JPH11307907A - 電極の製造方法および転写フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 プリント回路基板、多層回路基板、マルチチ
ップモジュール、ＬＣＤおよびＬＳＩ等の電極配線や突
起電極を構成する電極の形成において、高精細パターン
の形成が可能となり、また転写フィルムを使用すること
により従来の方法に比べて実質的に作業性を向上させる
ことができる電極の製造方法を提供する。 【解決手段】 支持フィルム上に形成された導電性ペー
スト層２１を基板１１上に転写し、導電性ペースト層上
にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理し
て、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜
を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性
ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対
応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
ーンを焼成処理する工程を含む電極の製造方法を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基
板、多層回路基板、マルチチップモジュール、ＬＣＤお
よびＬＳＩ等の電極配線や突起電極を構成する電極の形
成において、高精細パターンの形成が可能となり、また
転写フィルムを使用することにより従来の方法に比べて
実質的に作業性を向上させることができる電極の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プリント回路基板、多層回路基
板、マルチチップモジュール、ＬＣＤおよびＬＳＩ等の
電極配線や突起電極に対して、小型化、高精細化、高密
度化の要求が高まっている。

【０００３】従来、このような電極の製造方法として
は、（１）金属薄膜をスパッタや蒸着などで形成し、レ
ジストを塗布、露光、現像後にエッチング液により金属
薄膜のパターンを形成するエッチング法、（２）非感光
性の導電性ペースト組成物を基板上にスクリーン印刷し
てパターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、
（３）感光性の導電性ペースト組成物の膜を基板上に形
成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射した
上で現像することにより基板上にパターンを残存させ、
これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知られて
いる。

【０００４】しかしながら、前記エッチング法では、真
空設備が必要なこと、工程上のスループットが遅いなど
の問題がある。前記スクリーン印刷法では、高精細化に
伴い１００μｍ以下のパターン形成に限界があり、解像
度の点で通常の印刷では対応できないという問題があ
る。また、前記フォトリソグラフィー法では、５〜２０
μｍの膜厚を有するパターンを形成する際、導電性ペー
スト層の深さ方向に対する感度が不十分であり、現像マ
ージンの広い材料が得られるものとはならなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のようなエッチング法、スクリーン印刷法およびフォト
リソグラフィー法では達成しえなかった高精細パターン
を簡便な方法で形成できる電極材料を提供することにあ
る。すなわち、本発明者らは、感光性成分であるレジス
ト膜と導電性ペースト層を分離し、さらにレジスト膜と
導電性ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成
し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写
し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレ
ジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像
処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペース
ト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する
導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを
焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成する。
このような製造方法によれば、高精細パターンの形成が
可能で表面の均一性に優れた電極を形成することがで
き、また、膜形成材料層が支持フィルム上に形成されて
なる複合フィルム（以下、「転写フィルム」ともい
う。）は、これをロール状に巻き取って保存することが
できる点でも有利である。

【０００６】本発明の第１の目的は、新規な電極の形成
方法を有する電極の製造方法を提供することにある。本
発明の第２の目的は、寸法精度の高いパターンを形成す
ることのできる電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、従来の製造方法に比べて、実質
的に作業性を向上することができる製造効率の優れた電
極の製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の電極の製造方法
は、支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を用
いて、電極を形成することを特徴とする。具体的には、
支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を基板上
に転写し、導電性ペースト層上にレジスト膜を形成し、
当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜
像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパ
ターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処
理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層の
パターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を
含む方法により、電極を形成することを特徴とする。

【０００８】本発明の製造方法における好ましい実施形
態は次のとおりである （ａ）エッチング液がアルカリ性溶液であること。 （ｂ）現像処理に使用する現像液と、エッチング処理に
使用するエッチング液が同一の溶液であること。

【０００９】また、本発明の製造方法は、レジスト膜と
導電性ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成
し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写
し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレ
ジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像
処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペース
ト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する
導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを
焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成するこ
とを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明の製造方法において、導電性ペースト層
は、導電性粒子を分散させた導電性ペースト組成物を、
剛性を有する基板上に直接塗布して形成されるのではな
く、可撓性を有する支持フィルム上に塗布することによ
り形成される。このため、当該ペースト状組成物の塗布
方法として、ロールコータなどによる塗布方法を採用す
ることができ、これにより、膜厚が大きくて、かつ、膜
厚の均一性に優れた導電性ペースト層（例えば１〜２０
μｍ±１μｍ）を支持フィルム上に形成することが可能
となる。そして、このようにして形成された導電性ペー
スト層を基板の表面に対して転写するという簡単な操作
により、当該導電性ペースト層を基板上に確実に形成す
ることができる。従って本発明の製造方法によれば、導
電性ペースト層の形成工程における工程改善（高効率
化）を図ることができるとともに、形成されるパターン
の品質の向上（高精細化）を図ることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔１〕
導電性ペースト層の転写工程、〔２〕レジスト膜の形成
工程、〔３〕レジスト膜の露光工程、〔４〕レジスト膜
の現像工程、〔５〕導電性ペースト層のエッチング工
程、〔６〕導電性ペースト層パターンの焼成工程によ
り、電極を形成する。

