JPH11317836A - Optical waveguide type reduction optical image sensor - Google Patents
Optical waveguide type reduction optical image sensorInfo
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- JPH11317836A JPH11317836A JP11012557A JP1255799A JPH11317836A JP H11317836 A JPH11317836 A JP H11317836A JP 11012557 A JP11012557 A JP 11012557A JP 1255799 A JP1255799 A JP 1255799A JP H11317836 A JPH11317836 A JP H11317836A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロレンズの直径を小さくすることな
く、解像度を向上させることができ、解像度を上げても
白黒コントラストが減少することのない光導波路型縮小
光学イメージセンサを提供する。
【解決手段】 画素数に相当する数に等ピッチで並べ設
けられたマイクロレンズアレイ1と、光導波路基板3に
設けられて画素数に相当する数に等ピッチで並べ設けら
れ、マイクロレンズアレイ1で集光された光を伝送する
光導波路アレイ4と、この光導波路アレイ4から入射し
た光を電気信号に変換するCCDリニアセンサ6とを備
える。そして、マイクロレンズアレイ1と光導波路アレ
イ4の対を積層構造に構成するとともに、積層方向に隣
接する層のマイクロレンズ2と光導波路5との対をアレ
イ方向に層数分の一ピッチずらし、アレイ方向に隣接す
るマイクロレンズ2と光導波路5の対が層数個隣の画素
を読み取るようにする。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide type reduced optical image sensor which can improve resolution without reducing the diameter of a microlens and which does not reduce black and white contrast even if the resolution is increased. . SOLUTION: The microlens array 1 provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels and the microlens array 1 provided at an optical waveguide substrate 3 and provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels. And a CCD linear sensor 6 for converting light incident from the optical waveguide array 4 into an electric signal. Then, the pair of the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 is formed in a laminated structure, and the pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 in the layer adjacent to each other in the laminating direction is shifted by one pitch in the array direction. The pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 adjacent in the array direction reads pixels adjacent several layers.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路を用いた
光導波路型縮小光学イメージセンサの高解像度化に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-resolution optical waveguide type reduced optical image sensor using an optical waveguide.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の光導波路型縮小光学イメージセン
サは、図15に示すように、画素数に相当する数に等ピ
ッチで並び設けられたマイクロレンズアレイ1Aと、光
導波路基板3Aに設けられて画素数に相当する数に等ピ
ッチで並べ設けられ、マイクロレンズアレイ1Aで集光
された光を伝送する光導波路アレイ4Aと、この光導波
路アレイ4Aから入射した光を電気信号に変換するCC
Dリニアセンサ6A(光電変換素子)とを備えている。
この光導波路型縮小光学イメージセンサは、マイクロレ
ンズアレイ1Aで読み取られた像が光導波路5Aを通し
て縮小され、CCDリニアセンサ6Aに導入されるよう
構成されており、従来のレンズによる縮小光学系を用い
たイメージセンサよりも装置の小型化が可能であるとい
う特徴を有している(特開平7−301730号公報参
照)。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 15, a conventional optical waveguide type reduced optical image sensor is provided on a microlens array 1A arranged at equal pitches corresponding to the number of pixels and on an optical waveguide substrate 3A. And an optical waveguide array 4A for transmitting light collected by the microlens array 1A and a CC for converting light incident from the optical waveguide array 4A into an electric signal.
And a D linear sensor 6A (photoelectric conversion element).
This optical waveguide type reduction optical image sensor is configured such that an image read by the microlens array 1A is reduced through the optical waveguide 5A and is introduced into the CCD linear sensor 6A. It is characterized in that the device can be made smaller than the conventional image sensor (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-301730).
【0003】図17は、前記光導波路型縮小光学イメー
ジセンサを使用して白黒原稿を読む場合の、原稿から光
導波路5Aまでの光信号の伝達の様子を示す説明図であ
る。従来の光導波路型縮小光学イメージセンサは、同図
に示すように、原稿−マイクロレンズアレイ1Aのマイ
クロレンズ2B間距離や、マイクロレンズ2B−光導波
路アレイ4Aの光導波路5A間距離を調整して、原稿上
の所定の画素7Aの結像8のサイズを光導波路5Aの端
面のサイズに合わせることにより、隣接画素9が対応す
る光導波路5Aに進入するのを防止することが可能であ
る。また、マイクロレンズ2Bと光導波路5Aの開口数
NAを合わせることにより、隣接するマイクロレンズ2
Bからの集光が、光導波路5Aに進入するのを防止する
こともできる。FIG. 17 is an explanatory diagram showing a state of transmission of an optical signal from a document to the optical waveguide 5A when reading a monochrome document using the optical waveguide type reduced optical image sensor. In the conventional optical waveguide type reduced optical image sensor, as shown in the figure, the distance between the original and the microlens 2B of the microlens array 1A and the distance between the microlens 2B and the optical waveguide 5A of the optical waveguide array 4A are adjusted. By adjusting the size of the image 8 of the predetermined pixel 7A on the original to the size of the end face of the optical waveguide 5A, it is possible to prevent the adjacent pixels 9 from entering the corresponding optical waveguide 5A. Further, by adjusting the numerical aperture NA of the microlens 2B and the optical waveguide 5A, the adjacent microlens 2B can be formed.
It is also possible to prevent the light collected from B from entering the optical waveguide 5A.
【0004】なお、図16は、従来の他の光導波路型縮
小光学イメージセンサで、同じ読み取り幅でマイクロレ
ンズ2Bのピッチを半分にし、解像度を2倍に向上させ
たものである。また、図15や図16は概念的な説明図
であり、マイクロレンズ2B、光導波路5A、及びCC
Dリニアセンサ6Aの数については、解像度に相当する
ものがあるものとする。FIG. 16 shows another conventional optical waveguide type reduction optical image sensor in which the pitch of the microlenses 2B is halved with the same reading width and the resolution is doubled. FIG. 15 and FIG. 16 are conceptual explanatory diagrams, each showing a microlens 2B, an optical waveguide 5A, and a CC.
