next inspection area 75b (S29, S30), and a defect inspection is similarly performed on the inspection area 75b (S29).
21), the presence or absence of a defect is checked (S22).
【0060】1つのチップ51aの検査が終了するまで
(S30、S31)、このステップS21、S22、S
29の処理を繰り返し、1つのチップ51aの欠陥検査
が終了すると、次のチップ51bへ検査装置68を移動
させる(S11)。そして、最初のチップ51aの場合
と同様にして、定点欠陥の記録の有無を調べ(S12、
S13)、その位置のチップ51bに定点欠陥の記録が
なければ、当該チップ51bの全検査領域75a、75
b、75c、…を順次検査する(S20〜S22、S2
9〜S31)。Until the inspection of one chip 51a is completed (S30, S31), steps S21, S22, S
When the process of step 29 is repeated and the defect inspection of one chip 51a is completed, the inspection device 68 is moved to the next chip 51b (S11). Then, similarly to the case of the first chip 51a, it is checked whether or not a fixed point defect is recorded (S12,
S13) If there is no fixed point defect recorded in the chip 51b at that position, all the inspection areas 75a, 75 of the chip 51b
b, 75c,... are sequentially inspected (S20 to S22, S2
9-S31).
【0061】このような1チップ毎の検査工程を1枚の
MLAウエハ59について終了するまで繰り返す(S3
1)。この結果、1枚のMLAウエハ59は、図24に
破線矢印で示すような順序で全検査領域75a、75
b、75c、…を検査されることになる。こうしてML
Aウエハ59の検査が終了すると、判定出力部74は異
常なしの信号を出力するので、検査テーブル67上のM
LAウエハ59を次のMLAウエハ59に交換し(S3
2)、同様にして次のMLAウエハ59の検査を行な
う。Such an inspection process for each chip is repeated until the process is completed for one MLA wafer 59 (S3).
1). As a result, one MLA wafer 59 is placed in all inspection areas 75a, 75a in the order shown by the dashed arrow in FIG.
, 75c,... will be inspected. Thus ML
When the inspection of the A wafer 59 is completed, the determination output unit 74 outputs a signal indicating that there is no abnormality.
Exchange the LA wafer 59 for the next MLA wafer 59 (S3
2) Similarly, the next MLA wafer 59 is inspected.
【0062】次に、図25に示すように、チップ51c
に欠陥76(まだ、定点欠陥とされていないもの)のあ
るMLAウエハ59の場合を説明する。欠陥のないチッ
プ51a、51b、51d、…の検査工程を省略し、欠
陥76の存在するチップ51cの検査工程を説明する。
検査装置68が欠陥76のあるチップ51cに移動する
と(S11)、判定処理部72が記憶装置73から「前
ウエハ」の定点欠陥情報を読み出し(S12)、当該位
置のチップ51cに定点欠陥が記録されているか否かを
調べる(S13)。Next, as shown in FIG.
The case of the MLA wafer 59 having a defect 76 (one not yet a fixed point defect) will be described. The inspection process of the chips 51a, 51b, 51d,... Having no defect is omitted, and the inspection process of the chip 51c having the defect 76 will be described.
When the inspection device 68 moves to the chip 51c having the defect 76 (S11), the determination processing unit 72 reads out the fixed point defect information of the "previous wafer" from the storage device 73 (S12), and the fixed point defect is recorded on the chip 51c at the position. It is checked whether or not it has been performed (S13).
【0063】この結果、当該位置のチップ51cに定点
欠陥が記録されていなかった場合には、検査装置68を
当該チップ51cの先頭の検査領域75aへ移動させ
(S20)、その検査領域75aで欠陥検査を実行し
(S21)、欠陥の有無を調べる(S22)。検査の結
果、この検査領域75aに欠陥が検出されなければ、検
査装置68を次の検査領域75bへ送り(S29、S3
0)、同様にしてそこの検査領域75bで欠陥検査を実
行し(S21)、欠陥の有無を調べる(S22)。As a result, when the fixed point defect is not recorded on the chip 51c at the position, the inspection device 68 is moved to the head inspection area 75a of the chip 51c (S20), and the defect is detected in the inspection area 75a. An inspection is performed (S21), and the presence or absence of a defect is checked (S22). As a result of the inspection, if no defect is detected in the inspection area 75a, the inspection device 68 is sent to the next inspection area 75b (S29, S3
0) Similarly, a defect inspection is performed on the inspection area 75b there (S21), and the presence or absence of a defect is checked (S22).