【００１２】＜導電性ペースト層の転写工程＞本発明の
製造方法においては、転写フィルムを使用し、当該転写
フィルムを構成する導電性ペースト層を基板の表面に転
写する点に特徴を有するものである。ここに、転写フィ
ルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成さ
れた導電性ペースト層とを有してなり、当該導電性ペー
スト層の表面には保護フィルム層が設けられていてもよ
い。転写フィルムの具体的構成については後述する。

【００１３】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、基板１１の表面に、導電性ペースト
層２１の表面が当接されるように転写フィルム２０を重
ね合わせ、この転写フィルム２０を加熱ローラなどによ
り熱圧着した後、導電性ペースト層２１から支持フィル
ム２２を剥離除去する。これにより、図１（ハ）に示す
ように、基板１１の表面に導電性ペースト層２１が転写
されて密着した状態となる。ここで、転写条件として
は、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４０℃、
加熱ローラによるロール圧が１〜５ｋｇ／ｃｍ² 、加熱
ローラの移動速度が０．１〜１０．０ｍ／分を示すこと
ができる。また、基板は予熱されていてもよく、予熱温
度としては例えば４０〜１２０℃とすることができる。
また、導電性ペースト層を転写する際、基板と転写フィ
ルムの間に下層反射防止層を設けても良い。該反射防止
層は、例えばカーボンブラックなどを含有するペースト
を塗布して乾燥させて得られる。また、後述するよう
に、導電性ペースト層と反射防止層からなる積層膜を有
する転写フィルムを用い、反射防止層と導電性ペースト
層の一括転写を行っても良い。

【００１４】＜レジスト膜の形成工程＞この工程におい
ては、図１（二）に示すように、転写された導電性ペー
スト層２１の表面にレジスト膜３１を形成する。このレ
ジスト膜３１を構成するレジストとしては、ポジ型レジ
ストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、そ
の具体的組成については後述する。また、レジスト膜３
１の形成工程においては、転写された導電性ペースト層
上に染料等の紫外線吸収剤を含有した反射防止層を一層
設け、その反射防止膜上にレジスト膜を形成しても良
い。レジスト膜３１は、スクリーン印刷法、ロール塗布
法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジ
ストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成する
ことができる。また、支持フィルム上に形成されたレジ
スト組成物を導電性ペースト層２１の表面に転写するこ
とによって形成してもよい。このような形成方法によれ
ば、レジスト膜の形成工程における工程改善（高効率
化）を図ることができるとともに、形成される導電性パ
ターンの膜厚均一性を図ることができる。レジスト膜３
１の膜厚としては、通常、０．１〜４０μｍ、好ましく
は０．５〜２０μｍである。

【００１５】〈レジスト膜の露光工程〉この工程におい
ては、図１（ホ）に示すように、導電性ペースト層２１
上に形成されたレジスト膜３１の表面に、露光用マスク
Ｍを介して、紫外線などの放射線を選択的照射（露光）
して、レジストパターンの潜像を形成する。同図におい
て、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露光用マスクＭにお
ける光透過部および遮光部である。ここに、放射線照射
装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用され
ている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製
造する際に使用されている露光装置など特に限定される
ものではない。

【００１６】〈レジスト膜の現像工程〉この工程におい
ては、露光されたレジスト膜を現像処理することによ
り、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。ここ
に、現像処理条件としては、レジスト膜３１の種類など
に応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像
温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、
スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択する
ことができる。この現像工程により、図２（ヘ）に示す
ように、レジスト残留部３５Ａと、レジスト除去部３５
Ｂとから構成されるレジストパターン３５（露光用マス
クＭに対応するパターン）が形成される。このレジスト
パターン３５は、次工程（エッチング工程）におけるエ
ッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残
留部３５Ａの構成材料は、導電性ペースト層２１の構成
材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいこと
が必要である。

【００１７】〈導電性ペースト層のエッチング工程〉こ
の工程においては、導電性ペースト層をエッチング処理
し、レジストパターンに対応する導電性ペースト層のパ
ターンを形成する。すなわち、図２（ト）に示すよう
に、導電性ペースト層２１のうち、レジストパターン３
５のレジスト除去部３５Ｂに対応する部分がエッチング
液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図２
（ト）は、エッチング処理中の状態を示している。そし
て、更にエッチング処理を継続すると、図２（チ）に示
すように、導電性ペースト層２１におけるレジスト除去
部に対応する部分で基板表面が露出する。ここに、エッ
チング処理条件としては、導電性ペースト層２１の種類
などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理
時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺動法、シ
ャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置などを適
宜選択することができる。なお、エッチング液として、
現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用すること
ができるよう、レジスト膜３１、導電性ペースト層２１
の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング
工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡
略化による製造効率の向上を図ることができる。ここ
に、レジストパターン３５を構成するレジスト残留部３
５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解され、導電性
ペースト層パターンが形成された段階（エッチング処理
の終了時）で完全に除去されるものであることが好まし
い。なお、エッチング処理後にレジスト残留部３５Ａの
一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部
３５Ａは、次の焼成工程で除去される。

