JPH11283909A - Substrate heat treatment equipment - Google Patents
Substrate heat treatment equipmentInfo
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- JPH11283909A JPH11283909A JP10086698A JP8669898A JPH11283909A JP H11283909 A JPH11283909 A JP H11283909A JP 10086698 A JP10086698 A JP 10086698A JP 8669898 A JP8669898 A JP 8669898A JP H11283909 A JPH11283909 A JP H11283909A
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- plate
- substrate
- heat treatment
- heat
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】ホットプレート1は、平面視において処理
すべき基板Sよりも少し大きい略長方形状に形成されて
おり、ベースプレート11と、ベースプレート11上に
積層された面状ヒータ12と、この面状ヒータ12上に
積層された表面プレート13とを有している。ホットプ
レート1は、その長手方向と直交する方向に延びた直線
でほぼ均等に2分割されている。表面プレート13の各
分割部分13A,13Bの上面には、それぞれ、複数個
の略球状のプロキシミティ・ボール15が配設されてい
る。処理されるべき基板Sは、複数個のプロキシミティ
・ボール15上に載置されることにより、表面プレート
13の上面から所定間隔dだけ離れた状態で支持され
る。
【効果】ホットプレート1は、各分割部分に分割して取
り扱うことができるので、表面プレート13の交換など
を容易に行うことができる。
(57) Abstract: A hot plate (1) is formed in a substantially rectangular shape slightly larger than a substrate (S) to be processed in a plan view, and includes a base plate (11) and a planar heater laminated on the base plate (11). And a surface plate 13 laminated on the planar heater 12. The hot plate 1 is almost equally divided into two by a straight line extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction. A plurality of substantially spherical proximity balls 15 are disposed on the upper surfaces of the divided portions 13A and 13B of the surface plate 13, respectively. The substrate S to be processed is supported on the plurality of proximity balls 15 at a predetermined distance d from the upper surface of the front plate 13. Since the hot plate 1 can be handled by being divided into the respective divided portions, it is possible to easily exchange the front plate 13 and the like.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマ・デ
ィスプレイ・パネル)用ガラス基板などの各種の被処理
基板に対して、加熱処理または冷却処理などの熱処理を
施すための基板熱処理装置に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for performing a heat treatment such as a heat treatment or a cooling treatment on various substrates to be processed, such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a glass substrate for a PDP (plasma display panel).
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえば、液晶表示装置の製造工程に
は、水分を有する基板やフォトレジストを塗布した後の
基板を乾燥させる工程や、フォトレジスト膜に対して露
光または現像処理を施した後の基板にベーキング処理を
施す工程が含まれる。これらの工程においては、基板に
加熱処理を施すためのホットプレートや、加熱処理後の
基板を冷却するためのクールプレートが用いられる。2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device, there are a process of drying a substrate having moisture or a substrate after applying a photoresist, and a process of exposing or developing a photoresist film. A step of performing a baking process on the substrate is included. In these steps, a hot plate for performing heat treatment on the substrate and a cool plate for cooling the substrate after the heat treatment are used.
【0003】図8は、従来のホットプレートの構成を簡
略化して示す平面図であり、図9は、図8に示す切断線
C−Cにおける断面図である。このホットプレートは、
平面視において熱処理すべき基板Sよりも少し大きい長
方形状に形成されており、ベースプレート81と、ベー
スプレート81上に積層された面状ヒータ82と、この
面状ヒータ82上に積層された熱処理プレート83とを
有している。FIG. 8 is a simplified plan view showing the structure of a conventional hot plate, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG. This hot plate is
It is formed in a rectangular shape slightly larger than the substrate S to be heat-treated in a plan view, and has a base plate 81, a sheet heater 82 stacked on the base plate 81, and a heat treatment plate 83 stacked on the sheet heater 82. And
【0004】熱処理プレート83は、たとえば、金属板
に表面メッキを施す(たとえば、アルミニウム板にアル
マイト処理を施す)ことによって構成されており、その
上面には、それぞれ基板Sの裏面に下方から当接して基
板Sを支持するための複数個のプロキシミティ・ボール
84が配設されている。熱処理されるべき基板Sは、こ
の複数個のプロキシミティ・ボール84上に載置される
ことにより、熱処理プレート83の上面から所定間隔だ
け離れた状態で支持される。熱処理時には、面状ヒータ
82から発生した熱が、熱処理プレート83を伝搬して
熱処理プレート83の上面から放熱されることにより、
熱処理プレート83の上方に支持された基板Sが加熱さ
れる。The heat treatment plate 83 is formed, for example, by plating the surface of a metal plate (for example, by subjecting an aluminum plate to an alumite treatment), and its upper surface is in contact with the back surface of the substrate S from below. A plurality of proximity balls 84 for supporting the substrate S are provided. The substrate S to be heat-treated is supported on the plurality of proximity balls 84 at a predetermined distance from the upper surface of the heat-treating plate 83 by being placed on the plurality of proximity balls 84. At the time of heat treatment, the heat generated from the planar heater 82 propagates through the heat treatment plate 83 and is radiated from the upper surface of the heat treatment plate 83,
The substrate S supported above the heat treatment plate 83 is heated.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のプロ
キシミティ方式のホットプレートでは、プロキシミティ
・ボール84が破損すると、基板Sを良好に保持できな
くなるので、熱処理プレート83を交換する必要があ
る。また、ユーザへの納品時において、あるいは納品後
であっても、熱処理プレート83に傷がついている場合
には、ユーザからの要望に従って熱処理プレート83を
交換しなければならない。In the proximity type hot plate described above, if the proximity ball 84 is broken, the substrate S cannot be held satisfactorily. Therefore, the heat treatment plate 83 needs to be replaced. Further, when the heat treatment plate 83 is damaged at the time of delivery to the user or even after the delivery, the heat treatment plate 83 must be replaced according to a request from the user.