As for the number of D linear sensors 6A, it is assumed that there is one corresponding to the resolution.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の光導波路型縮小
光学イメージセンサは、上記のごとく構成されているた
め、図15と図16とを対比すれば明らかなように、解
像度を向上させると画素7Aに相当するマイクロレンズ
2Bの直径が半分になり、その結果、光導波路5Aに伝
わる光信号の強度が4分の1になる。即ち、この方式で
は、解像度を向上させると、白黒コントラストが大幅に
減少してしまうという問題があった。Since the conventional optical waveguide type reduced optical image sensor is configured as described above, as apparent from a comparison between FIG. 15 and FIG. The diameter of the microlens 2B corresponding to 7A is halved, and as a result, the intensity of the optical signal transmitted to the optical waveguide 5A is reduced to 4. That is, this method has a problem that when the resolution is improved, the black and white contrast is greatly reduced.
【0006】そこで、本発明は上記課題を解決するため
になされたものであり、マイクロレンズの直径を小さく
することなく、解像度を向上させることができ、例え解
像度を上げても白黒コントラストが減少することのない
光導波路型縮小光学イメージセンサを提供することを目
的としている。Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and it is possible to improve the resolution without reducing the diameter of the microlens. Even if the resolution is increased, the black and white contrast is reduced. It is an object of the present invention to provide an optical waveguide type reduced optical image sensor without any problem.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、画素数に相当する数に等ピ
ッチで並べ設けられたマイクロレンズアレイと、光導波
路基板に設けられて該画素数に相当する数に等ピッチで
並べ設けられ、前記マイクロレンズアレイで集光された
光を伝送する光導波路アレイと、この光導波路アレイか
ら入射した光を電気信号に変換する光電変換素子とを含
み、前記マイクロレンズアレイと前記光導波路アレイの
対を積層構造に構成するとともに、積層方向に隣接する
層のマイクロレンズと光導波路との対をアレイ方向に層
数分の一ピッチずらし、アレイ方向に隣接する該マイク
ロレンズと該光導波路の対が層数個隣の画素を読み取る
ようにしたことを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, a microlens array arranged at equal pitches to a number corresponding to the number of pixels and an optical waveguide substrate are provided. And an optical waveguide array for transmitting the light condensed by the microlens array and a photoelectric conversion for converting the light incident from the optical waveguide array into an electric signal. A pair of the microlens array and the optical waveguide array is formed in a laminated structure, and the pair of the microlens and the optical waveguide of the layer adjacent in the laminating direction is shifted by one pitch in the array direction. The pair of the microlens and the optical waveguide adjacent to each other in the array direction reads pixels adjacent to each other by several layers.
【0008】このような構成により、一画素に対応する
マイクロレンズと光導波路の対のアレイを層構造にして
積層方向に隣接するマイクロレンズと光導波路をアレイ
方向に層数分の一ピッチずらし、アレイ方向に隣接する
マイクロレンズが層数ピッチ離れた読み取り原稿等の画
素を読み取ることが可能となる。よって、マイクロレン
ズの直径を小さくすることなく、解像度を向上させるこ
とができる。With such a configuration, an array of a pair of microlenses and optical waveguides corresponding to one pixel is formed in a layered structure, and adjacent microlenses and optical waveguides are shifted in the array direction by one pitch in the array direction. Microlenses adjacent in the array direction can read pixels of a read document or the like separated by several pitches of layers. Therefore, the resolution can be improved without reducing the diameter of the microlens.
【0009】さらに、前記各光導波路に一つずつ対応し
た前記マイクロレンズを、対応する光導波路に対して光
軸をずらして各層の各光導波路が全て一つのライン上の
画素を読むように配置することができる。このように構
成することにより、マイクロレンズと光導波路の光軸を
調整して全ての層が一つのライン上の画素を読むように
すれば、信号処理等が容易になる。Further, the microlenses corresponding to the respective optical waveguides are arranged such that the optical axes of the microlenses are shifted from the corresponding optical waveguides so that all the optical waveguides of each layer read pixels on one line. can do. With this configuration, if the optical axes of the microlens and the optical waveguide are adjusted so that all the layers read pixels on one line, signal processing and the like become easy.
【0010】また、請求項3記載の発明は、画素数に相
当する数に等ピッチで並べ設けられたマイクロレンズア
レイと、光導波路基板に設けられて該画素数に相当する
数に等ピッチで並べ設けられ、前記マイクロレンズアレ
イで集光された光を伝送する光導波路アレイと、この光
導波路アレイから入射した光を電気信号に変換する光電
変換素子とを含み、前記マイクロレンズアレイと前記光
導波路アレイの対を積層構造に構成し、積層方向に隣接
する層の光導波路同士をアレイ方向とほぼ直交する方向
に配列し、該光導波路とマイクロレンズの光軸をずらす
ことにより、アレイ方向に隣接した該マイクロレンズと
該光導波路の対が層数個隣の画素を読み取り、かつ各層
の各光導波路が全て一つのライン上の画素を読むように
該マイクロレンズを配置したことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a microlens array arranged at a constant pitch corresponding to the number of pixels, and a microlens array provided at an optical waveguide substrate at a constant pitch corresponding to the number of pixels. An optical waveguide array for transmitting light collected by the microlens array, and a photoelectric conversion element for converting light incident from the optical waveguide array into an electric signal; A pair of waveguide arrays is configured in a laminated structure, and optical waveguides of layers adjacent to each other in the laminating direction are arranged in a direction substantially orthogonal to the array direction, and the optical axes of the optical waveguides and the microlenses are shifted to each other in the array direction. The microlens so that the adjacent pair of the microlens and the optical waveguide reads pixels adjacent to several layers, and each optical waveguide of each layer reads pixels on one line. Characterized in that the placed.