【0064】こうして各検査領域75a、75b、75
c、…で検査しているうち、ある検査領域75gで欠陥
76が検出されると(S22でYESの場合)、判定処
理部72は記憶装置73から「全ウエハ」の欠陥情報を
読み込み(S23)、検出した欠陥と「前ウエハ」の欠
陥情報とを比較する。そして、検出した欠陥76が
「前ウエハ」の欠陥と同一位置か(S24)、検出し
た欠陥76は内部欠陥か表面欠陥か(S25)、検出
した欠陥76は「前ウエハ」の欠陥と大きさ及び形状が
類似しているか(S26)を調べる。そして、〜の
条件を満たすと、その欠陥76を定点欠陥であると判断
し、記憶装置73に定点欠陥として欠陥情報を記録する
(S17)。なお、ここでは、同じ欠陥が2度検出され
ると、それを定点欠陥と認識するようにしたが、3回以
上の所定回数の検出により定点欠陥と認識するようにし
てもよい。Thus, each inspection area 75a, 75b, 75
When the defect 76 is detected in a certain inspection area 75g during the inspection by c,... (in the case of YES in S22), the determination processing unit 72 reads the defect information of “all wafers” from the storage device 73 (S23). And) comparing the detected defect with the defect information of the "previous wafer". Then, the detected defect 76 is at the same position as the defect of the “previous wafer” (S24), the detected defect 76 is an internal defect or a surface defect (S25), and the detected defect 76 is the same as the defect of the “previous wafer”. Then, it is checked whether the shapes are similar (S26). Then, when the conditions (1) to (4) are satisfied, the defect 76 is determined to be a fixed point defect, and the defect information is recorded in the storage device 73 as the fixed point defect (S17). Here, when the same defect is detected twice, it is recognized as a fixed-point defect. However, it may be recognized as a fixed-point defect by performing detection three or more times.
【0065】定点欠陥として新たに記録した後は、図2
5に破線矢印で示すように、定点欠陥の認定されたチッ
プ51cの残りの検査はスキップし、次のチップ51d
の検査領域75aに移動してチップ51dを検査する
(S17→S18→S11)。After newly recording as a fixed point defect, FIG.
As shown by the dashed arrow in FIG. 5, the remaining inspection of the chip 51c having the fixed point defect is skipped, and the next chip 51d is skipped.
Then, the chip 51d is moved to the inspection area 75a and inspected (S17 → S18 → S11).
【0066】また、定点欠陥を記録した後は、定点欠陥
の検出されているチップ数を調べ、定点欠陥のあるチッ
プ数が所定数以上に達した場合には、図27に示すよう
に、検査工程79から前工程であるレンズ複製工程77
[図17(a)(b)(c)]へ報知し、それとともに
レンズ複製工程77へ製造停止とメンテナンス要求を出
力する(S19)。なお、図27のレンズ封止工程78
とは、図17(d)及び図18(e)の工程である。報
知手段としては、ランプの点灯、ブザーの鳴動、ディス
プレイによる表示など、特に限定されるものではない。After the fixed point defect is recorded, the number of chips where the fixed point defect is detected is checked. If the number of chips having the fixed point defect reaches a predetermined number or more, the inspection is performed as shown in FIG. Step 79 to the lens replication step 77 which is the previous step
[FIG. 17 (a), (b) and (c)], and at the same time, outputs a production stop and maintenance request to the lens duplication step 77 (S19). The lens sealing step 78 shown in FIG.