【0006】ところが、最近では、基板Sの大型化に伴
ってホットプレートが大型化してきたために、熱処理プ
レート83の運搬および交換作業が困難になってきてい
る。たとえば、処理すべき基板Sの中には、平面視にお
いて1m×1mのサイズを有するものがあり、このよう
な大型基板Sを処理するためのホットプレートに備えら
れる熱処理プレート83の重量は約70kgもあり、そ
の取り扱いが大変不便であった。However, recently, as the size of the hot plate increases with the size of the substrate S, it becomes difficult to transport and replace the heat treatment plate 83. For example, some of the substrates S to be processed have a size of 1 m × 1 m in plan view, and the heat treatment plate 83 provided on the hot plate for processing such a large substrate S weighs about 70 kg. And the handling was very inconvenient.
【0007】また、熱処理プレート83を構成すべき大
型金属板を入手するのが困難になってきているうえに、
その大型金属板の表面メッキなどの加工作業をする場合
に、メッキ槽自体の容量に限度があり、その加工作業が
難しくなってきているといった問題もある。そこで、こ
の発明の目的は、熱処理プレートの取り扱いが便利であ
り、かつ、製造に要する手間を軽減することができる基
板熱処理装置を提供することである。In addition, it is becoming difficult to obtain a large metal plate for forming the heat treatment plate 83,
When processing such as surface plating of the large metal plate, there is a problem that the capacity of the plating tank itself is limited, and the processing is becoming difficult. Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus that can conveniently handle a heat treatment plate and can reduce the labor required for manufacturing.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、熱処理プ
レートの主面側に基板を配置して、その基板に熱処理を
施す基板熱処理装置において、上記熱処理プレートは、
それぞれの主面がほぼ同一の平面内に含まれるように互
いに隣接して配置されている複数枚の板状体からなるこ
とを特徴とする基板熱処理装置である。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus comprising: a substrate disposed on a principal surface of a heat treatment plate; In the apparatus, the heat-treated plate is
A substrate heat treatment apparatus characterized by comprising a plurality of plate-like bodies arranged adjacent to each other such that respective main surfaces are included in substantially the same plane.
【0009】この構成によれば、熱処理プレートは、複
数枚の板状体をそれぞれの主面がほぼ同一の平面内に含
まれるように互いに隣接して配置することによって構成
されている。これにより、熱処理プレートは各板状体に
分割して取り扱うことができるので、熱処理プレートを
1枚で構成する場合に比べて、熱処理プレートの運搬や
交換(設置)を楽に行うことができる。According to this structure, the heat-treating plate is constituted by arranging a plurality of plate-like bodies adjacent to each other such that their main surfaces are substantially in the same plane. Thus, the heat-treated plate can be handled by being divided into each plate-like body, so that the heat-treated plate can be easily transported or exchanged (installed) as compared with a case where the heat-treated plate is composed of one sheet.
【0010】また、たとえ基板の大型化に伴って熱処理
プレート全体のサイズが大きくなっても、熱処理プレー
トを構成する板状体の個数を増やすことにより、各板状
体のサイズは小さいままに保つことができるので、熱処
理プレートの取り扱いが困難になることはない。さら
に、熱処理プレート(板状体)に傷がついた場合などに
は、その傷がついた板状体のみを交換すればよく、熱処
理プレート全体を交換する必要はないので、メンテナン
スコストを低く抑えることができる。Further, even if the size of the entire heat-treating plate increases as the size of the substrate increases, the size of each plate-like member is kept small by increasing the number of plate-like members constituting the heat-treating plate. Therefore, handling of the heat-treated plate does not become difficult. Further, when the heat-treated plate (plate-shaped body) is damaged, only the damaged plate-shaped body needs to be replaced, and it is not necessary to replace the entire heat-treated plate. be able to.