【0011】このような構成により、アレイ方向とほぼ
直交する方向に光導波路を並べた場合、マイクロレンズ
の光軸をずらすこととなり、前記と同様の作用効果が期
待できる。With such a configuration, when the optical waveguides are arranged in a direction substantially orthogonal to the array direction, the optical axis of the microlens is shifted, and the same operation and effect as described above can be expected.
【0012】また、請求項4記載の発明は、画素数に相
当する数に等ピッチで並べ設けられたマイクロレンズア
レイと、光導波路基板に設けられて該画素数に相当する
数に等ピッチで並べ設けられ、前記マイクロレンズアレ
イで集光された光を伝送する光導波路アレイと、この光
導波路アレイから入射した光を電気信号に変換する光電
変換素子とを含み、前記マイクロレンズアレイと前記光
導波路アレイの対を積層構造に構成し、積層方向に隣接
する層のマイクロレンズ同士をアレイ方向とほぼ直交す
る方向に配列し、該光導波路とマイクロレンズの光軸を
ずらすことにより、アレイ方向に隣接した該マイクロレ
ンズと該光導波路の対が層数個隣の画素を読み取り、か
つ各層の各光導波路が全て一つのライン上の画素を読む
ように該光導波路を配置したことを特徴とする。Further, the invention according to claim 4 is characterized in that the microlens array arranged at equal pitches to the number corresponding to the number of pixels and the microlens array provided to the optical waveguide substrate at equal pitches to the number corresponding to the number of pixels. An optical waveguide array for transmitting light collected by the microlens array, and a photoelectric conversion element for converting light incident from the optical waveguide array into an electric signal; A pair of waveguide arrays is configured in a laminated structure, microlenses of layers adjacent in the laminating direction are arranged in a direction substantially orthogonal to the array direction, and the optical axes of the optical waveguide and the microlenses are shifted to each other in the array direction. The optical waveguide such that adjacent pairs of the microlens and the optical waveguide read pixels adjacent to each other by several layers, and each optical waveguide of each layer reads pixels on one line. Characterized in that the placed.
【0013】このような構成により、アレイ方向とほぼ
直交する方向にマイクロレンズを並べた場合、光導波路
の光軸をずらすこととなり、前記と同様の作用効果が期
待できる。With such a configuration, when the microlenses are arranged in a direction substantially perpendicular to the array direction, the optical axis of the optical waveguide is shifted, and the same operation and effect as described above can be expected.
【0014】さらに、請求項5記載の発明によれば、ア
レイ方向に隣接するマイクロレンズと光導波路の対が層
数ピッチ離れた画素を読み取り、かつ全ての層が一つの
ライン上の画素を読むよう構成した請求項2から4のい
ずれかの場合、マイクロレンズの直径を変えずに曲率半
径中心を固定したまま、光導波路の開口数に対応する発
散角の範囲にマイクロレンズアレイを備えれば、マイク
ロレンズと光導波路の開口数のずれによる結合損失を低
減することが可能となる。According to the fifth aspect of the present invention, a pair of a microlens and an optical waveguide adjacent to each other in the array direction reads pixels separated by several pitches, and all layers read pixels on one line. In any of claims 2 to 4, the microlens array is provided within a range of the divergence angle corresponding to the numerical aperture of the optical waveguide while the center of the radius of curvature is fixed without changing the diameter of the microlens. In addition, it is possible to reduce the coupling loss due to a shift in the numerical aperture between the microlens and the optical waveguide.
【0015】なお、前記マイクロレンズの直径を変えず
に曲率半径中心を固定したまま、前記光導波路の開口数
に対応する発散角の範囲に配置した前記マイクロレンズ
アレイを備えることができる。It is possible to provide the microlens array arranged in a range of a divergence angle corresponding to a numerical aperture of the optical waveguide while keeping a center of a radius of curvature fixed without changing a diameter of the microlens.
【0016】ここで、上記の「マイクロレンズアレイと
光導波路アレイ」の積層方向は、上下前後左右方向のい
ずれでも良い。また、積層数は2層以上であれば良い。
したがって、3層にして解像度を3倍にしても良いし、
4層以上でも良い。この場合は、光導波路アレイを一層
毎に作製して積み重ねる等すれば、積層構造に構成する
ことができる。なお、この場合の光導波路アレイの作製
方法としては、特に限定しないが、例えば銅薄膜が一面
に形成された光導波路基板上に下層クラッド、コア、及
びレジストをスピンコート方法を用いて塗布し、フォト
リソグラフィーと酸素ガスとを用いた反応性イオンエッ
チングによりコアリッジの加工を行い、レジストを剥離
するとともに、上層クラッドをスピンコート方法を用い
て塗布し、その後、塩酸でフィルム上の薄型光導波路を
剥離すれば良い。Here, the laminating direction of the above-mentioned "microlens array and optical waveguide array" may be any of up, down, front, rear, right and left directions. The number of layers may be two or more.
Therefore, the resolution may be tripled with three layers,
Four or more layers may be used. In this case, the optical waveguide array can be formed in a layered structure by producing and stacking the optical waveguide arrays layer by layer. The method of manufacturing the optical waveguide array in this case is not particularly limited.For example, a lower clad, a core, and a resist are applied on an optical waveguide substrate having a copper thin film formed on one surface by using a spin coating method. The core ridge is processed by photolithography and reactive ion etching using oxygen gas, the resist is peeled off, the upper clad is applied using a spin coating method, and then the thin optical waveguide on the film is peeled off with hydrochloric acid. Just do it.