Means the steps shown in FIGS. 17D and 18E. The notification means is not particularly limited, such as turning on a lamp, sounding a buzzer, and displaying on a display.
【0067】検査工程79から報知を受けると、レンズ
複製工程77は停止され、スタンパ54等が検査され
る。定点欠陥の原因が、スタンパ54等に付着した異物
によるものである場合には、スタンパ54は洗浄され
る。また、スタンパ54のパターン面に欠けや潰れ等の
欠損が生じている場合には、スタンパ54が交換され
る。When the notification is received from the inspection step 79, the lens duplication step 77 is stopped, and the stamper 54 and the like are inspected. If the fixed point defect is caused by a foreign substance attached to the stamper 54 or the like, the stamper 54 is cleaned. If the pattern surface of the stamper 54 has a defect such as chipping or crushing, the stamper 54 is replaced.
【0068】これに対し、〜のいずれかの条件を満
たさない場合には、その欠陥76は定点欠陥ではない
(つまり、「前ウエハ」の欠陥とは別な欠陥)と判断
し、記憶装置73に欠陥(定点欠陥と認められない欠
陥)として欠陥情報を記録する(S27)。欠陥を記録
した後は、次の検査領域75hへ移動し(S28)、そ
のチップ51cの検査を続ける(S21〜)。On the other hand, if any of the conditions is not satisfied, it is determined that the defect 76 is not a fixed point defect (that is, a defect different from the defect of the "previous wafer"), and the storage device 73 The defect information is recorded as a defect (a defect that is not recognized as a fixed point defect) (S27). After recording the defect, the chip moves to the next inspection area 75h (S28), and the inspection of the chip 51c is continued (S21 to S21).
【0069】次に、図26に示すように、チップ51c
に定点欠陥80があるMLAウエハ59の場合を説明す
る。欠陥のないチップ51a、51b、51d、…の検
査工程を省略し、定点欠陥80の存在するチップ51c
の検査工程を説明する。検査装置68が定点欠陥80の
あるチップ51cに移動すると(S11)、判定処理部
72が記憶装置73から「前ウエハ」の定点欠陥情報
(定点の有無)を読み出し(S12)、当該位置のチッ
プ51cに定点欠陥が記録されているか否かを調べる
(S13)。Next, as shown in FIG.
The case of the MLA wafer 59 having the fixed point defect 80 will be described. The inspection process for the chips 51a, 51b, 51d,... Having no defect is omitted, and the chip 51c having the fixed point defect 80 is omitted.
The inspection process will be described. When the inspection device 68 moves to the chip 51c having the fixed point defect 80 (S11), the determination processing section 72 reads out fixed point defect information (presence or absence of a fixed point) of the "previous wafer" from the storage device 73 (S12), It is checked whether a fixed point defect is recorded in 51c (S13).
【0070】当該位置のチップ51cに定点欠陥が記録
されている場合には、判定処理部72は記憶装置73か
ら「前ウエハ」の欠陥情報(詳細な欠陥情報)を読み込
む(S14)。ついで、欠陥情報に記録されている位置
の検査領域75gへ検査装置68を移動させ、そこで欠
陥(定点欠陥)が存在するか否かの検査を行ない(S1
5)、記録と同一位置に定点欠陥が存在するか否かを調
べる(S16)。If a fixed point defect is recorded in the chip 51c at the position, the determination processing section 72 reads defect information (detailed defect information) of the "previous wafer" from the storage device 73 (S14). Next, the inspection device 68 is moved to the inspection area 75g at the position recorded in the defect information, and an inspection is performed to determine whether or not a defect (fixed point defect) exists (S1).
5) It is checked whether a fixed point defect exists at the same position as the recording (S16).
【0071】記録されている位置に定点欠陥を検出する
ことができなかった場合には、通常通りそのチップ51
cの最初の検査領域75aから順次欠陥を検査する(S
20〜)。If a fixed point defect cannot be detected at the recorded position, the chip 51
Defects are sequentially inspected from the first inspection area 75a of c (S
20-).