【0011】また、板状体のサイズが小さいと、その素
材となる金属板を簡単に入手できるうえ、特に、板状体
が金属板にメッキ処理を施すことによって構成されてい
る場合には、その表面へのメッキ処理なども容易に行う
ことができる。なお、基板熱処理装置は、基板を加熱す
るための装置(ホットプレート)であってもよいし、基
板を冷却するための装置(クールプレート)であっても
よい。When the size of the plate is small, the metal plate as the material can be easily obtained. In particular, when the plate is formed by plating the metal plate, Plating treatment of the surface can be easily performed. Note that the substrate heat treatment apparatus may be an apparatus for heating the substrate (hot plate) or an apparatus for cooling the substrate (cool plate).
【0012】また、熱処理プレートとは、熱処理される
基板に最も近いプレートのことをいい、たとえば、基板
熱処理装置が、加熱手段(面状ヒータなど)または冷却
手段(冷却水配管、ペルチエ素子など)と、この上方に
密接して設けられた表面プレートとを有し、この表面プ
レート上に基板をセットする構成である場合には、表面
プレートが熱処理プレートに相当する。また、基板熱処
理装置が、加熱手段または冷却手段と、この上方に密接
して設けられたメインプレートと、このメインプレート
上に着脱可能に取り付けられたサブプレートとを有し、
サブプレート上に基板をセットする構成である場合に
は、サブプレートが熱処理プレートに相当する。The heat-treating plate means a plate closest to the substrate to be heat-treated. For example, the substrate heat-treating apparatus is provided with a heating means (such as a planar heater) or a cooling means (such as a cooling water pipe or a Peltier element). And a surface plate provided closely above the surface plate, and when the substrate is set on the surface plate, the surface plate corresponds to the heat treatment plate. Further, the substrate heat treatment apparatus has a heating means or a cooling means, a main plate provided closely above the heating means, and a sub-plate detachably mounted on the main plate,
When the substrate is set on the sub-plate, the sub-plate corresponds to the heat treatment plate.
【0013】なお、加熱手段または冷却手段と熱処理プ
レートとが一体化されているときには、熱処理プレート
とともに加熱手段または冷却手段も分割されるとよい。
請求項2記載の発明は、上記熱処理プレートの主面に
は、熱処理される基板と上記熱処理プレートとの間に間
隙を形成するためのスペーサが設けられていることを特
徴とする請求項1記載の基板熱処理装置である。When the heating means or the cooling means and the heat treatment plate are integrated, the heating means or the cooling means may be divided together with the heat treatment plate.
The invention according to claim 2 is characterized in that a spacer for forming a gap between a substrate to be heat-treated and the heat-treatment plate is provided on a main surface of the heat-treatment plate. Substrate heat treatment apparatus.
【0014】処理すべき基板を熱処理プレートの主面に
吸着保持する吸着式のホットプレートを分割構成した場
合、各分割部分の高低差が原因で熱処理プレートの主面
に段差を生じると、基板の裏面が熱処理プレートの主面
と密着した状態にならず、基板を均一に熱処理できない
おそれがある。また、熱処理プレート同士の間に隙間が
生じると、基板の裏面の一部が熱処理プレートの主面と
密着した状態にならず、この場合も、基板を均一に熱処
理できないおそれがある。When a suction hot plate for holding a substrate to be processed by suction on the main surface of the heat-treating plate is divided, if a step on the main surface of the heat-treating plate is caused due to a difference in height between the divided portions, the substrate may be deformed. The back surface may not be in close contact with the main surface of the heat treatment plate, and the substrate may not be heat treated uniformly. Further, if a gap is formed between the heat treatment plates, a part of the back surface of the substrate does not come into close contact with the main surface of the heat treatment plate, and in this case, the substrate may not be heat treated uniformly.