【0017】また、光電変換素子は、特に限定しない
が、例えばCCDリニアセンサ、CMOSセンサ、又は
バイポーラ等を適宜使用することができる。さらに、ほ
ぼ直交には、厳密な意味の直交と、おおよそ直交と認め
られる程度の直交のいずれもが含まれる。本発明に係る
光導波路型縮小光学イメージセンサは、スキャナ等とし
て使用される。Although the photoelectric conversion element is not particularly limited, for example, a CCD linear sensor, a CMOS sensor, a bipolar, or the like can be appropriately used. Further, the term “substantially orthogonal” includes both the strict sense of orthogonal and the degree of orthogonality that is regarded as approximately orthogonal. The optical waveguide type reduced optical image sensor according to the present invention is used as a scanner or the like.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明するが、本発明は、以下の実施形態になん
ら限定されるものではない。また、以下の図はあくまで
概念的なものであり、例えば、図1に示すマイクロレン
ズ2、光導波路5、及び光電変換素子であるCCDリニ
アセンサ6の数については、解像度に相当するものがあ
るものとする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, the following figures are conceptual only. For example, the numbers of the microlenses 2, the optical waveguides 5, and the CCD linear sensors 6 as photoelectric conversion elements shown in FIG. Shall be.
【0019】本実施形態における光導波路型縮小光学イ
メージセンサは、図1に示すように、マイクロレンズア
レイ1のマイクロレンズ2で集光した光信号を光導波路
基板3における光導波路アレイ4の光導波路5によりC
CDリニアセンサ6に伝送するよう構成されている。As shown in FIG. 1, the optical waveguide type reduced optical image sensor according to the present embodiment converts an optical signal collected by the microlens 2 of the microlens array 1 into an optical waveguide of the optical waveguide array 4 on the optical waveguide substrate 3. C by 5
It is configured to transmit to the CD linear sensor 6.
【0020】マイクロレンズアレイ1は、金型に機械的
強度、耐光性、及び透明性等に優れるポリメチルメタク
リレート(=ポリメタクリル酸メチル、以下、PMMA
と略称する)を材料として充填し、射出成形されること
により構成される。金型としては、アルミ基板に半径1
25μmのルビー球でスタンピングされたものが使用さ
れる。マイクロレンズアレイ1は、整列した複数のマイ
クロレンズ2を備え、この複数のマイクロレンズ2が1
25μmピッチで複数の光導波路5にそれぞれ対応して
いる。The microlens array 1 is made of polymethyl methacrylate (= polymethyl methacrylate, hereinafter referred to as PMMA) having excellent mechanical strength, light resistance, and transparency.
(Abbreviated as “abbreviated”) as a material, and injection molded. As a mold, a radius of 1
A stamped 25 μm ruby ball is used. The microlens array 1 includes a plurality of aligned microlenses 2, and the plurality of microlenses 2
Each of the plurality of optical waveguides 5 has a pitch of 25 μm.
【0021】各マイクロレンズ2は、直径125μmの
球面レンズからなり、その曲率半径が130μm(±5
μm)に成形されている。各マイクロレンズ2から光導
波路5までの距離は約400μmに設定される。これ
は、原稿−マイクロレンズ2間距離が3.5mmに設定
されるからである。Each micro lens 2 is a spherical lens having a diameter of 125 μm, and has a radius of curvature of 130 μm (± 5 μm).
μm). The distance from each micro lens 2 to the optical waveguide 5 is set to about 400 μm. This is because the distance between the document and the microlens 2 is set to 3.5 mm.
【0022】光導波路アレイ4は,積層構造を構成して
いる。以下に記載する実施の形態においては、光導波路
アレイ4は、光導波路基板の上下面に平行に2層の積層
構造を構成している場合を、例として説明しているが、
光導波路アレイの積層方向は、上下前後左右方向のいず
れでも良く、また、積層数は2層以上であれば何層であ
っても良い。The optical waveguide array 4 has a laminated structure. In the embodiment described below, a case is described as an example where the optical waveguide array 4 has a two-layer laminated structure parallel to the upper and lower surfaces of the optical waveguide substrate.
The lamination direction of the optical waveguide array may be any of up, down, front, rear, right and left directions, and the number of laminations may be any number as long as it is two or more.
【0023】光導波路アレイ4間の距離は、500μm
に設定されている。光導波路基板3は、長さ220m
m、幅20mm、厚さ1mmの透明構造に構成されてい
る。また、光導波路5は、PMMAを材料として縦8μ
m、横8μmの寸法に構成されている。この光導波路5
は、マイクロレンズ2側の一端部側が125μmピッチ
に、CCDリニアセンサ6側の他端部側が14μmピッ
チにそれぞれ配列構成されている。光導波路5は、射出
成形基板に前記寸法のクラッド下横部となる溝を設け、
コアとなる紫外線硬化樹脂を充填した後、紫外線を照射
して上部クラッドで被覆することにより構成される。The distance between the optical waveguide arrays 4 is 500 μm
Is set to The optical waveguide substrate 3 has a length of 220 m.
m, a width of 20 mm, and a thickness of 1 mm. The optical waveguide 5 is made of PMMA and has a length of 8 μm.
m, 8 μm in width. This optical waveguide 5
Are arranged at a pitch of 125 μm at one end of the microlens 2 and at a pitch of 14 μm at the other end of the CCD linear sensor 6. The optical waveguide 5 is provided with a groove to be a horizontal portion below the clad of the above-described size in the injection molded substrate,
After filling the core with an ultraviolet curable resin, the core is coated with an upper clad by irradiating ultraviolet rays.
【0024】さらに、CCDリニアセンサ6は、光導波
路基板3の他端部中央に設けられている。このCCDリ
ニアセンサ6は、14μmピッチの受光部を備え、この
受光部が光導波路5に対応した数だけ並べ設けられると
ともに、層数だけのラインを備えている。Further, the CCD linear sensor 6 is provided at the center of the other end of the optical waveguide substrate 3. The CCD linear sensor 6 includes a light receiving portion having a pitch of 14 μm. The light receiving portions are arranged in a number corresponding to the number of the optical waveguides 5 and provided with lines in the number of layers.