【００１８】＜導電性ペースト層の焼成工程＞この工程
においては、導電性ペースト層パターンを焼成処理し
て、電極を形成する。これにより、材料層残留部中の有
機物質が焼失して、金属層が形成され、図２（リ）に示
すような、基板上の表面に導電性パターン４０が形成さ
れてなる電極材料５０を得ることができる。ここに、焼
成処理の温度としては、材料層残留部中の有機物質が焼
失される温度であることが必要であり、通常、４００〜
２０００℃とされる。また、焼成時間は、通常１０〜１
００分間とされる。

【００１９】＜導電性パターンを形成するための他の方
法＞本発明における導電性パターンの形成方法は、図１
および図２に示したような方法に限定されるものではな
い。ここに、導電性パターンを形成するための他の方法
として、下記（１）〜（３）の工程による形成方法を挙
げることができる。 （１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該
レジスト膜上に導電性ペースト層を積層形成する。ここ
に、レジスト膜、導電性ペースト層を形成する際には、
ロールコータなどを使用することができ、これにより、
膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形成す
ることができる。 （２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜、導電性
ペースト層との積層膜を基板上に転写する。ここに、転
写条件としては前記『導電性ペースト層の転写工程』に
おける条件と同様でよい。 （３）前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の
現像工程』、『導電性ペースト層のエッチング工程』お
よび『導電性ペースト層の焼成工程』と同様の操作を行
う。 以上のような方法によれば、導電性ペースト層およびレ
ジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略
化による製造効率を更に向上させることができる。

【００２０】以下に、前記の各工程に用いられる材料、
各種条件などについて説明する。 ＜基板＞基板材料としては、例えばセラミック、ガラ
ス、シリコン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香
族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性
材料からなる板状部材である。この板状部材の表面に対
しては、必要に応じて、シランカップリング剤などによ
る薬品処理；プラズマ処理；イオンプレーティング法、
スパッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる
薄膜形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよ
い。

【００２１】＜転写フィルム＞本発明の製造方法に用い
る転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム
上に形成された導電性ペースト層を有してなり、当該導
電性ペースト層の表面に保護フィルム層が設けられてい
てもよい。

【００２２】（１）支持フィルム：転写フィルムを構成
する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると
共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好まし
い。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロール
コータによってペースト状組成物を塗布することがで
き、導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペースト
層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することが
できる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば
ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポ
リビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチ
レンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを
挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例
えば２０〜１００μｍとされる。

【００２３】（２）導電性ペースト層：転写フィルムを
構成する導電性ペースト層は、導電性粒子、結着樹脂お
よび溶剤を必須成分として含有するペースト状の導電性
ペースト組成物を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を
乾燥して溶剤の一部又は全部を除去することにより形成
することができる。

【００２４】（３）導電性ペースト組成物 転写フィルムを作製するために使用される導電性ペース
ト組成物は、（ａ）導電性、（ｂ）結着樹脂および
（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。

【００２５】（ａ）導電性粒子 電極形成材料に使用される導電性粒子としては、Ａｇ、
Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕなどを
挙げることができる。

【００２６】（ｂ）結着樹脂 本発明の導電性ペースト組成物に使用される結着樹脂と
しては、種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ
可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で含有するバイ
ンダーを用いることが特に好ましい。ここに、「アルカ
リ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチング液に
よって溶解し、目的とするエッチング処理が遂行される
程度に溶解性を有する性質をいう。かかるアルカリ可溶
性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アクリル系樹
脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエ
ステル樹脂などを挙げることができる。このようなアル
カリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下
記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との共重合体、又
はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモノマー（ハ）
との共重合体などのアクリル樹脂を挙げることができ
る。

【００２７】モノマー（イ）：アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシ
ル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの
水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアル
カリ可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー（ロ）：（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸ベンジル、グリシジル（メタ）アクリレ
ート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートなどの
モノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル類；
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モ
ノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類
などに代表されるモノマー（イ）と共重合可能なモノマ
ー類。 モノマー（ハ）：ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル
酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メ
タ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー
類：

【００２８】導電性ペースト組成物における結着樹脂の
含有割合としては、上記導電性粒子１００重量部に対し
て、通常１〜１０００重量部とされ、好ましくは１〜１
００重量部とされる。