【0015】請求項2記載の構成によれば、熱処理され
る基板は、スペーサによって熱処理プレートとの間に間
隙が形成された状態で保持されることになるので、熱処
理プレートの主面の結合部における段差や隙間等の不均
一部があったとしても、スペーサによる間隙によって上
記不均一部での熱的不均一が緩和され、基板をほぼ均一
に熱処理することができる。According to the second aspect of the present invention, the substrate to be heat-treated is held in a state in which a gap is formed between the substrate and the heat-treating plate by the spacer. Even if there is a non-uniform part such as a step or a gap in the above, thermal non-uniformity in the non-uniform part is alleviated by the gap by the spacer, and the substrate can be heat-treated substantially uniformly.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。なお、以下で
は、この発明が基板を加熱するためのホットプレートに
適用された場合を取り上げて説明するが、この発明は基
板を冷却するクールプレートに適用されてもよい。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In the following, a case where the present invention is applied to a hot plate for heating a substrate will be described, but the present invention may be applied to a cool plate for cooling a substrate.
【0017】図1は、この発明の一実施形態に係るホッ
トプレートの構成を示す平面図である。また、図2は、
図1に示す切断線A−Aにおける断面図である。このホ
ットプレート1は、平面視において処理すべき基板Sよ
りも少し大きい略矩形状に形成されている。たとえば、
処理すべき基板Sが1m×1mのサイズを有する場合
に、ホットプレート1のサイズは、1.08m×1.0
8mとなる。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a hot plate according to one embodiment of the present invention. Also, FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along a cutting line AA shown in FIG. 1. The hot plate 1 is formed in a substantially rectangular shape slightly larger than the substrate S to be processed in plan view. For example,
When the substrate S to be processed has a size of 1 mx 1 m, the size of the hot plate 1 is 1.08 mx 1.0
8m.
【0018】ホットプレート1は、ベースプレート11
と、ベースプレート11上に積層された面状ヒータ12
と、この面状ヒータ12上に積層された表面プレート1
3とを有している。言い換えれば、ベースプレート11
と表面プレート13とで面状ヒータ12を挟み込むこと
により、このホットプレート1が構成されている。ベー
スプレート11、面状ヒータ12および表面プレート1
3を含むホットプレート1は、その長手方向と直交する
方向に延びた直線でほぼ均等に2分割されている。ベー
スプレート11の各分割部分11A,11Bは、それぞ
れ、アジャスタ機構(図示せず)付の複数本の脚14に
支持されており、アジャスタ機構で各脚14の長さを調
整することで、表面プレート13の上面16を水平面に
沿わせることができるようになっている。The hot plate 1 includes a base plate 11
And a planar heater 12 laminated on a base plate 11
And the surface plate 1 stacked on the planar heater 12.
And 3. In other words, the base plate 11
The hot plate 1 is configured by sandwiching the sheet heater 12 between the hot plate 1 and the front plate 13. Base plate 11, planar heater 12, and surface plate 1
The hot plate 1 including 3 is almost equally divided into two by a straight line extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction. Each of the divided portions 11A and 11B of the base plate 11 is supported by a plurality of legs 14 having an adjuster mechanism (not shown), and the length of each leg 14 is adjusted by the adjuster mechanism, whereby the surface plate is adjusted. The upper surface 16 of the thirteen can be arranged along the horizontal plane.
【0019】表面プレート13は、たとえばアルミニウ
ム板などの金属板を用いて構成されており、各分割部分
13A,13Bの上面には、それぞれ、スペーサとして
の複数個(この実施形態では13個)の略球状のプロキ
シミティ・ボール15が配設されている。処理されるべ
き基板Sは、複数個のプロキシミティ・ボール15上に
載置されることにより、表面プレート13の上面(主
面)16から所定間隔dだけ離れた状態で支持される。The surface plate 13 is made of, for example, a metal plate such as an aluminum plate, and a plurality of (13 in this embodiment) spacers are provided on the upper surfaces of the divided portions 13A and 13B, respectively. A substantially spherical proximity ball 15 is provided. The substrate S to be processed is supported on the plurality of proximity balls 15 at a predetermined distance d from the upper surface (main surface) 16 of the front plate 13.
【0020】熱処理時には、26個のプロキシミティ・
ボール15上に基板Sがセットされた状態で、面状ヒー
タ12の各分割部分12A,12Bに並列または直列に
電力が供給される。これにより、面状ヒータ12の各分
割部分12A,12Bが発熱する。面状ヒータ12の各
分割部分12A,12Bからの発熱は、それぞれ、板状
体としての表面プレート13の各分割部分13A,13
Bを伝搬して、各分割部分13A,13Bの上面16か
ら放熱される。そして、この表面プレート13の各分割
部分13A,13Bからの放熱によって、表面プレート
13の上面16から所定間隔dだけ離れて支持された基
板Sが加熱される。At the time of heat treatment, 26 proximity
With the substrate S set on the ball 15, electric power is supplied in parallel or in series to each of the divided portions 12A and 12B of the planar heater 12. As a result, each of the divided portions 12A and 12B of the planar heater 12 generates heat. Heat generated from each of the divided portions 12A and 12B of the planar heater 12 is generated by each of the divided portions 13A and 13A of the surface plate 13 as a plate-like body.