【0025】<第1の実施形態>図2から図4を用い
て、第1の実施の形態を説明する。図2に示されるよう
に、マイクロレンズアレイ1は、整列した複数のマイク
ロレンズ2を備え、この複数のマイクロレンズ2が12
5μmピッチで複数の光導波路5にそれぞれ対応し、か
つ光導波路5と光軸が等しくなるよう成形され、かつ、
光導波路基板3の上下面に平行に2層からなる積層構造
を構成している。さらに、マイクロレンズアレイ1と光
導波路アレイ4の対を構成するマイクロレンズ2と光導
波路5の対は、上下方向に積層された2層の間で、アレ
イ方向に1/2ピッチだけずれて形成されている。<First Embodiment> A first embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the microlens array 1 includes a plurality of aligned microlenses 2, and the plurality of microlenses 2 includes 12 microlenses.
Molded so as to correspond to each of the plurality of optical waveguides 5 at a pitch of 5 μm and have the same optical axis as the optical waveguides 5, and
A laminated structure composed of two layers is formed in parallel with the upper and lower surfaces of the optical waveguide substrate 3. Further, the pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 constituting the pair of the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 is formed so as to be shifted by ピ ッ チ pitch in the array direction between two vertically stacked layers. Have been.
【0026】図3は、光導波路アレイ4を構成する光導
波路5が、上下方向に積層された2層の間で、アレイ方
向に1/2ピッチだけずれて形成されている状態を示す
光導波路基板3の正面図である。FIG. 3 shows a state in which the optical waveguides 5 constituting the optical waveguide array 4 are formed so as to be shifted by a half pitch in the array direction between two vertically stacked layers. FIG. 3 is a front view of a substrate 3.
【0027】図4は、2層に積層したマイクロレンズア
レイ1ならびに光導波路アレイ4の、積層方向に最近接
した2対のマイクロレンズ2と光導波路5を取り出して
示したものである。上述したように、2対のマイクロレ
ンズ2と光導波路は、実際には、アレイ方向に1/2ピ
ッチだけずれて形成されている(図2参照)。このよう
な構成では、アレイ方向に隣接するマイクロレンズ2と
光導波路5の対が層数個隣の画素を読み取ることにな
り、このように読み取られた上下2層の画素を1層に重
ね合わせると、上側の光導波路アレイ4で読み取られた
画素7の隙間を、下側の光導波路アレイ4で読み取られ
た画素7が、丁度埋める構成となる。FIG. 4 shows two microlenses 2 and the optical waveguide 5 which are closest to each other in the laminating direction of the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 stacked in two layers. As described above, the two pairs of microlenses 2 and the optical waveguide are actually formed so as to be shifted by a half pitch in the array direction (see FIG. 2). In such a configuration, a pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 adjacent in the array direction reads several adjacent pixels, and the upper and lower pixels thus read are superimposed on one layer. Thus, the gap between the pixels 7 read by the upper optical waveguide array 4 is filled with the pixels 7 read by the lower optical waveguide array 4.
【0028】このような構成において、読み取った画像
信号を外部メモリ等に蓄積し、出力のタイミングを調整
してから出力画素を構成する。この結果、マイクロレン
ズ2の直径を小さくする必要がなく、光信号の強度を減
少させずに解像度を2倍に向上させることが可能とな
る。In such a configuration, read image signals are stored in an external memory or the like, and output timing is adjusted before forming output pixels. As a result, it is not necessary to reduce the diameter of the microlens 2, and it is possible to double the resolution without reducing the intensity of the optical signal.
【0029】本実施形態においては、マイクロレンズア
レイ1ならびに光導波路アレイ4は、2層の積層構造と
したが、積層数は2層以上であれば何層であっても構わ
ないことは、上述した通りである。この場合、積層方向
に隣接する層のマイクロレンズ2と光導波路5の対を、
アレイ方向に層数分の1ピッチだけずらすことにより、
アレイ方向に隣接するマイクロレンズ2と光導波路5の
対が層数個隣の画素を読み取るようになる。これによ
り、2層積層の場合と同様に、白黒コントラストを減少
させることなく、解像度を層数倍だけ向上できる。In the present embodiment, the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 have a two-layer structure, but the number of layers may be any number as long as the number is two or more. As you did. In this case, the pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 of the layer adjacent in the stacking direction is
By shifting in the array direction by a pitch equal to the number of layers,
A pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 adjacent in the array direction reads pixels adjacent to each other by several layers. Thus, as in the case of the two-layer stack, the resolution can be improved by the number of layers without reducing the black and white contrast.
【0030】<第2の実施形態>次に、図5乃至図7を
用いて、本発明の第2の実施形態を説明する。本実施形
態における光導波路型縮小光学イメージセンサは、図5
及び図6に示すように、基本的には前記実施形態1と同
様に構成されるが、マイクロレンズ2と光導波路5の光
軸を積層方向にずらすことにより、上下の層が同一ライ
ン上の画素7を交互に読むよう調整されている。図6
で、マイクロレンズ2と光導波路5の光軸が一致してい
る状態がマイクロレンズ2で表され、上下の層が同一ラ
イン上の画素7を読むように、マイクロレンズ2と光導
波路5の光軸をずらした状態がマイクロレンズ2Aで表
されている。<Second Embodiment> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The optical waveguide type reduction optical image sensor according to the present embodiment has a structure shown in FIG.
As shown in FIG. 6, the structure is basically the same as that of the first embodiment, but the upper and lower layers are on the same line by shifting the optical axis of the microlens 2 and the optical waveguide 5 in the stacking direction. It is adjusted so that the pixels 7 are read alternately. FIG.