【００２９】（ｃ）溶剤 導電性ペースト組成物を構成する溶剤は、当該導電性ペ
ースト組成物に、適当な流動性または可塑性、良好な膜
形成性を付与するために含有される。導電性ペースト組
成物を構成する溶剤としては、特に制限されるものでは
なく、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステ
ル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミド
エステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド
類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類な
どを挙げることができる。かかる溶剤の具体例として
は、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレン
グリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコー
ルモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジア
ルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エ
ステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エ
ステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコ
キシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、
アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケト
ン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキ
ルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラ
クトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスル
ホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
などを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以
上を組み合わせて用いることができる。導電性ペースト
組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成
性（流動性または可塑性）が得られる範囲内において適
宜選択することができる。

【００３０】導電性ペースト組成物には、任意成分とし
て、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止
剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されてい
てもよい。

【００３１】導電性ペースト組成物を支持フィルム上に
塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大
きい（例えば１μｍ以上）塗膜を効率よく形成すること
ができるものであることが必要とされ、具体的には、ロ
ールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗
布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコ
ーター、スリットダイによる塗布方法などを好ましいも
のとして挙げることができる。なお、導電性ペースト組
成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施
されていることが好ましい。これにより、後述する転写
工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うこ
とができる。

【００３２】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（反射防止膜形成用ペースト層中の含
有率）は、通常２重量％以内とされる。

【００３３】上記のようにして支持フィルム上に形成さ
れる導電性ペースト層の厚さとしては、導電性粒子の含
有率、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、例
えば１〜４０μｍとされる。なお、導電性ペースト層の
表面に設けられることのある保護フィルム層としては、
ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィル
ムなどを挙げることができる。

【００３４】＜レジスト膜（レジスト組成物）＞本発明
の製造方法においては、導電性ペースト層上にレジスト
膜が形成され、当該レジスト膜に露光処理および現像処
理を施すことにより、前記導電性ペースト層上にレジス
トパターンが形成される。レジスト膜を形成するために
使用するレジスト組成物としては、（１）アルカリ現像
型感放射線性レジスト組成物、（２）有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物、（３）水性現像型感放射線性
レジスト組成物などを例示することができる。以下、こ
れらのレジスト組成物について説明する。

【００３５】（１）アルカリ現像型感放射線性レジスト
組成物 アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物は、アルカリ
可溶性樹脂と感放射線性成分を必須成分として含有して
なる。アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成
するアルカリ可溶性樹脂としては、導電性ペースト組成
物のバインダー成分を構成するものとして例示したアル
カリ可溶性樹脂を挙げることができる。アルカリ現像型
感放射線性レジスト組成物を構成する感放射線性成分と
しては、例えば、（イ）多官能性モノマーと光重合開始
剤との組み合わせ、（ロ）メラミン樹脂と放射線照射に
より酸を形成する光酸発生剤との組み合わせ、（ハ）放
射線照射によりアルカリ難溶性のものがアルカリ可溶性
になる化合物などを例示することができ、上記（イ）の
組み合わせのうち、多官能性（メタ）アクリレートと光
重合開始剤とのネガタイプの組み合わせと（ハ）のポジ
タイプが特に好ましい。

【００３６】ネガタイプの感放射線性成分を構成する多
官能性（メタ）アクリレートの具体例としては、エチレ
ングリコール、プロピレングリコールなどのアルキレン
グリコールのジ（メタ）アクリレート類；ポリエチレン
グリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリアル
キレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；両末端
ヒドロキシポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソ
プレン、両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両
末端ヒドロキシル化重合体のジ（メタ）アクリレート
類；グリセリン、１，２，４−ブタントリオール、トリ
メチロールアルカン、テトラメチロールアルカン、ジペ
ンタエリスリトールなどの３価以上の多価アルコールの
ポリ（メタ）アクリレート類；３価以上の多価アルコー
ルのポリアルキレングリコール付加物のポリ（メタ）ア
クリレート類；１，４−シクロヘキサンジオール、１，
４−ベンゼンジオール類などの環式ポリオールのポリ
（メタ）アクリレート類；ポリエステル（メタ）アクリ
レート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メ
タ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）アクリレー
ト、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、スピラン樹
脂（メタ）アクリレート等のオリゴ（メタ）アクリレー
ト類などを挙げることができ、これらは単独でまたは２
種以上を組み合わせて使用することができる。

【００３７】また、ネガタイプの感放射線性成分を構成
する光重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾ
イン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、２−ヒドロ
キシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチ
ル−〔４’−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォ
リノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１
−オンなどのカルボニル化合物；アゾイソブチロニトリ
ル、４−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物ある
いはアジド化合物；メルカプタンジスルフィドなどの有
機硫黄化合物；ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔｒｅｔ
−ブチルパーオキシド、ｔｒｅｔ−ブチルハイドロパー
オキシド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハ
イドロパーオキシドなどの有機パーオキシド；１，３−
ビス（トリクロロメチル）−５−（２’−クロロフェニ
ル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−（２−フラ
ニル）エチレニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−１，３，５−トリアジンなどのトリハロメタン
類；２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾール
などのイミダゾール二量体などを挙げることができ、こ
れらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。