B is radiated from the upper surface 16 of each of the divided portions 13A and 13B. The substrate S supported at a predetermined distance d from the upper surface 16 of the front plate 13 is heated by the heat radiation from the divided portions 13A and 13B of the front plate 13.
【0021】以上のように、この実施形態に係るホット
プレート1は、その長手方向と直交方向に延びた直線で
2分割されており、各分割部分に分割して取り扱うこと
ができる。したがって、たとえば、プロキシミティ・ボ
ール15を破損した場合などには、表面プレート13の
各分割部分13A,13Bを別々に取り外し/取り付け
ることができるから、たとえホットプレート1が大型で
あっても、表面プレート13を楽に交換することができ
る。As described above, the hot plate 1 according to this embodiment is divided into two by a straight line extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction, and can be handled by being divided into each divided part. Therefore, for example, when the proximity ball 15 is damaged, the divided portions 13A and 13B of the surface plate 13 can be separately removed / attached. The plate 13 can be easily replaced.
【0022】そのうえ、プロキシミティ・ボール15を
破損した場合などには、その破損したプロキシミティ・
ボール15が配設されている分割部分13Aまたは13
Bのみを交換すればよく、表面プレート13全体を交換
する必要はないので、メンテナンスに要するコストを低
く抑えることができる。さらに、表面プレート13の各
分割部分13A,13Bは、表面プレート13を1枚で
構成した場合と比較して半分のサイズとなるので、各分
割部分13A,13Bを構成する金属板を簡単に入手で
きるうえ、その表面へのメッキ処理なども容易に行うこ
とができる。In addition, when the proximity ball 15 is damaged, the damaged proximity ball is damaged.
13A or 13 where the ball 15 is disposed
Only B needs to be replaced, and it is not necessary to replace the entire surface plate 13, so that the cost required for maintenance can be reduced. Further, since each of the divided portions 13A and 13B of the front plate 13 is half the size of the case where the front plate 13 is constituted by one sheet, the metal plate constituting each of the divided portions 13A and 13B can be easily obtained. In addition to this, plating of the surface can be easily performed.
【0023】また、処理すべき基板Sを表面プレート1
3の上面に吸着保持する吸着式のホットプレートを2分
割した場合、各分割部分13A,13Bの高低差が原因
で表面プレート13の上面16に段差を生じると、基板
Sの裏面が表面プレート13の上面16と密着した状態
にならず、基板Sを均一に加熱できないおそれがある。
また、各分割部分13A,13Bの平面的配置が原因で
各分割部分13A,13Bの間に隙間が生じると、基板
Sの裏面の一部が表面プレート13の上面16と密着し
た状態にならず、基板Sを均一に加熱できないおそれが
ある。しかしながら、この実施形態においては、処理す
べき基板Sを表面プレート13の上面16から所定間隔
dだけ離して保持するプロキシミティ方式が採用されて
いるので、たとえ表面プレート13の上面16に若干の
段差が生じていても、基板Sをほぼ均一に加熱すること
ができる。The substrate S to be processed is placed on the surface plate 1
When the suction-type hot plate that is suction-held on the upper surface of the substrate 3 is divided into two, if a step occurs on the upper surface 16 of the front plate 13 due to the height difference between the divided portions 13A and 13B, the rear surface of the substrate S May not be in close contact with the upper surface 16 of the substrate S, and the substrate S may not be heated uniformly.
When a gap is formed between the divided portions 13A and 13B due to the planar arrangement of the divided portions 13A and 13B, a part of the back surface of the substrate S does not come into close contact with the upper surface 16 of the front plate 13. The substrate S may not be heated uniformly. However, in this embodiment, since the proximity method in which the substrate S to be processed is held at a predetermined distance d from the upper surface 16 of the surface plate 13 is employed, even if the upper surface 16 of the surface plate 13 Can be heated substantially uniformly.
【0024】図3は、この発明の第2の実施形態に係る
ホットプレートの構成を示す平面図である。また。図4
は、図3に示す切断線B−Bにおける断面図である。こ
の第2実施形態に係るホットプレート2は、メイン部2
1と、このメイン部21の上面に着脱可能に設けられた
サブプレート22とを有している。メイン部21は、平
面視において略長方形状に形成されており、ベースプレ
ート23と、ベースプレート23上に積層された面状ヒ
ータ24と、この面状ヒータ24上に積層されたメイン
プレート25とを有している。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a hot plate according to a second embodiment of the present invention. Also. FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along a cutting line BB shown in FIG. 3. The hot plate 2 according to the second embodiment includes a main part 2
1 and a sub plate 22 detachably provided on the upper surface of the main portion 21. The main portion 21 is formed in a substantially rectangular shape in plan view, and has a base plate 23, a planar heater 24 laminated on the base plate 23, and a main plate 25 laminated on the planar heater 24. doing.