The state where the optical axes of the microlens 2 and the optical waveguide 5 coincide with each other is represented by the microlens 2, and the light between the microlens 2 and the optical waveguide 5 is read so that the upper and lower layers read the pixels 7 on the same line. The state where the axis is shifted is represented by the microlens 2A.
【0031】この場合、マイクロレンズ2と光導波路5
の光軸をずらし、マイクロレンズ2Aのように配置する
ことで、開口数NAのずれに伴う結合損失の増加が懸念
される。本実施形態に係るマイクロレンズ2と光導波路
5の結合損失の横ずれ依存性を測定した結果を図7に示
す。この図7より、結合損失が0.5dB増加するトレ
ランスは約20μmあることがわかる。光導波路アレイ
4間の距離は500μmであるから、中心からは250
μmのずれである。原稿位置で250μmのずれは結像
面で20μm以内のずれであるから、マイクロレンズ2
の径を半分にすることにより、入射光強度が約6dB損
失することを考慮すれば、無視できる損失である。In this case, the micro lens 2 and the optical waveguide 5
By displacing the optical axes of the microlenses 2A and disposing them like the microlenses 2A, there is a concern about an increase in coupling loss due to a shift in the numerical aperture NA. FIG. 7 shows the result of measuring the lateral shift dependency of the coupling loss between the microlens 2 and the optical waveguide 5 according to the present embodiment. From FIG. 7, it can be seen that the tolerance at which the coupling loss increases by 0.5 dB is about 20 μm. Since the distance between the optical waveguide arrays 4 is 500 μm, the distance from the center is 250 μm.
μm. Since the displacement of 250 μm at the document position is within 20 μm on the image forming surface, the micro lens 2
Is considered negligible, considering that the incident light intensity is reduced by about 6 dB by halving the diameter of.
【0032】本実施形態においても前記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、原稿の読み取りがどの
アレイも同一ラインなので、読み取った画像信号を外部
メモリ等に蓄積して出力のタイミングを調整する必要が
なく、読み取り速度の大幅な向上が可能となる。In this embodiment, the same operation and effect as those of the above embodiment can be expected. In addition, since the reading of the original is the same for all the arrays, the read image signals are stored in an external memory or the like to adjust the output timing. There is no need to perform this, and the reading speed can be greatly improved.
【0033】<第3の実施形態>図8乃至図10を用い
て、本発明の第3の実施形態を説明する。本実施形態に
おいては、図9に示すように、上下に積層した2つの光
導波路アレイ4の2つの光導波路5同士が、アレイ方向
とほぼ直交する方向に配列されている。一方、図10に
示すように、マイクロレンズ2が光導波路5と光軸をず
らして配列されるように、2つのマイクロレンズアレイ
1が上下に積層されている。図8は、このような構造を
光導波路基板3の上面から見た図である。図8より明ら
かなように、アレイ方向に隣接するマイクロレンズ2と
光導波路5の対が2個隣の画素を読み取り、かつ2層の
光導波路アレイ4が一つのライン上の画素7を読むよう
にすることが可能である。Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, as shown in FIG. 9, two optical waveguides 5 of two optical waveguide arrays 4 stacked vertically are arranged in a direction substantially orthogonal to the array direction. On the other hand, as shown in FIG. 10, two microlens arrays 1 are vertically stacked so that the microlenses 2 are arranged with the optical axis shifted from the optical waveguide 5. FIG. 8 is a view of such a structure as viewed from above the optical waveguide substrate 3. As apparent from FIG. 8, the pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 adjacent in the array direction reads two adjacent pixels, and the two-layer optical waveguide array 4 reads the pixel 7 on one line. It is possible to
【0034】本実施の形態においては、マイクロレンズ
アレイ1ならびに光導波路アレイ4は、2層の積層構造
としたが、第1の実施の形態と同様に、一般には2層に
限らず、アレイ方向に隣接するマイクロレンズ2と光導
波路5の対が層数個隣の画素を読み取るようにすること
により、白黒コントラストを減少させることなく、解像
度を層数倍だけ向上させることができる。In the present embodiment, the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 have a two-layer laminated structure. However, similarly to the first embodiment, the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 are not limited to two layers, but may be arranged in the array direction. The resolution can be improved by the number of layers without reducing the black-and-white contrast by making the pair of the microlens 2 and the optical waveguide 5 adjacent to each other read pixels adjacent to each other by several layers.
【0035】<第4の実施形態>本実施形態において
は、マイクロレンズアレイ1と光導波路アレイ4との配
列が、第3の実施形態と逆になっている。即ち、上下に
積層したマイクロレンズアレイ1の2つのマイクロレン
ズ2同士が、図12に示すように、アレイ方向とほぼ直
交する方向に配列されており、一方、上下に積層した光
導波路アレイ4の光導波路5が、図10に示すように、
マイクロレンズアレイ1のマイクロレンズ2と光軸をず
らして配列されている。<Fourth Embodiment> In this embodiment, the arrangement of the microlens array 1 and the optical waveguide array 4 is opposite to that of the third embodiment. That is, the two microlenses 2 of the microlens array 1 vertically stacked are arranged in a direction substantially orthogonal to the array direction, as shown in FIG. The optical waveguide 5 is, as shown in FIG.
The microlens array 1 is arranged with the optical axis shifted from the microlens 2.
【0036】このような配列においては、第3の実施の
形態と同様に、アレイ方向に隣接するマイクロレンズ2
と光導波路5の対が層数個隣の画素を読み取るようにす
ることにより、白黒コントラストを減少させることな
く、解像度を層数倍だけ向上させることができる。In such an arrangement, as in the third embodiment, the microlenses 2 adjacent in the array direction are arranged.
And the optical waveguide 5 read pixels adjacent to each other by several layers, so that the resolution can be improved by the number of layers without reducing the black-and-white contrast.