【００３８】一方、ポジタイプの感放射線性化合物とし
ては、ポリヒドロキシ化合物の１,２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステルおよび１,２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステルなど
が挙げられ、特に、１,２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステルが好ましい。感放射線性化合
物は、例えば、ポリヒドロキシ化合物とキノンジアジド
スルホニルクロリドとを塩基性触媒の存在下で反応させ
ることにより得られる。通常、ポリヒドロキシ化合物の
全水酸基に対するキノンジアジドスルホン酸エステルの
割合（平均エステル化率）は、２０％以上１００％以下
であり、好ましくは４０％以上９５％以下である。平均
エステル化率が低すぎると、パターン形成が難しく、高
すぎると感度の低下を招くことがある。ここで、用いら
れるポリヒドロキシ化合物としては、特に限定される物
ではないが、具体例として下記に示す化合物が挙げられ
る。

【００３９】

【化１】

【００４０】（式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅は、それぞれ相互に同
一または異なり、水素原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基、
Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシ基、Ｃ₆ 〜Ｃ₁₀のアリール基ま
たは水酸基である。ただし、Ｘ₁ 〜Ｘ₅ およびＸ₆ 〜Ｘ
₁₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水
酸基である。また、Ｙ₁ は、水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄
のアルキル基である。）

【００４１】

【化２】

【００４２】（式中、Ｘ₁₆〜Ｘ₃₀は、前記Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅と
同様である。ただし、Ｘ₁₆〜Ｘ₂₀、Ｘ₂₁〜Ｘ₂₅およびＸ
₂₆〜Ｘ₃₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１
つは水酸基である。また、Ｙ₂ 〜Ｙ₄ は、それぞれ相互
に同一または異なり、水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアル
キル基である。）

【００４３】

【化３】

【００４４】（式中、Ｘ₃₁〜Ｘ₄₄は、前記Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅と
同様である。ただし、Ｘ₃₁〜Ｘ₃₅において少なくとも１
つは水酸基である。また、Ｙ₅ 〜Ｙ₈ は、それぞれ相互
に同一または異なり水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアルキ
ル基である。）

【００４５】

【化４】

【００４６】（式中、Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈は、それぞれ相互に同
一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄
のアルキル基、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシ基、Ｃ₅ 〜Ｃ₇
のシクロアルキル基または水酸基である。ただし、Ｘ₄₅
〜Ｘ₄₈およびＸ₄₉〜Ｘ₅₃のそれぞれの組み合わせにおい
て少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₉ およびＹ
₁₀は、それぞれ相互に同一または異なり水素原子、Ｃ₁
〜Ｃ₄ のアルキル基またはＣ₅ 〜Ｃ₇ のシクロアルキル
基である。）

【００４７】

【化５】

【００４８】（式中、Ｘ₅₉〜Ｘ₈₀は、前記Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈と
同様である。ただし、Ｘ₅₉〜Ｘ₆₃、Ｘ₆₄〜Ｘ₆₇、Ｘ₇₂〜
Ｘ₇₅およびＸ₇₆〜Ｘ₈₀のそれぞれの組み合わせにおいて
少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₁₁〜Ｙ₁₈は、
それぞれ相互に同一または異なり水素原子またはＣ₁ 〜
Ｃ₄ のアルキル基である。）

【００４９】

【化６】

【００５０】（式中、Ｘ₈₁〜Ｘ₉₀はそれぞれ相互に同一
または異なり、水素原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシ基、
Ｃ₆ 〜Ｃ₁₀のアリール基または水酸基である。ただし、
Ｘ₈₁ 〜Ｘ₉₀の組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸
基である。）

【００５１】このアルカリ現像型感放射線性レジスト組
成物における感放射線性成分の含有割合としては、アル
カリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常１〜２００重
量部とされ、好ましくは５〜１００重量部である。ま
た、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物について
は、良好な膜形成性付与するために、適宜有機溶剤が含
有される。かかる有機溶剤としては、導電性ペースト組
成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることが
できる。

【００５２】（２）有機溶剤現像型感放射線性レジスト
組成物：有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物は、
天然ゴム、合成ゴム、およびこれらを環化されてなる環
化ゴムなどから選ばれた少なくとも１種と、アジド化合
物とを必須成分として含有してなる。有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物を構成するアジド化合物の具体
例としては、4，４’−ジアジドベンゾフェノン、４，
４’−ジアジドジフェニルメタン、４，４’−ジアジド
スチルベン、４，４’−ジアジドカルコン、４，４’−
ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（４’−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４’−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンなどを挙げ
ることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合
わせて使用することができる。また有機溶剤現像型感放
射線性レジスト組成物には、良好な膜形成性を付与する
ために、通常有機溶剤が含有される。かかる有機溶剤と
しては、反射防止膜形成用ペースト組成物を構成するも
のとして例示した溶剤を挙げることができる。