【0025】サブプレート22は、メインプレート25
の上面に載置されて使用されるものであり、たとえば、
処理すべき基板Sのサイズに応じて交換される。基板S
のサイズに応じてメイン部21に装着されるサブプレー
ト22は、たとえばアルミニウム板などの金属板を用い
て、平面視において基板Sよりも少し大きい略長方形状
に形成されている。サブプレート22は、その長手方向
と直交する方向に延びた直線で2分割されており、板状
体としての各分割部分22A,22Bの上面27には、
それぞれ、スペーサとしての複数個の略球状のプロキシ
ミティ・ボール26が配設されている。処理されるべき
基板Sは、この複数個のプロキシミティ・ボール26上
に載置されることにより、サブプレート22の上面(主
面)27から所定間隔dだけ離れた状態で支持される。The sub plate 22 includes a main plate 25
Is used by being placed on the upper surface of
It is exchanged according to the size of the substrate S to be processed. Substrate S
The sub-plate 22 mounted on the main part 21 according to the size of is formed in a substantially rectangular shape slightly larger than the substrate S in a plan view using a metal plate such as an aluminum plate. The sub-plate 22 is divided into two by a straight line extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction, and the upper surface 27 of each of the divided portions 22A and 22B as a plate-like body is
In each case, a plurality of substantially spherical proximity balls 26 as spacers are provided. The substrate S to be processed is supported on the plurality of proximity balls 26 at a predetermined distance d from the upper surface (main surface) 27 of the sub-plate 22.
【0026】熱処理時には、26個のプロキシミティ・
ボール26上に基板Sがセットされた状態で、面状ヒー
タ24に電力が供給される。面状ヒータ24からの発熱
は、メインプレート25を伝搬して、メインプレート2
5の上面からサブプレート22へ与えられる。サブプレ
ート22に与えられた熱は、サブプレート22を伝搬し
て、サブプレート22の上面27から放熱される。そし
て、このサブプレート22の上面からの放熱によって、
サブプレート22の上面27から所定間隔dだけ離れて
支持された基板Sが加熱される。At the time of heat treatment, 26 proximity
With the substrate S set on the ball 26, electric power is supplied to the planar heater 24. The heat generated by the planar heater 24 propagates through the main plate 25 and the main plate 2
5 to the sub-plate 22. The heat applied to sub-plate 22 propagates through sub-plate 22 and is radiated from upper surface 27 of sub-plate 22. Then, by heat radiation from the upper surface of the sub-plate 22,
The substrate S supported at a predetermined distance d from the upper surface 27 of the sub-plate 22 is heated.
【0027】以上のように、この第2実施形態に係るホ
ットプレート2は、メイン部21とサブプレート22と
を有しており、サブプレート22がその長手方向と直交
方向に延びた直線で2分割されている。したがって、こ
のホットプレート2においては、サブプレート22を各
分割部分22A,22Bに分割して取り扱うことができ
るので、たとえホットプレート2が大型であっても、サ
ブプレート22の運搬や交換を楽に行うことができる。As described above, the hot plate 2 according to the second embodiment has the main portion 21 and the sub-plate 22, and the sub-plate 22 is a straight line extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction. Has been split. Therefore, in the hot plate 2, since the sub plate 22 can be divided into the divided portions 22A and 22B and handled, even if the hot plate 2 is large, the sub plate 22 can be easily transported and exchanged. be able to.
【0028】また、サブプレート22の各分割部分22
A,22Bは、サブプレート22を1枚で構成した場合
と比較して半分のサイズとなるので、各分割部分22
A,22Bを構成する小型の金属板は簡単に入手できる
うえ、その表面へのメッキ処理なども容易に行うことが
できる。さらに、上記した第1実施形態に係るホットプ
レート1においては、処理すべき基板Sのサイズが変わ
ると、表面プレート13を基板Sのサイズに応じたもの
に交換するために、ホットプレート1全体を交換する必
要がある。これに対し、この第2実施形態に係るホット
プレート2においては、サブプレート22がメイン部2
1に対して着脱可能に設けられているから、ホットプレ
ート2全体を交換する必要がなく、サブプレート22を
簡単に交換することができる。また、プロキシミティ・
ボール15を破損した場合やサブプレート22の上面2
7に傷がついた場合などについても、同様のことが言え
る。Each divided portion 22 of the sub-plate 22
Each of the divided portions 22A and 22B is half the size of the case where the sub-plate 22 is constituted by one sheet.