【0037】<第5の実施の形態>次に、図13及び図
14を用いて、本発明の第5実施の形態を説明する。第
2の実施形態における光導波路型縮小光学イメージセン
サは、僅か0.5dB程度ではあるが、結合損失が増加
する。そこで、本実施形態においては、図13や図14
に示すように、図6のマイクロレンズ2Aと曲率半径中
心が同一で、レンズの開口部分を光導波路5の開口数N
Aに対応する発散角の範囲に設置したマイクロレンズア
レイ1を使用するようにしている。<Fifth Embodiment> Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the optical waveguide type reduced optical image sensor according to the second embodiment, the coupling loss is increased, although it is only about 0.5 dB. Therefore, in the present embodiment, FIG.
As shown in FIG. 6, the center of the radius of curvature is the same as that of the microlens 2A of FIG.
The microlens array 1 installed in the range of the divergence angle corresponding to A is used.
【0038】マイクロレンズアレイ1のマイクロレンズ
2Aは、ルビー球をスタンピングする際にアルミ基板を
傾斜させれば、きわめて容易に作製することができる。
その他の部分については、前記実施形態と同様であるの
で、説明を省略する。The microlenses 2A of the microlens array 1 can be manufactured very easily by tilting the aluminum substrate when stamping a ruby ball.
The other parts are the same as those of the above-described embodiment, and the description will not be repeated.
【0039】本実施形態においても前記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、マイクロレンズ2Aと
光導波路5の開口数NAのずれによるクロストークの増
加や結合効率の増加を防止することが可能になる。In this embodiment, the same operation and effect as those of the above embodiment can be expected. Further, it is possible to prevent an increase in crosstalk and an increase in coupling efficiency due to a shift in the numerical aperture NA between the microlens 2A and the optical waveguide 5. Will be possible.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、マイクロ
レンズの直径を小さくすることなく、解像度を向上させ
ることができる。また、解像度を上げても、白黒コント
ラストが減少することがない光導波路型縮小光学イメー
ジセンサを提供することが可能となる。As described above, according to the present invention, the resolution can be improved without reducing the diameter of the microlens. Further, it is possible to provide an optical waveguide type reduced optical image sensor in which the black and white contrast is not reduced even when the resolution is increased.
【図1】光導波路型縮小光学イメージセンサの実施形態
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an optical waveguide type reduction optical image sensor.
【図2】光導波路型縮小光学イメージセンサの第1の実
施形態を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing a first embodiment of an optical waveguide type reduction optical image sensor.
【図3】光導波路型縮小光学イメージセンサの第1の実
施形態における光導波路アレイを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an optical waveguide array in the first embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図4】光導波路型縮小光学イメージセンサの第1の実
施形態における読み取り方法説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a reading method in the first embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図5】光導波路型縮小光学イメージセンサの第2の実
施形態における読み取り方法説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a reading method in a second embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図6】光導波路型縮小光学イメージセンサの第2の実
施形態におけるマイクロレンズで光導波路に集光する様
子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state where light is condensed on an optical waveguide by a microlens according to a second embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図7】光導波路型縮小光学イメージセンサの第2の実
施形態におけるマイクロレンズと光導波路の軸ずれによ
る結合損失の変化を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing a change in coupling loss due to an axis shift between a microlens and an optical waveguide in a second embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図8】光導波路型縮小光学イメージセンサの第3の実
施形態における読み取り方法説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a reading method in a third embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図9】光導波路型縮小光学イメージセンサの第3の実
施形態における光導波路アレイを示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an optical waveguide array in a third embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図10】光導波路型縮小光学イメージセンサの第3の
実施形態におけるマイクロレンズアレイを示す説明図で
ある。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a microlens array in a third embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図11】光導波路型縮小光学イメージセンサの第4の
実施形態における光導波路アレイを示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing an optical waveguide array according to a fourth embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図12】光導波路型縮小光学イメージセンサの第4の
実施形態におけるマイクロレンズアレイを示す説明図で
ある。FIG. 12 is an explanatory diagram showing a microlens array according to a fourth embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図13】光導波路型縮小光学イメージセンサの第5の
実施形態における読み取り方法説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a reading method in a fifth embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図14】光導波路型縮小光学イメージセンサの第5の
実施形態におけるマイクロレンズで光導波路に集光する
様子を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state where light is condensed on an optical waveguide by a microlens in a fifth embodiment of the optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図15】従来の低解像度の光導波路型縮小光学イメー
ジセンサを示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a conventional low-resolution optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図16】従来の低解像度の光導波路型縮小光学イメー
ジセンサを示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing a conventional low-resolution optical waveguide type reduced optical image sensor.
【図17】従来の低解像度の光導波路型縮小光学イメー
ジセンサの読み取り方法説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of a reading method of a conventional low-resolution optical waveguide type reduced optical image sensor.
1 マイクロレンズアレイ 2、2A マイクロレンズ 3 光導波路基板 4 光導波路アレイ 5 光導波路 6 CCDリニアセンサ(光電変換素子) 7 画素 8 結像 9 隣接画素 Reference Signs List 1 microlens array 2, 2A microlens 3 optical waveguide substrate 4 optical waveguide array 5 optical waveguide 6 CCD linear sensor (photoelectric conversion element) 7 pixel 8 imaging 9 adjacent pixel
Claims (5)
けられたマイクロレンズアレイと、光導波路基板に設け
られて前記画素数に相当する数に等ピッチで並べ設けら
れ、前記マイクロレンズアレイで集光された光を伝送す
る光導波路アレイと、この光導波路アレイから入射した
光を電気信号に変換する光電変換素子とを具備し、 前記マイクロレンズアレイと前記光導波路アレイの対を
積層構造に構成するとともに、積層方向に隣接する層の
マイクロレンズと光導波路との対をアレイ方向に層数分
ピッチ分ずらし、アレイ方向に隣接する該マイクロレン
ズと該光導波路との対が層数個隣の画素を読み取るよう
にしたことを特徴とする光導波路型縮小光学イメージセ
ンサ。1. A microlens array provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels, and a microlens array provided at an optical waveguide substrate and provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels. An optical waveguide array for transmitting the light condensed by the optical waveguide array, and a photoelectric conversion element for converting light incident from the optical waveguide array into an electric signal, wherein a pair of the microlens array and the optical waveguide array is laminated. And the pairs of the microlenses and the optical waveguides of the layers adjacent in the laminating direction are shifted by the pitch of the number of layers in the array direction, and the pairs of the microlenses and the optical waveguides adjacent in the array direction are several layers. An optical waveguide-type reduced optical image sensor, wherein adjacent pixels are read.