【００５３】（３）水性現像型感放射線性レジスト組成
物：水性現像型感放射線性レジスト組成物は、例えばポ
リビニルアルコールなどの水溶性樹脂と、ジアゾニウム
化合物および重クロム酸化合物から選ばれた少なくとも
１種とを必須成分として含有してなる。

【００５４】本発明の製造方法において使用するレジス
ト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助
剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防
止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料な
どの各種添加剤が含有されていてもよい。

【００５５】＜露光用マスク＞レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクＭの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ
幅のストライプである。

【００５６】＜現像液＞レジスト膜の現像工程で使用さ
れる現像液としては、レジスト膜（レジスト組成物）の
種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジス
ト膜にはアルカリ現像液を使用することができ、有機溶
剤型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には有
機溶剤現像液を使用することができ、水性現像型感放射
線性レジスト組成物によるレジスト膜には水性現像液を
使用することができる。

【００５７】アルカリ現像液の有効成分としては、例え
ば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リ
ン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリ
ウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウ
ム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性
化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ
メチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、
モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、
エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙
げることができる。レジスト膜の現像工程で使用される
アルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種または
２種以上を水などに溶解させることにより調整すること
ができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ
性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％とさ
れ、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、ア
ルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水
洗処理が施される。

【００５８】有機溶剤現像液の具体例としては、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチルなどの有機溶剤を挙げること
ができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて
使用することができる。なお、有機溶剤現像液による現
像処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリン
ス処理が施される。水性現像液の具体例としては、水、
アルコールなどを挙げることができる。

【００５９】＜エッチング液＞導電性ペースト層のエッ
チング工程で使用されるエッチング液としては、アルカ
リ性溶液であることが好ましい。これにより、導電性ペ
ースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解
除去することができる。なお、導電性ペースト層に含有
される導電性粒子は、アルカリ可溶性樹脂により均一に
分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであ
るアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することによ
り、導電性粒子も同時に除去される。ここに、エッチン
グ液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液
と同一組成の溶液を挙げることができる。そして、エッ
チング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一
の溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程と
を連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化に
よる製造効率の向上を図ることができる。なお、アルカ
リ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、
水洗処理が施される。

【００６０】また、エッチング液として、導電性ペース
ト層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使
用することもできる。かかる有機溶剤としては、導電性
ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙
げることができる。なお、有機溶剤によるエッチング処
理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処
理が施される。

【００６１】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「％」は、それぞれ
「重量部」および「重量％」を示す。また、重量平均分
子量（Ｍｗ）は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーシ
ョンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（商品名ＨＬＣ−８
０２Ａ）により測定したポリスチレン換算の平均分子量
である。

【００６２】〔合成例１〕Ｎ−メチル−２−ピロリドン
２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８０部、メタクリ
ル酸２０部、アゾビスイソブチロニトリル１部からなる
単量体組成物を、攪拌機付きオートクレーブに仕込み、
窒素雰囲気下において、室温で均一になるまで攪拌した
後、８０℃で３時間重合させ、さらに１００℃で１時間
重合反応を継続させた後室温まで冷却してポリマー溶液
を得た。ここに、重合率は９８％であり、このポリマー
溶液から析出した共重合体〔以下、「ポリマー（Ａ）」
という。〕の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，００
０であった。

【００６３】〔合成例２〕３−エトキシプロピオン酸エ
チル２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８５部、メタ
クリル酸１５部、アゾビスイソブチロニトリル１部から
なる単量体組成物をオートクレーブに仕込んだこと以外
は合成例１と同様にしてポリマー溶液を得た。ここに、
重合率は９８％であり、このポリマー溶液から析出した
共重合体〔以下、「ポリマー（Ｂ）」という。〕の重量
平均分子量（Ｍｗ）は、５０，０００であった。

【００６４】〔合成例３〕（ＰＡＣ−１の合成） 下記式（イ）で表される化合物４.２８ｇ（０.０１ｍｏ
ｌ）をテトラヒドロフラン３０ｇに溶解し、トリエチル
アミン２.８ｇ（０.０２８ｍｏｌ）を添加した。該溶液
を０〜５℃に冷却しながら、３０分をかけて、１,２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド７.１
１ｇ（０.０２５ｍｏｌ）を添加した。５時間後、析出
したトリエチルアミン塩酸塩をろ過した後、脱イオン水
で希釈した０.２％重量塩酸水２,０００ｍｌに再沈し、
ろ過した後、３度水洗を繰り返した後、４０℃で真空乾
燥させた後、９.２ｇの縮合化合物を得た。この化合物
をＰＡＣ−１（ＰＡＣ；Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｃｏｍ
ｐｏｕｎｄ）とした。