【0072】これに対し、同一位置に定点欠陥80が存
在する場合には、それを記憶装置73の欠陥情報に記録
する。こうして定点欠陥を記録すると、図26に破線矢
印で示すように、そのチップ51cの欠陥検査は行なう
ことなく、次のチップ51dの検査領域75aに移動し
てチップ51dの検査を行なう(S17→S18→S1
1)。On the other hand, if the fixed point defect 80 exists at the same position, it is recorded in the defect information of the storage device 73. When the fixed point defect is recorded in this manner, as shown by the broken line arrow in FIG. 26, the chip 51c is moved to the inspection area 75a of the next chip 51d without being inspected for a defect, and the chip 51d is inspected (S17 → S18). → S1
1).
【0073】スタンパによる複製方法では、エッチング
による製法に比べ、MLAウエハやマイクロレンズアレ
イ付きガラス基板等の生産性が格段に優れている。しか
し、複製方法であるために異物等によって定点欠陥が生
じ易くなる恐れがある。In the replication method using a stamper, the productivity of an MLA wafer, a glass substrate provided with a microlens array, and the like is remarkably superior to a production method using etching. However, because of the duplication method, a fixed point defect may easily occur due to a foreign substance or the like.
【0074】本発明の検査方法にあっては、上記のよう
に同一ロットにおいて、検査対象物の同一場所で同一形
状と見なせる欠陥が重複して見つかった場合には、それ
以降の検査対象物における対応するチップでは、まずは
じめに定点欠陥個所をチェックし、同様に欠陥が存在す
ると確認されれば、そのチップの検査を終了して、次の
チップの検査に移ることができるので、無駄な検査を省
略して検査時間を短縮することができる。According to the inspection method of the present invention, as described above, if a defect that can be regarded as having the same shape at the same location of the inspection object in the same lot is duplicated, For the corresponding chip, first check the fixed-point defect location, and if it is confirmed that there is a defect, the inspection of that chip can be terminated and the inspection of the next chip can be started. It can be omitted to shorten the inspection time.
【0075】また、本発明の検査方法では、定点欠陥の
あるチップ数が、所定数に達したらレンズ複製工程へ報
知して製造の停止とメンテナンスを促し、直ちにスタン
パの洗浄や交換等を促すので、マイクロレンズアレイ付
きガラス基板の不良品発生率を下げることができる。Further, according to the inspection method of the present invention, when the number of chips having a fixed point defect reaches a predetermined number, it is notified to the lens duplication process to urge production stop and maintenance, and promptly to clean or replace the stamper. In addition, the defective rate of occurrence of the glass substrate with the microlens array can be reduced.
【0076】しかも、封止工程の直後に検査工程を実施
しているので、検査工程からレンズ複製工程へのフィー
ドバック時間を短くすることができ、定点欠陥を含んだ
マイクロレンズアレイ付きガラス基板の製造を最小の時
間で停止させることができ、マイクロレンズアレイ付き
ガラス基板の不良品発生率をさらに下げることができ
る。Further, since the inspection step is performed immediately after the sealing step, the feedback time from the inspection step to the lens duplication step can be shortened, and the production of a glass substrate with a microlens array including fixed point defects can be achieved. Can be stopped in a minimum time, and the defective product incidence rate of the glass substrate with the microlens array can be further reduced.
【0077】また、報知の基準を定点欠陥の数でなく、
定点欠陥を含むチップ数としているので、一部のチップ
に定点欠陥が集中しているような場合には、定点欠陥の
数が多くても報知されず、製品不良品率と結びついた合
理的な欠陥管理を行なうことができる。Further, the criterion of the notification is not the number of fixed point defects but
Since the number of fixed point defects is concentrated on some chips, the number of fixed point defects is not notified even if the number of fixed point defects is large. Defect management can be performed.
【図1】ガラス基板に生じる欠陥を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a defect generated in a glass substrate.
【図2】従来の検査方法を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a conventional inspection method.
【図3】従来の別な検査方法を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing another conventional inspection method.