The small metal plates constituting the A and 22B can be easily obtained, and the surface thereof can be easily plated. Further, in the hot plate 1 according to the above-described first embodiment, when the size of the substrate S to be processed changes, the entire hot plate 1 is replaced in order to replace the front plate 13 with a substrate corresponding to the size of the substrate S. Need to be replaced. On the other hand, in the hot plate 2 according to the second embodiment, the sub plate 22 is
Since it is provided detachably with respect to 1, the entire hot plate 2 does not need to be replaced, and the sub-plate 22 can be easily replaced. Proximity
When the ball 15 is damaged or when the upper surface
The same can be said for a case in which 7 is damaged.
【0029】以上では、この発明の2つの実施形態につ
いて説明したが、この発明は、上述の2つの実施形態に
限定されるものではない。たとえば、上述の第2実施形
態においては、サブプレート22のみが2分割されてい
るとしたが、サブプレート22と同様にメインプレート
21も2分割されていてもよい。また、上述の各実施形
態においては、表面プレート13またはサブプレート2
2が2つに分割される構成を取り上げたが、表面プレー
ト13またはサブプレート22は、図5に示すように、
ホットプレート3の長手方向と直交方向に延びた2本の
平行な直線で3つの分割部分3A,3B,3Cに分割さ
れてもよい。さらに、ホットプレート3の長手方向と直
交方向に延びた3本以上の平行な直線で4つ以上に分割
されてもよい。Although two embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described two embodiments. For example, in the above-described second embodiment, only the sub-plate 22 is divided into two, but the main plate 21 may be divided into two similarly to the sub-plate 22. In each of the above embodiments, the surface plate 13 or the sub plate 2
2 is divided into two, the surface plate 13 or the sub-plate 22 is, as shown in FIG.
The hot plate 3 may be divided into three divided portions 3A, 3B, 3C by two parallel straight lines extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the hot plate 3. Further, the hot plate 3 may be divided into four or more by three or more parallel straight lines extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the hot plate 3.
【0030】また、必ずしもホットプレートの長手方向
と直交方向に延びた直線で分割される必要はなく、ホッ
トプレートの長手方向に沿った直線で分割されてもよい
し、ホットプレートの長手方向に交差する方向の直線で
分割されてもよい。さらに、図6に示すホットプレート
4のように、ホットプレート4の長手方向に沿った直線
とこの直線に直交する直線で4つの分割部分4A,4
B,4C,4Dに分割されてもよい。また、ホットプレ
ートの長手方向に沿った直線とこの直線に直交する直線
で5つ以上に分割されてもよい。Further, it is not always necessary to divide by a straight line extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the hot plate, and it may be divided by a straight line along the longitudinal direction of the hot plate, or to intersect in the longitudinal direction of the hot plate. May be divided by a straight line in the direction of the movement. Further, as in a hot plate 4 shown in FIG. 6, four divided portions 4A, 4 are formed by a straight line along the longitudinal direction of the hot plate 4 and a straight line orthogonal to the straight line.
B, 4C, and 4D. The hot plate may be divided into five or more by a straight line along the longitudinal direction of the hot plate and a straight line orthogonal to the straight line.
【0031】さらには、ホットプレートが必ずしも等分
割される必要もなく、たとえば、図7に示すホットプレ
ート5のように、平面略長方形状の中央分割部分5A
と、この分割部分5Aを取り囲むように配置された平面
略コ字状の周縁分割部分5Bおよび平面略逆コ字状の周
縁分割部分5Cとに分割されてもよい。この場合におい
て、たとえば、周縁分割部分5B,5Cにおけるヒータ
出力を中央分割部分5Aにおけるヒータ出力よりも高め
に設定しておくことにより、基板Sの周縁部分からの放
熱が中央部分からの放熱よりも大きいことに起因した基
板の加熱/冷却むらをなくすことができる。Further, the hot plate does not necessarily have to be equally divided. For example, as shown in a hot plate 5 shown in FIG.
In addition, the peripheral portion 5B may be divided into a substantially U-shaped planar divided portion 5B and a substantially inverted U-shaped peripheral divided portion 5C arranged to surround the divided portion 5A. In this case, for example, by setting the heater output in the peripheral divided portions 5B and 5C higher than the heater output in the central divided portion 5A, the heat radiation from the peripheral portion of the substrate S is smaller than the heat radiation from the central portion. The unevenness of heating / cooling of the substrate due to the large size can be eliminated.