【００６５】

【化７】

【００６６】〔作製例１〕導電性粒子として銀粉末７５
０部と、アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ａ）１５
０部と、可塑剤としてポリプロピレングリコール〔分子
量４００、和光純薬（株）製〕２０部と、溶剤としてＮ
−メチル−２−ピロリドン４００部とを混練りすること
により、電極形成用の導電性ペースト組成物〔以下、
「導電性ペースト組成物（１）」という。〕を調整し
た。次いで、得られた導電性ペースト組成物（１）を、
予め離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ，長
さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗布
して塗膜を形成した。形成された塗膜を１００℃で５分
間乾燥することにより溶剤を除去し、これにより、厚さ
２０μｍの電極形成用の導電性ペースト層〔以下、「導
電性ペースト層（１）」という。〕が支持フィルム上に
形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写フィルム
（１）」という。〕を作製した。

【００６７】〔作製例２〕アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｂ）５０部と、多官能性モノマー（感放射線性
成分）としてペンタエリスリトールテトラアクリレート
４０部と、光重合開始剤（感放射線性成分）として２−
ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリ
ノフェニル）−ブタン−１−オン５部と、溶剤として３
−エトキシプロピオン酸エチル１５０部とを混練りする
ことにより、ペースト状のネガタイプのアルカリ現像型
感放射線性レジスト組成物（１）を調製した。

【００６８】次いで、得られたレジスト組成物を、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支
持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μ
ｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。
形成された塗膜を１１０℃で５分間乾燥することにより
溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジス
ト膜〔以下、「レジスト膜（１）」という。〕が支持フ
ィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写
フィルム（２）」という。〕を作製した。

【００６９】〔作製例３〕アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｂ）５０部と、感光剤（感放射線性成分）とし
てＰＡＣ−１を１０部と、溶剤として３−エトキシプロ
ピオン酸エチル１５０部とを混練りすることにより、ペ
ースト状のポジタイプのアルカリ現像型感放射線性レジ
スト組成物（２）を調製した。

【００７０】次いで、得られたレジスト組成物を、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支
持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μ
ｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。
形成された塗膜を１００℃で５分間乾燥することにより
溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジス
ト膜〔以下、「レジスト膜（２）」という。〕が支持フ
ィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写
フィルム（３）」という。〕を作製した。

【００７１】＜実施例１＞ 〔導電性ペースト層の転写工程〕１０センチ角のアルミ
ナ基板の表面に、電極形成用の導電性ペースト層（１）
の表面が当接されるよう転写フィルム（１）を重ね合わ
せ、この転写フィルム（１）を加熱ローラにより熱圧着
した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温
度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ² 、加熱ローラ
の移動速度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了
後、導電性ペースト層（１）から支持フィルムを剥離除
去した。これにより、アルミナ基板の表面に導電性ペー
スト層（１）が転写されて密着した状態となった。この
導電性ペースト層について膜厚を測定したところ２０μ
ｍ±１μｍの範囲にあった。

【００７２】〔レジスト膜の形成工程〕導電性ペースト
層（１）の表面に、レジスト膜（１）の表面が当接され
るよう転写フィルム（２）を重ね合わせ、この転写フィ
ルム（２）を加熱ローラ上記と同一の圧着条件により熱
圧着した。熱圧着処理の終了後、レジスト膜（１）から
支持フィルムを剥離除去した。これにより、導電性ペー
スト層（１）の表面にレジスト膜（１）が転写されて密
着した状態となった。導電性ペースト層（１）の表面に
転写されたレジスト膜（１）について膜厚を測定したと
ころ５μｍ±１μｍの範囲にあった。

【００７３】〔レジスト膜の露光工程〕導電性ペースト
層の積層体上に形成されたレジスト膜（１）に対して、
露光用マスク（４０μｍ幅のストライプパターン）を介
して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５ｎｍの紫
外線）を照射した。ここに、照射量は４００ｍＪ／ｃｍ
²とした。

【００７４】〔レジスト膜の現像工程〕露光処理された
レジスト膜（１）に対して、０．１重量％の水酸化カリ
ウム水溶液（２５℃）を現像液とするシャワー法による
現像処理を３０秒かけて行った。次いで超純水による水
洗処理を行い、これにより、紫外線が照射されていない
未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成し
た。

【００７５】〔導電性ペースト層のエッチング工程〕上
記の工程に連続して、０．１重量％の水酸化カリウム水
溶液（２５℃）をエッチング液とするシャワー法による
エッチング処理を３分かけて行った。次いで、超純水に
よる水洗処理および乾燥処理を行った。、これにより、
材料層残留部と、材料層除去部とから構成される導電性
ペースト層のパターンを形成した。

【００７６】〔導電性ペースト層の焼成工程〕導電性ペ
ースト層のパターンが形成されたアルミナ基板を焼成炉
内で８００℃の温度雰囲気下で２０分間にわたり焼成処
理を行った。これにより、アルミナ基板上に電極配線が
形成されてなる電極材料が得られた。得られた電極材料
における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察
し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定したとこ
ろ、底面の幅が４０μｍ±２μｍ、高さが８μｍ±１μ
ｍであり、寸法精度がきわめて高いものであった。