【図4】本発明の一実施形態による検査装置を示す概略
図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an inspection device according to one embodiment of the present invention.
【図5】撮像装置の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an imaging device.
【図6】同軸落射光による検査状態を説明する図であ
る。FIG. 6 is a diagram illustrating an inspection state using coaxial incident light.
【図7】散乱光による検査状態を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an inspection state using scattered light.
【図8】同軸落射光による画像の例を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating an example of an image using coaxial incident light.
【図9】散乱光による画像の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an example of an image due to scattered light.
【図10】全ての欠陥を含む画像から表面欠陥の像を除
去して内部欠陥の像を得る処理を模式的に示す図であ
る。FIG. 10 is a diagram schematically illustrating a process of removing an image of a surface defect from an image including all defects to obtain an image of an internal defect.
【図11】欠陥の位置が一致するか否かの判断方法を説
明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a method of determining whether or not the positions of defects match;
【図12】(a)(b)は欠陥の形状が一致するか否か
の判断方法を説明する図である。FIGS. 12A and 12B are diagrams illustrating a method of determining whether or not the shapes of defects match;
【図13】モニターの表示例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a display example of a monitor.
【図14】全ての欠陥を含む画像から表面欠陥及び裏面
欠陥の像を除去して内部欠陥の像を得る処理を模式的に
示す図である。FIG. 14 is a diagram schematically illustrating a process of removing an image of a front surface defect and a back surface defect from an image including all defects to obtain an image of an internal defect.
【図15】内部欠陥と表面欠陥とを分離する処理方法を
説明するフロー図である。FIG. 15 is a flowchart illustrating a processing method for separating internal defects and surface defects.
【図16】(a)(b)(c)は同軸落射光と散乱光の
反射の様子を示す図である。FIGS. 16 (a), (b), and (c) are views showing reflection of coaxial incident light and scattered light.
【図17】(a)(b)(c)(d)はマイクロレンズ
アレイ付きガラス基板の製造方法を示す工程図である。17 (a), (b), (c) and (d) are process diagrams showing a method for manufacturing a glass substrate with a microlens array.
【図18】(e)(f)(g)は図17の続図である。18 (e), (f) and (g) are continuation diagrams of FIG.
【図19】MLAウエハからマイクロレンズアレイ付き
ガラス基板を得る様子を示す平面図である。FIG. 19 is a plan view showing how a glass substrate with a microlens array is obtained from an MLA wafer.
【図20】(a)(b)(c)(d)(e)はMLAウ
エハないしマイクロレンズアレイ付きガラス基板に定点
欠陥の生じる様子を説明する図である。FIGS. 20 (a), (b), (c), (d), and (e) are diagrams illustrating a state in which fixed point defects occur in an MLA wafer or a glass substrate with a microlens array.
【図21】MLAウエハの検査手順を示すフロー図であ
る。FIG. 21 is a flowchart showing an MLA wafer inspection procedure.
【図22】図21と同じくMLAウエハの検査手順を示
すフロー図である。FIG. 22 is a flowchart showing an MLA wafer inspection procedure as in FIG. 21;
【図23】MLAウエハの検査システムを示す概略図で
ある。FIG. 23 is a schematic diagram showing an MLA wafer inspection system.
【図24】欠陥のないMLAウエハが検査される様子を
説明する平面図である。FIG. 24 is a plan view illustrating a state in which an MLA wafer having no defect is inspected.
【図25】欠陥を有するMLAウエハが検査される様子
を説明する平面図である。FIG. 25 is a plan view illustrating a state in which a MLA wafer having a defect is inspected.
【図26】定点欠陥を有するMLAウエハが検査される
様子を説明する平面図である。FIG. 26 is a plan view illustrating a state in which an MLA wafer having a fixed point defect is inspected.
【図27】MLAウエハの検査工程から製造工程へ報知
する様子を説明する概略図である。FIG. 27 is a schematic diagram illustrating a state in which an MLA wafer is notified from an inspection process to a manufacturing process.