【0032】また、上述の説明においては、各分割部分
の結合部で段差や隙間が生じることによる悪影響を受け
ないためには、吸着式のホットプレートよりもプロキシ
ミティ式のホットプレート方が好ましいとしたが、もち
ろん、この発明が吸着式のホットプレートに適用されて
もよい。なお、上述の実施形態においては、この発明が
基板を加熱するためのホットプレートに適用された場合
を取り上げて説明したが、この発明は基板を冷却するク
ールプレートや、基板を加熱しつつレジスト密着強化剤
を塗布する密着強化剤塗布装置等に適用されてもよく、
熱処理プレートに近接される基板に対して熱を与えたり
奪ったりするものに広く適用される。In the above description, the proximity type hot plate is more preferable than the adsorption type hot plate in order to avoid the adverse effect of the step or gap at the joint of each divided portion. However, of course, the present invention may be applied to an adsorption-type hot plate. In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a hot plate for heating a substrate has been described. However, the present invention relates to a cool plate for cooling a substrate, It may be applied to an adhesion enhancer application device or the like that applies a reinforcement,
It is widely applied to those that give or remove heat to a substrate close to a heat treatment plate.
【0033】さらに、上述の実施形態においては、この
発明が角型基板を角型の熱処理プレートで熱処理する装
置に適用された場合を取り上げて説明したが、この発明
は、円形基板を円形の熱処理プレートで熱処理するよう
な装置など、様々な形態の装置に適用することもでき
る。その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の
範囲内で、種々の設計変更を施すことが可能である。Further, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to an apparatus for heat-treating a rectangular substrate with a rectangular heat-treating plate has been described. The present invention can be applied to various types of apparatuses such as an apparatus that heat-treats with a plate. In addition, various design changes can be made within the scope of the technical matters described in the claims.
【図1】この発明の第1実施形態に係る基板熱処理装置
の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す切断線A−Aにおける断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a cutting line AA shown in FIG.
【図3】この発明の第2実施形態に係る基板熱処理装置
の構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a substrate heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図4】図3に示す切断線B−Bにおける断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along section line BB shown in FIG. 3;
【図5】第1実施形態および第2実施形態の変形例につ
いて説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for describing a modification of the first embodiment and the second embodiment.
【図6】第1実施形態および第2実施形態の他の変形例
について説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining another modification of the first embodiment and the second embodiment.
【図7】第1実施形態および第2実施形態のさらに他の
変形例について説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining still another modified example of the first embodiment and the second embodiment.
【図8】従来のホットプレートの構成を簡略化して示す
平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a simplified configuration of a conventional hot plate.
【図9】図8に示す切断線C−Cにおける断面図であ
る。9 is a sectional view taken along section line CC shown in FIG.
1,2,3,4,5 ホットプレート(基板熱処理装
置) 13 表面プレート(熱処理プレート) 15,26 プロキシミティ・ボール(スペーサ) 21 メイン部 22 サブプレート(熱処理プレート) 16,27 主面1, 2, 3, 4, 5 Hot plate (substrate heat treatment apparatus) 13 Surface plate (heat treatment plate) 15, 26 Proximity ball (spacer) 21 Main part 22 Sub plate (heat treatment plate) 16, 27 Main surface
Claims (2)
て、その基板に熱処理を施す基板熱処理装置において、 上記熱処理プレートは、それぞれの主面がほぼ同一の平
面内に含まれるように互いに隣接して配置されている複
数枚の板状体からなることを特徴とする基板熱処理装
置。1. A substrate heat treatment apparatus for arranging a substrate on a main surface side of a heat treatment plate and performing heat treatment on the substrate, wherein the heat treatment plates are arranged so that their main surfaces are substantially in the same plane. A substrate heat treatment apparatus comprising a plurality of plate-like bodies arranged adjacent to each other.
れる基板と上記熱処理プレートとの間に間隙を形成する
ためのスペーサが設けられていることを特徴とする請求
項1記載の基板熱処理装置。2. The substrate heat treatment according to claim 1, wherein a spacer for forming a gap between the substrate to be heat treated and the heat treatment plate is provided on a main surface of the heat treatment plate. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086698A JPH11283909A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Substrate heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086698A JPH11283909A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Substrate heat treatment equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283909A true JPH11283909A (en) | 1999-10-15 |
Family
ID=13894176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10086698A Pending JPH11283909A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Substrate heat treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283909A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865844B1 (en) | 2006-07-04 | 2008-10-29 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus |
| JP2010054157A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Koyo Thermo System Kk | Heater unit and heat treatment device |
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1998
- 1998-03-31 JP JP10086698A patent/JPH11283909A/en active Pending
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