【００７７】＜実施例２＞実施例１において、転写フィ
ルム（２）を転写フィルム（３）に変更した以外は実施
例１と同様にしてアルミナ基板上に電極配線を形成し
た。得られた電極材料における電極の断面形状を走査型
電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅およ
び高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２μ
ｍ、高さが８μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめて
高いものであった。

【００７８】＜実施例３＞ 〔転写フィルムの作製〕下記（イ）〜（ロ）の操作によ
り、導電性ペースト層およびレジスト膜との積層膜が支
持フィルム上に形成されてなる転写フィルム（４）を作
製した。 （イ）実施例１で使用したポジタイプのアルカリ現像型
感放射線性レジスト組成物（１）をＰＥＴフィルムより
なる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０ｍ、厚さ３
８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１０
０℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ５μｍ
のレジスト膜〔以下、「レジスト膜（１’）」とい
う。〕を支持フィルム上に形成した。 （ロ）実施例１で使用した導電性ペースト組成物（１）
をレジスト膜（１’）上にロールコータを用いて塗布
し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去
し、厚さ２０μｍの導電性ペースト層〔以下、「導電性
ペースト層（１’）」という。〕をレジスト膜（１’）
上に形成した。

【００７９】〔積層膜の転写工程〕実施例１で使用した
のと同様のアルミナ基板上に、導電性ペースト層
（１’）の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合
わせ、この転写フィルムを加熱ローラに熱圧着した。こ
こで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２
０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ² 、加熱ローラの移動速
度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、積層膜
〔レジスト膜（１’）の表面〕から支持フィルムを剥離
除去した。これにより、アルミナ基板の表面に積層膜が
転写されて密着した状態となった。この積層膜〔導電性
ペースト層およびレジスト膜との積層膜〕ついて膜厚を
測定したところ２５μｍ±２μｍの範囲にあった。

【００８０】〔レジスト膜の露光工程・現像工程〕導電
性ペースト層の積層体上に形成されたレジスト膜
（１’）に対して、実施例１と同様の条件で、露光処理
（紫外線照射）、水酸化カリウム水溶液による現像処理
および水洗処理を行うことにより、導電性ペースト層の
積層体上にレジストパターンを形成した。

【００８１】〔導電性ペースト層のエッチング工程〕上
記の工程に連続して、実施例１と同様の条件で、水酸化
カリウム水溶液によるエッチング処理、水洗処理および
乾燥処理を行うことにより、導電性ペースト層のパター
ンを形成した。

【００８２】〔導電性ペースト層の焼成工程〕導電性ペ
ースト層のパターンが形成されたアルミナ基板を焼成炉
内で８００℃の温度雰囲気下で２０分間にわたり焼成処
理を行った。これにより、アルミナ基板上に電極配線が
形成されてなる電極材料が得られた。得られた電極材料
における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察
し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定したとこ
ろ、底面の幅が４０μｍ±２μｍ、高さが８μｍ±１μ
ｍであり、寸法精度がきわめて高いものであった。

【００８３】

【発明の効果】本発明の電極の製造方法によれば、従来
の方法に比べて実質的に工程数が少なく、従って作業性
を向上させる電極を製造することができる。さらに、本
発明の電極の製造方法によれば、従来の方法に比べて高
精細パターンの形成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る電極の製造方法を工
程順に示す説明用断面図である。

【図２】 本発明の一実施例に係る製造方法の、図１の
工程に続く工程を順に示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１１ 基板 ２０ 転写フ
ィルム ２１ 導電性ペースト層 ２２ 支持フ
ィルム ２５ 導電性ペースト層パターン ２５Ａ 材料層
残留部 ２５Ｂ 材料層除去部 ３１ レジス
ト膜 Ｍ 露光用マスク ＭＡ 光透過
部（露光用マスク） ＭＢ 遮光部（露光用マスク） ３５ レジス
トパターン ３５Ａ レジスト残留部 ３５Ｂ レジス
ト除去部 ４０ 導電性パターン ５０ 電極材
料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フィルム上に形成された導電性ペー
   スト層を基板上に転写し、基板上に転写された導電性ペ
   ースト層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露
   光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レ
   ジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
   せ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパ
   ターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成
   し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により
   形成することを特徴とする電極の製造方法。
2. 【請求項２】 レジスト膜、導電性ペースト層を有する
   積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上
   に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理
   してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜
   を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性
   ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対
   応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
   ーンを焼成処理する工程を含む方法により形成すること
   を特徴とする電極の製造方法。
3. 【請求項３】 レジスト膜および導電性ペースト層を有
   する積層膜が支持フィルム上に形成されていることを特
   徴とする、転写フィルム。