23 撮像装置 30 同軸落射光源 31 散乱光光源 51a、51b、… マイクロレンズアレイ付きガラス
基板(チップ) 54 スタンパ 59 MLAウエハ 64 異物 65 スタンパのパターン面の欠損 66a、66b 欠陥 68 検査装置 75a、75b、… 検査領域 76 欠陥 80 定点欠陥Reference Signs List 23 imaging device 30 coaxial incident light source 31 scattered light source 51a, 51b, ... glass substrate (chip) with micro lens array 54 stamper 59 MLA wafer 64 foreign matter 65 defect of pattern surface of stamper 66a, 66b defect 68 inspection device 75a, 75b, … Inspection area 76 defect 80 fixed point defect
Claims (7)
式で照明光を照射して複数回の観察を行ない、これらの
観察結果を比較することによって検査対象物を検査する
ことを特徴とする検査方法。1. An inspection object is inspected by irradiating the same region of the inspection object with illumination light by different illumination methods and performing a plurality of observations, and comparing these observation results. Inspection methods.
照明と散乱光照明とを含むことを特徴とする、請求項1
に記載の検査方法。2. The illumination system according to claim 1, wherein the illumination system includes at least coaxial incident illumination and scattered light illumination.
Inspection method described in 1.
画像を記憶装置に保存し、これらの画像を比較すること
によって特定種類の欠陥だけを分離することを特徴とす
る、請求項1に記載の検査方法。3. The method according to claim 1, wherein images of the inspection object observed by different illumination methods are stored in a storage device, and only those defects of a specific type are separated by comparing these images. Inspection method.
検出した箇所から所定箇所までの検査を行なわないよう
にしたことを特徴とする、請求項1、2又は3に記載の
検査方法。4. The inspection method according to claim 1, wherein, when a defect is detected in the inspection object, inspection from a position where the defect is detected to a predetermined position is not performed.
査する場合に、異なる検査対象物のほぼ同一箇所で欠陥
が検出されるとその欠陥情報を記録しておき、検査対象
物を検査する際には欠陥情報に記録されている前記欠陥
の存在する製品領域では、欠陥情報に記録されている前
記欠陥位置をはじめに検査することを特徴とする、請求
項1、2又は3に記載の検査方法。5. When inspecting an inspection object having a plurality of product areas, if a defect is detected at substantially the same portion of a different inspection object, the defect information is recorded and the inspection object is inspected. 4. The inspection according to claim 1, wherein, in the product area where the defect recorded in the defect information exists, the defect position recorded in the defect information is first inspected. Method.
査する場合に、異なる検査対象物のほぼ同一箇所で欠陥
が検出され、ほぼ同一箇所で検出された欠陥を有する製
品領域が所定数以上に達すると、報知するようにしたこ
とを特徴とする、請求項1、2又は3に記載の検査方
法。6. When inspecting an inspection object having a plurality of product areas, a defect is detected at almost the same location of different inspection objects, and the number of product areas having the defect detected at the almost same location is equal to or more than a predetermined number. The inspection method according to claim 1, wherein the notification is made when the number of times reaches the maximum.
の、異なる照明方式の複数の照明手段と、前記照明手段
により照らされた検査対象物の画像を得るための撮像装
置とを備えた検査装置。7. An inspection system comprising: a plurality of illumination means of different illumination systems for irradiating inspection light to an inspection object; and an imaging device for obtaining an image of the inspection object illuminated by the illumination means. Inspection equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31933198A JPH11326224A (en) | 1998-03-15 | 1998-11-10 | Inspection method and inspection device |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP8493498 | 1998-03-15 | ||
| JP10-84934 | 1998-03-15 | ||
| JP31933198A JPH11326224A (en) | 1998-03-15 | 1998-11-10 | Inspection method and inspection device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326224A true JPH11326224A (en) | 1999-11-26 |
Family
ID=26425903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP31933198A Pending JPH11326224A (en) | 1998-03-15 | 1998-11-10 | Inspection method and inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11326224A (en) |
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