クロレンズアレイを、対応する光導波路に対して光軸を
ずらして各層の各光導波路が全て一つのライン上の画素
を読むように配置したことを特徴とする請求項1記載の
光導波路型縮小光学イメージセンサ。2. The microlens array corresponding to each of the optical waveguides is arranged such that the optical axis is shifted with respect to the corresponding optical waveguide so that each optical waveguide of each layer reads pixels on one line. 2. The optical waveguide type reduced optical image sensor according to claim 1, wherein:
けられたマイクロレンズアレイと、光導波路基板に設け
られて該画素数に相当する数に等ピッチで並べ設けら
れ、前記マイクロレンズアレイで集光された光を伝送す
る光導波路アレイと、この光導波路アレイから入射した
光を電気信号に変換する光電変換素子とを具備し、 前記マイクロレンズアレイと前記光導波路アレイの対を
積層構造に構成し、積層方向に隣接する層の光導波路同
士をアレイ方向とほぼ直交する方向に配列し、該光導波
路とマイクロレンズの光軸をずらすことにより、アレイ
方向に隣接した該マイクロレンズと該光導波路の対が層
数個隣の画素を読み取り、かつ各層の各光導波路が全て
一つのライン上の画素を読むように該マイクロレンズを
配置したことを特徴とする光導波路型縮小光学イメージ
センサ。3. The microlens array provided on the optical waveguide substrate at a constant pitch corresponding to the number of pixels, and the microlens array provided on the optical waveguide substrate at a constant pitch corresponding to the number of pixels. An optical waveguide array for transmitting the light condensed by the optical waveguide array, and a photoelectric conversion element for converting light incident from the optical waveguide array into an electric signal, wherein a pair of the microlens array and the optical waveguide array is laminated. The optical waveguides of the layers adjacent to each other in the stacking direction are arranged in a direction substantially perpendicular to the array direction, and the optical axes of the optical waveguides and the microlenses are shifted, so that the microlenses adjacent to the array direction and the microlenses are aligned. The microlens is arranged so that a pair of optical waveguides reads pixels adjacent to several layers, and each optical waveguide of each layer reads pixels on one line. Waveguide-type reduced optical image sensor.
けられたマイクロレンズアレイと、光導波路基板に設け
られて該画素数に相当する数に等ピッチで並べ設けら
れ、前記マイクロレンズアレイで集光された光を伝送す
る光導波路アレイと、この光導波路アレイから入射した
光を電気信号に変換する光電変換素子とを含み、 前記マイクロレンズアレイと前記光導波路アレイの対を
積層構造に構成し、積層方向に隣接する層のマイクロレ
ンズ同士をアレイ方向とほぼ直交する方向に配列し、該
光導波路とマイクロレンズの光軸をずらすことにより、
アレイ方向に隣接した該マイクロレンズと該光導波路の
対が層数個隣の画素を読み取り、かつ各層の各光導波路
が全て一つのライン上の画素を読むように該光導波路を
配置したことを特徴とする光導波路型縮小光学イメージ
センサ。4. A microlens array provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels and a microlens array provided at an optical waveguide substrate and provided at an equal pitch corresponding to the number of pixels. An optical waveguide array that transmits the light condensed in, and a photoelectric conversion element that converts light incident from the optical waveguide array into an electric signal, wherein a pair of the microlens array and the optical waveguide array is formed in a laminated structure. And by arranging the microlenses of the layers adjacent to each other in the stacking direction in a direction substantially orthogonal to the array direction, and displacing the optical axes of the optical waveguide and the microlenses
The pair of the microlens and the optical waveguide adjacent to each other in the array direction reads pixels adjacent to each other by several layers, and the optical waveguides are arranged such that each optical waveguide of each layer reads pixels on one line. Characteristic optical waveguide type reduced optical image sensor.
率半径中心を固定したまま、前記光導波路の開口数に対
応する発散角の範囲に配置した前記マイクロレンズアレ
イを備えたことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか
に記載の光導波路型縮小光学イメージセンサ。5. The microlens array according to claim 1, wherein the microlens array is arranged in a range of a divergence angle corresponding to a numerical aperture of the optical waveguide while a center of a radius of curvature is fixed without changing a diameter of the microlens. An optical waveguide type reduced optical image sensor according to claim 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012557A JPH11317836A (en) | 1998-02-02 | 1999-01-21 | Optical waveguide type reduction optical image sensor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-20999 | 1998-02-02 | ||
| JP2099998 | 1998-02-02 | ||
| JP11012557A JPH11317836A (en) | 1998-02-02 | 1999-01-21 | Optical waveguide type reduction optical image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317836A true JPH11317836A (en) | 1999-11-16 |
Family
ID=26348188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11012557A Pending JPH11317836A (en) | 1998-02-02 | 1999-01-21 | Optical waveguide type reduction optical image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317836A (en) |
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1999
- 1999-01-21 JP JP11012557A patent/JPH11317836A/en active Pending
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